JPH05304075A - 投影露光方法及び投影露光装置 - Google Patents
投影露光方法及び投影露光装置Info
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- JPH05304075A JPH05304075A JP4134303A JP13430392A JPH05304075A JP H05304075 A JPH05304075 A JP H05304075A JP 4134303 A JP4134303 A JP 4134303A JP 13430392 A JP13430392 A JP 13430392A JP H05304075 A JPH05304075 A JP H05304075A
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- projection
- wafer
- chip
- projection exposure
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数のチップを投影露光する操作をくり返す
とき、或る１回の投影における全投影は被投影ウェハか
ら外れるが少なくとも１つの被露光有効チップは被露光
材上に存在して有効に露光し得る場合には、それについ
て適正な条件を定めて投影露光を行うことができる投影
露光方法及び投影露光装置を提供すること。 【構成】 或る１回の投影における全投影２は被投影ウ
ェハ１０から外れるとともに少なくとも１つの被露光有
効チップは被露光ウェハにある場合、該ウェハにあるチ
ップ上のフォーカスデータを測定してそのフォーカスデ
ータにより投影露光を行う投影露光方法及び装置。
とき、或る１回の投影における全投影は被投影ウェハか
ら外れるが少なくとも１つの被露光有効チップは被露光
材上に存在して有効に露光し得る場合には、それについ
て適正な条件を定めて投影露光を行うことができる投影
露光方法及び投影露光装置を提供すること。 【構成】 或る１回の投影における全投影２は被投影ウ
ェハ１０から外れるとともに少なくとも１つの被露光有
効チップは被露光ウェハにある場合、該ウェハにあるチ
ップ上のフォーカスデータを測定してそのフォーカスデ
ータにより投影露光を行う投影露光方法及び装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投影露光方法及び投影
露光装置に関する。本発明は、例えば、電子材料（半導
体装置等）の製造の際のフォトリソグラフィー技術にお
ける露光の際に利用することができる。
露光装置に関する。本発明は、例えば、電子材料（半導
体装置等）の製造の際のフォトリソグラフィー技術にお
ける露光の際に利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば半導体装置の製造の際
に、露光装置としてパターンを投影露光する投影露光装
置が用いられている。特に、拡大して形成したパターン
を縮小して投影露光する縮小投影露光装置が多用されて
おり、これはステッパーなどと称されている。
に、露光装置としてパターンを投影露光する投影露光装
置が用いられている。特に、拡大して形成したパターン
を縮小して投影露光する縮小投影露光装置が多用されて
おり、これはステッパーなどと称されている。
【０００３】ステッパーにより投影露光して半導体装置
を製造する場合、一般に、１回の投影で複数の素子が投
影露光される。
を製造する場合、一般に、１回の投影で複数の素子が投
影露光される。
【０００４】例えば、６インチシリコン半導体ウェハを
露光する場合、１回の露光範囲（ショットサイズと称さ
れている）を例えば２０ｍｍ角とすると、図２に符号１
で示すように、その１回のショットサイズの中には、形
成されるべき素子が複数含まれている。仮に図の如く、
この露光範囲の中に４×４＝１６個の素子（図中１〜１
６のナンバーを付した）があるものとする。このように
１６個ある各素子の如く、１回の投影露光で露光される
複数の被露光構成要素の各１つ１つを、本明細書中、チ
ップと称することにする。
露光する場合、１回の露光範囲（ショットサイズと称さ
れている）を例えば２０ｍｍ角とすると、図２に符号１
で示すように、その１回のショットサイズの中には、形
成されるべき素子が複数含まれている。仮に図の如く、
この露光範囲の中に４×４＝１６個の素子（図中１〜１
６のナンバーを付した）があるものとする。このように
１６個ある各素子の如く、１回の投影露光で露光される
複数の被露光構成要素の各１つ１つを、本明細書中、チ
ップと称することにする。
【０００５】ところで、ステッパーの１回の露光域は、
１５ｍｍ角から２０ｍｍ角へと広角化が進んでおり（即
ちいわゆる画角が大きくなっており）、更にそれ以上の
広角化が進行しつつある。これにより１回で投影露光で
きるチップの数が増大する。
１５ｍｍ角から２０ｍｍ角へと広角化が進んでおり（即
