JPH1079340A - 走査型露光装置および方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精度化およびスループットの向上を図る。 【解決手段】 原版のパターンの一部を投影光学系を介
してスリット状に基板に投影し、該投影光学系に対し相
対的に前記原版と基板を共に走査することにより前記原
版のパターンを前記基板に露光する走査型露光装置にお
いて、前記原版の交換の際の該原版を保持する原版ステ
ージに対する原版のアライメントを、該交換位置で行な
い、かつ前記基板の位置をオフアクシスで検出するオフ
アクシス顕微鏡のベースライン補正を、原版の交換およ
びアライメントと並行して行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、設計パターンを基
板上のレジストに露光して半導体デバイス等を製造する
ために用いられる走査型露光装置および方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような露光装置としては、ウ
エハ等の基板をステップ移動させながら基板上の複数の
露光領域に原版のパターンを投影光学系を介して順次露
光するステッパや、投影光学系に対し相対的にマスク等
の原版と基板とを同期走査させて原版のパターンを基板
上に露光する走査型の露光装置等が知られている。

【０００３】また、近年、より高精度で微細なパターン
の露光が行なえるように、前記ステップ移動と走査露光
とを繰り返すことにより、基板上の複数の領域に高精度
で微細なパターンの露光を行なう、走査型（ステップ・
アンド・スキャン型）の露光装置が使用されている。こ
の露光装置では、スリットにより制限して投影光学系の
比較的光軸に近い部分のみを使用しているため、より高
精度かつ広画角な微細パターンの露光が可能となってい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このようなステップ・
アンド・スキャン型の露光装置において、高精度な走査
露光を行なうためには、原版と基板とを常に正確に整合
しながら走査することが必要である。そのためには、
原版ステージと基板ステージの軸合わせおよび位置合わ
せ、および描画位置とアライメント位置の距離の検出
（ベースライン補正）を行なわなければならない。

【０００５】前記軸合わせおよび位置合わせを好適に行
なうための装置としては、先に、本出願人により、原版
ステージに第１基準プレートを、基板ステージに第２基
準プレートを固設し、少なくとも原版ステージと基板ス
テージの一方を走査させて前記第１、第２基準プレート
のそれぞれに形成された位置合わせマークの相対位置関
係を検出して、原版ステージまたは基板ステージの走査
方向を検出する走査型露光装置が出願されている（特願
平７−１８７１７１号）。この先願の露光装置において
は、前記第１、第２基準プレートのそれぞれに形成され
た位置合わせマークの相対位置関係を露光光により投影
光学系を介して検出するためのＴＴＲスコープの他、原
版を交換する都度その原版を原版ステージに位置合わせ
する原版アライメント系、および基板を基板ステージに
搭載した後、基板上の各転写領域を原版に位置合わせす
るためのオフアクシス顕微鏡等が設けられている。

【０００６】上記走査型露光装置における露光動作を図
８のフローチャートを参照しながら説明する。

【０００７】先ず、ステップ１０１でレチクルステージ
をレチクル交換位置へ移動し、ステップ１０２でレチク
ルステージからレチクルを搬出し代わりに新しいレチク
ルをレチクルステージに搬入する。さらに、ステップ１
０３でレチクルステージに搬入したレチクルのアライメ
ントを行なう。次に、ステップ１０４でアライメントス
コープのベースライン補正の要否を判定する。ベースラ
イン補正が必要であればステップ１０５でベースライン
補正を行なった後、ベースライン補正が必要でなければ
ステップ１０５の処理をスキップしてステップ１０４か
ら直接ステップ１０６へ進む。ステップ１０６では、ウ
エハアライメントを行ない、次のステップ１０７で露光
を行なう。続くステップ１０８では同一レチクルを用い
る同一ロットの全ウエハの露光を終了したか否かをす
る。全ウエハの露光を終了していなければ、ステップ１
０４に戻り、次のウエハについて上記ステップ１０４〜
１０８の処理を繰り返す。一方、全ウエハの露光を終了
していれば、ステップ１０９でレチクル交換の要否を判
定する。レチクル交換が必要であれば、ステップ１０１
に戻り、次のレチクルについて上記ステップ１０１〜１
０９の処理を繰り返す。一方、一連のレチクルを用いた
全露光処理を終了しており、レチクル交換は必要でなけ
れば、ステップ１１０で処理を終了する。

