JPH10116877A

JPH10116877A - 面位置検出装置および方法、それを用いた露光方式、ならびにデバイス製造方法

Info

Publication number: JPH10116877A
Application number: JP27069096A
Authority: JP
Inventors: Yuichi Yamada; 雄一山田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-10-14
Filing date: 1996-10-14
Publication date: 1998-05-06

Abstract

(57)【要約】【課題】被露光域の形状の影響を受けることなく被露
光域の面位置を高精度に検出する。【解決手段】基板と相対走査しながらそれぞれ該基板
上の複数箇所の面位置を計測する複数のセンサを用いて
該基板の前記計測箇所に対応する面位置を検出する際
に、前記基板の処理に関する情報に基づいて走査計測時
の各センサの各計測箇所ごとの計測値の有効／無効を事
前に判定しておき、走査計測時、前記判定情報に基づい
て計測に用いられる前記センサをダイナミックに切り換
えて、切り換えられたセンサの計測出力に基づいて前記
基板の面情報を算出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ等のデバイ
スを製造する際、半導体ウエハ等の基板の高さを検出す
る面位置検出装置および方法に関し、特にスリットスキ
ャン方式の露光装置において、投影光学系の光軸方向に
関するウエハ表面の位置や傾きを連続的に検出する面位
置検出装置および方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＰＵの高速・多機能化やメモリの容量
拡大の傾向に伴い１チップのサイズが徐々に拡大してお
り、露光装置の観点からはスループット向上の要請から
大画面の露光装置が求められている。現在、クリティカ
ルレイヤー用の露光装置として使用されている一括露光
方式いわゆるステッパでは、１回の露光面積が２２ｍｍ
角程度であり、このままレンズ径を拡大して露光面積を
拡大する手法を踏襲した場合装置コストの大幅アップと
なってしまうため、投影レンズ対角長すなわち直径を露
光エリア短辺に設定し長辺方向には走査露光を行なうス
キャン型の露光装置が開発されている。スキャン型の露
光装置を用いるとステッパの２２ｍｍ角の投影レンズを
用いた場合でも３０×３３ｍｍ角程度まで露光域を拡大
することが可能となり、レンズコストを押えながら生産
性の向上を図ることができる。

【０００３】ところで、このような四辺形の露光エリア
を逐次円形のウエハ上に転写していく場合、図５〜７に
示すように、ウエハの周辺部では露光エリアの一部がウ
エハ領域からはみ出して露光されることになる。ウエハ
周辺領域では露光エリアの一部が欠如してもチップ製造
可能なように露光エリア内を複数のチップで構成するい
わゆるマルチチップ構成とした露光を行なっている（図
６参照）ため、このように一部が欠如している露光エリ
ア（非四辺形部分）も通常通り露光する必要がある。ま
た、ＣＰＵなどのように露光域内１チップ構成の場合で
も、イオン注入やＲＩＥ工程などでのウエハ表面クラン
ピングの際にウエハ周辺に残存しているフォトレジスト
が剥離し、それがチップ領域のパターン部に移動するこ
とによりパターン欠陥や寸法欠陥を引き起こし、結果と
してチップの歩留まりを悪化させることになるため、非
四辺形部分も余分なレジストを除去する目的で露光を行
なう必要がある。従来は、このようにウエハの露光に際
しウエハ周辺部の非四辺形部分においてもウエハ内部の
四辺形部分を露光する場合と同様の露光方法を採ってい
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】スリット・スキャン型
の露光装置では、上記のような周辺部分を露光する際に
フォーカスの計測をリアルタイムで計測し、ウエハ表面
を投影レンズ像面へ補正を行なっているが、被露光領域
（ショット）が中心付近とは異なり四辺形をしていない
ために、フォーカス計測がエラーして露光処理を途中で
ストップしたり、また、たとえソフト処理によってエラ
ーを検知しエラー処理を行なって露光を続行しても、処
理時間の増加により補正系との同期遅れが問題となり補
正精度が悪化するという問題があった。