ちいわゆる画角が大きくなっており）、更にそれ以上の
広角化が進行しつつある。これにより１回で投影露光で
きるチップの数が増大する。
【０００６】ところで、このように１回の投影露光範囲
（ショットサイズ）が大きくなると、該投影露光範囲が
複投影面である半導体ウェハ等から外れる場合が出て来
る。例えば図２の符号２で示すのがそのような場合であ
る。このような投影２は、その１回の投影における全投
影は被投影ウェハ１０から外れるが、即ち投影２全体は
ウェハ１０上にはないが、少なくとも１つのチップ（例
えば１〜１６の内１で示した素子）はウェハ上にあるも
のである。このような場合、従来のステッパーではオー
トフォーカスがとれなかった。フォーカスをとる点（フ
ォーカスポイント）は、露光ショットの中心とするの
で、図の如くフォーカスをとるべき中心３１がウェハ１
０から外れると、オートフォーカス機構が作動しないか
らである。一般に、フォーカスをとれるのはウェハ１０
の外端縁より何ｍｍ以内という具合に設定されており、
フォーカス有効範囲と呼ばれるこの範囲からショットの
中心が外れると、オートフォーカスは効かない。フォー
カス有効範囲は、ウェハ１０の端より３ｍｍ内側に設定
される（即ち図のＡ＝３ｍｍとする）ことが多い。ショ
ットの中心がこの範囲から外れると、ここではオートフ
ォーカスをきかせることができず、フォーカス情報はそ
の隣のフォーカスのとれるショットの情報を用いて、即
ち図の符号３２で示す隣のショットのフォーカスポイン
トのフォーカスを用いて（これを固定フォーカスと呼
ぶ）露光せざるを得なかった。従来、オートフォーカス
はショット毎にとり、またフォーカスセンサーはショッ
ト中心（レンズ中心）からしかデータがとれないように
なっていたからである。
（ショットサイズ）が大きくなると、該投影露光範囲が
複投影面である半導体ウェハ等から外れる場合が出て来
る。例えば図２の符号２で示すのがそのような場合であ
る。このような投影２は、その１回の投影における全投
影は被投影ウェハ１０から外れるが、即ち投影２全体は
ウェハ１０上にはないが、少なくとも１つのチップ（例
えば１〜１６の内１で示した素子）はウェハ上にあるも
のである。このような場合、従来のステッパーではオー
トフォーカスがとれなかった。フォーカスをとる点（フ
ォーカスポイント）は、露光ショットの中心とするの
で、図の如くフォーカスをとるべき中心３１がウェハ１
０から外れると、オートフォーカス機構が作動しないか
らである。一般に、フォーカスをとれるのはウェハ１０
の外端縁より何ｍｍ以内という具合に設定されており、
フォーカス有効範囲と呼ばれるこの範囲からショットの
中心が外れると、オートフォーカスは効かない。フォー
カス有効範囲は、ウェハ１０の端より３ｍｍ内側に設定
される（即ち図のＡ＝３ｍｍとする）ことが多い。ショ
ットの中心がこの範囲から外れると、ここではオートフ
ォーカスをきかせることができず、フォーカス情報はそ
の隣のフォーカスのとれるショットの情報を用いて、即
ち図の符号３２で示す隣のショットのフォーカスポイン
トのフォーカスを用いて（これを固定フォーカスと呼
ぶ）露光せざるを得なかった。従来、オートフォーカス
はショット毎にとり、またフォーカスセンサーはショッ
ト中心（レンズ中心）からしかデータがとれないように
なっていたからである。
【０００７】しかし、この固定フォーカスでは、当然、
正確なフォーカス情報は得られない。ウェハは全く平坦
ではなく、特に端部の平坦性は劣るものであるという事
情もあり、転写像がピンボケとなり易い（図３参照。ポ
イント３１，３２には、Ｌだけ距離差がある）。よって
せっかく有効域内にある素子チップ（図の１〜１６の内
の１のチップなど）であっても、これが不良となる確率
が高い。すなわち、歩留りが悪いという問題がある。
正確なフォーカス情報は得られない。ウェハは全く平坦
ではなく、特に端部の平坦性は劣るものであるという事
情もあり、転写像がピンボケとなり易い（図３参照。ポ
イント３１，３２には、Ｌだけ距離差がある）。よって
せっかく有効域内にある素子チップ（図の１〜１６の内
の１のチップなど）であっても、これが不良となる確率
が高い。すなわち、歩留りが悪いという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする問題点】上述のように、従来
技術にあっては、或る１回の投影における全投影は被投
影ウェハから外れるが少なくとも１つのチップはウェハ
にあるいわゆる半カケショットの場合、該少なくとも１
つのチップは、有効域にあるにも拘わらず、固定フォー
カスによる露光しか行えず、よって適切な露光フォーカ
ス条件が与えられず、不良品になってしまうおそれが大
きいという問題があった。
技術にあっては、或る１回の投影における全投影は被投
影ウェハから外れるが少なくとも１つのチップはウェハ
にあるいわゆる半カケショットの場合、該少なくとも１
つのチップは、有効域にあるにも拘わらず、固定フォー
