KR100420443B1 - 주사형노광장치 - Google Patents

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KR100420443B1
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Abstract

간단한 정렬 마크 검출계이면서도 정확하게 겹쳐질수 있는 정렬 검출계를 구비한 주사형 노광장치를 제공한다.
복수의 투영 광학계(12a 내지 12e)를 소정의 방향을 따라 설치한 주사형 노광장치로서 감광기판(14)위의 정렬 마크(24)를 복수의 투영광학계중 최소한 1 개를 거쳐서 마스크(10)위의 정렬 마크(23)와 함께 마크 검출수단(20a, 20b)으로 검출한다.

Description

주사형 노광장치
산업상의 이용분야
본 발명은 주사형 노광장치 특히 대형의 액정 디스플레이 패널 등을 제조하기 위해 대형 기판위에 패턴을 겹쳐 노광하는 노광장치에 관한 것이다.
종래의 기술
근래 퍼스널 컴퓨터(personal computer), 텔레비젼 등의 표시소자로서 액정 표시 기판이 많이 사용되고 있다. 이 액정 표시 기판은 감광기판(유리기판) 위에 투명박막 전극을 포토리소그래피(photolithography)의 수법으로 희망하는 형상으로 패턴닝하여 만들어진다. 이 포토리소그래피를 위한 장치로서 마스크위에 형성한 원화 패턴을 투영광학계를 거쳐서 유리기판위의 포토레지스트 층에 노광하는 투영노광장치가 사용되고 있다.
또한 최근에는 액정 표시기판의 면적을 대형화할 것을 요구하고 있으므로 그에 따라 상기한 투영노광장치에 있어서도 노광영역의 확대가 요망되고 있다. 이 노광 영역의 확대의 수단으로서 마스크와 감광기판을 투영광학계에 대해서 주사 노광한 후 주사방향에 직교하는 방향으로 마스크와 감광기판을 소정의 거리를 이동하여 재차 주사노광을 행하는 소위 스텝 앤드 스캔(step-and-scan) 방식의 노광장치가 있다.
발명이 해결할려고하는 과제
일반적으로 이같은 노광장치에서는 1 개의 감광기판(유리기판)에 대해서 소정의 프로세스 처리를 실시하면서 몇 층에 걸쳐서 마스크의 원화 패턴의 노광을 되풀이한다. 이때, 각 층의 패턴끼리를 희망하는 위치에 겹치면서 노광할 때 패턴을 겹치기 위해서 마스크위에 설치된 정렬 마크의 검출과 감광 기판과 거의 동일한 평면 내에 설치된 기준 마크 혹은 감광기판 위에 설치된 정렬 마크의 검출을 행하고, 마스크와 감광기판을 위치결정할 필요가 있다.
상기한 바와 같이 스텝 앤드 스캔방식의 장치에서 마스크와 감광기판을 위치 결정하기 위해 각각의 정렬 마크를 투영광학계를 거쳐서 검출하려 할 때 노광중의 마스크나 감광기판의 중앙에 투영광학계가 존재하는 경우에, 마스크와 감광기판의 각각의 정렬 마크를 투영광학계를 거쳐서 동시에 검출하고 위치 결정할 수가 없다. 이 때문에 마스크와 감광기판 각각의 정렬 마크를 독립해서 설치된 검출계에서 검출하고 위치 결정할 필요가 있다. 이 때문에 정렬 마크의 검출계가 중복되어 구성이 복잡해지는 것외에 각 검출계에 따른 검출 시간의 차이에 따른 오차의 확대나 검출계 각각의 안전성의 차이에 따른 패턴의 위치 결정(겹침) 정확도의 악화 등의 문제가 생겼다.
