JP2803666B2

JP2803666B2 - 走査露光方法及び回路パターン製造方法

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Publication number: JP2803666B2
Application number: JP9217260A
Authority: JP
Inventors: 健爾西
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-08-12
Filing date: 1997-08-12
Publication date: 1998-09-24
Anticipated expiration: 2013-09-24
Also published as: JPH1083957A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、液晶
表示素子等の製造過程中のリソグラフィー工程でマスク
のパターンを感光基板上に走査露光する方法と、その露
光方法によって感光基板上に回路パターンを形成する製
造方法とに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のリソグラフィー工程で使
用されている投影露光装置には、大別して２つの方式が
あり、１つはマスク（レチクル）のパターン全体を内包
し得る露光フィールドを持った投影光学系を介してウェ
ハやプレート等の感光基板をステップアンドリピート方
式で露光する方法であり、もう１つはマスクと感光基板
とを投影光学系を挟んで対向させて円弧状スリット照明
光のマスク照明のもとで相対走査して露光するスキャン
方法である。

【０００３】前者のステップアンドリピート露光方式を
採用したステッパーは、最近のリソグラフィー工程で主
流をなす装置であり、後者のスキャン露光方式を採用し
たアライナーにくらべて、解像力、重ね合せ精度、スル
ープット等がいずれも高くなってきており、今後もしば
らくはステッパーが主流であるものと考えられている。

【０００４】ところで、最近スキャン露光方式において
も高解像力を達成する新たな方式が、ＳＰＩＥ Vol.１
０８８ Optical/Laser Microlithography II（１９８
９）の第４２４頁〜４３３頁においてステップアンドス
キャン方式として提案された。ステップアンドスキャン
方式とは、マスク（レチクル）を１次元に走査しつつ、
ウェハをそれと同期した速度で１次元に走査するスキャ
ン方式と、走査露光方向と直交する方向にウェハをステ
ップ移動させる方式とを混用したものである。

【０００５】図９は、ステップ＆スキャン方式の概念を
説明する図であるが、ここではウェハＷ上のＸ方向のシ
ョット領域（１チップ、又はマルチチップ）の並びを円
弧状スリット照明光ＲＩＬで走査露光し、Ｙ方向につい
てはウェハＷをステッピングする。同図中、破線で示し
た矢印がステップ＆スキャン（以下、Ｓ＆Ｓとする）の
露光順路を表わし、ショット領域ＳＡ1、ＳＡ2、……Ｓ
Ａ6の順にＳ＆Ｓ露光を行ない、次にウェハＷの中央に
Ｙ方向に並んだショット領域ＳＡ7、ＳＡ8、……ＳＡ12
の順に同様のＳ＆Ｓ露光を行なう。

【０００６】上記文献に開示されたＳ＆Ｓ方式のアライ
ナーでは、円弧状スリット照明光ＲＩＬで照明されたレ
チクルパターンの像は、１／４倍の縮小投影光学系を介
してウェハＷ上に結像されるため、レチクルステージの
Ｘ方向の走査速度は、ウェハステージのＸ方向の走査速
度の４倍に精密に制御される。また、円弧状スリット照
明光ＲＩＬを使うのは、投影光学系として屈折素子と反
射素子とを組み合せた縮小系を用い、光軸から一定距離
だけ離れた像高点の狭い範囲（輪帯状）で各種収差がほ
ぼ零になるという利点を得るためである。そのような反
射縮小投影系の一例は、例えばＵＳＰ．4,７４7,６７８
に開示されている。

【０００７】このような円弧状スリット照明光を使うＳ
＆Ｓ露光方式の他に、円形のイメージフィールドを有す
る通常の投影光学系（フル・フィールドタイプ）をＳ＆
Ｓ露光方式に応用する試みが、例えば特開平２−２２９
４２３号公報で提案された。この公開公報には、レチク
ル（マスク）を照明する露光光の形状を投影レンズ系の
円形フィールドに内接する正六角形にし、その正六角形
の対向する２辺のエッジが走査露光方向と直交する方向
に伸びるようにすることで、スループットをより向上さ
せたＳ＆Ｓ露光を実現することが開示されている。

【０００８】すなわちこの公開公報においては、スキャ
ン露光方向のレチクル（マスク）照明領域を極力大きく
取ることによって、レチクルステージ、ウェハステージ
の走査速度を、円弧状スリット照明光を使ったＳ＆Ｓ露
光方式にくらべて格段に高くできることが示されてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記、特開平２−２２
９４２３号公報に開示された従来技術によれば、走査露
光方向に関するマスク照明領域を極力広くしてあるた
め、スループット上では有利である。ところが、実際の
マスクステージ、ウェハステージの走査シーケンスを考
慮すると、上記公開公報に開示された装置においても、
図９のようなジクザクのＳ＆Ｓ方式にせざるを得ない。

【００１０】なぜなら、ウェハＷの直径を１５０mm（６
インチ）として、１回の連続したＸ方向走査のみでウェ
ハ直径分の一列のショット領域の並びの露光を完了しよ
うとすると、１／５倍の投影レンズ系を使うことを前提
としたとき、レチクルの走査方向（Ｘ方向）の長さは７
５０mm（３０インチ）にも達してしまい、このようなレ
チクルの製造が極めて困難だからである。

【００１１】仮りにそのようなレチクルが製造できたと
しても、そのレチクルをＸ方向に走査するレチクルステ
ージのストロークは７５０mm以上必要であることから、
装置が極めて大型化することは必須である。このため、
上記公開公報のような装置であっても、ジクザク走査を
せざるを得ない。従って、走査露光方向に隣接したショ
ット領域、例えば図９中のショット領域ＳＡ1とＳＡ12
とでは、隣りのショット領域内にレチクルパターンが転
写されないようにレチクル上のパターン領域の周辺を遮
光体で広く覆っておく必要があった。

【００１２】図１０は六角形の照明領域ＨＩＬ、投影レ
ンズ系の円形イメージフィールドＩＦ、及びレチクルＲ
の走査露光時の配置を示し、図１０（Ａ）は六角形照明
領域ＨＩＬがレチクルＲ上のスキャン開始位置に設定さ
れた状態を表し、この状態からレチクルＲのみが同図中
の右方向に一次元移動する。そして１回のスキャン終了
時には図１０（Ｂ）のようになる。