【０００５】本発明は前記従来の問題点に鑑みてなされ
たものであり、その目的は被処理域の形状から面位置検
出すべきポイントを事前に決定し、検出対象の被処理域
の形状の影響を受けることなく被処理物表面の位置を高
精度に検出することができる面位置検出装置および方法
を提供することにあり、特にスリットスキャン露光方式
におけるフォーカス、すなわちウエハの表面位置を高精
度に検出できる面位置検出装置および方法を提供するこ
とにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の面位置検出装置は、基板を相対走査しなが
らそれぞれ該基板上の複数箇所の面位置を計測する複数
のセンサと、前記基板の処理に関する情報に基づいて走
査計測時の各センサの各計測箇所ごとの有効／無効を事
前に判定し、記憶する手段と、走査計測時、前記判定情
報に基づき計測値の有効なセンサを選択しながらそれら
の計測出力に基づいて前記基板の面情報を算出する手段
とを具備することを特徴とする。

【０００７】また、本発明の面位置検出方法は、基板を
相対走査しながらそれぞれ該基板上の複数箇所の面位置
を計測する複数のセンサを用いて該基板の前記計測箇所
に対応する面位置を検出する方法において、前記基板の
処理に関する情報に基づいて走査計測時の各センサの各
計測箇所ごとの計測値の有効／無効を事前に判定するス
テップと、走査計測時、前記判定情報に基づいて計測に
用いられる前記センサをダイナミックに切り換えるステ
ップと、切り換えられたセンサの計測出力に基づいて前
記基板の面情報を算出するステップとを具備する。

【０００８】さらに、本発明に係る露光方式は、上述の
装置または方法を用いてフォーカスを計測してフォーカ
ス補正を行ないながら、原版のパターンをスリットおよ
び投影光学系を介して基板に投影し、前記原版と基板を
前記投影光学系に対し相対的に前記スリットの長手方向
と垂直方向に走査することにより前記原版のパターンを
前記基板に露光する。

【０００９】この露光方式において、好ましくは、前記
判定情報に基づき、ショット内で走査方向に有効センサ
数が変化するショットについては有効センサ数の多い方
から少ない方向に向かって走査すべくショットの処理順
を決定する。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態に係る走査
型露光装置においては、事前に、ウエハサイズ、ショッ
トサイズ、チップサイズ、無効範囲、露光条件などから
露光時のフォーカス計測対象チャンネル（センサごとに
複数の計測箇所）の有効／無効情報を作成しておき、走
査中のフォーカス計測対象チャンネルは前記情報により
ダイナミックに切り換えて計測し、投影レンズ（光軸）
方向の高さと傾きのデータを生成する。

【００１１】各ショットのスキャン方向は前記フォーカ
スセンサの有効情報を用いて有効センサ数の多い方から
少ない方へスキャンするように設定する。その場合、す
べての計測範囲で有効チャンネル数が同じショット（例
えば四辺形部分）では周辺ショットの走査方向、ウエハ
の変形形状が中心対称的であることを考慮してなるべく
近傍のショットへ移動するようにレイアウトを決定す
る。

【００１２】上記の構成によれば、パターンが形成され
たウエハの面位置を相対走査しながら連続的に検出する
際、ウエハやチップなどのレイアウト情報から事前に走
査計測時のフォーカスの有効／無効判定を行ない、その
情報を元にして走査露光中のフォーカス計測センサをダ
イナミックに切り換えながらフォーカスの計測および補
正を実行するようにしている。すなわち、ショット形状
が四辺形をしていないことにより計測位置がウエハ面か
ら外れたセンサの計測値は用いない。これにより、フォ
ーカス計測エラーを防止し、エラーによる装置の停止
や、エラー処理による処理時間の増加および補正系との
同期遅れを防止することができる。

【００１３】また、センサとショットの位置関係等に応
じて計測値に適切な重みをつけることにより、フォーカ
スをより高精度に検出することができる。

【００１４】さらに、現ショットの有効計測値および／
または先行ショットの有効計測値を用いてより高精度の
フォーカス補正を行なうことが好ましい。すなわち前記
判定方法により得られたセンサの有効情報に基づき有効
センサ数が多い方から少ない方向に向かってスキャンす
ることにより、センサ数の少ない領域においても高精度
のフォーカス補正が可能となる。

【００１５】

【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明の一実施例に係る露光装置を側方から
見た様子を模式的に示す図であり、図２は、その露光装
置の外観を示す斜視図である。これらの図に示すよう
に、この露光装置は、レチクルステージ１上の原版のパ
ターンの一部を投影光学系２を介してＸＹステージ３上
のウエハに投影し、投影光学系２に対し相対的にレチク
ルとウエハをＹ方向に同期走査することによりレチクル
のパターンをウエハに露光するとともに、この走査露光
を、ウエハ上の複数領域（ショット）に対して、繰り返
し行なうためのステップ移動を介在させながら行なうス
テップ・アンド・スキャン型の露光装置である。

