JP3339149B2 - 走査型露光装置ならびに露光方法 - Google Patents

走査型露光装置ならびに露光方法

Info

Publication number
JP3339149B2
JP3339149B2 JP30822193A JP30822193A JP3339149B2 JP 3339149 B2 JP3339149 B2 JP 3339149B2 JP 30822193 A JP30822193 A JP 30822193A JP 30822193 A JP30822193 A JP 30822193A JP 3339149 B2 JP3339149 B2 JP 3339149B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
scanning
exposure
projection
exposure apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP30822193A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07161617A (ja
Inventor
晋 森
剛 楢木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP30822193A priority Critical patent/JP3339149B2/ja
Priority to US08/354,715 priority patent/US5579147A/en
Publication of JPH07161617A publication Critical patent/JPH07161617A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3339149B2 publication Critical patent/JP3339149B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/7005Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70241Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70275Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Optical Systems Of Projection Type Copiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は走査型露光装置に関し、
特に液晶ディスプレイパネル等の大型基板の露光に適し
た露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶ディスプレイパネルは、その表示品
質が近年著しく向上し、しかも薄くて軽量である利点か
らCRTに替わり広く普及してきている。特にアクティ
ブマトリックス方式の直視型液晶パネルでは大画面化が
進み、その製造に用いられるガラス基板も大型化してい
る。
【0003】このような大型のガラス基板を露光するた
めの露光装置としては、マスクと基板とを近接させて一
括露光する所謂プロキシミティ方式、投影光学系として
転写面積の大きな等倍の屈折光学系を用いたステップア
ンドリピート方式、および投影光学系を等倍の反射光学
系とし、円弧状の照明光でマスクを照明してこのマスク
の像を円弧状に基板に形成するとともに、マスクと基板
とを投影光学系に対して走査するミラープロジェクショ
ン方式がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】プロキシミティ方式で
大型基板の露光を行う場合、基板に応じた大型のマスク
と基板とを数十μmにまで近接させる必要がある。その
ためマスクや基板の平坦性、基板に塗布されたレジスト
の表面形状(凹凸)や表面に付着したゴミ等のためにマ
スクと基板とが接触し、マスクのパターンを基板全面に
渡って無欠陥で転写することは相当困難である。また、
マスクと基板との間隔が転写される像の解像度、線幅、
線の形状に大きく影響するため、この間隔が均一に設計
値に維持されないとアクティブマトリックス方式の液晶
パネルや高精細なSTN方式の液晶パネルを製造するに
は適さない。
【0005】またステップアンドリピート方式は、基板
に比べて相対的に小さな6インチ程度のレチクルをマス
クとして用い、ステップアンドリピートにより大型基板
へ転写を行うものである。このステップアンドリピート
方式は半導体素子の製造に用いられているレチクルをマ
スクとして用いることができるため、その描画精度、パ
ターン寸法管理、ゴミ管理等、半導体素子製造で培われ
た技術を応用することができる。しかしながら、大型基
板への転写の際、投影光学系の有効投影領域(イメージ
サークル)を越えた面積のデバイスを露光するために
は、基板の被転写領域を小面積に分割してそれぞれに露
光を行う、所謂分割露光することが必要である。アクテ
ィブマトリックス液晶パネルの表示部においては、分割
露光によって形成されたパターンの境界部分に微小なず
れが生じた場合、この部分で素子の性能が変化し、完成
された液晶パネル上で濃度むらが起こることになる。こ
れは人間の視覚で差として認識されやすく、液晶パネル
の表示品質上の欠陥となる。また分割数が多くなると露
光回数が増加するほか、1枚の基板を露光する間に何度
もレチクルを交換する必要が生じることもあり、装置と
しての処理能力を低下させる原因となっていた。
【0006】さらにミラープロジェクション方式は、マ
スクや基板の走査方向に直交する方向に伸びた円弧状の
スリットをマスクと基板に対して相対走査することによ
ってマスクの全面を基板上に転写するため、大型基板を
効率的に露光するためにはスリット長を基板の寸法と同
等に長くする必要がある。このため光学系をより大型化
する必要が生じ、装置が大型化して高価なものとならざ
るを得ないといった問題がある。
【0007】本発明は上記問題点に鑑み、小型の投影光
学系を用いて効率よく大面積に露光を行うことができる
露光装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】 上記課題を解決するた
め、請求項1記載の走査型露光装置は、光源(1)から
の光束をマスク(10)のパタ−ン領域の一部分(11a〜1
1e)に照射する複数の照明光学系(L1〜L5)と、所定の
方向(Y)に沿って複数配置されるとともに、マスク(1
0)を透過した光束による一部分(11a〜11e)それぞれ
の等倍の正立像を感光基板(14)上に投影する複数の投
影光学系(12a〜12e)と、複数の照明光学系(L1〜L5)
それぞれの、感光基板(14)とほぼ共役な位置に配置さ
れ、光束の感光基板(14)に対する投影領域を制限する
絞り手段(9)と、投影光学系(12a〜12e)に対して所
定の方向とほぼ直交する方向に、マスク(10)と感光基
板(14)とを同期して走査する走査手段(16)と、絞り
手段(9)の開口部の走査する方向に関する幅を変更す
る絞り制御手段(18)とを備えている。請求項2記載の
走査型露光装置は、等倍の正立像の光束それぞれの強度
を検出する光強度検出手段(19)をさらに備え、この光
強度検出手段(19)の検出結果に基づいて幅を変更して
いる。請求項3記載の走査型露光装置は、開口部の形状
は斜辺を有する多角形である。請求項4記載の走査型露
光装置は、第1パタ−ン(11b)と第2パタ−ン(11c)との
投影領域を設定する設定手段(9, 18)を有し、第1パ
タ−ンの一部と第2パタ−ンの一部とを感光基板(14)
上で重複露光して所望のパタ−ンを露光する走査型露光
装置であって、第1パタ−ンと第2パタ−ンとを感光基
板(14)に走査露光する露光手段(12, 16)を有し、設定
手段(9, 18)が重複露光部分の露光量が所望の露光量
になるように、第1パタ−ンを投影する際の投影領域の
大きさと第2パタ−ンを投影する際の投影領域の大きさ
とを異ならせて設定している。請求項5記載の走査型露
光装置は、設定手段(9, 18)が投影領域を斜辺を有す
る多角形に設定している。請求項6記載の露光方法は、
第1パタ−ン(11b)の一部と第2パタ−ン(11c)の一部
とを感光基板(14)上で重複露光して所望のパタ−ンを
露光する露光方法であって、重複露光部分の露光量が所
望の露光量になるように、第1パタ−ンを投影する際の
投影領域の大きさと第2パタ−ンを投影する際の投影領
域の大きさとを異ならせて設定するステップと、第1パ
タ−ンと第2パタ−ンとを感光基板(14)に走査露光す
るステップと、を含んでいる。請求項7記載の露光方法
は、第1パタ−ンの投影領域と第2パタ−ンの投影領域
とが斜辺を有する多角形である。
【0009】
【作用】請求項1から3記載の走査型露光装置は、等倍
の正立像を結像する投影光学系をマスクと基板との走査
方向に直交する方向に沿って複数配置し、この複数の投
影光学系に対してマスクと基板とを同期して走査するこ
ととしたため、個々の投影光学系のイメージサークルを
大きくすることなく、走査方向に直交する方向に長い投
影領域を形成することができる。このため、従来の小型
の投影光学系を流用することができる。また、走査方向
は一定であるため、投影光学系の数や走査距離を選択す
れば基板のサイズに応じた従来よりも小型な露光装置が
実現できる。
【0010】また、絞り手段の開口部の走査方向に関す
る幅を変更する絞り制御手段を備えるため、各投影光学
系からの光束の基板に対する露光量を変更することがで
きる。請求項4記載の走査型露光装置は、露光手段が第
1パタ−ンと第2パタ−ンとを感光基板に走査露光する
際に、設定手段が重複露光部分の露光量が所望の露光量
になるように、第1パタ−ンを投影する際の投影領域の
大きさと第2パタ−ンを投影する際の投影領域の大きさ
とを異ならせて設定している。請求項5記載の走査型露
光装置は、投影領域が斜辺を有する多角形である。請求
項6記載の露光方法は、重複露光部分の露光量が所望の
露光量になるように、第1パタ−ンを投影する際の投影
領域の大きさと第2パタ−ンを投影する際の投影領域の
大きさとを異ならせて設定して、第1パタ−ンと第2パ
タ−ンとを感光基板に走査露光している。請求項7記載
の露光方法は、第1パタ−ンの投影領域と第2パタ−ン
の投影領域とを斜辺を有する多角形にしている。
