JP3286184B2 - 走査露光装置および方法 - Google Patents
走査露光装置および方法Info
- Publication number
- JP3286184B2 JP3286184B2 JP27288696A JP27288696A JP3286184B2 JP 3286184 B2 JP3286184 B2 JP 3286184B2 JP 27288696 A JP27288696 A JP 27288696A JP 27288696 A JP27288696 A JP 27288696A JP 3286184 B2 JP3286184 B2 JP 3286184B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- exposure
- masking
- substrate
- original
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、設計パターンを基
板上のレジストに露光して半導体デバイス等を製造する
ために用いられる露光装置および露光方法と、それを用
い得るデバイス製造方法に関する。
板上のレジストに露光して半導体デバイス等を製造する
ために用いられる露光装置および露光方法と、それを用
い得るデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一括露光方式の露光装置では、投影光学
系がレンズによって構成されている場合、結像領域は円
形状となる。しかしながら、半導体集積回路は一般的に
矩形形状であるため、一括露光の場合の転写領域は、投
影光学系の有する円の結像領域に内接する矩形の領域と
なる。従って、最も大きな転写領域でも円の直径の１／
√２の辺の正方形である。これに対して、投影光学系の
有する円形状の結像領域のほぼ直径の寸法を有するスリ
ット形状の露光領域を用いて、レチクルとウエハとを同
期させながら走査移動させることによって、転写領域を
拡大させる走査露光方式（ステップアンドスキャン方
式）が提案されている。この方式では、同一の大きさの
結像領域を有する投影光学系を用いた場合、投影レンズ
を用いて各転写領域ごとに一括露光を行なうステップア
ンドリピート方式に比べてより大きな転写領域を確保す
ることができる。すなわち、走査方向に対しては光学系
による制限がなくなるので走査ステージのストローク分
だけ確保することができ、走査方向に対して直角な方向
には概ね√２倍の転写領域を確保することができる。
系がレンズによって構成されている場合、結像領域は円
形状となる。しかしながら、半導体集積回路は一般的に
矩形形状であるため、一括露光の場合の転写領域は、投
影光学系の有する円の結像領域に内接する矩形の領域と
なる。従って、最も大きな転写領域でも円の直径の１／
√２の辺の正方形である。これに対して、投影光学系の
有する円形状の結像領域のほぼ直径の寸法を有するスリ
ット形状の露光領域を用いて、レチクルとウエハとを同
期させながら走査移動させることによって、転写領域を
拡大させる走査露光方式（ステップアンドスキャン方
式）が提案されている。この方式では、同一の大きさの
結像領域を有する投影光学系を用いた場合、投影レンズ
を用いて各転写領域ごとに一括露光を行なうステップア
ンドリピート方式に比べてより大きな転写領域を確保す
ることができる。すなわち、走査方向に対しては光学系
による制限がなくなるので走査ステージのストローク分
だけ確保することができ、走査方向に対して直角な方向
には概ね√２倍の転写領域を確保することができる。
【０００３】半導体集積回路を製造するための露光装置
は、高い集積度のチップの製造に対応するために、転写
領域の拡大と解像力の向上が望まれている。より小さい
投影光学系を採用できることは、光学性能上からも、コ
スト的にも有利であり、ステップアンドスキャン方式の
露光方法は、今後の露光装置の主流として注目されてい
る。
は、高い集積度のチップの製造に対応するために、転写
領域の拡大と解像力の向上が望まれている。より小さい
投影光学系を採用できることは、光学性能上からも、コ
スト的にも有利であり、ステップアンドスキャン方式の
露光方法は、今後の露光装置の主流として注目されてい
る。
【０００４】露光装置には、レチクルに設けられたテス
ト用のパターンをマスクするためのマスキング手段があ
り、それを構成するブレードはレチクル面と共役な面に
設けられる。走査露光装置ではレチクルとウエハが走査
移動するため、ブレードもこれに同期して移動しなけれ
ばならない。しかしながら、マスキング手段をレチクル
と完全に同期させて走査させるとすれば、レチクルと同
じ距離（例えば３７．５ｍｍ）だけ走査させる必要があ
り、そのようなマスキング手段はサイズが大きい、重
い、消費電力が大きい、高価である等の問題がある。
ト用のパターンをマスクするためのマスキング手段があ
り、それを構成するブレードはレチクル面と共役な面に
設けられる。走査露光装置ではレチクルとウエハが走査
移動するため、ブレードもこれに同期して移動しなけれ
ばならない。しかしながら、マスキング手段をレチクル
と完全に同期させて走査させるとすれば、レチクルと同
じ距離（例えば３７．５ｍｍ）だけ走査させる必要があ
り、そのようなマスキング手段はサイズが大きい、重
い、消費電力が大きい、高価である等の問題がある。
【０００５】一方、特開平８−５５７９６号には、マス
キング手段を走査開始前は閉じておき、走査開始と共に
レチクルと同期して移動し露光スリット幅まで開いてそ
こで停止し、走査終了直前にレチクルと同期して移動開
始し走査終了時に露光スリットを閉じるものが開示され
ている。このマスキング手段は、ストローク（走査距
離）が露光スリット幅程度と極めて小さい。しかしなが
ら、走査露光中にマスキング手段を加減速するため、振
動が発生し、同期走査制御に悪影響を与え露光精度を損
なう恐れがある。
キング手段を走査開始前は閉じておき、走査開始と共に
レチクルと同期して移動し露光スリット幅まで開いてそ
こで停止し、走査終了直前にレチクルと同期して移動開
始し走査終了時に露光スリットを閉じるものが開示され
ている。このマスキング手段は、ストローク（走査距
離）が露光スリット幅程度と極めて小さい。しかしなが
ら、走査露光中にマスキング手段を加減速するため、振
動が発生し、同期走査制御に悪影響を与え露光精度を損
なう恐れがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の従来
例における問題点に鑑みてなされたもので、原版と基板
の同期走査制御に悪影響を与えることなく、マスキング
