JP2006195353A - 露光装置及び表示デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 スループット低下を招くことなく感光基板のフォーカス位置を正確に検出することができる露光装置を提供する。
【解決手段】 マスクＭと感光性基板Ｐとを走査方向に同期移動させて、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１１を介してマスクのパターンを感光性基板上に露光する露光装置ＥＸにおいて、投影光学系の光軸方向における該投影光学系に対する感光性基板の位置を検出する複数の位置検出手段５０，５２と、複数の位置検出手段により検出された感光性基板の検出結果に基づいて面傾斜を算出する面傾斜算出手段ＣＯＮＴと、面傾斜算出手段により算出された面傾斜と投影光学系を介して感光性基板に投影されるマスクのパターンの像面との相対位置を補正する相対位置補正手段ＰＳＴとを備え、複数の位置検出手段は、感光性基板を露光する露光開始前に、基板の平面内の複数の異なる位置においてそれそれ計測を行い、相対位置補正手段は、復数の計測結果に基づいて相対位置を補正する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、液晶表示素子等のフラットパネル表示素子をリソグラフィ工程で製造するための露光装置及び該露光装置を用いた表示デバイスの製造方法に関するものである。

現在、半導体集積回路の製造においては、マスク上に形成された非常に微細なパターンを感光性基板上に転写するために、可視光あるいは紫外光を利用したフォトリソグラフィの手法が用いられている。このフォトリソグラフィの手法を用いた製造工程において、液晶表示デバイスや半導体デバイス等の電子デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、パターンを有するマスクを載置して２次元移動するマスクステージと感光基板を載置して２次元移動する基板ステージとを有し、マスク上に形成されたパターンをマスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながら投影光学系を介して感光基板に投影露光するものである。露光装置としては、感光基板上にマスクのパターン全体を同時に転写する一括型露光装置と、マスクステージと基板ステージとを同期走査しつつマスクのパターンを連続的に感光基板上に転写する走査型露光装置との２種類が主に知られている。このうち、液晶表示デバイスを製造する際には、表示領域の大型化の要求から走査型露光装置が主に用いられている（例えば、特許文献１参照）。

この走査型露光装置においては、フォーカスセンサによりマスクのパターン形成面及び感光基板の被露光面の投影光学系の光軸方向における位置（フォーカス位置）をリアルタイムで検出し、フォーカス位置の制御を行っている。

特開２００４‐１７７４６８号公報

ところで、上述の露光装置においては、フォーカスセンサによりフォーカス位置をリアルタイムに検出しているが、ロットの先頭基板の露光（スキャン）開始時においては、フォーカスセンサが感光基板上に位置していないためフォーカス位置をリアルタイムに検出することができない。従って、露光を開始する前に露光（スキャン）開始時におけるフォーカス位置を検出するためにフォーカスセンサを感光基板上に移動させフォーカス位置の検出を行い、その検出結果を記憶し、記憶した検出結果に基づいて露光（スキャン）を開始していたため、スループットの低下を招いていた。また、上述の露光（スキャン）開始時における感光基板のフォーカス位置を検出する際の条件（例えば、スキャンの加速度、速度、基板ステージの姿勢等）は実露光条件と異なっているため、正確な感光基板のフォーカス位置を検出することが困難であった。

この発明の課題は、スループット低下を招くことなく感光基板のフォーカス位置を正確に検出することができる露光装置及び該露光装置を用いた表示デバイスの製造方法を提供することである。

この発明の露光装置は、マスクと外径が５００ｍｍよりも大きい感光性基板とを走査方向に同期移動させて、投影光学系を介して前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露光する露光装置において、前記投影光学系の光軸方向における該投影光学系に対する前記感光性基板の位置を検出する複数の位置検出手段と、前記複数の位置検出手段により検出された前記感光性基板の検出結果に基づいて面傾斜を算出する面傾斜算出手段と、前記面傾斜算出手段により算出された面傾斜と前記投影光学系を介して前記感光性基板に投影される前記マスクのパターンの像面との相対位置を補正する相対位置補正手段とを備え、前記複数の位置検出手段は、前記感光性基板を露光する露光開始前に、前記基板の平面内の複数の異なる位置においてそれそれ計測を行い、前記相対位置補正手段は、前記復数の計測結果に基づいて前記相対位置を補正することを特徴とする。

この発明の露光装置によれば、複数の位置検出手段により検出された基板平面内の複数の異なる位置における計測結果に基づいて面傾斜とマスクのパターンの像面との相対位置を補正する相対位置補正手段を備えているため、従来の露光装置のように露光を開始する前に面傾斜とマスクのパターンの像面との相対位置を検出するためのシーケンスを別途行う必要がなく、露光処理能力を向上させることができる。

また、この発明の表示デバイスの製造方法は、マスクのパターンを外径が５００ｍｍよりも大きい感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とする表示デバイスの製造方法において、前記露光工程は、この発明の露光装置を用いて前記マスクのパターンを前記感光基板上に露光する工程を含むことを特徴とする。

この発明の表示デバイスの製造方法によれば、フォーカス位置の調整が正確に行われた露光装置を用いて露光を行うため、高スループットで表示デバイスの製造を行うことができ、かつ良好な表示デバイスを得ることができる。

この発明の露光装置によれば、複数の位置検出手段により検出された基板平面内の複数の異なる位置における計測結果に基づいて面傾斜とマスクのパターンの像面との相対位置を補正する相対位置補正手段を備えているため、従来の露光装置のように露光を開始する前に面傾斜とマスクのパターンの像面との相対位置を検出するためのシーケンスを別途行う必要がなく、露光処理能力を向上させることができる。

また、この発明の表示デバイスの製造方法によれば、フォーカス位置の調整が正確に行われた露光装置を用いて露光を行うため、高スループットで表示デバイスの製造を行うことができ、かつ良好な表示デバイスを得ることができる。

以下、図面を参照して、この発明の第１の実施の形態にかかる露光装置について説明する。図１は、第１の実施の形態にかかる露光装置の概略構成図であり、図２は図１に示す露光装置の概略斜視図である。

図１及び図２において、露光装置ＥＸは、露光光でマスクＭを照明する複数の照明系モジュール１０ａ〜１０ｋを備えた照明光学系ＩＬと、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、照明系モジュール１０ａ〜１０ｋのそれぞれに対応して配置され、露光光で照明されたマスクＭのパターンの像を外径が５００ｍｍよりも大きい感光基板（感光性基板）Ｐ上に投影する複数の投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１１と、感光基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴと、レーザ光を用いてマスクステージＭＳＴの位置を検出するマスク側レーザ干渉計３９ａ，３９ｂと、レーザ光を用いて基板ステージＰＳＴの位置を検出する基板側レーザ干渉計４３ａ，４３ｂとを備えている。この実施の形態において、照明系モジュールは１０ａ〜１０ｋの１１つであり、図１には便宜上照明系モジュール１０ａに対応するもののみが示されているが、照明系モジュール１０ａ〜１０ｋのそれぞれは同様の構成を有している。感光基板Ｐはガラスプレートにレジスト（感光剤）を塗布したものである。

露光装置ＥＸは、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭと基板ステージＰＳＴに支持されている感光基板Ｐとを同期移動しつつ投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１１を介してマスクＭのパターンを感光基板Ｐに投影露光する走査型露光装置である。以下の説明において、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１１の光軸方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な方向でマスクＭ及び感光基板Ｐの同期移動方向（走査方向）をＸ軸方向とし、Ｚ軸方向及びＸ軸方向に直交する方向（非走査方向）をＹ軸方向とする。

図１に示すように、照明光学系ＩＬは、露光用光源６と、光源６から射出された光束を集光する楕円鏡６ａと、楕円鏡６ａにより集光された光束のうち露光に必要な波長の光束を反射し、その他の波長の光束を透過させるダイクロイックミラー７と、ダイクロイックミラー７で反射した光束のうち更に露光に必要な波長のみを通過させる波長選択フィルタ８と、波長選択フィルタ８からの光束を複数本（本実施の形態では１１本）に分岐して、反射ミラー１１を介して照明系モジュール１０ａ〜１０ｋのそれぞれに入射させるライトガイド９とを備えている。本実施の形態における露光用光源６には水銀ランプが用いられ、露光光としては波長選択フィルタ８により、露光に必要な波長であるｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）などが用いられる。