【0011】
【実施例】図1は、本発明の実施例による投影露光装置
の概略的な構成を示す図である。超高圧水銀ランプ等の
光源1から射出した光束は、楕円鏡2で反射された後に
ダイクロイックミラー3に入射する。このダイクロイッ
クミラー3は露光に必要な波長の光束を反射し、その他
の波長の光束を透過する。ダイクロイックミラー3で反
射された光束は、光軸AX1に対して進退可能に配置さ
れたシャッター4によって投影光学系側への照射を選択
的に制限される。シャッター4が開放されることによっ
て、光束は波長選択フィルター5に入射し、投影光学系
11aが転写を行うのに適した波長(通常は、g,h,
i線のうち少なくとも1つの帯域)の光束となる。ま
た、この光束の強度分布は光軸近傍が最も高く、周辺に
なると低下するガウス分布状になるため、少なくとも投
影光学系11aの投影領域12a内で強度を均一にする
必要がある。このため、フライアイレンズ6とコンデン
サーレンズ8によって光束の強度を均一化する。尚、ミ
ラー7は配列上の折り曲げミラーである。
【0012】強度を均一化された光束は、視野絞り9を
介してマスク10のパターン面上に照射される。この視
野絞り9は感光基板(プレート)14上の投影領域13
aを制限する開口を有する。この視野絞り9は、絞り駆
動装置18によって開口の大きさを変更できるようにな
っており、プレート14上での投影領域13aの大きさ
を変更するようになっている。尚、視野絞り9とマスク
10との間にレンズ系を設けて視野絞り9とマスク10
のパターン面とプレート14の投影面とが互いに共役に
なるようにしてもよい。
【0013】光源1から視野絞り9までの構成を投影光
学系12aに対する照明光学系L1とし、本実施例では
上記と同様の構成の照明光学系L2〜L5を設けてそれ
ぞれからの光束を投影光学系12b〜12eのそれぞれ
に供給する。複数の照明光学系L1〜L5のそれぞれか
ら射出された光束はマスク10上の異なる小領域(照明
領域)11a〜11eをそれぞれ照明する。マスクを透
過した複数の光束は、それぞれ異なる投影光学系12a
〜12eを介してプレート14上の異なる投影領域13
a〜13eにマスク10の照明領域11a〜11eのパ
ターン像を結像する。この場合、投影光学系12a〜1
2eはいずれも正立等倍実結像系とする。
【0014】ところでプレート14上の投影領域13a
〜13eは、図2に示すようにY方向に沿って、隣合う
領域どうし(例えば、13aと13b,13bと13
c)が図のX方向に所定量変位するように、且つ隣合う
領域の端部どうし(破線で示す範囲)がY方向に重複す
るように配置される。よって、上記複数の投影光学系1
2a〜12eも各投影領域13a〜13eの配置に応じ
てX方向に所定量変位するとともにY方向に重複して配
置されている。また、複数の照明光学系L1〜L5の配
置は、マスク10上の照明領域が上記投影領域13a〜
13eと同様の配置となるように配置される。そして、
マスク10とプレート14とを同期して、投影光学系1
2a〜12eに対してX方向に走査することによって、
マスク上のパターン領域10aの全面をプレート上の露
光領域14aに転写する。
【0015】プレート14はプレートステージ15に載
置されており、プレートステージ15は一次元の走査露
光を行うべく走査方向(X方向)に長いストロークを持
った駆動装置16を有している。さらに、走査方向につ
いては高分解能および高精度の位置測定装置(例えばレ
ーザ干渉計)17を有する。また、マスク10は不図示
のマスクステージにより支持され、このマスクステージ
もプレートステージ15と同様に、駆動装置とステージ
の走査方向の位置を検出する位置測定装置とを有する。
このプレートステージ15上にはプレートの投影面と同
一の面内に受光面を有する照度センサ19が設けられて
おり、照明光学系および投影光学系を介してプレート上
に照射される光束の強度を検出する。
【0016】本実施例による露光装置に適用される投影
光学系は、上述のように複数の投影光学系を走査方向に
対して直交する方向に沿って配置するため、投影光学系
それぞれの像は正立像である必要がある。また、マスク
とプレートの移動精度を高くしたり、移動方向の違いに
よって装置が大型化することを防ぐ等の目的で、マスク
とプレートとを一体に移動することが考えられる。そこ
で本発明ではマスクとプレートとを投影光学系に対して
同方向に同一量、相対的に走査することとし、投影光学
系は正立等倍実結像系とする。
【0017】次に本発明による露光装置の動作について
説明する。アクティブマトリックス方式の液晶パネル
は、そのアクティブ素子を形成するために製造工程で複
数のパターン層を重ね合わせて露光することが必要にな
る。このため、原板となるマスク10も複数必要であ
る。先ず、投影光学系を保持している保持部材によって
保持された不図示のマスクアライメント系によって、あ
る層の露光に用いるマスク10を露光装置に対して位置
決めする。同様に、プレート14も露光装置に対して位
置決めする。このようにマスク10とプレート14が位
置決めされた状態を保ち、マスクとプレートとを同期し
て同速度で投影光学系に対して図のX方向に走査するこ
とによって露光を行う。このとき、図2に示す距離L
x,Lyで示す露光領域14a内で同一の露光条件(均
一な露光量)とするためにX方向の走査範囲のうち、L
x間の走査は等速度で行わなければならない。このた
め、X方向の走査には投影光学系の結像範囲にLxが達
するまでに等速度となるよう助走を要する。露光中の走
査速度をv(cm/s)、光束の強度をP(W/cm2)、開口
の幅をw(cm)としたとき、得られる露光量D(J/c
m2)は、
【0018】
【数1】
【0019】によって与えられる。よって、プレート1
4に塗布された感光剤に必要な露光量に従ってそれぞれ
のパラメータを決定することができる。ところで、図1
に示すような構成の走査型露光装置は複数の照明光学系
および複数の投影光学系を用いているため、これらの光
学系それぞれを介してプレート上に照射される各光束の
強度が均一である保証はない。これは、例えば光源の輝
度のばらつきや、照明光学系および投影光学系の光学素
子の透過率の違い等が原因となるものである。これら各
光束の強度を均一にするためには、強度に基づいて光源
に対する印加電圧をフィードバック制御することや、各
光束の光路中に減光部材を挿入することなどが考えられ
る。しかしながら、いずれの場合も必要な精度に制御す
ることが困難である。そのため本発明では、投影領域の
大きさの違いがプレートに対する露光量の違いになるこ
とを利用して、この投影領域の大きさを変更するために
視野絞りの開口幅を光束の強度に応じて変更するように
する。
【0020】いま、図2に示すプレート上の照度センサ
19の各検出位置19a〜19eによって得られた各投
影光学系12a〜12eの光束の強度がそれぞれPa〜
Peであるとする。このとき投影光学系12aからの光
束によってプレート14に与えられる露光量をDaとす
ると、
【0021】
【数2】
【0022】となる。プレート上で均一な露光量を得る
ためには、投影光学系12b〜12eそれぞれからの光
束によってプレート14に与えられる露光量をそれぞれ
Db〜Deとして、
【0023】
【数3】
【0024】である必要がある。そこで、投影領域14
a〜14eそれぞれのX方向の幅wa〜weを、次式
【0025】
【数4】
【0026】が成立するようにそれぞれ変更する。視野
絞り9の開口幅の変更について図3〜図5を用いて説明
する。マスクのパターンの像をプレート上に転写するの
に先立って、装置にマスクを設置しない状態で光束を照
射する。この状態で光束を照射し、上述のように照度セ
ンサ19によって各投影光学系からの光束の強度を検出
する。検出した各強度に基づいて各投影領域14a〜1
4eの幅wa〜weを求め、求めた幅が得られるように
視野絞り9の開口の幅を変更する。図3〜5の円は、投
影光学系1つが投影可能な範囲、即ちイメージサークル
を示す。この円内で投影光学系の1度に転写できる範囲
(即ち、視野絞り9の開口によって制限される投影領
域)を決定する。図3において、Y方向の範囲sはこの
投影光学系のみによって転写が行われる領域であって、
範囲tはこの投影光学系と隣合う投影光学系との組み合
わせによって転写が行われる重なり領域である。いま、
開口幅wをその照度に合わせてw′に変更する場合を考
える。図3中の辺ABを基準として辺DCを動かしたと
き、図4に示すように辺ADと辺BCの傾きを変えるこ
となく開口幅をw′に変更すると、領域sは領域s′
に、領域tは領域t′に変化してしまい、次式
【0027】
【数5】
【0028】となる。これでは、隣接する投影光学系の
投影領域との整合がとれずに露光量の均一性を低下させ
る原因となる。そこで、図5に示すように、辺ADを基
準として辺DCを動かすときに、点Dおよび点CのY方
向の座標値が変化しないように辺ADと辺BCの傾きを
変えながら開口幅をw′に変更する。これによって領域
sと領域tを一定に保つことができる。
【0029】本実施例によれば、複数の投影光学系それ
ぞれを介した光束の強度に応じて、視野絞りの開口の走
査方向に関する幅を変更する構成としたため、各照明光
学系の光束の強度が均一でない場合でも、感光基板に対
する露光量を均一にすることが可能となる。尚、上記実
施例では投影光学系が一度に転写できる範囲(投影領
域)の形状を図2に示すような平行四辺形(13a〜1
3e)としたが、台形や六角形の開口を有する視野絞り
を用いて台形や六角形の形状の投影領域としても構わな
い。いずれの場合も、走査方向(図2のX方向)と一致
した方向の幅を上記と同様に変更すればよい。またこの
投影領域を、上述のようにプレートに対する一度の走査
中に1つの投影光学系によってのみ投影される部分s
と、複数の走査または複数の投影光学系によって投影さ
れる部分tとに分けて考えたとき、部分tのプレートに
対する露光量の総和が部分sの露光量に一致している必
要を満たす形状でなければならない。
【0030】また照度センサは、プレートの走査方向に
直交する方向に沿ってプレートステージ上に5つ(投影
光学系と同数)設ける例としたが、1つの照度センサで
全ての強度を検出する構成であっても構わない。さらに
上記実施例では、複数の投影光学系をプレートの走査方
向に直交する方向(Y方向)に沿って、且つ走査方向
(X方向)に互いに変位して配置する構成としたが、投
影光学系の配置はこれに限定されるものではなく、投影