手段のステージストロークを小さくすることを目的とす
る。
例における問題点に鑑みてなされたもので、原版と基板
の同期走査制御に悪影響を与えることなく、マスキング
手段のステージストロークを小さくすることを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明では、原版のパターンの一部を投影光学系を
介してスリット状に基板に投影し、該投影光学系の光軸
に対し垂直に前記原版と基板を共に走査することにより
前記原版のパターンを前記基板に露光する走査型の露光
装置において、前記原版面と共役な面に設けられて前記
スリット状光束による露光を制限するマスキング手段
と、該マスキング手段を前記原版および基板の走査方向
に走査移動させる駆動手段とを有し、該駆動手段は、該
マスキング手段の走査移動を開始するための加速は露光
開始前に終了し前記走査移動を終了させるための減速は
露光終了後に開始することを特徴とする。前記駆動手段
は、前記原版または基板の走査のための加速終了後に、
前記マスキング手段の加速を終了することが好ましい。
また、本発明は、原版のパターンの一部を投影光学系を
介してスリット状に基板に投影し、該投影光学系の光軸
に対し垂直に前記原版と基板を共に走査することにより
前記原版のパターンを前記基板に露光する走査型の露光
方法において、前記原版面と共役な面に設けられて前記
スリット状光束による露光をマスキングによって制限
し、該マスキングは前記原版および基板の走査方向にマ
スキング部材を駆動し走査移動させて行い、該マスキン
グ部材の走査移動を開始するための加速は露光開始前に
終了し、前記走査移動を終了させるための減速は露光終
了後に開始することを特徴としてもよい。この露光方法
においても、前記原版または基板の走査のための加速終
了後に、前記マスキング部材の加速を終了することが好
ましい。本発明は、上記各露光装置または露光方法を用
いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造
方法を含む。
め、本発明では、原版のパターンの一部を投影光学系を
介してスリット状に基板に投影し、該投影光学系の光軸
に対し垂直に前記原版と基板を共に走査することにより
前記原版のパターンを前記基板に露光する走査型の露光
装置において、前記原版面と共役な面に設けられて前記
スリット状光束による露光を制限するマスキング手段
と、該マスキング手段を前記原版および基板の走査方向
に走査移動させる駆動手段とを有し、該駆動手段は、該
マスキング手段の走査移動を開始するための加速は露光
開始前に終了し前記走査移動を終了させるための減速は
露光終了後に開始することを特徴とする。前記駆動手段
は、前記原版または基板の走査のための加速終了後に、
前記マスキング手段の加速を終了することが好ましい。
また、本発明は、原版のパターンの一部を投影光学系を
介してスリット状に基板に投影し、該投影光学系の光軸
に対し垂直に前記原版と基板を共に走査することにより
前記原版のパターンを前記基板に露光する走査型の露光
方法において、前記原版面と共役な面に設けられて前記
スリット状光束による露光をマスキングによって制限
し、該マスキングは前記原版および基板の走査方向にマ
スキング部材を駆動し走査移動させて行い、該マスキン
グ部材の走査移動を開始するための加速は露光開始前に
終了し、前記走査移動を終了させるための減速は露光終
了後に開始することを特徴としてもよい。この露光方法
においても、前記原版または基板の走査のための加速終
了後に、前記マスキング部材の加速を終了することが好
ましい。本発明は、上記各露光装置または露光方法を用
いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造
方法を含む。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、マスキング手段の加減速を
露光中には行なわないため、原版と基板の同期走査制御
に悪影響を与えることがない。また、本発明者の知見に
よると、マスキング手段は同期誤差が原版と基板との同
期誤差より大きくてもよい。したがって、レチクルを走
査するためには、レチクルの加速、整定、露光、空走お
よび減速の各段階におけるストローク（例えば露光スト
ロークが３２．５ｍｍの場合、合計ストロークは３７．
５ｍｍ）が必要であるが、マスキング手段の同期誤差は
大きくてもよいため、整定時間を短くすることができ、
かつ加減速度も大きくすることができる。これにより、
加減速および整定段階のストロークを短くし、合計スト
ロークを短くすることができる。
露光中には行なわないため、原版と基板の同期走査制御
に悪影響を与えることがない。また、本発明者の知見に
よると、マスキング手段は同期誤差が原版と基板との同
期誤差より大きくてもよい。したがって、レチクルを走
査するためには、レチクルの加速、整定、露光、空走お
よび減速の各段階におけるストローク（例えば露光スト
ロークが３２．５ｍｍの場合、合計ストロークは３７．
５ｍｍ）が必要であるが、マスキング手段の同期誤差は
大きくてもよいため、整定時間を短くすることができ、
かつ加減速度も大きくすることができる。これにより、
加減速および整定段階のストロークを短くし、合計スト
ロークを短くすることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態を説明する。図１は本発明の実施の一形態に係る
露光装置を側方から見た様子を模式的に示す図であり、
図２は、その露光装置の外観を示す斜視図である。これ
らの図に示すように、この露光装置は、レチクルステー
ジ１上の原版のパターンの一部を投影光学系２を介して
ウエハステージ３上のウエハに投影し、投影光学系２に
対し相対的にレチクルとウエハをＹ方向に同期走査する
ことによりレチクルのパターンをウエハに露光するとと
もに、この走査露光を、ウエハ上の複数領域（ショッ
ト）に対して、繰り返し行なうためのステップ移動を介
在させながら行なうステップ・アンド・スキャン型の露
光装置である。
の形態を説明する。図１は本発明の実施の一形態に係る
露光装置を側方から見た様子を模式的に示す図であり、
図２は、その露光装置の外観を示す斜視図である。これ
らの図に示すように、この露光装置は、レチクルステー
ジ１上の原版のパターンの一部を投影光学系２を介して
ウエハステージ３上のウエハに投影し、投影光学系２に
対し相対的にレチクルとウエハをＹ方向に同期走査する
ことによりレチクルのパターンをウエハに露光するとと
もに、この走査露光を、ウエハ上の複数領域（ショッ
ト）に対して、繰り返し行なうためのステップ移動を介
