JPH10275850A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH10275850A
JPH10275850A JP9094827A JP9482797A JPH10275850A JP H10275850 A JPH10275850 A JP H10275850A JP 9094827 A JP9094827 A JP 9094827A JP 9482797 A JP9482797 A JP 9482797A JP H10275850 A JPH10275850 A JP H10275850A
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JP9094827A
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English (en)
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Shinji Mizutani
真士 水谷
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、半導体装置、液晶表示装置、あるい
は薄膜磁気ヘッドなどを製造する際のフォトリソグラフ
ィ工程で用いられる露光装置に関し、装置の設置面積が
小さく、またスループットを向上させた露光装置を提供
することを目的とする。 【解決手段】搬送されたウェハ6を載置するウェハホル
ダ30と、ウェハホルダ30を支持して2次元平面を移
動可能なウェハステージ系12、14とを有し、レチク
ル1上のパターンの像をウェハ6上に露光する露光装置
において、ウェハステージ系12、14を移動させてウ
ェハ6の所定の複数のウェハエッジ部の形状を順次観察
視野内に入れて、ウェハホルダ30上でのウェハ6の載
置位置を検出するウェハエッジ部観察顕微鏡50を備え
るように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、液晶
表示装置、あるいは薄膜磁気ヘッドなどを製造する際の
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体装置あるいは液晶表示装置の製造
工程におけるフォトリソグラフィ工程では、半導体層や
金属配線層に微細な回路パターンを形成させるために投
影露光装置が用いられる。この投影露光装置は、回路パ
ターンの描画されたレチクルやフォトマスク(以下、レ
チクルと総称する)をレチクルステージ上に載置し、レ
ジストを塗布した半導体ウェハやガラス基板(以下、ウ
ェハという)をウェハホルダに真空吸着保持して、ウェ
ハステージの移動と共にレチクルに対して相対的にX−
Y方向の2次元的に移動して、ウェハの所定領域にレチ
クルの回路パターンを投影露光するものである。
【0003】そして、従来の投影露光装置では、ウェハ
搬送装置からウェハホルダにウェハが受け渡されると、
ウェハアライメント光学系を用いて行うウェハとレチク
ルとの正確な位置合わせ(アライメント)に先立って、
接触式、あるいは非接触式のプリアライメント機構を用
いてウェハホルダ上のウェハの大まかな位置および回転
量を把握するようにしている。ウェハアライメント光学
系によるアライメントは、レチクルの回路パターンとウ
ェハに既に形成された回路パターンとを正確に重ね合わ
せることを目的としているので、ウェハアライメント光
学系は高倍率で且つ観察視野は狭い。従って、ウェハ上
に形成されたウェハアライメントマークをウェハアライ
メント光学系の観察視野内に追い込むためには、プリア
ライメントにより、予めウェハのウェハホルダ上でのウ
ェハの位置および回転量がウェハアライメント光学系で
観察できる範囲内にあるか否かを把握する必要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の投影露光装置に
おける、露光位置に対するプリアライメント機構の配置
関係を図7に示す。図7は、投影光学系の光軸と平行に
ウェハを臨む方向から見たウェハホルダ周辺の模式的な
平面図である。図7における破線100は、投影光学系
