JP2005099117A - 露光方法及びその方法で用いられる基板のアライメント方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板上に形成されるパターンがどのような配置態様をとる場合でも、アライメントマークを利用した手法により基板の位置決めを適正にかつ安価に行うことができる露光方法を提供する。
【解決手段】 フォトマスク４０のマスク側アライメントマーク４２と基板５０の各ＢＭ層パターン領域５１〜５６に関連した基板側アライメントマーク５７とがＸＹ平面内で一致した状態となるアライメント位置と、フォトマスク４０のカラーフィルタ画素部４１と基板５０の各ＢＭ層パターン領域５１〜５６とが一致した状態となる露光位置とが、互いに所定のシフト量だけＸ方向に離間した状態になるようにする。そして、アライメント位置でフォトマスク４０と基板５０との間の一次的なアライメントを行った上で、Ｘ方向へのステップ移動によりアライメント位置から露光位置まで移動させて最終的に基板５０を露光位置に位置決めする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、カラーフィルタ等の製品を製造するために用いられる露光装置に係り、とりわけ、一枚の感光材付きの基板に対して水平面内の異なる露光位置にて複数ショットの露光を順次行うことにより当該基板上に複数のパターンを形成する露光方法及びその方法で用いられる基板のアライメント方法に関する。

カラーフィルタ等の製品を製造する製造工程は、主として、基板上にブラックマトリクス層（以下「ＢＭ層」ともいう）のパターンを形成するＢＭ層形成工程と、基板上に形成されたＢＭ層のパターンに合わせて各色（Ｒ、Ｇ及びＢ）のパターンの着色層を形成する着色層形成工程とを含んでいる。

このような製造工程においては、ＢＭ層形成工程及び着色層形成工程のいずれの工程でも、ＢＭ層のパターン及び着色層のパターンを形成するための装置として露光装置が一般的に用いられている。また、このような露光装置としては、露光対象となる感光材付きの基板とフォトマスクとの間に所定のギャップを維持した状態で１ショットの一括露光を行って基板上にパターンを形成するプロキシミティ露光装置が一般的に用いられている。

このようなプロキシミティ露光装置によりＢＭ層のパターン及び着色層のパターンを形成する基本的な手順は、ＢＭ層形成工程及び着色層形成工程のいずれの工程でも同一であるが、フォトマスクに対して基板を相対的に移動させて基板を露光位置に位置決めする方法（アライメント方法）に関しては、それぞれの工程で異なる手法が用いられることが多い。

すなわち、ＢＭ層形成工程では、いわゆるグローバルアライメント手法により基板全体のアライメントを行った後、基板を所定量だけステップ移動させることにより、基板を露光位置に位置決めするのが一般的である。これに対し、着色層形成工程では、フォトマスクに設けられたアライメントマークと、基板のＢＭ層のパターンに関連して設けられたアライメントマークとを一致させることにより、基板を露光位置に位置決めするのが一般的である。

なお、このようにしてＢＭ層形成工程及び着色層形成工程のそれぞれにおいてアライメント方法を異ならせているのは、アライメントマークを利用した手法により基板の位置決めを行う露光装置に比べて、グローバルアライメント手法により基板の位置決めを行う露光装置の方が一般的に高価になるからであり、先に形成されているＢＭ層のパターンとの関係で相対的に基板の位置決めを行うことが可能な着色層形成工程では、アライメントマークを利用した手法に基づく安価な露光装置により基板の位置決めを行うことが好ましいからである。

ところで、近年、製造されるべきカラーフィルタ等の製品は非常に大型化してきており、これに伴って基板上に露光されるべきＢＭ層のパターン及び着色層のパターンも大面積なものとなっている。

このような状況において、上述したプロキシミティ露光装置を用いる場合には、フォトマスク自体を大型化することによりＢＭ層のパターン及び着色層のパターンを大面積なものとすることも可能であるが、大型のフォトマスクの作成は技術的及び経済的に困難であり、一定の大きさ以上のフォトマスクを作成することは現実的に非常に困難であるという問題がある。

このため、従来においては、露光用パターン領域の大きさが全体の大面積のパターンの１／ｎ（ｎは正の整数）であるようなフォトマスクを準備し、基準方向（例えばＹ方向）に沿ってフォトマスクに対する基板の位置を順次移動させながら基板に対してｎショットの露光を順次行うことにより、互いにつなぎ合わされることで大面積のパターンをなすｎ個のパターンを形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。

ところで、上記特許文献１に記載された方法は、グローバルアライメント手法により基板の位置決めを行うＢＭ層形成工程用の露光装置に限らず、アライメントマークを利用した手法により基板の位置決めを行う着色層形成工程用の露光装置でも用いられるものである。ここで、後者の露光装置においては、フォトマスクに対する基板の位置を順次移動させながら、フォトマスクに設けられたアライメントマークと、基板のＢＭ層の各パターンに関連して設けられたアライメントマークとを一致させ、基板を複数の露光位置のそれぞれに位置決めする。

しかしながら、上述したような着色層形成工程用の露光装置では、フォトマスク上でのアライメントマークの配置態様が露光装置ごとにあらかじめ固定的に決められているので、基板上に形成されるＢＭ層の各パターンの配置態様によっては、基板上で設けられるべきアライメントマークの位置がＢＭ層の各パターンの位置と重なってしまい、基板の位置決めを適正に行うことができなくなるという問題がある。

このような事情から、従来においては、着色層形成工程用の露光装置としても、グローバルアライメント手法により基板の位置決めを行う露光装置が用いられる傾向にあり、結果として製造コストの上昇を招いていた。
特開平８−４５８２３号公報

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、基板上に形成されるパターンがどのような配置態様をとる場合でも、アライメントマークを利用した手法により基板の位置決めを適正にかつ安価に行うことができる、露光方法及びその方法で用いられる基板のアライメント方法を提供することを目的とする。