在させながら行なうステップ・アンド・スキャン型の露
光装置である。
【００１０】レチクルステージ１はリニアモータ４によ
ってＹ方向へ駆動し、ウエハステージ３（３ａ〜３ｄ）
のＸステージ３ａはリニアモータ５によってＸ方向に駆
動し、Ｙステージ３ｂはリニアモータ６によってＹ方向
へ駆動するようになっている。レチクルおよびウエハの
同期走査は、レチクルステージ１およびＹステージ３ｂ
をＹ方向へ一定の速度比率（例えば４：−１、なお、
「−」は向きが逆であることを示す）で駆動させること
により行なう。また、Ｘ方向へのステップ移動はＸステ
ージ３ａにより行なう。Ｘステージ３ａはエアベアリン
グ５２によってステージ定盤７上をＺ方向に拘束されて
Ｘ方向へ案内される。Ｚチルトステージ３ｃはＸステー
ジ３ａに対して複数のリニアモータ１５によってＺチル
ト方向に駆動される。Ｚチルトステージ３ｃとＸステー
ジ３ａとの間のセンサ１６によってＺチルト方向の相対
位置が計測される。
ってＹ方向へ駆動し、ウエハステージ３（３ａ〜３ｄ）
のＸステージ３ａはリニアモータ５によってＸ方向に駆
動し、Ｙステージ３ｂはリニアモータ６によってＹ方向
へ駆動するようになっている。レチクルおよびウエハの
同期走査は、レチクルステージ１およびＹステージ３ｂ
をＹ方向へ一定の速度比率（例えば４：−１、なお、
「−」は向きが逆であることを示す）で駆動させること
により行なう。また、Ｘ方向へのステップ移動はＸステ
ージ３ａにより行なう。Ｘステージ３ａはエアベアリン
グ５２によってステージ定盤７上をＺ方向に拘束されて
Ｘ方向へ案内される。Ｚチルトステージ３ｃはＸステー
ジ３ａに対して複数のリニアモータ１５によってＺチル
ト方向に駆動される。Ｚチルトステージ３ｃとＸステー
ジ３ａとの間のセンサ１６によってＺチルト方向の相対
位置が計測される。
【００１１】ウエハステージ３は、ステージ定盤７上に
設けられ、ステージ定盤７は３つのダンパ８を介して３
点で床等の上に支持されている。レチクルステージ１お
よび投影光学系２は鏡筒定盤９上に設けられ、鏡筒定盤
９は床等に載置されたベースフレーム１０上に３つのダ
ンパ１１および支柱１２を介して支持されている。ダン
パ８は６軸方向にアクティブに制振もしくは除振するア
クティブダンパであるが、パッシブダンパを用いてもよ
く、あるいはダンパを介せずに支持してもよい。
設けられ、ステージ定盤７は３つのダンパ８を介して３
点で床等の上に支持されている。レチクルステージ１お
よび投影光学系２は鏡筒定盤９上に設けられ、鏡筒定盤
９は床等に載置されたベースフレーム１０上に３つのダ
ンパ１１および支柱１２を介して支持されている。ダン
パ８は６軸方向にアクティブに制振もしくは除振するア
クティブダンパであるが、パッシブダンパを用いてもよ
く、あるいはダンパを介せずに支持してもよい。
【００１２】また、この露光装置は、鏡筒定盤９とステ
ージ定盤７との間の距離を３点において測定するレーザ
干渉計、マイクロエンコーダ等の距離測定手段１３を備
えている。
ージ定盤７との間の距離を３点において測定するレーザ
干渉計、マイクロエンコーダ等の距離測定手段１３を備
えている。
【００１３】投光手段２１と受光手段２２は、ウエハス
テージ３上のウエハが投影光学系２のフォーカス面に位
置しているか否かを検出するためのフォーカスセンサを
構成している。すなわち、鏡筒定盤９に固定された投光
手段２１によりウエハに対して斜め方向から光を照射
し、その反射光の位置を受光手段２２によって検出する
ことにより投影光学系２の光軸方向のウエハ表面の位置
が検出される。
テージ３上のウエハが投影光学系２のフォーカス面に位
置しているか否かを検出するためのフォーカスセンサを
構成している。すなわち、鏡筒定盤９に固定された投光
手段２１によりウエハに対して斜め方向から光を照射
し、その反射光の位置を受光手段２２によって検出する
ことにより投影光学系２の光軸方向のウエハ表面の位置
が検出される。
【００１４】鏡筒定盤９上にはレチクル上の露光領域を
照明する照明系手段の一部を収納するフレーム１４が設
けられている。照明系手段１４のフレームには後に詳述
する可動マスキングブレードが設けられる。
照明する照明系手段の一部を収納するフレーム１４が設
けられている。照明系手段１４のフレームには後に詳述
する可動マスキングブレードが設けられる。
【００１５】この構成において、不図示の搬送手段によ
り、装置前部の２つの支柱１２間の搬送経路を経てウエ
ハステージ３上にウエハが搬入され、所定の位置合せが
終了すると、露光装置は、走査露光およびステップ移動
を繰り返しながら、ウエハ上の複数の露光領域に対して
レチクルのパターンを露光転写する。走査露光に際して
は、レチクルステージ１およびＹステージ３ｂをＹ方向
（走査方向）へ、所定の速度比で移動させて、スリット
状の露光光でレチクル上のパターンを走査するととも
に、その投影像でウエハを走査することにより、ウエハ
上の所定の露光領域に対してレチクル上のパターンを露
光する。走査露光中、ウエハ表面の高さは前記フォーカ
スセンサで計測され、その計測値に基づきウエハステー
ジ３の高さとチルトがリアルタイムで制御され、フォー
カス補正が行なわれる。１つの露光領域に対する走査露
光が終了したら、Ｘステージ３ａをＸ方向へ駆動してウ
エハをステップ移動させることにより、他の露光領域を
走査露光の開始位置に対して位置決めし、走査露光を行
なう。なお、このＸ方向へのステップ移動と、Ｙ方向へ
の走査露光のための移動との組合せにより、ウエハ上の
複数の露光領域に対して、順次効率良く露光が行なえる
ように、各露光領域の配置、Ｙの正または負のいずれか
への走査方向、各露光領域への露光順等が設定されてい
る。
り、装置前部の２つの支柱１２間の搬送経路を経てウエ
ハステージ３上にウエハが搬入され、所定の位置合せが
終了すると、露光装置は、走査露光およびステップ移動
を繰り返しながら、ウエハ上の複数の露光領域に対して
レチクルのパターンを露光転写する。走査露光に際して
は、レチクルステージ１およびＹステージ３ｂをＹ方向
（走査方向）へ、所定の速度比で移動させて、スリット
状の露光光でレチクル上のパターンを走査するととも
に、その投影像でウエハを走査することにより、ウエハ
上の所定の露光領域に対してレチクル上のパターンを露
光する。走査露光中、ウエハ表面の高さは前記フォーカ
スセンサで計測され、その計測値に基づきウエハステー
ジ３の高さとチルトがリアルタイムで制御され、フォー
カス補正が行なわれる。１つの露光領域に対する走査露
光が終了したら、Ｘステージ３ａをＸ方向へ駆動してウ
エハをステップ移動させることにより、他の露光領域を