【０００８】以上のように、従来の走査型露光装置にお
いては、レチクル交換の際、レチクルアライメント、ベ
ースライン補正およびウエハアライメントをシリアルに
行なっていた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、より高精度
で生産性のよい走査型露光装置および方法を提供するこ
とを目的とし、特に、レチクル交換からウエハアライメ
ントに至る処理の時間を短縮し、スループットのより高
い走査型露光装置および方法を提供することを目的とす
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明では、原版交換および原版アライメントと並行
して、基板の位置ずれをオフアクシスで検出するオフア
クシス顕微鏡のベースライン補正を行なう。

【００１１】前記ベースライン補正は、例えば、予め第
１基準プレートを、原版を保持する原版ステージが原版
交換位置に位置する際に前記投影光学系によるスリット
状露光領域内に位置するように該原版ステージ上に固設
し、かつ前記基板ステージ上には第２基準プレートを固
設しておき、原版の交換およびアライメントを行なう際
は、それと並行に、前記基板の位置ずれをオフアクシス
で検出するオフアクシス顕微鏡を用いて、該オフアクシ
ス顕微鏡に対する前記第２基準プレートの位置ずれを検
出し、前記原版と基板とを露光光と実質同一波長の光で
投影光学系を介して検出するＴＴＲ顕微鏡により前記第
１および第２基準プレートの位置ずれ検出することによ
り、前記オフアクシス顕微鏡のベースライン補正を行な
う。

【００１２】前記ベースライン補正が必要なオフアクシ
ス顕微鏡としては、投影光学系の露光領域外で非露光光
により基板の位置ずれを検出する一般的なオフアクシス
顕微鏡の他、投影光学系を介して非露光光により基板の
位置ずれを検出するＴＴＬオフアクシス顕微鏡等があ
る。本発明の好ましい実施例においては、前記ベースラ
イン補正に引き続き前記基板のアライメントを行なう。

【００１３】

【作用】従来のステッパにおけるベースライン計測は、
基板ステージ上に固設された基準プレート（第２の基準
プレート）と原版を用い、これらをＴＴＲ顕微鏡とオフ
アクシス顕微鏡で計測することにより、行なっていた。
原版ステージ上に原版ではない基準プレート（第１の基
準プレート）を配置しようとしても、露光範囲はレチク
ルに占有されており、基準プレートを配置できるような
隙間はなかった。

【００１４】走査型露光装置では、原版がスキャンする
ため、露光範囲から原版をずらすことができる。原版が
ずれた位置の時、第１の基準プレートが露光範囲に来る
ように原版ステージ上に配置する。その状態で、原版交
換あるいはアライメントとベースライン計測を並行して
行なうことでスループットの向上を達成することができ
る。

【００１５】また、前記先願の装置においても、レチク
ル交換、レチクルアライメント、ベースライン補正およ
びウエハアライメントをシリアルに行なっていた。これ
に対し、本発明においては、レチクル交換およびレチク
ルアライメントと、ベースライン補正とを並行して行な
うことでスループットの向上を達成することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態を説明する。図１は本発明の実施の一形態に係る
露光装置を側方から見た様子を模式的に示す図であり、
図２は、その露光装置の外観を示す斜視図である。これ
らの図に示すように、この露光装置は、レチクルステー
ジ１上の原版のパターンの一部を投影光学系２を介して
ウエハステージ３上のウエハに投影し、投影光学系２に
対し相対的にレチクルとウエハをＹ方向に同期走査する
ことによりレチクルのパターンをウエハに露光するとと
もに、この走査露光を、ウエハ上の複数領域（ショッ
ト）に対して、繰り返し行なうためのステップ移動を介
在させながら行なうステップ・アンド・スキャン型の露
光装置である。

【００１７】レチクルステージ１はリニアモータ４によ
ってＹ方向へ駆動し、ウエハステージ３のＸステージ３
ａはリニアモータ５によってＸ方向に駆動し、Ｙステー
ジ３ｂはリニアモータ６によってＹ方向へ駆動するよう
になっている。レチクルおよびウエハの同期走査は、レ
チクルステージ１およびＹステージ３ｂをＹ方向へ一定
の速度比率（例えば４：−１、なお、「−」は向きが逆
であることを示す）で駆動させることにより行なう。ま
た、Ｘ方向へのステップ移動はＸステージ３ａにより行
なう。

