JP3285105B2 - ステージ駆動方法、及び走査露光方法 - Google Patents
ステージ駆動方法、及び走査露光方法Info
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- JP3285105B2 JP3285105B2 JP7604593A JP7604593A JP3285105B2 JP 3285105 B2 JP3285105 B2 JP 3285105B2 JP 7604593 A JP7604593 A JP 7604593A JP 7604593 A JP7604593 A JP 7604593A JP 3285105 B2 JP3285105 B2 JP 3285105B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばスリットスキャ
ン露光方式の投影露光装置でレチクル側のステージを走
査方向に駆動する場合に適用して好適なステージ駆動方
法、及び走査露光方法に関する。
ン露光方式の投影露光装置でレチクル側のステージを走
査方向に駆動する場合に適用して好適なステージ駆動方
法、及び走査露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子、液晶表示素子又は薄膜磁気
ヘッド等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、フ
ォトマスク又はレチクル（以下、「レチクル」と総称す
る）のパターンを感光材が塗布された基板（ウエハ、ガ
ラスプレート等）上に転写する投影露光装置が使用され
ている。従来の投影露光装置としては、ウエハの各ショ
ット領域を順次投影光学系の露光フィールド内に移動さ
せて、各ショット領域に順次レチクルのパターン像を露
光するというステップ・アンド・リピート方式の縮小投
影型露光装置（ステッパー）が多く使用されていた。
ヘッド等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、フ
ォトマスク又はレチクル（以下、「レチクル」と総称す
る）のパターンを感光材が塗布された基板（ウエハ、ガ
ラスプレート等）上に転写する投影露光装置が使用され
ている。従来の投影露光装置としては、ウエハの各ショ
ット領域を順次投影光学系の露光フィールド内に移動さ
せて、各ショット領域に順次レチクルのパターン像を露
光するというステップ・アンド・リピート方式の縮小投
影型露光装置（ステッパー）が多く使用されていた。
【０００３】これに対して近年、半導体素子等において
はパターンが微細化しているため、投影光学系の解像力
を高めることが求められている。解像力を高めるための
手法には、露光光の波長の短波長化、又は投影光学系の
開口数の増大等の手法があるが、何れの手法を用いる場
合でも、従来例と同じ程度の露光フィールドを確保しよ
うとすると、露光フィールドの全面で結像性能（ディス
トーション、像面湾曲等）を所定の精度に維持すること
が困難になってきている。そこで現在見直されているの
が、所謂スリットスキャン露光方式の投影露光装置であ
る。
はパターンが微細化しているため、投影光学系の解像力
を高めることが求められている。解像力を高めるための
手法には、露光光の波長の短波長化、又は投影光学系の
開口数の増大等の手法があるが、何れの手法を用いる場
合でも、従来例と同じ程度の露光フィールドを確保しよ
うとすると、露光フィールドの全面で結像性能（ディス
トーション、像面湾曲等）を所定の精度に維持すること
が困難になってきている。そこで現在見直されているの
が、所謂スリットスキャン露光方式の投影露光装置であ
る。
【０００４】このスリットスキャン露光方式の投影露光
装置では、矩形状又は円弧状等の照明領域（以下、「ス
リット状の照明領域」という）に対してレチクル及びウ
エハを相対的に同期して走査しながら、そのレチクルの
パターンがウエハ上に露光される。従って、ステッパー
方式と同じ面積のパターンをウエハ上に露光するとすれ
ば、スリットスキャン露光方式では、ステッパー方式に
比べて投影光学系の露光フィールドを小さくすることが
でき、露光フィールド内での結像性能の精度が向上する
可能性がある。
装置では、矩形状又は円弧状等の照明領域（以下、「ス
リット状の照明領域」という）に対してレチクル及びウ
エハを相対的に同期して走査しながら、そのレチクルの
パターンがウエハ上に露光される。従って、ステッパー
方式と同じ面積のパターンをウエハ上に露光するとすれ
ば、スリットスキャン露光方式では、ステッパー方式に
比べて投影光学系の露光フィールドを小さくすることが
でき、露光フィールド内での結像性能の精度が向上する
可能性がある。
【０００５】また、従来のレチクルの大きさの主流は６
インチサイズであり、投影光学系の投影倍率の主流は１
／５倍であったが、半導体素子等の回路パターンの大面
積化により、倍率１／５倍のもとでのレチクルの大きさ
は６インチサイズでは間に合わなくなっている。そのた
め、投影光学系の投影倍率を例えば１／４倍に変更した
投影露光装置を設計する必要がある。そして、このよう
な被転写パターンの大面積化に応えるためにも、スリッ
トスキャン露光方式が有利である。
インチサイズであり、投影光学系の投影倍率の主流は１
／５倍であったが、半導体素子等の回路パターンの大面
積化により、倍率１／５倍のもとでのレチクルの大きさ
は６インチサイズでは間に合わなくなっている。そのた
め、投影光学系の投影倍率を例えば１／４倍に変更した
投影露光装置を設計する必要がある。そして、このよう
な被転写パターンの大面積化に応えるためにも、スリッ
トスキャン露光方式が有利である。
【０００６】図１０（ａ）は、本出願人の先願に係るス
リットスキャン露光方式の投影露光装置のレチクル側の
ステージを示し、この図１０（ａ）において、レチクル
１２はｙ方向に走査されると共に、ｘ方向にも微動自在
なレチクル微小駆動ステージ１１上に保持されている。
ｙ方向が、スリットスキャン露光時のレチクルとウエハ
との相対的な走査方向である。また、レチクル微小駆動
ステージ１１のｙ方向の端部にはコーナーキューブより
なる移動鏡２１ｙ１及び２１ｙ２が固定され、図示省略
された干渉計からのレーザービームＬＲｙ１及びＬＲｙ
２がそれぞれ移動鏡２１ｙ１及び２１ｙ２で反射された
後、固定鏡３８及び３９で反射されて入射方向に戻され
ている。それらレーザービームＬＲｙ１及びＬＲｙ２に
よる計測値を平均化することにより、レチクル微小駆動
ステージ１１のｙ座標が求められ、それら計測値の差分
よりレチクル微小駆動ステージ１１の回転角が求められ
る。
リットスキャン露光方式の投影露光装置のレチクル側の
ステージを示し、この図１０（ａ）において、レチクル
１２はｙ方向に走査されると共に、ｘ方向にも微動自在
なレチクル微小駆動ステージ１１上に保持されている。
ｙ方向が、スリットスキャン露光時のレチクルとウエハ
との相対的な走査方向である。また、レチクル微小駆動
ステージ１１のｙ方向の端部にはコーナーキューブより
なる移動鏡２１ｙ１及び２１ｙ２が固定され、図示省略
された干渉計からのレーザービームＬＲｙ１及びＬＲｙ
２がそれぞれ移動鏡２１ｙ１及び２１ｙ２で反射された
後、固定鏡３８及び３９で反射されて入射方向に戻され
ている。それらレーザービームＬＲｙ１及びＬＲｙ２に
よる計測値を平均化することにより、レチクル微小駆動
ステージ１１のｙ座標が求められ、それら計測値の差分
よりレチクル微小駆動ステージ１１の回転角が求められ
る。
【０００７】また、レチクル微小駆動ステージ１１のｘ
方向の端部には、反射面がｙ方向にほぼ平行なｘ軸用の
移動鏡２１ｘが固定されており、図示省略されたｘ軸用
の干渉計からのレーザービームＬＲｘが移動鏡２１ｘで
反射され、そのレーザービームＬＲｘによりレチクル微
小駆動ステージ１１のｘ方向の座標が計測されている。
仮に移動鏡２１ｘの反射面がｙ軸に完全に平行な直線７
０に平行であるとすると、そのレーザービームＬＲｘに
より計測されたｘ座標を一定値に維持した状態でレチク
ル微小駆動ステージ１１をｙ方向に走査することによ
り、レチクル１２のパターンが歪み無くウエハ上に露光
されるはずである。
方向の端部には、反射面がｙ方向にほぼ平行なｘ軸用の
移動鏡２１ｘが固定されており、図示省略されたｘ軸用
の干渉計からのレーザービームＬＲｘが移動鏡２１ｘで
反射され、そのレーザービームＬＲｘによりレチクル微
小駆動ステージ１１のｘ方向の座標が計測されている。
仮に移動鏡２１ｘの反射面がｙ軸に完全に平行な直線７
０に平行であるとすると、そのレーザービームＬＲｘに
より計測されたｘ座標を一定値に維持した状態でレチク
ル微小駆動ステージ１１をｙ方向に走査することによ
り、レチクル１２のパターンが歪み無くウエハ上に露光
されるはずである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き本出願人の
先願に係る投影露光装置において、レチクル微小駆動ス
テージ１１上に搭載された移動鏡２１ｘの反射面に、図
１０（ａ）の実線で示すようにｘ方向に最大でΔｘの曲
がりが存在する場合、レチクル１２の走査に伴い、干渉
計からのレーザービームＬＲｘの反射面の位置を破線で
示す直線７０の位置に維持するように制御される。従っ
て、レチクル微小駆動ステージ１１は、移動鏡２１ｘの
曲がりと逆の方向に曲がった軌跡に沿って駆動される。
その結果、図１０（ｂ）に示すように、ウエハの各ショ
ット領域７８には、そのレチクル微小駆動ステージ１１
の移動の軌跡の曲率に応じたショット内歪みを持つこと
になる。但し、図１０（ｃ）に示すように、そのショッ
ト内歪みは、ウエハ５の全てのショット領域７９で共通
である。この場合、そのショット内歪みの特性が、露光
装置毎に異なると、ウエハ上の異なる層（レイア）間で
のマッチング誤差を引き起こす原因となる。
先願に係る投影露光装置において、レチクル微小駆動ス
テージ１１上に搭載された移動鏡２１ｘの反射面に、図
１０（ａ）の実線で示すようにｘ方向に最大でΔｘの曲
がりが存在する場合、レチクル１２の走査に伴い、干渉
計からのレーザービームＬＲｘの反射面の位置を破線で
示す直線７０の位置に維持するように制御される。従っ
て、レチクル微小駆動ステージ１１は、移動鏡２１ｘの
曲がりと逆の方向に曲がった軌跡に沿って駆動される。
その結果、図１０（ｂ）に示すように、ウエハの各ショ
ット領域７８には、そのレチクル微小駆動ステージ１１
の移動の軌跡の曲率に応じたショット内歪みを持つこと
になる。但し、図１０（ｃ）に示すように、そのショッ
ト内歪みは、ウエハ５の全てのショット領域７９で共通
である。この場合、そのショット内歪みの特性が、露光
装置毎に異なると、ウエハ上の異なる層（レイア）間で
のマッチング誤差を引き起こす原因となる。
【０００９】本発明は斯かる点に鑑み、スリットスキャ
ン露光方式において、レチクル（マスク）側のステージ
に設けられた移動鏡に曲がりが存在しても、ショット内
歪みが生じないような方法を提供することを目的とす
る。
ン露光方式において、レチクル（マスク）側のステージ
に設けられた移動鏡に曲がりが存在しても、ショット内
歪みが生じないような方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による第１のステ
ージ駆動方法は、所定の走査方向に伸びた案内部が形成
されたマスクガイド（９）と、マスクガイド（９）にそ
の走査方向に摺動自在に載置されたマスクステージ（１
０，１１）と、このマスクステージに取り付けられたそ
の走査方向にほぼ平行な反射面を有する移動鏡（２１