カスによる露光しか行えず、よって適切な露光フォーカ
ス条件が与えられず、不良品になってしまうおそれが大
きいという問題があった。
【０００９】本発明は上記問題点を解決して、被投影露
光材であるウェハに被露光チップが存在して有効に露光
し得る場合については、それについて適正な条件を定め
て投影露光を行うことができる投影露光方法及び投影露
光装置を提供することを目的とする。
光材であるウェハに被露光チップが存在して有効に露光
し得る場合については、それについて適正な条件を定め
て投影露光を行うことができる投影露光方法及び投影露
光装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【問題点を解決するための手段】本発明の請求項１の発
明は、１回の投影で複数のチップを投影露光する操作を
くり返す投影露光方法において、或る１回の投影におけ
る全投影は被投影ウェハ（本発明においては、被投影ウ
ェハの語をもって、被露光構成要素であるチップを有す
る被露光材一般を称するものとする）から外れるととも
に少なくとも１つのチップはウェハにある場合、該ウェ
ハにあるチップ上のフォーカスデータを測定してそのフ
ォーカスデータにより投影露光を行うことを特徴とする
投影露光方法であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
明は、１回の投影で複数のチップを投影露光する操作を
くり返す投影露光方法において、或る１回の投影におけ
る全投影は被投影ウェハ（本発明においては、被投影ウ
ェハの語をもって、被露光構成要素であるチップを有す
る被露光材一般を称するものとする）から外れるととも
に少なくとも１つのチップはウェハにある場合、該ウェ
ハにあるチップ上のフォーカスデータを測定してそのフ
ォーカスデータにより投影露光を行うことを特徴とする
投影露光方法であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
【００１１】本発明の請求項２の発明は、１回の投影で
複数のチップを投影露光する操作をくり返す投影露光方
法において、或る１回の投影における全投影は被投影ウ
ェハから外れるとともに少なくとも１つのチップはウェ
ハにある場合、該全投影範囲内の複数のチップについて
フォーカスデータを測定して、その内最適なフォーカス
データにより投影露光を行うことを特徴とする投影露光
方法であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。
複数のチップを投影露光する操作をくり返す投影露光方
法において、或る１回の投影における全投影は被投影ウ
ェハから外れるとともに少なくとも１つのチップはウェ
ハにある場合、該全投影範囲内の複数のチップについて
フォーカスデータを測定して、その内最適なフォーカス
データにより投影露光を行うことを特徴とする投影露光
方法であって、これにより上記目的を達成するものであ
る。
【００１２】本発明の請求項３の発明は、１回の投影で
複数のチップを投影露光する操作をくり返す投影露光方
法において、或る１回の投影における全投影は被投影ウ
ェハから外れるとともに少なくとも１つのチップはウェ
ハにある場合、フォーカスポイントを該ウェハにあるチ
ップ上に移し、該チップのフォーカスデータを測定して
そのフォーカスデータにより投影露光を行うことを特徴
とする投影露光方法であって、これにより上記目的を達
成するものである。
複数のチップを投影露光する操作をくり返す投影露光方
法において、或る１回の投影における全投影は被投影ウ
ェハから外れるとともに少なくとも１つのチップはウェ
ハにある場合、フォーカスポイントを該ウェハにあるチ
ップ上に移し、該チップのフォーカスデータを測定して
そのフォーカスデータにより投影露光を行うことを特徴
とする投影露光方法であって、これにより上記目的を達
成するものである。
【００１３】本発明の請求項４の発明は、１回の投影で
複数のチップを投影露光する操作をくり返す投影露光方
法において、或る１回の投影における全投影は複投影ウ
ェハから外れるとともに少なくとも１つのチップはウェ
ハにある場合、該ウェハにあるチップ群の中央の位置に
おいて、あるいは中央に位置するチップ上においてフォ
ーカスデータを測定してそのフォーカスデータにより投
影露光を行うことを特徴とする投影露光方法であって、
これにより上記目的を達成するものである。
複数のチップを投影露光する操作をくり返す投影露光方
法において、或る１回の投影における全投影は複投影ウ
ェハから外れるとともに少なくとも１つのチップはウェ
ハにある場合、該ウェハにあるチップ群の中央の位置に
おいて、あるいは中央に位置するチップ上においてフォ
ーカスデータを測定してそのフォーカスデータにより投
影露光を行うことを特徴とする投影露光方法であって、
これにより上記目的を達成するものである。
【００１４】本発明の請求項５の発明は、１回の投影で