照明系モジュール１０ａは、照明シャッタ１２と、リレーレンズ１３と、リレーレンズ１３を通過した光束をほぼ均一な照度分布の光束に調整して露光光に変換するオプティカルインテグレータ１４と、オプティカルインテグレータ１４からの露光光を集光してマスクＭを均一な照度で照明するコンデンサレンズ１５とを備えている。この実施の形態において、照明系モジュール１０ａと同じ構成の照明系モジュール１０ｂ〜１０ｋが、Ｘ軸方向とＹ軸方向とに一定の間隔を持って配置されている。

照明シャッタ１２は、ライトガイド９の光路下流側に光束の光路に対して進退自在に配置されており、光束の遮蔽・解除をする。照明シャッタ１２には、この照明シャッタ１２を光束の光路に対して進退移動させるシャッタ駆動部１２Ｄが設けられており、制御装置ＣＯＮＴによりその駆動を制御される。照明シャッタ１２を通過した光束は、リレーレンズ１３を介してオプティカルインテグレータ１４に達する。オプティカルインテグレータ１４の射出面側には二次光源が形成され、オプティカルインテグレータ１４からの露光光はコンデンサレンズ１５を介してマスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを均一な照度で照射する。そして、照明系モジュール１０ａ〜１０ｋのそれぞれから射出した露光光はマスクＭ上の異なる照明領域のそれぞれを照明する。

マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴは移動可能に設けられており、一次元の走査露光を行うべくＸ軸方向への長いストロークと、走査方向と直交するＹ軸方向への所定距離のストロークとを有している。図１に示すように、マスクステージＭＳＴは、このマスクステージＭＳＴをＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動するマスクステージ駆動部ＭＳＴＤを有している。マスクステージ駆動部ＭＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。

図２に示すように、マスク側レーザ干渉計は、マスクステージＭＳＴのＸ軸方向における位置を検出するＸレーザ干渉計３９ａと、マスクステージＭＳＴのＹ軸方向における位置を検出するＹレーザ干渉計３９ｂとを備えている。マスクステージＭＳＴの＋Ｘ側の端縁にはＹ軸方向に延在するＸ移動鏡３８ａが設けられている。一方、マスクステージＭＳＴの＋Ｙ側の端縁にはＸ移動鏡３８ａに直交するように、Ｘ軸方向に延在するＹ移動鏡３８ｂが設けられている。また、Ｘ移動鏡３８ａに対向してＸレーザ干渉計３９ａが配置されており、Ｙ移動鏡３８ｂに対向してＹレーザ干渉計３９ｂが配置されている。

Ｘレーザ干渉計３９ａはＸ移動鏡３８ａにレーザ光を照射する。レーザ光の照射によりＸ移動鏡３８ａで発生した光（反射光）はＸレーザ干渉計３９ａ内部のディテクタに受光される。Ｘレーザ干渉計３９ａは、Ｘ移動鏡３８ａからの反射光に基づいて、内部の参照鏡の位置を基準としてＸ移動鏡３８ａの位置、すなわちマスクステージＭＳＴのＸ軸方向における位置を検出する。なお、マスクＭの位置は、マスクステージＭＳＴに対するマスクＭの各位置を計測しておくことにより、レーザ干渉計の検査値でモニタすることができる。

Ｙレーザ干渉計３９ｂはＹ移動鏡３８ｂにレーザ光を照射する。レーザ光の照射によりＹ移動鏡３８ｂで発生した光（反射光）はＹレーザ干渉計３９ｂ内部のディテクタに受光される。Ｙレーザ干渉計３９ｂは、Ｙ移動鏡３８ｂからの反射光に基づいて、内部の参照鏡の位置を基準としてＹ移動鏡３８ｂの位置、すなわちマスクステージＭＳＴ（ひいてはマスクＭ）のＹ軸方向における位置を検出する。

レーザ干渉計３９ａ，３９ｂそれぞれの検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、レーザ干渉計３９ａ，３９ｂそれぞれの検出結果に基づいて、マスクステージ駆動部ＭＳＴＤを介してマスクステージＭＳＴを駆動し、マスクＭの位置制御を行う。

マスクＭを透過した露光光は、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１１のそれぞれに入射する。投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１１のそれぞれは、マスクＭの照明領域に存在するパターンの像を感光基板Ｐに投影露光するものであり、照明系モジュール１０ａ〜１０ｋのそれぞれに対応して配置されている。投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５，ＰＬ７，ＰＬ９，ＰＬ１１（第１投影光学ユニット）と投影光学系ＰＬ２，ＰＬ４，ＰＬ６，ＰＬ８，ＰＬ１０（第２投影光学ユニット）とは２列に千鳥状に配列されている。すなわち、千鳥状に配置されている投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１１のそれぞれは、隣合う投影光学系（例えば投影光学系ＰＬ１とＰＬ２、ＰＬ２とＰＬ３）をＸ軸方向に所定量変位させて配置されている。投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１１のそれぞれを透過した露光光は、基板ステージＰＳＴに支持されている感光基板Ｐ上の異なる投影領域にマスクＭの照明領域に対応したパターンの像を結像する。照明領域のマスクＭのパターンは所定の結像特性を持って、レジストが塗布された感光基板Ｐ上に転写される。

感光基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴは移動可能に設けられており、一次元の走査露光を行うためのＸ軸方向への長いストロークと、走査方向と直交する方向にステップ移動するためのＹ軸方向への長いストロークとを有している。また、基板ステージＰＳＴは、この基板ステージＰＳＴをＸ軸方向及びＹ軸方向、更にＺ軸方向に駆動する基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを有している。基板ステージ駆動部ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。

図２に示すように、基板側レーザ干渉計は、基板ステージＰＳＴのＸ軸方向における位置を検出するＸレーザ干渉計４３ａと、基板ステージＰＳＴのＹ軸方向における位置を検出するＹレーザ干渉計４３ｂとを備えている。基板ステージＰＳＴの＋Ｘ側の端縁にはＹ軸方向に延在するＸ移動鏡４２ａが設けられている。一方、基板ステージＰＳＴの−Ｙ側の端縁にはＸ移動鏡４２ａに直交するように、Ｘ軸方向に延在するＹ移動鏡４２ｂが設けられている。Ｘ移動鏡４２ａにはＸレーザ干渉計４３ａが対向して配置されており、Ｙ移動鏡４２ｂにはＹレーザ干渉計４３ｂが対向して配置されている。

Ｘレーザ干渉計４３ａはＸ移動鏡４２ａにレーザ光を照射する。レーザ光の照射によりＸ移動鏡４２ａで発生した光（反射光）は、Ｘレーザ干渉計４３ａ内部のディテクタに受光される。Ｘレーザ干渉計４３ａは、Ｘ移動鏡４２ａからの反射光に基づいて、内部の参照鏡の位置を基準としてＸ移動鏡４２ａの位置、すなわち基板ステージＰＳＴ（ひいては感光基板Ｐ）のＸ軸方向における位置を検出する。

Ｙレーザ干渉計４３ｂはＹ移動鏡４２ｂにレーザ光を照射する。レーザ光の照射によりＹ移動鏡４２ｂで発生した光（反射光）は、Ｙレーザ干渉計４３ｂ内部のディテクタに受光される。Ｙレーザ干渉計４３ｂは、Ｙ移動鏡４２ｂからの反射光に基づいて、内部の参照鏡の位置を基準としてＹ移動鏡４２ｂの位置、すなわち基板ステージＰＳＴのＹ軸方向における位置を検出する。なお、感光基板Ｐの位置は、基板ステージＰＳＴに対する感光基板Ｐの各位置を計測しておくことにより、レーザ干渉計の検査値でモニタすることができる。レーザ干渉計４３ａ，４３ｂそれぞれの検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。

マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴのそれぞれは制御装置ＣＯＮＴの制御のもとでマスクステージ駆動部ＭＳＴＤ及び基板ステージ駆動部ＰＳＴＤにより独立して移動可能となっている。そして、本実施の形態では、マスクＭを支持したマスクステージＭＳＴと感光基板Ｐを支持した基板ステージＰＳＴとが投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１１に対して任意の走査速度（同期移動速度）でＸ軸方向に同期移動するようになっている。