ｘ）と、この移動鏡に計測用ビームを照射することによ
りマスクステージ（１０，１１）のその走査方向に垂直
な方向への座標を求める計測手段と、その走査方向とほ
ぼ平行な方向に移動自在な基板ステージ（２）とを有
し、照明光で所定形状の照明領域（３２）を照明し、所
定形状の照明領域（３２）に対してその走査方向にマス
クステージ（１０，１１）を介して転写用のパターンが
形成されたマスク（１２）を走査し、マスク（１２）の
走査と同期して所定形状の照明領域（３２）に対して基
板ステージ（２）を介して基板（５）を走査することに
より、マスク（１２）上のパターンを順次基板（５）上
に露光する露光装置の、マスクステージ（１０，１２）
の駆動方法であって、マスクステージ（１０，１１）上
に計測用マーク（２８ｃ）が形成されたマスクを載置す
る第１工程を有する。
ージ駆動方法は、所定の走査方向に伸びた案内部が形成
されたマスクガイド（９）と、マスクガイド（９）にそ
の走査方向に摺動自在に載置されたマスクステージ（１
０，１１）と、このマスクステージに取り付けられたそ
の走査方向にほぼ平行な反射面を有する移動鏡（２１
ｘ）と、この移動鏡に計測用ビームを照射することによ
りマスクステージ（１０，１１）のその走査方向に垂直
な方向への座標を求める計測手段と、その走査方向とほ
ぼ平行な方向に移動自在な基板ステージ（２）とを有
し、照明光で所定形状の照明領域（３２）を照明し、所
定形状の照明領域（３２）に対してその走査方向にマス
クステージ（１０，１１）を介して転写用のパターンが
形成されたマスク（１２）を走査し、マスク（１２）の
走査と同期して所定形状の照明領域（３２）に対して基
板ステージ（２）を介して基板（５）を走査することに
より、マスク（１２）上のパターンを順次基板（５）上
に露光する露光装置の、マスクステージ（１０，１２）
の駆動方法であって、マスクステージ（１０，１１）上
に計測用マーク（２８ｃ）が形成されたマスクを載置す
る第１工程を有する。
【００１１】更に、本発明は、所定形状の照明領域（３
２）に対して固定された基準位置と計測用マーク（２８
ｃ）との位置ずれ量を計測した状態で、マスクステージ
（１０，１１）をその走査方向に走査して、その計測手
段によりマスクステージ（１０，１１）のその走査方向
と直交する方向の座標を計測することにより、移動鏡
（２１ｘ）の曲がり量を求める第２工程とを有し、所定
形状の照明領域（３２）に対してその走査方向にマスク
ステージ（１０，１１）を介して転写用のマスク（１
２）を走査する際に、その第２工程で求められた移動鏡
（２１ｘ）の曲がり量を補正するようにそのマスクステ
ージをその走査方向に垂直な方向に動かすものである。
２）に対して固定された基準位置と計測用マーク（２８
ｃ）との位置ずれ量を計測した状態で、マスクステージ
（１０，１１）をその走査方向に走査して、その計測手
段によりマスクステージ（１０，１１）のその走査方向
と直交する方向の座標を計測することにより、移動鏡
（２１ｘ）の曲がり量を求める第２工程とを有し、所定
形状の照明領域（３２）に対してその走査方向にマスク
ステージ（１０，１１）を介して転写用のマスク（１
２）を走査する際に、その第２工程で求められた移動鏡
（２１ｘ）の曲がり量を補正するようにそのマスクステ
ージをその走査方向に垂直な方向に動かすものである。
【００１２】この場合、その第２工程において、計測用
マーク（２８ｃ）を基準として移動鏡（２１ｘ）の曲が
り量を求めるようにしても良い。また、その第２工程に
おいて、計測用マーク（２８ｃ）をその基準位置に合わ
せた状態でマスクステージ（１０，１１）をその走査方
向に走査し、その計測手段により求めたマスクステージ
（１０，１１）のその走査方向と直交する方向の座標よ
り移動鏡（２１ｘ）の曲がり量を求めるようにしても良
い。
マーク（２８ｃ）を基準として移動鏡（２１ｘ）の曲が
り量を求めるようにしても良い。また、その第２工程に
おいて、計測用マーク（２８ｃ）をその基準位置に合わ
せた状態でマスクステージ（１０，１１）をその走査方
向に走査し、その計測手段により求めたマスクステージ
（１０，１１）のその走査方向と直交する方向の座標よ
り移動鏡（２１ｘ）の曲がり量を求めるようにしても良
い。
【００１３】また、本発明による第２のステージ駆動方
法は、所定の走査方向に伸びた案内部が形成されたマス
クガイド（９）と、このマスクガイドにその走査方向に
摺動自在に載置されたマスクステージ（１０，１１）
と、このマスクステージに取り付けられたその走査方向
にほぼ平行な反射面を有する移動鏡（２１ｘ）と、この
移動鏡に計測用ビームを照射することによりマスクステ
ージ（１０，１１）のその走査方向に垂直な方向への座
標を求める計測手段と、その走査方向とほぼ平行な方向
に移動自在な基板ステージ（２）とを有し、照明光で所
定形状の照明領域（３２）を照明し、所定形状の照明領
域（３２）に対してその走査方向にマスクステージ（１
０，１１）を介して転写用のパターンが形成されたマス
ク（１２）を走査し、マスク（１２）の走査と同期して
所定形状の照明領域（３２）に対して基板ステージ
（２）を介して基板（５）を走査することにより、マス
ク（１２）上のパターンを順次基板（５）上に露光する
露光装置の、マスクステージ（１０，１１）の駆動方法
であって、マスクガイド（９）を基準としてマスクステ
ージ（１０，１１）をその走査方向に走査して、その計
測手段によりマスクステージ（１０，１１）のその走査
方向と直交する方向の座標を計測することにより、移動
鏡（２１ｘ）の曲がり量を求め、所定形状の照明領域
（３２）に対してその走査方向にマスクステージ（１
０，１１）を介して転写用のマスク（１２）を走査する
際に、移動鏡（２１ｘ）の曲がり量を補正するようにマ
スクステージ（１０，１１）をその走査方向に垂直な方
向に動かすようにしたものである。また、本発明の第１
の走査露光方法は、露光ビームに対してマスク（１２）
を所定方向に移動するとともに、該マスクの移動に同期
して基板（５）を移動することにより、マスクのパター
ンを用いて基板を走査露光する走査露光方法において、
基板（５）の走査露光中に、マスクを保持するマスクス
テージ（１０，１１）に設けられた所定方向に延びる反
射面（２１ｘ）を使って、その所定方向と直交する方向
のマスクステージの位置を計測し、その基板の走査露光
中に、その計測された位置とその反射面の曲がりとに応
じて、マスクステージの移動を制御するようにしたもの
である。また、本発明の第２の走査露光方法は、露光ビ
ームに対してマスク（１２）を 所定方向に移動するとと
もに、該マスクの移動に同期して基板（５）を移動する
ことにより、マスクのパターンを用いて基板を走査露光
する走査露光方法において、マスクの位置を計測するた
めにマスクを保持するマスクステージ（１０，１１）に
設けられ、その所定方向とほぼ平行に形成された反射面
（２１ｘ）の曲がりに応じて、その走査露光により基板
上に形成されるショット領域に望ましくない歪みが生じ
ないよう、その走査露光中のマスク（１２）と基板
（５）との位置関係を調整するようにしたものである。
さらに本発明の第３の走査露光方法は、露光ビームに対
してマスク（１２）を所定方向に移動するとともに、該
マスクの移動に同期して基板（５）を移動することによ
り、マスクのパターンを用いて基板を走査露光する走査
露光方法において、マスク（１２）の位置を計測するた
めにマスクを保持するマスクステージ（１０，１１）に
設けられ、その所定方向とほぼ平行に形成された反射面
（２１ｘ）の曲がりを計測するようにしたものである。
また、さらに本発明の第４の走査露光方法は、露光ビー
ムに対してマスク（１２）を所定方向に移動するととも
に、該マスクの移動に同期して基板（５）を移動するこ
とにより、マスクのパターンを用いて基板を走査露光す
る走査露光方法において、その走査露光に先立って、そ
の所定方向とほぼ平行な反射面（２１ｘ）が形成された
マスクを保持するマスクステージ（１０，１１）をその
所定方向に移動して、その所定方向の複数の位置で、そ
の所定方向と直交する方向におけるマスクステージの位
置を反射面を用いて干渉計（１４ｘ）により計測し、そ
の走査露光中に、その走査露光の前に干渉計によって計
測された位置に応じて、マスクステージ（１０，１１）
の移動を制御するようにしたものである。
法は、所定の走査方向に伸びた案内部が形成されたマス
クガイド（９）と、このマスクガイドにその走査方向に
摺動自在に載置されたマスクステージ（１０，１１）
と、このマスクステージに取り付けられたその走査方向
にほぼ平行な反射面を有する移動鏡（２１ｘ）と、この
移動鏡に計測用ビームを照射することによりマスクステ
ージ（１０，１１）のその走査方向に垂直な方向への座
標を求める計測手段と、その走査方向とほぼ平行な方向
に移動自在な基板ステージ（２）とを有し、照明光で所
定形状の照明領域（３２）を照明し、所定形状の照明領
域（３２）に対してその走査方向にマスクステージ（１
０，１１）を介して転写用のパターンが形成されたマス
ク（１２）を走査し、マスク（１２）の走査と同期して
所定形状の照明領域（３２）に対して基板ステージ
（２）を介して基板（５）を走査することにより、マス
ク（１２）上のパターンを順次基板（５）上に露光する
露光装置の、マスクステージ（１０，１１）の駆動方法
であって、マスクガイド（９）を基準としてマスクステ
ージ（１０，１１）をその走査方向に走査して、その計
測手段によりマスクステージ（１０，１１）のその走査
方向と直交する方向の座標を計測することにより、移動
鏡（２１ｘ）の曲がり量を求め、所定形状の照明領域
（３２）に対してその走査方向にマスクステージ（１
０，１１）を介して転写用のマスク（１２）を走査する
際に、移動鏡（２１ｘ）の曲がり量を補正するようにマ
スクステージ（１０，１１）をその走査方向に垂直な方
向に動かすようにしたものである。また、本発明の第１
の走査露光方法は、露光ビームに対してマスク（１２）
を所定方向に移動するとともに、該マスクの移動に同期
して基板（５）を移動することにより、マスクのパター
ンを用いて基板を走査露光する走査露光方法において、
基板（５）の走査露光中に、マスクを保持するマスクス
テージ（１０，１１）に設けられた所定方向に延びる反
射面（２１ｘ）を使って、その所定方向と直交する方向
のマスクステージの位置を計測し、その基板の走査露光
中に、その計測された位置とその反射面の曲がりとに応
じて、マスクステージの移動を制御するようにしたもの
である。また、本発明の第２の走査露光方法は、露光ビ
ームに対してマスク（１２）を 所定方向に移動するとと
もに、該マスクの移動に同期して基板（５）を移動する
ことにより、マスクのパターンを用いて基板を走査露光
する走査露光方法において、マスクの位置を計測するた
めにマスクを保持するマスクステージ（１０，１１）に
設けられ、その所定方向とほぼ平行に形成された反射面
（２１ｘ）の曲がりに応じて、その走査露光により基板
上に形成されるショット領域に望ましくない歪みが生じ
ないよう、その走査露光中のマスク（１２）と基板
（５）との位置関係を調整するようにしたものである。
さらに本発明の第３の走査露光方法は、露光ビームに対
してマスク（１２）を所定方向に移動するとともに、該
マスクの移動に同期して基板（５）を移動することによ
り、マスクのパターンを用いて基板を走査露光する走査
露光方法において、マスク（１２）の位置を計測するた
めにマスクを保持するマスクステージ（１０，１１）に
設けられ、その所定方向とほぼ平行に形成された反射面
（２１ｘ）の曲がりを計測するようにしたものである。
