JP2007052214A - 走査型露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 可変形成マスクを用いた走査型露光装置であって、露光光学系の熱、装置内の気圧または露光光の照射量の変化等による露光光学系の像特性の変動を防止することができる走査型露光装置を提供する。
【解決手段】 任意のパターンを形成する可変成形マスク8と、感光基板Pを載置する基板ステージと、前記可変成形マスク8からの光ビームによって、前記感光基板P上に像を露光する露光光学系PL1とを備え、前記基板ステージと前記露光光学系L1とを相対的に走査させて前記感光基板Pにパターンを露光する走査型露光装置において、前記露光光学系L1における像特性の変化を補償するように、該露光光学系L1の像特性を補正する像特性補正手段と、前記可変成形マスク8で生成される露光パターンデータを補正するデータ補正手段との少なくとも一方を備える。
【選択図】 図2
【解決手段】 任意のパターンを形成する可変成形マスク8と、感光基板Pを載置する基板ステージと、前記可変成形マスク8からの光ビームによって、前記感光基板P上に像を露光する露光光学系PL1とを備え、前記基板ステージと前記露光光学系L1とを相対的に走査させて前記感光基板Pにパターンを露光する走査型露光装置において、前記露光光学系L1における像特性の変化を補償するように、該露光光学系L1の像特性を補正する像特性補正手段と、前記可変成形マスク8で生成される露光パターンデータを補正するデータ補正手段との少なくとも一方を備える。
【選択図】 図2
Description
この発明は、液晶表示素子等のフラットパネル表示素子等のマイクロデバイスをリソグラフィ工程で製造するための走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法に関するものである。
マイクロデバイスの一つである液晶表示素子等を製造する場合において、マスク(レチクル、フォトマスク等)のパターンを、投影光学系を介してフォトレジスト等が塗布されたプレート(ガラスプレート、半導体ウエハ等)上に投影露光する投影露光装置が使用されている。
従来は、プレート上の各ショット領域にそれぞれマスクのパターンを一括して露光するステップアンドリピート方式の投影露光装置(ステッパ)が多用されていた。近年、1つの大型の投影光学系を使用する代わりに、複数の小型の投影光学ユニットを走査方向に沿って所定間隔で複数列に配置し、マスクステージと基板ステージとを同期走査しつつ、各投影光学ユニットにおいてそれぞれのマスクのパターンを連続的にプレート上に露光するステップアンドスキャン方式の投影露光装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
ところで、プレートは液晶表示素子の大型化に伴い大型化しており、現在では1m角以上のプレート(ガラス基板)も用いられており、同時にマスクも大型化している。露光装置に要求されるデバイスのパターンルールが一定であれば大型のマスクにも小型のマスクと同様の平面度が要求されるため、大型のマスクのたわみやうねりを小型のマスクのたわみやうねりと同程度に抑えるために大型のマスクの厚さを小型のマスクよりも大幅に厚くする必要がある。また、一般にTFT(Thin Film Transistor)で使用されているマスクは、コスト高の石英ガラスであるため、大型化すれば製造コストが増大する。更に、マスクの平面度を維持するためのコスト、マスクパターンの検査時間の拡大等によるコスト等が増大している。
そこで、マスクの代わりにDMD(Digital Micromirror DeviceまたはDeformable Micromirror Device)等を用いてパターンを基板上に露光するマスクレス露光装置が提案されている。しかしながら、このマスクレス露光装置においては、従来のマスクを用いた投影露光装置と同様に、露光光の照射により発生する熱、装置内の気圧の変化、露光光の照射量の変化等により光学系の像特性が変動するという問題があった。
この発明の課題は、可変形成マスクを用いた走査型露光装置であって、露光光学系の熱、気圧または露光光の照射量の変化等による露光光学系の像特性の変動を防止することができる走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法を提供することである。
この発明の走査型露光装置は、任意のパターンを形成する可変成形マスク(8)と、感光基板(P)を載置する基板ステージ(PST)と、前記可変成形マスク(8)からの光ビームによって、前記感光基板(P)上に像を露光する露光光学系(PL1,PL2)とを備え、前記基板ステージ(PST)と前記可変成形マスク(8)とを相対的に走査させて前記感光基板(8)にパターンを露光する走査型露光装置において、前記露光光学系(PL1,PL2)における像特性の変化を補償するように、該露光光学系(PL1,PL2)の像特性を補正する像特性補正手段(20,22,24,30)と、前記可変成形マスク(8)で生成される露光パターンデータを補正するデータ補正手段(8)との少なくとも一方を備えることを特徴とする。
この発明の走査型露光装置によれば、露光光学系の像特性を補正する像特性補正手段及び可変成形マスクにより生成される露光パターンデータを補正するデータ補正手段の少なくとも一方を備えているため、露光光の照射により発生する熱、装置内の気圧の変化、露光光の照射量の変化等を要因とする露光光学系の像特性の悪化を防止することができる。したがって、感光基板上の所定の位置に可変成形マスクにより形成される所定のパターンを正確に露光することができる。
また、この発明のマイクロデバイスの製造方法は、この発明の走査型露光装置を用いて所定のパターンを感光基板(P)上に露光する露光工程(S303)と、前記露光工程により露光された前記感光基板(P)を現像する現像工程(S304)とを含むことを特徴とする。
この発明のマイクロデバイスの製造方法によれば、この発明の走査型露光装置を用いて露光するため、感光基板上に所定のパターンを精度良く露光することができ、良好なマイクロデバイスを得ることができる。
この発明の走査型露光装置によれば、露光光学系の像特性を補正する像特性補正手段及び可変成形マスクにより生成される露光パターンデータを補正するデータ補正手段の少なくとも一方を備えているため、露光光の照射により発生する熱、装置内の気圧の変化、露光光の照射量の変化等を要因とする露光光学系の像特性の悪化を防止することができる。したがって、感光基板上の所定の位置に可変成形マスクにより形成される所定のパターンを正確に露光することができる。
また、この発明のマイクロデバイスの製造方法によれば、この発明の走査型露光装置を用いて露光するため、感光基板上に所定のパターンを精度良く露光することができ、良好なマイクロデバイスを得ることができる。
この発明の走査型露光装置は、像特性の変化を補正することができる像特性補正手段及びデータ補正手段の少なくとも一方を備え、可変成形マスクにより形成される所定のパターンを感光基板上に露光するため、特に液晶表示素子などのフラットパネルディスプレイ用の基板のように外径が500mmよりも大きい基板に対して有効である。
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態にかかる走査型露光装置について説明する。図1は、実施の形態にかかる走査型露光装置の概略構成を示す斜視図である。この実施の形態においては、複数の露光光学ユニットL1〜L13に対してプレートPを相対的に移動させつつ液晶表示素子等のパターンを感光性材料(レジスト)が塗布された感光基板としてのプレートP上に転写するステップアンドスキャン方式の走査型投影露光装置を例に挙げて説明する。