走査露光の開始位置に対して位置決めし、走査露光を行
なう。なお、このＸ方向へのステップ移動と、Ｙ方向へ
の走査露光のための移動との組合せにより、ウエハ上の
複数の露光領域に対して、順次効率良く露光が行なえる
ように、各露光領域の配置、Ｙの正または負のいずれか
への走査方向、各露光領域への露光順等が設定されてい
る。
【００１６】図１の装置においては、図示しないレーザ
干渉計光源から発せられた光がレチクルステージ用Ｙ方
向レーザ干渉計２４に導入される。そして、Ｙ方向レー
ザ干渉計２４に導入された光は、レーザ干渉計２４内の
ビームスプリッタ（不図示）によってレーザ干渉計２４
内の固定鏡（不図示）に向かう光とＹ方向移動鏡２６に
向かう光とに分けられる。Ｙ方向移動鏡２６に向かう光
は、Ｙ方向測長光路２５を通ってレチクルステージ４に
固設されたＹ方向移動鏡２６に入射する。ここで反射さ
れた光は再びＹ方向測長光路２５を通ってレーザ干渉計
２内のビームスプリッタに戻り、固定鏡で反射された光
と重ね合わされる。このときの光の干渉の変化を検出す
ることによりＹ方向の移動距離を測定する。このように
して計測された移動距離情報は、図示しない走査制御装
置にフィードバックされ、レチクルステージ４の走査位
置の位置決め制御がなされる。Ｙステージ３ｂも、同様
に、ウエハステージ用Ｙ方向レーザ干渉計２３による測
長結果に基づいて走査位置の位置決め制御がなされる。
干渉計光源から発せられた光がレチクルステージ用Ｙ方
向レーザ干渉計２４に導入される。そして、Ｙ方向レー
ザ干渉計２４に導入された光は、レーザ干渉計２４内の
ビームスプリッタ（不図示）によってレーザ干渉計２４
内の固定鏡（不図示）に向かう光とＹ方向移動鏡２６に
向かう光とに分けられる。Ｙ方向移動鏡２６に向かう光
は、Ｙ方向測長光路２５を通ってレチクルステージ４に
固設されたＹ方向移動鏡２６に入射する。ここで反射さ
れた光は再びＹ方向測長光路２５を通ってレーザ干渉計
２内のビームスプリッタに戻り、固定鏡で反射された光
と重ね合わされる。このときの光の干渉の変化を検出す
ることによりＹ方向の移動距離を測定する。このように
して計測された移動距離情報は、図示しない走査制御装
置にフィードバックされ、レチクルステージ４の走査位
置の位置決め制御がなされる。Ｙステージ３ｂも、同様
に、ウエハステージ用Ｙ方向レーザ干渉計２３による測
長結果に基づいて走査位置の位置決め制御がなされる。
【００１７】図３は、図１の装置における光学系の詳細
を示す。図３において、１はレチクル３１が載置される
レチクルステージ、２は投影光学系、３はウエハ３２が
載置されるウエハステージ、２３はウエハステージ用Ｙ
方向レーザ干渉計、２４はレチクルステージ用Ｙ方向レ
ーザ干渉計、２５はＹ方向測長光路、２６，２７はＹ方
向移動鏡である。３３はＹ方向に移動可能な可動マスキ
ングブレードであり、結像レンズ３４，３６とミラー３
５はマスキングブレード３３とレチクル３１とを共役な
関係とするためのマスキング結像系を構成している。こ
れらはフレーム１４内に設けられているので、マスキン
グブレードが加減速する際に発生する振動が鏡筒定盤に
伝わる。照明系はさらにレンズ３７、２次光源３８、光
源３９などを含むユニットから構成される。
を示す。図３において、１はレチクル３１が載置される
レチクルステージ、２は投影光学系、３はウエハ３２が
載置されるウエハステージ、２３はウエハステージ用Ｙ
方向レーザ干渉計、２４はレチクルステージ用Ｙ方向レ
ーザ干渉計、２５はＹ方向測長光路、２６，２７はＹ方
向移動鏡である。３３はＹ方向に移動可能な可動マスキ
ングブレードであり、結像レンズ３４，３６とミラー３
５はマスキングブレード３３とレチクル３１とを共役な
関係とするためのマスキング結像系を構成している。こ
れらはフレーム１４内に設けられているので、マスキン
グブレードが加減速する際に発生する振動が鏡筒定盤に
伝わる。照明系はさらにレンズ３７、２次光源３８、光
源３９などを含むユニットから構成される。
【００１８】図４（ａ）は、レチクル３１およびウエハ
３２の走査の様子を、図４（ｂ）は、マスキングブレー
ド３３の走査の様子を示すタイムチャートである。図４
において、ｔ1 はウエハ（レチクル）加速開始点、ｔ2
は加速終了点、ｔ2 〜ｔ3 はウエハ（レチクル）加速時
の振動および加速した後所定の走査速度にサーボ制御す
ることによる振動を整定するための整定（同期化）時
間、ｔ3 は露光開始点、ｔ4 は露光終了点、ｔ5 は減速
開始点、ｔ6 が減速終了点である。ｔ4 〜ｔ5 は空走時
間であり、露光を終了した現ショットについては必要が
ない時間であるが、次ショットを逆方向に走査露光する
際の整定時間となる時間である。ｖ1 はレチクルの走査
速度、ｖ2 はウエハの走査速度であり、例えば、ｖ1 は
１００ｍｍ／秒、ｖ2 はｖ1 の投影倍率倍であり、投影
倍率を１／４とすればウエハ２５ｍｍ／秒である。ま
た、ｔm1はマスキングブレード３３の加速終了点、ｔm2
はマスキングブレード３３の減速開始点である。図４に
示すように、ｔ3 ＞ｔm1、ｔm2＞ｔ4 とすることによ
り、マスキングブレード３３の加減速時の振動が露光に
及ぼす影響を回避することができる。さらに、ｔm1＞ｔ
2 とした場合は、マスキングブレード３３を取り付けた
マスキングステージのストロークをさらに短くすること
ができる。ｖ3 はマスキングブレード３３の走査速度で
あり、レチクル３１の走査速度をマスキング結像系の倍
率分の１倍した速度である。例えばマスキング結像系の
倍率を２倍とすれば、ｖ3 ＝ｖ1 ／２＝５０ｍｍ／秒で
ある。
３２の走査の様子を、図４（ｂ）は、マスキングブレー
ド３３の走査の様子を示すタイムチャートである。図４
において、ｔ1 はウエハ（レチクル）加速開始点、ｔ2
は加速終了点、ｔ2 〜ｔ3 はウエハ（レチクル）加速時
の振動および加速した後所定の走査速度にサーボ制御す
ることによる振動を整定するための整定（同期化）時
間、ｔ3 は露光開始点、ｔ4 は露光終了点、ｔ5 は減速
開始点、ｔ6 が減速終了点である。ｔ4 〜ｔ5 は空走時
間であり、露光を終了した現ショットについては必要が
ない時間であるが、次ショットを逆方向に走査露光する
際の整定時間となる時間である。ｖ1 はレチクルの走査
速度、ｖ2 はウエハの走査速度であり、例えば、ｖ1 は
１００ｍｍ／秒、ｖ2 はｖ1 の投影倍率倍であり、投影
倍率を１／４とすればウエハ２５ｍｍ／秒である。ま
た、ｔm1はマスキングブレード３３の加速終了点、ｔm2
はマスキングブレード３３の減速開始点である。図４に
示すように、ｔ3 ＞ｔm1、ｔm2＞ｔ4 とすることによ
り、マスキングブレード３３の加減速時の振動が露光に