본 발명은 위의 문제점을 감안하여 간단한 구성으로 정밀하게 패턴의 겹침 정확도를 달성할 수 있는 정렬 마크 및 검출계를 구비한 주사형 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
상기한 문제점을 해결하기 위해 본 발명에 있어서는 광원(1)으로부터의 광속을 마스크(10)의 패턴 영역(10a)내의 복수의 부분영역(11a 내지 11d)의 각각을 조명하는 복수의 조명광학계(L1 내지 L5)와, 소정의 방향(Y 방향)을 따라 복수 배열됨과 함께 마스크를 투과한 광속에 따른 복수의 부분영역 각각의 등배 정립상(13a 내지 13d)을 감광기판(14)위에 투영하는 복수 투영광학계(12a 내지 12d)와, 마스크 위의 제 1 정렬 마크(21, 23)를 검출함과 함께 복수의 투영광학계중 최소한 1 개의 투영광학계(12a, 12e)를 거쳐서 감광기판의 표면과 거의 동일한 평면내에 설치된 제 2 정렬 마크(22, 24)를 검출하는 마크 검출수단(20)을 구비하고, 마크 검출수단의 검출결과에 의거해서 마스크와 감광기판을 위치 결정한 상태에서 마스크와 감광기판을 투영광학계에 대해서 소정의 방향에 직교하는 방향(X 방향)으로 주사함으로써 패턴 영역의 상을 감광기판위에 노광하기로 하였다.
작 용
본 발명에 있어서는 복수의 투영 광학계를 소정의 방향을 따라 배열하고 감광기판위의 정렬 마크를 복수의 투영광학계 중 최소한 1 개의 투영 광학계를 거쳐서 마크 검출 수단으로 검출하는 구성으로 하였기 때문에, 마스크 위의 정렬 마크와 감광기판 위의 정렬 마크를 동시에 검출할 수가 있고, 마크 검출수단의 구성이 간단해지는 것 외에, 항상 마스크와 감광 기판을 정렬한 상태에서 주사노광 할 수가 있고 마스크의 패턴과 감광기판위의 패턴과의 겹치는 정확도도 향상한다.
실시예
제 1 도는 본 발명의 실시예에 따른 주사형 노광장치의 개략적인 구성을 도시하는 도면이다. 초고압 수은램프 등의 광원(1)에서 사출한 광속은 타원경(2)에서반사된 후에 다이크로익(dichroic) 거울(3)에 입사한다. 이 다이크로익 거울(3)은 노광에 필요한 파장의 광속을 반사하고 그밖의 파장의 광속을 투과한다. 다이크로익 거울(3)에서 반사된 광속은 광축 (AX1)에 대해서 진퇴가 가능하게 설치된 셔터(4)에 의해 투영광학계측으로의 조사를 선택적으로 제한한다. 셔터(4)가 개방됨으로써 광속이 파장선택 필터(5)에 입사하고, 투영광학계(12a)가 전사를 하는데에 적합한 파장(통상은 g, h, i 선중 최소한 1 개의 대역)의 광속으로 된다. 또한, 이 광속의 강도분포는 광축 근처가 가장 높고 주변으로 갈수록 저하하는 가우스 분포형상으로 되기 때문에, 최소한 투영광학계(12a)의 투영영역(13a)내에서 강도를 균일하게 할 필요가 있다. 이 때문에 프라이아이렌즈(fly-eye lens: 6)와 콘덴서 렌즈(8)에 의해 광속의 강도를 균일화 한다. 또한, 거울(7)은 배열상을 구부린 거울이다. 강도를 균일화한 광속은 시야 조리개(9)를 거쳐서 마스크(10)의 패턴면 위에 조사된다. 이 시야 조리개(9)는 감광기판(이하 단지 기판이라 함; 14)위의 투영영역(13a)을 제한하는 개구를 갖는다.
광원(1)에서 시야 조리개(9)까지의 구성을 투영 광학계(12a)에 대한 조명광학계(L1)로 하고, 본 실시예에서는 상기한 바와 같은 구성의 조명광학계(L2 내지 L5)를 설치해서 각각으로부터의 광속을 투영광학계(12b 내지 12e)의 각각에 공급한다.
복수의 조명광학계(L1 내지 L5)의 각각으로부터 사출된 광속은 마스크(10)위의 다른 부분영역(조명영역; 11a 내지 11e)을 각각 조명한다. 마스크를 투과한 복수의 광속은 각각 다른 투영 광학계(12a 내지 12e)를 거쳐서 기판(14)위의 다른 투영영역(13a 내지 13e)에 마스크(10)의 조명영역(11a 내지 11e)의 패턴상을 결상한다. 이 경우 투영 광학계(12a 내지 12e)는 어느 것이나 정립 등배 실제 결상(정립 정상)으로 한다.