【００１３】この図１０中でＣＰ1、ＣＰ2、……ＣＰ6
の夫々はレチクルＲ上にＸ方向に並べて形成されたチッ
プパターンであり、これら６つのチップパターンの並び
がＸ方向の１回のスキャンで露光されるべきショット領
域に対応している。尚、同図中、六角形照明領域ＨＩＬ
の中心点はイメージフィールドＩＦの中心、すなわち投
影レンズ系の光軸ＡＸとほぼ一致している。

【００１４】この図１０からも明らかなように、レチク
ルＲ上の走査開始部分や走査終了部分では、パターン領
域の外側に、少なくとも六角形照明領域ＨＩＬの走査方
向（Ｘ方向）の幅寸法以上の遮光体を必要とする。同時
に、レチクルＲ自体も走査方向の寸法が大きくなるとと
もにレチクルステージのＸ方向の移動ストロークも、チ
ップパターンのＣＰ1〜ＣＰ6全体のＸ方向の寸法と六角
形照明領域ＨＩＬの走査方向の寸法との合計分だけ必要
となる等、装置化にあたっての問題点が考えられる。

【００１５】また走査方向と直交したＹ方向に関する照
明領域の形状にも問題があり、図１０のような六角形の
照明領域ＨＩＬの場合、レチクルＲ上のチップパターン
のＹ方向（非走査方向）の寸法が一定であるにもかかわ
らず、照明領域ＨＩＬのＹ方向の寸法はＸ方向の位置に
応じて山形状に変化している。このため図１０のような
チップパターンの場合、六角形の照明領域ＨＩＬのうち
でＸ方向に関する幅が一定となっているＹ方向の寸法Ｙ
Ｄは、チップパターンのＹ方向のサイズよりも小さくな
り、レチクルＲ（ウェハＷ）の１回の走査のみで図１０
のチップパターン群を露光しても、照明領域ＨＩＬの山
形状の部分によって著しい露光量のむらが発生すること
になる。

【００１６】そこで特開平２−２２９４２３号公報に
は、チップパターンのＹ方向の寸法がＹＤ以上の場合、
２回以上の走査露光（一部オーバーラップ）によってレ
チクルＲのチップパターン群をウェハ上に転写すること
が示されているが、これはスループット上で必ずしも有
利とは言えない。本発明は上述のような問題点に鑑み、
レチクル（マスク）上のパターン露光領域の周辺に格別
に広い遮光体を設けることなく、しかもレチクル（マス
ク）ステージの走査露光時の移動ストロークも最小限に
しつつ、スループットを高めたスキャン方式（又はＳ＆
Ｓ方式）の露光方法と、その露光方法を利用した回路パ
ターンの製造方法とを提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本願の請求項１に記載さ
れた発明は、遮光帯（ＳＢr，ＳＢl等）で囲まれた回路
パターン領域（ＣＰ；ＣＰ１〜ＣＰ４）を有するマスク
（レチクルＲ）と、そのマスク（Ｒ）の回路パターン領
域が転写される感光基板（ウェハＷ）とを投影光学系
（ＰＬ）の物体面側と像面側に配置し、マスク（Ｒ）と
感光基板（Ｗ）とを投影光学系（ＰＬ）の投影視野（円
形イメージフィールドＩＦ）に対して所定の速度比（例
えば投影倍率１／５の比）で１次元移動させることでマ
スク（Ｒ）の回路パターンを感光基板（Ｗ）上に走査露
光する方法に適用される。

【００１８】そして本願発明では、露光に先立って、マ
スク（Ｒ）の１次元移動（例えばＸ方向への走査移動）
の加速に必要なプリスキャンの範囲を設定し、そのプリ
スキャンの完了後の定速走査期間におけるマスク（Ｒ）
の移動速度（Ｖrs）を設定する段階と、定速走査期間の
間は、投影光学系（ＰＬ）の投影視野（ＩＦ）内で１次
元移動の方向（Ｘ方向）と直交した非走査方向（Ｙ方
向）に伸びる矩形スリット状の強度分布の照明光（照明
系内のレチクルブラインド機構２０の開口ＡＰを通して
作られる）をマスク（Ｒ）に向けて照射するとともに、
プリスキャンから定速走査期間に入った時点では矩形ス
リット状の照明光の非走査方向（Ｙ方向）に延びた一端
部（例えばエッジＥ１，Ｅ２）がマスク（Ｒ）上の遮光
帯（ＳＢr又はＳＢl）と重なるように、マスク（Ｒ）の
移動と照明光の照射とを連動させる段階（シャッター６
による開閉動作、又はブラインド機構２０の可動ブレー
ドＢＬ1，ＢＬ2の移動）とを実施するようにした。

【００１９】請求項２に記載の発明は、請求項１で規定
された矩形スリット状の照明光が、光源（例えば水銀ラ
ンプ２）からの照明光を遮蔽、開放するシャッター
（６）を介して作られることを限定したものであり、請
求項３に記載の発明は、請求項１で規定された矩形スリ
ット状の照明光が、マスク（Ｒ）と光学的にほぼ共役に
配置されるブラインド（レチクルブラインド機構２０）
の矩形スリット開口（ＡＰ）を介して作られることを限
定したものである。

【００２０】さらに請求項４に記載の発明は、請求項３
で規定されたブラインド（２０）とマスク（Ｒ）との間
に、ブラインドの矩形スリット開口（ＡＰ）をマスク
（Ｒ）上に拡大投影する拡大光学系（レンズ系２４、ミ
ラー２６、メインコンデンサーレンズ２８）を設けるこ
とを限定したものであり、請求項５に記載の発明は請求
項３で規定されたブラインド（２０）が非走査方向
（Ｙ）に延びた遮光エッジ（Ｅ１、Ｅ２）を有して１次
元移動方向（Ｘ方向）に移動可能に対向配置された２枚
の可動ブレード（ＢＬ1，ＢＬ2）を含み、その２枚の可
動ブレード（ＢＬ1，ＢＬ2）のいずれか一方を、マスク
（Ｒ）の移動と照明光の照射とを連動させる段階の際に
移動させることを限定したものである。