複数のチップを投影露光する操作をくり返す投影露光方
法において、或る１回の投影における全投影は被投影ウ
ェハから外れるとともに少なくとも１つのチップはウェ
ハにある場合、該ウェハにあるチップ群の内、フォーカ
スデータをとるための機械的移動が容易なチップを選定
して、該チップ上のフォーカスデータを測定してそのフ
ォーカスデータにより投影露光を行うことを特徴とする
投影露光方法であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
複数のチップを投影露光する操作をくり返す投影露光方
法において、或る１回の投影における全投影は被投影ウ
ェハから外れるとともに少なくとも１つのチップはウェ
ハにある場合、該ウェハにあるチップ群の内、フォーカ
スデータをとるための機械的移動が容易なチップを選定
して、該チップ上のフォーカスデータを測定してそのフ
ォーカスデータにより投影露光を行うことを特徴とする
投影露光方法であって、これにより上記目的を達成する
ものである。
【００１５】本発明の請求項６の発明は、１回の投影で
複数のチップを投影露光する操作をくり返す投影露光装
置において、或る１回の投影における全投影は被投影ウ
ェハから外れるとともに少なくとも１つのチップはウェ
ハにある場合、該ウェハにあるチップ上のフォーカスデ
ータを測定してそのフォーカスデータにより投影露光を
行う構成とした投影露光装置であって、これにより上記
目的を達成するものである。
複数のチップを投影露光する操作をくり返す投影露光装
置において、或る１回の投影における全投影は被投影ウ
ェハから外れるとともに少なくとも１つのチップはウェ
ハにある場合、該ウェハにあるチップ上のフォーカスデ
ータを測定してそのフォーカスデータにより投影露光を
行う構成とした投影露光装置であって、これにより上記
目的を達成するものである。
【００１６】本発明の請求項７の発明は、１回の投影で
複数のチップを投影露光する操作をくり返す投影露光装
置において、或る１回の投影における全投影は被投影ウ
ェハから外れるとともに少なくとも１つのチップはウェ
ハにある場合、該全投影範囲内の複数のチップについて
フォーカスデータを測定して、その内最適なフォーカス
データにより投影露光を行う構成とした投影露光装置で
あって、これにより上記目的を達成するものである。
複数のチップを投影露光する操作をくり返す投影露光装
置において、或る１回の投影における全投影は被投影ウ
ェハから外れるとともに少なくとも１つのチップはウェ
ハにある場合、該全投影範囲内の複数のチップについて
フォーカスデータを測定して、その内最適なフォーカス
データにより投影露光を行う構成とした投影露光装置で
あって、これにより上記目的を達成するものである。
【００１７】
【作用】本出願の発明によれば、１回の投影で複数のチ
ップを投影露光する操作をくり返して投影露光を行う場
合に、或る１回の投影における全投影は被投影ウェハか
ら外れるが少なくとも１つのチップはウェハにある場
合、該有効なチップそのもののデータを用いて、あるい
はこのような有効なチップが複数ある場合に少なくとも
その内の２以上についてデータをとってその最適データ
を用いて、あるいはステージ移動等により適正チップに
ついてのフォーカスポイントをとってそのデータを用い
て、あるいは複数の有効なチップについて該チップ群の
中央の位置もしくは中央のチップ上のデータを用いて、
あるいはフォーカスデータをとるための機械的移動が容
易なチップを計算等で選定してそのチップのデータを用
いて、露光を行うことが可能ならしめられる。よって、
例えば隣りのショットの条件を用いる固定フォーカス法
などの場合必ずしも適正な条件での露光が達成できず、
歩留りが悪くなるおそれがあったのに対し、本発明では
適正な条件により、有効なチップを無駄なくかつ良好に
露光できるという利益がもたらされる。
ップを投影露光する操作をくり返して投影露光を行う場
合に、或る１回の投影における全投影は被投影ウェハか
ら外れるが少なくとも１つのチップはウェハにある場
合、該有効なチップそのもののデータを用いて、あるい
はこのような有効なチップが複数ある場合に少なくとも
その内の２以上についてデータをとってその最適データ
を用いて、あるいはステージ移動等により適正チップに
ついてのフォーカスポイントをとってそのデータを用い
て、あるいは複数の有効なチップについて該チップ群の
中央の位置もしくは中央のチップ上のデータを用いて、
あるいはフォーカスデータをとるための機械的移動が容
易なチップを計算等で選定してそのチップのデータを用
いて、露光を行うことが可能ならしめられる。よって、
例えば隣りのショットの条件を用いる固定フォーカス法
などの場合必ずしも適正な条件での露光が達成できず、
歩留りが悪くなるおそれがあったのに対し、本発明では
適正な条件により、有効なチップを無駄なくかつ良好に
露光できるという利益がもたらされる。