また、以下の説明においては、図1中に示した直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。XYZ直交座標系は、X軸及びY軸がプレートPに対して平行となるよう設定され、Z軸がプレートPに対して直交する方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直方向に設定される。また、この実施の形態では、プレートPを移動させる方向(走査方向)をX方向に設定している。
この走査型露光装置はプレートP上に任意のパターンを露光するための露光光学系を備えており、露光光学系は複数の露光光学ユニットL1〜L13を備えている。複数の露光光学ユニットL1〜L13は、それぞれ筐体に収容されており、コラム1に搭載されている。各筐体には筐体内に収容されている光学部材を冷却する図示しない冷却装置(冷却手段)が設けられている。したがって、露光光の照射等により装置内に発生する熱等による光学部材の特性変化を抑制することができるため、露光光学ユニットL1〜L13のキャリブレーションを行なう回数を少なくすることができ、スループットの低下を防止することができる。露光光学ユニットL1,L3,L5,L7,L9,L11,L13は、走査方向の後方側(−X方向側)であって、Y方向(非走査方向)に並んで配置されている。露光光学ユニットL2,L4,L6,L8,L10,L12は、走査方向の前方側(+X方向側)であって、Y方向に並んで配置されている。
図示しないLD光源部から射出した光ビームは、ファイバに入射する。この実施の形態においては、各露光光学ユニットL1〜L13に対応して複数のLD光源部及びファイバが設けられている。なお、1つのLD光源部及び1つのファイバを設け、ファイバが各露光光学ユニットL1〜L13に対応した複数のファイバ射出端を有するようにしてもよい。
図2は露光光学ユニットL1の概略構成を示す図、図3は露光光学ユニットL1を構成するファイバ2からDMD8までの構成を示す図である。図示しないLD光源部から射出され、ファイバ2に入射した光ビームは、ファイバ2の射出端から射出する。ファイバ2の射出端は、XY平面内及びZ方向に移動可能に構成されている。ファイバ2の射出端をXY平面内で移動させることにより、ファイバ2の射出端から後述するリレー光学系10の傾斜テレセンを調整することができる。また、ファイバ2の射出端をZ方向に移動させることにより、ファイバ2の射出端からリレー光学系10の倍率テレセンを調整することができる。ファイバ2の射出端から射出した光ビームは、コリメート光学系4及びミラー6を介して、露光光学ユニットL1を構成するDMD(Digital Micromirror DeviceまたはDeformable Micromirror Device)8を均一に照明する。なお、DMD8を露光光学ユニットL1とは別に設けるようにしてもよい。
図4は、DMD(データ補正手段)8の構成を示す図である。DMD8は、図4に示すように、微小領域に区分されたデバイスとしての多数のマイクロミラー(反射部材)8aを有している。各マイクロミラー8aはその角度をそれぞれ独立に変更可能に構成されており、DMD8は各マイクロミラー8aの角度を変化させることによりプレートP上に転写される任意のパターンを形成する可変成形マスクとして機能する。即ち、プレートPの走査に同期して、反射光が後述するリレー光学系10に導かれるように一部のマイクロミラー8aの角度を変化させ、反射光がリレー光学系10とは異なる方向に進行するように他部のマイクロミラー8aの角度を変化させることにより、対応する露光領域に投影される転写パターン(露光パターンデータ)を順次生成する。この際、DMD8の角度を調節してON、OFFすることにより露光パターンデータを形成して、露光光学ユニットL1〜L13を介してプレートP上にパターンが形成される。
また、図2に示すように、DMD8の近傍には温度センサ9(図3では図示せず)が配置されており、温度センサ9はDMD8の温度を計測する。温度センサ9による計測結果は、後述する制御装置CONTに対して出力される。また、図3に示すように、DMD8のマイクロミラー8aにより反射され、リレー光学系10とは異なる方向に進行した光ビームは、レンズ50を介して、光ビームの光量を計測する光量センサ52に入射する。光量センサ52は、光量センサ52に入射する光ビームの光量を計測するとともに、光量センサ52に入射する光ビームの光分布を計測することができる。光量センサ52による計測結果は、後述する制御装置CONTに対して出力される。
DMD8(一部のマイクロミラー8a)により反射された光ビームは、リレー光学系10に入射する。図5は、リレー光学系10の構成を示す図である。リレー光学系10は、リレーレンズ群12a、絞り14、リレーレンズ群12b及びリレーレンズ群12cを備えている。光ビームは、リレーレンズ群12a、絞り14、リレーレンズ群12b及びリレーレンズ群12cを介することにより拡大されて、マイクロレンズアレイ16に入射する。リレーレンズ群12a〜12cは、XY平面及びZ方向に移動可能に構成されている。リレーレンズ群12a〜12cの少なくとも1つをXY平面で移動させることにより、ファイバ2の射出端からリレー光学系10の傾斜テレセンを調整することができる。また、リレーレンズ群12a〜12cの少なくとも1つをZ方向に移動させることにより、ファイバ2の射出端からリレー光学系10の倍率テレセンを調整することができる。
図6は、マイクロレンズアレイ16及び後述する点像視野絞り18の一部の構成を示す図である。マイクロレンズアレイ16は、図6に示すように、DMD8を構成するマイクロミラー8aのそれぞれに対応する多数の要素レンズ16aを有しており、プレートPと光学的に共役な位置またはその近傍に配置されている。また、マイクロレンズアレイ16は、XY平面に平行な方向及びZ方向に移動可能、かつXY平面に対して傾斜可能に構成されている。
マイクロレンズアレイ16の各要素レンズ16aを通過した光ビームは、点像視野絞り18を通過する。点像視野絞り18は、図6に示すように、マイクロレンズアレイ16を構成する要素レンズ16aのそれぞれに対応して設けられた多数の開口部18aを有している。点像視野絞り18の各開口部18aを通過することにより、露光光学ユニットL1内で発生するゴースト及びDMD8のオンオフ時に発生する像流れによる露光への悪影響を防止することができる。また、点像視野絞り18の近傍には温度センサ19配置されており、温度センサ19は点像視野絞り18の温度を計測する。温度センサ19による計測結果は、後述する制御装置CONTに対して出力される。
なお、点像視野絞り18は、多数の開口部18aの代わりに、マイクロレンズアレイ16の要素レンズ16aのそれぞれに対応して設けられた多数の光透過部を有するようにしてもよい。また、他の露光光学ユニットL2〜L13も、DMD、リレー光学系、マイクロレンズアレイ及び点像視野絞りを備えており、これらDMD、リレー光学系、マイクロレンズアレイ及び点像視野絞りは、DMD8、リレー光学系10、マイクロレンズアレイ16、点像視野絞り18と同様の構成を有している。