また、さらに本発明の第４の走査露光方法は、露光ビー
ムに対してマスク（１２）を所定方向に移動するととも
に、該マスクの移動に同期して基板（５）を移動するこ
とにより、マスクのパターンを用いて基板を走査露光す
る走査露光方法において、その走査露光に先立って、そ
の所定方向とほぼ平行な反射面（２１ｘ）が形成された
マスクを保持するマスクステージ（１０，１１）をその
所定方向に移動して、その所定方向の複数の位置で、そ
の所定方向と直交する方向におけるマスクステージの位
置を反射面を用いて干渉計（１４ｘ）により計測し、そ
の走査露光中に、その走査露光の前に干渉計によって計
測された位置に応じて、マスクステージ（１０，１１）
の移動を制御するようにしたものである。
【００１４】
【作用】斯かる本発明の第１のステージ駆動方法におい
ては、基板（５）にマスク（１２）のパターンを露光す
る前にマスクステージ（１０、１１）側の移動鏡（２１
ｘ）の曲がり量を計測する。即ち、マスクステージ（１
０、１１）上に例えば走査方向に直線状に伸びた計測用
マーク（２８ｃ）が形成されたマスク（１２）を載置
し、マスクステージ（１０，１１）を走査方向に走らせ
た状態で、且つ移動鏡（２１ｘ）からの反射ビームを用
いた計測手段の計測値を一定の値に維持した状態で、計
測用マーク（２８ｃ）と所定の基準位置とのずれ量を計
測する。これにより、計測用マーク（２８ｃ）を基準と
して、移動鏡（２１ｘ）の曲がり量が計測される。
ては、基板（５）にマスク（１２）のパターンを露光す
る前にマスクステージ（１０、１１）側の移動鏡（２１
ｘ）の曲がり量を計測する。即ち、マスクステージ（１
０、１１）上に例えば走査方向に直線状に伸びた計測用
マーク（２８ｃ）が形成されたマスク（１２）を載置
し、マスクステージ（１０，１１）を走査方向に走らせ
た状態で、且つ移動鏡（２１ｘ）からの反射ビームを用
いた計測手段の計測値を一定の値に維持した状態で、計
測用マーク（２８ｃ）と所定の基準位置とのずれ量を計
測する。これにより、計測用マーク（２８ｃ）を基準と
して、移動鏡（２１ｘ）の曲がり量が計測される。
【００１５】そして、スリットスキャン露光方式でマス
ク（１２）のパターンを基板（５）上に露光する際に
は、ソフトウェア的にその移動鏡（２１ｘ）の曲がり量
を補正することにより、基板（５）上のショット内歪み
が解消され、露光装置間でマッチングを行う場合も高精
度に各ショットを重ね合わせることができる。また、計
測用マーク（２８ｃ）をその基準位置に合わせた状態で
マスクステージ（１０，１１）をその走査方向に走査し
た場合には、移動鏡（２１ｘ）が計測用マーク（２８
ｃ）に沿って移動する。従って、その計測手段により求
めたマスクステージ（１０，１１）のその走査方向と直
交する方向の座標より、計測用マーク（２８ｃ）を基準
とした移動鏡（２１ｘ）の曲がり量が求められる。
ク（１２）のパターンを基板（５）上に露光する際に
は、ソフトウェア的にその移動鏡（２１ｘ）の曲がり量
を補正することにより、基板（５）上のショット内歪み
が解消され、露光装置間でマッチングを行う場合も高精
度に各ショットを重ね合わせることができる。また、計
測用マーク（２８ｃ）をその基準位置に合わせた状態で
マスクステージ（１０，１１）をその走査方向に走査し
た場合には、移動鏡（２１ｘ）が計測用マーク（２８
ｃ）に沿って移動する。従って、その計測手段により求
めたマスクステージ（１０，１１）のその走査方向と直
交する方向の座標より、計測用マーク（２８ｃ）を基準
とした移動鏡（２１ｘ）の曲がり量が求められる。
【００１６】また、第２のステージ駆動方法は、マスク
ガイド（９）の案内部のその走査方向への真直度が良好
であるものとして、その案内部を基準として移動鏡（２
１ｘ）の曲がり量を求めるものである。即ち、単にマス
クステージ（１０，１１）をその走査方向へ走らせた状
態で、その計測手段により移動鏡（２１ｘ）からの反射
ビームを用いて計測を行うことにより、マスクガイド
（９）の案内部を基準とした移動鏡（２１ｘ）の曲がり
量が計測される。
ガイド（９）の案内部のその走査方向への真直度が良好
であるものとして、その案内部を基準として移動鏡（２
１ｘ）の曲がり量を求めるものである。即ち、単にマス
クステージ（１０，１１）をその走査方向へ走らせた状
態で、その計測手段により移動鏡（２１ｘ）からの反射
ビームを用いて計測を行うことにより、マスクガイド
（９）の案内部を基準とした移動鏡（２１ｘ）の曲がり
量が計測される。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき図面を参照し
て説明する。本実施例は、スリットスキャン露光方式の
投影露光装置でレチクルのパターンをウエハ上に露光す
る場合に、本発明を適用したものである。図１は本実施
例の投影露光装置を示し、この図１において、図示省略
された照明光学系からの露光光ＥＬによる矩形の照明領
域（以下、「スリット状の照明領域」という）によりレ
チクル１２上のパターンが照明され、そのパターンの像
が投影光学系８を介してウエハ５上に投影露光される。
この際に、露光光ＥＬのスリット状の照明領域に対し
て、レチクル１２が図１の紙面に対して前方向に一定速
度Ｖで走査されるのに同期して、ウエハ５は図１の紙面
に対して後方向に一定速度Ｖ／β（１／βは投影光学系
８の縮小倍率）で走査される。
て説明する。本実施例は、スリットスキャン露光方式の
投影露光装置でレチクルのパターンをウエハ上に露光す
る場合に、本発明を適用したものである。図１は本実施
例の投影露光装置を示し、この図１において、図示省略
された照明光学系からの露光光ＥＬによる矩形の照明領
域（以下、「スリット状の照明領域」という）によりレ
チクル１２上のパターンが照明され、そのパターンの像
が投影光学系８を介してウエハ５上に投影露光される。
この際に、露光光ＥＬのスリット状の照明領域に対し
て、レチクル１２が図１の紙面に対して前方向に一定速
度Ｖで走査されるのに同期して、ウエハ５は図１の紙面
に対して後方向に一定速度Ｖ／β（１／βは投影光学系
８の縮小倍率）で走査される。
【００１８】レチクル１２及びウエハ５の駆動系につい
て説明すると、レチクル支持台９上にＹ軸方向（図１の
紙面に垂直な方向）に駆動自在なレチクルＹ駆動ステー
ジ１０が載置され、このレチクルＹ駆動ステージ１０上
にレチクル微小駆動ステージ１１が載置され、レチクル
微小駆動ステージ１１上にレチクル１２が真空チャック
等により保持されている。レチクル微小駆動ステージ１
１は、投影光学系８の光軸に垂直な面内で図１の紙面に
平行なＸ方向、Ｙ方向及び回転方向（θ方向）にそれぞ
れ微小量だけ且つ高精度にレチクル１２の位置制御を行
う。レチクル微小駆動ステージ１１上には移動鏡２１が
配置され、レチクル支持台９上に配置された干渉計１４
によって、常時レチクル微小駆動ステージ１１のＸ方
向、Ｙ方向及びθ方向の位置がモニターされている。干
渉計１４により得られた位置情報Ｓ１が主制御系２２Ａ
に供給されている。
て説明すると、レチクル支持台９上にＹ軸方向（図１の
紙面に垂直な方向）に駆動自在なレチクルＹ駆動ステー
ジ１０が載置され、このレチクルＹ駆動ステージ１０上
にレチクル微小駆動ステージ１１が載置され、レチクル
微小駆動ステージ１１上にレチクル１２が真空チャック
等により保持されている。レチクル微小駆動ステージ１
１は、投影光学系８の光軸に垂直な面内で図１の紙面に
平行なＸ方向、Ｙ方向及び回転方向（θ方向）にそれぞ
れ微小量だけ且つ高精度にレチクル１２の位置制御を行
う。レチクル微小駆動ステージ１１上には移動鏡２１が
配置され、レチクル支持台９上に配置された干渉計１４
によって、常時レチクル微小駆動ステージ１１のＸ方
向、Ｙ方向及びθ方向の位置がモニターされている。干
渉計１４により得られた位置情報Ｓ１が主制御系２２Ａ
に供給されている。
【００１９】一方、ウエハ支持台１上には、Ｙ軸方向に
駆動自在なウエハＹ軸駆動ステージ２が載置され、その
上にＸ軸方向に駆動自在なウエハＸ軸駆動ステージ３が
載置され、その上にＺθ軸駆動ステージ４が設けられ、
このＺθ軸駆動ステージ４上にウエハ５が真空吸着によ
って保持されている。Ｚθ軸駆動ステージ４上にも移動
鏡７が固定され、外部に配置された干渉計１３により、
Ｚθ軸駆動ステージ４のＸ方向、Ｙ方向及びθ方向の位
置がモニターされ、干渉計１３により得られた位置情報
も主制御系２２Ａに供給されている。主制御系２２Ａ
は、ウエハ駆動装置２２Ｂ等を介してウエハＹ軸駆動ス
テージ２〜Ｚθ軸駆動ステージ４の位置決め動作を制御
すると共に、装置全体の動作を制御する。
駆動自在なウエハＹ軸駆動ステージ２が載置され、その
上にＸ軸方向に駆動自在なウエハＸ軸駆動ステージ３が
載置され、その上にＺθ軸駆動ステージ４が設けられ、
このＺθ軸駆動ステージ４上にウエハ５が真空吸着によ
って保持されている。Ｚθ軸駆動ステージ４上にも移動
鏡７が固定され、外部に配置された干渉計１３により、
Ｚθ軸駆動ステージ４のＸ方向、Ｙ方向及びθ方向の位
置がモニターされ、干渉計１３により得られた位置情報
も主制御系２２Ａに供給されている。主制御系２２Ａ
は、ウエハ駆動装置２２Ｂ等を介してウエハＹ軸駆動ス
テージ２〜Ｚθ軸駆動ステージ４の位置決め動作を制御
すると共に、装置全体の動作を制御する。
【００２０】また、後述するが、ウエハ側の干渉計１３
によって計測される座標により規定されるウエハ座標系
と、レチクル側の干渉計１４によって計測される座標に
より規定されるレチクル座標系の対応をとるために、Ｚ
θ軸駆動ステージ４上のウエハ５の近傍に基準マーク板
６が固定されている。この基準マーク板６上には後述の
ように各種基準マークが形成されている。これらの基準
マークの中にはＺθ軸駆動ステージ４側に導かれた照明
光により裏側から照明されている基準マーク、即ち発光
性の基準マークがある。
によって計測される座標により規定されるウエハ座標系
と、レチクル側の干渉計１４によって計測される座標に
より規定されるレチクル座標系の対応をとるために、Ｚ
θ軸駆動ステージ４上のウエハ５の近傍に基準マーク板
６が固定されている。この基準マーク板６上には後述の
ように各種基準マークが形成されている。これらの基準
マークの中にはＺθ軸駆動ステージ４側に導かれた照明
光により裏側から照明されている基準マーク、即ち発光
性の基準マークがある。
【００２１】本例のレチクル１２の上方には、基準マー
ク板６上の基準マークとレチクル１２上のマークとを同
時に観察するためのレチクルアライメント顕微鏡１９及
び２０が装備されている。この場合、レチクル１２から
の検出光をそれぞれレチクルアライメント顕微鏡１９及
び２０に導くための偏向ミラー１５及び１６が移動自在
に配置され、露光シーケンスが開始されると、主制御系
２２Ａからの指令のもとで、ミラー駆動装置１７及び１
８によりそれぞれ偏向ミラー１５及び１６は待避され
る。更に、投影光学系８のＹ方向の側面部に、ウエハ５
上のアライメントマーク（ウエハマーク）を観察するた
めのオフ・アクシスのアライメント装置３４が配置され
ている。
ク板６上の基準マークとレチクル１２上のマークとを同
時に観察するためのレチクルアライメント顕微鏡１９及
び２０が装備されている。この場合、レチクル１２から
の検出光をそれぞれレチクルアライメント顕微鏡１９及
び２０に導くための偏向ミラー１５及び１６が移動自在
に配置され、露光シーケンスが開始されると、主制御系
２２Ａからの指令のもとで、ミラー駆動装置１７及び１
８によりそれぞれ偏向ミラー１５及び１６は待避され
る。更に、投影光学系８のＹ方向の側面部に、ウエハ５
上のアライメントマーク（ウエハマーク）を観察するた