本発明は、第１の解決手段として、一枚の感光材付きの基板に対して水平面内の異なる露光位置にて複数ショットの露光を順次行うことにより当該基板上に複数のパターンを形成する露光方法において、水平面内の異なる位置に配置された複数の矩形状の第１層パターン領域と、前記各第１層パターン領域に関連して位置付けられた複数の基板側アライメントマークとを含む感光材付きの基板を、露光ステージ上に載置する第１ステップと、前記各第１層パターン領域に対応する第２層パターン領域を露光するための露光用パターン領域と、前記露光用パターン領域に関連して位置付けられたマスク側アライメントマークとを含むフォトマスクを、前記露光ステージ上に載置された前記基板に対向するように配置する第２ステップであって、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークが、前記フォトマスクの前記露光用パターン領域と前記基板の前記各第１層パターン領域とが前記水平面内で一致するように配置されたときに、前記基板の前記各第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークから所定のシフト量だけ離間した状態になるように位置付けられている、第２ステップと、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークと前記基板の前記複数の第１層パターン領域のうちの特定の第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークとが前記水平面内で一致するように、前記露光ステージ上に載置された前記基板を前記フォトマスクに対して相対的に移動させる第３ステップと、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークと前記基板の前記特定の第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークとが前記水平面内で一致した状態となるアライメント位置から、前記水平面内で前記露光ステージを前記フォトマスクに対して前記所定のシフト量だけステップ移動させ、前記フォトマスクの前記露光用パターン領域と前記基板の前記特定の第１層パターン領域とを前記水平面内で一致させる第４ステップと、前記フォトマスクの前記露光用パターン領域と前記基板の前記特定の第１層パターン領域とが前記水平面内で一致した状態となる露光位置において、前記フォトマスクを介して前記基板へ向けて露光光を照射し、前記基板の前記特定の第１層パターン領域に合わせて第２層パターン領域を形成する第５ステップとを含み、前記フォトマスクに対する前記基板の位置を前記水平面内で順次移動させながら前記第３ステップ乃至前記第５ステップを繰り返し、前記基板の前記複数の第１層パターン領域に合わせて複数の第２層パターン領域を形成することを特徴とする露光方法を提供する。

なお、上述した第１の解決手段において、前記基板の前記各第１層パターン領域のうちの少なくとも一部は前記水平面内の第１の方向に沿って配置されており、前記各第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークは、前記各第１層パターン領域のうち前記第１の方向に沿って延びる第１方向辺の外側に位置付けられており、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークは、前記露光用パターン領域のうち前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って延びる第２方向辺の外側に位置付けられており、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークは、前記フォトマスクの前記露光用パターン領域と前記基板の前記各第１層パターン領域とが前記水平面内で一致するように配置されたときに、前記基板の前記各第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークから前記第２の方向に沿って前記所定のシフト量だけ離間した状態になるように位置付けられていることが好ましい。

また、上述した第１の解決手段において、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークは、前記露光用パターン領域の前記第２方向辺の中央部の外側に位置付けられていることが好ましい。

さらに、上述した第１の解決手段において、前記基板の前記各第１層パターン領域のうちの少なくとも一部は前記水平面内の前記第１の方向に沿って互いにつなぎ合わされることで一つの大面積のパターンをなし、前記第５ステップにおいて、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークを遮蔽しながら、前記フォトマスクを介して前記基板へ向けて露光光を照射することが好ましい。なおこの場合、前記基板は、前記水平面内の前記第２の方向に関して互いに離間して配置された少なくとも２つの大面積のパターンを有することが好ましい。

さらにまた、上述した第１の解決手段においては、前記フォトマスクと前記露光ステージ上に載置された前記基板との間のギャップを調整する第６ステップをさらに含み、前記第３ステップ乃至前記第５ステップを繰り返す際に、前記第３ステップの直前又は前記第３ステップと前記第４ステップとの間にて前記第６ステップを行うことが好ましい。なおこの場合、前記フォトマスクは、当該フォトマスクと前記基板との間のギャップを検出するために用いられるギャップ測定用窓部をさらに含み、前記フォトマスクの前記露光用パターン領域が前記基板の前記各第１層パターン領域から離間した状態となるギャップ検出位置において、前記ギャップ測定用窓部を介して、前記フォトマスクと前記基板との間のギャップを検出することが好ましい。

なお、上述した第１の解決手段において、前記基板の前記各第１層パターン領域はカラーフィルタのブラックマトリクス層を構成し、前記各第２層パターン領域は前記ブラックマトリクス層のパターンに合わせて形成される所定色の着色層を構成することが好ましい。

本発明は、第２の解決手段として、一枚の感光材付きの基板に対して水平面内の異なる露光位置にて複数ショットの露光を順次行うことにより当該基板上に複数のパターンを形成する露光方法で用いられる、基板のアライメント方法において、水平面内の異なる位置に配置された複数の矩形状の第１層パターン領域と、前記各第１層パターン領域に関連して位置付けられた複数の基板側アライメントマークとを含む感光材付きの基板を、露光ステージ上に載置する第１ステップと、前記各第１層パターン領域に対応する第２層パターン領域を露光するための露光用パターン領域と、前記露光用パターン領域に関連して位置付けられたマスク側アライメントマークとを含むフォトマスクを、前記露光ステージ上に載置された前記基板に対向するように配置する第２ステップであって、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークが、前記フォトマスクの前記露光用パターン領域と前記基板の前記各第１層パターン領域とが前記水平面内で一致するように配置されたときに、前記基板の前記各第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークから所定のシフト量だけ離間した状態になるように位置付けられている、第２ステップと、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークと前記基板の前記複数の第１層パターン領域のうちの特定の第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークとが前記水平面内で一致するように、前記露光ステージ上に載置された前記基板を前記フォトマスクに対して相対的に移動させる第３ステップと、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークと前記基板の前記特定の第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークとが前記水平面内で一致した状態となるアライメント位置から、前記水平面内で前記露光ステージを前記フォトマスクに対して前記所定のシフト量だけステップ移動させ、前記フォトマスクの前記露光用パターン領域と前記基板の前記特定の第１層パターン領域とを前記水平面内で一致させる第４ステップとを含むことを特徴とする、基板のアライメント方法を提供する。