【００１８】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。なお当然のことではあるが、本発明は図示
の態様に限定されるものではない。
て説明する。なお当然のことではあるが、本発明は図示
の態様に限定されるものではない。
【００１９】実施例１ 図１に示す概念図に基いて説明する。図１は、６インチ
シリコンウェハで２０ｍｍ角の露光範囲ショットサイズ
の中に、仮に４×４＝１６コのチップ（被露光構成要素
である被投影露光素子）が入っているとして図示したも
のである。１６個の各チップに、１〜１６の番号を付し
て示した。
シリコンウェハで２０ｍｍ角の露光範囲ショットサイズ
の中に、仮に４×４＝１６コのチップ（被露光構成要素
である被投影露光素子）が入っているとして図示したも
のである。１６個の各チップに、１〜１６の番号を付し
て示した。
【００２０】本実施例は、１回の投影で複数のチップを
投影露光する操作をくり返す投影露光において、図１に
符号２で示す露光ショットの如く、或る１回の投影にお
ける全投影は被投影ウェハから外れる（図１の３，４，
７，８，１０〜１６のチップ。これらは被投影ウェハか
ら外れており、ここに投影露光しても、当然、ウェハに
素子を形成することはできない）とともに、少なくとも
１つのチップはウェハにある（図１の１，２，５，６，
９のチップは、フォーカス有効範囲として余裕をとるた
めのウェハ端からＡだけの範囲も含めればウェハ上に位
置しており、素子形成が可能である）場合、該ウェハに
あるチップ（図示では１で示すチップ）上のフォーカス
データ（図示では符号３０で示すフォーカスポイントの
データ）を測定して、そのフォーカスデータにより投影
露光を行うようにしたものである。
投影露光する操作をくり返す投影露光において、図１に
符号２で示す露光ショットの如く、或る１回の投影にお
ける全投影は被投影ウェハから外れる（図１の３，４，
７，８，１０〜１６のチップ。これらは被投影ウェハか
ら外れており、ここに投影露光しても、当然、ウェハに
素子を形成することはできない）とともに、少なくとも
１つのチップはウェハにある（図１の１，２，５，６，
９のチップは、フォーカス有効範囲として余裕をとるた
めのウェハ端からＡだけの範囲も含めればウェハ上に位
置しており、素子形成が可能である）場合、該ウェハに
あるチップ（図示では１で示すチップ）上のフォーカス
データ（図示では符号３０で示すフォーカスポイントの
データ）を測定して、そのフォーカスデータにより投影
露光を行うようにしたものである。
【００２１】本実施例は、フォーカスポイントをウェハ
の良品域にもって来ることにより、精度を上げるように
した。かつ本実施例では、一旦、ステージ移動により、
レンズ中心をウェハ良品域（図示の３０のポイント）
に、図に示す矢印４の動きにより持ってきて、ショット
エリアを２′で示す位置とし、ここでフォーカスをとる
ものである。
の良品域にもって来ることにより、精度を上げるように
した。かつ本実施例では、一旦、ステージ移動により、
レンズ中心をウェハ良品域（図示の３０のポイント）
に、図に示す矢印４の動きにより持ってきて、ショット
エリアを２′で示す位置とし、ここでフォーカスをとる
ものである。
【００２２】本実施例によれば、上記のようないわゆる
半カケショットの中でも、有効域にチップが入っている
場合、生産性向上のためこの部分も半カケでショットを
してチップをかせぐ場合に、従来はフォーカスポイント
（ｓｈｏｔ中心）がフォーカス有効域にないため（例え
ば図示の３１が有効域から外れるため）、隣のチップの
ポイント３２のデータによる固定フォーカスとなってし
まっていたのに対し、このような半カケショットについ
てフォーカスを正確にとる（つまり隣接するショットで
はなく、実際に有効となるチップの付近でフォーカス情
報をとる）ことが可能になり、素子チップとして良品を
得ることができる。
半カケショットの中でも、有効域にチップが入っている
場合、生産性向上のためこの部分も半カケでショットを
してチップをかせぐ場合に、従来はフォーカスポイント
（ｓｈｏｔ中心）がフォーカス有効域にないため（例え
ば図示の３１が有効域から外れるため）、隣のチップの
ポイント３２のデータによる固定フォーカスとなってし
まっていたのに対し、このような半カケショットについ
てフォーカスを正確にとる（つまり隣接するショットで
はなく、実際に有効となるチップの付近でフォーカス情
報をとる）ことが可能になり、素子チップとして良品を
得ることができる。
【００２３】更に詳しくは、本実施例では次のようにし
て投影露光を行った。図１の各矢印はショットフロウ
（図１にｓｈｏｔの流れと記した）を示し、この矢印に
沿ってショット（露光）がなされて行く。問題となる半
カケショット（図１では説明の便宜上右下のみ図示した
が、実際はウェハ周辺で同様の個所は全て該当する）へ
移動する前に、通常のショットフロウから外れた矢印４
で示すフロウでショット位置をシフトさせ、フォーカス
ポイント３１でデータをとる。即ち、フォーカス情報を