また、投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５，ＰＬ７，ＰＬ９，ＰＬ１１（第１投影光学ユニット）の−Ｘ側には、マスクＭのパターン形成面及び感光基板Ｐの被露光面のＺ軸方向における位置（フォーカス位置）を検出するオートフォーカス検出系（位置検出手段、第１検出手段）５０が設けられている。オートフォーカス検出系５０は、図３に示すように、走査方向に直交する方向（Ｙ方向）に配列された複数（この実施の形態においては３つ）の感光基板位置検出系５０ａ，５０ｂ，５０ｃ、及び図示しないＹ方向に配列された複数（この実施の形態においては２つ）のマスク位置検出系を有している。なお、図３に示すＰ１は投影光学系ＰＬ１を介した光束が感光基板Ｐ上を露光する領域（露光領域）であり、Ｐ２〜Ｐ１１のそれぞれは投影光学系ＰＬ２〜ＰＬ１１のそれぞれを介した光束が感光基板Ｐ上を露光する領域（露光領域）である。３つの感光基板位置検出系５０ａ〜５０ｃにより検出された感光基板Ｐの被露光面の３つの位置検出点におけるフォーカス位置、及び２つのマスク位置検出系により検出されたマスクＭのパターン形成面の２つの位置検出点におけるフォーカス位置は、制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。

また、投影光学系ＰＬ２，ＰＬ４，ＰＬ６，ＰＬ８，ＰＬ１０（第２投影光学ユニット）の＋Ｘ側には、マスクＭのパターン形成面及び感光基板Ｐの被露光面のＺ軸方向における位置（フォーカス位置）を検出するオートフォーカス検出系（位置検出手段、第２検出手段）５２が設けられている。即ち、オートフォーカス検出系５０，５２は、第１投影光学ユニットと第２投影光学ユニットとを走査方向（Ｘ方向）に挟み込む位置関係にある。オートフォーカス検出系５２は、図３に示すように、Ｙ方向に配列された複数（この実施の形態においては２つ）の感光基板位置検出系５２ａ，５２ｂ、及び図示しないＹ方向に配列された複数（この実施の形態においては２つ）のマスク位置検出系を有している。また、２つの感光基板位置検出系５２ａ，５２ｂにより検出された感光基板Ｐの被露光面の２つの位置検出点におけるフォーカス位置、及び２つのマスク位置検出系により検出されたマスクＭのパターン形成面の２つの位置検出点におけるフォーカス位置は、制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。

制御装置（面傾斜算出手段）ＣＯＮＴは、オートーフォーカス検出系５０，５２により検出された感光基板Ｐの被露光面におけるフォーカス位置に基づいて感光基板Ｐの面傾斜を算出する。また、オートフォーカス検出系５０，５２により検出されたマスクＭのパターン形成面におけるフォーカス位置に基づいてマスクＭの面傾斜を算出し、算出されたマスクＭの面傾斜に基づいて投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１１を介して感光基板Ｐに投影されるマスクＭのパターンの像面を算出する。そして、算出された感光基板Ｐの面傾斜と投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１１を介して感光基板Ｐに投影されるマスクＭのパターンの像面との相対位置を基板ステージ駆動部ＰＳＴＤ（またはマスクステージ駆動部ＭＳＴＤ）を駆動させて基板ステージＰＳＴ（またはマスクステージＭＳＴ）を移動させることにより補正する。

また、オートフォーカス検出系５０の−Ｘ側には、感光基板Ｐに設けられている複数のアライメントマークを検出するアライメント検出系５４が設けられている。アライメント検出系５４は、図３に示すように、Ｙ方向に配列された複数（この実施の形態においては６つ）のアライメントマーク検出系５４ａ〜５４ｆを有しており、それぞれのアライメントマーク検出系５４ａ〜５４ｆに対応して設けられている感光基板Ｐ上のアライメントマーク位置を検出する。また、６つのアライメントマーク検出系５４ａ〜５４ｆにより検出されたアライメントマーク位置は制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。制御装置ＣＯＮＴは、アライメント検出系５４により検出された６つのアライメントマーク位置、及びマスクＭとアライメント検出系５４との相対位置関係に基づいて予め算出され記憶されているベースライン量に基づいて、マスクＭと感光基板Ｐとの位置合わせを行うための補正量を算出し、算出された補正量に基づいて基板ステージＰＳＴ（またはマスクステージＭＳＴ）の位置を基板ステージ駆動部ＰＳＴＤ（またはマスクステージ駆動部ＭＳＴＤ）を駆動させて補正する。

次に、この第１の実施の形態にかかる露光装置における第１のフォーカス位置補正方法について説明する。図４は、この実施の形態にかかる露光装置において、基板ステージＰＳＴがスキャンを開始する前に行われるフォーカス位置の補正の処理について説明するためのフローチャートである。

まず、制御装置ＣＯＮＴは、感光基板Ｐの交換を行い、感光基板Ｐを基板ステージＰＳＴに載置する（ステップＳ１０）。次に、制御装置ＣＯＮＴは、図５に示すように、基板ステージＰＳＴを、アライメント検出系５４が感光基板Ｐに設けられている第１アライメントマークｍ１〜ｍ６の位置を検出できる位置に、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを駆動させて移動させる（ステップＳ１１）。

次に、制御装置ＣＯＮＴは、アライメント検出系５４によるマスクＭと感光基板Ｐとの位置あわせ（アライメント）を行い、アライメントと同時にオートフォーカス検出系５０，５２による感光基板Ｐの被露光面におけるフォーカス位置の検出を行う（ステップＳ１２）。即ち、オートフォーカス検出系５０の３つの感光基板位置検出系５０ａ〜５０ｃ及びオートフォーカス検出系５２の２つの感光基板位置検出系５２ａ，５２ｂは感光基板Ｐの被露光面の５つの検出点ｆ１〜ｆ５におけるフォーカス位置を検出し、検出された５つの検出点ｆ１〜ｆ５のフォーカス位置は制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。

次に、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ１２において検出された感光基板Ｐの被露光面の５つの検出点ｆ１〜ｆ５におけるフォーカス位置に基づいて、感光基板Ｐの被露光面の面傾斜（以下、第１面傾斜という）を算出する（ステップＳ１３）。即ち、ステップＳ１２において検出された５つの検出点ｆ１〜ｆ５のフォーカス位置に基づいて、感光基板Ｐの投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１１の光軸に対するＸ方向における傾斜（θ_Ｘ）、Ｙ方向における傾斜（θ_Ｙ）、Ｚ方向における高さ（Ｚ）を算出する。次に、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ１３において算出された第１面傾斜を図示しない記憶部に記憶させる（ステップＳ１４）。

次に、制御装置ＣＯＮＴは、図６に示すように、基板ステージＰＳＴを、アライメント検出系５４が感光基板Ｐに設けられている第２アライメントマークｍ７〜ｍ１２の位置を検出できる位置に、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを駆動させて移動させ、アライメント検出系５４によりマスクＭと感光基板Ｐとの位置あわせ（アライメント）を行う（ステップＳ１５）。

次に、制御装置ＣＯＮＴは、図７に示すように、基板ステージＰＳＴを露光（スキャン）開始位置に基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを駆動させて移動させるとともに、ステップＳ１５において記憶された第１面傾斜に基づいて感光基板Ｐの被露光面のフォーカス位置の補正を行う（ステップＳ１６）。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは基板ステージ駆動部ＰＳＴＤに対して制御信号を出力し、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴからの制御信号に基づいて基板ステージＰＳＴを駆動させることにより、感光基板Ｐの被露光面のフォーカス位置の補正を行う。

次に、この第１の実施の形態にかかる露光装置における第２のフォーカス位置補正方法について説明する。図８は、この実施の形態にかかる露光装置において、基板ステージＰＳＴがスキャンを開始した後に行われるフォーカス位置の補正の処理について説明するためのフローチャートである。

まず、制御装置ＣＯＮＴは基板ステージ駆動部ＰＳＴＤに対して制御信号を出力し、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを駆動させて基板ステージＰＳＴを移動させることにより、図７に示す位置から露光のためのスキャンを開始する（ステップＳ２０）。ここで、図７に示す位置からスキャンを開始した場合、図９に示すように、実露光が開始される前、即ち投影光学系ＰＬ１，ＰＬ３，ＰＬ５，ＰＬ７，ＰＬ９，ＰＬ１１を介した光束が感光基板Ｐに到達する前に、基板端部を検出するまでスキャンし、基板端部を検出した後に（ステップＳ２１、Ｙｅｓ）、オートフォーカス検出系５０の感光基板位置検出系５０ａ，５０ｂが感光基板Ｐ上に到達する。基板端部は、オートフォーカス検出系５０の出力が急激に変化する信号をモニタすることにより検出可能である。

次に、制御装置ＣＯＮＴは、実露光が開始される前、感光基板Ｐ上に到達したオートフォーカス検出系５０の感光基板位置検出系５０ａ，５０ｂによる感光基板Ｐの被露光面におけるフォーカス位置の検出を行う（ステップＳ２２）。即ち、オートフォーカス検出系５０の３つの感光基板位置検出系５０ａ〜５０ｃのうち感光基板Ｐ上に位置する２つの感光基板位置検出系５０ａ，５０ｂは感光基板Ｐの被露光面の２つの検出点ｆ６，ｆ７におけるフォーカス位置をそれぞれ検出し、検出された２つの検出点ｆ６，ｆ７のフォーカス位置は制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。