【００１６】レチクルステージ１はリニアモータ４によ
ってＹ方向へ駆動し、ＸＹステージ３のＸステージ３ａ
はリニアモータ５によってＸ方向に駆動し、Ｙステージ
３ｂはリニアモータ６によってＹ方向へ駆動するように
なっている。レチクルおよびウエハの同期走査は、レチ
クルステージ１およびＹステージ３ｂをＹ方向へ一定の
速度比率（例えば４：−１、なお、「−」は向きが逆で
あることを示す）で駆動させることにより行なう。ま
た、Ｘ方向へのステップ移動はＸステージ３ａにより行
なう。

【００１７】ＸＹステージ３は、ステージ定盤７上に設
けられ、ステージ定盤７は３つのダンパ８を介して３点
で床等の上に支持されている。レチクルステージ１およ
び投影光学系２は鏡筒定盤９上に設けられ、鏡筒定盤９
は床等に載置されたベースフレーム１０上に３つのダン
パ１１および支柱１２を介して支持されている。ダンパ
８は６軸方向にアクティブに制振もしくは除振するアク
ティブダンパであるが、パッシブダンパを用いてもよ
く、あるいはダンパを介せずに支持してもよい。

【００１８】また、この露光装置は、鏡筒定盤９とステ
ージ定盤７との間の距離を３点において測定するレーザ
干渉計、マイクロエンコーダ等の距離測定手段１３を備
えている。

【００１９】投光手段２１と受光手段２２は、ＸＹステ
ージ３上のウエハが投影光学系２のフォーカス面に位置
しているか否かを検出するためのフォーカスセンサを構
成している。すなわち、鏡筒定盤９に固定された投光手
段２１によりウエハに対して斜め方向から光を照射し、
その反射光の位置を受光手段２２によって検出すること
により投影光学系２の光軸方向のウエハ表面の位置が検
出される。

【００２０】この構成において、不図示の搬送手段によ
り、装置前部の２つの支柱１２間の搬送経路を経てＸＹ
ステージ３上にウエハが搬入され、所定の位置合せが終
了すると、露光装置は、走査露光およびステップ移動を
繰り返しながら、ウエハ上の複数の露光領域に対してレ
チクルのパターンを露光転写する。走査露光に際して
は、レチクルステージ１およびＹステージ３ｂをＹ方向
（走査方向）へ、所定の速度比で移動させて、スリット
状の露光光でレチクル上のパターンを走査するととも
に、その投影像でウエハを走査することにより、ウエハ
上の所定の露光領域に対してレチクル上のパターンを露
光する。走査露光中、ウエハ表面の高さは前記フォーカ
スセンサで計測され、その計測値に基づきＸＹステージ
３の高さとチルトがリアルタイムで制御され、フォーカ
ス補正が行なわれる。１つの露光領域に対する走査露光
が終了したら、Ｘステージ３ａをＸ方向へ駆動してウエ
ハをステップ移動させることにより、他の露光領域を走
査露光の開始位置に対して位置決めし、走査露光を行な
う。なお、このＸ方向へのステップ移動と、Ｙ方向への
走査露光のための移動との組合せにより、ウエハ上の複
数の露光領域に対して、順次効率良く露光が行なえるよ
うに、各露光領域の配置、Ｙの正または負のいずれかへ
の走査方向、各露光領域への露光順等が設定されてい
る。

【００２１】図３は、投影光学系２によってウエハ上に
投影されるスリット（露光スリット）と、前記フォーカ
スセンサによるフォーカス計測点（以下、スポットとい
う）との位置関係を、図４は、ウエハ上のフォーカス計
測対象点を示す。本実施例の装置は露光スリット３０が
７×２５ｍｍであり、露光域が２５×３２．５ｍｍであ
る。スポットは、露光スリット３０の中心に１個と、露
光スリット３０の中心から走査方向にずれた位置に３個
ずつ、計７個が設定されている。そして、ウエハを図中
で下から上に向かって走査するときは、スポットＡ，
Ｂ，Ｃの３チャンネルで、上から下に向かって走査する
ときは、スポットａ，ｂ，ｃの３チャンネルでウエハの
高さ（Ｚ方向の位置）を、各スポットごとにウエハ計測
方向の１０点（Ｍ０〜Ｍ９）で計測する。それらの計測
データは、その後、ウエハをさらに走査して各計測点が
露光スリット３０の中心に来たときのフォーカス補正の
ためのデータとして用いられる。

