JPS6221220A - マスクレス露光装置 - Google Patents

マスクレス露光装置

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JPS6221220A
JPS6221220A JP60160093A JP16009385A JPS6221220A JP S6221220 A JPS6221220 A JP S6221220A JP 60160093 A JP60160093 A JP 60160093A JP 16009385 A JP16009385 A JP 16009385A JP S6221220 A JPS6221220 A JP S6221220A
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JP
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dmd
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reflected light
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JP60160093A
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English (en)
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Tadashi Yamakawa
正 山川
Yoichi Kubota
洋一 窪田
Atsushi Tanaka
淳 田中
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Canon Inc
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70283Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明はマスクレス露光装置に関するものである。
〔従来技術〕
従来のマイクロリソグラフィにおける露光装置として、
例えばl:1スキヤニングプロジエクシヨン装鐙、to
x、sx、tx等々の各倍率のステッパー等があるが、
これらはいずれも露光原板すなわち、マスクを用いて、
その露光原板の像を感光材を表面にコーティングした被
露光体上に結像し、レジストパターンを作成するもので
ある。
この装置は、大量生産には良いが、多品種、少量生産に
おいては、その2都度マスクの作成から始めなければな
らないので、そのような用途には不向きであった。
これに対し、マスクレスのレジストパターン作成装置と
して電子ビーム描画装置がある。これは上記のマスクそ
のものを描画するパターン発生器として用いられるほか
、少量生産時のウェハ描画にも応用されている。また電
子ビームのかわりにレーザビームによって描画する装置
もある。これらのビームを応用したビーム描画装置は5
いずれもビームを一次元方向に走査し、ビームの0N1
0FFを制御するとともに、ウェハやマスクを固定した
テーブルを移動させることにより、任意のパターンを描
画できるものである。しかし1次のような問題点があっ
た。
(1)いずれも一時に描けるのは点領域であることから
、スループットが悪い。
(2)電子ビーム描画装置では、電子を対象物に衝突さ
せるために、真空中に電子走査系を作成し、対象物はそ
の真空中に入れなければならず1手間が非常にか−る。
(3)レーザビーム描画装置では、レーザ光の波長が限
られてしまうので、感光材とのマツチングをとりにくい
し、散乱、干渉等の問題にも対応しにくい。
〔目的〕
この発明はこのような従来の問題点を解決するためにな
されたもので、スループ7トが向上し、かつ、大気中で
任意の波長の光にて、マスクを用いずに直接パターン描
画が可能なマスクレス露光装置を提供することを目的と
している。
〔実施例〕 第1図はこの発明の実施例における反射手段としてのD
 M D (Deformable Mirror D
evice)を示す。DMDはミラーが揺動する電気機
械変換素子であって、IEE Transaction
 on Electron DeviceVat、 E
D−30No、5544(1983)に記述がなされ、
光学系については特開昭59−17525号に開示され
ている。
図において、1はミラーでA交、Ag等で製造され入射
光の反射の役割を有する。2はミラーlを支持する基板
で、Auなど−で構成されている。
3.4はミラーlとその基板2の支持部材で、前者3は
ミラーコンタクトと呼ばれ、特に電気機械動作をする後
述のひんじ部14を支持するものであり、後者4はポリ
オキサイドシリカからなる絶縁層である。5はポリシリ
コンゲートでMO5型FETのゲートの役割を有する。
6はエアーギャップで、 o、e p〜数終の空どうで
ある。7はフローティング・フィールドフレートで、N
+フローティングソース8力)らトランジスタのON 
、 OFF情報により電圧がか−る。9はN+ドレイン
で、これもMO3型FETのゲートの役割をする。lO
はゲートオキサイド、11はP型シリコン基板である。
第1図(b)は第1図(a)のA方向からみた平面図で
、12はエアー空隙、13はこのエアー空隙12によっ
て区画され、後述するひんじ部14で電気機械的に揺動
するミラー部、14はこのミラー部13のひんし部であ
る。
第1図(C)は同図(a)、(b)の電気的等価図を示
す、vMはミラー部13にか−る電圧を示す。
V、F ハN+フローティングソース8にか−る電圧を
示す、15はMO5型FETを示しており、N+ドレイ
ン9のD(ドレイン)信号、ポリシリコンゲート5のG
(ゲート)信号のON、OFFにより電圧V「がN+フ
ローティングソース8にON、OFFされる。この時ミ
ラー部23に電圧vMがか−っており、ミラー部13と
N+フローティングソース8との間に電位差がON、O
FF信号により増減されることになる。この電位差に応
じてN+フローティングソース8とミラー部13との間
につぎの式に応じた力Fが生じ、FcJ3Kv (K:
定数  V:電位差α:定数  F:曲げ力 ミラー13はひんじ部14で揺動する。
第1図(a)の左図はミラー部13とN+フローティン
グソース8との間に電位差が大きい場合で、ミラー部1
3はひんじ部14から折れ曲がり、この作用のため入射
光はミラー部13のふれ角の2倍だけ角度をかえて反射
される。
一方、電位差が少ない場合は、第1図(a)の右図に示
すように、ミラー部13はフローティング・フィールド
プレート7によりひっばられる力が少なく湾曲されない
、従って入射光はミラー部13がふれない状態で反射さ
れることとなる。このように、DMDとは、電気的ON
、OFFをミラー部13の揺動のON、OFFに変換し
、さらに光のふれ角に変換するものである。
第2図は上記DMDを、露光装置に適用したこの発明の
実施例を示す。
図において、21は照明手段としての光源、22,24
ばDMDを照明するための光学系、23はその光学系の
ためのスリット板で、DMDのミラー部13のみを照明
するように構成されている。25.26は折り曲げミラ
ー、27はDMDである。この素子のミラー部13は第
1図(a)〜(C)の原理により電気1機械動作をする
もので、かつ、第3図に示すように、アレイ状に多数配
列されている。28はDMD駆動回路、29はDMD2
7の反射光を被露光体30に結像する結像手段としての
レンズ(光学系)で、汗通DMDに信号がONした時の
み光が入る。30は上記被露光体であり、例えば感光材
をコーティングしたウェハやマスク原板である。31は
被露光体30を保持し、互いに垂直な?方向に移動する
テーブルである。DMD27のミラー部13の列が紙面
の手前から奥に向かう方向に配置され、同様に被露光体
30の上面に紙面の手前から奥に向かう方向にミラー部
13の列による像の列が結像されるとき、上記テーブル
31は紙面の手前と奥の方向(Ax方向)と左右方向(
Ay力方向の2方向に移動できるようになっている。
計算機32は、CAD等により描画パターンを作成し、
その情報を補助記憶装置33に一時2憶しておS、レジ
ストパターン描画時には、描画パターン情報を補助記憶
装置33から読み出し、露光装置インターフェース34
に送り込む、露光装置インターフェース34は、入力し
た情報に従って、DMD27のそれぞれのミラー部13
に対応した画素データを選択し、そのデータの状態(1
oro)によって、ミラー部13の揺動、つまり傾斜、
復元を決定し、対応する駆動電圧を発生させるように、
駆動信号をDMD駆動回路28に入力する。DMD駆動
回路28に入力した信号はDMDに指令入力を与える。
DMD27はこの信号に応じて第1図(a)〜(c)に
示した動作原理に従い電気機械的に反応し、第3図に示
したような多数配列された中の前記信号に相邑するアレ
イミラーが揺動する。光源21より発せられた照明系の
光Aは光学系22,24.スリット板23.折り曲げミ
ラー25.26を通り、DMD27上をスリット状に照
明する。照射された光AはDMD 27上のアレイミラ
ー部13の状況がOFFの場合にはCの方向に反射光が
向い遮光板35で遮光され、被露光体30上には光がと
どかない。ONの場合には、B方向に光が反射されてレ
ンズ29に入り、ミラー部13−個に相応したドツトパ
ターンが被露光体30上に結ばれる。従って、ライン状
のON、OFF信号をDMD駆動回路28に入力すれば
、ライン状の潜像が被露光体上に形成される。そして、
ミラー部13の幅分だけy方向にテーブル31を移動さ
せるように信号をテーブル駆動装置36に送る。そして
次の別の露光を行うために、再び各ミラー部13に対応
したデータを読み込み、次のライン状のON 、OFF
信号をDMD駆動回路28に入力する。
このように1列ごとのパターンデータを逐次計算機32
から入力することにより、一度に1列(DMDのミラー
部13の列がn列ならn列)づつパターン描画できる。
第4図は第2図を矢印A1方向から見たときのDMD 
27と被露光体30の関係を示した図である。被露光体
30をICのウニ/\とした場合、IC1個当りの大き
さは、たかだか5mmX5mm程度である。一方、ウェ
ハの大きさは直径がLoommから150■である。従
って、一般に一枚のウェハを複数個のICに分割してパ
ターンを描く、このとき、この実施例においては、レン
ズ29によって、DMD27のミラー部13の列部分を
10分の1に縮小して結像する。すなわち、ミラー部1
3の列の長さを50■にして、それを5mmの像として
結像させる。DMDにおいては、1つのミラー部13を
10弘mX10JLm程度に形成することができるので
、結像された像の最小幅はlpmになる。こうして、微
細なパターンの描画が可能になる。
すなわち、テーブル31を1ライン露光ごと番とlpm
づつ矢印AV力方向移動させ、5000゜層移動して1
つのICのパターンを形成する。そして、同じようにし
て、矢印Ay力方向複数個のICパターンを形成したの
ち、一旦テーブル31を矢印AV力方向逆の方向に戻し
、矢印Ax力方向5IIlffiづつ移動したのち、同
様の露光を行うことにより、2列目のICパターンを形
成できる。これを鰻り返すことにより、ウェハ上に複数
個の工′Cパターンを描画できる。
第5図は通常使用されている上記DMD駆動回路28の
一例を示したものである。41はCADで作成したデー
タ等からのIN PUT信号入力増幅器で、2値信号の
場合はON、OFF、また、アナログ信号の場合はその
量に応じた電圧が出力される。信号はシリーズにつなが
って通常入力されるのでシリパラ変換器42でDMD2
7,27のミラー部13の数に応じたパラレル信号に変
換されレジスター43にだくわえられる。その信号を同
期信号により一列分同時に読み出し、増幅器44を経て
、2列のDMD27,27のドレインに所定の電圧信号
がかけられる。一方、デコーダー45により該同期信号
に応じて、ゲート信号をDMD27.27に与える。こ
のドレイン信号の量、または有無および列毎のゲート信
号の有無によってDMD27.27のフローティングソ
ースの電圧がフローティングフィールドプレート17に
伝えられ、ミラー部13の揺動のON、OFFの選択が
行われる。
なお、テーブル31は、ウェハ端部まで走査した後、−
挙に逆の端部まで戻すかわりに、1つのICパターンの
ラインパターンを逆の方から1ラインづつ、DMDWI
Agh回路28に入力するようにして、1延履づつ矢印
AVの′逆方向にテーブル31を動かすようにしてジグ
ザグに露光すればさらにスループットが上がる。また、
1つのICごとに、ラインパターンをかえれば、異なっ
たICのパターンを同一ウェハ上に形成することもでき
る。もちろん、51層角より小さいICについては、5
層厘×5朧曹の範囲に複数個のICが形成されるように
信号を送ることによって可能である。4■角の場合も、
矢印AV力方向は、4■履ごとに入カバターンの繰り返
しを行い、1列のICが形成されたのち、矢印Ax力方
向4層重ステップ移動させればよい。
光源21は、その種類を問わないので、感光材や散乱の
関係から、UV光源を用いることができるし、X線等を
用いてもかまわない。
上述のように、この実施例においては1個別に揺動可能
なミラー部を有するDMDに光を照射し、その反射光の
うち、描画パターン情報に従って電気的に制御された前
記ミラー部13で選択された反射光のみを被露光体上に
結像させるようにしたので、スルーブツトが向上し、光
源を任意に選択でき、真空中ではなく、通常の大気中で
パターン描画が可能であり、マスクを用いずに電気的制
御信号によってパターン描画が可能となる。
〔効果〕
以上説明したように、この発明によれば、個別に揺動可
能な多数のミラー部を、描画パターン情報に従って電気
的に制御して揺動させ、これによって選択されたミラー
部による反射光のみを被露光体上に結像させるようにし
たから、スルーブツトが向上し、かつ、大気中で任意の
光源でマスクを用いずに直接パターン描画できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の実施例に使用するDMDを示し、
同図(a)はその断面図、同図(b)はその平面図、同
図(C)は同図(a)、(b)の電気的等価図、第2図
はこの発明の実施例の構成図、第3図は第2図における
DMDのアレイ概念図、第4図は第2図の要部斜視図、
第5図は第2図におけるDMDI!勤回路図である。 図中、13はミラー部、21は光源、22.24は光学
系、23はスリット板、25.26は折り曲げミラー、
27はDMD、28t*DMD’1AeJ回路、29は
レンズ(光学系)、30は被露光体、31はテーブルで
ある。 なお、同符号は同一または相当部分を示す。 第2図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 個別に揺動可能な多数のミラー部を少なくとも1列に配
    置した反射手段と、この反射手段のミラー部を照明する
    照明手段と、この照明手段の前記ミラー部による反射光
    を所定位置に結像させる結像手段と、前記反射手段のミ
    ラー部の揺動に応じてその反射光が結像手段に入力する
    か否かを選択する選択手段と、少なくとも直交する2方
    向に移動可能であって、前記所定位置に比被露光体を保
    持可能な被露光体保持手段とを有するマスクレス露光装
    置。
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