及ぼす影響を回避することができる。さらに、ｔm1＞ｔ
2 とした場合は、マスキングブレード３３を取り付けた
マスキングステージのストロークをさらに短くすること
ができる。ｖ3 はマスキングブレード３３の走査速度で
あり、レチクル３１の走査速度をマスキング結像系の倍
率分の１倍した速度である。例えばマスキング結像系の
倍率を２倍とすれば、ｖ3 ＝ｖ1 ／２＝５０ｍｍ／秒で
ある。
【００１９】図５は、図３のマスキングブレードを左側
から見た詳細図である。同図において、３３はＹブレー
ド、５１はＹブレード３３をＹ方向に案内するＹガイ
ド、５２と５３はＹブレード３３をＹガイド５１に沿っ
て駆動するリニアモータを構成するコイルと磁石、５４
はＸブレード、５５はＸブレード５４をＸ方向に案内す
るＸガイド、５６と５７はＸブレード５４をＸガイド５
５に沿って駆動するリニアモータを構成するコイルと磁
石である。５８は不図示の露光光源からの面光源化され
た露光光束の一部をスリット状に透過してレチクルを照
明するスリット、５９はスリット５８を露光光軸と垂直
な方向（Ｚ方向）に移動するためのボイスコイルであ
る。スリット５８は、レチクル３２と共役な位置よりＺ
方向に僅かにずらしてあり、レチクル３２上のスリット
５８像をデフォーカスさせることによって、スリットの
露光光強度プロファイルを台形形状にしている。
から見た詳細図である。同図において、３３はＹブレー
ド、５１はＹブレード３３をＹ方向に案内するＹガイ
ド、５２と５３はＹブレード３３をＹガイド５１に沿っ
て駆動するリニアモータを構成するコイルと磁石、５４
はＸブレード、５５はＸブレード５４をＸ方向に案内す
るＸガイド、５６と５７はＸブレード５４をＸガイド５
５に沿って駆動するリニアモータを構成するコイルと磁
石である。５８は不図示の露光光源からの面光源化され
た露光光束の一部をスリット状に透過してレチクルを照
明するスリット、５９はスリット５８を露光光軸と垂直
な方向（Ｚ方向）に移動するためのボイスコイルであ
る。スリット５８は、レチクル３２と共役な位置よりＺ
方向に僅かにずらしてあり、レチクル３２上のスリット
５８像をデフォーカスさせることによって、スリットの
露光光強度プロファイルを台形形状にしている。
【００２０】微小デバイスの製造の実施例 図６は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、
液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）で
は半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マ
スク製作）では設計した回路パターンを形成したマスク
を製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立
て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製された
ウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷
（ステップ７）する。
液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）で
は半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マ
スク製作）では設計した回路パターンを形成したマスク
を製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立
て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製された
ウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷
（ステップ７）する。
【００２１】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。
【００２２】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに
製造することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マスキング手段の加速を露光開始前に済ませ、かつ減速
を露光終了後に開始するようにしたため、マスキング手
段の加減速時の振動が露光に影響しない。このため、露
光精度の向上を図ることができる。特に、マスキング手
段の加速を露光開始点を越えない範囲で遅らせることに
よりマスキング手段のストロークを短くすることができ
る。
マスキング手段の加速を露光開始前に済ませ、かつ減速
を露光終了後に開始するようにしたため、マスキング手
段の加減速時の振動が露光に影響しない。このため、露
光精度の向上を図ることができる。特に、マスキング手
段の加速を露光開始点を越えない範囲で遅らせることに
よりマスキング手段のストロークを短くすることができ
る。
【図１】 本発明が適用されるの走査型露光装置を側方
から見た様子を模式的に示す図である。
から見た様子を模式的に示す図である。
【図２】 図１の露光装置の外観を示す斜視図である。
【図３】 図１における光学系の構成を示す説明図であ
る。
る。
【図４】 図１の装置におけるレチクル、ウエハおよび
マスキングブレードの走査の様子を示すタイムチャート
である。
マスキングブレードの走査の様子を示すタイムチャート
である。
【図５】 図１の装置におけるマスキングブレード部分
の詳細図である。
の詳細図である。
【図６】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図７】 図６におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
示す図である。
１：レチクルステージ、２：投影光学系、３：ウエハス
テージ、３ａ：Ｘステージ、３ｂ：Ｙステージ、３ｃ：
フラットステージ、３ｄ：ウエハチャック、４，５，
６：リニアモータ、７：ステージ定盤、８：ダンパ、
９：鏡筒定盤、１０：ベースフレーム、１１：ダンパ、
１２：支柱、１３：距離測定手段、１８，１９：重心、
２０：露光光の断面、２１：投光手段、２２：受光手
段、２３，２４：レーザ干渉計、２５：レーザ測長光
路、２６，２７：移動鏡、３１：レチクル、３２：ウエ
ハ、３３：可動マスキングブレード（Ｙブレード）、３
４，３６：結像レンズ、３５：ミラー、５１：Ｙガイ
ド、５２，５６：コイル、５３，５７：磁石、５４：Ｘ
ブレード、５５：Ｘガイド、５８：露光スリット、５