光学系を複数備えたその他の露光装置にも本発明を適用
できる。
【0031】
【発明の効果】 以上のように請求項1から3記載の走
査型露光装置は、基板の走査方向に直交する方向に沿っ
て複数の正立等倍実像系の投影光学系を配置し、マスク
と基板とを同期して走査する構成としたため、小型の投
影光学系を用いながらも従来より大きな投影領域を得る
ことができる。そのため、コンパクトで低コストの走査
型露光装置の実現が可能となる。
【0032】 また、絞り制御手段によって絞り手段の
開口部の走査方向に関する幅を変更する構成としたた
め、各投影光学系からの光束の基板に対する露光量を均
一にすることができる。請求項4及び5記載の走査型露
光装置は、重複露光部分の露光量を所望の露光量にする
ことができる走査型露光装置を実現できる。請求項6及
び7記載の露光方法は、重複露光部分の露光量を所望の
露光量にすることができる露光方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例による走査型露光装置の概略的
な構成を示す図
【図2】プレート上での投影領域の様子を示す図
【図3】本発明の実施例による視野絞りの開口幅の変更
の方法を示す図
【図4】視野絞りの開口幅の変更の方法を示す図
【図5】本発明の実施例による視野絞りの開口幅の変更
の方法を示す図
【符号の説明】
L1〜L5 照明光学系 9 視野絞り 10 マスク 11a〜11e 照明領域 12a〜12e 投影光学系 13a〜13e 投影領域 14 プレート 15 ステージ 16 駆動装置 18 絞り駆動装置 19 照度センサ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−204163(JP,A) 特開 昭60−109228(JP,A) 特開 平2−65222(JP,A) 特開 平4−196513(JP,A) 特開 平7−183212(JP,A) 特開 平7−135165(JP,A) 特開 平7−153683(JP,A) 特開 平7−57986(JP,A) 特開 平7−218863(JP,A) 特開 昭52−15266(JP,A) 特開 平4−251812(JP,A) 実開 平5−81841(JP,U) 米国特許4696889(US,A) 米国特許4769680(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 7/20 H01L 21/027

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源からの光束をマスクのパタ−ン領域
    の一部分に照射する複数の照明光学系と、 所定の方向に沿って複数配置されるとともに、前記マス
    クを透過した前記光束による前記一部分それぞれの等倍
    の正立像を感光基板上に投影する複数の投影光学系と、 前記複数の照明光学系それぞれの、前記感光基板とほぼ
    共役な位置に配置され、前記光束の前記感光基板に対す
    る投影領域を制限する絞り手段と、 前記投影光学系に対して前記所定の方向とほぼ直交する
    方向に、前記マスクと前記感光基板とを同期して走査す
    る走査手段と、 前記絞り手段の開口部の前記走査する方向に関する幅を
    変更する絞り制御手段とを備えたことを特徴とする走査
    型露光装置。
  2. 【請求項2】 前記走査型露光装置は、前記等倍の正立
    像の光束それぞれの強度を検出する光強度検出手段をさ
    らに備え、該光強度検出手段の検出結果に基づいて前記
    幅を変更することを特徴とする請求項1記載の走査型露
    光装置。
  3. 【請求項3】 前記開口部の形状は斜辺を有する多角形
    であることを特徴とする請求項1記載の走査型露光装
    置。
  4. 【請求項4】 第1パタ−ンと第2パタ−ンとの投影領
    域を設定する設定手段を有し、前記第1パタ−ンの一部
    と前記第2パタ−ンの一部とを感光基板上で重複露光し
    て所望のパタ−ンを露光する走査型露光装置において、 前記第1パタ−ンと前記第2パタ−ンとを前記感光基板
    に走査露光する露光手段を有し、 前記設定手段は、前記重複露光部分の露光量が所望の露
    光量になるように、前記第1パタ−ンを投影する際の投
    影領域の大きさと前記第2パタ−ンを投影する際の投影
    領域の大きさとを異ならせて設定することを特徴とする
    走査型露光装置。
  5. 【請求項5】 前記設定手段は、前記投影領域を斜辺を
    有する多角形に設定することを特徴とする請求項4記載
    の走査型露光装置。
  6. 【請求項6】 第1パタ−ンの一部と第2パタ−ンの一
    部とを感光基板上で重複露光して所望のパタ−ンを露光
    する露光方法において、 前記重複露光部分の露光量が所望の露光量になるよう
    に、前記第1パタ−ンを投影する際の投影領域の大きさ
    と前記第2パタ−ンを投影する際の投影領域の大きさと
    を異ならせて設定するステップと、 前記第1パタ−ンと前記第2パタ−ンとを前記感光基板
    に走査露光するステップと、を含むことを特徴とする露
    光方法。
  7. 【請求項7】 前記第1パタ−ンの投影領域と前記第2
    パタ−ンの投影領域とは、斜辺を有する多角形であるこ
    とを特徴とする請求項6記載の露光方法。
JP30822193A 1993-12-08 1993-12-08 走査型露光装置ならびに露光方法 Expired - Lifetime JP3339149B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30822193A JP3339149B2 (ja) 1993-12-08 1993-12-08 走査型露光装置ならびに露光方法
US08/354,715 US5579147A (en) 1993-12-08 1994-12-06 Scanning light exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30822193A JP3339149B2 (ja) 1993-12-08 1993-12-08 走査型露光装置ならびに露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07161617A JPH07161617A (ja) 1995-06-23
JP3339149B2 true JP3339149B2 (ja) 2002-10-28

Family

ID=17978388

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30822193A Expired - Lifetime JP3339149B2 (ja) 1993-12-08 1993-12-08 走査型露光装置ならびに露光方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5579147A (ja)
JP (1) JP3339149B2 (ja)

Families Citing this family (195)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
KR100399813B1 (ko) 1994-12-14 2004-06-09 가부시키가이샤 니콘 노광장치
US5920378A (en) * 1995-03-14 1999-07-06 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP4132095B2 (ja) * 1995-03-14 2008-08-13 株式会社ニコン 走査型露光装置
JPH09283407A (ja) * 1996-04-12 1997-10-31 Nikon Corp 露光装置
JPH10199800A (ja) * 1997-01-09 1998-07-31 Nikon Corp オプティカルインテグレータを備える照明光学装置
US20080248046A1 (en) * 1997-03-17 2008-10-09 Human Genome Sciences, Inc. Death domain containing receptor 5
US5982475A (en) * 1997-09-30 1999-11-09 Tropel Corporation Raster-scan photolithographic reduction system
JP4649717B2 (ja) * 1999-10-01 2011-03-16 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
JP4581262B2 (ja) * 2000-02-18 2010-11-17 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US7063920B2 (en) * 2003-05-16 2006-06-20 Asml Holding, N.V. Method for the generation of variable pitch nested lines and/or contact holes using fixed size pixels for direct-write lithographic systems
EP1480080A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-24 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7183566B2 (en) * 2003-05-28 2007-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus for manufacturing a device
US6989920B2 (en) 2003-05-29 2006-01-24 Asml Holding N.V. System and method for dose control in a lithographic system
US7061591B2 (en) * 2003-05-30 2006-06-13 Asml Holding N.V. Maskless lithography systems and methods utilizing spatial light modulator arrays