【００１８】ウエハステージ３は、ステージ定盤７上に
設けられ、ステージ定盤７は３つのダンパ８を介して３
点で床等の上に支持されている。レチクルステージ１お
よび投影光学系２は鏡筒定盤９上に設けられ、鏡筒定盤
９は床等に載置されたベースフレーム１０上に３つのダ
ンパ１１および支柱１２を介して支持されている。ダン
パ８は６軸方向にアクティブに制振もしくは除振するア
クティブダンパであるが、パッシブダンパを用いてもよ
く、あるいはダンパを介せずに支持してもよい。

【００１９】また、この露光装置は、鏡筒定盤９とステ
ージ定盤７との間の距離を３点において測定するレーザ
干渉計、マイクロエンコーダ等の距離測定手段１３を備
えている。

【００２０】投光手段２１と受光手段２２は、ウエハス
テージ３上のウエハが投影光学系２のフォーカス面に位
置しているか否かを検出するためのフォーカスセンサを
構成している。すなわち、鏡筒定盤９に固定された投光
手段２１によりウエハに対して斜め方向から光を照射
し、その反射光の位置を受光手段２２によって検出する
ことにより投影光学系２の光軸方向のウエハ表面の位置
が検出される。

【００２１】この構成において、不図示の搬送手段によ
り、装置前部の２つの支柱１２間の搬送経路を経てウエ
ハステージ３上にウエハが搬入され、所定の位置合せが
終了すると、露光装置は、走査露光およびステップ移動
を繰り返しながら、ウエハ上の複数の露光領域に対して
レチクルのパターンを露光転写する。走査露光に際して
は、レチクルステージ１およびＹステージ３ｂをＹ方向
（走査方向）へ、所定の速度比で移動させて、スリット
状の露光光でレチクル上のパターンを走査するととも
に、その投影像でウエハを走査することにより、ウエハ
上の所定の露光領域に対してレチクル上のパターンを露
光する。走査露光中、ウエハ表面の高さは前記フォーカ
スセンサで計測され、その計測値に基づきウエハステー
ジ３の高さとチルトがリアルタイムで制御され、フォー
カス補正が行なわれる。１つの露光領域に対する走査露
光が終了したら、Ｘステージ３ａをＸ方向へ駆動してウ
エハをステップ移動させることにより、他の露光領域を
走査露光の開始位置に対して位置決めし、走査露光を行
なう。なお、このＸ方向へのステップ移動と、Ｙ方向へ
の走査露光のための移動との組合せにより、ウエハ上の
複数の露光領域に対して、順次効率良く露光が行なえる
ように、各露光領域の配置、Ｙの正または負のいずれか
への走査方向、各露光領域への露光順等が設定されてい
る。

【００２２】図１の装置においては、図示しないレーザ
干渉計光源から発せられた光がレチクルステージ用Ｙ方
向レーザ干渉計２４に導入される。そして、Ｙ方向レー
ザ干渉計２４に導入された光は、レーザ干渉計２４内の
ビームスプリッタ（不図示）によってレーザ干渉計２４
内の固定鏡（不図示）に向かう光とＹ方向移動鏡２６に
向かう光とに分けられる。Ｙ方向移動鏡２６に向かう光
は、Ｙ方向測長光路２５を通ってレチクルステージ４に
固設されたＹ方向移動鏡２６に入射する。ここで反射さ
れた光は再びＹ方向測長光路２５を通ってレーザ干渉計
２内のビームスプリッタに戻り、固定鏡で反射された光
と重ね合わされる。このときの光の干渉の変化を検出す
ることによりＹ方向の移動距離を測定する。このように
して計測された移動距離情報は、図示しない走査制御装
置にフィードバックされ、レチクルステージ４の走査位
置の位置決め制御がなされる。Ｙステージ３ｂも、同様
に、ウエハステージ用Ｙ方向レーザ干渉計２３による測
長結果に基づいて走査位置の位置決め制御がなされる。