９：ボイスコイル、ｔ1 ：ウエハ（レチクル）加速開始
点、ｔ2 ：加速終了点、ｔ2 〜ｔ3 ：整定（同期化）時
間、ｔ3 ：露光開始点、ｔ4 ：露光終了点、ｔ5 ：減速
開始点、ｔ6 が減速終了点、ｔm2：マスキングブレード
の減速開始点、ｖ1 ：レチクル走査速度、ｖ2 ：ウエハ
走査速度、ｔm1：マスキングブレードの加速終了点。
テージ、３ａ：Ｘステージ、３ｂ：Ｙステージ、３ｃ：
フラットステージ、３ｄ：ウエハチャック、４，５，
６：リニアモータ、７：ステージ定盤、８：ダンパ、
９：鏡筒定盤、１０：ベースフレーム、１１：ダンパ、
１２：支柱、１３：距離測定手段、１８，１９：重心、
２０：露光光の断面、２１：投光手段、２２：受光手
段、２３，２４：レーザ干渉計、２５：レーザ測長光
路、２６，２７：移動鏡、３１：レチクル、３２：ウエ
ハ、３３：可動マスキングブレード（Ｙブレード）、３
４，３６：結像レンズ、３５：ミラー、５１：Ｙガイ
ド、５２，５６：コイル、５３，５７：磁石、５４：Ｘ
ブレード、５５：Ｘガイド、５８：露光スリット、５
９：ボイスコイル、ｔ1 ：ウエハ（レチクル）加速開始
点、ｔ2 ：加速終了点、ｔ2 〜ｔ3 ：整定（同期化）時
間、ｔ3 ：露光開始点、ｔ4 ：露光終了点、ｔ5 ：減速
開始点、ｔ6 が減速終了点、ｔm2：マスキングブレード
の減速開始点、ｖ1 ：レチクル走査速度、ｖ2 ：ウエハ
走査速度、ｔm1：マスキングブレードの加速終了点。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (5)
- 【請求項１】 原版のパターンの一部を投影光学系を介
してスリット状に基板に投影し、該投影光学系の光軸に
対し垂直に前記原版と基板を共に走査することにより前
記原版のパターンを前記基板に露光する走査型の露光装
置において、 前記原版面と共役な面に設けられて前記スリット状光束
による露光を制限するマスキング手段と、該マスキング
手段を前記原版および基板の走査方向に走査移動させる
駆動手段とを有し、該駆動手段は、該マスキング手段の
走査移動を開始するための加速は露光開始前に終了し前
記走査移動を終了させるための減速は露光終了後に開始
することを特徴とする走査露光装置。 - 【請求項２】 前記駆動手段は、前記原版または基板の
走査のための加速終了後に、前記マスキング手段の加速
を終了することを特徴とする請求項１記載の走査露光装
置。 - 【請求項３】 原版のパターンの一部を投影光学系を介
してスリット状に基板に投影し、該投影光学系の光軸に
対し垂直に前記原版と基板を共に走査することにより前
記原版のパターンを前記基板に露光する走査型の露光方
法において、 前記原版面と共役な面に設けられて前記スリット状光束
による露光をマスキングによって制限し、該マスキング
は前記原版および基板の走査方向にマスキング部材を駆
動し走査移動させて行い、該マスキング部材の走査移動
を開始するための加速は露光開始前に終了し、前記走査
移動を終了させるための減速は露光終了後に開始するこ
とを特徴とする走査露光方法 。 - 【請求項４】 前記原版または基板の走査のための加速
終了後に、前記マスキング部材の加速を終了することを
特徴とする請求項３記載の走査露光方法。 - 【請求項５】 請求項１もしくは２に記載の露光装置ま
たは請求項３もしくは４に記載の露光方法を用いてデバ
イスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27288696A JP3286184B2 (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 走査露光装置および方法 |
| US08/935,902 US6040893A (en) | 1996-09-25 | 1997-09-23 | Scanning exposure method and apparatus for controlling acceleration and deceleration of a masking device |
| KR1019970048249A KR100237107B1 (ko) | 1996-09-25 | 1997-09-23 | 주사노광장치 및 방법 |
| DE69719273T DE69719273T2 (de) | 1996-09-25 | 1997-09-24 | Abtastbelichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung desselben |
| TW086113918A TW410373B (en) | 1996-09-25 | 1997-09-24 | Scanning exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| EP97307480A EP0833209B1 (en) | 1996-09-25 | 1997-09-24 | Scanning exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27288696A JP3286184B2 (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 走査露光装置および方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1097989A JPH1097989A (ja) | 1998-04-14 |
| JP3286184B2 true JP3286184B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=17520133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27288696A Expired - Fee Related JP3286184B2 (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 走査露光装置および方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6040893A (ja) |
| EP (1) | EP0833209B1 (ja) |
| JP (1) | JP3286184B2 (ja) |
| KR (1) | KR100237107B1 (ja) |
| DE (1) | DE69719273T2 (ja) |