EP1482373A1 (en) 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG118283A1 (en) * 2003-06-20 2006-01-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1489449A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-22 ASML Netherlands B.V. Spatial light modulator
US7110082B2 (en) * 2003-06-24 2006-09-19 Asml Holding N.V. Optical system for maskless lithography
SG119224A1 (en) * 2003-06-26 2006-02-28 Asml Netherlands Bv Calibration method for a lithographic apparatus and device manufacturing method
US7154587B2 (en) * 2003-06-30 2006-12-26 Asml Netherlands B.V Spatial light modulator, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158215B2 (en) * 2003-06-30 2007-01-02 Asml Holding N.V. Large field of view protection optical system with aberration correctability for flat panel displays
US7224504B2 (en) 2003-07-30 2007-05-29 Asml Holding N. V. Deformable mirror using piezoelectric actuators formed as an integrated circuit and method of use
US6831768B1 (en) * 2003-07-31 2004-12-14 Asml Holding N.V. Using time and/or power modulation to achieve dose gray-scaling in optical maskless lithography
US7414701B2 (en) * 2003-10-03 2008-08-19 Asml Holding N.V. Method and systems for total focus deviation adjustments on maskless lithography systems
SG110196A1 (en) * 2003-09-22 2005-04-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6876440B1 (en) * 2003-09-30 2005-04-05 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap of exposure zones with attenuation of the aerial image in the overlap region
US7023526B2 (en) * 2003-09-30 2006-04-04 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap without an explicit attenuation
US7410736B2 (en) * 2003-09-30 2008-08-12 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system not utilizing overlap of the exposure zones
US7109498B2 (en) * 2003-10-09 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
US7116398B2 (en) * 2003-11-07 2006-10-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196772B2 (en) * 2003-11-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7001232B2 (en) * 2003-12-11 2006-02-21 Montgomery Robert E Personal watercraft air intake assembly
US6995830B2 (en) * 2003-12-22 2006-02-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7012674B2 (en) * 2004-01-13 2006-03-14 Asml Holding N.V. Maskless optical writer
US7580559B2 (en) * 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
JP4083751B2 (ja) * 2004-01-29 2008-04-30 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. 空間光変調器アレイを較正するシステムおよび空間光変調器アレイを較正する方法
US6847461B1 (en) * 2004-01-29 2005-01-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator array using shearing interferometry
US7190434B2 (en) * 2004-02-18 2007-03-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7133118B2 (en) * 2004-02-18 2006-11-07 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7081947B2 (en) * 2004-02-27 2006-07-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7016014B2 (en) * 2004-02-27 2006-03-21 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7061586B2 (en) * 2004-03-02 2006-06-13 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6967711B2 (en) * 2004-03-09 2005-11-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43515E1 (en) 2004-03-09 2012-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7094506B2 (en) * 2004-03-09 2006-08-22 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7561251B2 (en) * 2004-03-29 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7153616B2 (en) * 2004-03-31 2006-12-26 Asml Holding N.V. System and method for verifying and controlling the performance of a maskless lithography tool
US7053981B2 (en) * 2004-03-31 2006-05-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7002666B2 (en) * 2004-04-16 2006-02-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050243295A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing
US6963434B1 (en) * 2004-04-30 2005-11-08 Asml Holding N.V. System and method for calculating aerial image of a spatial light modulator
US20050259269A1 (en) * 2004-05-19 2005-11-24 Asml Holding N.V. Shearing interferometer with dynamic pupil fill
US7242456B2 (en) * 2004-05-26 2007-07-10 Asml Holdings N.V. System and method utilizing a lithography tool having modular illumination, pattern generator, and projection optics portions
US7477403B2 (en) * 2004-05-27 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Optical position assessment apparatus and method
US7123348B2 (en) 2004-06-08 2006-10-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and method utilizing dose control
