KR100237107B1 - 주사노광장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

원판의 패턴의 일부를 투영광학계를 통해서 슬릿형상으로 기판에 투영하고, 해당 투영광학계의 광축에 대해서 수직으로 상기 원판과 기판을 주사이동함으로써, 상기 원판의 패턴을 기판에 프린트하는 주사노광장치에 있어서, 슬릿형상의 광에의한 노광을 제한하는 마스킹장치; 상기 마스킹장치를 상기 원판 및 기판의 주사에 따라 이동시키는 구동계; 및 상기 구동계를 제어하여, 상기 마스킹장치의 가속을 노광개시전에 종료하고, 상기 마스킹장치의 감속을 노광종료후에 개시하도록 하는 제어계를 구비한 것을 특징으로 하는 주사노광장치가 개시되어 있다.

Description

주사노광장치 및 방법
본 발명은 설계패턴을 기판상의 레지스트에 프린트하여, 예를 들면 반도체디바이스를 제조하는 데 이용가능한 주사노광장치 및 이러한 주사노광장치를 이용한 디바이스제조방법에 관한 것이다.
일괄노광방식의 노광장치에서는, 투영광학계가 렌즈에 의해서 구성되어 있는 경우, 결상영역은 원형상으로 된다. 그러나, 반도체집적회로는 일반적으로 직사각형형상이므로, 일괄노광방식의 경우, 패턴전사영역은 투영광학계의 원형상결상영역에 내접하는 직사각형모양이어야만 한다. 따라서, 가장 큰 패턴전사영역이더라도 원의 직경의
Figure kpo00002
인 변을 지닌 정사각형이다.
한편, 투영광학계의 원형상의 결상영역의 거의 직경에 상당하는 크기를 지닌 슬릿형상의 노광영역을 이용하여, 레티클과 웨이퍼를 서로 동기시켜 주사이동시킴으로써, 패턴전사영역을 확대시키는 주사노광장치(스탭-앤드-스캔방식)이 제안되어 있다. 이 방식에서는, 동일크기의 결상영역을 지니는 투영광학계를 이용한 경우, 투영렌즈를 이용해서 각 패턴전사영역마다 일괄노광을 행하는 스텝-앤드-리피트방식에 비해서 큰 패턴전사영역을 확보할 수 있따. 즉, 주사방향에 대해서는, 광학계에 의한 제한이 없으므로, 스테이지의 스트로크에 해당하는 패턴전사영역을 확보할 수 있고, 또 주사방향에 대해서 직각인 방향에 대해서는, 대략
Figure kpo00003
배의 패턴전사영역을 확보할 수 있다.
반도체집적회로를 제조하기 위한 노광장치는, 큰 용량의 칩의 제조에 대응하기 위하여 패턴전사영역의 확대와 해상력의 향상이 요망되고 있다. 보다 적은 투영광학계를 사용하는 가능성은 광학성능 및 비용의 점에서 유리하다. 따라서, 스텝-앤드-스캔노광방식은 매우 주목되고 있다.
노광장치에는, 레티클에 형성된 테스트패턴을 마스크하기 위한 마스킹수단이 포함되어 있고, 또 레티클면과 광학적으로 공액인 면에 배치된 블레이드가 구비되어 있다. 주사노광장치에서는, 레티클과 웨이퍼가 주사이동하기 때문에, 이러한 블레이드도 주사이동에 동기해서 이동하지 않으면 안된다. 그러나, 마스킹수단을 레티클과 완전히 동기시켜서 이동시키고자 하면, 레티클과 동일한 거리(예를 들면 37.5mm)만큼 해당 마스킹수단을 주시시킬 필요가 있어, 그와 같은 마스킹수단은 무겁고, 소비전력이 크며, 비싸다는 등의 문제가 있다.
일본국 특개평 8-55796호(1996년)공보에는, 마스킹수단을, 주사개시전에는 폐쇄해 놓고, 주사개시에 응해서, 레티클과 동기해서 이동하여, 노광슬릿폭까지 개방하고, 거기에서 해당 마스킹수단을 정지하고, 주사종료직전에 레티클과 동기해서 이동개시하여, 주사종료시에 노광슬릿을 폐쇄하는 구성이 개시되어 있다. 이 마스킹수단의 스트로크(주사거리)는 노광슬릿의 폭과 같이 작다.