그런데 기판(14)위의 투영영역(13a 내지 13e)은 제 3 도에 도시하는 바와 같이 Y 방향을 따라 인접하는 영역끼리(예를 들자면 13a와 13b, 13b와 13c)가 도면의 X 방향으로 소정량 변위하도록 또한 인접하는 영역의 단부끼리(파선으로 표시하는 범위)가 Y 방향으로 중복하도록(이웃하는 단부의 Y 방향 위치가 중복한다) 설치한다. 따라서 상기 복수의 투영 광학계(12a 내지 12e)도 각 투영영역(13a 내지 13e)의 배치에 의해 X 방향으로 소정량 변위함과 함께 Y 방향으로 중복해서 배치되어 있다. 또한, 복수의 조명광학계(L1 내지 L5)를 배치하는 것은 마스크(10)위의 조명영역이 투영영역(13a 내지 13e)과 같도록 배치한다. 그렇게 하여 마스크(10)와 기판(14)을 동기하여 투영 광학계(12a 내지 12e)에 대해서 X 방향으로 주사함으로써 마스크 위의 패턴 영역(10a)의 전체면을 기판위의 노광영역(14a)에 전사한다.
기판(14)은 기판 스테이지(15)에 적재되고, 기판 스테이지(15)는 1 차원의 주사노광을 하도록 주사방향(X 방향)으로 긴 스트로크를 갖는 구동장치(16)를 갖추고 있다. 또한, 주사 방향에 의해서 고분해능 및 고정확도의 위치측정 장치(예를들자면 레이저 간섭계; 17)를 갖춘다. 또한, 마스크(10)는 도시하지 않은 마스크 스테이지에 의해 지지되고, 이 마스크 스테이지도 기판 스테이지(15)와 같이 구동장치와 스테이지의 주사방향의 위치를 검출하는 위치측정 장치를 갖춘다. 또한 기판 스페이지(15)위의 소정의 위치에는 기판(14)의 표면(마스크의 패턴의 투영면)과 거의 동일한 평면내에 기준마크(22)가 배치된다. 제 3 도는 기판스테이지의 상면도이고, 기준 마크(22)는 기판 스테이지(15)위의 기판(14)을 적재하는 범위의 외측 소정의 위치에 고정된다.
제 2 도는 마스크(10)의 상면도이고, 마스크(10)중 기판(14)에 전사되는 범위(조명영역이고 패턴이 묘사되어 있는 영역; 10a)가 표시된다. 마스크(10)에는 상기 전사범위(10a) 외부에 정렬 마크(21)가 또한, 전사범위(10a) 내부에 정렬 마크(23)가 설치되어 있다.
마스크 상방에는 제 1 도 및 제 4 도에 도시하는 바와 같이 정렬 검출계(20)가 설치되고, 이 정렬 검출계에 의해 마스크위의 정렬 마크(21 및 23)를 검출함과 함께 투영광학계(12a, 12e)를 거쳐서 기준마크(22) 및 기판(14)위에 형성된 정렬 마크(24)를 검출한다. 즉, 정렬 검출계(20)에서 사출된 조명광을 반사경(25)을 거쳐서 마스크(10)위에 조사함과 함께 복수로 배열한 투영광학계중의 양단의 광학계 (12a, 12e)를 거쳐서 기판(14)위를 조명한다. 기판(14)으로부터의 반사광은 투영광학계(12a, 12e) 및 반사경(25)을 거쳐서, 또한 마스크(10)로부터의 반사광은 반사경(25)을 거쳐서 각각 정렬 검출계(20)에 입사한다. 정렬 검출계(20)는 마스크(10) 및 기판(14)으로부터의 반사광에 의거해서 각 정렬 마크의 위치를 검출한다.