【００２１】また本願の請求項６に記載された発明は、
遮光帯（ＳＢr，ＳＢl等）で囲まれた回路パターン領域
（ＣＰ；ＣＰ１〜ＣＰ４）を有するマスク（レチクル
Ｒ）とそのマスクの回路パターンが転写される感光基板
（ウェハＷ）とを投影光学系（ＰＬ）の物体面側と像面
側とに配置し、マスク（Ｒ）と感光基板（Ｗ）とを投影
光学系（ＰＬ）の投影視野（例えば円形イメージフィー
ルドＩＦ）に対して所定の速度比（例えば投影倍率１／
５の比）で１次元移動させることによって、感光基板
（Ｗ）上にマスク（Ｒ）の回路パターンを走査露光方式
により形成する回路パターンの製造方法に適用される。

【００２２】そして本願発明では、露光に先立って、マ
スク（Ｒ）の１次元移動（Ｘ方向への走査移動）の加速
に必要なプリスキャンの範囲を設定し、そのプリスキャ
ンの完了後の定速走査期間におけるマスク（Ｒ）の移動
速度（Ｖrs）を設定する段階と、定速走査期間の間は、
投影光学系（ＰＬ）の投影視野（ＩＦ）内で１次元移動
の方向（Ｘ方向）と直交した非走査方向（Ｙ方向）に伸
びる矩形スリット状の強度分布の照明光（照明系内のレ
チクルブラインド機構２０の開口ＡＰを通して作られ
る）をマスク（Ｒ）に向けて照射するとともに、プリス
キャンから定速走査期間に移行した時点では矩形スリッ
ト状の照明光の非走査方向（Ｙ方向）に延びた一端部
（例えばエッジＥ１，Ｅ２）がマスク上の遮光帯（ＳＢ
r又はＳＢl）と重なるように、マスク（Ｒ）の移動と照
明光の照射とを連動させる段階（シャッター６による開
閉動作、又はブラインド機構２０の可動ブレードＢＬ
1，ＢＬ2の移動）とを実施するようにした。

【００２３】請求項７に記載の発明は、請求項６で規定
された矩形スリット状の照明光が、光源（例えば水銀ラ
ンプ２）からの照明光を遮蔽、開放するシャッター
（６）を介して作られることを限定したものであり、請
求項８に記載の発明は、請求項６で規定された矩形スリ
ット状の照明光が、マスク（Ｒ）と光学的にほぼ共役に
配置されるブラインド（２０）の矩形スリット開口（Ａ
Ｐ）を介して作られることを限定したものである。

【００２４】さらに請求項９に記載の発明は、請求項８
で規定されたブラインド（２０）とマスク（Ｒ）との間
に、ブラインドの矩形スリット開口（ＡＰ）をマスク
（Ｒ）上に拡大投影する拡大光学系（レンズ系２４、ミ
ラー２６、メインコンデンサーレンズ２８）を設けるこ
とを限定したものであり、請求項１０に記載の発明は、
請求項８で規定されたブラインド（２０）が、非走査方
向（Ｙ方向）に延びた遮光エッジ（Ｅ１，Ｅ２）を有し
て１次元移動方向（Ｘ方向）に移動可能に対向配置され
た２枚の可動ブレード（ＢＬ1，ＢＬ2）を含み、その２
枚の可動ブレード（ＢＬ1，ＢＬ2）のいずれか一方を、
マスク（Ｒ）の移動と照明光の照射とを連動させる段階
の際に移動させることを限定したものである。

【００２５】

【発明の実施の態様】従来の走査露光方式では、六角形
や円弧状等に制限された照明光をマスクに照射していた
が、本発明の好適な一実施例においては、走査方向の幅
がほぼ一定で、かつ投影光学系の投影視野の中心線に沿
って延びたスリット状（矩形状）に制限された照明光を
マスクに照射しつつ、マスク上の遮光帯で囲まれた回路
パターン領域内の走査露光を行うようにした。このため
マスクの移動と照明光の照射とを、マスク上の遮光帯に
合わせて連動させると、マスク上の走査開始部分（プリ
スキャンから定速走査期間に移行する部分）や走査終了
部分（定速走査期間から減速する部分）でマスクを大き
くオーバーランさせなくても、同等のＳ＆Ｓ露光方式が
実現できる。

【００２６】また本発明の好適な一実施例によって規定
された照明光の分布は矩形スリット状であるため、その
走査方向に関する幅を極めて容易に、かつ正確に変更可
能である。そのため走査露光の開始部分（プリスキャン
から定速走査期間に移行した部分）と終了部分（定速走
査期間の終了前）とで照明光の幅を連動可変させれば、
マスクステージのオーバーランを極めて小さくでき、マ
スクステージの移動ストロークも最小限にすることがで
きる。

【００２７】さらにマスク上のパターン形成領域の周辺
に形成される遮光体の幅も従来のマスクと同程度に少な
くてよく、マスク製造時に遮光体（通常はクロム層）中
のピンホール欠陥を検査する手間が低減されるといった
利点もある。特に本発明の好適な一実施例では、投影光
学系の投影視野内の中心線に沿って延びた矩形状または
スリット状の領域を利用するようにしたので、チップパ
ターン領域の非走査方向に関するサイズは投影視野の直
径に近い値まで許容されることになり、オーバーラップ
露光することなく１回の走査で転写可能な露光フィール
ドのサイズも、従来の特開平２−２２４９２３号公報に
開示された方式と比べて大きくできる。

【００２８】さらに投影視野内で細長い矩形状またはス
リット状の領域のみを使うため、投影光学系の結像性能
の１つである像歪み特性も、その矩形状またはスリット
状の領域のみを考慮すればよく、高解像力（高ＮＡ）、
大フィールドの投影光学系の製造が比較的容易になると
いった利点もある。そこで以上のような利点を有する本
発明の実施例による走査露光装置の構成を図面を参照し
て説明する。

【００２９】図１は本発明の第１の実施例による投影露
光装置の構成を示し、本実施例では、両側テレセントリ
ックで１／５縮小の屈折素子のみ、あるいは屈折素子と
反射素子との組み合わせで構成された投影光学系（以
下、簡便のため単に投影レンズと呼ぶ）ＰＬを使うもの
とする。水銀ランプ２からの露光用照明光は楕円鏡４で
第２焦点に集光される。この第２焦点には、モータ８に
よって照明光の遮断と透過とを切り替えるロータリーシ
ャッター６が配置される。シャッター６を通った照明光
束はミラー１０で反射され、インプットレンズ１２を介
してフライアイレンズ系１４に入射する。フライアイレ
ンズ系１４の射出側には、多数の２次光源像が形成さ
れ、各２次光源像からの照明光はビームスプリッタ１６
を介してレンズ系（コンデンサーレンズ）１８に入射す
る。