本発明の第１及び第２の解決手段によれば、フォトマスクのマスク側アライメントマークと基板の各第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークとがＸＹ平面内で一致した状態となるアライメント位置と、フォトマスクの露光用パターン領域と基板の各第１層パターン領域とが一致した状態となる露光位置とが、互いに所定のシフト量だけ離間した状態になるようにし、アライメント位置でフォトマスクと基板との間の一次的なアライメントを行った上で、所定量だけのステップ移動によりアライメント位置から露光位置まで移動させて最終的に基板を露光位置に位置決めするようにしている。このため、基板上に形成される第１層パターン領域（及び着色層パターン領域）の位置と基板上で設けられるべきアライメントマークの位置とが重なってしまうことを効果的に防止し、アライメントマークを利用した手法に基づく安価な露光装置を用いて、基板の位置決めを適正に行うことができる。

また、本発明の第１及び第２の解決手段によれば、フォトマスクの露光用パターン領域と基板の各第１層パターン領域とが水平面内で一致するように配置されたときに、基板の前記各第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークから所定の一方向に沿って所定のシフト量だけ離間した状態になるように、フォトマスクのマスク側アライメントマーク及び基板の各第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークを位置付けるようにすることにより、アライメント位置から露光位置までの移動を簡易にかつ精度良く行うことが可能となり、基板の位置決めをより適正に行うことができる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。

まず、図１により、本発明の一実施の形態に係る露光方法を実現するための露光装置について説明する。なお、本実施の形態においては、図１に示す露光装置１により、カラーフィルタを製造するための製造工程の一つである着色層形成工程（感光材付きの基板上に形成されたブラックマトリクス層（ＢＭ層）のパターンに合わせて各色（Ｒ、Ｇ又はＢ）のパターンを有する着色層を形成する工程）を行う場合を例に挙げて説明する。また、本実施の形態においては、図１に示す露光装置１により、感光材付きの基板に対して水平面内の異なる露光位置にて複数ショットの露光を順次行うことにより当該基板上に複数のパターンを形成する場合を例に挙げて説明する。

図１に示すように、露光装置１は、基台１１と、基台１１上に設置された露光ステージ１２とを有している。なお、露光ステージ１２は、露光対象となる感光材付きの基板（以下単に「基板」ともいう）５０を載置するものであり、基板５０を真空チャック方式で吸着保持することができるようになっている。また、露光ステージ１２には駆動ステージ１３が接続されており、駆動ステージ１３により露光ステージ１２を垂直方向（Ｚ方向）及び水平面（ＸＹ平面）内で移動させることにより、露光ステージ１２上に載置された基板５０をフォトマスク４０に対して相対的に移動させることができるようになっている。

ここで、露光ステージ１２上に載置される基板５０は、例えば、図２に示すようなものである。図２に示すように、この基板５０には、複数の矩形状のＢＭ層パターン領域（第１層パターン領域）５１〜５６が形成されている。なお、各ＢＭ層パターン領域５１〜５６はＸＹ平面内の異なる位置に配置されている。このうち、ＢＭ層パターン領域５１〜５３はＹ方向（第１の方向）に沿って互いにつなぎ合わされることで一つの大面積のパターンをなしており、同様に、ＢＭ層パターン領域５４〜５６もＹ方向に沿って互いにつなぎ合わされることで一つの大面積のパターンをなしている。なお、ＢＭ層パターン領域５１〜５３とＢＭ層パターン領域５４〜５６はＸ方向（第２の方向）に関して互いに離間して配置されている。

また、図２に示すように、基板５０には、各ＢＭ層パターン領域５１〜５６に関連して位置付けられた複数の基板側アライメントマーク５７が形成されている。ここで、各ＢＭ層パターン領域５１〜５３，５４〜５６はＸＹ平面内のＹ方向に沿って配置されており、各ＢＭ層パターン領域５１〜５３，５４〜５６に関連した基板側アライメントマーク５７は、各ＢＭ層パターン領域５１〜５３，５４〜５６の左右（各ＢＭ層パターン領域５１〜５３，５４〜５６のうちＹ方向に沿って延びるＹ方向辺の外側（両側））に少なくとも２つずつ位置付けられている。

一方、露光ステージ１２の上方にはマスクステージ１５が設けられており、フォトマスク４０を真空チャック方式で吸着保持することができるようになっている。すなわち、マスクステージ１５の下面のうちフォトマスク４０の外周に対応する部位に真空吸引孔（図示せず）が形成されており、この真空吸引孔（図示せず）によりフォトマスク４０を真空吸着して保持することができるようになっている。

また、フォトマスク４０の上方には、露光ステージ１２上に載置された基板５０へ向けて露光光を照射する照射光学系２０が設けられている。このような照射光学系２０は、超高圧水銀灯２１と、超高圧水銀灯２１から出射された光を基板５０へ向けて導くための光学要素（パラボラミラー２２、コールドミラー２３、インテグレータレンズ２４及び球面鏡２５）とを有し、露光ステージ１２上に載置された基板５０へ向けて露光光（平行光）を照射することができるようになっている。また、このような照射光学系２０において、コールドミラー２３とインテグレータレンズ２４との間にはシャッタ２６が設けられており、超高圧水銀灯２１から出射された光を適宜遮蔽及び開放することができるようになっている。

ここで、マスクステージ１５に吸着保持されるフォトマスク４０は、例えば図３に示すようなものである。図３に示すように、このフォトマスク４０には、各ＢＭ層パターン領域５１〜５６に対応する着色層パターン領域（第２層パターン領域）を露光するためのカラーフィルタ画素部（露光用パターン領域）４１が形成されている。なお、カラーフィルタ画素部４１により形成される着色層パターン領域も、基板５０上に形成されたＢＭ層パターン領域５１〜５６と同様に、基板５０上にて互いにつなぎ合わされるものである。

また、図３に示すように、フォトマスク４０には、カラーフィルタ画素部４１に関連して位置付けられたマスク側アライメントマーク４２が形成されている。ここで、フォトマスク４０のマスク側アライメントマーク４２は、カラーフィルタ画素部４１の中央部の上下（カラーフィルタ画素部４１のうちＸ方向に沿って延びるＸ方向辺の中央部の外側（両側））に一つずつ位置付けられている。なお、このようなフォトマスク４０のマスク側アライメントマーク４２は、フォトマスク４０のカラーフィルタ画素部４１と基板５０の各ＢＭ層パターン領域５１〜５６とがＸＹ平面内で一致するように配置されたときに（例えば図６参照）、基板５０の各ＢＭ層パターン領域５１〜５６に関連した基板側アライメントマーク５７からＸ方向に沿って所定のシフト量だけ離間した状態になるように位置付けられている。