다음에, 본 발명에 따른 마스크의 패턴 영역과 기판위에 노광된 상과의 겹침 동작(마스크와 기판과의 위치 결정 동작)에 대해서 설명한다. 제 1 도에 있어서 마스크(10)는 도시하지 않은 마스크 로더에 의해 마스크 스테이지위에 운반되고 흡착 등에 의해 마스크 스테이지 위에 고정된다. 정렬 검출계(20)는 조명광학계(L1 내지L5), 투영광학계(12a 내지 12e)가 고정되어 있는 칼럼(도시안함)에 설치되어 있다. 이 정렬 검출계에 의해 마스크 위의 정렬 마크(21, 23)를 검출하고, 그것의 검출결과에 의거해서 도시하지 않은 구동장치에 의해 도면의 X, Y 및 Z 축 주위의 회전방향(θ 방향)의 각 방향으로 마스크 스테이지를 구동함으로써 소정의 위치에 마스크를 위치 결정한다. 이때 검출하는 마스크 위의 정렬 마크로서 제 2 도에 도시된 전사범위(10a)내의, 예를 들어, 정렬마모(23c, 23d)를 검출함으로써 마스크의 위치 정보(X, Y 방향의 변위 및 θ 방향의 회전)를 얻을 수가 있다. 또한, 이 정렬 검출계(20)는 예를 들자면 현미경 광학계와 ITV 카메라 혹은 CCD 카메라를 구비하고, 정렬 마크를 포함하는 범위의 화상을 촬영하고, 화상처리에 의해 마크의 위치를 구하는 구성이다.
제 5 도는 정렬 검출계(20)에 의해 정렬 마크(21, 23)를 촬영한 화상을 도시하는 도면이다. 부호(30)은 촬영범위를, 또한 부호(31)은 정렬 검출계내에 설치된 지표 마크를 나타내고, 지표마크(31)에 대한 정렬 마크(21, 23)의 위치를 구함으로써 마스크의 위치를 검출하고 제어한다.
또, 대형 마스크의 경우 패턴의 묘사 정확도(설계위치에 대한 묘사위치의 어긋남)는 소형의 마스크와 같이 높지 아니하기 때문에, 또한 마스크를 지지할 때의 자기무게에 의한 휘어짐 때문에, 변형이 생기므로 마스크 위의 여러 장소에서 상기한 정렬을 행하는 것이 높은 위치 결정 정확도를 얻을 수가 있다. 이 때문에, 제 2 도에 도시하는 바와 같이 정렬 마크(21a 와 21b, 23a 와 23b, 23c 와 23d, 23e 와 23f, 21c 와 21d)를 차례로 검출하고, 이 검출 결과를 통계처리함으로써 마스크의위치를 제어한다. 또한, 정렬 검출계의 안정성을 확보하기 위해, 또한 기판(14)위에서 정확하게 패턴을 겹치기 위해(마스크의 패턴과 기판의 패턴을 정확히 겹친다), 정렬 검출계(20)에 의해 투영 광학계(21a, 12e)를 거쳐서 기판 스테이지 (15)위의 기준마크(22)를 검출한다.
제 6 도는 기준 마크(22)를 정렬 검출계(20)에 의해 촬영한 화상을 도시하는 도면이다. 기준마크(22)에 대해서 지표마크(31)의 위치를 관리함으로써 정렬 검출계를 기판 스테이지의 위치기준에 대해서 구경측정(calibration : 정렬 검출계의 검출 기준인 지표마크(31)의 위치를 기판 스테이지의 위치기준에 대해서 일정한 위치에 위치 결정한다)을 할 수 있게 된다. 다시, 기판 스테이지 위의 기준마크(22)와 마스크위의 정렬 마크(21, 23)를 정렬 검출계(20)에 의해 동시에 검출함으로써 기판 스테이지의 위치 좌표와 마스크 스테이지의 위치좌표를 명확하게 대응할 수 있게 된다. 이 때문에, 노광장치에 있어서 각 구성의 위치관계에 장기적인 안정성이 확보된다. 또한, 이때 본 실시예의 노광장치는 정렬 검출계 내에 지표마크(31)를 구비하고 있으므로, 마스크 정렬, 구경측정 및 각 좌표에 대응하는 각 동작을 동시에 행할 수도 있다.
제 6 도에 있어서 정렬 검출계(20)의 구경측정 동작의 경우에 마스크의 정렬 마크(21또는 23)는 특별히 검출하지 아니하여도 된다.