めのオフ・アクシスのアライメント装置３４が配置され
ている。
【００２２】次に、レチクル１２のアライメント及び後
述の移動鏡の曲がりの計測を行うための機構及び動作に
つき説明する。図２（ａ）はレチクル１２上のアライメ
ントマーク（レチクルマーク）及び曲がり計測用マーク
の配置を示し、図２（ｂ）はレチクル上で投影光学系の
有効露光フィールドと共役な領域３３Ｒ内での、スリッ
ト状の照明領域明３２等を示す。走査方向をｙ方向とし
て、ｙ方向に垂直な方向をｘ方向とする。図２（ａ）に
おいて、レチクル１２上の中央部のパターン領域の周囲
には遮光部３１が形成され、この遮光部３１の外側に形
成されているマークは、曲がり計測用マーク２７及び２
８と、ファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄ及び
３０Ａ〜３０Ｄとに分けられる。右辺側の曲がり計測用
マーク２７は、走査方向であるｙ方向に沿って長い直線
パターン２７ｃと、この直線状パターンの両端部に形成
された十字パターンとより形成され、左辺側の曲がり計
測用マーク２８は、右辺側の曲がり計測用マーク２７と
対称的に直線パターン２８ｃを有するように構成されて
いる。但し、本例の曲がり計測用マーク２７，２８はレ
チクル１２のおおまかなアライメント（ラフアライメン
ト）を行う場合のアライメントマーク、即ちラフサーチ
用アライメントマークとしても使用できるようになって
いる。
述の移動鏡の曲がりの計測を行うための機構及び動作に
つき説明する。図２（ａ）はレチクル１２上のアライメ
ントマーク（レチクルマーク）及び曲がり計測用マーク
の配置を示し、図２（ｂ）はレチクル上で投影光学系の
有効露光フィールドと共役な領域３３Ｒ内での、スリッ
ト状の照明領域明３２等を示す。走査方向をｙ方向とし
て、ｙ方向に垂直な方向をｘ方向とする。図２（ａ）に
おいて、レチクル１２上の中央部のパターン領域の周囲
には遮光部３１が形成され、この遮光部３１の外側に形
成されているマークは、曲がり計測用マーク２７及び２
８と、ファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄ及び
３０Ａ〜３０Ｄとに分けられる。右辺側の曲がり計測用
マーク２７は、走査方向であるｙ方向に沿って長い直線
パターン２７ｃと、この直線状パターンの両端部に形成
された十字パターンとより形成され、左辺側の曲がり計
測用マーク２８は、右辺側の曲がり計測用マーク２７と
対称的に直線パターン２８ｃを有するように構成されて
いる。但し、本例の曲がり計測用マーク２７，２８はレ
チクル１２のおおまかなアライメント（ラフアライメン
ト）を行う場合のアライメントマーク、即ちラフサーチ
用アライメントマークとしても使用できるようになって
いる。
【００２３】また、右辺側の遮光部３１と曲がり計測用
マーク２７の一方の十字パターンとの間に、ｙ方向に近
接してファインアライメントマーク２９Ａ，２９Ｂが形
成され、右辺側の遮光部３１と曲がり計測用マーク２７
の他方の十字パターンとの間に、ｙ方向に近接してファ
インアライメントマーク２９Ｃ，２９Ｄが形成されてい
る。これらファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄ
と対称的に左辺側にファインアライメントマーク３０Ａ
〜３０Ｄが形成されており、これらファインアライメン
トマーク２９Ａ〜２９Ｄ及び３０Ａ〜３０Ｄは、それぞ
れ図２（ｃ）に示すように、３本の直線状パターンをｘ
方向に所定間隔で２組配列すると共に、３本の直線状パ
ターンをｙ方向に所定間隔で２組配列したものである。
マーク２７の一方の十字パターンとの間に、ｙ方向に近
接してファインアライメントマーク２９Ａ，２９Ｂが形
成され、右辺側の遮光部３１と曲がり計測用マーク２７
の他方の十字パターンとの間に、ｙ方向に近接してファ
インアライメントマーク２９Ｃ，２９Ｄが形成されてい
る。これらファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄ
と対称的に左辺側にファインアライメントマーク３０Ａ
〜３０Ｄが形成されており、これらファインアライメン
トマーク２９Ａ〜２９Ｄ及び３０Ａ〜３０Ｄは、それぞ
れ図２（ｃ）に示すように、３本の直線状パターンをｘ
方向に所定間隔で２組配列すると共に、３本の直線状パ
ターンをｙ方向に所定間隔で２組配列したものである。
【００２４】本例でレチクル１２のラフアライメントを
行う際には、図２（ａ）の左辺側の曲がり計測用マーク
２８の十字パターンを図１のレチクルアライメント顕微
鏡（以下、「ＲＡ顕微鏡」という）２０で検出する。そ
の後、ＲＡ顕微鏡１９の観察領域に曲がり計測用マーク
２７の十字パターンを移動して、同様にそのアライメン
トマーク２７の位置を検出する。但し、この場合、図１
の基準マーク板６のパターンの無い部分を投影光学系８
の露光フィールド内に移動して、そのパターンの無い部
分を底部から照明しておく。このように基準マーク板６
から射出される照明光により、それら曲がり計測用マー
ク２７及び２８を裏面側から照明する。
行う際には、図２（ａ）の左辺側の曲がり計測用マーク
２８の十字パターンを図１のレチクルアライメント顕微
鏡（以下、「ＲＡ顕微鏡」という）２０で検出する。そ
の後、ＲＡ顕微鏡１９の観察領域に曲がり計測用マーク
２７の十字パターンを移動して、同様にそのアライメン
トマーク２７の位置を検出する。但し、この場合、図１
の基準マーク板６のパターンの無い部分を投影光学系８
の露光フィールド内に移動して、そのパターンの無い部
分を底部から照明しておく。このように基準マーク板６
から射出される照明光により、それら曲がり計測用マー
ク２７及び２８を裏面側から照明する。
【００２５】以上のシーケンスで、図１のＲＡ顕微鏡１
９及び２０に対する、曲がり計測用マーク２７，２８の
十字パターンの位置、即ちレチクル１２とレチクル座標
系との位置関係を大まかに求めることができる。また、
ＲＡ顕微鏡１９，２０とウエハ座標系との大まかな対応
付けは、図１の基準マーク板６上の基準マークをＲＡ顕
微鏡１９及び２０で計測することにより行うことができ
る。これにより、ファインアライメントマーク２９Ａ〜
２９Ｄ及び３０Ａ〜３０Ｄと、基準マーク板６上の基準
マークとが重ならない程度の、大まかなアライメント
（ラフアライメント）が終了する。
９及び２０に対する、曲がり計測用マーク２７，２８の
十字パターンの位置、即ちレチクル１２とレチクル座標
系との位置関係を大まかに求めることができる。また、
ＲＡ顕微鏡１９，２０とウエハ座標系との大まかな対応
付けは、図１の基準マーク板６上の基準マークをＲＡ顕
微鏡１９及び２０で計測することにより行うことができ
る。これにより、ファインアライメントマーク２９Ａ〜
２９Ｄ及び３０Ａ〜３０Ｄと、基準マーク板６上の基準
マークとが重ならない程度の、大まかなアライメント
（ラフアライメント）が終了する。
【００２６】次に、移動鏡の曲がり計測及びファインア
ライメントのシーケンスについて説明するが、その前に
ウエハステージ及びレチクルステージの詳細な構成につ
き説明する。図３（ａ）はウエハステージの平面図であ
り、この図３（ａ）において、Ｚθ軸駆動ステージ４の
上にウエハ５及び基準マーク板６が配置されている。ま
た、Ｚθ軸駆動ステージ４上には、Ｘ軸用移動鏡７Ｘ及
びＹ軸用移動鏡７Ｙが固定され、ウエハ５上で図２
（ｂ）のスリット状の照明領域３２に対応するスリット
状の照明領域３２Ｗが露光光で照明され、観察領域１９
Ｗ及び２０Ｗがそれぞれ図２（ｂ）の観察領域１９Ｒ及
び２０Ｒと共役である。
ライメントのシーケンスについて説明するが、その前に
ウエハステージ及びレチクルステージの詳細な構成につ
き説明する。図３（ａ）はウエハステージの平面図であ
り、この図３（ａ）において、Ｚθ軸駆動ステージ４の
上にウエハ５及び基準マーク板６が配置されている。ま
た、Ｚθ軸駆動ステージ４上には、Ｘ軸用移動鏡７Ｘ及
びＹ軸用移動鏡７Ｙが固定され、ウエハ５上で図２
（ｂ）のスリット状の照明領域３２に対応するスリット
状の照明領域３２Ｗが露光光で照明され、観察領域１９
Ｗ及び２０Ｗがそれぞれ図２（ｂ）の観察領域１９Ｒ及
び２０Ｒと共役である。
【００２７】移動鏡７Ｘには、Ｘ軸に平行で且つそれぞ
れ投影光学系の光軸及びアライメント装置３４の基準点
を通る光路に沿って間隔ＩＬのレーザービームＬＷＸ及
びＬＷofが照射され、移動鏡７Ｙには、Ｙ軸に平行な光
路に沿って間隔ＩＬの２本のレーザービームＬＷＹ１及
びＬＷＹ２が照射されている。露光時には、Ｚθ軸駆動
ステージ４のＸ座標として、レーザービームＬＷＸを用
いる干渉計で計測された座標値が使用され、Ｙ座標とし
てレーザービームＬＷＹ１及びＬＷＹ２をそれぞれ用い
る干渉計で計測された座標値Ｙ1 及びＹ2 の平均値（Ｙ
1＋Ｙ2）／２が用いられる。また、例えば座標値Ｙ1 と
Ｙ2 との差分からＺθ軸駆動ステージ４の回転方向（θ
方向）の回転量が計測される。それらの座標に基づい
て、Ｚθ軸駆動ステージ４のＸＹ平面の位置及び回転角
が制御される。
れ投影光学系の光軸及びアライメント装置３４の基準点
を通る光路に沿って間隔ＩＬのレーザービームＬＷＸ及
びＬＷofが照射され、移動鏡７Ｙには、Ｙ軸に平行な光
路に沿って間隔ＩＬの２本のレーザービームＬＷＹ１及
びＬＷＹ２が照射されている。露光時には、Ｚθ軸駆動
ステージ４のＸ座標として、レーザービームＬＷＸを用
いる干渉計で計測された座標値が使用され、Ｙ座標とし
てレーザービームＬＷＹ１及びＬＷＹ２をそれぞれ用い
る干渉計で計測された座標値Ｙ1 及びＹ2 の平均値（Ｙ
1＋Ｙ2）／２が用いられる。また、例えば座標値Ｙ1 と
Ｙ2 との差分からＺθ軸駆動ステージ４の回転方向（θ
方向）の回転量が計測される。それらの座標に基づい
て、Ｚθ軸駆動ステージ４のＸＹ平面の位置及び回転角
が制御される。
【００２８】特に、走査方向であるＹ方向は２個の干渉
計の計測結果の平均値を用いて、走査時の傾き等による
精度劣化を防いでいる。また、オフ・アクシスのアライ
メント装置３４を使用する場合のＸ軸方向の位置は、所
謂アッベ誤差が生じない様に、レーザービームＬＷofを
使用する専用干渉計の計測値に基づいて制御する構成で
ある。
計の計測結果の平均値を用いて、走査時の傾き等による
精度劣化を防いでいる。また、オフ・アクシスのアライ
メント装置３４を使用する場合のＸ軸方向の位置は、所
謂アッベ誤差が生じない様に、レーザービームＬＷofを
使用する専用干渉計の計測値に基づいて制御する構成で
ある。
【００２９】図３（ｂ）は、レチクルステージの平面図
であり、この図３（ｂ）において、レチクルＹ駆動ステ
ージ１０上にレチクル微小駆動ステージ１１が載置さ
れ、その上にレチクル１２が保持されている。また、レ
チクル微小駆動ステージ１１にはｘ軸用の移動鏡２１ｘ
及びｙ軸用の２個の移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２が固定さ
れ、移動鏡２１ｘにはｘ軸に平行にレーザービームＬＲ
ｘが照射され、移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２にはそれぞれ
ｙ軸に平行にレーザービームＬＲｙ１，ＬＲｙ２が照射
されている。
であり、この図３（ｂ）において、レチクルＹ駆動ステ
ージ１０上にレチクル微小駆動ステージ１１が載置さ
れ、その上にレチクル１２が保持されている。また、レ
チクル微小駆動ステージ１１にはｘ軸用の移動鏡２１ｘ
及びｙ軸用の２個の移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２が固定さ