그러나, 주사노광중의 마스킹수단의 가속 또는 감속 즉, 가감속에 의해 진동을 일으켜, 동기주사제어에 악영향을 미쳐서 노광정밀도를 손상시킬 염려가 있다.
본 발명의 목적은, 원판과 가공기판의 동기주사제어에 악영향을 주는 일없이, 마스킹수단의 스테이지스트로크를 작게 하는 것에 있다.
본 발명의 일양상에 의하면, 원판의 패턴의 일부를 투영광학계를 통해서 슬릿형상으로 기판에 투영하고, 해당 투영광학계의 광축에 대해서 수직으로 상기 원판과 기판을 주사이동함으로써, 상기 원판의 패턴을 기판에 프린트하는 주사노광장치에 있어서, 슬릿형상의 광에 의한 노광을 제한하는 마스킹수단; 상기 마스킹수단을 상기 원판 및 기판의 주사에 따라 이동시키는 구동수단; 및 상기 구동수단을 제어하여, 상기 마스킹수단의 가속을 노광개시전에 종료하고, 상기 마스킹수단의 감속을 노광종료후에 개시하도록 하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 주사노광장치가 제공된다.
바람직하게는, 상기 제어수단은, 상기 구동수단을 제어하여, 상기 원판과 기판중 어느 하나의 주사노광을 위한 가속종료후에 상기 마스킹수단의 가속을 종료하도록 한다.
상기 구성에 의하면, 마스킹수단의 가속 또는 감속중에는 노광을 행하지 않으므로, 원판과 기판의 동기주사제어에 억영향을 주지 않는다. 또 본 발명자는, 마스킹수단은 동기오차가 원판과 기판으 동기오차보다도 커도 된다는 것을 발견하게 되었다. 따라서, 이러한 발견에 의거해서, 레티클을 주사시키기 위해서는, 레티클의 가속, 정정, 노광, 공이동 및 감속의 각 단계에 있어서의 스트로크(예를 들면, 노광스트로크가 32.5mm인 경우, 합계 스트로크는 37.5mm)가 필요하나, 마스킹수단의 동기오차는 크게 해도 되므로, 정정시간을 단축할 수 있고, 또한 가속도 및 감속도도 크게 할 수 있다. 이것에 의해, 가감속 및 정정용의 스트로크를 단축하여, 합계스트로크를 단축하는 것이 가능하다.
본 발명의 기타 목적, 특징 및 이점 등은 첨부도면과 관련하여 취한 본 발명의 바람직한 실시예의 이하의 설명을 고려하면 더욱 명백해질 것이다.
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 주사노광장치의 개략적 측면도.
제2도는 제1도의 노광장치의 개략적 사시도.
제3도는 제1도의 노광장치의 광학구성을 설명하는 개략도.
제4(a)도 및 제4(b)도는 각각, 제1도의 노광장치에 있어서, 레티클, 웨이퍼 및 마스킹블레이드의 주사이동을 설명하는 타임차트.
제5도는 제1도의 노광장치에 있어서, 마스킹블레이드의 주요부의 상세를 설명하는 개략도.
제6도는 미소디바이스제조공정의 순서도.
제7도는 제6도의 공정에 있어서 웨이퍼공정의 상세를 설명하는 순서도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 레티클스테이지 2 : 투영광학계
3 : 웨이퍼스테이지 3a : X스테이지
3b : Y스테이지 3c : Z틸트스테이지
3d : 웨이퍼척 4,5,6,15 : 리니어모터
7 : 스테이지베이스 8,11 : 댐퍼
9 : 배럴베이스 10 : 베이스프레임
12 : 기둥 13 : 거리측정수단
21 : 투광수단 22 : 수광수단
23,24 : 레이저간섭계 25 : Y축측정광로
26,27 : Y축가동거울 31 : 레티클
32 : 웨이퍼 33 : 가동마스킹블레이드(Y블레이드)
34,36 : 결상렌즈 35 : 거울
51 : Y가이드 52,56 : 코일
53,57 : 자석 54 : X블레이드
55 : X가이드 58 : 슬릿
59 : 보이스코일
이하, 도면을 참조해서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. 제1도는 본 발명의 일실시예의 노광장치의 개략적 측면도이고, 제2도는 이 노광장치의 개략적 사시도이다.