US6989886B2 (en) * 2004-06-08 2006-01-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7016016B2 (en) * 2004-06-25 2006-03-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7116403B2 (en) * 2004-06-28 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158208B2 (en) * 2004-06-30 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7116404B2 (en) * 2004-06-30 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060001890A1 (en) * 2004-07-02 2006-01-05 Asml Holding N.V. Spatial light modulator as source module for DUV wavefront sensor
US20060012779A1 (en) * 2004-07-13 2006-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7573574B2 (en) * 2004-07-13 2009-08-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7259829B2 (en) * 2004-07-26 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7227613B2 (en) * 2004-07-26 2007-06-05 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus having double telecentric illumination
US7335398B2 (en) * 2004-07-26 2008-02-26 Asml Holding N.V. Method to modify the spatial response of a pattern generator
US7142286B2 (en) * 2004-07-27 2006-11-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7251020B2 (en) * 2004-07-30 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7538855B2 (en) * 2004-08-10 2009-05-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7102733B2 (en) * 2004-08-13 2006-09-05 Asml Holding N.V. System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool
US7304718B2 (en) * 2004-08-17 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7500218B2 (en) * 2004-08-17 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same
US7079225B2 (en) * 2004-09-14 2006-07-18 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7177012B2 (en) 2004-10-18 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7388663B2 (en) 2004-10-28 2008-06-17 Asml Netherlands B.V. Optical position assessment apparatus and method
US7423732B2 (en) * 2004-11-04 2008-09-09 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing placement of a patterning device at a pupil plane
US7609362B2 (en) * 2004-11-08 2009-10-27 Asml Netherlands B.V. Scanning lithographic apparatus and device manufacturing method
US7170584B2 (en) * 2004-11-17 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7061581B1 (en) * 2004-11-22 2006-06-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474384B2 (en) * 2004-11-22 2009-01-06 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and a projection element for use in the lithographic apparatus
US7643192B2 (en) * 2004-11-24 2010-01-05 Asml Holding N.V. Pattern generator using a dual phase step element and method of using same
US7333177B2 (en) * 2004-11-30 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7713667B2 (en) * 2004-11-30 2010-05-11 Asml Holding N.V. System and method for generating pattern data used to control a pattern generator
US7365848B2 (en) * 2004-12-01 2008-04-29 Asml Holding N.V. System and method using visible and infrared light to align and measure alignment patterns on multiple layers
US7391499B2 (en) * 2004-12-02 2008-06-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7362415B2 (en) * 2004-12-07 2008-04-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7355677B2 (en) * 2004-12-09 2008-04-08 Asml Netherlands B.V. System and method for an improved illumination system in a lithographic apparatus
US7180577B2 (en) * 2004-12-17 2007-02-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a microlens array at an image plane
US7349068B2 (en) * 2004-12-17 2008-03-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7256867B2 (en) * 2004-12-22 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7391676B2 (en) * 2004-12-22 2008-06-24 Asml Netherlands B.V. Ultrasonic distance sensors
US7230677B2 (en) * 2004-12-22 2007-06-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing hexagonal image grids
US7274502B2 (en) * 2004-12-22 2007-09-25 Asml Holding N.V. System, apparatus and method for maskless lithography that emulates binary, attenuating phase-shift and alternating phase-shift masks
US7375795B2 (en) * 2004-12-22 2008-05-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7202939B2 (en) * 2004-12-22 2007-04-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7242458B2 (en) * 2004-12-23 2007-07-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a multiple substrate carrier for flat panel display substrates
US7538857B2 (en) * 2004-12-23 2009-05-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler
US7656506B2 (en) * 2004-12-23 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler
US7426076B2 (en) * 2004-12-23 2008-09-16 Asml Holding N.V. Projection system for a lithographic apparatus