点像視野絞り18の各開口部18aを通過した光ビームは、図2に示すように、投影光学系PL1に入射する。図7は、露光光学ユニットL1を構成する投影光学系PL1及び露光光学ユニットL2を構成する投影光学系PL2の構成を示す図である。図7に示すように、投影光学系PL1に入射した光ビームは、投影光学系PL1を構成するフォーカス調整機構(像特性補正手段)20に入射する。フォーカス調整機構20は、第1光学部材20aと第2光学部材20bを備えている。第1光学部材20a及び第2光学部材20bは、くさび状に形成され光ブームを透過可能なガラス板であり、一対のくさび型光学部材を構成している。また、第1光学部材20a及び第2光学部材20bは、相対的に移動可能に構成されている。第2光学部材20bに対して第1光学部材20aをX方向にスライドするように移動させることにより、投影光学系PL1の像面位置がZ方向に移動する。
フォーカス調整機構20を通過した光ビームは、シフト調整機構(像特性補正手段)22に入射する。シフト調整機構22は、Y軸まわりに回転可能に構成されている平行平面ガラス板22aと、X軸まわりに回転可能に構成されている平行平面ガラス板22bを備えている。平行平面ガラス板22aがY軸まわりに回転することによりプレートP上におけるパターンの像はX軸方向にシフトする。平行平面ガラス板22bがX軸まわりに回転することによりプレートP上におけるパターンの像はY軸方向にシフトする。
シフト調整機構22を通過した光ビームは、回転調整機構としての直角プリズム(像特性補正手段)24に入射する。直角プリズム24は、Z軸まわりに回転可能に構成されている。直角プリズム24がZ軸まわりに回転することによりプレートP上におけるパターンの像はZ軸まわりに回転する。直角プリズム24により反射された光ビームは、レンズ群26を介してミラー28により反射される。ミラー28により反射された光ビームは、再びレンズ群26及び直角プリズム24を介して、倍率調整機構(像特性補正手段)30に入射する。
倍率調整機構30は、3つのレンズ30a,30b,30cを備えている。3つのレンズ30a〜30cは例えば凹レンズ30a、凸レンズ30b、凹レンズ30cから構成されており、凸レンズ30bをZ方向に移動させることによりプレートP上に形成されるパターン像の倍率の調整を行なうことができる。倍率調整機構30を通過した光ビームは、外径が500mmよりも大きい、つまり一辺もしくは対角線が500mmよりも大きいフラットパネルディスプレイ用のプレートP上の所定の露光領域に所定のパターン像を形成する。なお、他の露光光学ユニットL2〜L13を構成する投影光学系(以下、投影光学系PL2〜PL13という)は、投影光学系PL1と同一の構成を有する。
図8は、プレートP上における投影光学系PL1〜PL13のそれぞれによる投影領域48a〜48mを示す平面図である。各投影領域48a〜48mは、投影光学系PL1〜PL13の視野領域に対応して所定の形状(六角形、菱形、平行四辺形等)に設定されており、この実施の形態においては台形形状を有している。投影領域48a、48c,48e,48g,48i,48k,48mと投影領域48b,48d,48f,48h,48j,48lとはX方向に対向して配置されている。さらに、投影領域48a〜48mのそれぞれは隣り合う投影領域の端部(境界部)どうしがY方向に重ね合わせるように並列配置されている。
図1に示すように、プレートPを載置するプレートステージPSTは、防振台32a,32b及び図示しない防振台(以下、防振台32cという)に支持されているベース34上に設けられている。防振台32a〜32cは、外部からの振動を露光装置に伝えないようにし、通常3つ以上設置される。プレートステージPSTは、リニアモータ36により走査方向(X方向)に移動可能に構成されており、ガイド37に対してエアギャップで浮上させる所謂エアステージの構成を有している。また、プレートステージPSTは、非走査方向(Y方向)に微量移動可能に構成されている図示しない微動ステージを有している。
また、コラム1に固定されている露光光学ユニットL1〜L13に対するプレートステージPSTのX方向における位置を、移動鏡40a,40bを用いて計測及び制御するXレーザ干渉計38を備えている。また、露光光学ユニットL1〜L13に対するプレートPSTのY方向における位置を、移動鏡42を用いて計測及び制御するYレーザ干渉計(図示せず)を備えている。
また、露光光学ユニットL1〜L13の走査方向の後方側(−X方向側)には、プレートPに設けられているアライメントマークを検出する複数のアライメント系AL1〜AL6及びプレートPのZ方向における位置を検出するオートフォーカス系AF1〜AF6がY方向(非走査方向)に並んで配置されている。また、プレートステージPSTの−X方向の端部には、Y方向に複数並んだAISマークを有する基準部材44が設けられている。また、基準部材44の下方には空間像計測センサ(AIS)が設けられており、空間像計測センサはプレートステージPSTに埋設されている。
空間像計測センサは、各DMDの位置と、各DMDにより形成される転写パターン(露光パターンデータ)の像がプレートP上に投影される位置の関係を求めるために用いられる。即ち、DMDにより形成される基準マークとAISマークが一致するようにプレートステージPSTを移動し、基準マークの像とAISマークとを空間像計測センサで検出し、この検出結果に基づいてDMDの位置とDMDにより形成される転写パターンの像がプレートP上に投影される位置との関係を求める。なお、この場合にDMDにより形成される基準マークは、後述するパターン記憶部74(図9参照)に記憶されているものであり、プレートステージPSTの位置はXレーザ干渉計38及びYレーザ干渉計により検出される。
また、空間像計測センサは、アライメント系AL1〜AL6の位置とプレートステージPSTの位置の関係を求めるために用いられる。即ち、プレートステージPSTを移動し、アライメント系AL1〜AL6の計測領域中心(具体的には計測領域に設けられている指標マーク)にAISマークを一致させ、このときのプレートステージPSTの位置をXレーザ干渉計38及びYレーザ干渉計で検出する。この検出結果に基づいて、アライメント系AL1〜AL6の位置とプレートステージPST位置の関係を求める。
また、プレートステージPSTの近傍には、各露光光学ユニットL1〜L13を介した光ビームの照度を計測する少なくとも1つの照度計(図示せず)が設けられている。照度計は、XY平面上を移動可能に構成されており、各露光光学ユニットL1〜L13から射出される光ビームを計測できる位置に移動し、各露光光学ユニットL1〜L13から射出される光ビームの照度を計測する。照度計による計測結果は、制御装置CONTに対して出力される。
また、プレートステージPSTの近傍には、各露光光学ユニットL1〜L13の照明テレセントリシティ(倍率テレセントリシティ及び傾斜テレセントリシティ)を求めるための照明テレセン計測系(図示せず)が設けられている。照明テレセン計測系は、XY平面上を移動可能に構成されており、各露光光学ユニットL1〜L13から射出される光ビームの光束断面の重心位置を計測できる位置に移動し、各露光光学ユニットL1〜L13から射出される光ビームの光束断面の重心位置を計測する。照明テレセン計測系による計測結果は、制御装置CONTに対して出力される。光ビームの光束断面の重心位置を計測することにより、露光光学ユニットL1〜L13の倍率テレセントリシティ及び傾斜テレセントリシティのずれを計測することができる。即ち、倍率テレセントリシティがずれている場合には光ビームの光束断面の重心位置は拡がりを有し、傾斜テレセントリシティがずれている場合には光ビームの光束断面の重心位置は光束断面の中心から外れる。また、この実施の形態にかかる走査型露光装置は、装置内の気圧を計測する気圧計(図示せず)を備えている。気圧計による計測結果は、制御装置CONTに対して出力される。