さらに、図３に示すように、フォトマスク４０には、カラーフィルタ画素部４１の中央部の上下（カラーフィルタ画素部４１のうちＸ方向に沿って延びるＸ方向辺の中央部の外側（両側））に２つずつギャップ測定用窓部４３が形成されている。なお、ギャップ測定用窓部４３は、フォトマスク４０と基板５０との間のギャップを検出するために用いられるものである。

なお、図３において、点線４４は露光有効エリアを示しており、点線４４の内部の領域がマスクステージ１５の開口部に相当し、点線４４の外部の領域がマスクステージ１５で吸着保持されることとなる。

このような構成からなるフォトマスク４０の中央部上方には、フォトマスク４０と露光ステージ１２上に載置された基板５０との間のギャップ（距離及び平行度）を検出するギャップ検出装置１６が設けられている。ここで、ギャップ検出装置１６は、レーザー干渉法を用いた測長器等からなり、図３に示すようなフォトマスク４０の４つのギャップ測定用窓部４３のそれぞれの真上にくるように設置されている。

また、フォトマスク４０の中央部上方には、露光ステージ１２上に載置された基板５０とフォトマスク４０との間の相対的な位置関係を検出する位置検出装置１７が設けられている。ここで、位置検出装置１７は、画像処理装置（図示せず）に接続されたＣＣＤ等からなり、図３に示すようなフォトマスク４０の２つのマスク側アライメントマーク４２のそれぞれの真上にくるように設置されている。

さらに、フォトマスク４０の外周部上方には、フォトマスク４０の外周部を通過する露光光を遮蔽する遮光板１８が設けられている。なお、遮光板１８には遮光板駆動装置１９が設けられており、フォトマスク４０を遮蔽する位置とフォトマスク４０を遮蔽しない位置のいずれかをとるように遮光板１８を移動させることができるようになっている。

なお、露光ステージ１２、駆動ステージ１３、照射光学系２０（超高圧水銀灯２１やシャッタ２６等）、ギャップ検出装置１６、位置検出装置１７及び遮光板駆動装置１９には制御装置２７が接続されており、露光ステージ１２に対して基板５０を供給及び排出するロボットアーム（図示せず）等の動作に連動して上述した各構成を制御することができるようになっている。

次に、図１に示す露光装置１により実現される露光方法の手順について説明する。

まず、制御装置２７による制御の下で、ロボットアーム（図示せず）等を用いて感光材付きの基板５０を露光装置１内へ供給し、露光ステージ１２上に載置する。このとき、基板５０は、露光ステージ１２から突出した状態にあるリフトピン（図示せず）へ受け渡された後（ステップ１０１）、リフトピンを下降させることにより露光ステージ１２へ受け渡される（ステップ１０２）。また、リフトピン（図示せず）から露光ステージ１２へ基板５０が受け渡された後、基板５０が真空チャック方式で露光ステージ１２に吸着保持される（ステップ１０３）。

次に、制御装置２７による制御の下で、露光ステージ１２を上昇させ、マスクステージ１５に吸着保持されたフォトマスク４０と露光ステージ１２上に載置された基板５０との間のギャップを検出することが可能な高さに基板５０を位置付ける（ステップ１０４）。これにより、マスクステージ１５に吸着保持されたフォトマスク４０が、露光ステージ１２上に載置された基板５０に対向するように配置される。

その後、制御装置２７による制御の下で、フォトマスク４０に対する基板５０の位置を順次移動させながら基板５０に対して６ショットの露光を行って、基板５０のＢＭ層パターン領域５１〜５６上に６つの着色層パターン領域（図示せず）を形成する（ステップ１０５〜１１４）。

まず、第１ショット目の露光（ｎ＝１の場合）について説明する。

この場合には、まず、制御装置２７による制御の下で、ショット回数を表すカウンタｎをｎ＝１と設定した後（ステップ１０５）、第１ショット目のギャップ検出位置に基板５０が配置されるように露光ステージ１２を移動させる（ステップ１０６）。

ここで、ギャップ検出装置１６によるギャップの検出は、基板５０に形成された各ＢＭ層パターン領域５１〜５６上では行うことができないので、第１ショット目のギャップ検出位置は、ギャップ検出装置１６の真下に位置するフォトマスク４０のギャップ測定用窓部４３の少なくとも一部が基板５０の各ＢＭ層パターン領域５１〜５６から外れた状態になるような位置とする。具体的には例えば、第１ショット目のギャップ検出位置は、図５に示すように、基板５０の１番目のＢＭ層パターン領域５１がフォトマスク４０に対して相対的にＸ方向にずらされた位置とすることが好ましい。この場合には、フォトマスク４０の４つのギャップ測定用窓部４３のうち３つのギャップ測定用窓部４３（図５の斜線部参照）が基板５０のＢＭ層パターン領域５１〜５６から外れた状態になる。

そして、このようにして第１ショット目のギャップ検出位置に基板５０が配置されるように露光ステージ１２が位置付けられた後、フォトマスク４０の３つのギャップ測定用窓部４３を介してフォトマスク４０と基板５０との間のギャップを検出して当該ギャップを調整する（ステップ１０７）。なおこのとき、ギャップ検出装置１６によるギャップの検出はＸＹ平面内の異なる３箇所で行われるので、フォトマスク４０と基板５０との間の距離だけでなく両者の間の平行度が検出されることとなる。このため、制御装置２７による制御の下で、このような検出結果に基づいて駆動ステージ１３により露光ステージ１２の高さ及び傾きを調整することにより、フォトマスク４０と基板５０との間のギャップ（距離及び平行度）を適切に調整することができる。

その後、調整されたギャップ（距離及び平行度）を保った状態で、第１ショット目のアライメント検出位置まで露光ステージ１２をＸＹ平面内でステップ移動させる（ステップ１０８）。なおこのとき、露光ステージ１２の移動は、レーザ干渉計（図示せず）等による検出結果に基づいて制御装置２７により駆動ステージ１３を制御することにより行われる。