【００３０】レンズ系１８の後側焦点面には、レチクル
ブラインド機構２０の可動ブレードＢＬ1、ＢＬ2、ＢＬ
3、ＢＬ4が図２のように配置されている。４枚のブレー
ドＢＬ1、ＢＬ2、ＢＬ3、ＢＬ4は夫々駆動系２２によっ
て独立に移動される。本実施例では図２のように投影レ
ンズＰＬの光軸ＡＸを通るＹ軸（直径）と平行に延びた
ブレードＢＬ1、ＢＬ2のエッジによってＸ方向（走査露
光方向）の開口ＡＰの幅が決定され、ブレードＢＬ3、
ＢＬ4のエッジによってＹ方向（ステッピング方向）の
開口ＡＰの長さが決定されるものとする。

【００３１】また、４枚のブレードＢＬ1〜ＢＬ4の各エ
ッジで規定された開口ＡＰの形状は、投影レンズＰＬの
円形イメージフィールドＩＦ内で直径に沿って延びた矩
形状（又はスリット状）に定められる。さて、ブライン
ド機構２０の位置で、照明光は均一な照度分布となり、
ブラインド機構２０の開口ＡＰを通過した照明光は、レ
ンズ系２４、ミラー２６、及びメインコンデンサーレン
ズ２８を介してレチクルＲを照射する。このとき、ブラ
インド機構２０の４枚のブレードＢＬ1 〜ＢＬ4 規定さ
れた開口ＡＰの像がレチクルＲ下面のパターン面に結像
される。

【００３２】尚、レンズ系２４とコンデンサーレンズ２
８とによって任意の結像倍率を与えることができるが、
ここではブラインド機構２０の開口ＡＰを約２倍に拡大
してレチクルＲに投影しているものとする。従ってスキ
ャン露光時のレチクルＲの走査速度ＶrsとレチクルＲ上
に投影されたブラインド機構２０のブレードＢＬ1、Ｂ
Ｌ2のエッジ像の移動速度とを一致させるためには、ブ
レードＢＬ1、ＢＬ2のＸ方向の移動速度ＶblをＶrs／２
に設定すればよい。

【００３３】さて、開口ＡＰで規定された照明光を受け
たレチクルＲは、コラム３２上を少なくともＸ方向に等
速移動可能なレチクルステージ３０に保持される。コラ
ム３２は不図示ではあるが、投影レンズＰＬの鏡筒を固
定するコラムと一体になっている。レチクルステージ３
０は駆動系３４によってＸ方向の一次元走査移動、ヨー
イング補正のための微少回転移動等を行なう。またレチ
クルステージ３０の一端にはレーザ干渉計３８からの測
長ビームを反射する移動鏡３６が固定され、レチクルＲ
のＸ方向の位置とヨーイング量がレーザ干渉計３８によ
ってリアルタイムに計測される。尚、レーザ干渉計３８
用の固定鏡（基準鏡）４０は投影レンズＰＬの鏡筒上端
部に固定されている。

【００３４】投影レンズＰＬの物体面側に配置されたレ
チクルＲ上のパターンの像は投影レンズＰＬによって１
／５に縮小され、像面側に配置されたウェハＷ上に結像
される。ウェハＷは微小回転可能なウェハホルダ４４に
基準マーク板ＦＭとともに保持される。ホルダ４４は投
影レンズＰＬの光軸ＡＸ（Ｚ）方向に微動可能なＺステ
ージ４６上に設けられる。そしてＺステージ４６はＸ、
Ｙ方向に二次元移動するＸＹステージ４８上に設けら
れ、このＸＹステージ４８は駆動系５４で駆動される。
またＸＹステージ４８の座標位置とヨーイング量とはレ
ーザ干渉計５０によって計測され、そのレーザ干渉計５
０のための固定鏡４２は投影レンズＰＬの鏡筒下端部に
固定され、移動鏡５２はＺステージ４６の一端部に固定
される。

【００３５】本実施例では投影倍率を１／５としたの
で、スキャン露光時のＸＹステージ４８のＸ方向の移動
速度Ｖwsは、レチクルステージ３０の速度Ｖrsの１／５
である。さらに本実施例では、レチクルＲと投影レンズ
ＰＬとを介してウェハＷ上のアライメントマーク（又は
基準マークＦＭ）を検出するＴＴＲ（スルーザレチク
ル）方式のアライメントシステム６０と、レチクルＲの
下方空間から投影レンズＰＬを介してウェハＷ上のアラ
イメントマーク（又は基準マークＦＭ）を検出するＴＴ
Ｌ（スルーザレンズ）方式のアライメントシステム６２
とを設け、Ｓ＆Ｓ露光の開始前、あるいはスキャン露光
中にレチクルＲとウェハＷとの相対的な位置合せを行な
うようにした。

【００３６】また図１中に示した光電センサー６４は、
基準マークＦＭを発光タイプにしたとき、その発光マー
クからの光を投影レンズＰＬ、レチクルＲ、コンデンサ
ーレンズ２８、レンズ系２４、１８、及びビームスプリ
ッタ１６を介して受光するもので、ＸＹステージ４８の
座標系におけるレチクルＲの位置を規定する場合や、各
アライメントシステム６０、６２の検出中心の位置を規
定する場合に使われる。

【００３７】ところでブラインド機構２０の矩形開口Ａ
Ｐは、走査方向（Ｘ方向）と直交するＹ方向に関して極
力長くすることによって、Ｘ方向の走査回数、すなわち
ウェハＷのＹ方向のステッピング回数を少なくすること
ができる。ただし、レチクルＲ上のチップパターンのサ
イズや形状、配列によっては、開口ＡＰのＹ方向の長さ
をブレードＢＬ3、ＢＬ4の各エッジで変更した方がよい
こともある。例えばブレードＢＬ3、ＢＬ4の対向するエ
ッジが、ウェハＷ上のショット領域を区画するストリー
トライン上に合致するように調整するとよい。このよう
にすれば、ショット領域のＹ方向のサイズ変化に容易に
対応できる。

【００３８】また１つのショット領域のＹ方向の寸法が
開口ＡＰのＹ方向の最大寸法以上になる場合は、先の特
開平２−２２９４２３号公報にみられるように、ショッ
ト領域の内部でオーバーラップ露光を行なって、露光量
のシームレス化を行なう必要がある。この場合の方法に
ついては後で詳しく述べる。次に本実施例の装置の動作
を説明するが、そのシーケンスと制御は、主制御部１０
０によって統括的に管理される。主制御部１００の基本
的な動作は、レーザ干渉計３８、５０からの位置情報、
ヨーイング情報の入力、駆動系３４、５４内のタコジェ
ネレータ等からの速度情報の入力等に基づいて、スキャ
ン露光時にレチクルステージ３０とＸＹステージ４８と
を所定の速度比を保ちつつ、レチクルパターンとウェハ
パターンとの相対位置関係を所定のアライメント誤差内
に押えたまま相対移動させることにある。

【００３９】そして本実施例の主制御部１００は、その
動作に加えてブラインド機構２０の走査方向のブレード
ＢＬ1、ＢＬ2のエッジ位置をレチクルステージ３０の走
査と同期してＸ方向に移動させるように、駆動系２２を
連動制御することを大きな特徴としている。尚、走査露
光時の照明光量を一定すると、開口ＡＰの走査方向の最
大開き幅が大きくなるにつれてレチクルステージ３０、
ＸＹステージ４８の絶対速度は大きくしなければならな
い。原理的には、ウェハＷ上のレジストに同一露光量
（dose量）を与えるものとしたとき、開口ＡＰの幅を２
倍にすると、ＸＹステージ４８、レチクルステージ３０
も２倍の速度にしなければならない。

【００４０】図３は図１、図２に示した装置に装着可能
なレチクルＲとブラインド機構２０の開口ＡＰとの配置
関係を示し、ここではレチクルＲ上に４つのチップパタ
ーンＣＰ1、ＣＰ2、ＣＰ3、ＣＰ4が走査方向に並んでい
るものとする。各チップパターンはストリートラインに
相当する遮光帯で区画され、４つのチップでパターンの
集合領域（ショット領域）の周辺はストリートラインよ
りも広い幅Ｄsbの遮光帯でかこまれている。

【００４１】ここで、レチクルＲ上のショット領域の周
辺の左右の遮光帯をＳＢｌ、ＳＢｒとし、その外側には
レチクルアライメントマークＲＭ1、ＲＭ2が形成されて
いるものとする。またブラインド機構２０の開口ＡＰ
は、走査方向（Ｘ方向）と直交するＹ方向に平行に伸び
たブレードＢＬ1のエッジＥ1とブレードＢＬ2のエッジ
Ｅ2を有し、このエッジＥ1、Ｅ2の走査方向の幅をＤap
とする。さらに開口ＡＰのＹ方向の長さは、レチクルＲ
上のショット領域のＹ方向の幅とほぼ一致し、周辺のＸ
方向に伸びた遮光帯の中心に開口ＡＰの長手方向を規定
するエッジが合致するようにブレードＢＬ3、ＢＬ4が設
定される。

【００４２】次に図４を参照して、本実施例のＳ＆Ｓ露
光の様子を説明する。ここでは前提として、図３に示し
たレチクルＲとウェハＷとをアライメントシステム６
０、６２、光電センサー６４等を用いて相対位置合せし
たものとする。尚、図４は図３のレチクルＲを横からみ
たもので、ここではブラインド機構２０のブレードＢＬ
1、ＢＬ2の動作をわかり易くするために、レチクルＲの
直上にブレードＢＬ1、ＢＬ2を図示した。

【００４３】まず図４（Ａ）に示すように、レチクルＲ
をＸ方向の走査開始点に設定する。同様に、ウェハＷ上
の対応する１つのショット領域をＸ方向の走査開始に設
定する。このとき、レチクルＲを照明する開口ＡＰの像
は、理想的には幅Ｄapが零であることが望ましいが、ブ
レードＢＬ1、ＢＬ2のエッジＥ1、Ｅ2の出来具合によっ
て完全に零にすることは難しい。

【００４４】そこで本実施例では、開口ＡＰの像のレチ
クル上での幅ＤapがレチクルＲの右側の遮光帯ＳＢｒの
幅Ｄsbよりも狭くなる程度に設定する。通常、遮光帯Ｓ
Ｂｒの幅Ｄsbは４〜６mm程度であり、開口ＡＰの像のレ
チクル上での幅Ｄapは１mm程にするとよい。そして、図
４（Ａ）に示すように開口ＡＰのＸ方向の中心を、光軸
ＡＸに対してΔＸｓだけ、レチクルＲの走査進行方向と
逆方向（同図中の左側）にずらしておく。この距離ΔＸ
ｓは、このレチクルＲに対する開口ＡＰの最大開き幅Ｄ
apの約半分に設定する。より詳しく述べると、開口ＡＰ
の長手方向の寸法はレチクルＲのショット領域のＹ方向
の幅で自ずと決ってしまうため、開口ＡＰのＸ方向の幅
Ｄapの最大値ＤＡmaxもイメージフィールドＩＦの直径
によって決ってくる。その最大値ＤＡmaxは主制御部１
００によって予め計算される。さらに図４（Ａ）の走査
開始点での開口ＡＰの幅（最小）をＤＡminとすると、
厳密には、ＤＡmin＋２・ΔＸｓ＝ＤＡmaxの関係を満た
すように距離ΔＸｓが決められる。

【００４５】次にレチクルステージ３０とＸＹステージ
４８とを投影倍率に比例した速度比で互いに逆方向に移
動させる。このとき図４（Ｂ）に示すように、ブライン
ド機構２０のうち、レチクルＲの進行方向のブレードＢ
Ｌ2のみをレチクルＲの移動と同期して動し、ブレード
ＢＬ2のエッジＥ2の像が遮光帯ＳＢｒ上にあるようにす
る。

【００４６】そしてレチクルＲの走査が進み、ブレード
ＢＬ2のエッジＥ2が図４（Ｃ）のように開口ＡＰの最大
開き幅を規定する位置に達したら、それ以後ブレードＢ
Ｌ2の移動を中止する。従ってブラインド機構２０の駆
動系２２内には各ブレードの移動量と移動速度とをモニ
ターするエンコーダ、タコジェネレータ等が設けられ、
これらからの位置情報と速度情報とは主制御部１００に
送られ、レチクルステージ３０の走査運動と同調させる
ために使われる。