상기 공정에서 정렬 마크가 형성된 기판(14)은, 도시하지 않은 기판 반송계에 의해 플레이트 스테이지(15)위에 설치된다. 이 기판(14)과 마스크(10)의 겹치기를 행하기 위해 기판위의 정렬 마크(24)와 마스크의 전사 범위(10a)내에 설치된 정렬 마크(23)를 투영광학계(12)를 거쳐서 정렬 검출계(20)에 의해 검출하고, 양마크의 위치의 차이가 희망하는 관계가 되도록 기판스테이지를 도시하지 않은 구동계에 의해 X, Y, θ의 각 방향으로 제어한다. 다시, 기판(14)이 각종의 공정을 경유하면서 생기는 변형을 고려하여 고정된 겹침을 행하기 위해 제 3 도에 도시하는 기판(14)위의 복수의 정렬 마크(24a 내지 24f) 각각을 투영광학계(12)를 거쳐서 제 2 도에 도시하는 마스크위의 복수의 정렬 마크(23a 내지 23f)에 대응시키는 것과 동시에 검출하는 것이 바람직하다. 또한, 투영 광학계(12)의 도면의 X 방향에 있어서 전사범위는 기판(14)의 전사 영역에 비하여 좁다. 그 때문에 X 방향으로 분리된 정렬 마크(예를 들어; 24a 와 24c)를 검출하기 위해서 마스크 및 기판을 장치의 주사기구(16)에 의해 구동하면서 차례로 검출하도록 하면 된다.
투영 광학계(12)가 기판(14)의 감광파장에 대해서만 전사성능(결상성능)이 가장 좋게 되도록 설계되어 있는 경우에는 정렬(정렬 마크의 검출)을 위한 검출광에서도 감광파장으로 하고, 제 4 도에 있어서 반사경(25)을 하프미러(half mirror)로 하여 조명 광학계(L1 내지 L5)로부터의 광속을 정렬에 사용한다. 혹은 정렬 검출계(20)내에 설치된 광원으로부터 자기 조사에 의해 감광파장의 광속을 마스크 또는 기판위에 조명하고, 정렬 마크를 검출하도록 된다. 그런데, 감광 파장의 광속을 정렬 마크의 검출에 사용하면 기판(14)의 마크 근처가 노광되고, 이후의 정렬 마크가 파괴되게 된다. 이 경우는 투영광학계(12)를 비감광 파장의 광속에 대해서도 전사 성능을 유지하도록 설계하고, 이 비감광 파장의 광속을 정렬에 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 경우는 반사경(25)을 다이크로익 거울로 하고, 조명광학계로부터 감광파장의 광속을 투과하고, 정렬 검출계(20)로부터의 비감광파장의 광속을 반사하는 구성을 취할 수가 있다. 이때 반사경(25)이 실제 전사 노광시 악영향을 미치는 경우에는 반사경(25)을, 또는 반사경(25)과 정렬 검출계(20)를 전사 범위밖으로 물러나도록 하면 된다.
또, 겹침 동작은 마스크를 기준으로 하여 기판(기판 스테이지)을 제어해도 되고, 기판을 기준으로 하여 마스크(마스크 스테이지)를 제어해도 된다. 또한, 정렬 마크의 검출은 기판으로의 마스크 패턴의 전사노광에 앞서서 사전에 행하고, 마스크와 기판과의 위치 결정(겹침) 동작을 하여도 좋고, 전사노광(주사노광)을 행하면서 정렬 마크의 검출을 행하고, 이 검출 데이타에 의하여 노광중의 다음 마스크와 기판을 제어하도록 하여도 상관없다.
또한, 기판의 전사영역의 중앙에 정렬 마크를 배치하는 것은 바람직하지 아니하고, 기판위에 디바이스를 유효하게 제작하기 위해 일반적으로 기판(14) 위의 정렬 마크(24a 내지 24f)는 기판 단부를 따라 배치하는 편이 유리하다. 본 발명의 노광장치에서는 투영 광학계가 배치되어 있는 Y 방향에 관해서도 가장 외측의 투영광학계(12a, 12e)를 정렬 마크의 검출때에 사용하기 때문에, 기판(14)의 단부에 설치된 정렬 마크를 유효하게 검출할 수 있게 된다.
또한, 정렬 광학계(20)로서 레이저 비임을 정렬 마크에 조사하고, 정렬 마크에서 얻어지는 반사광(회절광)을 광전 검출함으로써 정렬 마크의 위치를 검출하는 구성으로 하는 것도 양호하다.