とるために、矢印４で移動する動作が加わる。
て投影露光を行った。図１の各矢印はショットフロウ
（図１にｓｈｏｔの流れと記した）を示し、この矢印に
沿ってショット（露光）がなされて行く。問題となる半
カケショット（図１では説明の便宜上右下のみ図示した
が、実際はウェハ周辺で同様の個所は全て該当する）へ
移動する前に、通常のショットフロウから外れた矢印４
で示すフロウでショット位置をシフトさせ、フォーカス
ポイント３１でデータをとる。即ち、フォーカス情報を
とるために、矢印４で移動する動作が加わる。
【００２４】ショットすべき位置関係（ｓｈｏｔ Ｍａ
ｐ）は予めウェハを垂せて駆動するステージの制御系の
コンピュータに入力されており、このデータの処理によ
って自動的に上記の移動動作を発生させる（プログラム
を組む）ことは容易である。
ｐ）は予めウェハを垂せて駆動するステージの制御系の
コンピュータに入力されており、このデータの処理によ
って自動的に上記の移動動作を発生させる（プログラム
を組む）ことは容易である。
【００２５】他の態様として、フォーカスをとる位置を
ショット内中心一点のみでなく、ショット内の多点し分
散させてとることによってもよい。但し、構造やデータ
の処理がやや煩雑になる傾向がある。しかしこのような
いわゆるショット内マルチポイントフォーカスどりによ
るフォーカス情報を得る技術が近年進行しており、これ
も実用的である。
ショット内中心一点のみでなく、ショット内の多点し分
散させてとることによってもよい。但し、構造やデータ
の処理がやや煩雑になる傾向がある。しかしこのような
いわゆるショット内マルチポイントフォーカスどりによ
るフォーカス情報を得る技術が近年進行しており、これ
も実用的である。
【００２６】本実施例においては、具体的な実現方法と
して、オートフォーカスのためのウェハ面の存在を示す
情報を読み出す位置センサー（レンズ面とウェハ表面の
距離を測定する）を該当するショット内で最も正確な位
置迄移動させて情報を読み出し、しかる後に所定のショ
ット位置迄移動させ、そのフォーカス情報をもって、露
光する構成としたので、これにより、正確なフォーカス
情報に基づき露光することが可能となる。
して、オートフォーカスのためのウェハ面の存在を示す
情報を読み出す位置センサー（レンズ面とウェハ表面の
距離を測定する）を該当するショット内で最も正確な位
置迄移動させて情報を読み出し、しかる後に所定のショ
ット位置迄移動させ、そのフォーカス情報をもって、露
光する構成としたので、これにより、正確なフォーカス
情報に基づき露光することが可能となる。
【００２７】上述の如く、本実施例では、縮小投影露光
装置（ステッパー）のウェハ端部（周辺）の露光ショッ
トで、従来、自動焦点（オートフォーカス）機構を働か
せることができない個所のショットでも、オートフォー
カスをきかせることが可能となった。よって、ウェハ端
部のいわゆる半カケショットのフォーカスを正確に出す
ことができるようになり、正常に適正な露光条件により
ショット（露光）した場合と同等の転写像品位を保つこ
とができる。
装置（ステッパー）のウェハ端部（周辺）の露光ショッ
トで、従来、自動焦点（オートフォーカス）機構を働か
せることができない個所のショットでも、オートフォー
カスをきかせることが可能となった。よって、ウェハ端
部のいわゆる半カケショットのフォーカスを正確に出す
ことができるようになり、正常に適正な露光条件により
ショット（露光）した場合と同等の転写像品位を保つこ
とができる。
【００２８】従って、半カケショット内の有効チップの
歩留まりダウンを低下し、生産性の向上及び品質均一性
の向上を達成できる。
歩留まりダウンを低下し、生産性の向上及び品質均一性
の向上を達成できる。
【００２９】更に本実施例は、次のような各種の態様で
実施することもできる。即ち、上記例では、半カケショ
ットの内の適正チップについてその１つをとってステー
ジ移動によりそのチップにフォーカスポイントを移し、
そのフォーカスデータを得るようにしたが、全投影範囲
内の有効な複数のチップについてフォーカスデータを測
定して、その内最適なフォーカスデータにより投影露光
を行う構成とすることもできる。
実施することもできる。即ち、上記例では、半カケショ
ットの内の適正チップについてその１つをとってステー
ジ移動によりそのチップにフォーカスポイントを移し、
そのフォーカスデータを得るようにしたが、全投影範囲
内の有効な複数のチップについてフォーカスデータを測
定して、その内最適なフォーカスデータにより投影露光
を行う構成とすることもできる。
【００３０】また、ウェハにある有効なチップ群の中央
の位置において、あるいは中央に位置するチップ上にお
いてフォーカスデータを測定してそのフォーカスデータ
により投影露光を行う構成にすることができる。
の位置において、あるいは中央に位置するチップ上にお
いてフォーカスデータを測定してそのフォーカスデータ