| TW (1) | TW410373B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0950924B1 (en) * | 1998-04-14 | 2006-11-08 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
| DE69933903T2 (de) | 1998-04-14 | 2007-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithograpischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| EP1098359A4 (en) | 1998-06-02 | 2003-11-19 | Nikon Corp | SCANNING ALIGNMENT MEMBER, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
| US6307619B1 (en) * | 2000-03-23 | 2001-10-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Scanning framing blade apparatus |
| US6466841B2 (en) * | 2001-02-14 | 2002-10-15 | Xerox Corporation | Apparatus and method for determining a reference position for an industrial robot |
| EP1482363A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US6906789B2 (en) * | 2003-06-02 | 2005-06-14 | Asml Holding N.V. | Magnetically levitated and driven reticle-masking blade stage mechanism having six degrees freedom of motion |
| JP2006120798A (ja) | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Canon Inc | 露光装置 |
| FR2890461B1 (fr) * | 2005-09-05 | 2008-12-26 | Sagem Defense Securite | Obturateur et illuminateur d'un dispositif de photolithographie |
| US8120304B2 (en) | 2008-12-12 | 2012-02-21 | Formfactor, Inc. | Method for improving motion times of a stage |
| JP5539293B2 (ja) * | 2011-11-24 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置、およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2731955B2 (ja) * | 1989-09-07 | 1998-03-25 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置 |
| DE69031897T2 (de) * | 1989-10-19 | 1998-05-07 | Canon Kk | Röntgenbelichtungsvorrichtung |
| DE69128655T2 (de) * | 1990-03-02 | 1998-05-07 | Canon Kk | Belichtungsgerät |
| DE69126719T2 (de) * | 1990-03-09 | 1997-11-06 | Canon Kk | Belichtungsvorrichtung |
| US5473410A (en) * | 1990-11-28 | 1995-12-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JP2830492B2 (ja) * | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| JP3184582B2 (ja) * | 1991-11-01 | 2001-07-09 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置およびｘ線露光方法 |
| US5281996A (en) * | 1992-09-04 | 1994-01-25 | General Signal Corporation | Photolithographic reduction imaging of extended field |
| EP0614124A3 (en) * | 1993-02-01 | 1994-12-14 | Nippon Kogaku Kk | Exposure device. |
| US5591958A (en) * | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
| US5486896A (en) * | 1993-02-19 | 1996-01-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| US5854671A (en) * | 1993-05-28 | 1998-12-29 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus therefor and a projection exposure apparatus and method which selectively chooses between static exposure and scanning exposure |
| DE69434080T2 (de) * | 1993-06-11 | 2005-10-20 | Nikon Corp. | Abtastbelichtungsvorrichtung |
| JP2674579B2 (ja) * | 1995-08-29 | 1997-11-12 | 株式会社ニコン | 走査露光装置および走査露光方法 |
| JPH09106941A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び露光方法 |