제 1 도는 본 발명의 실시예에 따른 주사형 노광장치의 개략적인 구성을 도시하는 도면.
제 2 도는 본 발명의 주사형 노광장치에 사용하는 마스크의 상면도.
제 3 도는 본 발명의 주사형 노광장치의 기판 스테이지를 도시하는 도면.
제 4 도는 본 발명의 주사형 노광장치의 정렬 검출계의 배치를 도시하는 도면.
제 5 도는 정렬 검출계에 의해 촬영한 화상을 도시하는 도면.
제 6 도는 기준마크를 정렬 검출계에 의해 촬영한 화상을 도시하는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1: 광원 10 : 마스크
10a: 패턴영역 11a 내지 11e : 조명영역
12a 내지 12e : 투영광학계 13a 내지 13e : 투영영역
14 : 감광기판 20 : 정렬 검출계
21, 22, 23 : 정렬 마크
24 : 기준마크
L1 내지 L5 : 조명광학계
이상과 같이 본 발명에 의하면 복수의 투영 광학계를 소정의 방향을 따라 배열하고, 감광 기판의 정렬 마크를 복수의 투영광학계중 최소한 1개의 투영 광학계를 거쳐서 마크 검출 수단으로 검출하는 구성으로 하였기 때문에, 마스크위의 정렬 마크와 감광기판위의 정렬 마크를 동시에 검출할 수가 있고, 마크 검출 수단의 구성이 간단해지는 것외에 항상 마스크와 감광 기판을 정렬한 상태에서 주사노광할 수가 있고, 마스크의 패턴과 감광기판 위의 패턴과의 겹침의 정확도도 향상한다.

Claims (9)

  1. 광원으로부터의 광속을 마스크의 패턴 영역내의 복수의 부분 영역 각각에 조명하는 복수의 조명 광학계와,
    소정 방향을 따라 복수 배열됨과 함께 마스크를 투과한 광속에 따른 복수의 부분 영역 각각의 등배 정립상을 기판상에 투영하는 복수의 투명 광학계 및,
    상기 마스크상의 제 1 정렬 마크를 검출함과 함께 복수의 투명 광학계를 거쳐서 기판의 표면과 동일한 평면내에 설치된 제 2 정렬 마크를 검출하는 마크 검출수단을 구비하고,
    상기 마크 검출 수단의 검출 결과에 따라서 마스크와 감광 기판을 위치 결정한 상태에서 마스크와 기판을 투영 광학계에 대해서 소정 방향과 직교하는 방향으로 주사함으로써 패턴 영역의 상을 기판상에 노광하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광 기판은 주사하는 방향으로 이동 가능한 스테이지 상에 적재되고,
    상기 제 2 정렬 마크는 상기 스테이지 상에 이 스테이지와 항상 소정 위치 관계로 설치된 정렬 마크인 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 위치 검출 수단은 감광 기판에 대해서 비감광성 광속을 사용하여 제 2 정렬 마크를 검출하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
  4. 마스크와 기판을 주사하며, 상기 마스크의 패턴을 상기 기판에 노광하는 주사형 노광 장치에 있어서,
    상기 패턴을 상기 기판에 투영하는 복수의 투영 광학계와,
    상기 복수의 투영 광학계 중 양단에 설치된 투영 광학계를 거쳐서, 상기 기판에 형성된 기판 정렬 마크를 검출하는 검출 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 검출 수단은, 상기 마스크에 형성된 마스크 정렬 마크를 검출하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 복수의 투영 광학계의 수는 기수개인 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
  7. 마스크와 기판을 주사하여, 상기 마스크의 패턴을 상기 기판에 노광하는 주사형 노광 장치에 있어서,
    상기 패턴을 상기 기판에 투영하는 복수의 투영 광학계와,
    상기 기판을 유지하여 이동하는 기판 스테이지와,
    상기 기판 스테이지에 형성된 기준 마크와,
    상기 복수의 투영 광학계중 양단에 설치된 투영 광학계를 거쳐서, 상기 기준 마크를 검출하는 검출 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 검출 수단은, 상기 마스크에 형성된 마스크 정렬 마크를 검출하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 복수의 투영 광학계의 수는 기수개인 것을 특징으로 하는 주사형 노광 장치.
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