図9は、この実施の形態にかかる走査型露光装置のシステム構成を示すブロック図である。図9に示すように、この走査型露光装置は、露光処理に関する動作を総括制御する制御装置CONTを備えている。制御装置CONTには、ファイバ2の射出端の位置を移動するファイバ射出端駆動部56が接続されている。ファイバ射出端駆動部56は、制御装置CONTからの制御信号に基づいてファイバ2の射出端をXY平面内またはZ方向に移動させる。同様に、制御装置CONTには露光光学ユニットL2〜L13を構成するファイバの射出端の位置を移動するファイバ射出端駆動部(図示せず)が接続されており、ファイバ射出端駆動部は、制御装置CONTからの制御信号に基づいてファイバの射出端をXY平面内またはZ方向に移動させる。
また、制御装置CONTには、リレーレンズ群12aを移動するリレーレンズ駆動部58a、リレーレンズ群12bを移動するリレーレンズ駆動部58b、リレーレンズ群12cを移動するリレーレンズ駆動部58cが接続されている。リレーレンズ駆動部58a〜58cは、制御装置CONTからの制御信号に基づいてリレーレンズ群12a〜12cをXY平面内またはZ方向に移動させる。同様に、制御装置CONTには露光光学ユニットL2〜L13を構成するリレーレンズ群を移動するリレーレンズ駆動部(図示せず)が接続されており、リレーレンズ駆動部は、制御装置CONTからの制御信号に基づいてリレーレンズ群をXY平面またはZ方向に移動させる。
また、制御装置CONTには、絞り14を移動する絞り駆動部59が接続されている。絞り駆動部59は、制御装置CONTからの制御信号に基づいて絞り14をXY平面内またはZ方向に移動させる。同様に、制御装置CONTには露光光学ユニットL2〜L13を構成する絞りを移動する絞り駆動部(図示せず)が接続されており、絞り駆動部は、制御装置CONTからの制御信号に基づいて絞りをXY平面またはZ方向に移動させる。
また、制御装置CONTには、DMD8の各マイクロミラー8aを個別に駆動するDMD駆動部60が接続されている。DMD駆動部60は、制御装置CONTからの制御信号に基づいてDMD8の各マイクロミラー8aの角度を変更する。同様に、制御装置CONTには露光光学ユニットL2〜L13を構成するDMDの各マイクロミラーを個別に駆動するDMD駆動部(図示せず)が接続されており、DMD駆動部は制御装置CONTからの制御信号に基づいてDMDの各マイクロミラーの角度を変更する。
また、制御装置CONTには、マイクロレンズアレイ16を駆動するレンズアレイ駆動部62が接続されている。レンズアレイ駆動部62は、制御装置CONTからの制御信号に基づいてマイクロレンズアレイ16をXY平面内もしくはZ方向に移動、またはXY平面に対して傾斜させる。同様に、制御装置CONTには露光光学ユニットL2〜L13を構成するマイクロレンズアレイを駆動するレンズアレイ駆動部(図示せず)が接続されており、レンズアレイ駆動部は制御装置CONTからの制御信号に基づいてマイクロレンズアレイをXY平面内もしくはZ方向に移動、またはXY平面に対して傾斜させる。
また、制御装置CONTには、フォーカス調整機構20を駆動するフォーカス調整機構駆動部64、シフト調整機構22を駆動するシフト調整機構駆動部66、直角プリズム24を駆動する直角プリズム駆動部68、倍率調整機構30を駆動する倍率調整機構駆動部70が接続されている。フォーカス調整機構駆動部64、シフト調整機構駆動部66、直角プリズム駆動部68、倍率調整機構駆動部70は、制御装置CONTからの制御信号に基づいてフォーカス調整機構20、シフト調整機構22、直角プリズム24、倍率調整機構30を駆動させる。同様に、各投影光学系PL2〜PL13を構成するフォーカス調整機構を駆動するフォーカス調整機構駆動部(図示せず)、シフト調整機構を駆動するシフト調整機構駆動部(図示せず)、直角プリズムを駆動する直角プリズム駆動部(図示せず)、倍率調整機構を駆動する倍率調整機構駆動部(図示せず)が接続されている。フォーカス調整機構駆動部、シフト調整機構駆動部、直角プリズム駆動部、倍率調整機構駆動部は、制御装置CONTからの制御信号に基づいてフォーカス調整機構、シフト調整機構、直角プリズム、倍率調整機構を駆動させる。
また、制御装置CONTには、プレートステージPSTを走査方向であるX方向に沿って移動させ、かつY方向に微小移動させるプレートステージ駆動部72が接続されている。また、制御装置CONTには、アライメント系AL1〜AL6、オートフォーカス系AF1〜AF6、空間像計測センサ、照度計、気圧計、照明テレセン計測系、Xレーザ干渉計38及びYレーザ干渉計が接続されている。また、制御装置CONTには、光量センサ52、温度センサ9,19が接続されている。同様に、各露光光学ユニットL2〜L13が備える光量センサ及び温度センサが接続されている。
また、制御装置CONTには、DMD8において形成する転写パターン(露光パターンデータ)や、アライメントや空間像計測に用いられる基準マークを記憶するパターン記憶部74が接続されている。また、制御装置CONTには、露光データ、例えば温度や気圧に対する光学系の像特性の変動量等が記憶されている露光データ記憶部76が接続されている。
この実施の形態にかかる走査型露光装置においては、DMD8のマイクロミラー8a、マイクロレンズアレイ16の各要素レンズ16a及び点像視野絞り18の各開口部18aは、XY平面内においてX方向及びY方向に平行な方向に二次元的に配列されている。点像視野絞り18の各開口部18aを通過した光ビームのそれぞれがX方向及びY方向に平行な位置に到達する状態で走査露光した場合、X方向に平行な線状のパターンを形成することができるが、Y方向に平行な線状のパターンを形成することができない。したがって、Y方向に平行な線状のパターンも露光することができるように、例えば点像視野絞り18をZ軸まわりに所定角度α回転させて設置し、図10に示すように、回転させた点像視野絞り18の各開口部18aを通過した光ビームがプレートP上に到達するようにする。なお、点像視野絞り18の回転に伴い、マイクロレンズアレイ16もZ軸まわりの所定角度α回転させて設置する。
即ち、制御装置CONTは、レンズアレイ駆動部62に対して制御信号を出力し、レンズアレイ駆動部62を介してマイクロレンズアレイ16をZ軸を軸として回転駆動させる。また、制御装置CONTは、マイクロレンズアレイ16と同様に、図示しない駆動部を介して点像視野絞り18をZ軸を軸として回転駆動させる。また、制御装置CONTは、DMD駆動部60に対して制御信号を出力し、マイクロレンズアレイ16の各要素レンズ16及び点像視野絞り18の各開口部18aに対応するように、DMD駆動部60を介してDMD8の各マイクロミラー8aの角度を調整する。マイクロレンズアレイ16及び点像視野絞り18が回転することにより、点像視野絞り18の各開口部18aを通過した光ビームがZ軸まわりに所定角度α回転されてプレートP上に到達する。この状態で走査露光した場合、X方向及びY方向に平行な線状のパターンを形成することができる。