US7317510B2 (en) * 2004-12-27 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7459247B2 (en) * 2004-12-27 2008-12-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7279110B2 (en) * 2004-12-27 2007-10-09 Asml Holding N.V. Method and apparatus for creating a phase step in mirrors used in spatial light modulator arrays
US20060138349A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7126672B2 (en) * 2004-12-27 2006-10-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7274029B2 (en) * 2004-12-28 2007-09-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403865B2 (en) * 2004-12-28 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. System and method for fault indication on a substrate in maskless applications
US7145636B2 (en) * 2004-12-28 2006-12-05 Asml Netherlands Bv System and method for determining maximum operational parameters used in maskless applications
US7756660B2 (en) * 2004-12-28 2010-07-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7342644B2 (en) * 2004-12-29 2008-03-11 Asml Netherlands B.V. Methods and systems for lithographic beam generation
US7253881B2 (en) * 2004-12-29 2007-08-07 Asml Netherlands Bv Methods and systems for lithographic gray scaling
US7567368B2 (en) * 2005-01-06 2009-07-28 Asml Holding N.V. Systems and methods for minimizing scattered light in multi-SLM maskless lithography
US7542013B2 (en) * 2005-01-31 2009-06-02 Asml Holding N.V. System and method for imaging enhancement via calculation of a customized optimal pupil field and illumination mode
US7460208B2 (en) * 2005-02-18 2008-12-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7286137B2 (en) * 2005-02-28 2007-10-23 Asml Holding N.V. Method and system for constrained pixel graytones interpolation for pattern rasterization
US7499146B2 (en) * 2005-03-14 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method, an integrated circuit, a flat panel display, and a method of compensating for cupping
US7812930B2 (en) * 2005-03-21 2010-10-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using repeated patterns in an LCD to reduce datapath volume
US7209216B2 (en) * 2005-03-25 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing dynamic correction for magnification and position in maskless lithography
US7403265B2 (en) * 2005-03-30 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering
US7728956B2 (en) * 2005-04-05 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data
US7209217B2 (en) 2005-04-08 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing plural patterning devices
US7330239B2 (en) * 2005-04-08 2008-02-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a blazing portion of a contrast device
US7221514B2 (en) * 2005-04-15 2007-05-22 Asml Netherlands B.V. Variable lens and exposure system
US20060244805A1 (en) * 2005-04-27 2006-11-02 Ming-Hsiang Yeh Multicolor pen
US7400382B2 (en) * 2005-04-28 2008-07-15 Asml Holding N.V. Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form
US7738081B2 (en) * 2005-05-06 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a flat panel display handler with conveyor device and substrate handler
US7197828B2 (en) * 2005-05-31 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing FPD chuck Z position measurement
US7477772B2 (en) * 2005-05-31 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing 2D run length encoding for image data compression
US7742148B2 (en) * 2005-06-08 2010-06-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method for writing a digital image
US7292317B2 (en) * 2005-06-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing substrate stage compensating
US7233384B2 (en) * 2005-06-13 2007-06-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method, and device manufactured thereby for calibrating an imaging system with a sensor
US7321416B2 (en) * 2005-06-15 2008-01-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, and controllable patterning device utilizing a spatial light modulator with distributed digital to analog conversion
US7408617B2 (en) * 2005-06-24 2008-08-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a large area FPD chuck equipped with encoders an encoder scale calibration method
US7965373B2 (en) * 2005-06-28 2011-06-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a datapath having a balanced calculation load
US7522258B2 (en) * 2005-06-29 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination
US7307694B2 (en) * 2005-06-29 2007-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, radiation beam inspection device, method of inspecting a beam of radiation and device manufacturing method
US20070013889A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby having an increase in depth of focus