【００２３】図３は、図１の装置における光学系の詳細
を示す。図３において、１はレチクル３１が載置される
レチクルステージ、２は投影光学系、３はウエハ３２が
載置されるウエハステージである。ウエハステージ３
は、Ｘステージ３ａ、Ｙステージ３ｂ、Ｚ−チルトステ
ージ３ｃおよびチャック３ｄ等からなる。２３はウエハ
ステージ用Ｙ方向レーザ干渉計、２４はレチクルステー
ジ用Ｙ方向レーザ干渉計、２５はＹ方向測長光路、２
６，２７はＹ方向移動鏡、３３はレチクル交換位置でレ
チクルステージ１に設けられたレチクル基準プレート３
４とレチクル３１の相対位置ずれを検出するためのレチ
クルアライメントスコープ、３５はウエハステージ３上
のウエハ３２の自身が有する基準に対する位置ずれを非
露光光で投影光学系２を介して計測するためのＴＴＬオ
フアクシススコープである。ＴＴＬオフアクシススコー
プ３５の光路には、投影光学系２における露光光と非露
光光との収差を補正するための補正光学系３６およびス
コープ３５側から非露光光を投影光学系２に入射しかつ
ウエハ３２からの反射光を投影光学系２から取り出すた
めのプリズム３７が設けられている。

【００２４】３８は第１基準プレートであり、少なくと
も一方はレチクルステージ１がレチクル交換位置に来た
とき投影光学系２のスリット状露光領域内に来るように
レチクルステージ１上に固設されている。３９は第２基
準プレートであり、ウエハステージ３上に固設されてい
る。

【００２５】４０は、露光光または露光光と実質同一波
長の光で投影光学系２を介してレチクルステージ１上の
レチクル３１または第１基準プレート３８とウエハステ
ージ３上のウエハ３２または第２基準プレート３９とを
同時に観察できるＴＴＲスコープである。４１は自身が
有する基準に対するウエハ３２の位置ずれを計測するた
めのオフアクシススコープである。

【００２６】

【実施例】実施例１ 次に、図１〜３の装置におけるレチクル交換および露光
処理の一実施例を図６のフローチャートを参照しながら
説明する。

【００２７】処理を開始すると、先ず、ステップ１０１
でレチクルステージ１をレチクル交換位置（図３に示す
位置）へ移動し、ステップ１０２でレチクルステージ１
に対しレチクル３１を搬出および搬入する。さらに、ス
テップ１０３でレチクルステージに搬入したレチクル３
１のアライメントを行なった後、ステップ１０６に進
む。これらステップ１０２および１０３の処理と並行し
て、ステップ１０４でアライメントスコープのベースラ
イン補正の要否を判定する。ベースライン補正が必要で
あればステップ１０５でベースライン補正を行なった
後、ベースライン補正が必要でなければステップ１０５
の処理をスキップしてステップ１０４から直接ステップ
１０６へ進む。

【００２８】ステップ１０２のレチクル交換およびステ
ップ１０３のレチクルアライメントならびにステップ１
０４および１０５のベースライン補正動作を終了した後
の、ステップ１０６では、ウエハアライメントを行な
い、次のステップ１０７で露光を行なう。続くステップ
１０８では同一レチクルを用いる同一ロットの全ウエハ
の露光を終了したか否かを判定する。全ウエハの露光を
終了していなければ、ステップ１０４に戻り、次のウエ
ハについて上記ステップ１０４〜１０８の処理を繰り返
す。一方、全ウエハの露光を終了していれば、ステップ
１０９でレチクル交換の要否を判定する。レチクル交換
が必要であれば、ステップ１０１に戻り、次のレチクル
について上記ステップ１０１〜１０９の処理を繰り返
す。一方、一連のレチクルを用いた全露光処理を終了し
ており、レチクル交換は必要でなければ、ステップ１１
０で処理を終了する。

【００２９】次に、上記ステップ１０５のベースライン
補正動作について図４を参照しながら説明する。ウエハ
ステージ３を駆動して、図４に示すように、ウエハ３２
をオフアクシススコープ４１の視野内に移動し、所定の
ショット（例えば、ウエハ中心のショット）のアライメ
ントマークの位置の自身の基準マークに対する相対位置
を検出する。次に、その検出結果に基づいてそのショッ
トの中心を投影光学系２のスリット状露光領域の中心に
一致させるべくウエハステージ３を駆動する。その位置
でＴＴＲスコープ４０で上記ショットのアライメントマ
ークと第１基準プレート３８のマークとの位置ずれを計
測すれば、それが、オフアクシススコープ４１のベース
ラインのずれである。また、同じ位置でＴＴＬオフアク
シススコープ３７によりスコープ３７の基準とウエハ３
２との位置ずれを計測すれば、その計測値とＴＴＲスコ
ープ４０により計測値とからＴＴＬオフアクシススコー
プ３７のベースラインのずれを算出することができる。
したがって、それぞれのベースラインずれ量に基づいて
ベースラインを補正する。