なお、直角プリズム駆動部68を介して直角プリズム24をZ軸まわりに回転駆動させることにより、点像視野絞り18の各開口部18aを通過した光ビームがZ軸まわりに所定角度回転されてプレートP上に到達するようにしてもよい。また、この実施の形態においては、XY平面内においてX方向及びY方向に平行な方向に二次元的に配列された点像視野絞り18の開口部18aを備えているが、XY平面内においてX方向及びY方向に対して45度傾斜した方向に二次元的に配列された点像視野絞りの開口部を備えてもよい。この場合おいても、点像視野絞りの各開口部を通過した光ビームが、例えば図11に示すように、Z軸まわりに所定角度α回転させてプレートP上に到達するようにする。
なお、制御装置CONTは、他の露光光学ユニットL2〜L13のそれぞれが備えるマイクロレンズアレイ及び点像視野絞りをZ軸に対して回転駆動させ、DMDの各マイクロミラーの角度を調整する、または、直角プリズムをZ軸に対して回転駆動させる。こうすることにより、点像視野絞りの各開口部を通過した光ビームが、点像視野絞り18の各開口部18aを通過した光ビームと同様に、Z軸まわりに所定角度α回転させてプレートP上に到達するようにする。
また、この実施の形態にかかる走査型投影露光装置においては、欠陥、例えば故障、誤作動またはゴミの付着等により精度が低下したDMD8の各マイクロミラー8aを検知、即ち、各マイクロミラー8aの動作確認をすることができる(マスク動作判定手段)。まず、制御装置CONTは、DMD駆動部60に対して制御信号を出力し、DMD駆動部60を介してDMD8の所定の領域に属するマイクロミラー8aにより反射された光ビームが光量センサ52に入射するようにマイクロミラー8aの角度を調整する。具体的には、DMD8を例えば10箇所程度の領域に分割し、各領域に属するマイクロミラー8aにより反射された光ビームの光量を光量センサ52により検出する。制御装置CONTは、予め露光データ記憶部76に記憶されている各領域に属するマイクロミラー8aにより反射された光ビームの光量と、光量センサ52により検出された光ビームの光量とを比較する。露光データ記憶部76に記憶されている光量と光量センサ52により検出された光量とが同一である場合には、その領域に属するマイクロミラー8aすべてに欠陥がないと判別する。露光データ記憶部76に記憶されている光量と光量センサ52により検出された光量とが同一でない場合には、その領域に属するマイクロミラー8aのいずれかに欠陥があると判別する。
マイクロミラー8aのいずれかに欠陥があると判別された領域は更に細分化されて、細分化された領域に属するマイクロミラー8aにより反射された光ビームの光量を光量センサ52により検出する。制御装置CONTは、予め露光データ記憶部76に記憶されている細分化された領域に属するマイクロミラー8aにより反射された光ビームの光量と、光量センサ52により検出された光ビームの光量とを比較する。露光データ記憶部76に記憶されている光量と光量センサ52により検出された光量とが同一である場合には、その細分化された領域に属するマイクロミラー8aすべてに欠陥がないと判別する。露光データ記憶部76に記憶されている光量と光量センサ52により検出された光量とが同一でない場合には、その細分化された領域に属するマイクロミラー8aのいずれかに欠陥があると判別する。
制御装置CONTは、DMD8の欠陥があると疑われる領域の細分化、細分化された領域の光量の検出、記憶されている光量と計測結果による光量との比較を繰り返すことにより、欠陥のあるマイクロミラー8aを特定する。欠陥のあるマイクロミラー8aが検知された場合には、制御装置CONTは、欠陥のあるマイクロミラー8aを用いない方法、例えば画像データの補正等による転写パターンの形成を行ない、メンテナンス時に欠陥のあるマイクロミラー8aの交換を報知する。欠陥のあるマイクロミラー8aの検知のタイミングとしては、画像データ等をパターン記憶部74及び露光データ記憶部76に転送している間、プレートを交換している間、アライメントをしている間等がよい。このように、装置のスループットを低下させることなく、マイクロミラー8aの欠陥を検知することができ、欠陥のあるマイクロミラーを使用することによる露光精度の低下を最小限に抑えることができる。
なお、光量センサ52により計測された光量に基づいてDMD8のマイクロミラー8aの欠陥を検知する方法について説明したが、光量センサ52により計測される光分布に基づいてDMD8のマイクロミラー8aの欠陥を検知してもよい。
また、DMD8のマイクロミラー8aの欠陥を検知する方法と同様の方法を用いて、マイクロレンズアレイ16の各要素レンズ16aの欠陥を検知することができる。この場合には、マイクロレンズアレイ16を通過する光ビームの光量を計測する光量センサを設け、この光量センサの計測結果に基づいて各要素レンズ16aの欠陥を検知する。
また、DMD8のマイクロミラー8aまたはマイクロレンズアレイ16の各要素レンズ16aの欠陥を検知する方法と同様の方法を用いて、他の露光光学ユニットL2〜L13のそれぞれが備えるDMDのマイクロミラーまたはマイクロレンズアレイの各要素レンズの欠陥を検知することができる。
また、この実施の形態にかかる走査型露光装置おいては、気温、気圧、照射量変動に伴う露光光学ユニットL1〜L13により形成される像位置のずれ及び露光光学ユニット間の相対位置のずれの補正を行なうことができる。まず、制御装置CONTは、温度センサ9からDMD8の温度、温度センサ19から点像視野絞り18の温度を取得する。同様に、露光光学ユニットL2〜L13のそれぞれが備える温度センサからDMD及び点像視野絞りの温度を取得する。また、図示しない気圧計から装置内の気圧、図示しない照度計から露光光学ユニットL1〜L13のそれぞれを介した光ビームの照射量を取得する。なお、代表する複数の点に設けた温度センサの温度に基づいて光ビームの照射量を取得してもよい。
制御装置CONTは、予め露光データ記憶部76に記憶されている気温、気圧、照射量の変動に伴う露光光学ユニットL1〜L13により形成される像位置のずれ量及び露光光学ユニット間の相対位置のずれ量を取得する。制御装置CONTは、取得した各DMDの温度、各点像視野絞りの温度、装置内の気圧、光ビームの照射量、気温等の変動に伴う露光光学ユニットL1〜L13の像位置のずれ量及び露光光学ユニット間の相対位置のずれ量に基づいて、露光光学ユニットL1〜L13の像位置のずれ量及び露光光学ユニット間の相対位置のずれ量を特定し、露光光学ユニットL1〜L13の像位置及び露光光学ユニット間の相対位置の補正量を算出する。
制御装置CONTは、算出された各露光光学ユニットL1〜L13の像位置の補正量に基づいて、各露光光学ユニットL1〜L13が形成する像位置の調整を行なう。また、制御装置CONTは、算出された露光光学ユニット間の相対位置の補正量に基づいて、露光光学ユニット間の相対的な位置合わせの調整を行なう。
また、光量センサ52から投影光学系PL1とは異なる方向に反射された光束の反射光量及び投影光学系PL1とは異なる方向に反射された光束の光分布の少なくとも1つを取得し、取得した反射光量及び光分布の少なくとも一方に基づいて、DMD8から投影光学系PL1に導かれる光ビームの光量及び光分布の少なくとも一方を求めてもよい。求められた光量及び光分布に基づいて露光光学ユニットL1の像位置のずれ量及び露光光学ユニット間の相対位置のずれ量を特定し、露光光学ユニットL1の像位置及び露光光学ユニット間の相対位置の補正量を算出してもよい。