そして、第１ショット目のアライメント検出位置において、フォトマスク４０の２つのマスク側アライメントマーク４２と基板５０の１番目のＢＭ層パターン領域５１に関連した２つの基板側アライメントマーク５７とがＸＹ平面内で一致するように、露光ステージ１２上に載置された基板５０をフォトマスク４０に対して相対的に移動させ、アライメントを行う（ステップ１０９）。

ここで、フォトマスク４０のマスク側アライメントマーク４２は、カラーフィルタ画素部４１の中央部の上下に配置されているので、図６に示すように、第１ショット目のアライメント検出位置は、基板５０がフォトマスク４０に対して相対的にＸ方向にずらされた位置となる。

そして、このようにしてフォトマスク４０のマスク側アライメントマーク４２と基板５０の１番目のＢＭ層パターン領域５１に関連した基板側アライメントマーク５７とがＸＹ平面内で一致した状態となるアライメント位置から、調整されたギャップ（距離及び平行度）を保った状態で、ＸＹ平面内で露光ステージ１２をフォトマスク４０に対して所定のシフト量だけＸ方向にステップ移動させ、フォトマスク４０のカラーフィルタ画素部４１と基板５０の１番目のＢＭ層パターン領域５１とを一致させる（ステップ１１０）。なおこのとき、露光ステージ１２の移動は、レーザ干渉計（図示せず）等による検出結果に基づいて制御装置２７により駆動ステージ１３を制御することにより行われる。

その後、フォトマスク４０のカラーフィルタ画素部４１と基板５０の１番目のＢＭ層パターン領域５１とが一致した状態となる露光位置において、図７に示すように、遮光板１８を移動させてフォトマスク４０のマスク側アライメントマーク４２及びギャップ測定用窓部４３を遮蔽した後（ステップ１１１）、フォトマスク４０を介して基板５０へ向けて露光光を照射する。これにより、基板５０の１番目のＢＭ層パターン領域５１上に１番目の着色層パターン領域（図示せず）が形成される（ステップ１１２）。

以上のようにして第１ショット目の露光（ｎ＝１の場合）を行って、基板５０の１番目のＢＭ層パターン領域５１上に１番目の着色層パターン領域（図示せず）を形成した後、フォトマスク４０に対する基板５０の位置をＸＹ平面内でＹ方向に順次移動させながら、上述したステップ１０６〜１１２を繰り返すことにより、第２ショット目及び第３ショット目の露光（ｎ＝２，３の場合）を行って、基板５０の２番目及び３番目のＢＭ層パターン領域５２，５３上に２番目及び３番目の着色層パターン領域（図示せず）を形成することができる。

以下、第２ショット目の露光（ｎ＝２の場合）及び第３ショット目の露光（ｎ＝３の場合）について説明する。

第２ショット目の露光を行う場合には、制御装置２７による制御の下で、ショット回数を表すカウンタｎをｎ＝２と設定した後（ステップ１１３及びステップ１１４）、第２ショット目のギャップ検出位置に基板５０が配置されるように露光ステージ１２を移動させる（ステップ１０６）。なおこの場合、第２ショット目のギャップ検出位置は、図８に示すように、フォトマスク４０の４つのギャップ測定用窓部４３のうち２つのギャップ測定用窓部４３（図８の斜線部参照）がＢＭ層パターン領域５１〜５６から外れた状態になる。

そして、このようにして第２ショット目のギャップ検出位置に基板５０が配置されるように露光ステージ１２が位置付けられた後、フォトマスク４０の２つのギャップ測定用窓部４３を介してフォトマスク４０と基板５０との間のギャップを検出して当該ギャップを調整する（ステップ１０７）。なおこのとき、ギャップ検出装置１６によるギャップの検出はＸＹ平面内の異なる２箇所で行われるので、フォトマスク４０と基板５０との間の距離のみが検出され、両者の間の平行度は検出することができない。このため、制御装置２７による制御の下で、第１ショット目の露光で調整されたギャップ（平行度）を保った状態で、上述した検出結果に基づいて駆動ステージ１３により露光ステージ１２の高さを調整する。

その後、第１ショット目の露光の場合と同様に、調整されたギャップ（距離及び平行度）を保った状態で、ＸＹ平面内で第２ショット目のアライメント検出位置まで露光ステージ１２をステップ移動させた後（ステップ１０８）、アライメント検出位置において、図９に示すように、フォトマスク４０の２つのマスク側アライメントマーク４２と基板５０の２番目のＢＭ層パターン領域５２に関連した２つの基板側アライメントマーク５７とがＸＹ平面内で一致するように、露光ステージ１２上に載置された基板５０をフォトマスク４０に対して相対的に移動させ、アライメントを行う（ステップ１０９）。

そして、このようにしてフォトマスク４０のマスク側アライメントマーク４２と基板５０の２番目のＢＭ層パターン領域５２に関連した基板側アライメントマーク５７とがＸＹ平面内で一致した状態となるアライメント位置から、調整されたギャップ（距離及び平行度）を保った状態で、ＸＹ平面内で露光ステージ１２をフォトマスク４０に対して所定のシフト量だけＸ方向にステップ移動させ、フォトマスク４０のカラーフィルタ画素部４１と基板５０の２番目のＢＭ層パターン領域５２とを一致させる（ステップ１１０）。

その後、フォトマスク４０のカラーフィルタ画素部４１と基板５０の２番目のＢＭ層パターン領域５２とが一致した状態となる露光位置において、図１０に示すように、遮光板１８を移動させてフォトマスク４０のマスク側アライメントマーク４２及びギャップ測定用窓部４３を遮蔽した後（ステップ１１１）、フォトマスク４０を介して基板５０へ向けて露光光を照射する。これにより、基板５０の２番目のＢＭ層パターン領域５２上に２番目の着色層パターン領域（図示せず）が形成される（ステップ１１２）。

同様に、第３ショット目の露光を行う場合には、制御装置２７による制御の下で、ショット回数を表すカウンタｎをｎ＝３と設定した後（ステップ１１３及びステップ１１４）、第３ショット目のギャップ検出位置に基板５０が配置されるように露光ステージ１２を移動させる（ステップ１０６）。なおこの場合、第３ショット目のギャップ検出位置は、図１１に示すように、フォトマスク４０の４つのギャップ測定用窓部４３のうち３つのギャップ測定用窓部４３（図１１の斜線部参照）がＢＭ層パターン領域５１〜５６から外れた状態になる。