れ、移動鏡２１ｘにはｘ軸に平行にレーザービームＬＲ
ｘが照射され、移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２にはそれぞれ
ｙ軸に平行にレーザービームＬＲｙ１，ＬＲｙ２が照射
されている。
【００３０】ウエハステージと同様に、レチクル微小駆
動ステージ１１のｙ方向の座標は、レーザービームＬＲ
ｙ１及びＬＲｙ２を使用する２個の干渉計で計測された
座標値ｙ1 及びｙ2 の平均値（ｙ1＋ｙ2）／２が用いら
れる。また、ｘ方向の座標は、レーザービームＬＲｘを
使用する干渉計１４ｘで計測された座標値が使用され
る。また、例えば座標値ｙ1 とｙ2 との差分からレチク
ル微小駆動ステージ１１の回転方向（θ方向）の回転量
が計測される。
動ステージ１１のｙ方向の座標は、レーザービームＬＲ
ｙ１及びＬＲｙ２を使用する２個の干渉計で計測された
座標値ｙ1 及びｙ2 の平均値（ｙ1＋ｙ2）／２が用いら
れる。また、ｘ方向の座標は、レーザービームＬＲｘを
使用する干渉計１４ｘで計測された座標値が使用され
る。また、例えば座標値ｙ1 とｙ2 との差分からレチク
ル微小駆動ステージ１１の回転方向（θ方向）の回転量
が計測される。
【００３１】この場合、走査方向であるｙ方向の移動鏡
２１ｙ１，２１ｙ２としてはコーナキューブ型の反射部
材が使用されており、移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２で反射
されたレーザービームＬＲｙ１，ＬＲｙ２はそれぞれ反
射ミラー３９，３８で反射されて戻されている。即ち、
そのレチクル用の干渉計はダブルパス干渉計であり、こ
れによって、レチクル微小駆動ステージ１１の回転によ
るレーザービームの位置ずれが生じない構成になってい
る。なお、ｘ軸用の干渉計１４ｘも、ダブルパス干渉計
とすることができる。また、ウエハステージ上と同様
に、レチクル１２上にスリット状の照明領域３２及びＲ
Ａ顕微鏡１９，２０の観察領域１９Ｒ，２０Ｒが配置さ
れている。そして、観察領域１９Ｒ及び２０Ｒだけか
ら、レチクル１２と図７（ａ）のＺθ軸駆動ステージ４
を観察できる様になっている。この様にレチクル１２と
Ｚθ軸駆動ステージ４との関係を計測して、移動鏡２１
ｘの曲がり計測を行うと共に、露光時のアライメント精
度及びレチクル１２とウエハ５との回転精度を向上させ
ことができる。
２１ｙ１，２１ｙ２としてはコーナキューブ型の反射部
材が使用されており、移動鏡２１ｙ１，２１ｙ２で反射
されたレーザービームＬＲｙ１，ＬＲｙ２はそれぞれ反
射ミラー３９，３８で反射されて戻されている。即ち、
そのレチクル用の干渉計はダブルパス干渉計であり、こ
れによって、レチクル微小駆動ステージ１１の回転によ
るレーザービームの位置ずれが生じない構成になってい
る。なお、ｘ軸用の干渉計１４ｘも、ダブルパス干渉計
とすることができる。また、ウエハステージ上と同様
に、レチクル１２上にスリット状の照明領域３２及びＲ
Ａ顕微鏡１９，２０の観察領域１９Ｒ，２０Ｒが配置さ
れている。そして、観察領域１９Ｒ及び２０Ｒだけか
ら、レチクル１２と図７（ａ）のＺθ軸駆動ステージ４
を観察できる様になっている。この様にレチクル１２と
Ｚθ軸駆動ステージ４との関係を計測して、移動鏡２１
ｘの曲がり計測を行うと共に、露光時のアライメント精
度及びレチクル１２とウエハ５との回転精度を向上させ
ことができる。
【００３２】図４（ａ）は、図２（ａ）のレチクル１２
を図３（ａ）の基準マーク板６上に投影して得られるレ
チクル像１２Ｗを示し、この図４（ａ）において、図２
（ａ）のファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄに
共役なマーク像２９ＡＷ〜２９ＤＷと、ファインアライ
メントマーク３０Ａ〜３０Ｄに共役なマーク像３０ＡＷ
〜３０ＤＷとが示されている。更に、曲がり計測用マー
ク２７，２８と共役なマーク像２７Ｗ，２８Ｗも示され
ている。
を図３（ａ）の基準マーク板６上に投影して得られるレ
チクル像１２Ｗを示し、この図４（ａ）において、図２
（ａ）のファインアライメントマーク２９Ａ〜２９Ｄに
共役なマーク像２９ＡＷ〜２９ＤＷと、ファインアライ
メントマーク３０Ａ〜３０Ｄに共役なマーク像３０ＡＷ
〜３０ＤＷとが示されている。更に、曲がり計測用マー
ク２７，２８と共役なマーク像２７Ｗ，２８Ｗも示され
ている。
【００３３】図４（ｃ）は、基準マーク板６上の基準マ
ークの配置を示し、この図４（ｃ）の基準マーク板６上
には、図４（ａ）のマーク像２７Ｗ，２８ＷとＸ方向に
同じ間隔で基準マーク３５Ｅ，３６Ｅが形成されてい
る。基準マーク３５Ｅは、図４（ｃ）に示すように、Ｘ
方向に所定間隔で配置された２本の遮光部の直線パター
ンから構成され、基準マーク３６Ｅも同じである。これ
ら基準マーク３５Ｅ，３６Ｅはそれぞれ裏面から露光光
と同じ波長の照明光で照明されている。
ークの配置を示し、この図４（ｃ）の基準マーク板６上
には、図４（ａ）のマーク像２７Ｗ，２８ＷとＸ方向に
同じ間隔で基準マーク３５Ｅ，３６Ｅが形成されてい
る。基準マーク３５Ｅは、図４（ｃ）に示すように、Ｘ
方向に所定間隔で配置された２本の遮光部の直線パター
ンから構成され、基準マーク３６Ｅも同じである。これ
ら基準マーク３５Ｅ，３６Ｅはそれぞれ裏面から露光光
と同じ波長の照明光で照明されている。
【００３４】また、基準マーク板６上には、更に図４
（ａ）のマーク像２９ＡＷ〜２９ＤＷ及び３０ＡＷ〜３
０ＤＷとほぼ同一の配置でそれぞれ基準マーク３５Ａ〜
３５Ｄ及び３６Ａ〜３６Ｄが形成されている。これら基
準マークは基準マーク板６の裏面から、露光光と同じ波
長の照明光で照明されている。また、基準マーク板６上
には、基準マーク３５Ａ及び３６Ａの中点から走査方向
であるＹ方向に間隔ＩＬだけ離れた位置に基準マーク３
７Ａが形成されている。間隔ＩＬは、図１における投影
光学系８の基準点とオフ・アクシスのアライメント装置
３４の基準点との間隔であるベースライン量と等しい。
同様に、基準マーク３５Ｂ及び３６Ｂの中点、基準マー
ク３５Ｃ及び３６Ｃの中点及び基準マーク３５Ｄ及び３
６Ｄの中点からそれぞれＹ方向に間隔ＩＬだけ離れた位
置に、基準マーク３７Ｂ，３７Ｃ及び３７Ｄが形成され
ている。
（ａ）のマーク像２９ＡＷ〜２９ＤＷ及び３０ＡＷ〜３
０ＤＷとほぼ同一の配置でそれぞれ基準マーク３５Ａ〜
３５Ｄ及び３６Ａ〜３６Ｄが形成されている。これら基
準マークは基準マーク板６の裏面から、露光光と同じ波
長の照明光で照明されている。また、基準マーク板６上
には、基準マーク３５Ａ及び３６Ａの中点から走査方向
であるＹ方向に間隔ＩＬだけ離れた位置に基準マーク３
７Ａが形成されている。間隔ＩＬは、図１における投影
光学系８の基準点とオフ・アクシスのアライメント装置
３４の基準点との間隔であるベースライン量と等しい。
同様に、基準マーク３５Ｂ及び３６Ｂの中点、基準マー
ク３５Ｃ及び３６Ｃの中点及び基準マーク３５Ｄ及び３
６Ｄの中点からそれぞれＹ方向に間隔ＩＬだけ離れた位
置に、基準マーク３７Ｂ，３７Ｃ及び３７Ｄが形成され
ている。
【００３５】そして、ファインアライメントマーク２９
Ａ〜２９Ｄと対応する基準マーク３５Ａ〜３５Ｄとの位
置関係をＲＡ顕微鏡１９で計測し、ファインアライメン
トマーク３０Ａ〜３０Ｄと対応する基準マーク３６Ａ〜
３６Ｄとの位置関係をＲＡ顕微鏡２０で計測することに
より、レチクル１２の最終的なアライメントが行われ
る。次に、移動鏡２１ｘの曲がり計測時には、図４
（ｂ）の基準マーク３５Ｅ（又は３５Ｅ）と図２（ａ）
のレチクル１２側の曲がり計測用マーク２７の直線パタ
ーン２７ｃ（又は直線パターン２８ｃ）との位置ずれ量
が、ＲＡ顕微鏡１９（又はＲＡ顕微鏡２０）により検出
される。
Ａ〜２９Ｄと対応する基準マーク３５Ａ〜３５Ｄとの位
置関係をＲＡ顕微鏡１９で計測し、ファインアライメン
トマーク３０Ａ〜３０Ｄと対応する基準マーク３６Ａ〜
３６Ｄとの位置関係をＲＡ顕微鏡２０で計測することに
より、レチクル１２の最終的なアライメントが行われ
る。次に、移動鏡２１ｘの曲がり計測時には、図４
（ｂ）の基準マーク３５Ｅ（又は３５Ｅ）と図２（ａ）
のレチクル１２側の曲がり計測用マーク２７の直線パタ
ーン２７ｃ（又は直線パターン２８ｃ）との位置ずれ量
が、ＲＡ顕微鏡１９（又はＲＡ顕微鏡２０）により検出
される。
【００３６】この位置ずれ量の求め方につき説明するた
めに、図１のＲＡ顕微鏡１９等の構成を詳細に説明す
る。図５は、ＲＡ顕微鏡１９及びこの照明系を示し、こ
の図５において、Ｚθ軸駆動ステージ４の外部より光フ
ァイバー４４を介して露光光と同じ波長の照明光ＥＬが
Ｚθ軸駆動ステージ４の内部に導かれている。光ファイ
バー４４の代わりにレンズ系で露光光をリレーしても良
い。そのように導かれた照明光が、レンズ４５Ａ、ビー
ムスプリッター４５Ｂ及びレンズ４５Ｃを経て基準マー
ク板６上の基準マーク３５Ａ〜３５Ｄを照明し、ビーム
スプリッター４５Ｂを透過した照明光が、レンズ４５
Ｄ、レンズ４５Ｅ、ミラー４５Ｆ及びレンズ４５Ｇを経
て基準マーク板６上の基準マーク３６Ａ〜３６Ｄを照明
している。
めに、図１のＲＡ顕微鏡１９等の構成を詳細に説明す
る。図５は、ＲＡ顕微鏡１９及びこの照明系を示し、こ
の図５において、Ｚθ軸駆動ステージ４の外部より光フ
ァイバー４４を介して露光光と同じ波長の照明光ＥＬが
Ｚθ軸駆動ステージ４の内部に導かれている。光ファイ
バー４４の代わりにレンズ系で露光光をリレーしても良
い。そのように導かれた照明光が、レンズ４５Ａ、ビー
ムスプリッター４５Ｂ及びレンズ４５Ｃを経て基準マー
ク板６上の基準マーク３５Ａ〜３５Ｄを照明し、ビーム
スプリッター４５Ｂを透過した照明光が、レンズ４５
Ｄ、レンズ４５Ｅ、ミラー４５Ｆ及びレンズ４５Ｇを経
て基準マーク板６上の基準マーク３６Ａ〜３６Ｄを照明
している。
【００３７】例えば基準マーク３５Ｅを透過した光は、
投影光学系８を介して、レチクル１２上の直線パターン
２７ｃ上にその基準マーク３５Ｅの像を結像する。その
基準マーク３５Ｅの像及び直線パターン２７ｃからの光
が、偏向ミラー１５、レンズ４０Ａ、レンズ４０Ｂを経
てハーフミラー４２に達し、ハーフミラー４２で２分割
された光がそれぞれ２次元ＣＣＤよりなるｘ軸用の撮像
素子４３Ｘ及びｙ軸用の撮像素子４３Ｙの撮像面に入射
する。これら撮像素子の内の撮像素子４３Ｘの撮像画面
４３Ｘａには図６（ａ）に示すような、直線パターン２
７ｃ及び基準マーク３５Ｅの像３５ＥＲの像が投影され
る。この場合、ｘ軸用の撮像素子４３Ｘの撮像画面４３
Ｘａの水平走査線の方向はｘ方向であり、ｙ軸用の撮像
素子４３Ｙの撮像画面の水平走査線の方向はｙ方向であ
る。
投影光学系８を介して、レチクル１２上の直線パターン
２７ｃ上にその基準マーク３５Ｅの像を結像する。その
基準マーク３５Ｅの像及び直線パターン２７ｃからの光
が、偏向ミラー１５、レンズ４０Ａ、レンズ４０Ｂを経
てハーフミラー４２に達し、ハーフミラー４２で２分割
された光がそれぞれ２次元ＣＣＤよりなるｘ軸用の撮像
素子４３Ｘ及びｙ軸用の撮像素子４３Ｙの撮像面に入射
する。これら撮像素子の内の撮像素子４３Ｘの撮像画面
４３Ｘａには図６（ａ）に示すような、直線パターン２
７ｃ及び基準マーク３５Ｅの像３５ＥＲの像が投影され
る。この場合、ｘ軸用の撮像素子４３Ｘの撮像画面４３
Ｘａの水平走査線の方向はｘ方向であり、ｙ軸用の撮像
素子４３Ｙの撮像画面の水平走査線の方向はｙ方向であ
る。
【００３８】従って、撮像素子４３Ｘの撮像信号Ｓ４Ｘ
の加算平均から基準マーク３５Ｅの像３５ＥＲと直線パ