【００２２】６４ＭＤＲＡＭ第３世代での１チップの面
積は１００ｍｍ² を切り３００ｍｉｌパッケージに入る
といわれている。そこで、１チップの面積を１００ｍｍ
² ＝７×１４ｍｍと仮定すると、２５×３２．５ｍｍの
露光域では、３×２＝６チップ（２１×２８ｍｍ）が１
ショットとなる。

【００２３】図５は、３×２＝６チップを１ショットと
した場合のウエハ上のショット配列を示す。同図におい
て、網掛けしたショットは、一部が欠如したショットで
あることを示す。図６は図５の一部を拡大してショット
内のチップごとの有効／無効を示した図である。図６に
おいて、網掛けしたチップは、一部が欠如した無効チッ
プであることを示す。すなわち、ショットＳ３１は３チ
ップが無効で３チップが有効（ショット内３チップ有
効）であり、ショットＳ３５はショット内４チップ有
効、ショットＳ３６はショット内６チップ有効のショッ
トである。

【００２４】図７は、ウエハ上のショット配列、図８は
図７のショット配列における図示ｎショット位置でのス
ポットの有効／無効を示す。一部が欠如したショットで
は、ウエハ上に位置するスポットでは有効なフォーカス
計測が可能であるが、ウエハから外れたスポットでは、
有効なフォーカス計測はできない。図８において、○印
は有効スポット、×印は無効スポットを示し、矢印は露
光光束（スリット）の走査方向を示す。なお、図３は１
方向３チャンネルのスポットで測定する例を示したが、
図８では１方向５チャンネルのスポットで測定する例を
示す。従来のフォーカス計測方法では、スポットが有効
から無効に変わることにより、フォーカスエラーにな
り、装置が停止したり、エラー処理によりフォーカス補
正のためのデータ処理が遅くなって補正系との同期遅れ
が生じ、補正精度が悪化していた。

【００２５】本実施例では、事前に、ウエハサイズ、シ
ョットサイズ、チップサイズ、無効範囲、露光条件など
から、図８または９に示すような露光時のチャンネル
（センサ）ごとの有効／無効情報を作成しておき、走査
露光中は、フォーカス計測対象チャンネルを前記情報に
よりダイナミックに切り換えて計測し、投影レンズ（光
軸）方向の高さと傾きのデータを生成する。そして、こ
れらのデータに基づいてフォーカスを補正する。図９
（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ１ショットが２×３＝６チ
ップ構成であるとき５チップ有効、４チップ有効、３チ
ップ有効なショットがある場合のスリットおよびウエハ
の走査方向（矢印）と走査時のフォーカス計測の有効チ
ャンネル（○印）および無効チャンネル（×印）を示
す。ここでは、一列のセンサ配置Ｆがスリット３０の長
手方向と平行に５チャンネルが設けられ、ショット内で
８点のフォーカス計測を行なう例を示している。なお、
ここでは、チップ単位でフォーカス計測の有効／無効を
判定しているが、ウエハ周辺から一定の範囲を無効エリ
アとして、その無効エリア内を計測する場合を無効セン
サと判定してもよい。そうすれば、より広い範囲でより
多くのセンサによる有効なフォーカス測定ができ、チル
ト計測の精度を挙げることができる。