US7251019B2 (en) * 2005-07-20 2007-07-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a continuous light beam in combination with pixel grid imaging
US7606430B2 (en) * 2005-08-30 2009-10-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a multiple dictionary compression method for FPD
US20070046917A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method that compensates for reticle induced CDU
JP2007114750A (ja) * 2005-09-09 2007-05-10 Asml Netherlands Bv 投影システム設計方法、リソグラフィー装置およびデバイス製造方法
US7830493B2 (en) * 2005-10-04 2010-11-09 Asml Netherlands B.V. System and method for compensating for radiation induced thermal distortions in a substrate or projection system
US7391503B2 (en) * 2005-10-04 2008-06-24 Asml Netherlands B.V. System and method for compensating for thermal expansion of lithography apparatus or substrate
US7332733B2 (en) * 2005-10-05 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. System and method to correct for field curvature of multi lens array
US20070127005A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Asml Holding N.V. Illumination system
US7626181B2 (en) * 2005-12-09 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070133007A1 (en) * 2005-12-14 2007-06-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using laser trimming of a multiple mirror contrast device
US7440078B2 (en) * 2005-12-20 2008-10-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units
US20070153249A1 (en) * 2005-12-20 2007-07-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types
US7466394B2 (en) * 2005-12-21 2008-12-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using a compensation scheme for a patterning array
US7532403B2 (en) * 2006-02-06 2009-05-12 Asml Holding N.V. Optical system for transforming numerical aperture
US7528933B2 (en) * 2006-04-06 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a MEMS mirror with large deflection using a non-linear spring arrangement
US7508491B2 (en) * 2006-04-12 2009-03-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilized to reduce quantization influence of datapath SLM interface to dose uniformity
US7948606B2 (en) * 2006-04-13 2011-05-24 Asml Netherlands B.V. Moving beam with respect to diffractive optics in order to reduce interference patterns
US7839487B2 (en) * 2006-04-13 2010-11-23 Asml Holding N.V. Optical system for increasing illumination efficiency of a patterning device
JP4998803B2 (ja) * 2006-04-14 2012-08-15 株式会社ニコン 露光装置、デバイス製造方法、および露光方法
EP2009678A4 (en) * 2006-04-17 2011-04-06 Nikon Corp OPTICAL LIGHTING DEVICE, EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US8264667B2 (en) * 2006-05-04 2012-09-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure
US8934084B2 (en) * 2006-05-31 2015-01-13 Asml Holding N.V. System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system
US7728954B2 (en) * 2006-06-06 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Reflective loop system producing incoherent radiation
US7649676B2 (en) * 2006-06-14 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. System and method to form unpolarized light
US7936445B2 (en) * 2006-06-19 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Altering pattern data based on measured optical element characteristics
US8896808B2 (en) * 2006-06-21 2014-11-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7697115B2 (en) * 2006-06-23 2010-04-13 Asml Holding N.V. Resonant scanning mirror
US7593094B2 (en) * 2006-06-26 2009-09-22 Asml Netherlands B.V. Patterning device
US20080002174A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Asml Netherlands B.V. Control system for pattern generator in maskless lithography
US7630136B2 (en) 2006-07-18 2009-12-08 Asml Holding N.V. Optical integrators for lithography systems and methods
US7548315B2 (en) * 2006-07-27 2009-06-16 Asml Netherlands B.V. System and method to compensate for critical dimension non-uniformity in a lithography system
US7738077B2 (en) * 2006-07-31 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Patterning device utilizing sets of stepped mirrors and method of using same
US7626182B2 (en) * 2006-09-05 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Radiation pulse energy control system, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7628875B2 (en) * 2006-09-12 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. MEMS device and assembly method
US8049865B2 (en) * 2006-09-18 2011-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic system, device manufacturing method, and mask optimization method