【００３０】実施例２ 図５はベースライン補正の他の実施例を示す。ウエハス
テージ３を駆動して、図５に示すように、第２基準プレ
ート３９をオフアクシススコープ４１の視野内に移動
し、自身の基準マークに対する第２基準プレート３９に
形成されているマークの位置ずれを計測する。次に、そ
の計測結果に基づいて第２基準プレート３９のマークを
投影光学系２のスリット状露光領域の中心に一致させる
べくウエハステージ３を駆動する。その位置でＴＴＲス
コープ４０で第２基準プレート３９のマークと第１基準
プレート３８のマークとの位置ずれを計測すれば、それ
が、オフアクシススコープ４１のベースラインのずれで
ある。また、同じ位置でＴＴＬオフアクシススコープ３
７によりスコープ３７自身の基準と第２基準プレート３
９のマークとの位置ずれを計測すれば、その計測値とＴ
ＴＲスコープ４０による計測値とからＴＴＬオフアクシ
ススコープ３７のベースラインのずれを算出することが
できる。したがって、それぞれのベースラインずれ量に
基づいてベースラインを補正する。

【００３１】以上のように上記の実施例によれば、レチ
クルアライメントをレチクル交換位置で実行するととも
にレチクル交換およびレチクルアライメントと並行し
て、ベースライン補正を実行するようにしたため、これ
らの処理を図８に示すようにシリアルに行なう従来例に
比較して、デバイス製造のスループットを向上させるこ
とができる。

【００３２】実施例３ 図７は、図１〜３の装置におけるレチクル交換および露
光処理の他の実施例を示す。図６のフローチャートにお
いては、レチクル交換およびレチクルアライメントと並
行して、ベースライン補正を実行するようにしている
が、本実施例ではレチクル交換およびレチクルアライメ
ントと並行して、ベースライン補正とさらにウエハアラ
イメントをも実行するようにしている。レチクル交換お
よびレチクルアライメントと並行して、ベースライン補
正およびウエハアライメントを実行することにより、上
記実施例１および２よりもさらなるスループットの向上
が期待される。特に、ベースライン補正の要否判定を行
なって、ベースライン補正不要と判定された場合は上記
実施例１および２よりも確実にスループットが向上す
る。

【００３３】［微小デバイスの製造の実施例］図９は微
小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネ
ル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製
造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体
デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製
作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等
の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハ
プロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウ
エハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実
際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後
工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを
用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工
程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）で
はステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ
７）する。

【００３４】図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上
に多重に回路パターンを形成する。

【００３５】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レチクル交換および、レチクルアライメントの処理と並
行して、オフアクシス顕微鏡のベースライン補正を実行
するようにしたため、レチクル交換およびレチクルアラ
イメントとベースライン補正をシリアルに実行する従来
例に比べて装置のスループットを向上させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明が適用されるの走査型露光装置を側方
から見た様子を模式的に示す図である。