次に、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ２２において検出された感光基板Ｐの被露光面の２つの検出点ｆ６，ｆ７を第１のフォーカス位置として図示しない記憶部に記憶させる（ステップＳ２３）。次に、制御装置ＣＯＮＴは、第１フォーカス位置からスキャンさせることにより、所定距離移動させる（ステップＳ２４）。

次に、制御装置ＣＯＮＴは、図１０に示すように、オートフォーカス検出系５０の感光基板位置検出系５０ａ，５０ｂにより、ステップＳ２２において検出された２つの検出点ｆ６，ｆ７とは異なる２つの検出点ｆ８，ｆ９のフォーカス位置（第２のフォーカス位置）の検出を行う（ステップＳ２５）。即ち、オートフォーカス検出系５０の３つの感光基板位置検出系５０ａ〜５０ｃのうち感光基板Ｐ上に位置する２つの感光基板位置検出系５０ａ，５０ｂは感光基板Ｐの被露光面の２つの検出点ｆ８，ｆ９における第２のフォーカス位置を検出し、検出された２つの検出点ｆ８，ｆ９の第２のフォーカス位置は制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。

次に、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ２２において検出された２つの検出点ｆ６，ｆ７の第１のフォーカス位置及びステップＳ２５において検出された２つの検出点ｆ８，ｆ９の第２のフォーカス位置に基づいて、感光基板Ｐの被露光面の面傾斜（以下、第２面傾斜という）を算出する（ステップＳ２６）。即ち、２つの検出点ｆ６，ｆ７と２つの検出点ｆ８，ｆ９は直線状に並ばない検出点であるため、この４つの検出点ｆ６〜ｆ９に基づいて感光基板Ｐの投影光学系の光軸に対するＸ方向における傾斜（θ_Ｘ）、Ｙ方向における傾斜（θ_Ｙ）、Ｚ方向における高さ（Ｚ）を算出することができる。次に、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ２６において算出された第２面傾斜を図示しない記憶部に記憶させる（ステップＳ２７）。

次に、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ２７において記憶された第２面傾斜に基づいて感光基板Ｐの被露光面のフォーカス位置の補正を行う（ステップＳ２８）。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは基板ステージ駆動部ＰＳＴＤに対して制御信号を出力し、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴからの制御信号に基づいて基板ステージＰＳＴを駆動させることにより、感光基板Ｐの被露光面のフォーカス位置の補正を行う。なお、ステップＳ２５〜ステップＳ２８の動作は、オートフォーカス検出系５２が感光基板Ｐ上に位置するまでの間、繰り返される。

次に、制御装置ＣＯＮＴは、図１１に示すように、オートフォーカス検出系５２が感光基板Ｐ上に到達したとき、オートフォーカス検出系５０の感光基板位置検出系５０ａ，５０ｂによる感光基板Ｐの被露光面の２つの検出点ｆ１０，ｆ１１のフォーカス位置、及びオートフォーカス検出系５２の感光基板位置検出系５２ａ，５２ｂによる感光基板Ｐの被露光面の２つの検出点ｆ１２，ｆ１３のフォーカス位置の検出を行う（ステップＳ２９）。即ち、オートフォーカス検出系５０の３つの感光基板位置検出系５０ａ〜５０ｃのうち感光基板Ｐ上に位置する２つの感光基板位置検出系５０ａ，５０ｂ、及びオートフォーカス検出系５２の２つの感光基板位置検出系５２ａ，５２ｂのそれぞれは感光基板Ｐの被露光面の検出点ｆ１０〜ｆ１１におけるフォーカス位置をそれぞれ検出し、検出された４つの検出点ｆ１０〜ｆ１１のフォーカス位置は制御装置ＣＯＮＴに対して出力される。

次に、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ２９において検出された４つの検出点ｆ１０〜ｆ１１のフォーカス位置に基づいて、感光基板Ｐの被露光面の面傾斜（以下、第３面傾斜という）を算出する（ステップＳ３０）。即ち、２つの検出点ｆ１０，ｆ１１と２つの検出点ｆ１２，ｆ１３は直線状に並ばない検出点であるため、この４つの検出点ｆ１０〜ｆ１３に基づいて感光基板Ｐの投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１１の光軸に対するＸ方向における傾斜（θ_Ｘ）、Ｙ方向における傾斜（θ_Ｙ）、Ｚ方向における高さ（Ｚ）を算出することができる。次に、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ３０において算出された第３面傾斜を図示しない記憶部に記憶させる（ステップＳ３１）。

次に、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ３１において記憶された第３面傾斜に基づいて感光基板Ｐの被露光面のフォーカス位置の補正を行う（ステップＳ３２）。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは基板ステージ駆動部ＰＳＴＤに対して制御信号を出力し、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤは制御装置ＣＯＮＴからの制御信号に基づいて基板ステージＰＳＴを駆動させることにより、感光基板Ｐの被露光面のフォーカス位置の補正を行う。なお、ステップＳ２２〜ステップＳ３２の動作は、オートフォーカス検出系５０のみが感光基板Ｐ上に位置している間、繰り返される。

上述の感光基板Ｐのフォーカス位置の補正は、最初の感光基板が設置されたとき、２枚目及び３枚目の感光基板が設置されたときにそれぞれ行なわれる。４枚目以降の感光基板が設置された際には、前３枚の感光基板が設置されたときに算出された第１面傾斜、第２面傾斜及び第３面傾斜に基づいて、４枚目以降の感光基板のフォーカス位置の補正を行なう。

また、上述のオートフォーカス検出系５０による感光基板Ｐのフォーカス位置の検出においては、オートフォーカス検出系５０の感光基板位置検出系５０ｃが感光基板Ｐ上に位置することがないため感光基板位置検出系５０ｃによる感光基板Ｐのフォーカス位置の検出を行っていないが、感光基板位置検出系５０ｃが感光基板Ｐ上に位置した際には、感光基板位置検出系５０ｃによる感光基板Ｐのフォーカス位置の検出を行い、検出されたフォーカス位置に基づいて面傾斜の算出を行う。

なお、図８では、ステップＳ２２において検出された感光基板Ｐの被露光面の２つの検出点ｆ６，ｆ７における第１のフォーカス位置を検出した後、検出点ｆ８，ｆ９における第２のフォーカス位置を検出するまで、フォーカス制御を行わない実施形態を示したが、図４に示すステップＳ１５において記憶された第１面傾斜に基づく、第１のフォーカス位置だけでは検出できない面傾斜の情報としての第１面傾斜情報を用いて、感光基板Ｐの面傾斜の算出を行ってもよい。即ち、感光基板Ｐの高さ方向は第１のフォーカス位置、感光基板Ｐの面傾斜は第１面傾斜情報を用いて算出するようにしてもよい。このようにすることにより、露光に差当たり早い段階で感光基板Ｐの位置制御の開始を行うことができるとともに、簡便に制御を行うことが可能となる。

この第１の実施の形態にかかる露光装置によれば、アライメントを行うと同時にオートフォーカス検出系５０，５２が備える感光基板位置検出系５０ａ〜５０ｃ，５２ａ，５２ｂにより検出された感光基板Ｐの被露光面のフォーカス位置を検出し、検出結果に基づいて第１面傾斜を算出し、算出された第１面傾斜に基づいて感光基板Ｐのフォーカス位置の補正を行うことができる。また、スキャンが開始後であり、かつ露光開始前に、オートフォーカス検出系５０が備える感光基板位置検出系５０ａ，５０ｂにより検出された感光基板Ｐの被露光面の異なる４つの検出点のフォーカス位置を検出し、検出結果に基づいて第２面傾斜を算出し、算出された第２面傾斜に基づいて感光基板Ｐのフォーカス位置の補正を行うことができる。また、オートフォーカス検出系５２が備える感光基板位置検出系５２ａ，５２ｂが感光基板Ｐ上に位置した場合には、感光基板位置検出系５２ａ，５２ｂにより感光基板Ｐの二つの検出点のフォーカス位置の検出を行い、感光基板位置検出系５０ａ，５０ｂ，５２ａ，５２ｂにより検出された異なる４つの検出点のフォーカス位置を検出し、検出結果に基づいて第２面傾斜に代わって第３面傾斜を算出し、算出された第３面傾斜に基づいて感光基板Ｐのフォーカス位置の補正を行うことができる。