US7683300B2 (en) * 2006-10-17 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Using an interferometer as a high speed variable attenuator
US7453551B2 (en) * 2006-11-14 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Increasing pulse-to-pulse radiation beam uniformity
US20080111977A1 (en) * 2006-11-14 2008-05-15 Asml Holding N.V. Compensation techniques for fluid and magnetic bearings
US7738079B2 (en) * 2006-11-14 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Radiation beam pulse trimming
US8054449B2 (en) * 2006-11-22 2011-11-08 Asml Holding N.V. Enhancing the image contrast of a high resolution exposure tool
US8259285B2 (en) * 2006-12-14 2012-09-04 Asml Holding N.V. Lithographic system, device manufacturing method, setpoint data optimization method, and apparatus for producing optimized setpoint data
US7965378B2 (en) * 2007-02-20 2011-06-21 Asml Holding N.V Optical system and method for illumination of reflective spatial light modulators in maskless lithography
US8009269B2 (en) 2007-03-14 2011-08-30 Asml Holding N.V. Optimal rasterization for maskless lithography
US8009270B2 (en) * 2007-03-22 2011-08-30 Asml Netherlands B.V. Uniform background radiation in maskless lithography
US7714986B2 (en) * 2007-05-24 2010-05-11 Asml Netherlands B.V. Laser beam conditioning system comprising multiple optical paths allowing for dose control
US20080304034A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-11 Asml Netherlands B.V. Dose control for optical maskless lithography
US8189172B2 (en) * 2007-06-14 2012-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US8692974B2 (en) * 2007-06-14 2014-04-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using pupil filling by telecentricity control
US7768627B2 (en) * 2007-06-14 2010-08-03 Asml Netherlands B.V. Illumination of a patterning device based on interference for use in a maskless lithography system
US8384875B2 (en) * 2008-09-29 2013-02-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
DE102009041405B4 (de) * 2009-09-14 2020-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Maskeninspektionsmikroskop mit variabler Beleuchtungseinstellung
US9019468B2 (en) * 2010-09-30 2015-04-28 Georgia Tech Research Corporation Interference projection exposure system and method of using same
CN102540736B (zh) * 2010-12-10 2014-11-12 上海微电子装备有限公司 用于大视场拼接照明的均匀性补偿装置
CN103969958B (zh) * 2013-01-25 2016-03-30 上海微电子装备有限公司 一种多曝光视场拼接系统和方法
US11067900B2 (en) 2016-05-19 2021-07-20 Nikon Corporation Dense line extreme ultraviolet lithography system with distortion matching
US10712671B2 (en) 2016-05-19 2020-07-14 Nikon Corporation Dense line extreme ultraviolet lithography system with distortion matching
US10295911B2 (en) 2016-05-19 2019-05-21 Nikon Corporation Extreme ultraviolet lithography system that utilizes pattern stitching
US10527956B2 (en) 2017-03-24 2020-01-07 Nikon Corporation Temperature controlled heat transfer frame for pellicle

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4350431A (en) * 1979-07-13 1982-09-21 Canon Kabushiki Kaisha Projecting device
US4316665A (en) * 1979-12-06 1982-02-23 Canon Kabushiki Kaisha Projection device
JP2897330B2 (ja) * 1990-04-06 1999-05-31 キヤノン株式会社 マーク検出装置及び露光装置
JP2862385B2 (ja) * 1991-03-13 1999-03-03 キヤノン株式会社 露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07161617A (ja) 1995-06-23
US5579147A (en) 1996-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3339149B2 (ja) 走査型露光装置ならびに露光方法
JP4132095B2 (ja) 走査型露光装置
JP2691319B2 (ja) 投影露光装置および走査露光方法
JP3339144B2 (ja) 走査型露光装置及び露光方法
TWI431430B (zh) 曝光方法、曝光裝置、光罩以及光罩的製造方法
JP4346586B2 (ja) ダブルテレセントリック照明を有するリソグラフィ装置
TWI453547B (zh) An exposure apparatus, an exposure method, and an element manufacturing method
JPH08330220A (ja) 走査露光装置
JPH11111601A (ja) 露光方法及び装置
US20010052966A1 (en) Scanning exposure method and system
JP3200244B2 (ja) 走査型露光装置
US6265137B1 (en) Exposure method and device producing method using the same
JP3448614B2 (ja) 投影露光方法、走査型投影露光装置、及び素子製造方法
US6617097B2 (en) Exposure method
JP2674578B2 (ja) 走査露光装置及び露光方法
JP3476098B2 (ja) 露光装置
JP4581262B2 (ja) 露光装置及び露光方法
JP2000114164A (ja) 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2010197630A (ja) 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP5515323B2 (ja) 投影光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2800731B2 (ja) 走査露光方法、及び走査露光による回路素子製造方法
JP2803666B2 (ja) 走査露光方法及び回路パターン製造方法
JP2674579B2 (ja) 走査露光装置および走査露光方法
JPH08222495A (ja) 走査型投影露光方法及び装置
JPH1064782A (ja) 走査型露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110816

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110816

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140816

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term