이들 도면에 도시한 바와 같이, 이 노광장치는, 레티클스테이지(1)상에 놓인 원판의 패턴의 일부를, 투영광학계(2)를 통해서 웨이퍼스테이지(3)상에 놓인 웨이퍼에 투영하여, 상기 투영광학계(2)에 대해서 상대적으로 레티클과 웨이퍼를 Y방향으로 서로 동기시켜 주사이동함으로써, 레티클의 패턴을 웨이퍼에 전사함과 동시에, 이 주사노광을, 웨이퍼상의 복수의 영역(샷)에 대해서 반복해서 행하기 위한 스텝이동을 개재시키면서 행하는 스텝-앤드-스캔형의 노광장치이다.
레티클스테이지(1)는 리어모터(4)에 의해서 Y방향으로 이동할 수 있다. 웨이퍼스테이지(3)는 리니어모터(5)에 의해서 X방향으로 이동할 수 있는 X스테이지(3a)와, 리니어모터(6)에 의해서 Y방향으로 이동할 수 있는 Y스테이지(3b)를 구비하고 있다. 레티클 및 웨이퍼의 동기주사는, 레티클스테이지(1) 및 Y스테이지(3b)를 Y방향으로 소정의 속도비율(예를 들면, 4:-1, 여기서 “-”부호은 방향이 반대인 것을 표시함)로 이동시킴으로써 행한다. 또, X방향의 스텝이동은 X스테이지(3a)에 의해 행한다. X스테이지(3a)는 에이베어링조립체(152)에 의해서 스테이지 베이스(7)를 따라, Z방향에 대해 구속되면서, X방향으로 안내된다. Z틸트스테이지(3c)는 X스테이지(3a)에 대해서 복수의 리니어모터(15)에 의해서 Z틸트방향으로 이동가능하다. 이 Z틸트스테이지(3c)와 X스테이지(3a)사이에는 센서(16)가 배치되어, Z틸트방향에 대한 이들 스테이지(3c),(3a)의 상대위치가 계측된다.
웨이퍼스테이지(3)는, 스테이지베이스(7)상에 설치되어 있고, 이 스테이지베이스(7)는 3개의 댐퍼(8)를 통해서 3점에서 예를 들면, 마루바닥상에 지지되어 있다. 레티클스테이지(1) 및 투영광학계(2)는 베럴베이스(9)상에 설치되어 있고, 이 베럴베이스(9)는 3개의 댐퍼(11) 및 기둥(12)을 통해서, 예를 들면 마루바닥상에 지지되어 있다. 각 댐퍼(8)는 6축방향으로의 액티브진동제어 혹은 진동억제용의 액티브댐퍼로 구성되어 있으나, 패시브댐퍼를 이용해도 되며, 혹은 이러한 댐퍼없이 상기 기구를 지지해도 된다.
또, 상기 노광장치는, 배럴베이스(9)와 스테이지베이스(7)사이의 거리를 3점에서 측정하는, 예를 들면, 레이저간섭계 또는 마이크로엔코더 등의 거리측정수단(13)을 구비하고 있다.
투광수단(21)과 수광수단(22)은, 웨이퍼스테이지(3)상의 웨이퍼가 투영광학계(2)의 포커스면에 위치하고 있는지의 여부를 검출하기 위한 포커스센서를 구성하고 있다. 또, 배럴베이스(9)에 고정된 투광수단(21)에 의해 웨이퍼에 대해서 사선방향으로 광을 투사하고, 그 반사광의 위치를 수광수단(22)에 의해 검출함으로써, 투영광학계(2)의 광축방향에 대한 웨이퍼표면의 위치를 검출한다.
배럴베이스(9)상에는 레티클상의 노과영역을 조명하는 조명계수단의 일부를 수납하는 프레임(14)이 설치되어 있다. 이 조명계수단의 프레임(14)에는, 후술하는 가동마스킹블레이드가 설치되어 있다.
상기 구성에 의한 동작에 있어서, 반송수단(도시생략)에 의해, 장치앞부분의 2개의 기둥(12)간의 반송경로를 따라 웨이퍼가 반입되어, 소정의 위치맞춤동작이 종료한 후, 노광장치는, 주사노광 및 스텝이동을 반복하면서 웨이퍼상의 복수개의 노광영역에 대해서 레티클의 패턴의 프린팅을 행한다. 이 주사노광에 대해서는, 레티클스테이지(1) 및 Y스테이지(3b)를 Y방향(주사방향)으로, 소정의 속도비로 이동시켜서, 슬릿형상의 노광광으로 레티클의 패턴을 주사함과 동시에, 그의 투영상으로 웨이퍼를 주사함으로써, 웨이퍼상의 특정의 노광영역에 대해서 레티클의 패턴을 전사·프린팅한다. 이 주사노광중에, 웨이퍼표면의 높이(레벨)는 전술한 포커스센서에 의해 계측되고, 그 계측치에 의거해서 웨이퍼스테이지(3)의 높이와 틸트(경사)가 실시간제어되어 포커스보정이 행해진다. 1개의 노광영역의 주사노광이 종료된 후, X스테이지(3a)를 X방향으로 구동해서 웨이퍼를 스텝이동시킴으로써, 다른 노광영역을 주사노광개시위치에 대해서 위치결정시키고 나서, 주사노광을 행한다. 또, 이 X방향의 스텝이동과 Y방향의 주사노광을 위한 이동과의 조합에 의해, 웨이퍼상의 복수의 노광영역에 대해서 효율적으로 노광을 행할 수 있도록, 예를 들면, 각 노광영역의 배치, 주사방향(정(+)방향 또는 부(-)방향) 및 각 노광영역의 노광순서가 결정되어 있다.
제1도의 장치에 있어서는, 레이저간섭계광원(도시생략)으로부터 방출된 광이 레티클스테이지용의 Y축레이저간섭계(24)에 도입된다. 이와 같이 해서 Y축레이저간섭계(24)에 도입된 광은, 해당 간섭계(24)내의 빔스플리터(도시생략)에 의해서 해당 간섭계(24)내의 고정거울(도시생략)로 향하는 광과 Y축가동거울(26)로 향하는 광으로 분할된다. Y축가동거울(26)로 향한 광은, Y축측정광로(25)를 따라 가서 레티클스테이지(1)에 고정설치된 Y축가동거울(26)에 입사한다. 여기서 반사된 광은 재차 Y축측정광로(25)를 따라 가서 상기 간섭계(24)내의 빔스플리터로 돌아와서, 고정거울에 의해 반사된 광과 중첩된다. 이와 같이 중첩된 광의 간섭의 변화를 검출함으로써, Y방향의 이동거리를 측정할 수 있다. 이와 같이 해서 얻어진 이동거리정보는, 주사제어장치(도시생략)로 피드백되어, 레티클스테이지(1)의 주사위치의 위치결정제어가 행해진다. Y스테이지(3b)에 대해서도, 마찬가지로, 웨이퍼스테이지용의 Y축레이저간섭계(23)에 의한 측정결과에 의거해서 그 주사위치의 위치결정제어가 행해진다.
제3도는 제1도의 노광장치의 광학구성의 상세를 도시한 것이다. 제3도에 있어서, (1)은 레티클(31)이 놓이는 레티클스테이지, (2)는 투영광학계, (3)은 웨이퍼(32)가 놓이는 웨이퍼스테이지, (23)은 웨이퍼스테이지용 Y축레이저간섭계, (24)는 레티클스테이지용 Y축레이저간섭계, (25)는 Y축측정광로, (26),(27)은 Y축가동거울, (33)은 Y방향으로 이동가능한 가동마스킹블레이드이다. 결상렌즈(34),(36)와 거울(35)은 마스킹블레이드(33)와 레티클(31)을 광학적으로 공액관계로 배치하기 위한 마스킹결상계를 구비하고 있다. 이들 구성성분은 프레임(14)내에 배치되어 있으므로, 마스킹블레이드(33)가 가감속할 때 발생하는 진동이 이들에 전달된다. 조명계는 예를 들면, 렌즈(37), 2차광원(38) 및 광원(39)을 포함하는 유닛으로 구성된다.
제4(a)도는 레티클(31) 및 웨이퍼(32)의 주사를 설명하는 타임차트이고, 제4(b)도는 마스킹블레이드(33)의 주사를 설명하는 타임차트이다. 이들 제4(a)도 및 제4(b)도에 있어서, t1은 웨이퍼(레티클)가속개시점, t2는 가속종료점, 점t2에서 점t3까지의 구간은 웨이퍼(레티클)가속시의 진동 및 가속후 주사속도를 소정이 레벨로 서보제어하는 것에 의해 발생되는 진동을 정정하기 위한 정정(동기화)시간, 점t3은 노광개시점, 점t4는 노광종료점, 점t5는 감속개시점, 점t6은 감속종료점이고, 점t4에서 t5까지의 구간은 공이동시간으로, 이것은, 노광을 막 종료한 현행삿에 대해서는 필요없는 시간이나, 다음샷을 역방향으로 주사노광할때의 정정시간으로 되는 시간이다. v1은 레티클의 주사속도, v2는 웨이퍼의 주사속도이며, 예를 들면, v1은 100mm/sec로 해도 되고, 주사속도 v2는 속도 v1의 투영배율배이며, 예를 들면 투영배율을 1/4로 하면, 웨이퍼주사속도 v2는 25mm/sec이다. 점 tm1은 마스킹블레이드(33)의 가속종료점, 점tm2은 마스킹블레이드(33)의 감속개시점이다. 제4(a)도 및 제4(b)도로부터 알 수 있는 바와 같이, t3＞tm1및 tm2＞t4의 관계를 만족하면, 마스킹블레이드(33)의 가감속시에 발생하는 진동이 노광에 악영향을 미치는 것을 방지할 수 있다. 또한, tm1＞t2의 관계를 만족하면, 마스킹블레이드(33)를 부착한 마스킹스테이지의 스트로크를 더욱 단축시킬 수 있다. 또, v3은 마스킹블레이드(33)의 주사속도이며, 이것은 레티클(31)의 주사속도를 마스킹결상계의 배율로 나눈 몫에 상당한다. 예를 들면 마스킹결상계의 배율을 2배(즉, ×2)로 하면, v3=v1/2=50mm/sec이다.
제5도는 제3도의 마스킹블레이드(33)를 왼손쪽에서 본 상세도이다. 제5도에 있어서, (33)은 Y블레이드, (51)은 Y블레이드(33)를 Y방향으로 안내하는 Y가이드, (52)와 (53)은 각각, Y블레이드(33)를 Y가이드(51)를 따라서 이동시키기 위한 리니어모터를 구성하는 코일과 자석, (56)과 (57)은 각각, X블레이드(54)를 X가이드(55)를 따라서 이동시키기 위한 리니어모터를 구성하는 코일과 자석, (58)은 노광광원(도시생략)으로부터 면광원으로 형성된 노광광의 일부를 투과시키는 슬릿이다. 이 슬릿(58)은 슬릿형상의 광을 생성하여 레티클을 해당 슬릿형상의 광으로 조명한다. (59)는 슬릿(58)을 노광광축과 수직인 방향(Z방향)으로 이동시키기 위한 보이스코일이다. 슬릿(58)은 레티클과 광학적으로 공액인 위치로부터 Z방향으로 약간 벗어나 있어, 레티클(31)상에 형성된 슬릿(58)의 상을 디포커스시킴으로써, 슬릿노광광의 강도프로파일을 사다리꼴형상으로 하고 있다.
제6도는 예를 들면, 반도체칩(예를 들면 IC 또는 LSI), 액정패널, CCD, 박막 자기헤드 또는 마이크로머신 등의 미소디바이스의 제조공정을 표시한 순서도이다.
스텝 1은 반도체디바이스의 회로를 설계하는 설계공정이고, 스텝 2는 상기 설계한 회로패턴에 의거해서 마스크를 제작하는 공정이며, 스텝 3은 실리콘 등의 재료를 이용해서 웨이퍼를 제조하는 공정이다. 스텝 4는 상기 준비한 마스크와 웨이퍼를 이용해서, 리소그래피기술에 의해 웨이퍼상에 실제의 회로를 형성하는 소위 전(前)공정이라 불리는 웨이퍼공정이고, 다음에 스텝 5는 스텝 4에서 웨이퍼를 반도체칩으로 형성하는 소위후공정이라 불리는 조립공정이다. 이 공정은 어셈블링(다이싱 및 본딩)공정과 패키징(칩봉인)공정을 포함한다. 스텝 6은 스텝 5에서 작성된 반도체디바이스의 동작체크, 내구성체크 등을 수행하는 검사공정이다. 이들 공정에 의해, 반도체디바이스가 완성되어 출하된다(스텝 7).
제7도는 웨이퍼공정의 상세를 표시한 순서도이다. 스텝 11은 웨이퍼의 표면을 산화시키는 산화공정이고, 스텝 12는 웨이퍼표면에 절연막을 형성하는 CVD공정이며, 스텝 13은 증착법에 의해 웨이퍼상에 전극을 형성하는 전극형성공정이다. 스텝 14는 웨이퍼에 이온을 주입시키는 이온주입공정이고, 스텝 15는 웨이퍼에 리지스트(감광제)를 도포하는 레지스트공정이며, 스텝 16은 전술한 노광장치에 의해서 웨이퍼상에 마스크의 회로패턴을 노광에 의해 프린트하는 노광공정이다. 스텝 17은 노광한 웨이퍼를 현상하는 현상공정이고, 스텝 18은 현상한 레지스트상이외의 부분을 제거하는 에칭공정이고, 스텝 19는 에칭공정후 웨이퍼상에 남아있는 레지스트재를 분리하는 레지스트박리공정이다. 이들 공정을 반복함으로써, 웨이퍼상에 회로패턴이 중첩형성된다.
이들 공정에 의해, 고집적도의 미소디바이스를 제조하는 것이 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 마스킹수단의 가속을 노광개시전에 종료하고, 또 감속을 노광종료후에 개시하도록 하였으므로, 마스킹수단의 가감속시의 진동이 노광에 영향을 미치지 않는다. 이 때문에, 노광정밀도의 향상을 도모할 수 있다. 특히, 마스킹수단의 가속을 노광개시점을 초월하지 않는 범위에서 지연시킴으로써 마스킹수단의 스트로크를 단출시킬 수 있다.
이상, 본 발명은 여기에 개시된 구조를 참조해서 설명하였으나, 본 발명은 이로써 한정되지 않고, 개량목적이나 이하의 특허청구범위의 범주내에 들어가는 그러한 모든 변형예나 수정예도 커버하는 것임은 물론이다.

Claims (6)

  1. 원판의 패턴의 일부를 투영광학계를 통해서 슬릿형상으로 기판에 투영하고, 해당 투영광학계의 광축에 대해서 수직으로 상기 원판과 기판을 주사이동함으로써, 상기 원판의 패턴을 기판에 프린트하는 주사노광장치에 있어서, 슬릿형상의 광에 의한 노광을 제한하는 마스킹수단; 상기 마스킹수단을 상기 원판 및 기판의 주사에 따라 이동시키는 구동수단; 및 상기 구동수단을 제어하여, 상기 마스킹수단의 가속을 노광개시전에 종료하고, 상기 마스킹수단의 감속을 노광종료후에 개시하도록 하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 주사노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은, 상기 구동수단을 제어하여, 상기 원판과 기판중 어느 하나의 주사노광을 위한 가속종료후에 상기 마스킹수단의 가속을 종료하도록 하는 것을 특징으로 하는 주사노광장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어수단은, 상기 구동수단을 제어하여, 상기 마스킹 수단의 이동개시의 초기기간에 있어서의 가속을 노광개시전에 종료하고, 이동종료기간에 있어서의 감속을 노광종료후에 개시하도록 하는 것을 특징으로 하는 주사노광장치.
  4. 기판의 슬릿형상의 광에 의한 노광을, 마스킹블레이드를 이용해서 제한하는 공정; 및 상기 기판을 상기 노광을 위한 슬릿형상의 광에 대해 상대적으로 이동시킬 때 상기 마스킹블레이드를 이동시키는 공정을 구비하여, 상기 기판의 상기 슬릿형상의 광에 의한 노광개시전에 상기 마스킹블레이드의 가속을 종료하는 한편, 상기 기판의 상기 슬릿형상의 광에 의한 노광종료후에 상기 마스킹블레이드의 감속을 개시하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기판의 가속종료후에 상기 마스킹블레이드의 가속을 종료하는 것을 특징으로 하는 주사노광장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 기판을 상기 슬릿형상의 광에 대해 상대적으로 이동시키는 것에 의한 상기 기판의 노광에 의해, 해당 기판에 디바이스의 제조를 위한 디바이스패턴이 프린트되는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
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