により投影露光を行う構成にすることができる。
【００３１】更にあるいは、ウェハにある有効なチップ
群の内、フォーカスデータをとるための機械的移動が容
易なチップを選定して、該チップ上のフォーカスデータ
を測定してそのフォーカスデータにより投影露光を行う
構成にすることができる。
群の内、フォーカスデータをとるための機械的移動が容
易なチップを選定して、該チップ上のフォーカスデータ
を測定してそのフォーカスデータにより投影露光を行う
構成にすることができる。
【００３２】いずれの態様を採用しても、本発明の目的
を十分に達成することができ、有利である。
を十分に達成することができ、有利である。
【００３３】
【発明の効果】本発明の投影露光方法及び投影露光装置
によれば、或る１回の投影における全投影は被投影ウェ
ハから外れるとともに少なくとも１つのチップはウェハ
にある場合、即ち、いわゆる半カケショットである場合
についても、被露光ウェハにチップが存在して有効に露
光し得る場合については、それについて適正な条件を定
めて投影露光を行うことができるという効果がもたらさ
れる。
によれば、或る１回の投影における全投影は被投影ウェ
ハから外れるとともに少なくとも１つのチップはウェハ
にある場合、即ち、いわゆる半カケショットである場合
についても、被露光ウェハにチップが存在して有効に露
光し得る場合については、それについて適正な条件を定
めて投影露光を行うことができるという効果がもたらさ
れる。
【図１】実施例１の構成を説明する図である。
【図２】従来技術の問題点を示す図である。
【図３】従来技術の問題点を示す図である。
１０ 被投影露光ウェハ １ 投影範囲（ショット） ２ 半カケショット ３０，３１，３２ フォーカスポイント
Claims (7)
- 【請求項１】１回の投影で複数のチップを投影露光する
操作をくり返す投影露光方法において、 或る１回の投影における全投影は被投影ウェハから外れ
るとともに少なくとも１つのチップはウェハにある場
合、該ウェハにあるチップ上のフォーカスデータを測定
してそのフォーカスデータにより投影露光を行うことを
特徴とする投影露光方法。 - 【請求項２】１回の投影で複数のチップを投影露光する
操作をくり返す投影露光方法において、 或る１回の投影における全投影は被投影ウェハから外れ
るとともに少なくとも１つのチップはウェハにある場
合、該全投影範囲内の複数のチップについてフォーカス
データを測定して、その内最適なフォーカスデータによ
り投影露光を行うことを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項３】１回の投影で複数のチップを投影露光する
操作をくり返す投影露光方法において、 或る１回の投影における全投影は被投影ウェハから外れ
るとともに少なくとも１つのチップはウェハにある場
合、フォーカスポイントを該ウェハにあるチップ上に移
し、該チップのフォーカスデータを測定してそのフォー
カスデータにより投影露光を行うことを特徴とする投影
露光方法。 - 【請求項４】１回の投影で複数のチップを投影露光する
操作をくり返す投影露光方法において、 或る１回の投影における全投影は複投影ウェハから外れ
るとともに少なくとも１つのチップはウェハにある場
合、該ウェハにあるチップ群の中央の位置において、あ
るいは中央に位置するチップ上においてフォーカスデー
タを測定してそのフォーカスデータにより投影露光を行
うことを特徴とする投影露光方法。 - 【請求項５】１回の投影で複数のチップを投影露光する
操作をくり返す投影露光方法において、 或る１回の投影における全投影は被投影ウェハから外れ
るとともに少なくとも１つのチップはウェハにある場
合、該ウェハにあるチップ群の内、フォーカスデータを
とるための機械的移動が容易なチップを選定して、該チ
ップ上のフォーカスデータを測定してそのフォーカスデ
ータにより投影露光を行うことを特徴とする投影露光方
法。 - 【請求項６】１回の投影で複数のチップを投影露光する
操作をくり返す投影露光装置において、 或る１回の投影における全投影は被投影ウェハから外れ
るとともに少なくとも１つのチップはウェハにある場
合、該ウェハにあるチップ上のフォーカスデータを測定
してそのフォーカスデータにより投影露光を行う構成と
した投影露光装置。 - 【請求項７】１回の投影で複数のチップを投影露光する
操作をくり返す投影露光装置において、 或る１回の投影における全投影は被投影ウェハから外れ
るとともに少なくとも１つのチップはウェハにある場
合、該全投影範囲内の複数のチップについてフォーカス
データを測定して、その内最適なフォーカスデータによ