制御装置CONTは、算出された補正量に基づいて、フォーカス調整機構駆動部64、シフト調整機構駆動部66、直角プリズム駆動部68及び倍率調整機構駆動部70の少なくとも1つに制御信号を出力する。そして、フォーカス調整機構駆動部64、シフト調整機構駆動部66、直角プリズム駆動部68及び倍率調整機構駆動部70の少なくとも1つを介して、フォーカス調整機構20、シフト調整機構22、直角プリズム24及び倍率調整機構30の少なくとも1つを駆動させ、像位置の補正を行なう。同様に、投影光学系PL2〜PL13のそれぞれが備えるフォーカス調整機構、シフト調整機構、直角プリズム及び倍率調整機構の少なくとも1つを駆動させ、像位置の補正を行なう。
なお、DMD駆動部60及びレンズアレイ駆動部62の少なくとも1つを介してDMD8のマイクロミラー8aの角度及びマイクロレンズアレイ16の位置の少なくとも1つを調整することにより像位置の補正を行なってもよい。同様に、他の露光光学ユニットL2〜L13のそれぞれが備えるDMDのマイクロミラーの角度及びマイクロレンズアレイの位置の少なくとも1つを調整することにより、像位置の補正を行なってもよい。
また、投影光学系PL1〜PL13のそれぞれが備えるフォーカス調整機構、シフト調整機構、直角プリズム(回転調整機構)及び倍率調整機構の少なくとも1つを駆動させ、補正された像特性(像位置)に対応させて、露光データ記憶部76に記憶されているDMD8により生成される露光データを補正してもよい。
また、投影光学系PL1〜PL13のそれぞれが備えるフォーカス調整機構、シフト調整機構、直角プリズム(回転調整機構)及び倍率調整機構の少なくとも1つを駆動させ、像特性(像位置)を補正した際に生じる像歪を予め求めておき、予め求められた像歪をキャンセルするようにDMD8を駆動するための露光データを補正してもよい。この場合において、予め求められた像歪は露光データ記憶部76に記憶されており、制御装置CONTは、必要に応じて露光データ記憶部76から記憶されている像歪を読み込む。
また、露光光学ユニット間の相対的なフォーカス位置の補正を行なう場合において、上述のフォーカス調整機構を駆動させることによりフォーカス位置の調整を行う代わりに、マイクロレンズアレイをXY平面に対して傾斜させることによりフォーカス位置の調整を行うようにしてもよい。即ち、例えば露光光学ユニットL1により形成される投影領域48aと露光光学ユニットL2により投影領域48bとの継ぎ部の相対的なフォーカス位置を調整するために、露光光学ユニットL1(露光光学ユニットL2)を構成するマイクロレンズアレイ16をXY平面に対して傾斜させることにより、投影領域48a(投影領域48b)の継ぎ部のフォーカス位置を投影領域48b(投影領域48a)の継ぎ部のフォーカス位置に合わせる。または、互いのマイクロレンズアレイをXY平面に対して傾斜させることにより、互いの継ぎ部のフォーカス位置を合わせてもよい。具体的には、制御装置CONTは、レンズアレイ駆動部に対して制御信号を出力し、レンズアレイ駆動部を介してマイクロレンズアレイをXY平面に対して傾斜させる。
また、気温、気圧、照射量変動に伴う露光光学ユニットL1〜L13により形成される像位置のずれ及び露光光学ユニット間の相対位置のずれの補正を行なうタイミングとしては、温度センサ、気圧計、照度計の計測結果がある閾値を超えた場合、所定の期間を超えた場合、所定の枚数のプレートの露光を終えた場合等が考えられる。装置のスループットの低下を防止するために、補正のタイミングを設定可能にすることが望ましい。
また、この実施の形態にかかる走査型露光装置においては、急激な温度変化または急激な光ビームの照射量の変化を回避するために、暖機動作が行なわれる。プレートが滞留したとき、またはデータの差し替え時など、装置の稼動が一時的に停止した場合、光ビームの照射量が急激に減少し、温度が急激に低下する。このような急峻な温度変化や照射量の変化は、露光光学ユニットL1〜L13を構成する光学部材の変形の発生要因となる。したがって、このような急激な温度変化及び照射量の変化が生じないように、暖機動作を行う。具体的には、制御装置CONTは、プレートステージ駆動部72に対して制御信号を出力し、プレートステージ駆動部72を介してプレートステージPSTを継続駆動し、図示しない光源部からの光ビームの照射のオンオフを繰り返す。このように暖機動作を行うことにより、急峻な温度変化及び照射量の変化を防止し、露光光学ユニットL1〜L13を構成する光学部材の変形を防止する。
また、この実施の形態にかかる走査型露光装置においては、投影光学系PL1に入射する光ビームのテレセントリシティ、即ちファイバ2の射出端からリレー光学系10の照明テレセントリシティ(倍率テレセントリシティ、傾斜テレセントリシティ)を調整することにより、点像視野絞り18上に到達する光ビームのXY平面内における位置及びZ方向における位置を調整することができる。図12は、ファイバ2の射出端から点像視野絞り18まで(ミラー6及びリレーレンズ群12bについては図示せず)の光ビームの照明テレセントリシティが良好である場合を示す図である。図13は、ファイバ2の射出端から点像視野絞り18まで(ミラー6及びリレーレンズ群12bについては図示せず)の倍率テレセントリシティがずれている場合(実線で示す光路)、照明テレセントリシティが良好な場合(破線で示す光路)を示す図である。図14は、ファイバ2の射出端から点像視野絞り18まで(ミラー6及びリレーレンズ群12bについては図示せず)の傾斜テレセントリシティがずれている場合(実線で示す光路)、照明テレセントリシティが良好な場合(破線で示す光路)を示す図である。
制御装置CONTは、照明テレセン計測系による計測結果に基づいて、照明テレセントリシティを計測する。計測された照明テレセントリシティに基づいて、ファイバ射出端駆動部56、リレーレンズ駆動部58a〜58c、絞り駆動部59の少なくとも1つに対して制御信号を出力する。ファイバ射出端駆動部56、リレーレンズ駆動部58a〜58c、絞り駆動部59の少なくとも1つは、ファイバ2の射出端、リレーレンズ群12a〜12c、絞り14の少なくとも1つを、図13に示すようにZ方向に移動させることにより倍率テレセントリシティを調整し、図14に示すようにXY平面内で移動させることにより傾斜テレセントリシティを調整する。なお、傾斜テレセントリシティについては、図14に示すように、リレーレンズ群12aと絞り14との間の光路中に、XY平面に対して傾斜可能に構成されている平行平面板13を設け、この平行平面板13をXY平面に対して傾斜させることにより傾斜テレセントリシティを調整してもよい。
また、露光光学ユニットL2〜L13のそれぞれを構成するファイバ射出端駆動部、リレーレンズ駆動部、絞り駆動部の少なくとも1つを介してファイバの射出端、リレーレンズ群、絞りの少なくとも1つを駆動させることにより、露光光学ユニットL2〜L13のそれぞれを構成するファイバの射出端からリレー光学系の照明テレセントリシティの調整を行う。このように、照明テレセントリシティの調整をすることができるため、温度変化等により点像視野絞り18の開口部18aの大きさまたは位置が変動した場合においても、光ビームを対応する開口部18aに確実に導くことができる。
この実施の形態にかかる走査型投影露光装置によれば、基板ステージの走査に同期して可変パターン生成装置において生成される転写パターン(露光パターンデータ)を変化させることができるため、所望のパターンを容易に転写することができる。また、転写パターンであるマスク使用時に必要であったマスクステージを備える必要がなく、露光装置のコストダウン及び小型化を可能とする。また、この走査型投影露光装置によれば、投影光学系が転写パターンの像の調整を行う調整機構を備えているため、可変パターン生成装置により生成される転写パターンの像を正確に投影露光することができる。