ターン２７ｃとのｘ方向の位置ずれ量が求められる。こ
の撮像信号Ｓ４Ｘが信号処理装置４１に供給されてい
る。撮像信号Ｓ４Ｘが、信号処理装置４１内でアナログ
／デジタル変換によりデジタル信号として検出される。
それぞれの走査線上の画像データは、信号処理装置４１
内で、Ｘ軸上で加算平均され、加算平均されたＸ軸の画
像信号Ｓ４Ｘは図６（ｂ）に示されるようになる。これ
ら画像データはそれぞれ１次元画像処理信号として処理
される。なお、基準マーク板６（ｂ）において、画像信
号Ｓ４Ｘの横軸は時間ｔであるが、予め撮像素子４３Ｘ
の撮像画面の幅を計測しておくことにより、その横軸は
位置ｘともみなすことができる。
の加算平均から基準マーク３５Ｅの像３５ＥＲと直線パ
ターン２７ｃとのｘ方向の位置ずれ量が求められる。こ
の撮像信号Ｓ４Ｘが信号処理装置４１に供給されてい
る。撮像信号Ｓ４Ｘが、信号処理装置４１内でアナログ
／デジタル変換によりデジタル信号として検出される。
それぞれの走査線上の画像データは、信号処理装置４１
内で、Ｘ軸上で加算平均され、加算平均されたＸ軸の画
像信号Ｓ４Ｘは図６（ｂ）に示されるようになる。これ
ら画像データはそれぞれ１次元画像処理信号として処理
される。なお、基準マーク板６（ｂ）において、画像信
号Ｓ４Ｘの横軸は時間ｔであるが、予め撮像素子４３Ｘ
の撮像画面の幅を計測しておくことにより、その横軸は
位置ｘともみなすことができる。
【００３９】この様にして得られた信号を信号処理装置
４１で演算処理すると、図６（ａ）のレチクル１２の直
線パターン２７ｃの像に対応するｘ方向の位置ｘ3 、基
準マーク３５Ｅの像３５ＥＲの左側のパターンに対応す
る位置ｘ1 及びその像３５ＥＲの右側のパターンに対応
する位置ｘ2 が求められる。そして、直線パターン２７
ｃと基準マーク３５Ｅとのｘ方向の相対的な位置ずれ量
Δｘは、次のようになる。 Δｘ＝ｘ3-（ｘ1+ｘ2)／２ (1) このようにして、図２（ａ）の曲がり計測用マーク２７
の直線パターン２７ｃと図４（ｂ）の基準マーク３５Ｅ
の投影像とのｘ方向の位置ずれ量を求めることができ
る。同様に、ＲＡ顕微鏡２０を用いて、図２（ａ）の曲
がり計測用マーク２８の直線パターン２８ｃと図４
（ｂ）の基準マーク３６Ｅの投影像とのｘ方向の位置ず
れ量を求めることができる。この位置ずれ量を用いて、
図３（ｂ）のレチクルステージ側の移動鏡２１ｘの反射
面の曲がり量を計測する方法の例につき説明する。
４１で演算処理すると、図６（ａ）のレチクル１２の直
線パターン２７ｃの像に対応するｘ方向の位置ｘ3 、基
準マーク３５Ｅの像３５ＥＲの左側のパターンに対応す
る位置ｘ1 及びその像３５ＥＲの右側のパターンに対応
する位置ｘ2 が求められる。そして、直線パターン２７
ｃと基準マーク３５Ｅとのｘ方向の相対的な位置ずれ量
Δｘは、次のようになる。 Δｘ＝ｘ3-（ｘ1+ｘ2)／２ (1) このようにして、図２（ａ）の曲がり計測用マーク２７
の直線パターン２７ｃと図４（ｂ）の基準マーク３５Ｅ
の投影像とのｘ方向の位置ずれ量を求めることができ
る。同様に、ＲＡ顕微鏡２０を用いて、図２（ａ）の曲
がり計測用マーク２８の直線パターン２８ｃと図４
（ｂ）の基準マーク３６Ｅの投影像とのｘ方向の位置ず
れ量を求めることができる。この位置ずれ量を用いて、
図３（ｂ）のレチクルステージ側の移動鏡２１ｘの反射
面の曲がり量を計測する方法の例につき説明する。
【００４０】移動鏡２１ｘの曲がり計測の第１の方法
は、図２（ａ）の曲がり計測用マーク２７の直線パター
ン２７ｃ（又は直線パターン２８ｃ）を基準とする方法
である。即ち、この場合、図５に示すように、ＲＡ顕微
鏡１９で基準パターン３５Ｅの像及び直線パターン２７
ｃを観察して、両者のｘ方向の位置ずれ量Δｘをモニタ
ーした状態で、且つ図３（ｂ）において、レチクル側の
ｘ軸用の干渉計１４ｘの計測値が一定値に維持された状
態で、レチクル微小駆動ステージ１１を走査方向である
ｙ方向に移動させる。そして、ｙ方向の多数の計測位置
ｙi において、基準パターン３５Ｅの像と直線パターン
２７ｃとのｘ方向の位置ずれ量Δｘi を求める。
は、図２（ａ）の曲がり計測用マーク２７の直線パター
ン２７ｃ（又は直線パターン２８ｃ）を基準とする方法
である。即ち、この場合、図５に示すように、ＲＡ顕微
鏡１９で基準パターン３５Ｅの像及び直線パターン２７
ｃを観察して、両者のｘ方向の位置ずれ量Δｘをモニタ
ーした状態で、且つ図３（ｂ）において、レチクル側の
ｘ軸用の干渉計１４ｘの計測値が一定値に維持された状
態で、レチクル微小駆動ステージ１１を走査方向である
ｙ方向に移動させる。そして、ｙ方向の多数の計測位置
ｙi において、基準パターン３５Ｅの像と直線パターン
２７ｃとのｘ方向の位置ずれ量Δｘi を求める。
【００４１】図７（ａ）は計測位置ｙi に対して位置ず
れ量Δｘi をプロットして得られた結果を示し、曲線７
０はｙ方向に真直な直線であり、曲線７１は一連のサン
プル点（図７（ａ）で×印を付した点）を近似したもの
である。また、その曲線７１のもとになる計測データに
おいて、直線７０からの位置ずれ量Δｘ1 は、図７
（ｂ）に示すように、撮像信号Ｓ４Ｘ中の基準パターン
３５Ｅの像３５ＥＲの中点７２と直線パターン２７ｃと
のｘ方向の位置ずれ量として求められる。同様に、位置
ずれ量Δｘn 及びΔｘm は、それぞれ図７（ｃ）及び
（ｄ）の撮像信号から求められるものである。
れ量Δｘi をプロットして得られた結果を示し、曲線７
０はｙ方向に真直な直線であり、曲線７１は一連のサン
プル点（図７（ａ）で×印を付した点）を近似したもの
である。また、その曲線７１のもとになる計測データに
おいて、直線７０からの位置ずれ量Δｘ1 は、図７
（ｂ）に示すように、撮像信号Ｓ４Ｘ中の基準パターン
３５Ｅの像３５ＥＲの中点７２と直線パターン２７ｃと
のｘ方向の位置ずれ量として求められる。同様に、位置
ずれ量Δｘn 及びΔｘm は、それぞれ図７（ｃ）及び
（ｄ）の撮像信号から求められるものである。
【００４２】ｙ方向のサンプリング間隔は求める曲率
と、アライメントセンサーとしてのＲＡ顕微鏡１９の計
測精度で決定されるが、それぞれの相対的な位置ずれ量
Δｘiは、移動鏡２１ｘの曲がりに沿って×印の様に計
測される。そして、曲線７１を求める際には、位置ずれ
量Δｘi のばらつきに応じてフィルタリングをソフトウ
ェア的に実行する。その結果求められた曲線７１に対応
する関数を位置ｙに関する２次曲線で近似して、例えば
そのｙ2 の項の係数Ａを求め、スリットスキャン露光時
に、レチクル微小駆動ステージ１１をｙ方向に走査する
際には、その移動鏡２１ｘの曲がりを相殺するように、
ｙ方向の位置に応じてレチクル微小駆動ステージ１１を
ｘ方向に微動する。これにより、ウエハ５の各ショット
領域に露光されるパターン像のショット内歪みが低減さ
れる。
と、アライメントセンサーとしてのＲＡ顕微鏡１９の計
測精度で決定されるが、それぞれの相対的な位置ずれ量
Δｘiは、移動鏡２１ｘの曲がりに沿って×印の様に計
測される。そして、曲線７１を求める際には、位置ずれ
量Δｘi のばらつきに応じてフィルタリングをソフトウ
ェア的に実行する。その結果求められた曲線７１に対応
する関数を位置ｙに関する２次曲線で近似して、例えば
そのｙ2 の項の係数Ａを求め、スリットスキャン露光時
に、レチクル微小駆動ステージ１１をｙ方向に走査する
際には、その移動鏡２１ｘの曲がりを相殺するように、
ｙ方向の位置に応じてレチクル微小駆動ステージ１１を
ｘ方向に微動する。これにより、ウエハ５の各ショット
領域に露光されるパターン像のショット内歪みが低減さ
れる。
【００４３】なお、図７（ａ）において、曲線７１をｙ
方向に適当な間隔で分割し、それぞれを一次近似してそ
の位置ｙの係数Ｂを求め、この係数Ｂに基づいてスリッ
トスキャン露光時に補正してもよい。また、画像のサン
プリングを行う際は、レチクル描画誤差を平均化するた
めに、撮像画面の走査線を全面で縦方向に加算平均を行
っても良いし、レチクル１２を走査させながらサンプリ
ングを行い続けて平均化を行っても良い。
方向に適当な間隔で分割し、それぞれを一次近似してそ
の位置ｙの係数Ｂを求め、この係数Ｂに基づいてスリッ
トスキャン露光時に補正してもよい。また、画像のサン
プリングを行う際は、レチクル描画誤差を平均化するた
めに、撮像画面の走査線を全面で縦方向に加算平均を行
っても良いし、レチクル１２を走査させながらサンプリ
ングを行い続けて平均化を行っても良い。
【００４４】また、上述実施例では、ｘ軸用の干渉計１
４ｘのｘ方向の計測値を一定値に維持してレチクル微小
駆動ステージ１１をｙ方向に走査しているが、逆に図６
（ａ）において、基準マーク３５の像３５ＥＲの中点に
直線パターン２７ｃを設定した状態で、レチクル微小駆
動ステージ１１をｙ方向に走査しても良い。この場合
は、ＲＡ顕微鏡１９により計測される位置ずれ量Δｘは
常に０であり、ｘ軸用の干渉計１４ｘによるｘ方向の計
測値がそのまま移動鏡２１ｘの曲がり量を表す。
４ｘのｘ方向の計測値を一定値に維持してレチクル微小
駆動ステージ１１をｙ方向に走査しているが、逆に図６
（ａ）において、基準マーク３５の像３５ＥＲの中点に
直線パターン２７ｃを設定した状態で、レチクル微小駆
動ステージ１１をｙ方向に走査しても良い。この場合
は、ＲＡ顕微鏡１９により計測される位置ずれ量Δｘは
常に０であり、ｘ軸用の干渉計１４ｘによるｘ方向の計
測値がそのまま移動鏡２１ｘの曲がり量を表す。
【００４５】なお、投影露光装置においては、露光時に
レチクル１２のパターン形成面に照射される露光光によ
り熱が蓄積されて、レチクルステージ（レチクル微小駆
動ステージ１１）自身の温度変化が生じた場合に、移動
鏡２１ｘの曲がりの状態が変化する可能性があるが、レ
チクルステージに温度センサー等を配置し、温度変化量
と曲がりの状態の変化との関係を予め計測しておき、補
正係数を変えられる様にしておけば、曲がりの状態の変
化に対応することができる。更に、移動鏡２１ｘの曲が
り補正後に、別のレチクルを搭載して同様の計測をｘ軸
及びｙ軸に対して行うと、各位置でのレチクル描画誤差
が計測できる。レチクル描画誤差は隣接パターン部では
小さいので、曲がり計測用マークの近傍からパターン部
のレチクル描画誤差をほぼ同一誤差としてグループ化
し、スリットスキャン露光時に補正すれば、レチクル描
画誤差補正も可能となる。
レチクル１２のパターン形成面に照射される露光光によ
り熱が蓄積されて、レチクルステージ（レチクル微小駆
動ステージ１１）自身の温度変化が生じた場合に、移動
鏡２１ｘの曲がりの状態が変化する可能性があるが、レ
チクルステージに温度センサー等を配置し、温度変化量
と曲がりの状態の変化との関係を予め計測しておき、補
正係数を変えられる様にしておけば、曲がりの状態の変
化に対応することができる。更に、移動鏡２１ｘの曲が
り補正後に、別のレチクルを搭載して同様の計測をｘ軸
及びｙ軸に対して行うと、各位置でのレチクル描画誤差
が計測できる。レチクル描画誤差は隣接パターン部では
小さいので、曲がり計測用マークの近傍からパターン部
のレチクル描画誤差をほぼ同一誤差としてグループ化
し、スリットスキャン露光時に補正すれば、レチクル描
画誤差補正も可能となる。
【００４６】次に、上述実施例では、曲がり計測用マー
クとして、図８（ａ）に示すような曲がり計測用マーク
２７，２８が使用され、例えば曲がり計測用マーク２８
の直線パターン２８ｃ（図８（ｂ）参照）が移動鏡の曲
がりの計測時の基準として使用されている。しかしなが
ら、その移動鏡の曲がりの計測時の基準としては、図８
（ｃ）に示すような、ｙ方向に伸びた直線パターンを所
定間隔でｘ方向に並べたマルチパターン７３を使用して