【００４７】こうしてレチクルＲは、最大幅の開口ＡＰ
を通した照明光で照射されつつ、一定速度でＸ方向に送
られ、図４（Ｄ）の位置までくる。すなわち、レチクル
Ｒの進行方向と逆方向にあるブレードＢＬ1のエッジＥ1
の像が、レチクルＲのショット領域の左側の遮光帯ＳＢ
ｌにかかった時点から図４（Ｅ）に示すように、ブレー
ドＢＬ1のエッジＥ1の像をレチクルＲの移動速度と同期
させて同一方向に走らせる。

【００４８】そして、左側の遮光帯ＳＢｌが右側のブレ
ードＢＬ2のエッジ像によって遮へいされた時点（この
とき左側のブレードＢＬ1も移動してきて、開口ＡＰの
幅Ｄapは最小値ＤＡminになっている）で、レチクルス
テージ３０とブレードＢＬ1の移動を中止する。以上の
動作によってレチクルの１スキャンによる露光（１ショ
ット分の露光）終了し、シャッター６が閉じられる。た
だしその位置で開口ＡＰの幅Ｄapが遮光帯ＳＢｌ（又は
ＳＢｒ）の幅Ｄsbにくらべて十分に狭く、ウェハＷへも
れる照明光を零にすることができるときは、シャッター
６を開いたままにしてもよい。

【００４９】次にＸＹステージ４８をＹ方向にショット
領域の一列分だけステッピングさせ、今までと逆方向に
ＸＹステージ４８とレチクルステージ３０とを走査し
て、ウェハＷ上の異なるショット領域に同様のスキャン
露光を行なう。以上、本実施例によれば、レチクルステ
ージ３０の走査方向のストロークを最小限にすることが
でき、また走査方向に関するショット領域の両側を規定
する遮光帯ＳＢｌ、ＳＢｒの幅Ｄsbも少なくて済む等の
利点がある。

【００５０】尚、レチクルステージ３０が図４（Ａ）の
状態から加速して等速走査になるまでは、ウェハＷ上で
走査方向に関する露光量むらが発生する。このため、走
査開始時に図４（Ａ）の状態になるまでプリスキャン
（助走）範囲を定める必要もある。その場合、プリスキ
ャンの長さに応じて遮光帯ＳＢｒ、ＳＢｌの幅Ｄsbを広
げることになる。このことは、１回のスキャン露光終了
時にレチクルステージ３０（ＸＹステージ４８）の等速
運動を急激に停止させられないことに応じて、オーバー
スキャンを必要とする場合においても同様にあてはまる
ことである。

【００５１】ただし、プリスキャン、オーバースキャン
を行なう場合でも、シャッター６を高速にし、開放応答
時間（シャッターの全閉状態から全開までに要する時
間）と閉成応答時間とが十分に短いときは、レチクルス
テージ３０がプリスキャン（加速）を完了して本スキャ
ンに入った時点（図４（Ａ）の位置）、又は本スキャン
からオーバーラン（減速）に移った時点で、シャッター
６を連動させて開閉すればよい。

【００５２】例えばレチクルステージ３０の本スキャン
時の等速走査速度をＶrs（mm／sec)、遮光帯ＳＢｌ、Ｓ
Ｂｒの幅をＤsb（mm）、開口ＡＰのレチクルＲ上での最
小幅をＤＡmim(mm）とすると、Ｄsb＞ＤＡminの条件の
もとで、シャッター６の応答時間ｔsは、次の関係を満
たしていればよい。（Ｄsb−ＤＡmin)／Ｖrs＞ｔs また本実施例の装置では、レチクルステージ３０のヨー
イング量とＸＹステージ４８のヨーイング量とがレーザ
干渉計３８、５０によって夫々独立に計測されているの
で、２つのヨーイング量の差を主制御部１００で求め、
その差が零になるようにレチクルステージ３０、又はウ
ェハホルダー４４をスキャン露光中に微小回転させれば
よい。ただしその場合、微小回転の回転中心は常に開口
ＡＰの中心になるようにする必要があり、装置の構造を
考慮すると、レチクルステージ３０のＸ方向のガイド部
分を光軸ＡＸを中心として微小回転させる方式が容易に
実現できる。

【００５３】図５は、図１、図２に示した装置に装着可
能なレチクルＲのパターン配置例を示し、チップパター
ンＣＰ1、ＣＰ2、ＣＰ3は、図３に示したレチクルＲと
同様にスリット状開口ＡＰからの照明光を使ったステッ
プ・アンド・スキャン方式でウェハを露光するように使
われる。また同一のレチクルＲ上に形成された別のチッ
プパターンＣＰ4、ＣＰ5は、ステップ・アンド・リピー
ト（Ｓ＆Ｒ）方式でウェハを露光するように使われる。

【００５４】このような使い分けは、ブラインド機構２
０のブレードＢＬ1〜ＢＬ4による開口ＡＰの設定によっ
て容易に実現でき、例えばチップパターンＣＰ4を露光
するときは、レチクルステージ３０を移動させてチップ
パターンＣＰ4のパターン中心が光軸ＡＸと一致するよ
うに設定するとともに、開口ＡＰの形状をチップパター
ンＣＰ4の外形に合わせるだけでよい。そしてＸＹステ
ージ４８のみをステッピングモードで移動させればよ
い。以上のように図５に示したレチクルパターンにする
と、Ｓ＆Ｓ露光とＳ＆Ｒ露光とが同一装置によって選択
的に、しかもレチクル交換なしに実行できる。

【００５５】図６は、露光すべきレチクル上のチップパ
ターンのスキャン方向と直交する方向（Ｙ方向）のサイ
ズが、投影光学系のイメージフィールドＩＦに対して大
きくなる場合に対応したブラインド機構２０のブレード
ＢＬ1〜ＢＬ4の形状の一例を示し、開口ＡＰの走査方向
（Ｘ方向）の幅を規定するエッジＥ1、Ｅ2は、先の図２
と同様に円形イメージフィールドＩＦの中心を通るＹ軸
と平行に伸びている。また開口ＡＰの長手方向を規定す
るエッジＥ3、Ｅ4は互いに平行ではあるがＸ軸に対して
傾いており、開口ＡＰは平行四辺形（矩形）になる。

【００５６】この場合、４枚のブレードＢＬ1〜ＢＬ4は
スキャン露光時のレチクル移動に連動してＸ、Ｙ方向に
移動する。ただし、スキャン露光方向のブレードＢＬ
1、ＢＬ2のエッジＥ1、Ｅ2の像のＸ方向の移動速度Ｖbx
は、レチクルの走査速度Ｖrsとほぼ同一であるが、ブレ
ードＢＬ3、ＢＬ4を動かす必要のあるときは、そのエッ
ジＥ3、Ｅ4のＹ方向の移動速度Ｖbyは、エッジＥ3、Ｅ4
のＸ軸に対する傾き角をθｅとすると、Ｖby＝Ｖbx・ta
nθｅの関係に同期させる必要がある。