の鏡筒の外周を示している。破線100で示される円形
領域の中心領域に実線で示した露光領域102がある。
ウェハホルダは、図示しないウェハ搬送機構からウェハ
6を受け渡されると、プリアライメントを行うための領
域30’に移動する。図中の破線6’は、領域30’内
でのウェハ6の位置を示している。
【0005】領域30’には、例えばウェハの3個所の
エッジ部をそれぞれ観察する3個のプリアライメント用
顕微鏡106で構成されるプリアライメント機構が設け
られている。3個の観察顕微鏡106により、円形状の
ウェハの2つのエッジ部および、ウェハエッジ部に設け
られた切り込み部(ノッチ部)あるいは直線部(オリエ
ンテーションフラット部)を検出してウェハホルダ上で
のウェハ6の位置と回転量が把握される。ウェハ6のウ
ェハホルダ上の位置、回転量に基づいてウェハステージ
を投影光学系の下面に移動させ、オフ・アクシス顕微鏡
がその観察視野104内にウェハ6上のアライメントマ
ークを検出できる位置までウェハ6を送り込んで、アラ
イメントが行われる。ウェハホルダの領域30’に対す
る最大の移動領域を領域30’’で示している。また、
ウェハ6に対して第1層目の露光の際には、ウェハ6に
アライメントマークは形成されていないのでプリアライ
メント機構による大まかな位置合わせだけに基づいて露
光が行われる。
【0006】このように、従来の投影露光装置では、3
つの観察顕微鏡106で構成されるプリアライメント機
構を有するため、ウェハ搬送機構からウェハ6が受け渡
され、且つプリアライメントするために所定の領域3
0’を確保せざるを得ず、また、プリアライメント位置
から投影光学系の下面にウェハ6を移動させる距離(最
大で領域30’から領域30’’までの距離)も長い。
このように、従来の投影露光装置は、プリアライメント
機構を設けている分だけ、装置の設置面積が大きくなっ
てしまうという問題を有し、また、プリアライメント動
作からアライメント動作あるいは露光動作に至るまでに
ステージ移動の時間が必然的に必要となるためスループ
ットの面からも不利であるという問題を有している。本
発明の目的は、装置の設置面積が小さく、またスループ
ットを向上させた露光装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】一実施の形態を表す図1
乃至図6に対応付けて説明すると上記目的は、搬送され
た感光基板(6)を載置する基板ホルダ(30)と、基
板ホルダ(30)を支持して2次元平面を移動可能な基
板ステージ(12、14)とを有し、レチクル(1)上
のパターンの像を感光基板(6)上に露光する露光装置
において、基板ステージ(12、14)を移動させて感
光基板(6)の所定の複数の基板エッジ部の形状を順次
観察視野内に入れて、基板ホルダ(30)上での感光基
板(6)の載置位置を検出する基板エッジ部観察顕微鏡
(50)を備えたことを特徴とする露光装置によって達
成される。
【0008】そして、基板エッジ部観察顕微鏡(50)
は、感光基板(6)の基板エッジ部を照明する照明系
(80、82)を備え、基板ホルダ(30)は、基板エ
ッジ部観察顕微鏡(50)で観察される所定の複数の基
板エッジ部周囲に切り欠き部(72、74、76)が形
成され、切り欠き部下方には、照明系からの照明光を散
乱させる散乱板(70)が配置されていることを特徴と
する露光装置によって達成される。また、基板エッジ部
観察顕微鏡(50)は、感光基板(6)に形成されたア
ライメントマークを観察する基板アライメント顕微鏡
(5)を兼ねるようにしてもよい。
【0009】本発明によれば、従来のプリアライメント
機構に代えて、ウェハアライメント顕微鏡と共軸、若し
くは独立のウェハエッジ部観察顕微鏡を投影光学系の投
影領域近傍に設け、プリアライメントでのウェハの位置
をウェハアライメントでのウェハの位置に近づけるよう
にしたので、装置全体の小型化を実現でき、また、ウェ
ハステージの移動量を減少させることができるのでスル
ープットを向上させることができるようになる。また、
特に、ウェハに対する第1層目の露光時については、ウ
ェハがウェハホルダに受け渡される際、ウェハエッジ部
観察顕微鏡によりウェハのウェハホルダ上での受け渡し