り投影露光を行う構成とした投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4134303A JPH05304075A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 投影露光方法及び投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4134303A JPH05304075A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 投影露光方法及び投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304075A true JPH05304075A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=15125139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4134303A Pending JPH05304075A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 投影露光方法及び投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05304075A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001052995A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-23 | Matsushita Electronics Industry Corp | 面位置検出方法 |
| US6449029B1 (en) | 1998-09-04 | 2002-09-10 | Nec Corporation | Apparatus for providing levelling and focusing adjustments on a semiconductor wafer |
| JP2004157327A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体デバイス用マスク、および露光方法 |
| JP2008263207A (ja) * | 2003-12-17 | 2008-10-30 | Asml Netherlands Bv | マップを決定するための方法、デバイス製造方法及びリソグラフィック装置 |
| JP2010206175A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置の製造方法 |
| US10012912B2 (en) | 2012-06-15 | 2018-07-03 | Fujitsu Semiconductor Limited | Exposure method, exposure apparatus, and photomask |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP4134303A patent/JPH05304075A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6449029B1 (en) | 1998-09-04 | 2002-09-10 | Nec Corporation | Apparatus for providing levelling and focusing adjustments on a semiconductor wafer |
| JP2001052995A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-23 | Matsushita Electronics Industry Corp | 面位置検出方法 |
| JP2004157327A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体デバイス用マスク、および露光方法 |
| JP4481561B2 (ja) * | 2002-11-06 | 2010-06-16 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体デバイス用マスク |
| JP2008263207A (ja) * | 2003-12-17 | 2008-10-30 | Asml Netherlands Bv | マップを決定するための方法、デバイス製造方法及びリソグラフィック装置 |
| JP2010206175A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置の製造方法 |
| US10012912B2 (en) | 2012-06-15 | 2018-07-03 | Fujitsu Semiconductor Limited | Exposure method, exposure apparatus, and photomask |
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