【図２】 図１の露光装置の外観を示す斜視図である。

【図３】 図１における光学系の構成を示す説明図であ
る。

【図４】 本発明の一実施例に係るベースライン補正の
説明図である。

【図５】 本発明の他の実施例に係るベースライン補正
の説明図である。

【図６】 本発明の一実施例に係るレチクル交換および
ウエハ露光処理を示すフローチャートである。

【図７】 本発明の他の実施例に係るレチクル交換およ
びウエハ露光処理を示すフローチャートである。

【図８】 従来のレチクル交換およびウエハ露光処理を
示すフローチャートである。

【図９】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。

【図１０】 図９におけるウエハプロセスの詳細な流れ
を示す図である。

【符号の説明】

１：レチクルステージ、２：投影光学系、３：ウエハス
テージ、３ａ：Ｘステージ、３ｂ：Ｙステージ、３ｃ：
フラットステージ、３ｄ：ウエハチャック、４，５，
６：リニアモータ、７：ステージ定盤、８：ダンパ、
９：鏡筒定盤、１０：ベースフレーム、１１：ダンパ、
１２：支柱、１３：距離測定手段、１８，１９：重心、
２０：露光光の断面、２１：投光手段、２２：受光手
段、２３，２４：レーザ干渉計、２５：レーザ測長光
路、２６，２７：移動鏡、３１：レチクル、３２：ウエ
ハ、３３：レチクルアライメントスコープ、３４：レチ
クル基準プレート、３５：ＴＴＬオフアクシススコー
プ、３６：補正光学系、３７：プリズム３７、３８：第
１基準プレート、３９：第２基準プレート、４０：ＴＴ
Ｒスコープ、４１：オフアクシススコープ。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 原版のパターンの一部を投影光学系を介
   してスリット状に基板に投影し、該投影光学系に対し相
   対的に前記原版と基板を共に走査することにより前記原
   版のパターンを前記基板に露光する走査型露光装置にお
   いて、 前記原版の交換の際の該原版を保持する原版ステージに
   対する原版のアライメントを行なう原版アライメント手
   段と、 前記基板の位置をオフアクシスで検出するオフアクシス
   顕微鏡と、 前記原版ステージが原版交換位置に位置する際、前記投
   影光学系によるスリット状露光領域内に位置する該原版
   ステージ上の位置に固設された第１基準プレートと、 前記基板ステージ上に固設された第２基準プレートと、 前記第１および第２基準プレートを前記投影光学系を介
   して観察するＴＴＲ顕微鏡と、 前記原版交換およびアライメント時に、前記オフアクシ
   ス顕微鏡のベースライン補正を行なう制御手段とを具備
   することを特徴とする走査型露光装置。
2. 【請求項２】 前記オフアクシス顕微鏡が、非露光光を
   用い前記投影光学系を介して前記基板の位置を検出する
   ＴＴＬオフアクシス顕微鏡であることを特徴とする請求
   項１記載の走査型露光装置。
3. 【請求項３】 前記制御手段が、前記原版交換およびア
   ライメント時に、前記ベースライン補正に続いて基板の
   アライメントをも行なうことを特徴とする請求項１また
   は２記載の走査型露光装置。
4. 【請求項４】 原版のパターンの一部を投影光学系を介
   してスリット状に基板に投影し、該投影光学系に対し相
   対的に前記原版と基板を共に走査することにより前記原
   版のパターンを前記基板に露光する走査型露光方法にお
   いて、 前記原版を交換する際、交換された原版を前記原版ステ
   ージに対してアライメントするとともに、 これらの原版交換およびアライメントと並行して、前記
   基板の位置ずれをオフアクシスで検出するオフアクシス
   顕微鏡のベースライン補正を行なうことを特徴とする走
   査型露光方法。
5. 【請求項５】 前記原版を保持する原版ステージが原版
   交換あるいはアライメント位置に位置する際に前記投影
   光学系によるスリット状露光領域内に位置する第１基準
   プレートが該原版ステージ上に固設され、かつ前記基板
   ステージ上に第２基準プレートが固設されており、 前記原版交換およびアライメント時、 前記基板の位置ずれをオフアクシスで検出するオフアク
   シス顕微鏡により、該オフアクシス顕微鏡に対する前記
   第２基準プレートの位置ずれを検出し、 前記原版と基板とを露光光と実質同一波長の光で投影光
   学系を介して検出するＴＴＲ顕微鏡により前記第１およ
   び第２基準プレートの位置ずれ検出することにより、 前記オフアクシス顕微鏡のベースライン補正を行なうこ
   とを特徴とする請求項４記載の走査型露光方法。
6. 【請求項６】 前記原版を保持する原版ステージが原版
   交換位置に位置する際に前記投影光学系によるスリット
   状露光領域内に位置する第１基準プレートが該原版ステ
   ージ上に固設され、かつ前記基板ステージ上に第２基準
   プレートが固設されており、 前記原版交換およびアライメント時、 非露光光を用い前記投影光学系を介して前記基板の位置
   ずれを検出するＴＴＬオフアクシス顕微鏡を用いて、該
   ＴＴＬオフアクシス顕微鏡に対する前記第２基準プレー
   トの位置ズレを検出し、 前記原版と基板とを露光光と実質同一波長の光で投影光
   学系を介して検出するＴＴＲ顕微鏡により前記第１およ
   び第２基準プレートの位置ずれ検出することにより、 前記ＴＴＬオフアクシス顕微鏡のベースライン補正を行
   なうことを特徴とする請求項４記載の走査型露光方法。
7. 【請求項７】 前記ベースライン補正に引き続き、また
   は該ベースライン補正の代わりに、前記基板のアライメ
   ントを行なう請求項４〜６のいずれかに記載の走査型露
   光方法。
8. 【請求項８】 請求項１〜３のいずれかに記載の走査型
   露光装置または請求項４〜７のいずれかに記載の走査型
   露光方法を用いて製造したことを特徴とする半導体デバ
   イス。