【００２６】図１０（ａ）（ｂ）は、各ショットの走査
露光方向と露光の順序を示す。網掛けしたショットは露
光スリットが図中の上から下（ＤＯＷＮ方向）へ走査す
ることを示し、白のショットは露光スリットが下から上
（ＵＰ方向）へ走査することを示す。また、露光は、Ｓ
１，Ｓ２，Ｓ３，‥‥‥，Ｓ３５，Ｓ３６の順序で行な
われる。本実施例では、無効センサを有するショットに
ついては、有効センサ数の多い方から少ない方へ走査を
行なう。これにより、例えば、ウエハのエッジや周辺の
レジスト凹凸部分を経て来たセンサは、たとえ有効判定
されたものであっても、フォーカス計測値の急変により
精度が悪化している恐れがあるが、有効センサ数の多い
方、すなわち計測値の安定な側から走査することによ
り、より高精度なフォーカス計測を行なうことができ
る。本実施例では、従来のようにウエハ周辺のショット
の走査方向をすべて内側から外側へ固定するのではな
く、有効センサ数で走査方向を判断することにより、例
えば図１０（ａ）のＳ１５やＳ２１やＳ３６のようにウ
エハ周辺でも走査方向を自由に設定できるものが現れ
る。これとウエハ変形を中心対称と考えて露光順序を時
計回りまたは反時計回りに決めることにより、周辺で
もスキャンやステップ移動のつながりがよくなり、凸
凹形状の場合、１ウエハ内でのチルト駆動回数が抑えら
れる（外乱成分を少なくすることができる）というメリ
ットがある。

【００２７】ウエハが図１０（ｃ）に示すような凸形状
の場合、スキャン方向の凸形状はＺ（フォーカス）補正
をショット内で複数回行なうことによりサーボできる。
一方、非スキャン方向（スリット長手方向）はチルト補
正が必要となる。チルトを補正すると、アッベ（ａｂｂ
ｅ）エラーの補正も入ってくるため補正回数は少ない方
がよい。この点からは、図１０（ａ）（ｂ）に示すよう
にウエハ中心から右半分と左半分を独立に露光すること
が好ましい。図１０（ａ）（ｂ）は先ずウエハの右半分
に位置するショットを露光し、その後、左半分に位置す
るショットを露光するように露光順序を設定した例を示
す。

【００２８】次に、図１１のフローチャートを参照しな
がら、図１の走査型露光装置の動作を説明する。

【００２９】露光に先立って、まず、露光条件、ショッ
トサイズなどからスキャン露光中のフォーカス計測間隔
（すなわちフォーカス計測点）を決定する（ステップ１
１１）。次のステップ１１２では、前記間隔とウエハサ
イズ、レイアウト、無効指定範囲などを考慮して各ショ
ットでの計測有効／無効情報を各ショットの各計測点に
ついてチャンネル（センサ）毎に作成する。ステップ１
１３では、レイアウトと各計測点での計測有効チャンネ
ル数の情報から各ショットでのスキャン方向の情報を作
成し、ステップ１１４では、前記スキャン方向の情報か
らレイアウト上での各ショット露光順序の情報を作成す
る。

【００３０】続くステップ１１５で、ウエハを搬入し、
ステップ１１６で前記露光順序に従いスキャン開始位置
へ移動してステップ１１７でスキャンを開始する。スキ
ャン中は、ステップ１１８で次のフォーカス計測点での
有効チャンネル情報に従って計測の準備を行ない、ステ
ップ１１９でウエハの位置がフォーカス計測点か否かを
判定し、フォーカス計測点に到達すると、ステップ１２
０でフォーカス計測し、有効チャンネルのフォーカス情
報のみからウエハの姿勢を算出し、フォーカス補正駆動
を行なう。フォーカス補正が終了すると、ステップ１２
１で、ショット内全域の露光およびフォーカス補正が終
了したか否かを判定する。

【００３１】ショット内全域の露光およびフォーカス補
正を終了していなければ、ステップ１１８に戻って、上
述のステップ１１８〜１２１の動作を繰り返す。一方、
ステップ１２１の判定でショット内全域の露光およびフ
ォーカス補正を終了していればステップ１２２でスキャ
ンを中止し、続くステップ１２３で全ショットの露光を
終了したか否かを判定する。終了していなければ、ステ
ップ１１６に戻り、次のショットについて上記ステップ
１１７〜１２２の動作を繰り返す。一方、ステップ１２
３の判定で全ショットの露光を終了していればステップ
１２４に進み、ウエハを回収する。

【００３２】なお、上述においては、フォーカス計測点
でフォーカス計測すると、直ちにその計測情報を用いて
直ちにフォーカス補正している。これは、ウエハがスポ
ット位置からスリット中心まで移動する時間と、姿勢算
出の時間と補正系の応答遅れとの合計時間が本実施例で
はほぼ同じだからである。そうでない場合は、ウエハが
スポット位置からスリット中心まで移動するに要する時
間を考慮してウエハ姿勢を算出しフォーカス補正を行な
えばよい。また、ウエハ姿勢算出時間と補正系の応答遅
れ時間が上記のウエハ移動時間に対して充分に短い場合
には、フォーカス計測点間の何点かのフォーカス情報を
補間計算等により求め、それにより、計測点のピッチよ
り細かいピッチでフォーカス補正を行なうようにしても
よい。