そして、このようにして第３ショット目のギャップ検出位置に基板５０が配置されるように露光ステージ１２が位置付けられた後、フォトマスク４０の３つのギャップ測定用窓部４３を介してフォトマスク４０と基板５０との間のギャップを検出して当該ギャップを調整する（ステップ１０７）。なおこのとき、ギャップ検出装置１６によるギャップの検出はＸＹ平面内の異なる３箇所で行われるので、フォトマスク４０と基板５０との間の距離だけでなく両者の間の平行度が検出されることとなる。このため、制御装置２７による制御の下で、このような検出結果に基づいて駆動ステージ１３により露光ステージ１２の高さ及び傾きを調整することにより、フォトマスク４０と基板５０との間のギャップ（距離及び平行度）を適切に調整することができる。

その後、第１ショット目及び第２ショット目の露光の場合と同様に、調整されたギャップ（距離及び平行度）を保った状態で、ＸＹ平面内で第３ショット目のアライメント検出位置まで露光ステージ１２をステップ移動させた後（ステップ１０８）、アライメント検出位置において、図１２に示すように、フォトマスク４０の２つのマスク側アライメントマーク４２と基板５０の３番目のＢＭ層パターン領域５３に関連した基板側アライメントマーク５７とがＸＹ平面内で一致するように、露光ステージ１２上に載置された基板５０をフォトマスク４０に対して相対的に移動させ、アライメントを行う（ステップ１０９）。

そして、このようにしてフォトマスク４０のマスク側アライメントマーク４２と基板５０の３番目のＢＭ層パターン領域５３に関連した基板側アライメントマーク５７とが一致した状態となるアライメント位置から、調整されたギャップ（距離及び平行度）を保った状態で、ＸＹ平面内で露光ステージ１２をフォトマスク４０に対して所定のシフト量だけＸ方向にステップ移動させ、フォトマスク４０のカラーフィルタ画素部４１と基板５０の３番目のＢＭ層パターン領域５３とを一致させる（ステップ１１０）。

その後、フォトマスク４０のカラーフィルタ画素部４１と基板５０の３番目のＢＭ層パターン領域５３とが一致した状態となる露光位置において、図１３に示すように、遮光板１８を移動させてフォトマスク４０のマスク側アライメントマーク４２及びギャップ測定用窓部４３を遮蔽した後（ステップ１１１）、フォトマスク４０を介して基板５０へ向けて露光光を照射する。これにより、基板５０の３番目のＢＭ層パターン領域５３上に３番目の着色層パターン領域（図示せず）が形成される（ステップ１１２）。

以上のようにして、フォトマスク４０に対する基板５０の位置をＸＹ平面内でＹ方向に順次移動させながら、第１ショット目から第３ショット目までの露光（ｎ＝１，２，３の場合）を行うことにより、基板５０のＢＭ層パターン領域５１〜５３上に、互いにつなぎ合わされることで一つの大面積のパターンをなす３つの着色層パターン領域（図示せず）を形成することができる。

なお、同様にして、第４ショット目から第６ショット目までの露光を行うことにより、基板５０のＢＭ層パターン領域５４〜５６上に、互いにつなぎ合わされることで一つの大面積のパターンをなす３つの着色層パターン領域（図示せず）を形成することができる。ここで、第４ショット目から第６ショット目までの露光における基本的な手順は、第１ショット目から第３ショット目までの露光における手順と同様であるので、ここでは詳細な説明は省略する。

以上のようにして、第１ショット目から第６ショット目までの６ショットの露光を行って、基板５０のＢＭ層パターン領域５１〜５６上に６つの着色層パターン領域（図示せず）を形成した後、基板の払い出し位置まで露光ステージ１２を下降させ（ステップ１１５）、露光ステージ１２による基板５０に対する吸着状態を解除する（ステップ１１６）。次いで、露光ステージ１２のリフトピン（図示せず）を上昇させた後、ロボットアーム（図示せず）等を用いて露光後の基板５０を露光装置１外へ排出する（ステップ１１８）。

このように本実施の形態によれば、フォトマスク４０のマスク側アライメントマーク４２と基板５０の各ＢＭ層パターン領域５１〜５６に関連した基板側アライメントマーク５７とがＸＹ平面内で一致した状態となるアライメント位置と、フォトマスク４０のカラーフィルタ画素部４１と基板５０の各ＢＭ層パターン領域５１〜５６とが一致した状態となる露光位置とが、互いに所定のシフト量だけＸ方向に離間した状態になるようにし、アライメント位置でフォトマスク４０と基板５０との間の一次的なアライメントを行った上で、Ｘ方向へのステップ移動によりアライメント位置から露光位置まで移動させて最終的に基板５０を露光位置に位置決めするようにしている。このため、基板５０上に形成されるＢＭ層パターン領域５１〜５６（及び着色層パターン領域）の位置と基板５０上で設けられるべきアライメントマークの位置とが重なってしまうことを効果的に防止し、アライメントマークを利用した手法に基づく安価な露光装置を用いて、基板５０の位置決めを適正に行うことができる。

また、本実施の形態によれば、フォトマスク４０のカラーフィルタ画素部４１と基板５０の各ＢＭ層パターン領域５１〜５６とがＸＹ平面内で一致するように配置されたときに、基板５０の各ＢＭ層パターン領域５１〜５６に関連した基板側アライメントマーク５７からＸ方向に沿って所定のシフト量だけ離間した状態になるように、フォトマスク４０のマスク側アライメントマーク４２及び基板５０の各ＢＭ層パターン領域５１〜５６に関連した基板側アライメントマーク５７を位置付けるようにしているので、アライメント位置から露光位置までの移動を簡易にかつ精度良く行うことが可能となり、基板５０の位置決めをより適正に行うことができる。

さらに、本実施の形態によれば、基板５０の各ＢＭパターン領域５１〜５６のうちの少なくとも一部がＸＹ平面内のＹ方向に沿って互いにつなぎ合わされることで一つの大面積のパターンをなし、ステップ１１１において、フォトマスク４０のマスク側アライメントマーク４２及びギャップ測定用窓部４３を遮蔽しながら、フォトマスク４０を介して基板５０へ向けて露光光を照射するようにしているので、基板５０上に形成されるＢＭ層パターン領域５１〜５６（及び着色層パターン領域）の位置と基板５０上で設けられるべきアライメントマークの位置とが重なり合うような大面積のパターンを形成する場合であっても、アライメントマークを利用した手法に基づく安価な露光装置を用いて、基板５０の位置決めを適正に行うことができる。

さらにまた、本実施の形態によれば、ステップ１０６〜１１２を繰り返す際に、アライメント工程（ステップ１０８及び１０９）の直前にて、フォトマスク４０のカラーフィルタ画素部４１が基板５０の各ＢＭ層パターン領域５１〜５６から離間した状態となるギャップ検出位置において、ギャップ測定用窓部４３を介して、フォトマスク４０と基板５０との間のギャップを検出するようにしているので、基板５０上に形成されるＢＭ層パターン領域５１〜５６（及び着色層パターン領域）の位置と基板５０上で設けられるべきアライメントマークの位置とが重なり合うような大面積のパターンを形成する場合であっても、フォトマスク４０と基板５０との間のギャップを適正に検出することができる。

なお、上述した実施の形態において、基板５０上に設けられた基板側アライメントマーク５７及びフォトマスク４０上に設けられたマスク側アライメントマーク４２の具体的な配置態様や数は、図２及び図３に示すようなものに限定されるものではなく、フォトマスク４０と基板５０との間の相対的な２つの位置であるアライメント位置と露光位置とが互いに所定のシフト量だけ離間した状態にあり、好ましくはＸ方向又はＹ方向へのステップ移動によりアライメント位置から露光位置まで移動することができるような態様をとることができるものであれば、これ以外の任意の配置態様や数をとることができる。

また、上述した実施の形態においては、基板５０上に形成されるＢＭ層パターン領域５１〜５６及びそれに対応する着色層パターン領域（図示せず）の一部が互いにつなぎ合わされる場合を例に挙げて説明したが、ＢＭ層パターン領域５１〜５６及びそれに対応する着色層パターン領域（図示せず）の配置態様はこれに限られるものではなく、これ以外の配置態様をとる場合にも同様にして適用することができる。

さらに、上述した実施の形態においては、ギャップ調整工程（ステップ１０６及び１０７）をアライメント工程（ステップ１０８及び１０９）の直前に行っているが、これに限らず、アライメント工程（ステップ１０８及び１０９）と露光工程（ステップ１１０乃至１１２）との間で行ってもよい。また、露光ステージ１２の移動に伴う基板５０の高さや傾き等の変動が小さい場合には、各ショットの露光ごとに行うのではなく、全てのショットの露光を行う前に１度だけ行うようにしてもよい。

本発明の一実施の形態に係る露光方法を実現するための露光装置の一例を示す図。 本発明の一実施の形態に係る露光方法（着色層形成工程）の手順を説明するためのフローチャート。 本発明の一実施の形態に係る露光方法（着色層形成工程）で用いられる露光対象となる基板（ＢＭ層が形成された基板）の一例を示す平面図。 本発明の一実施の形態に係る露光方法（着色層形成工程）で用いられるフォトマスクの一例を示す平面図。 図１に示す露光方法における第１ショット目のギャップ調整工程を説明するための図。 図１に示す露光方法における第１ショット目のアライメント工程を説明するための図。 図１に示す露光方法における第１ショット目の露光工程を説明するための図。 図１に示す露光方法における第２ショット目のギャップ調整工程を説明するための図。 図１に示す露光方法における第２ショット目のアライメント工程を説明するための図。 図１に示す露光方法における第２ショット目の露光工程を説明するための図。 図１に示す露光方法における第３ショット目のギャップ調整工程を説明するための図。 図１に示す露光方法における第３ショット目のアライメント工程を説明するための図。 図１に示す露光方法における第３ショット目の露光工程を説明するための図。

符号の説明

１ 露光装置
１１ 基台
１２ 露光ステージ
１３ 駆動ステージ
１５ マスクステージ
１６ ギャップ検出装置
１７ 位置検出装置
１８ 遮光板
１９ 遮光板駆動装置
２０ 照射光学系
２１ 超高圧水銀灯
２２ パラボラミラー
２３ コールドミラー
２４ インテグレータレンズ
２５ 球面鏡
２６ シャッタ
２７ 制御装置
４０ フォトマスク
４１ カラーフィルタ画素部
４２ アライメントマーク
４３ ギャップ測定用窓部
４４ 露光有効エリア
５０ 感光材付きの基板
５１〜５６ 基板上に形成されたＢＭ層パターン領域
５７ 基板側アライメントマーク

Claims (14)