位置の誤差を即座に検出し、許容誤差範囲を逸脱して載
置されたウェハを露光対象から除外して、次のウェハの
受け渡し動作に移ることができるので、投影露光装置の
スループットを向上させることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態による露光
装置を図1乃至図6を用いて説明する。まず、本実施の
形態による露光装置の概略の構成を図1を用いて説明す
る。本実施の形態における露光装置は、レチクル1上の
パターンの像を投影光学系3を介して縮小投影し、パタ
ーン像をウェハ6上の各ショット領域に順次露光するス
テップ・アンド・リピート方式の投影露光装置である。
図1では、投影光学系3の光軸AX方向にZ軸を取り、
Z軸に垂直な平面内で互いに直交するX、Y軸を取るも
のとする。
【0011】図1において、例えば、超高圧水銀ランプ
の輝線であるi線(波長λ=365nm)、g線(λ=
436nm)、或いは、KrFエキシマレーザ光(λ=
248nm)が照明光ILとして用いられる。照明光I
Lは、コリメータレンズ、フライアイレンズ(図示せ
ず)等から構成される照明光学系IAに入射してほぼ平
行光にされ、レチクル1を均一な照度分布で照明する。
レチクル1は、図示を省略したが中央部に所望の回路パ
ターンが電子ビーム描画装置等により描かれている。パ
ターン描画領域の外側のクロム膜等で遮光された遮光領
域には、クロム膜を剥離して形成された例えば十字形状
のアライメント用のレチクルアライメントマークが配置
されている。
【0012】レチクル1は、X−Y平面内を2次元的に
移動可能なレチクルステージ32上に載置される。レチ
クルステージ32はレチクル架台31上に保持され、不
図示のレチクルステージ駆動系によりX−Y平面内で並
進及び回転できるようになっている。レチクルステージ
32のX方向、Y方向の端部には移動鏡33(X方向の
み図示している)が固定されており、レチクル架台31
上に固定されたレーザ干渉計34からのレーザ光を移動
鏡33で反射させてレチクルステージ32のX方向、Y
方向の移動量を例えば0.01μm程度の分解能で計測
することができるようになっている。レーザ干渉計34
で計測された移動量は逐次ステージ制御系16に送られ
る。ステージ制御系16はレーザ干渉計34で計測され
た移動量に基づいてレチクルステージ駆動系を駆動し
て、レチクルステージ32の位置制御を行う。また、レ
−ザ干渉計34からのレチクルステージ32の位置情報
はステージ制御系16を介して中央制御系18にも出力
され、中央制御系18はレチクルステージ32の位置情
報に基づいてステージ制御系16に必要な指令を出力す
るようになっている。
【0013】レチクル1を透過した照明光ILは、投影
光学系3に入射して集光し、投影光学系3の結像面にレ
チクル1の回路パターンの像を形成する。投影光学系3
は、レチクル1側およびウェハ6側に共にテレセントリ
ックであり、投影倍率は例えば1/5である。
【0014】ウェハ6は、試料台29に支持されたウェ
ハホルダ30上に真空吸着等により保持されている。試
料台29は、ウェハ6のZ方向の位置及び傾きを補正す
るZチルト駆動部10を介して、X方向に並進可能なX
ステージ11に支持されている。また、Xステージ11
は、Y方向に並進可能なYステージ12上に保持されて
いる。Yステージ12はウェハベース14上に支持され
ている。Xステージ11およびYステージ12はそれぞ
れ不図示のウェハステージ駆動系によりX方向及びY方
向に移動できるようになっている。
【0015】また、試料台29のX、Y方向上端部には
移動鏡13(X方向のみ図示している)が固定されてお
り、レーザ干渉計17からのレーザ光を移動鏡13で反
射させて試料台29のX方向、Y方向の移動量およびヨ
ーイング成分を例えば0.01μm程度の分解能で計測
することができるようになっている。レーザ干渉計17
で計測された試料台29の移動量は逐次ステージ制御系
16に送られる。ステージ制御系16はレーザ干渉計1
7で計測された移動量に基づいてX、Yステージ駆動系
を駆動して、試料台29の位置制御を行う。また、レ−
ザ干渉計17からの試料台29の位置情報はステージ制