従って、従来の露光装置のように露光を開始する前に予め感光基板Ｐの被露光面の面傾斜を検出し補正する必要がなく、露光処理能力を向上させることができる。

次に、図面を参照して、この発明の第２の実施の形態にかかる露光装置について説明する。図１２は、第２の実施の形態にかかる露光装置の概略構成を示す図である。図１２に示す露光装置は、パターンが形成されたマスクＭ２を支持するマスクステージＭＳＴ２と、感光基板（感光性基板）Ｐ２を支持する基板ステージＰＳＴ２と、マスクステージＭＳＴ２に支持されたマスクＭ２を露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬ２と、露光光ＥＬで照明されたマスクＭ２のパターンの像を基板ステージＰＳＴ２に支持されている感光基板Ｐ２に投影する投影光学系ＰＬと、投影光学系ＰＬを定盤１を介して支持するコラム１００と、露光処理に関する動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴ２とを備えている。コラム１００は、床面に水平に載置されたベースプレート１１０上に設置されている。本実施の形態において、投影光学系ＰＬは複数（７つ）並んだ反射屈折型の投影光学モジュールを有しており、照明光学系ＩＬ２も投影光学モジュールの数及び配置に対応して複数（７つ）の照明光学モジュールを有している。感光基板Ｐ２はガラス基板に感光剤（フォトレジスト）を塗布したものである。

この露光装置は、投影光学系ＰＬに対してマスクＭ２と感光基板Ｐ２とを同期移動して走査露光する走査型露光装置であって、所謂マルチレンズスキャン型露光装置を構成している。また、この露光装置は、投影光学系ＰＬと感光基板Ｐ２との間であって、投影光学系ＰＬにより形成される露光領域を挟む位置にオートフォーカス検出系５００，５２０及びアライメント検出系５４０が設けられている。以下の説明において、マスクＭ２及び感光基板Ｐ２の同期移動方向をＸ軸方向（走査方向）、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と直交する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりのそれぞれの方向をθＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

照明光学系ＩＬ２は、光源を有し、光源から射出された露光光によりマスクＭ２を複数のスリット状の照明領域で照明する。本実施の形態における光源には水銀ランプが用いられ、露光光としては、不図示の波長選択フィルタにより、露光に必要な波長であるｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）などが用いられる。

マスクステージＭＳＴ２は、コラム１００上に設けられており、マスクＭ２を保持するマスクホルダ２０と、マスクホルダ２０をＸ軸方向に所定ストロークで移動可能な一対のリニアモータ（図示せず）とを備えている。また、マスクステージＭＳＴ２は、不図示ではあるが、マスクＭ２を保持するマスクホルダ２０をＹ軸方向及びθＺ方向に移動する移動機構も有している。

基板ステージＰＳＴ２は、ベースプレート１１０上に設けられている。基板ステージＰＳＴ２は、感光基板Ｐ２を保持する基板ホルダ３０と、基板ホルダ３０をＹ軸方向に案内しつつ移動自在に支持するガイドステージ３５と、ガイドステージ３５に設けられ、基板ホルダ３０をＹ軸方向に移動するリニアモータ（図示せず）と、ベースプレート１１０上において基板ホルダ３０をガイドステージ３５とともにＸ軸方向に所定ストロークで移動可能な一対のリニアモータ（図示せず）とを備えている。基板ホルダ３０はバキュームチャックを介して感光基板Ｐ２を保持する。更に、基板ステージＰＳＴ２は基板ホルダ３０をＺ軸方向、θＸ及びθＹ方向に移動する移動機構も有している。

投影光学系ＰＬは複数（７つ）並んだ投影光学モジュールＰＬａ，ＰＬｃ，ＰＬｅ，ＰＬｇ及び図示しない３つの投影光学モジュールを有しており、これら複数の投影光学モジュールＰＬａ，ＰＬｃ，ＰＬｅ，ＰＬｇ及び図示しない３つの投影光学モジュールは１つの定盤１に支持されている。そして、図１２に示すように、投影光学モジュールＰＬａ，ＰＬｃ，ＰＬｅ，ＰＬｇ及び図示しない投影光学モジュールを支持している定盤１はコラム１００に対して支持部２を介して支持されている。

４つの投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇは、Ｙ方向（走査方向と交差する方向）に並んでおり、Ｘ方向（走査方向）の前方側に配置されている（以下、第１投影光学ユニットという。）。また、図示しない３つの投影光学モジュールのそれぞれは、Ｙ方向に並んでおり、Ｘ方向の後方側に配置されている（以下、第２投影光学ユニットという。）。また、第１投影光学ユニットと第２投影光学ユニットとはＸ方向において対向するように配置されており、第１投影光学ユニットを構成する各投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇと第２投影光学ユニットを構成する図示しない各投影光学モジュールとは千鳥状に配置されている。すなわち、隣合う投影光学モジュールをＹ方向に所定量変位させて配置されている。第１投影光学ユニット及び第２投影光学ユニットを構成する各投影光学モジュールのそれぞれは、鏡筒ＰＫ（図１３参照）と、鏡筒ＰＫの内部に配置されている複数の光学素子（レンズ）とを有している。

図１３は、第２投影光学ユニットを構成する３つの投影光学モジュールのうちの１つの投影光学モジュールＰＬｆの概略構成を示す図である。以下では、投影光学モジュールＰＬｆについて説明するが、他の投影光学モジュールも投影光学モジュールＰＬｆと同様の構成である。

投影光学モジュールＰＬｆは、図１３に示すように、照明光学モジュールにより露光光ＥＬで照明されたマスクＭ２の照明領域に存在するパターン像を感光基板Ｐ２に投影露光するものであり、二組の反射屈折型光学系１５１、１５２と不図示の視野絞りとを備えている。マスクＭ２を透過した光束は、１組目の反射屈折型光学系１５１に入射する。反射屈折型光学系１５１は、マスクＭ２のパターンの中間像を形成するものである。反射屈折型光学系１５１により形成されるパターンの中間像位置には不図示の視野絞りが配置されている。視野絞りは、感光基板Ｐ２上における投影領域を設定するものであって、例えば感光基板Ｐ２上の投影領域を台形状に設定する。視野絞りを透過した光束は、２組目の反射屈折型光学系１５２に入射する。

反射屈折型光学系１５２は、反射屈折型光学系１５１と同様の構成を有する。反射屈折型光学系１５２から射出した光束は、感光基板Ｐ２上にマスクＭ２のパターンの像を正立等倍で結像する。

また、この露光装置は、マスクホルダ２０（マスクステージＭＳＴ２）の位置を計測するレーザ干渉システムを備えている。マスクホルダ２０の−Ｘ側の端縁にはＹ軸方向に延びる図示しないＸ移動鏡が設けられ、マスクホルダ２０の−Ｙ側の端縁にはＸ軸方向に延びるＹ移動鏡７１が設けられている。Ｘ移動鏡に対向する位置には図示しないレーザ干渉計が設けられている。また、Ｙ移動鏡７１に対向する位置にはレーザ干渉計７４が設けられている。図示しないレーザ干渉計及びレーザ干渉計７４は、コラム１００上に設置されている。また、定盤１には図示しない参照鏡及び参照鏡７７が取り付けられている。図示しない参照鏡は図示しないレーザ干渉計に対向する位置に設けられ、参照鏡７７はレーザ干渉計７４に対向する位置に設けられている。

図示しないレーザ干渉計の計測結果は制御装置ＣＯＮＴ２に出力され、制御装置ＣＯＮＴ２はレーザ干渉計の計測結果に基づいて、マスクホルダ２０（マスクステージＭＳＴ２）のＸ軸方向における位置を制御する。また、レーザ干渉計７４の計測結果は制御装置ＣＯＮＴ２に出力され、制御装置ＣＯＮＴ２はレーザ干渉計７４の計測結果に基づいて、マスクホルダ２０（マスクステージＭＳＴ２）のＹ軸方向における位置を制御する。即ち、制御装置ＣＯＮＴ２は、各レーザ干渉計による計測結果に基づいて、各投影光学モジュールを支持した定盤１の姿勢（Ｘ軸、Ｙ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向における位置）を算出する。制御装置ＣＯＮＴ２は、定盤１の姿勢計測結果に基づいて、マスクホルダ２０の姿勢をマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤ２を介して制御する。