も良い。このようなマルチパターン７３を使用いて、各
直線パターンの計測結果をｘ方向に平均化することによ
り、より高精度に移動鏡の曲がり量を計測できる。ま
た、移動鏡の曲がりの計測時の基準として、図８（ｄ）
に示すような、ｙ方向に所定ピッチで形成されたライン
・アンド・スペースパターンをｘ方向に所定間隔で並べ
たマルチライン・アンド・スペースパターン７４を使用
しても良い。このようなマルチライン・アンド・スペー
スパターン７４は、例えばレチクル上に電子ビーム描画
装置等で形成するのが容易である。
クとして、図８（ａ）に示すような曲がり計測用マーク
２７，２８が使用され、例えば曲がり計測用マーク２８
の直線パターン２８ｃ（図８（ｂ）参照）が移動鏡の曲
がりの計測時の基準として使用されている。しかしなが
ら、その移動鏡の曲がりの計測時の基準としては、図８
（ｃ）に示すような、ｙ方向に伸びた直線パターンを所
定間隔でｘ方向に並べたマルチパターン７３を使用して
も良い。このようなマルチパターン７３を使用いて、各
直線パターンの計測結果をｘ方向に平均化することによ
り、より高精度に移動鏡の曲がり量を計測できる。ま
た、移動鏡の曲がりの計測時の基準として、図８（ｄ）
に示すような、ｙ方向に所定ピッチで形成されたライン
・アンド・スペースパターンをｘ方向に所定間隔で並べ
たマルチライン・アンド・スペースパターン７４を使用
しても良い。このようなマルチライン・アンド・スペー
スパターン７４は、例えばレチクル上に電子ビーム描画
装置等で形成するのが容易である。
【００４７】また、上述実施例では、ウエハ側の基準マ
ーク板６上に形成された基準マーク３５Ｅ，３６Ｅを基
準として直線パターン２７ｃ，２８ｃの位置ずれ量を求
めていたが、その基準マークをＲＡ顕微鏡内に設けても
良い。図９は、内部に基準マークを備えたＲＡ顕微鏡を
示し、この図９において、レチクル１２の直線パターン
２７ｃからの照明光は、ハーフミラー１５で反射されて
レンズ４０Ｃ及び４９Ｄを介して、指標板７５上に直線
パターン２７ｃの像を結像する。指標板７５上にはレチ
クル１２上のｘ方向と共役な方向に所定間隔で配列され
た直線パターンよりなる指標マーク７６が形成され、指
標板７５を通過した照明光は、ミラー７７、レンズ４０
Ｄ及びレンズ４０Ｅを経てハーフミラー４２に達し、ハ
ーフミラー４２で２分割された光がそれぞれｘ軸用の撮
像素子４３Ｘ及びｙ軸用の撮像素子４３Ｙの撮像面に入
射する。その他の構成は図５のＲＡ顕微鏡１９と同様で
ある。
ーク板６上に形成された基準マーク３５Ｅ，３６Ｅを基
準として直線パターン２７ｃ，２８ｃの位置ずれ量を求
めていたが、その基準マークをＲＡ顕微鏡内に設けても
良い。図９は、内部に基準マークを備えたＲＡ顕微鏡を
示し、この図９において、レチクル１２の直線パターン
２７ｃからの照明光は、ハーフミラー１５で反射されて
レンズ４０Ｃ及び４９Ｄを介して、指標板７５上に直線
パターン２７ｃの像を結像する。指標板７５上にはレチ
クル１２上のｘ方向と共役な方向に所定間隔で配列され
た直線パターンよりなる指標マーク７６が形成され、指
標板７５を通過した照明光は、ミラー７７、レンズ４０
Ｄ及びレンズ４０Ｅを経てハーフミラー４２に達し、ハ
ーフミラー４２で２分割された光がそれぞれｘ軸用の撮
像素子４３Ｘ及びｙ軸用の撮像素子４３Ｙの撮像面に入
射する。その他の構成は図５のＲＡ顕微鏡１９と同様で
ある。
【００４８】図９のＲＡ顕微鏡においては、指標マーク
７６を基準として、直線パターン２７ｃの位置ずれ量が
検出される。従って、移動鏡２１ｘの曲がり計測時には
ウエハ側の基準マーク板６を使用する必要がない。ま
た、上述実施例では、曲がり計測用マーク２７，２８を
使用しているが、図３（ｂ）において、レチクル微小駆
動ステージ１１のｙ方向への移動の真直度が良好であれ
ば、単にレチクル微小駆動ステージ１１をｙ方向へ走ら
せた状態で、ｘ軸用の干渉計１４ｘでｘ方向の計測値を
モニターすると、その計測値がそのまま移動鏡２１ｘの
曲がり量の計測値となる。なお、上記のステージ駆動方
法によれば、マスク（レチクル）に設けた計測用マーク
を基準として移動鏡の曲がり量を計測し、露光時にその
曲がり量を補正しているので、マスク側のマスクステー
ジ（レチクルＹ軸駆動ステージ１０、レチクル微小駆動
ステージ１１）に設けられた移動鏡（移動鏡２１ｘ）に
曲がりが存在しても、基板（ウエハ）側でショット内歪
みが生じない利点がある。また、上記のステージ駆動方
法によれば、マスクガイド（レチクル支持台９）を基準
として移動鏡の曲がり量を計測しているので、マスクガ
イドの真直度が良好な場合には、迅速且つ容易に移動鏡
の曲がり量を計測でき、露光時にその曲がり量を補正で
きる。なお、本発明は、上述実施例に限定されず、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
７６を基準として、直線パターン２７ｃの位置ずれ量が
検出される。従って、移動鏡２１ｘの曲がり計測時には
ウエハ側の基準マーク板６を使用する必要がない。ま
た、上述実施例では、曲がり計測用マーク２７，２８を
使用しているが、図３（ｂ）において、レチクル微小駆
動ステージ１１のｙ方向への移動の真直度が良好であれ
ば、単にレチクル微小駆動ステージ１１をｙ方向へ走ら
せた状態で、ｘ軸用の干渉計１４ｘでｘ方向の計測値を
モニターすると、その計測値がそのまま移動鏡２１ｘの
曲がり量の計測値となる。なお、上記のステージ駆動方
法によれば、マスク（レチクル）に設けた計測用マーク
を基準として移動鏡の曲がり量を計測し、露光時にその
曲がり量を補正しているので、マスク側のマスクステー
ジ（レチクルＹ軸駆動ステージ１０、レチクル微小駆動
ステージ１１）に設けられた移動鏡（移動鏡２１ｘ）に
曲がりが存在しても、基板（ウエハ）側でショット内歪
みが生じない利点がある。また、上記のステージ駆動方
法によれば、マスクガイド（レチクル支持台９）を基準
として移動鏡の曲がり量を計測しているので、マスクガ
イドの真直度が良好な場合には、迅速且つ容易に移動鏡
の曲がり量を計測でき、露光時にその曲がり量を補正で
きる。なお、本発明は、上述実施例に限定されず、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、マスク側のステージに
設けられた移動鏡に曲がりが存在しても、基板側でショ
ット内歪みが生じない利点がある。
設けられた移動鏡に曲がりが存在しても、基板側でショ
ット内歪みが生じない利点がある。
【００５０】
【図１】本発明の一実施例の投影露光装置を示す構成図
である。
である。
【図２】（ａ）はレチクル上の曲がり計測用マーク及び
アライメントマークの配置図、（ｂ）は投影光学系の有
効視野と共役な領域でのアライメントマーク等を示す配
置図、（ｃ）はファインアライメントマーク２９Ａ〜３
０Ｄを示す拡大図である。
アライメントマークの配置図、（ｂ）は投影光学系の有
効視野と共役な領域でのアライメントマーク等を示す配
置図、（ｃ）はファインアライメントマーク２９Ａ〜３
０Ｄを示す拡大図である。
【図３】（ａ）はウエハ側のステージの平面図、（ｂ）
はレチクル側のステージの平面図である。
はレチクル側のステージの平面図である。
【図４】（ａ）はレチクル上のマーク配置を示す投影
図、（ｂ）はは基準マーク板６上の基準マークの配置を
示す平面図、（ｃ）は基準マーク３５Ｅ（又は３６Ｅ）
の一例を示す拡大図である。
図、（ｂ）はは基準マーク板６上の基準マークの配置を
示す平面図、（ｃ）は基準マーク３５Ｅ（又は３６Ｅ）
の一例を示す拡大図である。
【図５】レチクルアライメント顕微鏡１９及び照明系の
構成を示す一部を切り欠いた構成図である。
構成を示す一部を切り欠いた構成図である。
【図６】（ａ）は図５の撮像素子で観察される画像を示
す図、（ｂ）はその画像に対応するＸ方向の画像信号を
示す波形図である。
す図、（ｂ）はその画像に対応するＸ方向の画像信号を
示す波形図である。
【図７】（ａ）は移動鏡の曲がり計測時の計測値を近似
する曲線を示す図、（ｂ）〜（ｄ）はそれぞれ図７
（ａ）の各部に対応する画像信号を示す波形図である。
する曲線を示す図、（ｂ）〜（ｄ）はそれぞれ図７
（ａ）の各部に対応する画像信号を示す波形図である。
【図８】（ａ）は実施例のレチクル１２を示す平面図、
（ｂ）は図８（ａ）中の曲がり計測用マーク２８の直線
パターン２８ｃを示す拡大図、（ｃ）はその曲がり計測
用マークの他の例を示す拡大図、（ｄ）はその曲がり計
測用マークの更に他の例を示す拡大図である。
（ｂ）は図８（ａ）中の曲がり計測用マーク２８の直線
パターン２８ｃを示す拡大図、（ｃ）はその曲がり計測
用マークの他の例を示す拡大図、（ｄ）はその曲がり計
測用マークの更に他の例を示す拡大図である。
【図９】レチクルアライメント顕微鏡の他の例を示す構
成図である。
成図である。
【図１０】（ａ）はスリットスキャン露光方式の投影露
光装置におけるレチクルステージ側の移動鏡の曲がりを
示す平面図、（ｂ）は移動鏡の曲がりによりウエハ上に
形成されるショット領域に生じる歪みを示す拡大図、
（ｃ）はウエハ上のショット領域の配列を示す平面図で
ある。
光装置におけるレチクルステージ側の移動鏡の曲がりを
示す平面図、（ｂ）は移動鏡の曲がりによりウエハ上に
形成されるショット領域に生じる歪みを示す拡大図、
（ｃ）はウエハ上のショット領域の配列を示す平面図で
ある。
４ Ｚθ軸駆動ステージ ５ ウエハ ６ 基準マーク板 ７ ウエハ側の移動鏡 ８ 投影光学系 １１ レチクル微小駆動ステージ １２ レチクル １９，２０ レチクルアライメント顕微鏡（ＲＡ顕微
鏡） ２１ レチクル側の移動鏡 ２１ｘ ｘ軸用の移動鏡 ２７，２８ 曲がり計測用マーク ２９Ａ〜２９Ｄ，３０Ａ〜３０Ｄ ファインアライメン
トマーク ３４ オフ・アクシスのアライメント装置 ３５Ｅ，３６Ｅ 基準マーク
鏡） ２１ レチクル側の移動鏡 ２１ｘ ｘ軸用の移動鏡 ２７，２８ 曲がり計測用マーク ２９Ａ〜２９Ｄ，３０Ａ〜３０Ｄ ファインアライメン
トマーク ３４ オフ・アクシスのアライメント装置 ３５Ｅ，３６Ｅ 基準マーク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/08 G03F 7/20 G03F 9/00
Claims (17)
- 【請求項１】 所定の走査方向に伸びた案内部が形成さ
れたマスクガイドと、該マスクガイドに前記走査方向に
摺動自在に載置されたマスクステージと、該マスクステ
ージに取り付けられた前記走査方向にほぼ平行な反射面
を有する移動鏡と、該移動鏡に計測用ビームを照射する
ことにより前記マスクステージの前記走査方向に垂直な
方向への座標を求める計測手段と、前記走査方向とほぼ
平行な方向に移動自在な基板ステージとを有し、 照明光で所定形状の照明領域を照明し、前記所定形状の
照明領域に対して前記走査方向に前記マスクステージを
介して転写用のパターンが形成されたマスクを走査し、
該マスクの走査と同期して前記所定形状の照明領域に対
して前記基板ステージを介して基板を走査することによ
り、前記マスク上のパターンを順次前記基板上に露光す
る露光装置の、前記マスクステージの駆動方法であっ
て、 前記マスクステージ上に計測用マークが形成されたマス
クを載置する第１工程と、 前記所定形状の照明領域に対して固定された基準位置と
前記計測用マークとの位置ずれ量を計測した状態で、前
記マスクステージを前記走査方向に走査して、前記計測
手段により前記マスクステージの前記走査方向と直交す
る方向の座標を計測することにより、前記移動鏡の曲が
り量を求める第２工程とを有し、 前記所定形状の照明領域に対して前記走査方向に前記マ