御系16を介して中央制御系18にも出力され、例えば
中央制御系18では、レーザ干渉計17で計測された移
動量に基づいて試料台29を基準とするステージ座標系
でのウェハ6の位置座標を算出し、それに基づいてステ
ージ制御系16に必要な指令を出力するようになってい
る。
【0016】また、本実施の形態による投影露光装置に
は、レチクル1とウェハ6との位置合わせを行うための
TTL方式のアライメントセンサ4がレチクル1と投影
光学系3との間に設けられ、オフ・アクシス方式でFI
A方式(撮像方式)のアライメントセンサ5が投影光学
系3と異なる光軸を有して投影光学系3側部に備えられ
ている。アライメントセンサ4の中には、LSA(La
ser Step Alignment)方式のアライ
メントセンサと、LIA(Laser Interfe
rometric Alignment)方式のアライ
メントセンサとが並列に組み込まれており、必要なアラ
イメント精度等に応じて何れかの方式を使用できるよう
になっている。なお、アライメントセンサ4、5の観察
視野は、数100μm×数100μm程度である。
【0017】アライメント時には、これらのアライメン
トセンサ4、5の何れかによりウェハ6上に形成された
アライメントマークの位置、または所定のパターンの位
置を検出し、その検出結果に基づき、常時ウェハ6の各
ショット領域に前工程で形成されたパターンとレチクル
上のパターンとを正確に位置合わせする。これらのアラ
イメントセンサ4、5からの検出信号はアライメント制
御系15によって処理され、アライメント制御系15は
中央制御系18により制御されている。また、試料台2
9上に、ウェハ6の表面と同じ高さの表面を有する基準
マーク板43が固定され、基準マーク板43の表面には
アライメントの基準となるマークが形成されている。
【0018】以上のように、ステージ制御系16及びア
ライメント制御系15は中央制御系18により制御さ
れ、中央制御系18が投影露光装置の全体を統括的に制
御して、一定のシーケンスで露光動作が行われるように
なっている。
【0019】また、投影光学系3のウェハ側の端部付近
であって、アライメントセンサ5とは別の光軸を有する
オフ・アクシス方式の2次元の画像処理装置であるウェ
ハエッジ部観察顕微鏡50が配置されている。このウェ
ハエッジ部観察顕微鏡50は、ウェハ6がウェハホルダ
30の上方のローディングポジション(受け渡し位置)
に搬送されたときに、ウェハ6の外周部のエッジ部の複
数個所の像をウェハ6を移動させて撮像するものであ
り、アライメントセンサ5の観察視野より広い観察視野
を有している。ウェハエッジ部観察顕微鏡50からの撮
像信号がアライメント制御系15に供給され、アライメ
ント制御系15では供給された撮像信号からその受け渡
し位置にあるウェハ6の横ずれ誤差、及び回転誤差を算
出する。ウェハエッジ部観察顕微鏡50の配置及び構成
については後述する。
【0020】次に、ウェハ搬送系及びウェハの受け渡し
機構について図2を用いて説明する。ここで、ウェハホ
ルダ30、試料台29、Zチルト駆動部10、Xステー
ジ11、Yステージ12、及びウェハベース14をまと
めてウェハステージ系と総称することにする。
【0021】図2(a)は、ウェハ搬送系及びウェハス
テージ系周辺の構成の平面図、図2(b)はその側面図
を示す。図2(a)及び図2(b)において、ウェハス
テージ系の−X方向の上方には、ウェハを受け渡しする
ためのウェハ搬送装置39が配置されている。ウェハ搬
送装置39はX方向に直列に並んだウェハアーム21、
22、それらウェハアーム21、22を所定の位置まで
スライドさせるスライダー23、及びウェハアーム2
1、22を駆動する不図示のアーム駆動系から構成され
ている。また、スライダー23は露光装置本体とは独立
に設置されており、スライダー23の駆動時の振動が露
光装置本体側に伝わらないようになっている。さらに、
2つのウェハアーム21、22は共にU字状のフォーク
を有し、それらの上表面にウェハが載置されるようにな
っている。これら2つのウェハアーム21、22により
露光後のウェハをアンロード(搬出)すると同時に、次
のウェハをロードできるようになっている。
【0022】ウェハアーム21、22は、ローダ制御装
置24からの指令に基づき、スライダー23に沿って、
ウェハがウェハステージ系に受け渡されるローディング
ポジションまで移動させ、ウェハアーム22により既に
露光されたウェハ6Aを搬出する。その後、ウェハアー
ム21により次に露光されるウェハ6をウェハステージ
系に移動し、センターアップ38上に載置する。図2
(b)は、スライダー23上のウェハアーム22に露光
済みのウェハ6Aが載置され、ウェハアーム21からセ
ンターアップ38の先端部にウェハ6が渡された状態を
示している。
【0023】センターアップ38は、Xステージ11上
に設けられた伸縮機構35に支持され、試料台29、及
びウェハホルダ30の開口内を上下動する3本のスピン
ドル部38a〜38cを有し、伸縮機構35の上下方向
(Z方向)ヘの移動により3本のスピンドル部38a〜
38cがウェハを上下させてウェハの受け渡しが行われ
る。3本のスピンドル部38a〜88cの先端にはそれ
ぞれ真空吸着用の吸着孔が形成され、それらの先端はウ
ェハの受け渡し時にはウェハアーム21、22との間で
受け渡しのできる高さまで移動し、ウェハをウェハホル
ダ30上に載置する際には、ウェハホルダ30の表面よ
り低い位置まで移動する。また、スピンドル部38a〜
38cの先端でウェハを真空吸引することにより、セン
ターアップ38を上下させるときにウェハがずれないよ
うになっている。
【0024】また、伸縮機構35はその中心軸35Zを
中心としてX−Y平面上で回転自在に支持され、Xステ
ージ11上に設けられた回転駆動系36により回転する
駆動軸37と係合して、回転駆動系36を制御する中央
制御系18からの指令により所望の角度まで回転できる
ようになっている。この回転駆動系36、駆動軸37、
及び伸縮機構35からなる回転系は十分な角度設定分解
能を持っており、一例として20μradの精度でウェ
ハ6を回転させることができる。
【0025】また、図2(c)はウェハ搬送系のターン
テーブル60を示し、この図2(c)において、ターン
テーブル60上のウェハ6が図2(b)のウェハアーム
21を介してセンターアップ38に渡される。また、タ
ーンテーブル60の近傍にスリット状の光ビームをウェ
ハ6の外周部に照射する投光部61aと、ウェハ6の外
周部を通過した光ビームを受光して光電変換する受光部
61bとを合む偏心センサ61が配置され、受光部61
bからの検出信号S1が図2(b)の中央制御系18に
供給されている。なお、本実施の形態での受光部61b
は1個のフォトダイオードよりなるが、それ以外に例え
ば1次元のラインセンサ等を使用して直接ウェハの外周
部の位置を検出してもよい。なお、ウェハ6は、図2
(a)に示すように外形が円形で、外周部の一部に切り
欠き部(ノッチ部)が形成されている。
【0026】そのため、図2(c)において、ターンテ
ーブル60によりウェハ6を吸着保持した状態で回転さ
せると、ウェハ6の偏心及びノッチ部の存在によって受
光部61bでの受光光量が変化する。そして、図2
(d)に示すように、ターンテーブル60の回転角φに
対して受光部61bから出力される検出信号S1は、正
弦波状で、且つノッチ部に対応する部分62で高レベル
となるように変化する。中央制御系18では、その検出
信号S1及びターンテーブル60の回転角φより、偏心
センサ61の中心にウェハのノッチ部が位置していると
きの回転角φn、及びウェハ6の偏心量を求め、そのノ
ッチ部が後述する所定の方向になるようにしてターンテ
ーブル60を静止させる。また、中央制御系18は、そ
の偏心量の情報に基づいて、そのウェハ6をローディン
グポジションで受け取る際のウェハ用の試料台29の位
置を調整する。
【0027】次に、投影光学系3のウェハ側の端部付近
に設けられた2次元の画像処理装置としてのウェハエッ
ジ部観察顕微鏡50およびウェハホルダ30近傍の構成
をより詳細に図3を用いて説明する。図3は、ウェハエ
ッジ部観察顕微鏡50を模式的に示し、ウェハ6がウェ
ハ搬送装置39によりウェハホルダ30上に載置された
状態を示している。図3(a)は、ウェハホルダ30お
よびその近傍の平面図であり、図3(b)は、その側面
図である。本実施の形態で用いたウェハ6は、円周上の
一部にノッチ部が形成された12インチサイズのウェハ
である。図3(a)に示すように、ウェハホルダ30に
は、ウェハエッジ部観察顕微鏡50がウェハ6のエッジ
部を観察できるように、3個所の切り欠き部72、7
4、76が形成されている。切り欠き部72と切り欠き
部76は、ウェハホルダ30の中心から切り欠き部7
2、76のそれぞれの中心を通る2直線のなす角度が直
角になる位置に形成されている。
【0028】また、切り欠き部74は、切り欠き部7
2、76から等距離であって、ウェハホルダ30の中心
から切り欠き部74の中心と切り欠き部72、76のそ
れぞれの中心とを結ぶ直線のなす角がそれぞれ45°と
なる位置に形成されている。このような切り欠き部72
〜76の位置関係に基づいて、ウェハステージ系を移動
させてウェハエッジ部観察顕微鏡50の観察視野内に切
り欠き部72〜76上の3個所のウェハ6のエッジ部を
順次位置させて観察することにより、ウェハホルダ30
に対するウェハ6の位置誤差、回転誤差を求めることが
できる。
【0029】また、ウェハホルダ30の外周部の試料台
29上には反射光を散乱する散乱板70が設けられてお
り、落射照明観察により、ウェハエッジ部がコントラス
トよく観察できるようになっている。
【0030】なお、ウェハアーム21によりウェハ6を
ウェハホルダ30上に載置する際、ウェハ6のノッチ部
がウェハホルダ30の切り欠き部74上に位置するよう
に、上述したウェハ搬送系のターンテーブル60はウェ
ハ6をウェハアーム21上に載置している。図3では、
ウェハ6のノッチ部が位置する切り欠き部74上にウェ
ハエッジ部観察顕微鏡50の観察視野が位置した状態を
示している。
【0031】さて、ウェハエッジ部観察顕微鏡50は、
ウェハホルダ30の切り欠き部を照明する光ファイバ8
0、光学系82等で構成される観察照明系と、切り欠き
部のウェハエッジ部の形状を観察するための光学系8
3、撮像素子84等から構成される観察系とを有してい
る。図3では、図示しない光源から出射した白色光が光
ファイバ80により導光されてプリズム等からなる光学
系82を通過して、ウェハホルダ30の切り欠き部74
のウェハ6のエッジ部周辺及び散乱板70を照明してい
る状態を示している。照明光は散乱板70に対して垂直
な平行光束になるように調節されている。散乱板70及
びウェハ6のエッジ部から反射された光は光学系83を
経てCCDカメラ等の撮像素子84で結像するようにな
っている。なお、ウェハエッジ部観察顕微鏡50の観察
視野は、数mm×数mm程度の大きさである。
【0032】図4(a)は、ウェハホルダ30上に載置
されたウェハ6のエッジ部を拡大した部分断面図であ
る。ここで、照明光はウェハ6や散乱板70に対して垂
直な平行光であり、ウェハ6のエッジ部はエッジ端に向
かって基板厚が小さくなる傾斜が付けられているので、
ウェハエッジの傾斜面90からの反射光は撮像素子84
の対物レンズの開口外に出てしまい、撮像素子84上の
像は概ね図4(b)のようになる。この図4(b)は、
ウェハホルダ30の切り欠き部72でのウェハエッジを
観察した例を示している。図4(b)において、エッジ
部以外のウェハ6および散乱板70からは反射光がウェ
ハエッジ部観察顕微鏡50に入射するので明るく、ウェ
ハ6の傾斜面90からの光は入射しないので暗くなり、
これからウェハ6のエッジ部の形状を認識することがで
きる。
【0033】撮像素子84で得られた画像は図5に示す
画像処理系に送られて画像処理される。図5において、
ウェハエッジ部観察顕微鏡50の撮像素子84からの画
像は、カメラ切換器86を介してアライメント制御系1
5に送られる。カメラ切替器86には、撮像素子84だ
けでなく、アライメントセンサ5からの画像信号や、そ
の他の撮像素子110等からの画像信号が入力されるよ
うになっており、カメラ切替器86はアライメント制御
系15からの指令によりいずれかの画像信号を切り替え
てアライメント制御系15に出力するようになってい
る。
【0034】アライメント制御系15では、受け取った
ウェハホルダ30の切り欠き部72〜76での3個所の
ウェハエッジ部の画像信号を画像処理系88に送る。画
像処理系88ではこれらの画像信号に対して所定の画像
計測を行って、ウェハホルダ30の所定位置に設けた切
り欠き部72〜76の中心位置に対するウェハ6の各エ
ッジ部のずれを計測して、ウェハホルダ30の中心に対
するウェハ6の中心位置のずれおよび回転量を算出す
る。得られたウェハ6の中心位置のずれおよび回転量の
データはアライメント制御系15へ送られる。なお、こ
の画像処理において、中央制御系18からアライメント
制御系15を介して、カメラ切換器86、撮像素子8
4、および画像処理系88の全てに同期信号が出力され
て画像取り込みのタイミングを同期させるようにしてい
るので、画像計測に要する時間を短縮することができる
ようになっている。
【0035】このようにして、ウェハエッジ部観察顕微
鏡50からの撮像信号がアライメント制御系15を介し
て画像処理系88に供給され、画像処理系88で計測さ
れたウェハホルダ30上のウェハ6の横ずれ誤差、及び
回転誤差に基づいて、アライメント制御系15はウェハ
ステージ系を所定量移動させて、次のアライメントセン
サ5によるアライメント動作に移行する。このとき、ウ
ェハステージ系の移動と共に、あるいは独立してレチク
ルステージ32を所定量移動させるようにしてもよい。
また、中央制御系18は、特に、ウェハ6に対して第1
層目の露光を行う場合であって、例えば、切り欠き部7
4での画像データからウェハ6のノッチ部が検出され
ず、所定の許容誤差範囲を逸脱してウェハ6が載置され
たと判断したら、当該ウェハ6を露光対象から除外し
て、即座に次のウェハの受け渡し動作に移るようにして
いる。
【0036】次に、本実施の形態における露光位置に対
するウェハエッジ部観察顕微鏡50等の配置関係を図6
を用いて説明する。図6は、投影光学系の光軸と平行に
ウェハを臨む方向から見たウェハホルダ周辺の模式的な
平面図である。図6において、既に説明した図7と同一
の構成要素には同一の符号を付してその説明は省略す
る。図6に示すように、本実施の形態による露光装置に
よれば、従来のプリアライメント機構を省いて、投影光
学系の投影領域102の近傍にウェハエッジ部観察顕微
鏡50の観察視野110を配することができるので、ウ
ェハ搬送位置を投影光学系の中心寄りに設定することが
でき、従来型のウェハステージ系よりX−Y方向の移動
ストロークを短くすることができる。
【0037】このように、図7に示した従来の投影露光
装置と比較して、ウェハ交換時のステージ移動量を減少
させることができるので、スループットを向上させるこ
とができるようになる。なお、ウェハ6のウェハホルダ
30上への載置精度は、ターンテーブル60のウェハ位
置決め精度およびウェハローダ21の受け渡し精度その
ものとなるが、ウェハエッジ部観察顕微鏡50の観察視
野は広いので容易にウェハホルダ30上のウェハ6のエ
ッジ部を観察してウェハ6の位置誤差および回転誤差を
計測することができる。そして、得られたウェハ6の位
置誤差、回転誤差に基づいて、レチクルステージ32を
回転させたり、ウェハステージ系の走りをウェハ回転量
に応じて補正することができるので、上述のウェハ搬送
系でのウェハ位置決め精度、受け渡し精度を問題にせず
に容易にウェハのアライメントを行うことができるよう
になる。
【0038】本発明は、上記実施の形態に限らず種々の
変形が可能である。例えば、上記実施の形態において
は、アライメントセンサ5とは別にウェハエッジ部観察
顕微鏡50を設けるようにしているが、ウェハエッジ部
観察顕微鏡50とアライメントセンサ5とを一体化する
ことも可能である。この場合には、観察照明系と観察光
学系を共通化して異なる撮像素子でウェハエッジ部の観
察とウェハアライメントマークの観察を行うようにして
も、1つの撮像素子を用い、観察光学系の倍率を切り替
えるようにしてウェハエッジ部観察顕微鏡50でアライ
メントセンサ5を兼用するようにしてもよい。
【0039】また、上記実施の形態では、いわゆるステ
ップ・アンド・リピート方式の投影露光装置に本発明を
適用したが、本発明はこれに限られず、例えば、レチク
ルのパターンの一部を投影光学系を介してウェハ上に投
影し、レチクルとウェハとを同期させて走査することに
よりレチクルのパターンをウェハに逐次露光する、いわ
ゆるステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光
装置に適用することも可能である。
【0040】また、上記実施の形態においては、ノッチ
部が形成されたウェハを用いたが、ウェハ外周の一部が
平坦なオリエンテーション・フラットが形成されたウェ
ハを用いることももちろん可能である。
【0041】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、投影露光
装置のスループットを向上させ、また装置の小型化を実
現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態による露光装置の構成の
概略を示す図である。
【図2】本発明の一実施の形態による露光装置における
ウェハ搬送系及びウェハの受け渡し機構の構成の概略を
示す図である。
【図3】本発明の一実施の形態におけるウェハエッジ部
観察顕微鏡50を模式的に示し、ウェハ6がウェハホル
ダ30上に載置された状態を示す図である。
【図4】図4(a)は、ウェハホルダ30上に載置され
たウェハ6のエッジ部を拡大した部分断面図、図4
(b)は、ウェハホルダ30の切り欠き部74でのウェ
ハエッジを観察した図である。
【図5】本発明の一実施の形態における画像処理系を示
す図である。
【図6】本発明の一実施の形態における投影光学系の光
軸方向からウェハホルダ30を観察した概念図である。
【図7】従来の投影露光装置における、露光位置に対す
るプリアライメント機構の配置関係を示す図である。
【符号の説明】
1 レチクル 3 投影光学系 4、5 アライメントセンサ 6 ウェハ 10 Zチルト駆動部 11 Xステージ 12 Yステージ 13 移動鏡 14 ウェハベース 15 アライメント制御系 16 ステージ制御系 17 レーザ干渉計 18 中央制御系 21、22 ウェハアーム 23 スライダー 24 ローダ制御装置 29 試料台 30 ウェハホルダ 31 レチクル架台 32 レチクルステージ 33 移動鏡 34 レーザ干渉計 35 伸縮機構 36 回転駆動系 37 駆動軸 38 センターアップ 38a〜38c スピンドル部 39 ウェハ搬送装置 43 基準マーク板 50 ウェハエッジ部観察顕微鏡 60 ターンテーブル 61 偏心センサ 61a 投光部 61b 受光部 70 散乱板 72、74、76 切り欠き部 80 光ファイバ 84 撮像素子 S1 検出信号 AX 投影光学系3の光軸 IL 照明光 IA 照明光学系 φ ターンテーブル60の回転角

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】搬送された感光基板を載置する基板ホルダ
    と、前記基板ホルダを支持して2次元平面を移動可能な
    基板ステージとを有し、レチクル上のパターンの像を前
    記感光基板上に露光する露光装置において、 前記基板ステージを移動させて前記感光基板の所定の複
    数の基板エッジ部の形状を順次観察視野内に入れて、前
    記基板ホルダ上での前記感光基板の載置位置を検出する
    基板エッジ部観察顕微鏡を備えたことを特徴とする露光
    装置。
  2. 【請求項2】請求項1記載の露光装置において、 前記基板エッジ部観察顕微鏡は、前記感光基板の前記基
    板エッジ部を照明する照明系を備え、 前記基板ホルダは、前記基板エッジ部観察顕微鏡で観察
    される所定の複数の前記基板エッジ部周囲に切り欠き部
    が形成され、 前記切り欠き部下方には、前記照明系からの照明光を散
    乱させる散乱板が配置されていることを特徴とする露光
    装置。
  3. 【請求項3】請求項1または2に記載の露光装置におい
    て、 前記基板エッジ部観察顕微鏡は、前記感光基板に形成さ
    れたアライメントマークを観察する基板アライメント顕
    微鏡を兼ねていることを特徴とする露光装置。
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