また、この露光装置は、基板ホルダ３０（基板ステージＰＳＴ２）の位置を計測するレーザ干渉システムを備えている。基板ホルダ３０の−Ｘ側の端縁にはＹ軸方向に延びる図示しないＸ移動鏡が設けられ、基板ホルダ３０の−Ｙ側の端縁にはＸ軸方向に延びるＹ移動鏡８１が設けられている。Ｘ移動鏡に対向する位置には、図示しないレーザ干渉計が設けられており、ベースプレート１１０に設置されている。また、Ｙ移動鏡８１に対向する位置には、レーザ干渉計８５がコラム１００から垂下するように設けられている。

投影光学モジュールの鏡筒ＰＫには図示しない参照鏡がレーザ干渉計のそれぞれに対向する位置に設けられている。図示しないレーザ干渉計の計測結果は制御装置ＣＯＮＴ２に出力され、制御装置ＣＯＮＴ２は各レーザ干渉計の計測結果に基づいて基板ホルダ３０（基板ステージＰＳＴ２）のＸ軸方向における位置を制御する。また、レーザ干渉計８５の計測結果は制御装置ＣＯＮＴ２に出力され、制御装置ＣＯＮＴ２は各レーザ干渉計の計測結果に基づいて基板ホルダ３０（基板ステージＰＳＴ２）のＹ軸方向における位置を制御する。即ち、制御装置ＣＯＮＴ２は、各レーザ干渉計による計測結果に基づいて、各投影光学モジュールを支持した定盤１の姿勢（Ｘ軸、Ｙ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向における位置）を算出する。制御装置ＣＯＮＴ２は、定盤１の姿勢計測結果に基づいて、基板ホルダ３０の姿勢を基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤ２を介して制御する。

また、図１２及び図１３に示すように、第１投影光学ユニットを構成する投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇのそれぞれを介する光束が感光基板Ｐ２上に形成する投影領域の−Ｘ側のＺ軸方向における位置（フォーカス位置）を検出するオートフォーカス検出系（位置検出手段、第１検出手段）５００が設けられている。オートフォーカス検出系５００は、図１２に示すように、走査方向と直交する方向（Ｙ方向）に配列された複数（この実施の形態においては３つ）の感光基板位置検出系５００ａ，５００ｂ，５００ｃ及び図示しないＹ方向に配列された複数（この実施の形態においては２つ）のマスク位置検出系を有している。３つの感光基板位置検出系５００ａ〜５００ｃにより検出された感光基板Ｐ２の被露光面の３つの位置検出点におけるフォーカス位置、及び２つのマスク位置検出系により検出されたマスクＭ２のパターン形成面の２つの位置検出点におけるフォーカス位置は、制御装置ＣＯＮＴ２に対して出力される。

また、図１３に示すように、第２投影光学ユニットを構成する投影光学ユニットＰＬｆ及び図示しない２つの投影光学ユニットのそれぞれを介する光束が感光基板Ｐ２上に形成する投影領域の＋Ｘ側のＺ軸方向における位置（フォーカス位置）を検出するオートフォース検出系（位置検出手段、第２検出手段）５２０が設けられている。オートフォーカス検出系５２０は、図１３に示すように、Ｙ方向に配列された複数（この実施の形態においては２つ）の感光基板位置検出系５２０ａ及び図示しない他の１つの感光基板位置検出系、及び図示しないＹ方向に配列された複数（この実施の形態においては２つ）のマスク位置検出系を有している。また、２つの感光基板位置検出系により検出された感光基板Ｐ２の被露光面の２つの位置検出点におけるフォーカス位置、及び２つのマスク位置検出系により検出されたマスクＭ２のパターン形成面の２つの位置検出点におけるフォーカス位置は、制御装置ＣＯＮＴ２に対して出力される。

制御装置（面傾斜算出手段）ＣＯＮＴ２は、オートフォーカス検出系５００，５２０により検出された感光基板Ｐ２の被露光面におけるフォーカス位置に基づいて感光基板Ｐ２の面傾斜を算出する。また、オートフォーカス検出系５００，５２０により検出されたマスクＭ２のパターン形成面におけるフォーカス位置に基づいてマスクＭ２の面傾斜を算出し、算出されたマスクＭ２の面傾斜に基づいて各投影光学モジュールを介して感光基板Ｐ２に投影されるマスクＭ２のパターンの像面を算出する。そして、算出された感光基板Ｐ２の面傾斜と各投影光学モジュールを介して感光基板Ｐ２に投影されるマスクＭ２のパターンの像面との相対位置を基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤ２（またはマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤ２）を駆動させて基板ステージＰＳＴ２（またはマスクステージＭＳＴ２）を移動させることにより補正する。

また、オートフォーカス検出系５００の−Ｘ側には、感光基板Ｐ２に設けられている複数のアライメントマークを検出するアライメント検出系５４０が設けられている。アライメント検出系５４０は、Ｙ方向に配列された複数のアライメントマーク検出系を有しており、それぞれのアライメントマーク検出系に対応して設けられている感光基板Ｐ２上のアライメントマーク位置を検出する。また、各アライメントマーク検出系により検出されたアライメントマーク位置は制御装置ＣＯＮＴ２に対して出力される。制御装置ＣＯＮＴ２は、アライメント検出系５４０により検出された複数のアライメントマーク位置、及びマスクＭ２とアライメント検出系５４０との相対位置関係に基づいて予め算出され記憶されているベースライン量に基づいて、マスクＭ２と感光基板Ｐ２との位置合わせを行うための補正量を算出し、算出された補正量に基づいて基板ステージＰＳＴ２（またはマスクステージＭＳＴ２）の位置を基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤ２（またはマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤ２）を駆動させて補正する。

次に、第２の実施の形態にかかる露光装置における第１のフォーカス位置補正方法について説明する。まず、制御装置ＣＯＮＴ２は、アライメント検出系５４０によるマスクＭ２と交換された感光基板Ｐ２との位置合わせ（第１アライメント）を行うと同時に、オートフォーカス検出系５００，５２０が備える各感光基板位置検出系による感光基板Ｐ２の被露光面におけるフォーカス位置の検出を行う。具体的な検出方法ついては、第１の実施の形態にかかる検出方法と同様であるため、詳細な説明を省略する。各感光基板位置検出系により検出された５つの検出点におけるフォーカス位置は制御装置ＣＯＮＴ２に対して出力される。

次に、制御装置ＣＯＮＴ２は、検出された感光基板Ｐ２の被露光面の５つの検出点におけるフォーカス位置に基づいて、感光基板Ｐ２の被露光面の第１面傾斜、即ち感光基板Ｐ２の投影光学系ＰＬの光軸に対するＸ方向における傾斜（θ_Ｘ）、Ｙ方向における傾斜（θ_Ｙ）、Ｚ方向における高さ（Ｚ）を算出し、算出された第１面傾斜を図示しない記憶部に記憶させる。次に、制御装置ＣＯＮＴ２は、アライメント検出系５４０によりマスクＭと感光基板Ｐとの第２アライメントを行った後に、基板ステージＰＳＴ２を露光（スキャン）開始位置に基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤ２を駆動させて移動させるとともに、第１面傾斜に基づいて感光基板Ｐ２の被露光面のフォーカス位置の補正を行う。具体的な補正方法については、第１の実施の形態にかかる補正方法と同様であるため、詳細な説明を省略する。

次に、第２の実施の形態にかかる露光装置における第２のフォーカス位置補正方法について説明する。まず、制御装置ＣＯＮＴ２は露光のためのスキャンを開始する。そして、第１投影光学ユニットを介した光束が感光基板Ｐ２に到達する前に、感光基板Ｐ２上に到達したオートフォーカス検出系５００の感光基板位置検出系による感光基板Ｐ２の被露光面におけるフォーカス位置の検出を行い、各感光基板位置検出系により検出された２つ以上の検出点のフォーカス位置は制御装置ＣＯＮＴ２に対して出力される。次に、制御装置ＣＯＮＴ２は、検出された感光基板Ｐ２の被露光面の２つ以上の検出点におけるフォーカス位置を記憶されている第１面傾斜に加味して第１面傾斜との感光基板Ｐ２の投影光学系ＰＬの光軸に対するＸ方向における傾斜（θ_Ｘ）、Ｚ方向における高さ（Ｚ）の偏差を算出し、算出された偏差を記憶部に記憶させる。

次に、制御装置ＣＯＮＴ２は、算出された偏差に基づいて感光基板Ｐ２の被露光面のフォーカス位置の補正を行う。具体的な補正方法については、第１の実施の形態にかかる補正方法と同様であるため、詳細な説明を省略する。次に、制御装置ＣＯＮＴ２はオートフォーカス検出系５００により、検出された２つ以上の検出点とは異なる２つ以上の検出点のフォーカス位置の検出を行い、検出された２つ以上の検出点のフォーカス位置は制御装置ＣＯＮＴ２に対して出力される。

次に、制御装置ＣＯＮＴ２は、先に検出された２つ以上の検出点のフォーカス位置及び後に検出された２つ以上の検出点のフォーカス位置に基づいて、感光基板Ｐ２の被露光面の第２面傾斜、即ち感光基板Ｐ２の投影光学系ＰＬの光軸に対するＸ方向における傾斜（θ_Ｘ）、Ｙ方向における傾斜（θ_Ｙ）、Ｚ方向における高さ（Ｚ）を算出し、算出された第２面傾斜を図示しない記憶部に記憶させる。次に、制御装置ＣＯＮＴ２は、第２面傾斜に基づいて感光基板Ｐ２の被露光面のフォーカス位置の補正を行う。具体的な補正方法については、第１の実施の形態にかかる補正方法と同様であるため、詳細な説明を省略する。なお、第２面傾斜を算出し、算出された第２面傾斜に基づいて感光基板Ｐ２の被露光面のフォーカス位置の補正を行なう動作は、オートフォーカス検出系５２０が感光基板Ｐ２上に位置するまでの間、繰り返される。

次に、制御装置ＣＯＮＴ２は、オートフォーカス検出系５２０が感光基板Ｐ２上に到達したとき、オートフォーカス検出系５００による感光基板Ｐ２の被露光面の２つ以上の検出点のフォーカス位置、及びオートフォーカス検出系５２０による感光基板Ｐ２の被露光面の１つ以上の検出点のフォーカス位置の検出を行い、検出された３つ以上の検出点のフォーカス位置は制御装置ＣＯＮＴ２に対して出力される。

次に、制御装置ＣＯＮＴ２は、検出された３つ以上の検出点のフォーカス位置に基づいて、感光基板Ｐ２の被露光面の第３面傾斜、即ち感光基板Ｐ２の投影光学系ＰＬの光軸に対するＸ方向における傾斜（θ_Ｘ）、Ｙ方向における傾斜（θ_Ｙ）、Ｚ方向における高さ（Ｚ）を算出し、算出された第３面傾斜を図示しない記憶部に記憶させる。次に、制御装置ＣＯＮＴ２は、第３面傾斜に基づいて感光基板Ｐ２の被露光面のフォーカス位置の補正を行う。具体的な補正方法については、第１の実施の形態にかかる補正方法と同様であるため、詳細な説明を省略する。なお、第３面傾斜を算出し、算出された第３面傾斜に基づいて感光基板Ｐ２の被露光面のフォーカス位置の補正を行なう動作は、オートフォーカス検出系５００，５２０が感光基板Ｐ２上に位置している間、繰り返される。

上述の感光基板Ｐ２のフォーカス位置の補正は、最初の感光基板が設置されたとき、２枚目及び３枚目の感光基板が設置されたときにそれぞれ行なわれる。４枚目以降の感光基板が設置された際には、前３枚の感光基板が設置されたときに算出された第１面傾斜、第２面傾斜及び第３面傾斜に基づいて、４枚目以降の感光基板のフォーカス位置の補正を行なう。

この第２の実施の形態にかかる投影露光装置によれば、アライメントを行うと同時にオートフォーカス検出系５００，５２０が備える感光基板位置検出系により検出された感光基板Ｐ２の被露光面のフォーカス位置を検出し、検出結果に基づいて第１面傾斜を算出し、算出された第１面傾斜に基づいて感光基板Ｐ２のフォーカス位置の補正を行うことができる。また、スキャン開始後であり、かつ露光開始前に、オートフォーカス検出系５００が備える感光基板位置検出系により検出された感光基板Ｐ２の被露光面の異なる３つ以上の検出点のフォーカス位置を検出し、検出結果に基づいて第２面傾斜を算出し、算出された第２面傾斜に基づいて感光基板Ｐ２のフォーカス位置の補正を行うことができる。また、オートフォーカス検出系５２０が備える感光基板位置検出系が感光基板Ｐ２上に位置した場合には、感光基板位置検出系により感光基板Ｐ２の１つ以上の検出点のフォーカス位置の検出を行い、オートフォーカス検出系５００，５２０のそれぞれの感光基板位置検出系により検出された異なる３つ以上の検出点のフォーカス位置を検出し、検出結果に基づいて第２面傾斜に代わって第３面傾斜を算出し、算出された第３面傾斜に基づいて感光基板Ｐ２のフォーカス位置の補正を行うことができる。

従って、従来の露光装置のように露光を開始する前に予め感光基板Ｐ２の被露光面の面傾斜を検出し補正する必要がなく、露光処理能力を向上させることができる。

なお、上述の各実施の形態にかかる投影露光装置においては、オートフォーカス検出系が感光基板上に位置していない間の露光（スキャン）中は第１アライメント位置において検出された感光基板のフォーカス位置に基づいて感光基板の面傾斜の補正を行っているため、感光基板のフォーカス位置を検出する条件（例えば、スキャンの加速度、速度、基板ステージの姿勢等）は実露光の条件と同一ではない。また、オートフォーカス検出系が感光基板上に位置した際にはリアルタイムに検出されたフォーカス位置に基づいて感光基板の面傾斜の補正を行うため、感光基板のフォーカス位置を検出する条件は実露光の条件と一致する。従って、オートフォーカス検出系によりリアルタイムに感光基板のフォーカス位置を検出できない位置と検出できる位置との境界前後におけるフォーカス位置の検出値及び補正値に大きな誤差が発生する場合がある。

この場合には、オートフォーカス検出系によりリアルタイムに感光基板のフォーカス位置を検出できない位置と検出できる位置との境界前後において実露光と同一の条件で模擬的に基板ステージをスキャンさせ（スキャンのみ行い、露光はしない）、その場合における感光基板のフォーカス位置を検出し、検出されたフォーカス位置に基づいて感光基板の面傾斜の補正を行なってもよい。また、例えば１枚目〜３枚目の感光基板が設置されたときに、このオートフォーカス検出系によりリアルタイムに感光基板のフォーカス位置を検出できない位置と検出できる位置との境界前後におけるフォーカス位置を検出し、検出されたフォーカス位置に基づいてフォーカス位置を補正し、４枚目以降の感光基板が設置された際には前３枚の感光基板が設置されたときに検出されたフォーカス位置に基づいて４枚目以降の感光基板のフォーカス位置の補正を行なう。また、露光される感光基板の少なくとも１枚の感光基板が設置されたときに感光基板のフォーカス位置の補正を行なうようにしてもよい。

この場合には、実露光と同一の条件による感光基板のフォーカス位置を検出することができるため、より正確な面傾斜を算出することができる。また、オートフォーカス検出系によりリアルタイムに感光基板のフォーカス位置を検出できない位置と検出できる位置との境界前後におけるフォーカス位置の検出値及び補正値に大きな誤差が発生するのを防止することができる。

また、上述の各実施の形態にかかる投影露光装置においては、１枚目〜３枚目の感光基板が設置されたときに感光基板のフォーカス位置の補正を行なっているが、露光される感光基板の少なくとも１枚の感光基板が設置されたときに感光基板のフォーカス位置の補正を行なうようにしてもよい。

また、上述の各実施の形態においては、感光基板上の５つの異なる検出点のフォーカス位置を検出することにより第１面傾斜を算出しているが、少なくとも３つの異なる検出点のフォーカス位置を検出することにより第１面傾斜を算出するようにしてもよい。

また、上述の各実施の形態においては、基板ステージの位置を傾斜させることにより面傾斜と感光基板に投影されるマスクのパターンの像面との相対位置の補正を行っているが、マスクステージの位置を傾斜させることにより該相対位置の補正を行ってもよい。

また、露光装置の用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば、半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当できる。

ますます感光基板の大型化が進み、それに伴い基板ステージの大型化、更に基板ステージの重量が増大する傾向にあるが、本発明の露光装置は、外形が５００よりも大きい感光基板に対して特に有効である。

また、本発明の露光装置は、高精細のパターンを露光する際にも有効である。更に、より広いデバイスパターンを製造する露光装置として投影光学系の数の増大による継ぎ部の増大、または各投影光学系の画角を大きくすることによる各投影光学系の投影領域の拡大により、その投影領域の継ぎ部や周辺部においてもフォーカス位置を正確に制御する必要があるが、投影領域全面のフォーカス位置を常に検出できないような場合に本発明が特に有効である。

上述の各実施の形態にかかる露光装置では、照明光学系によってレチクル（マスク）を照明し、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板（プレート）に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、上述の各実施の形態にかかる露光装置を用いて感光性基板としてのプレート等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図１４のフローチャートを参照して説明する。

先ず、図１４のステップＳ３０１において、１ロットのプレート上に金属膜が蒸着される。次のステップＳ３０２において、その１ロットのプレート上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップＳ３０３において、上述の各実施の形態にかかる露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、その１ロットのプレート上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップＳ３０４において、その１ロットのプレート上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップＳ３０５において、その１ロットのプレート上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各プレート上の各ショット領域に形成される。

その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述のマイクロデバイス製造方法によれば、上述の各実施の形態にかかる露光装置を用いて露光を行うため、高いスループットで微細な回路パターンを有するマイクロデバイスを精度良く得ることができる。なお、ステップＳ３０１〜ステップＳ３０５では、プレート上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、プレート上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。

また、上述の各実施の形態にかかる露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイス（表示デバイス）としての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図１５のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図１５において、パターン形成工程Ｓ４０１では、上述の各実施の形態にかかる露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２へ移行する。

次に、カラーフィルタ形成工程Ｓ４０２では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程Ｓ４０２の後に、セル組み立て工程Ｓ４０３が実行される。セル組み立て工程Ｓ４０３では、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。セル組み立て工程Ｓ４０３では、例えば、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。

その後、モジュール組み立て工程Ｓ４０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、上述の各実施の形態にかかる露光装置を用いて露光を行うため、高いスループットで微細な回路パターンを有する半導体デバイスを精度良く得ることができる。

第１の実施の形態にかかる投影露光装置の概略構成を示す図である。 第１の実施の形態にかかる投影露光装置の概略構成を示す斜視図である。 第１の実施の形態にかかるアライメント検出系及びオートフォーカス検出系の配置を示す図である。 第１の実施の形態にかかる投影露光装置のスキャン開始前における感光基板のフォーカス位置の補正方法を説明するためのフローチャートである。 第１の実施の形態にかかるアライメント検出系が第１アライメントを行う位置を説明するための図である。 第１の実施の形態にかかるアライメント検出系が第２アライメントを行う位置を説明するための図である。 第１の実施の形態にかかる投影露光装置の最初の露光開始位置を説明するための図である。 第１の実施の形態にかかる投影露光装置のスキャン開始後における感光基板のフォーカス位置の補正方法を説明するためのフローチャートである。 第１の実施の形態にかかる一方のオートフォーカス検出系が感光基板上に到達した位置を説明するための図である。 第１の実施の形態にかかる一方のオートフォーカス検出系が感光基板上の異なる点のフォーカス位置を検出するときの位置を説明するための図である。 第１の実施の形態にかかる他方のオートフォーカス検出系が感光基板上に到達した位置を説明するための図である。 第２の実施の形態にかかる投影露光装置の概略構成を示す図である。 第２の実施の形態にかかるオートフォーカス検出系及びアライメント検出系の位置関係を示す図である。 この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。

符号の説明

６…光源、６ａ…楕円鏡、１０ａ〜１０ｋ…照明系モジュール、２０…マスクホルダ、２１…リニアモータ、３０…基板ホルダ、３９ａ，３９ｂ，７４…マスク側レーザ干渉計、４３ａ，４３ｂ，８５…基板側レーザ干渉計、５０，５２，５００，５２０…オートフォーカス検出系、５４，５４０…アライメント検出系、１５１，１５２…反射屈折型光学系、ＥＸ…露光装置、ＩＬ，ＩＬ２…照明光学系、ＰＬ１〜ＰＬ１１，ＰＬ…投影光学系、ＰＫ…鏡筒、Ｍ，Ｍ２…マスク、ＭＳＴ，ＭＳＴ２…マスクステージ、ＭＳＴＤ…マスクステージ駆動部、Ｐ，Ｐ２…感光基板、ＰＳＴ，ＰＳＴ２…基板ステージ、ＰＳＴＤ…基板ステージ駆動部、ＣＯＮＴ，ＣＯＮＴ２…制御装置。

Claims (11)

1. マスクと外径が５００ｍｍよりも大きい感光性基板とを走査方向に同期移動させて、投影光学系を介して前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露光する露光装置において、
   前記投影光学系の光軸方向における該投影光学系に対する前記感光性基板の位置を検出する複数の位置検出手段と、
   前記複数の位置検出手段により検出された前記感光性基板の検出結果に基づいて面傾斜を算出する面傾斜算出手段と、
   前記面傾斜算出手段により算出された面傾斜と前記投影光学系を介して前記感光性基板に投影される前記マスクのパターンの像面との相対位置を補正する相対位置補正手段とを備え、
   前記複数の位置検出手段は、前記感光性基板を露光する露光開始前に、前記基板の平面内の複数の異なる位置においてそれぞれ計測を行い、
   前記相対位置補正手段は、前記復数の計測結果に基づいて前記相対位置を補正することを特徴とする露光装置。
2. 前記複数の位置検出手段は、前記走査方向に前記基板を移動させた際の複数の異なる位置においてそれぞれ計測することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
3. 前記相対位置補正手段は、前記複数の位置検出手段を用いて露光開始前に予め検出した所定の位置における前記感光性基板の少なくとも３点の位置の検出結果に基づき前記面傾斜算出手段により第１の面傾斜を算出し、該算出された第１の面傾斜に基づいて前記相対位置を補正することを特徴とする請求項１または請求項２記載の露光装置。
4. 前記面傾斜算出手段は、前記マスクに対する前記感光性基板の前記投影光学系の光軸と交差する方向の位置を検出する検出位置での前記検出手段の検出結果に基づいて、前記第１の面傾斜を算出することを特徴とする請求項３記載の露光装置。
5. 前記投影光学系は、相互に前記走査方向に離れた位置に第１投影光学ユニットと第２投影光学ユニットとを備え、
   前記位置検出手段は、前記第１投影光学ユニットと前記第２投影光学ユニットとを前記走査方向に挟み込む位置関係に第１検出手段と第２検出手段とを備えることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の露光装置。
6. 前記第１検出手段及び第２検出手段の少なくとも一方は、前記走査方向に交差する方向に配列された複数の位置検出点を有することを特徴とする請求項５記載の露光装置。
7. 前記相対位置補正手段は、前記第１検出手段及び前記第２検出手段の少なくとも一方で前記感光性基板を検出した際に、該検出した前記感光性基板の前記投影光学系の光軸方向の位置を前記第１の面傾斜に加味して前記相対位置を補正することを特徴とする請求項５または請求項６記載の露光装置。
8. マスクと外径が５００ｍｍよりも大きい感光性基板とを走査方向に同期移動させて、投影光学系を介して前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露光する露光装置において、
   前記投影光学系の光軸方向における該投影光学系に対する前記感光性基板の位置を検出する複数の位置検出手段と、
   前記複数の位置検出手段により検出された前記感光性基板の検出結果に基づいて面傾斜を算出する面傾斜算出手段と、
   前記面傾斜算出手段により算出された面傾斜と前記投影光学系を介して前記感光性基板に投影される前記マスクのパターンの像面との相対位置を補正する相対位置補正手段とを備え、
   前記相対位置補正手段は、前記感光基板の処理群であるロットの先頭の少なくとも１枚に対し、前記複数の位置検出手段を用いて所定の位置における前記感光性基板の少なくとも３点の位置を予め検出し、該検出した結果に基づき前記面傾斜算出手段により第１の面傾斜を算出し、該第１の面傾斜を記憶するとともに該記憶された第１の面傾斜に基づいて該相対位置を補正し、
   前記複数の位置検出手段のうち直線状に並ばない少なくとも３点の検出点により前記感光性基板の位置を検出した後、該検出した位置に基づき、前記面傾斜算出手段により第２の面傾斜を算出し、該第２の面傾斜に基づいて前記相対位置を補正することを特徴とする露光装置。
9. 前記相対位置補正手段は、露光開始後に前記面傾斜算出手段により検出された前記第３の面傾斜に基づいて前記相対位置を補正することを特徴とする請求項８記載の露光装置。
10. 前記相対位置補正手段は、前記マスク又は前記感光性基板を載置したテーブルの少なくとも一方を傾斜させて面傾斜を制御することを特徴とする請求項１乃至請求項９の何れか一項に記載の露光装置。
11. マスクのパターンを外径が５００ｍｍよりも大きい感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とする表示デバイスの製造方法において、
    前記露光工程は、請求項１乃至請求項１０の何れか一項に記載の露光装置を用いて前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露光する工程を含むことを特徴とする表示デバイスの製造方法。

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