【００５７】図７は、図６に示した開口形状によるＳ＆
Ｓ露光時の走査シーケンスを模式的に示したものであ
る。図７中、開口ＡＰはレチクルＲ上に投影したものと
して考え、その各エッジＥ1〜Ｅ4で表示した。また図
６、図７の第２実施例では、ウェハＷ上に投影すべきレ
チクルＲ上のチップパターン領域ＣＰが開口ＡＰの長手
方向の寸法の約２倍の大きさをもつものとする。このた
め第２実施例ではレチクルステージ３０も走査方向と直
交したＹ方向に精密にステッピングする構造にしてお
く。

【００５８】まず、図６中のブレードＢＬ1、ＢＬ2を調
整して、走査開始上では図７（Ａ）のような状態に設定
する。すなわち、最も幅をせばめた状態の開口ＡＰがレ
チクルＲの右側の遮光帯ＳＢｒ上に位置するようにする
と共に、開口ＡＰの左側のエッジＥ1は、光軸ＡＸから
最も離れた位置（開口ＡＰをＸ方向に最も広げたときの
エッジ位置）に設定する。

【００５９】また図７中、走査方向（Ｘ方向）にベルト
状に伸びた領域Ａｄ、Ａｓは一回の走査露光では露光量
不足となる部分である。この領域Ａｄ、Ａｓは開口ＡＰ
の上下のエッジＥ3、Ｅ4がＸ軸に対して傾いていること
によって生じるものであり、各領域Ａｄ、ＡｓのＹ方向
の幅は、エッジＥ3、Ｅ4の傾き角θｅとエッジＥ1とＥ2
の最大開口幅ＤＡmaxとによって、ＤＡmax・tanθeとし
て一義的に決まる。

【００６０】この露光量ムラとなる領域Ａｄ、Ａｓのう
ち、パターン領域ＣＰ中に設定される領域Ａｄに対して
は、開口ＡＰのエッジＥ3、Ｅ4による三角形部分をＹ方
向に関してオーバーラップさせて走査露光することで、
露光量の均一化を図るようにした。また、他方の領域Ａ
ｓに関しては、ここを丁度レチクルＲ上の遮光帯に合せ
るようにした。

【００６１】さて、図７（Ａ）の状態からレチクルＲと
エッジＥ2（ブレードＢＬ2）を＋Ｘ方向（同図中の右
側）にほぼ同じ速度で走らせる。やがて図７（Ｂ）に示
すように開口ＡＰのＸ方向の幅が最大となり、エッジＥ
2の移動も中止する。この図７（Ｂ）の状態では、開口
ＡＰの中心と光軸ＡＸとがほぼ一致する。その後はレチ
クルＲのみが＋Ｘ方向に等速移動し、図７（Ｃ）のよう
に開口ＡＰの左側のエッジＥ1が左側の遮光帯ＳＢｌに
入った時点から、エッジＥ1（ブレードＢＬ1）レチクル
Ｒとほぼ同じ速度で右側（＋Ｘ方向）へ移動する。こう
して、チップパターン領域ＣＰの下側の約半分が露光さ
れ、レチクルＲと開口ＡＰとは図７（Ｄ）のような状態
で停止する。

【００６２】次に、レチクルＲを−Ｙ方向に一定量だけ
精密にステッピングさせる。ウェハＷは＋Ｙ方向に同様
にステッピングされる。すると図７（Ｅ）に示すような
状態になる。このときオーバーラップ領域Ａｄがエッジ
Ｅ4で規定される三角形部分で重畳露光されるようにＹ
方向の相対位置関係が設定される。またこの際、開口Ａ
ＰのＹ方向の長さを変える必要があるときは、エッジＥ
3（ブレードＢＬ3）、又はエッジＥ4（ブレードＢＬ4）
をＹ方向に移動調整する。

【００６３】次に、レチクルＲを−Ｘ方向に走査移動さ
せるとともに、エッジＥ1（ブレードＢＬ1）を−Ｘ方向
に連動して移動させる。そして図７（Ｆ）のようにエッ
ジＥ1、Ｅ2による開口幅が最大となったら、エッジＥ1
の移動を中止し、レチクルＲのみを−Ｘ方向に引き続き
等速移動させる。以上の動作によって、投影光学系のイ
メージフィールドのＹ方向の寸法以上の大きなチップパ
ターン領域ＣＰをウェハＷ上に露光することができる。
しかもオーバーラップ領域Ａｄを設定し、開口ＡＰの形
状によって露光量不足となる両端部分（三角部分）を２
回の走査露光によって重畳露光するので、領域Ａｄ内の
露光量も均一化される。

【００６４】図８はブラインド機構２０の他のブレード
形状を示し、走査方向を規定するブレードＢＬ1、ＢＬ2
のエッジＥ1、Ｅ2は互いに平行な直線であり、走査方向
と直交する方向のブレードＢＬ3、ＢＬ4のエッジは光軸
ＡＸを通るＹ軸に関して対称な三角形となっている。そ
してここではブレードＢＬ3、ＢＬ4のエッジは互いにＹ
方向に近づけていくと、ほぼ完全に遮光できるような相
補形状になっている。従って開口ＡＰの形状は、所謂シ
ェブロン形にすることができる。このようなシェブロン
形の場合も、両端の三角形部分でオーバーラップ露光を
行なうと、同様に均一化が可能である。

【００６５】以上、本発明の各実施例では投影露光装置
を前提としたが、マスクとウェハとを近接させて、照射
エネルギー（Ｘ線、等）に対してマスクとウェハを一体
に走査するプロキシミティーアライナーにおいても同様
の方式が採用できる。

【００６６】

【発明の効果】以上の本発明によれば、走査露光方式に
おけるマスク（レチクル）の移動ストロークを小さくす
ることが可能になるとともに、マスク上の走査方向の照
明領域の寸法を、従来の六角形よりは小さいが従来の円
弧状よりは大きく取ることができるので、移動ストロー
クの減少と相まって処理スループットを高めることがで
きる。