尚、可変成形マスクにより形成されたパターンをプレート上に形成する際に、プレートを載置したプレートステージを移動させることによりプレートステージの走り誤差、露光光学系を支持しているコラムの変形が生じ、結果としてプレート上のパターンに位置誤差が発生する場合には、試し露光を行うことにより、プレートステージの走り誤差等によるパターンの配列誤差を計測する。計測した計測値を用いて、各露光光学ユニットにより形成される投影像の位置を直接補正する補正テーブルを作成し、プレートの各位置における補正テーブルを持つことにより、像の位置の補正を逐次行うようにしてもよい。また、走査方向ごとの補正値を持つようにしてもよい。尚、実施の形態では、一回のスキャンでプレートの露光が完結するものを示したが、複数の走査露光の合間にプレートステージをステップ動作させるステップアンドスキャン露光の方法に用いてもよい。また、露光光学系に対してプレートステージを走査させるものを示したが、露光光学系をプレートに対して走査するようにしてもよいことは言うまでもない。尚その際にも、露光光学系の移動による装置の変形が考えられ、プレートの各露光位置における像の位置補正値を設定するようにしてもよい。
この実施の形態にかかる走査型露光装置によれば、露光光学ユニットの像特性を補正するフォーカス調整機構、シフト調整機構、直角プリズム及び倍率調整機構を備えているため、光ビームの照射により発生する熱、装置内の気圧の変化、光ビームの照射量の変化等を要因とする露光光学ユニットの像特性の悪化を防止することができる。また、可変整形マスクとしてのDMDにより形成されるパターンにかかる露光データを補正することができるため、光ビームの照射により発生する熱、装置内の気圧の変化、光ビームの照射量の変化等を要因とする露光光学ユニットの像特性の悪化を防止することができる。したがって、プレート上の所定の位置にDMDにより形成される所定のパターンを正確に露光することができる。
なお、この実施の形態では、投影光学系の結像特性の変化に対応して、像特性補正手段とデータ補正手段との少なくとも一方を用いることを示したが、これだけでなく感光基板であるプレートの変形に合わせるように上記像特性補正手段とデータ補正手段との少なくとも一方を用いて制御するようにしてもよい。特にパターンが既に形成されているプレートに対してパターンを露光する2ND露光以降の露光に対して有効になる。この場合、投影光学系の結像特性の変化と感光基板であるプレートのパターン領域の形状の変化に基づいて、像特性補正手段とデータ補正手段との少なくとも一方が制御されることとなる。
また、この実施の形態にかかる走査型露光装置においては、図7に示す投影光学系を備えているが、図15または図16に示すような構成を有する投影光学系を備えるようにしてもよい。図15に示す投影光学系は、プリズム24a、レンズ群26a、ミラー28aにより構成されている。図16に示す投影光学系は、ビームスプリッタ24b、1/4波長板25、レンズ群26b、ミラー28bにより構成されている。
また、この実施の形態にかかる走査型露光装置においては、点像視野絞り及び投影光学系PL1〜PL13を介した光ビームによりパターン像をプレートP上に形成しているが、図17に示すように、マイクロレンズアレイを通過した光ビームによりパターン像をプレートP上に形成するようにしてもよい。即ち、点像視野絞り及び投影光学系を備えない構成にしてもよい。この場合には、装置本体をコンパクト化及び低コスト化することができる。
また、この実施の形態にかかる走査型露光装置においては、照明テレセン計測系により照明テレセントリシティを計測しているが、空間像計測センサにより照明テレセントリシティを計測するようにしてもよい。この場合には、大きなマークを用いて空間像の絶対位置をベストフォーカス位置で計測し、計測結果に基づいて照明テレセントリシティ(倍率テレセントリシティ及び傾斜テレセントリシティ)を計測する。
また、この実施の形態においては、ファイバの射出端から射出した略正方形の光束断面形状を有する光ビームをDMDに入射させているが、例えば図18(a)(b)に示すようなプリズム5a,5bをコリメート光学系4とミラー6(またはDMD8)との間の光路中に挿入することにより光束断面形状をDMD8と同様の矩形状に整形し、DMD8に入射させるようにしてもよい。この場合においては、図4に示す矩形状のDMD8に正方形状の光束を入射させた場合と比較して、光ビームを無駄なく使用することができる。
また、この実施の形態にかかる走査型露光装置においては、露光光学ユニットL1〜L13のそれぞれを収容する筐体内に冷却装置を備えているが、各投影光学系または各投影光学系を構成する少なくとも1つの光学部材を冷却する冷却装置を備えるようにしてもよい。
また、この実施の形態にかかる走査型露光装置においては、DMD及び点像視野絞りの温度を計測する温度センサを備えているが、装置全体を計測する温度センサを備えるようにしてもよい。
上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置では、投影光学系を用いて可変成形マスクにより形成された転写用のパターンを感光性基板(プレート)に露光する(露光工程)ことにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて感光性基板としてのプレート等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図19のフローチャートを参照して説明する。
先ず、図19のステップS301において、1ロットのプレート上に金属膜が蒸着される。次のステップS302において、その1ロットのプレート上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップS303において、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて、可変成形マスクにより形成されたパターンの像が投影光学系を介して、その1ロットのプレート上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップS304において、その1ロットのプレート上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップS305において、その1ロットのプレート上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、可変成形マスクにより形成されたパターンに対応する回路パターンが、各プレート上の各ショット領域に形成される。
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、可変成形マスクを備え、プレート上に形成される像位置を補正することができる走査型露光装置を用いて露光を行なっているため、良好な半導体デバイスを得ることができる。なお、ステップS301〜ステップS305では、プレート上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、プレート上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