1. 一枚の感光材付きの基板に対して水平面内の異なる露光位置にて複数ショットの露光を順次行うことにより当該基板上に複数のパターンを形成する露光方法において、
   水平面内の異なる位置に配置された複数の矩形状の第１層パターン領域と、前記各第１層パターン領域に関連して位置付けられた複数の基板側アライメントマークとを含む感光材付きの基板を、露光ステージ上に載置する第１ステップと、
   前記各第１層パターン領域に対応する第２層パターン領域を露光するための露光用パターン領域と、前記露光用パターン領域に関連して位置付けられたマスク側アライメントマークとを含むフォトマスクを、前記露光ステージ上に載置された前記基板に対向するように配置する第２ステップであって、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークが、前記フォトマスクの前記露光用パターン領域と前記基板の前記各第１層パターン領域とが前記水平面内で一致するように配置されたときに、前記基板の前記各第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークから所定のシフト量だけ離間した状態になるように位置付けられている、第２ステップと、
   前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークと前記基板の前記複数の第１層パターン領域のうちの特定の第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークとが前記水平面内で一致するように、前記露光ステージ上に載置された前記基板を前記フォトマスクに対して相対的に移動させる第３ステップと、
   前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークと前記基板の前記特定の第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークとが前記水平面内で一致した状態となるアライメント位置から、前記水平面内で前記露光ステージを前記フォトマスクに対して前記所定のシフト量だけステップ移動させ、前記フォトマスクの前記露光用パターン領域と前記基板の前記特定の第１層パターン領域とを前記水平面内で一致させる第４ステップと、
   前記フォトマスクの前記露光用パターン領域と前記基板の前記特定の第１層パターン領域とが前記水平面内で一致した状態となる露光位置において、前記フォトマスクを介して前記基板へ向けて露光光を照射し、前記基板の前記特定の第１層パターン領域に合わせて第２層パターン領域を形成する第５ステップとを含み、
   前記フォトマスクに対する前記基板の位置を前記水平面内で順次移動させながら前記第３ステップ乃至前記第５ステップを繰り返し、前記基板の前記複数の第１層パターン領域に合わせて複数の第２層パターン領域を形成することを特徴とする露光方法。
2. 前記基板の前記各第１層パターン領域のうちの少なくとも一部は前記水平面内の第１の方向に沿って配置されており、前記各第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークは、前記各第１層パターン領域のうち前記第１の方向に沿って延びる第１方向辺の外側に位置付けられており、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークは、前記露光用パターン領域のうち前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って延びる第２方向辺の外側に位置付けられており、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークは、前記フォトマスクの前記露光用パターン領域と前記基板の前記各第１層パターン領域とが前記水平面内で一致するように配置されたときに、前記基板の前記各第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークから前記第２の方向に沿って前記所定のシフト量だけ離間した状態になるように位置付けられていることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークは、前記露光用パターン領域の前記第２方向辺の中央部の外側に位置付けられていることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
4. 前記基板の前記各第１層パターン領域のうちの少なくとも一部は前記水平面内の前記第１の方向に沿って互いにつなぎ合わされることで一つの大面積のパターンをなしており、
   前記第５ステップにおいて、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークを遮蔽しながら、前記フォトマスクを介して前記基板へ向けて露光光を照射することを特徴とする、請求項２又は３に記載の方法。
5. 前記基板は、前記水平面内の前記第２の方向に関して互いに離間して配置された少なくとも２つの大面積のパターンを有することを特徴とする、請求項４に記載の方法。
6. 前記フォトマスクと前記露光ステージ上に載置された前記基板との間のギャップを調整する第６ステップをさらに含み、
   前記第３ステップ乃至前記第５ステップを繰り返す際に、前記第３ステップの直前又は前記第３ステップと前記第４ステップとの間にて前記第６ステップを行うことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記フォトマスクは、当該フォトマスクと前記基板との間のギャップを検出するために用いられるギャップ測定用窓部をさらに含み、
   前記フォトマスクの前記露光用パターン領域が前記基板の前記各第１層パターン領域から離間した状態となるギャップ検出位置において、前記ギャップ測定用窓部を介して、前記フォトマスクと前記基板との間のギャップを検出することを特徴とする、請求項６に記載の方法。
8. 前記基板の前記各第１層パターン領域はカラーフィルタのブラックマトリクス層を構成し、前記各第２層パターン領域は前記ブラックマトリクス層のパターンに合わせて形成される所定色の着色層を構成することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
9. 一枚の感光材付きの基板に対して水平面内の異なる露光位置にて複数ショットの露光を順次行うことにより当該基板上に複数のパターンを形成する露光方法で用いられる、基板のアライメント方法において、
   水平面内の異なる位置に配置された複数の矩形状の第１層パターン領域と、前記各第１層パターン領域に関連して位置付けられた複数の基板側アライメントマークとを含む感光材付きの基板を、露光ステージ上に載置する第１ステップと、
   前記各第１層パターン領域に対応する第２層パターン領域を露光するための露光用パターン領域と、前記露光用パターン領域に関連して位置付けられたマスク側アライメントマークとを含むフォトマスクを、前記露光ステージ上に載置された前記基板に対向するように配置する第２ステップであって、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークが、前記フォトマスクの前記露光用パターン領域と前記基板の前記各第１層パターン領域とが前記水平面内で一致するように配置されたときに、前記基板の前記各第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークから所定のシフト量だけ離間した状態になるように位置付けられている、第２ステップと、
   前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークと前記基板の前記複数の第１層パターン領域のうちの特定の第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークとが前記水平面内で一致するように、前記露光ステージ上に載置された前記基板を前記フォトマスクに対して相対的に移動させる第３ステップと、
   前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークと前記基板の前記特定の第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークとが前記水平面内で一致した状態となるアライメント位置から、前記水平面内で前記露光ステージを前記フォトマスクに対して前記所定のシフト量だけステップ移動させ、前記フォトマスクの前記露光用パターン領域と前記基板の前記特定の第１層パターン領域とを前記水平面内で一致させる第４ステップとを含むことを特徴とする、基板のアライメント方法。
10. 前記基板の前記各第１層パターン領域のうちの少なくとも一部は前記水平面内の第１の方向に沿って配置されており、前記各第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークは、前記各第１層パターン領域のうち前記第１の方向に沿って延びる第１方向辺の外側に位置付けられており、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークは、前記露光用パターン領域のうち前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って延びる第２方向辺の外側に位置付けられており、前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークは、前記フォトマスクの前記露光用パターン領域と前記基板の前記各第１層パターン領域とが前記水平面内で一致するように配置されたときに、前記基板の前記各第１層パターン領域に関連した基板側アライメントマークから前記第２の方向に沿って前記所定のシフト量だけ離間した状態になるように位置付けられていることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
11. 前記フォトマスクの前記マスク側アライメントマークは、前記露光用パターン領域の前記第２方向辺の中央部の外側に位置付けられていることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
12. 前記基板の前記各第１層パターン領域のうちの少なくとも一部は前記水平面内の前記第１の方向に沿って互いにつなぎ合わされることで一つの大面積のパターンをなしていることを特徴とする、請求項１０又は１１に記載の方法。
13. 前記基板は、前記水平面内の前記第２の方向に関して互いに離間して配置された少なくとも２つの大面積のパターンを有することを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
14. 前記基板の前記各第１層パターン領域はカラーフィルタのブラックマトリクス層を構成し、前記各第２層パターン領域は前記ブラックマトリクス層のパターンに合わせて形成される所定色の着色層を構成することを特徴とする、請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の方法。

Images