【００３３】〔微小デバイスの製造の実施例〕図１２は
微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パ
ネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の
製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導
体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製
作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等
の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハ
プロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウ
エハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実
際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後
工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）で
はステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ
７）する。

【００３４】図１３は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンを形成する。

【００３５】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
エハのような円形基板の周辺部のように一部または全部
のセンサが面位置の適切な計測ができない領域を走査す
る場合においても、高精度な面位置検出が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る露光装置を側方から見
た様子を模式的に示す図である。

【図２】図１の露光装置の外観を示す斜視図である。

【図３】図１の装置におけるフォーカスセンサの配置を
示す図である。

【図４】図１の装置におけるショット内のフォーカス計
測点を示す図である。

【図５】ウエハ上のショットレイアウトの一例を示す図
である。

【図６】図５の一部拡大図で、ウエハ上のショットレイ
アウトの一例を示す図である。

【図７】ショットレイアウトの他の例を示す図である。

【図８】図７のショットレイアウトにおけるフォーカス
センサの計測位置（スポット）を示す図である。

【図９】ショット内フォーカス計測点の他の例を示す図
である。

【図１０】露光順序の一例を示す図である。

【図１１】図１の走査型露光装置の動作を示すフローチ
ャートである。

【図１２】微小デバイスの製造の流れを示す図である。

【図１３】図１２におけるウエハプロセスの詳細な流れ
を示す図である。

【符号の説明】

１レチクルステージ２投影光学系３ＸＹステージ４リニアモータ３ａＸステージ３ｂＹステージ６リニアモータ７ステージ定盤８ダンパ９鏡筒定盤１０ベースフレーム１１ダンパ１２支柱１３距離測定手段１８，１９重心２０露光光の断面２１投光手段２２受光手段２３レーザ干渉計３０スリットＡ，Ｂ，Ｃ，ａ，ｂ，ｃ，ＳスポットＭ０〜Ｍ９フォーカス計測点Ｓ１〜Ｓ３６ショット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を相対走査しながらそれぞれ該基板
上の複数箇所の面位置を計測する複数のセンサと、前記基板の処理に関する情報に基づいて走査計測時の各
センサの各計測箇所ごとの有効／無効を事前に判定し、
記憶する手段と、走査計測時、前記判定情報に基づき計測値の有効なセン
サを選択しながらそれらの計測出力に基づいて前記基板
の面情報を算出する手段とを具備することを特徴とする
面位置検出装置。
【請求項２】基板を相対走査しながらそれぞれ該基板
上の複数箇所の面位置を計測する複数のセンサを用いて
該基板の前記計測箇所に対応する面位置を検出する方法
において、前記基板の処理に関する情報に基づいて走査計測時の各
センサの各計測箇所ごとの計測値の有効／無効を事前に
判定するステップと、走査計測時、前記判定情報に基づいて計測に用いられる
前記センサをダイナミックに切り換えるステップと、切り換えられたセンサの計測出力に基づいて前記基板の
面情報を算出するステップとを具備することを特徴とす
る面位置検出方法。
【請求項３】請求項１記載の装置または請求項２記載
の方法を用いてフォーカスの計測および補正を行ないな
がら、原版のパターンをスリットおよび投影光学系を介
して基板に投影し、前記原版と基板を前記投影光学系に
対し相対的に前記スリットの長手方向と垂直方向に走査
することにより前記原版のパターンを前記基板に露光す
る走査型の露光方式。
【請求項４】前記判定情報に基づき、ショット内で走
査方向に有効センサ数が変化するショットについては有
効センサ数の多い方から少ない方向に向かって走査すべ
くショットの処理順を決定することを特徴とする請求項
３記載の露光方式。
【請求項５】請求項１の装置または請求項２の方法を
用いてフォーカスの計測および補正を行ないながら、原
版のパターンをスリットおよび投影光学系を介して基板
に投影し、前記原版と基板を前記投影光学系に対し相対
的に前記スリットの長手方向と垂直方向に走査すること
により前記原版のパターンを前記基板に露光するデバイ
ス製造方法。