スクステージを介して転写用のマスクを走査する際に、
前記第２工程で求められた前記移動鏡の曲がり量を補正
するように前記マスクステージを前記走査方向に垂直な
方向に動かすことを特徴とするステージ駆動方法。 - 【請求項２】 前記第２工程において、前記計測用マー
クを基準として前記移動鏡の曲がり量を求めることを特
徴とする請求項１に記載のステージ駆動方法。 - 【請求項３】 前記第２工程において、前記計測用マー
クを前記基準位置に合わせた状態で前記マスクステージ
を前記走査方向に走査し、前記計測手段により求めた前
記マスクステージの前記走査方向と直交する方向の座標
より前記移動鏡の曲がり量を求めることを特徴とする請
求項２に記載のステージ駆動方法。 - 【請求項４】 所定の走査方向に伸びた案内部が形成さ
れたマスクガイドと、該マスクガイドに前記走査方向に
摺動自在に載置されたマスクステージと、該マスクステ
ージに取り付けられた前記走査方向にほぼ平行な反射面
を有する移動鏡と、該移動鏡に計測用ビームを照射する
ことにより前記マスクステージの前記走査方向に垂直な
方向への座標を求める計測手段と、前記走査方向とほぼ
平行な方向に移動自在な基板ステージとを有し、 照明光で所定形状の照明領域を照明し、前記所定形状の
照明領域に対して前記走査方向に前記マスクステージを
介して転写用のパターンが形成されたマスクを走査し、
該マスクの走査と同期して前記所定形状の照明領域に対
して前記基板ステージを介して基板を走査することによ
り、前記マスク上のパターンを順次前記基板上に露光す
る露光装置の、前記マスクステージの駆動方法であっ
て、 前記マスクガイドを基準として前記マスクステージを前
記走査方向に走査して、前記計測手段により前記マスク
ステージの前記走査方向と直交する方向の座標を計測す
ることにより、前記移動鏡の曲がり量を求め、 前記所定形状の照明領域に対して前記走査方向に前記マ
スクステージを介して転写用のマスクを走査する際に、
前記移動鏡の曲がり量を補正するように前記マスクステ
ージを前記走査方向に垂直な方向に動かすことを特徴と
するステージ駆動方法。 - 【請求項５】 露光ビームに対してマスクを所定方向に
移動するとともに、該マスクの移動に同期して基板を移
動することにより、前記マスクのパターンを用いて前記
基板を走査露光する走査露光方法において、 前記基板の走査露光中に、前記マスクを保持するマスク
ステージに設けられた前記所定方向に延びる反射面を使
って、前記所定方向と直交する方向の前記マスクステー
ジの位置を計測し、 前記基板の走査露光中に、前記計測された位置と前記反
射面の曲がりとに応じて、前記マスクステージの移動を
制御することを特徴とする走査露光方法。 - 【請求項６】 前記走査露光により前記基板上に形成さ
れるショット領域に望ましくない歪みが生じないよう
に、前記計測された位置と前記反射面の曲がりとに応じ
て前記マスクステージの移動を制御することを特徴とす
る請求項５に記載の走査露光方法。 - 【請求項７】 前記マスクステージは、前記所定方向と
前記所定方向に直交する方向と回転方向とに移動可能で
あることを特徴とする請求項５に記載の走査露光方法。 - 【請求項８】 前記基板の走査露光中に、前記計測され
た位置と前記反射面の曲がりとに応じて、前記所定方向
と直交する方向における前記マスクステージの位置を制
御することを特徴とする請求項５に記載の走査露光方
法。 - 【請求項９】 前記反射面とは別に前記マスクステージ
に設けられたコーナーキューブ型の反射部材を使って、
前記基板の走査露光中に、前記所定方向における前記マ
スクステージの位置を計測することを特徴とする請求項
５に記載の走査露光方法。 - 【請求項１０】 露光ビームに対してマスクを所定方向
に移動するとともに、該マスクの移動に同期して基板を
移動することにより、前記マスクのパターンを用いて前
記基板を走査露光する走査露光方法において、 前記マスクの位置を計測するために前記マスクを保持す
るマスクステージに設けられ、前記所定方向とほぼ平行
に形成された反射面の曲がりに応じて、前記走査露光に
より前記基板上に形成されるショット領域に望ましくな
い歪みが生じないよう前記走査露光中の前記マスクと前
記基板との位置関係を調整することを特徴とする走査露
光方法。 - 【請求項１１】 露光ビームに対してマスクを所定方向
に移動するとともに、該マスクの移動に同期して基板を
移動することにより、前記マスクのパターンを用いて前
記基板を走査露光する走査露光方法において、 前記マスクの位置を計測するために前記マスクを保持す
るマスクステージに設けられ、前記所定方向とほぼ平行
に形成された反射面の曲がりを計測することを特徴とす
る走査露光方法。 - 【請求項１２】 前記反射面の曲がりは、前記マスクス
テージの案内部を形成するガイドを基準として計測され
ることを特徴とする請求項１１に記載の走査露光方法。 - 【請求項１３】 前記マスクステージに温度センサを配
置し、前記反射面の曲がりの変化に対応することを特徴
とする請求項１１に記載の走査露光方法。 - 【請求項１４】 前記基板の走査露光中に、前記計測さ
れた前記反射面の曲がりに応じて、前記マスクステージ
の移動を制御することを特徴とする請求項１１に記載の
走査露光方法。 - 【請求項１５】 露光ビームに対してマスクを所定方向
に移動するとともに、該マスクの移動に同期して基板を
移動することにより、前記マスクのパターンを用いて前
記基板を走査露光する走査露光方法において、 前記走査露光に先立って、前記所定方向とほぼ平行な反
射面が形成された前記マスクを保持するマスクステージ
を前記所定方向に移動して、前記所定方向の複数の位置
で、前記所定方向と直交する方向における前記マスクス
テージの位置を前記反射面を用いて干渉計により計測
し、 前記走査露光中に、前記走査露光の前に干渉計によって
計測された位置に応じて、前記マスクステージの移動を
制御することを特徴とする走査露光方法。 - 【請求項１６】 前記走査露光の前に干渉計によって計
測される位置は、前記反射面の曲がりに応じて変化する
ことを特徴とする請求項１５に記載の走査露光方法。 - 【請求項１７】 前記走査露光により前記基板上に形成
されるショット領域に望ましくない歪みが生じないよ
う、前記マスクステージの移動を制御することを特徴と
する請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の走査露光
方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7604593A JP3285105B2 (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | ステージ駆動方法、及び走査露光方法 |
| US08/217,841 US5464715A (en) | 1993-04-02 | 1994-03-25 | Method of driving mask stage and method of mask alignment |
| KR1019940006880A KR100289275B1 (ko) | 1993-04-02 | 1994-04-01 | 주사노광방법, 주사형 노광장치 및 소자제조방법 |
| US09/276,465 USRE38113E1 (en) | 1993-04-02 | 1999-03-25 | Method of driving mask stage and method of mask alignment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7604593A JP3285105B2 (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | ステージ駆動方法、及び走査露光方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000094171A Division JP3339630B2 (ja) | 1993-04-02 | 2000-03-30 | 走査型露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291019A JPH06291019A (ja) | 1994-10-18 |
| JP3285105B2 true JP3285105B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=13593830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7604593A Expired - Lifetime JP3285105B2 (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | ステージ駆動方法、及び走査露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3285105B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7561270B2 (en) | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| TW527526B (en) * | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| EP1583934A1 (en) * | 2002-12-12 | 2005-10-12 | Zygo Corporation | In-process correction of stage mirror deformations during a photolithography exposure cycle |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3295846B2 (ja) * | 1989-06-08 | 2002-06-24 | 株式会社ニコン | 位置測定方法、位置測定装置、位置決め方法、位置決め装置、および露光装置 |
| JP2794593B2 (ja) * | 1989-06-19 | 1998-09-10 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| JPH03263811A (ja) * | 1990-03-14 | 1991-11-25 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
| JP3084773B2 (ja) * | 1991-04-04 | 2000-09-04 | 株式会社ニコン | 走査露光装置 |
| JP3149472B2 (ja) * | 1991-08-30 | 2001-03-26 | 株式会社ニコン | 走査露光装置および物体の移動測定装置 |
-
1993
- 1993-04-02 JP JP7604593A patent/JP3285105B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06291019A (ja) | 1994-10-18 |
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|---|---|---|---|
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