また、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図20のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。まず、図20において、パターン形成工程S401では、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて可変成形マスクにより形成されたパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程S402へ移行する。
次に、カラーフィルタ形成工程S402では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程S402の後に、セル組み立て工程S403が実行される。セル組み立て工程S403では、パターン形成工程S401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程S402にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。セル組み立て工程S403では、例えば、パターン形成工程S401にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程S402にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。
その後、モジュール組み立て工程S404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、可変成形マスクを備え、プレート上に形成される像位置を補正することができる走査型露光装置を用いて露光を行なっているため、良好な液晶表示素子を得ることができる。
2…ファイバ、4…コリメート光学系、8…DMD、9,19…温度センサ、10…リレー光学系、16…マイクロレンズアレイ、18…点像視野絞り、20…フォーカス調整機構、22…シフト調整機構、24…直角プリズム(回転調整機構)、30…倍率調整機構、52…光量センサ、L1〜L13…露光光学ユニット、PL1〜PL13…投影光学系、P…プレート、PST…プレートステージ、CONT…制御装置。
Claims (13)
- 任意のパターンを形成する可変成形マスクと、感光基板を載置する基板ステージと、前記可変成形マスクからの光ビームによって、前記感光基板上に像を露光する露光光学系とを備え、前記基板ステージと前記可変成形マスクとを相対的に走査させて前記感光基板にパターンを露光する走査型露光装置において、
前記露光光学系における像特性の変化を補償するように、該露光光学系の像特性を補正する像特性補正手段と、前記可変成形マスクで生成される露光パターンデータを補正するデータ補正手段との少なくとも一方を備えることを特徴とする走査型露光装置。 - 前記像特性補正手段は、前記感光基板上に形成される像の倍率、像回転またはフォーカス位置を補正することを特徴とする請求項1記載の走査型露光装置。
- 前記露光光学系における像特性の変化は、該露光光学系における露光光の照射量、温度変化、気圧変動の少なくとも1つに基づく変化であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の走査型露光装置。
- 前記データ補正手段は、前記像特性補正手段により補正された像特性に対応させて、前記可変成形マスクで生成される露光パターンデータを補正することを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の走査型露光装置。
- 前記データ補正手段は、前記像特性補正手段により前記像特性を補正した際の像歪を予め求めておき、該予め求められた像歪をキャンセルするように補正することを特徴とする請求項4記載の走査型露光装置。
- 前記像特性補正手段は、前記露光光学系における照射量あるいは温度変化に基づいて制御されることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載の走査型露光装置。
- 前記露光光学系は、複数の露光光学ユニットからなり、該複数の露光光学ユニットはそれぞれ個別に可変成形マスクに対応して配置されることを特徴とする請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の走査型露光装置。
- 前記露光光学系は、該露光光学系の筐体もしくは前記露光光学系の少なくとも一部の光学部材を冷却する冷却手段を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項7の何れか一項に記載の走査型露光装置。
- 前記可変成形マスクは、微小領域に区分されたデバイスからなり、前記感光基板の近傍または該感光基板と共役な位置もしくはその近傍に、前記微小領域に対応するようにレンズアレイが配置され、
前記像補正手段は、前記レンズアレイを移動もしくは回転させることを特徴とする請求項1乃至請求項8の何れか一項に記載の走査型露光装置。 - 前記可変成形マスクは、反射部材を含み、
前記可変成形マスクから前記露光光学系に導かれる光量を、前記露光光学系とは異なる方向に反射された光束の反射光量から推測し、前記光量に基づいて前記像特性補正手段及び前記データ補正手段の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項1乃至請求項9の何れか一項に記載の走査型露光装置。 - 前記可変成形マスクは、反射部材を含み、
前記可変成形マスクから前記露光光学系に導かれる光分布を、前記露光光学系とは異なる方向に反射された光束の反射光束の分布から推測し、該反射光束の分布に基づいて、前記可変成形マスクの動作確認を行なうマスク動作判定手段を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項9の何れか一項に記載の走査型露光装置。 - 前記感光基板は、外径が500mmよりも大きいことを特徴とする請求項1乃至請求項11の何れか一項に記載の走査型露光装置。
- 請求項1乃至請求項12の何れか一項に記載の走査型露光装置を用いて所定のパターンを感光基板上に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005236937A JP2007052214A (ja) | 2005-08-17 | 2005-08-17 | 走査型露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005236937A JP2007052214A (ja) | 2005-08-17 | 2005-08-17 | 走査型露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007052214A true JP2007052214A (ja) | 2007-03-01 |
Family
ID=37916705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005236937A Pending JP2007052214A (ja) | 2005-08-17 | 2005-08-17 | 走査型露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2007052214A (ja) |
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