【００６７】また本発明によって規定された照明光の分
布は矩形スリット状であるため、その走査方向に関する
幅を極めて容易に、かつ正確に変更可能であるので、照
明光の幅を走査露光と連動して変化させれば、マスクス
テージのオーバーランを極めて小さくでき、マスクステ
ージの移動ストロークも最小限にすることができる。特
に本発明では、投影光学系の投影視野内の矩形状または
スリット状の領域を利用するようにしたので、チップパ
ターン領域の非走査方向に関するサイズは投影視野の直
径に近い値まで許容されることになり、オーバーラップ
露光することなく１回の走査で転写可能な露光フィール
ドのサイズも、従来の特開平２−２２４９２３号公報に
開示された方式と比べて大きくできる。

【００６８】さらに投影視野内の細長い矩形状またはス
リット状の領域のみを使うため、投影光学系の結像性能
の１つである像歪み特性も、その矩形状またはスリット
状の領域のみを考慮すればよく、高解像力（高ＮＡ）、
大フィールドの投影光学系の製造が比較的容易になると
いった利点もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による投影露光装置の構成を示
す図。

【図２】ブラインド機構のブレード形状を示す平面図。

【図３】図１の装置に好適なレチクルのパターン配置を
示す平面図。

【図４】本発明の実施例における走査露光動作を説明す
る図。

【図５】図１の装置に装着可能なレチクルの他のパター
ン配置を示す平面図。

【図６】第２の実施例によるブラインド機構のブレード
形状を示す平面図。

【図７】第２の実施例によるステップ＆スキャン露光の
シーケンスを説明する図。

【図８】他のブレード形状を示す平面図。

【図９】円弧状スリット照明光を使った従来のステップ
＆スキャン露光方式の概念を説明する図。

【図１０】（Ａ）正六角形照明光を使った従来のスキ
ャン露光方式を説明する図。（Ｂ）正六角形照明光を使った従来のスキャン露光方
式を説明する図。

【主要部分の符号の説明】

ＲレチクルＰＬ投影光学系ＩＦ円形イメージフィールドＷウェハＢＬ1 、ＢＬ2 、ＢＬ3 、ＢＬ4 ブレードＡＰ開口２０ブラインド機構３０レチクルステージ４８ＸＹステージ１００主制御系。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】遮光帯で囲まれた回路パターン領域を
有するマスクと該マスクの回路パターン領域が転写され
る感光基板とを投影光学系の物体面側と像面側に配置
し、前記マスクと感光基板とを前記投影光学系の投影視
野に対して所定の速度比で１次元移動させることで前記
マスクの回路パターンを前記感光基板上に走査露光する
方法において、露光に先立って、前記マスクの１次元移動の加速に必要
なプリスキャンの範囲を設定し、該プリスキャンの完了
後の定速走査期間における前記マスクの移動速度を設定
する段階と；前記定速走査期間の間は、前記投影光学系
の投影視野内で前記１次元移動の方向と直交した非走査
方向に伸びる矩形スリット状の強度分布の照明光を前記
マスクに向けて照射するとともに、前記プリスキャンか
ら前記定速走査期間に入った時点では前記矩形スリット
状の照明光の非走査方向に延びた一端部が前記マスク上
の遮光帯と重なるように、前記マスクの移動と前記照明
光の照射とを連動させる段階とを含むことを特徴とする
走査露光方法。
【請求項２】前記マスクに照射される前記矩形スリ
ット状の照明光は、光源からの照明光を遮蔽、開放する
シャッターを介して作られることを特徴とする請求項１
に記載の走査露光方法。
【請求項３】前記マスクに照射される前記矩形スリ
ット状の照明光は、前記マスクと光学的にほぼ共役に配
置されるブラインドの矩形スリット開口を介して作られ
ることを特徴とする請求項１に記載の走査露光方法。
【請求項４】前記ブラインドと前記マスクとの間
に、前記ブラインドの矩形スリット開口を前記マスク上
に拡大投影する拡大光学系を設けたことを特徴とする請
求項３に記載の走査露光方法。
【請求項５】前記ブラインドは、前記非走査方向に
延びた遮光エッジを有するとともに、前記１次元移動方
向に移動可能に対向配置された２枚の可動ブレードを含
み、該２枚の可動ブレードのいずれか一方を、前記マス
クの移動と前記照明光の照射とを連動させる段階の際に
移動させることを特徴とする請求項３に記載の走査露光
方法。
【請求項６】遮光帯で囲まれた回路パターン領域を
有するマスクと該マスクの回路パターンが転写される感
光基板とを投影光学系の物体面側と像面側とに配置し、
前記マスクと感光基板とを前記投影光学系の投影視野に
対して所定の速度比で１次元移動させることによって、
前記感光基板上に前記マスクの回路パターンを走査露光
方式により形成する回路パターンの製造方法において、露光に先立って、前記マスクの１次元移動の加速に必要
なプリスキャンの範囲を設定し、該プリスキャンの完了
後の定速走査期間における前記マスクの移動速度を設定
する段階と；前記定速走査期間の間は、前記投影光学系
の投影視野内で前記１次元移動の方向と直交した非走査
方向に伸びる矩形スリット状の強度分布の照明光を前記
マスクに向けて照射するとともに、前記プリスキャンか
ら前記定速走査期間に移行した時点では前記矩形スリッ
ト状の照明光の非走査方向に延びた一端部が前記マスク
上の遮光帯と重なるように、前記マスクの移動と前記照
明光の照射とを連動させる段階とを含むことを特徴とす
る回路パターン製造方法。
【請求項７】前記マスクに照射される前記矩形スリ
ット状の照明光は、光源からの照明光を遮蔽、開放する
シャッターを介して作られることを特徴とする請求項６
に記載の製造方法。
【請求項８】前記マスクに照射される前記矩形スリ
ット状の照明光は、前記マスクと光学的にほぼ共役に配
置されるブラインドの矩形スリット開口を介して作られ
ることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項９】前記ブラインドと前記マスクとの間
に、前記ブラインドの矩形スリット開口を前記マスク上
に拡大投影する拡大光学系を設けたことを特徴とする請
求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】前記ブラインドは、前記非走査方向に
延びた遮光エッジを有するとともに、前記１次元移動方
向に移動可能に対向配置された２枚の可動ブレードを含
み、該２枚の可動ブレードのいずれか一方を、前記マス
クの移動と前記照明光の照射とを連動させる段階の際に
移動させることを特徴とする請求項８に記載の製造方
法。