-
1996
- 1996-09-25 JP JP27288696A patent/JP3286184B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-09-23 US US08/935,902 patent/US6040893A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-23 KR KR1019970048249A patent/KR100237107B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-09-24 EP EP97307480A patent/EP0833209B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-24 TW TW086113918A patent/TW410373B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-09-24 DE DE69719273T patent/DE69719273T2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1097989A (ja) | 1998-04-14 |
| KR100237107B1 (ko) | 2000-01-15 |
| EP0833209A2 (en) | 1998-04-01 |
| DE69719273D1 (de) | 2003-04-03 |
| TW410373B (en) | 2000-11-01 |
| DE69719273T2 (de) | 2003-11-20 |
| KR19980024880A (ko) | 1998-07-06 |
| EP0833209A3 (en) | 1999-04-28 |
| EP0833209B1 (en) | 2003-02-26 |
| US6040893A (en) | 2000-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3659529B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| US6504160B2 (en) | Stage device for an exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method which uses said stage device | |
| US5917580A (en) | Scan exposure method and apparatus | |
| JP3890136B2 (ja) | 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法、ならびにステージ装置 | |
| US7586218B2 (en) | Moving apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JP3283767B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3286184B2 (ja) | 走査露光装置および方法 | |
| US6320645B1 (en) | Stage system and exposure apparatus, and device manufacturing method using the same | |
| JP3907252B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法ならびにステージ装置および原点出し方法 | |
| JP3531894B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| US5907390A (en) | Positioning apparatus, exposure apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
| JPH10149974A (ja) | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH1092727A (ja) | 投影露光装置 | |
| US6122059A (en) | Scanning exposure apparatus and device fabrication method in which multiple laser interferometers use a respective laser head | |
| JPH1097987A (ja) | 走査型露光装置および方法 | |
| JP3531895B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP4208914B2 (ja) | 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法、ならびにステージ装置 | |
| JP3984973B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH1097982A (ja) | 露光装置 | |
| JPH1079340A (ja) | 走査型露光装置および方法 | |
| JPH1070170A (ja) | 基板搬送装置 | |
| JPWO2003010802A1 (ja) | ステージ装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
| JP2004297081A (ja) | 露光装置、デバイス製造方法およびステージ装置 | |
| JPH1074684A (ja) | 走査型露光装置 | |
| JPH1083950A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080308 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120308 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130308 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140308 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |