JP3659529B2 - 露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3659529B2 JP3659529B2 JP16512496A JP16512496A JP3659529B2 JP 3659529 B2 JP3659529 B2 JP 3659529B2 JP 16512496 A JP16512496 A JP 16512496A JP 16512496 A JP16512496 A JP 16512496A JP 3659529 B2 JP3659529 B2 JP 3659529B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- original
- points
- optical system
- projection optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Feeding Of Articles By Means Other Than Belts Or Rollers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、設計パターンを基板上のレジストに露光して半導体デバイス等を製造するために用いられる露光装置およびそれを用い得るデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような露光装置としては、ウエハ等の基板をステップ移動させながら基板上の複数の露光領域に原版のパターンを投影光学系を介して順次露光するステッパや、投影光学系に対し相対的にマスク等の原版と基板とを同期走査させて原版のパターンを基板上に露光する走査型の露光装置等が知られている。
【０００３】
また、近年、より高精度で微細なパターンの露光が行えるように、前記ステップ移動と走査露光とを繰り返すことにより、基板上の複数の領域に高精度で微細なパターンの露光を行う、ステップ・アンド・スキャン型の露光装置が提案されている。この露光装置では、スリットにより制限して投影光学系の比較的光軸に近い部分のみを使用しているため、より高精度且つ広画角な微細パターンの露光が可能となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなステップ・アンド・スキャン型の露光装置等の高精細な露光を目的とする露光装置において、投影光学系の性能を十分に引き出し、真に露光精度を向上させるためには、さらに、原版と基板間の位置的整合性を向上させる必要がある。
【０００５】
そこで本発明の目的は、露光装置およびこれを用い得るデバイス製造方法において、原版と基板間の位置的整合性の向上を図るための新たな技術を提供することにある。
【０００６】
具体的には、本発明の目的は、投影光学系、原版、基板等の支持方法や基板の走査方向との兼ね合いを見直し、走査露光時の基板ステージの移動に伴う支持手段の変形を極力排除することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明の露光装置は、原版のパターンの一部を投影光学系を介して基板に投影し、投影光学系に対し相対的に前記原版と基板を共に走査することにより前記原版のパターンを前記基板に露光する走査型の露光装置であって、前記原版を保持する原版ステージと、前記投影光学系および前記原版ステージを設けた定盤と、この定盤を３点に配置したダンパおよび支柱を介して支持する支持手段と、前記原版ステージを前記定盤上で前記走査のために走査方向に移動させる駆動手段を備え、前記３点は２等辺三角形を構成しており、その２等辺が交わる点と重心とを結ぶ直線に対して前記走査方向は平行であることを特徴とする。
【０００８】
この場合、前記３点が構成する三角形の重心と前記投影光学系の重心とが一致することが好ましい。また、前記三角形の３点のうち２点が装置の前部に位置し、残りの１点が装置の奥に位置し、装置への前記基板の搬入経路が、装置前部の前記２点に配置された２つの前記支柱の間を経て設定されているのが好ましい。
【０００９】
前記目的を達成するための本発明のデバイス製造方法は、原版のパターンの一部を投影光学系を介して基板に投影し、投影光学系に対し相対的に前記原版と基板を共に走査することにより前記原版のパターンを前記基板に露光するデバイス製造方法であって、前記原版を原版ステージによって保持し、前記投影光学系および原版ステージを定盤上に配置し、二等辺三角形を構成する３点に配置したダンパおよび支柱を介して前記定盤を支持し、かつ前記原版ステージを、前記定盤上において、前記三角形の二等辺が交わる点と重心とを結ぶ直線に平行に移動させることを特徴とする。
【００１０】
この場合、前記三角形の重心と前記投影光学系の重心とを一致させることが好ましい。また、前記三角形の３点のうち２点を装置の前部に配置し、残りの１点を装置の奥に配置し、装置への前記基板の搬入を、装置前部の前記２点に位置する２つの前記支柱の間を経て行なうのが好ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施形態を説明する。図１は本発明の一実施形態に係る露光装置を側方から見た様子を模式的に示す図であり、図２は、その露光装置の外観を示す斜視図である。これらの図に示すように、この露光装置は、レチクルステージ１上の原版のパターンの一部を投影光学系２を介してＸ・Ｙステージ３上のウエハに投影し、投影光学系２に対し相対的にレチクルとウエハをＹ方向に同期走査することによりレチクルのパターンをウエハに露光するとともに、この走査露光を、ウエハ上の複数領域に対して、繰り返し行なうためのステップ移動を介在させながら行なうステップ・アンド・スキャン型の露光装置である。
【００１９】
レチクルステージ１はリニアモータ４によってＹ方向へ駆動し、Ｘ・Ｙステージ３のＸステージ３ａはリニアモータ５によってＸ方向に駆動し、Ｙステージ３ｂはリニアモータ６によってＹ方向へ駆動するようになっている。レチクルおよびウエハの同期走査は、レチクルステージ１およびＹステージ３ｂをＹ方向へ一定の速度比率（例えば４：１）で駆動させることにより行なう。また、Ｘ方向へのステップ移動はＸステージ３ａにより行なう。
【００２０】
Ｘ・Ｙステージ３は、ステージ定盤７上に設けられ、ステージ定盤７は３つのダンパ８を介して３点で床等の上に支持されている。レチクルステージ１および投影光学系２は鏡筒定盤９上に設けられ、鏡筒定盤９はベースフレーム１０上に３つのダンパ１１および支柱１２を介して支持されている。ダンパ８は６軸方向にアクティブに制振もしくは除振するアクティブダンパであるが、パッシブダンパを用いてもよく、あるいはダンパを介せずに支持してもよい。
【００２１】
図３は、ダンパ１１あるいは支柱１２、走査露光時の走査方向、投影光学系２および露光光間の、装置の上から見たときの位置的関係を示す。同図に示すように、ダンパ１１および支柱１２による鏡筒定盤９の３つの支持点は二等辺三角形を構成しており、その二等辺１４、１５が交わる点１６と重心とを結ぶ直線１７に対して走査方向Ｙは平行であり、かつその重心１８と投影光学系２の重心１９とはほぼ一致している。図３中の２０は、スリット状に成形された露光光の断面である。そのスリット形状の長手方向は走査方向に垂直な方向（Ｘ方向）である。３つのダンパ１１のうち２つは装置の前部に位置し、残りの１つは装置の奥側に位置している。そして、装置へのウエハの搬入経路は、装置の前側より、装置前部に配置した２つの支柱１２の間を経て設定されている。
【００２２】
また、この露光装置は、鏡筒定盤９とステージ定盤７との間の距離を３点において測定するレーザ干渉計、マイクロエンコーダ等の距離測定手段１３を備え、それらのステージ定盤７上における３つの測定点Ｐは、図５に示すように、その測定方向にみれば、ダンパ８による定盤７の３つの支持点が構成する三角形の各頂点とそれに隣接する辺の中点とを通る直線上に存在する。
【００２３】
あるいは、これら測定点における、予め測定されたＸ・Ｙステージ３の移動によるステージ定盤７の変形量を考慮して前記距離の測定を行なうようにしてもよい。
【００２４】
この構成において、不図示の搬送手段により、装置前部の２つの支柱１２間の搬送経路を経てＸ・Ｙステージ３上にウエハが搬入され、所定の位置合せが終了すると、露光装置は、走査露光およびステップ移動を繰り返しながら、ウエハ上の複数の露光領域に対してレチクルのパターンを露光転写する。走査露光に際しては、レチクルステージ１およびＹステージ３ｂをＹ方向（走査方向）へ、所定の速度比で移動させて、スリット状の露光光でレチクル上のパターンを走査するとともに、その投影像でウエハを走査することにより、ウエハ上の所定の露光領域に対してレチクル上のパターンを露光する。１つの露光領域に対する走査露光が終了したら、Ｘステージ３ａをＸ方向へ駆動してウエハをステップ移動させることにより、他の露光領域を走査露光の開始位置に対して位置決めし、走査露光を行なう。なお、このＸ方向へのステップ移動と、Ｙ方向への走査露光のための移動との組合せにより、ウエハ上の複数の露光領域に対して、順次効率良く露光が行なえるように、各露光領域の配置、Ｙの正または負のいずれかへの走査方向、各露光領域への露光順等が設定されている。
【００２５】
走査露光に際して、レチクルステージ１が移動するに従って、その重心の移動により鏡筒定盤９の傾きや変形状態が変化する。しかし、上述のように、鏡筒定盤９の支持点が二等辺三角形を構成し、直線１７に対して走査方向Ｙは平行であり、かつ二等辺三角形の重心と投影光学系２の重心とは一致しているため、レチクルステージ１の重心もほぼ直線１７上を通る。したがって、レチクルステージ１の移動による鏡筒定盤９の傾きは、Ｙ（Ｚ）方向に対するもののみとなり、Ｘ方向に対しては傾かない。また、鏡筒定盤９の変形量は直線１７について対称となる。したがって、この変形によっても露光光のスリット形状２０は走査方向に対し垂直であるため、Ｙ方向に傾いたとしても、例えば、単にウエハ位置をＺ方向に調整すれば、傾きの影響を排除することができる。これに対し、鏡筒定盤９がＸ方向に対して傾いた場合は、Ｘ方向にスリット形状２０が延びているため、傾きの影響を排除することは、非常に困難である。
【００２６】
また、鏡筒定盤９は３点で支持されているため、レチクルステージ１の位置、鏡筒定盤９各点の変形量、および各支持点の位置間の関係は一義的に決まるため、４点支持に比べ、変形に対する再現性が良い。したがって、レチクルステージ１の移動に伴う鏡筒定盤９の変形を考慮したり、補正したりする場合は、これらを高精度で行うことができる。例えば、図１に示すように、投影光学系２のフォーカス位置にウエハが位置しているか否かは、鏡筒定盤９に固定された投光手段２１によりウエハに対して斜め方向から光を照射し、その反射光の位置を受光手段２２によって検出することにより行うことができるが、その際、鏡筒定盤９の正確な変形量を考慮してフォーカス位置を正確に検出することができる。また、ウエハのＸ、Ｙ、θ方向の位置を検出するためのレーザ干渉計２３による測定も同様に鏡筒定盤９の変形量を考慮して精確に行うことができる。
【００２７】
また、走査露光やステップ移動において、レチクルステージ１やＸ・Ｙステージ３の移動に伴い鏡筒定盤９やステージ定盤７が傾くため、これを補正する必要がある。このために、距離測定手段１３により、鏡筒定盤９とステージ定盤７との間の距離を双方の３つの支持点の近傍において測定する。このときのステージ定盤７上における測定点は、その測定方向にみれば、３つの支持点が構成する三角形の各頂点とそれに隣接する辺の中点とを通る直線上に存在する。これらの測定点においては、レチクルステージ１やＸ・Ｙステージ３の移動に伴う変形量が無視し得る程度であるため、変形量を考慮することなく、測定を行なうことができる。
【００２８】
一方、測定点における変形量が、無視できない程度であれば、あらかじめ、その変形量をレチクルステージ１やＸ・Ｙステージ３の位置に対応させて測定しておき、その変形量を考慮することにより、鏡筒定盤９とステージ定盤７との間の正確な距離を測定することができる。この場合、上述のように、３点支持であるため、変形量の再現性が良く、変形量を精確に反映することができる。
【００２９】
図４（ａ）および（ｂ）は、それぞれステップ移動および走査露光におけるＸステージ３ａおよびＹステージ３ｂの移動速度の時間的変化の一例を示すグラフである。Ｙステージの加速を開始すると、Ｙステージは０．０５１秒の加速期間および０．０５秒の整定時間を経た後、１００ｍｍ／秒の一定速度で０．３７５秒間移動する。この一定速度の移動期間において露光を行なう。この露光期間の後、Ｙステージを減速させるとともにＸステージの加速を開始し、ステップ移動を行なう。ステップ移動が終了したら、再度Ｙステージの加速を同様にして開始する。このようにして、ＸおよびＹステージの移動を繰り返して、複数の露光領域に対してレチクルのパターンを順次走査露光してゆく。
【００３０】
Ｘステージの重量を３０ｋｇ、Ｙステージの重量を６０ｋｇとし、図４に示すような加減速を行なうものとする。そしてそのときのＸおよびＹステージの最高加速度が０．２Ｇ、最高スキャン速度が１００ｍｍ／秒、最高ステップ速度が３５０ｍｍ／秒、整定時間が０．１５秒、露光の画角（各露光領域における露光範囲の大きさ）が３２．５×２５ｍｍ、スキャン距離が３７．５（３２．５＋５）ｍｍ、ＸおよびＹステージを駆動するリニアモータの推力定数が２０Ｎ／Ａとすれば、スキャン時およびステップ時のそれぞれにおける加減速時の各デューティＤy およびＤx は
【００３１】
【数１】
であり、ＹステージおよびＸステージにおける各発熱量Ｑ1yおよびＱ1xは、
【００３２】
【数２】
となり、発熱量の合計は２４．１２［ｗ］である。一方、仮に、Ｘステージを走査方向に駆動させ、Ｙステージでステップ移動を行なうとし、その他の点については、上述と同様であるとすれば、そのときのＸおよびＹ各ステージにおける発熱量Ｑ2yおよびＱ2xは、
【００３３】
【数３】
であり、発熱量の合計は、３５．１４［ｗ］となる。したがって、重い下側のＹステージをデューティの少ないスキャン動作に使用することにより、発熱量を抑えることができる。また、このように、軽い上側のＸステージの駆動方向を走査方向と直交する方向とし、そのＸステージにより、レチクルステージ１における走査方向に垂直な成分の駆動誤差の補正やオフセットへの追込み駆動を行なうことにより、これら補正等の精度を向上させることができる。したがって、レチクルステージ１を走査方向のみの１軸方向の駆動手段のみで構成することも可能となる。
【００３４】
次に上記説明した露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
【００３５】
図６は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
【００３６】
図７は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００３７】
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに製造することができる。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、投影光学系および原版ステージを定盤上に配置し、二等辺三角形を構成する３点に配置したダンパおよび支柱を介して定盤を支持し、かつ原版ステージを、定盤上において、前記三角形の二等辺が交わる点と重心とを結ぶ直線に平行に移動させるようにしたため、定盤の傾きや変形による影響がスリット状露光光のスリット方向に大きく及ぶのを防止し、スリット方向に垂直な方向に対して主に傾きや変形が生じるようにして、その影響を容易に排除することができる。またさらに、前記３点が構成する三角形の重心と投影光学系の重心とを一致させるようにすれば、原版ステージの移動による定盤の変形の再現性が良く、変形の影響を精度よく排除することができる。その場合、前記三角形の３点のうち２点を装置の前部に配置し、残りの１点を装置の奥に配置し、装置への前記基板の搬入を、装置前部の前記２点に位置する２つの前記支柱の間を経て行なうことにより、基板の搬送経路を容易に確保することができ、かつスペースの有効利用を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態に係る露光装置を側方から見た様子を模式的に示す図である。
【図２】 図１の露光装置の外観を示す斜視図である。
【図３】 図１の装置のダンパあるいは支柱、走査露光時の走査方向、投影光学系および露光光間の、装置の上から見たときの位置的関係を示す図である。
【図４】 図１の装置におけるステップ移動および走査露光でのＸステージおよびＹステージの移動速度の時間的変化の一例を示すグラフである。
【図５】 図１の装置におけるステージ定盤の支持点とステージ定盤の測定点との位置関係を示す図である。
【図６】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図７】 図６におけるウエハプロセスの詳細な流れを示す図である。
【符号の説明】
１：レチクルステージ、２：投影光学系、３：Ｘ・Ｙステージ、４：リニアモータ、３ａ：Ｘステージ、３ｂ：Ｙステージ、６：リニアモータ、７：ステージ定盤、８：ダンパ、９：鏡筒定盤、１０：ベースフレーム、１１：ダンパ、１２：支柱、１３：距離測定手段、１８，１９：重心、２０：露光光の断面、２１：投光手段、２２：受光手段、２３：レーザ干渉計。
【発明の属する技術分野】
本発明は、設計パターンを基板上のレジストに露光して半導体デバイス等を製造するために用いられる露光装置およびそれを用い得るデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような露光装置としては、ウエハ等の基板をステップ移動させながら基板上の複数の露光領域に原版のパターンを投影光学系を介して順次露光するステッパや、投影光学系に対し相対的にマスク等の原版と基板とを同期走査させて原版のパターンを基板上に露光する走査型の露光装置等が知られている。
【０００３】
また、近年、より高精度で微細なパターンの露光が行えるように、前記ステップ移動と走査露光とを繰り返すことにより、基板上の複数の領域に高精度で微細なパターンの露光を行う、ステップ・アンド・スキャン型の露光装置が提案されている。この露光装置では、スリットにより制限して投影光学系の比較的光軸に近い部分のみを使用しているため、より高精度且つ広画角な微細パターンの露光が可能となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなステップ・アンド・スキャン型の露光装置等の高精細な露光を目的とする露光装置において、投影光学系の性能を十分に引き出し、真に露光精度を向上させるためには、さらに、原版と基板間の位置的整合性を向上させる必要がある。
【０００５】
そこで本発明の目的は、露光装置およびこれを用い得るデバイス製造方法において、原版と基板間の位置的整合性の向上を図るための新たな技術を提供することにある。
【０００６】
具体的には、本発明の目的は、投影光学系、原版、基板等の支持方法や基板の走査方向との兼ね合いを見直し、走査露光時の基板ステージの移動に伴う支持手段の変形を極力排除することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明の露光装置は、原版のパターンの一部を投影光学系を介して基板に投影し、投影光学系に対し相対的に前記原版と基板を共に走査することにより前記原版のパターンを前記基板に露光する走査型の露光装置であって、前記原版を保持する原版ステージと、前記投影光学系および前記原版ステージを設けた定盤と、この定盤を３点に配置したダンパおよび支柱を介して支持する支持手段と、前記原版ステージを前記定盤上で前記走査のために走査方向に移動させる駆動手段を備え、前記３点は２等辺三角形を構成しており、その２等辺が交わる点と重心とを結ぶ直線に対して前記走査方向は平行であることを特徴とする。
【０００８】
この場合、前記３点が構成する三角形の重心と前記投影光学系の重心とが一致することが好ましい。また、前記三角形の３点のうち２点が装置の前部に位置し、残りの１点が装置の奥に位置し、装置への前記基板の搬入経路が、装置前部の前記２点に配置された２つの前記支柱の間を経て設定されているのが好ましい。
【０００９】
前記目的を達成するための本発明のデバイス製造方法は、原版のパターンの一部を投影光学系を介して基板に投影し、投影光学系に対し相対的に前記原版と基板を共に走査することにより前記原版のパターンを前記基板に露光するデバイス製造方法であって、前記原版を原版ステージによって保持し、前記投影光学系および原版ステージを定盤上に配置し、二等辺三角形を構成する３点に配置したダンパおよび支柱を介して前記定盤を支持し、かつ前記原版ステージを、前記定盤上において、前記三角形の二等辺が交わる点と重心とを結ぶ直線に平行に移動させることを特徴とする。
【００１０】
この場合、前記三角形の重心と前記投影光学系の重心とを一致させることが好ましい。また、前記三角形の３点のうち２点を装置の前部に配置し、残りの１点を装置の奥に配置し、装置への前記基板の搬入を、装置前部の前記２点に位置する２つの前記支柱の間を経て行なうのが好ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施形態を説明する。図１は本発明の一実施形態に係る露光装置を側方から見た様子を模式的に示す図であり、図２は、その露光装置の外観を示す斜視図である。これらの図に示すように、この露光装置は、レチクルステージ１上の原版のパターンの一部を投影光学系２を介してＸ・Ｙステージ３上のウエハに投影し、投影光学系２に対し相対的にレチクルとウエハをＹ方向に同期走査することによりレチクルのパターンをウエハに露光するとともに、この走査露光を、ウエハ上の複数領域に対して、繰り返し行なうためのステップ移動を介在させながら行なうステップ・アンド・スキャン型の露光装置である。
【００１９】
レチクルステージ１はリニアモータ４によってＹ方向へ駆動し、Ｘ・Ｙステージ３のＸステージ３ａはリニアモータ５によってＸ方向に駆動し、Ｙステージ３ｂはリニアモータ６によってＹ方向へ駆動するようになっている。レチクルおよびウエハの同期走査は、レチクルステージ１およびＹステージ３ｂをＹ方向へ一定の速度比率（例えば４：１）で駆動させることにより行なう。また、Ｘ方向へのステップ移動はＸステージ３ａにより行なう。
【００２０】
Ｘ・Ｙステージ３は、ステージ定盤７上に設けられ、ステージ定盤７は３つのダンパ８を介して３点で床等の上に支持されている。レチクルステージ１および投影光学系２は鏡筒定盤９上に設けられ、鏡筒定盤９はベースフレーム１０上に３つのダンパ１１および支柱１２を介して支持されている。ダンパ８は６軸方向にアクティブに制振もしくは除振するアクティブダンパであるが、パッシブダンパを用いてもよく、あるいはダンパを介せずに支持してもよい。
【００２１】
図３は、ダンパ１１あるいは支柱１２、走査露光時の走査方向、投影光学系２および露光光間の、装置の上から見たときの位置的関係を示す。同図に示すように、ダンパ１１および支柱１２による鏡筒定盤９の３つの支持点は二等辺三角形を構成しており、その二等辺１４、１５が交わる点１６と重心とを結ぶ直線１７に対して走査方向Ｙは平行であり、かつその重心１８と投影光学系２の重心１９とはほぼ一致している。図３中の２０は、スリット状に成形された露光光の断面である。そのスリット形状の長手方向は走査方向に垂直な方向（Ｘ方向）である。３つのダンパ１１のうち２つは装置の前部に位置し、残りの１つは装置の奥側に位置している。そして、装置へのウエハの搬入経路は、装置の前側より、装置前部に配置した２つの支柱１２の間を経て設定されている。
【００２２】
また、この露光装置は、鏡筒定盤９とステージ定盤７との間の距離を３点において測定するレーザ干渉計、マイクロエンコーダ等の距離測定手段１３を備え、それらのステージ定盤７上における３つの測定点Ｐは、図５に示すように、その測定方向にみれば、ダンパ８による定盤７の３つの支持点が構成する三角形の各頂点とそれに隣接する辺の中点とを通る直線上に存在する。
【００２３】
あるいは、これら測定点における、予め測定されたＸ・Ｙステージ３の移動によるステージ定盤７の変形量を考慮して前記距離の測定を行なうようにしてもよい。
【００２４】
この構成において、不図示の搬送手段により、装置前部の２つの支柱１２間の搬送経路を経てＸ・Ｙステージ３上にウエハが搬入され、所定の位置合せが終了すると、露光装置は、走査露光およびステップ移動を繰り返しながら、ウエハ上の複数の露光領域に対してレチクルのパターンを露光転写する。走査露光に際しては、レチクルステージ１およびＹステージ３ｂをＹ方向（走査方向）へ、所定の速度比で移動させて、スリット状の露光光でレチクル上のパターンを走査するとともに、その投影像でウエハを走査することにより、ウエハ上の所定の露光領域に対してレチクル上のパターンを露光する。１つの露光領域に対する走査露光が終了したら、Ｘステージ３ａをＸ方向へ駆動してウエハをステップ移動させることにより、他の露光領域を走査露光の開始位置に対して位置決めし、走査露光を行なう。なお、このＸ方向へのステップ移動と、Ｙ方向への走査露光のための移動との組合せにより、ウエハ上の複数の露光領域に対して、順次効率良く露光が行なえるように、各露光領域の配置、Ｙの正または負のいずれかへの走査方向、各露光領域への露光順等が設定されている。
【００２５】
走査露光に際して、レチクルステージ１が移動するに従って、その重心の移動により鏡筒定盤９の傾きや変形状態が変化する。しかし、上述のように、鏡筒定盤９の支持点が二等辺三角形を構成し、直線１７に対して走査方向Ｙは平行であり、かつ二等辺三角形の重心と投影光学系２の重心とは一致しているため、レチクルステージ１の重心もほぼ直線１７上を通る。したがって、レチクルステージ１の移動による鏡筒定盤９の傾きは、Ｙ（Ｚ）方向に対するもののみとなり、Ｘ方向に対しては傾かない。また、鏡筒定盤９の変形量は直線１７について対称となる。したがって、この変形によっても露光光のスリット形状２０は走査方向に対し垂直であるため、Ｙ方向に傾いたとしても、例えば、単にウエハ位置をＺ方向に調整すれば、傾きの影響を排除することができる。これに対し、鏡筒定盤９がＸ方向に対して傾いた場合は、Ｘ方向にスリット形状２０が延びているため、傾きの影響を排除することは、非常に困難である。
【００２６】
また、鏡筒定盤９は３点で支持されているため、レチクルステージ１の位置、鏡筒定盤９各点の変形量、および各支持点の位置間の関係は一義的に決まるため、４点支持に比べ、変形に対する再現性が良い。したがって、レチクルステージ１の移動に伴う鏡筒定盤９の変形を考慮したり、補正したりする場合は、これらを高精度で行うことができる。例えば、図１に示すように、投影光学系２のフォーカス位置にウエハが位置しているか否かは、鏡筒定盤９に固定された投光手段２１によりウエハに対して斜め方向から光を照射し、その反射光の位置を受光手段２２によって検出することにより行うことができるが、その際、鏡筒定盤９の正確な変形量を考慮してフォーカス位置を正確に検出することができる。また、ウエハのＸ、Ｙ、θ方向の位置を検出するためのレーザ干渉計２３による測定も同様に鏡筒定盤９の変形量を考慮して精確に行うことができる。
【００２７】
また、走査露光やステップ移動において、レチクルステージ１やＸ・Ｙステージ３の移動に伴い鏡筒定盤９やステージ定盤７が傾くため、これを補正する必要がある。このために、距離測定手段１３により、鏡筒定盤９とステージ定盤７との間の距離を双方の３つの支持点の近傍において測定する。このときのステージ定盤７上における測定点は、その測定方向にみれば、３つの支持点が構成する三角形の各頂点とそれに隣接する辺の中点とを通る直線上に存在する。これらの測定点においては、レチクルステージ１やＸ・Ｙステージ３の移動に伴う変形量が無視し得る程度であるため、変形量を考慮することなく、測定を行なうことができる。
【００２８】
一方、測定点における変形量が、無視できない程度であれば、あらかじめ、その変形量をレチクルステージ１やＸ・Ｙステージ３の位置に対応させて測定しておき、その変形量を考慮することにより、鏡筒定盤９とステージ定盤７との間の正確な距離を測定することができる。この場合、上述のように、３点支持であるため、変形量の再現性が良く、変形量を精確に反映することができる。
【００２９】
図４（ａ）および（ｂ）は、それぞれステップ移動および走査露光におけるＸステージ３ａおよびＹステージ３ｂの移動速度の時間的変化の一例を示すグラフである。Ｙステージの加速を開始すると、Ｙステージは０．０５１秒の加速期間および０．０５秒の整定時間を経た後、１００ｍｍ／秒の一定速度で０．３７５秒間移動する。この一定速度の移動期間において露光を行なう。この露光期間の後、Ｙステージを減速させるとともにＸステージの加速を開始し、ステップ移動を行なう。ステップ移動が終了したら、再度Ｙステージの加速を同様にして開始する。このようにして、ＸおよびＹステージの移動を繰り返して、複数の露光領域に対してレチクルのパターンを順次走査露光してゆく。
【００３０】
Ｘステージの重量を３０ｋｇ、Ｙステージの重量を６０ｋｇとし、図４に示すような加減速を行なうものとする。そしてそのときのＸおよびＹステージの最高加速度が０．２Ｇ、最高スキャン速度が１００ｍｍ／秒、最高ステップ速度が３５０ｍｍ／秒、整定時間が０．１５秒、露光の画角（各露光領域における露光範囲の大きさ）が３２．５×２５ｍｍ、スキャン距離が３７．５（３２．５＋５）ｍｍ、ＸおよびＹステージを駆動するリニアモータの推力定数が２０Ｎ／Ａとすれば、スキャン時およびステップ時のそれぞれにおける加減速時の各デューティＤy およびＤx は
【００３１】
【数１】
【００３２】
【数２】
【００３３】
【数３】
【００３４】
次に上記説明した露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
【００３５】
図６は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
【００３６】
図７は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【００３７】
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに製造することができる。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、投影光学系および原版ステージを定盤上に配置し、二等辺三角形を構成する３点に配置したダンパおよび支柱を介して定盤を支持し、かつ原版ステージを、定盤上において、前記三角形の二等辺が交わる点と重心とを結ぶ直線に平行に移動させるようにしたため、定盤の傾きや変形による影響がスリット状露光光のスリット方向に大きく及ぶのを防止し、スリット方向に垂直な方向に対して主に傾きや変形が生じるようにして、その影響を容易に排除することができる。またさらに、前記３点が構成する三角形の重心と投影光学系の重心とを一致させるようにすれば、原版ステージの移動による定盤の変形の再現性が良く、変形の影響を精度よく排除することができる。その場合、前記三角形の３点のうち２点を装置の前部に配置し、残りの１点を装置の奥に配置し、装置への前記基板の搬入を、装置前部の前記２点に位置する２つの前記支柱の間を経て行なうことにより、基板の搬送経路を容易に確保することができ、かつスペースの有効利用を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態に係る露光装置を側方から見た様子を模式的に示す図である。
【図２】 図１の露光装置の外観を示す斜視図である。
【図３】 図１の装置のダンパあるいは支柱、走査露光時の走査方向、投影光学系および露光光間の、装置の上から見たときの位置的関係を示す図である。
【図４】 図１の装置におけるステップ移動および走査露光でのＸステージおよびＹステージの移動速度の時間的変化の一例を示すグラフである。
【図５】 図１の装置におけるステージ定盤の支持点とステージ定盤の測定点との位置関係を示す図である。
【図６】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図７】 図６におけるウエハプロセスの詳細な流れを示す図である。
【符号の説明】
１：レチクルステージ、２：投影光学系、３：Ｘ・Ｙステージ、４：リニアモータ、３ａ：Ｘステージ、３ｂ：Ｙステージ、６：リニアモータ、７：ステージ定盤、８：ダンパ、９：鏡筒定盤、１０：ベースフレーム、１１：ダンパ、１２：支柱、１３：距離測定手段、１８，１９：重心、２０：露光光の断面、２１：投光手段、２２：受光手段、２３：レーザ干渉計。
Claims (6)
- 原版のパターンの一部を投影光学系を介して基板に投影し、投影光学系に対し相対的に前記原版と基板を共に走査することにより前記原版のパターンを前記基板に露光する走査型の露光装置であって、前記原版を保持する原版ステージと、前記投影光学系および前記原版ステージを設けた定盤と、この定盤を３点に配置したダンパおよび支柱を介して支持する支持手段と、前記原版ステージを前記定盤上で前記走査のために走査方向に移動させる駆動手段とを備え、前記３点は２等辺三角形を構成しており、その２等辺が交わる点と重心とを結ぶ直線に対して前記走査方向は平行であることを特徴とする露光装置。
- 請求項１に記載の露光装置であって、前記３点が構成する三角形の重心と前記投影光学系の重心とが一致することを特徴とする露光装置。
- 前記三角形の３点のうち２点が装置の前部に位置し、残りの１点が装置の奥に位置し、装置への前記基板の搬入経路が、装置前部の前記２点に配置された２つの前記支柱の間を経て設定されていることを特徴とする請求項１または２記載の露光装置。
- 原版のパターンの一部を投影光学系を介して基板に投影し、投影光学系に対し相対的に前記原版と基板を共に走査することにより前記原版のパターンを前記基板に露光するデバイス製造方法であって、前記原版を原版ステージによって保持し、前記投影光学系および原版ステージを定盤上に配置し、二等辺三角形を構成する３点に配置したダンパおよび支柱を介して前記定盤を支持し、かつ前記原版ステージを、前記定盤上において、前記三角形の二等辺が交わる点と重心とを結ぶ直線に平行に移動させることにより前記走査を行なうことを特徴とするデバイス製造方法。
- 請求項４に記載のデバイス製造方法であって、前記３点が構成する三角形の重心と前記投影光学系の重心とを一致させ、そして前記走査を行なうことを特徴とするデバイス製造方法。
- 前記三角形の３点のうち２点を装置の前部に配置し、残りの１点を装置の奥に配置し、装置への前記基板の搬入を、装置前部の前記２点に位置する２つの前記支柱の間を経て行なうことを特徴とする請求項４または５記載のデバイス製造方法。
Priority Applications (13)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16512496A JP3659529B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| US08/867,355 US5933215A (en) | 1996-06-06 | 1997-06-02 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| EP01203848A EP1170634B1 (en) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| EP01203844A EP1174768B1 (en) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| DE69739827T DE69739827D1 (de) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung desselben |
| TW086107632A TW339456B (en) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| DE69740012T DE69740012D1 (de) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung desselben |
| EP01203845A EP1170633A1 (en) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| EP97303781A EP0811883B1 (en) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| DE69739621T DE69739621D1 (de) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung desselben |
| EP00203428A EP1069477B1 (en) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| DE69712256T DE69712256T2 (de) | 1996-06-06 | 1997-06-03 | Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung unter Verwendung desselben |
| KR1019970023342A KR100277111B1 (ko) | 1996-06-06 | 1997-06-05 | 노광장치와 이것을 이용한 디바이스 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16512496A JP3659529B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004160440A Division JP3984973B2 (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP2004160438A Division JP2004297081A (ja) | 2004-05-31 | 2004-05-31 | 露光装置、デバイス製造方法およびステージ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09326356A JPH09326356A (ja) | 1997-12-16 |
| JP3659529B2 true JP3659529B2 (ja) | 2005-06-15 |
Family
ID=15806375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16512496A Expired - Fee Related JP3659529B2 (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5933215A (ja) |
| EP (5) | EP0811883B1 (ja) |
| JP (1) | JP3659529B2 (ja) |
| KR (1) | KR100277111B1 (ja) |
| DE (4) | DE69739827D1 (ja) |
| TW (1) | TW339456B (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10209035A (ja) * | 1997-01-23 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 露光装置 |
| US6330052B1 (en) | 1997-06-13 | 2001-12-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and its control method, stage apparatus, and device manufacturing method |
| KR100521704B1 (ko) * | 1997-09-19 | 2005-10-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지장치, 주사형 노광장치 및 방법, 그리고 이것으로제조된 디바이스 |
| US6408045B1 (en) * | 1997-11-11 | 2002-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage system and exposure apparatus with the same |
| AU1051999A (en) * | 1997-11-12 | 1999-05-31 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JPH11189332A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Canon Inc | ステージ装置およびこれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| JP3554186B2 (ja) * | 1998-04-08 | 2004-08-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、デバイス製造方法および反力受け方法 |
| JP3413122B2 (ja) | 1998-05-21 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置及びこれを用いた露光装置並びにデバイス製造方法 |
| JP3869938B2 (ja) | 1998-06-05 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| JPH11354417A (ja) | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Canon Inc | 走査型露光装置およびこれを用いたデバイス製造方法ならびにステージ制御装置 |
| JP3825921B2 (ja) | 1998-07-23 | 2006-09-27 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP2000049066A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| US6252234B1 (en) * | 1998-08-14 | 2001-06-26 | Nikon Corporation | Reaction force isolation system for a planar motor |
| EP1143492A4 (en) | 1998-09-03 | 2004-06-02 | Nikon Corp | EXPOSURE APPARATUS AND METHOD, DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAID APPARATUS |
| US6690450B2 (en) * | 2000-01-31 | 2004-02-10 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, method for producing exposure apparatus, and method for producing device |
| US6621556B2 (en) | 2000-02-28 | 2003-09-16 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and manufacturing and adjusting methods thereof |
| JP4809987B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2011-11-09 | キヤノン株式会社 | 光学要素の支持構造、それを用いた露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| TW527526B (en) * | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| US6686991B1 (en) | 2000-11-06 | 2004-02-03 | Nikon Corporation | Wafer stage assembly, servo control system, and method for operating the same |
| US6958808B2 (en) * | 2000-11-16 | 2005-10-25 | Nikon Corporation | System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly |
| US6885430B2 (en) * | 2000-11-16 | 2005-04-26 | Nikon Corporation | System and method for resetting a reaction mass assembly of a stage assembly |
| US6646719B2 (en) * | 2001-01-31 | 2003-11-11 | Nikon Corporation | Support assembly for an exposure apparatus |
| JP2002252166A (ja) | 2001-02-27 | 2002-09-06 | Canon Inc | ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法ならびに移動案内方法 |
| JP2003059797A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-28 | Canon Inc | 移動装置、ステージ装置及び露光装置 |
| JP3870058B2 (ja) * | 2001-10-05 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | スキャン露光装置及び方法並びにデバイスの製造方法 |
| JP3963426B2 (ja) * | 2001-11-28 | 2007-08-22 | キヤノン株式会社 | ステージ装置および露光装置 |
| JP4011919B2 (ja) * | 2002-01-16 | 2007-11-21 | キヤノン株式会社 | 移動装置及び露光装置並びに半導体デバイスの製造方法 |
| US6784978B2 (en) * | 2002-03-12 | 2004-08-31 | Asml Holding N.V. | Method, system, and apparatus for management of reaction loads in a lithography system |
| JP5036259B2 (ja) * | 2006-09-14 | 2012-09-26 | キヤノン株式会社 | 除振装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
| US8164737B2 (en) * | 2007-10-23 | 2012-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having an active damping subassembly |
| NL2003266A1 (nl) * | 2008-08-11 | 2010-02-15 | Asml Holding Nv | Multi nozzle proximity sensor employing common sensing and nozzle shaping. |
| US10323713B2 (en) * | 2014-10-08 | 2019-06-18 | Herz Co., Ltd. | Antivibration device |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5040431A (en) * | 1988-01-22 | 1991-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Movement guiding mechanism |
| JP2728898B2 (ja) * | 1988-10-05 | 1998-03-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JPH02192710A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 描画装置 |
| US5280677A (en) * | 1990-05-17 | 1994-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Positioning mechanism |
| US5473410A (en) * | 1990-11-28 | 1995-12-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| NL9100202A (nl) * | 1991-02-05 | 1992-09-01 | Asm Lithography Bv | Lithografische inrichting met een hangende objecttafel. |
| JP3182158B2 (ja) * | 1991-02-25 | 2001-07-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置用のステージ支持装置 |
| NL9100407A (nl) * | 1991-03-07 | 1992-10-01 | Philips Nv | Optisch lithografische inrichting met een krachtgecompenseerd machinegestel. |
| NL9100421A (nl) * | 1991-03-08 | 1992-10-01 | Asm Lithography Bv | Ondersteuningsinrichting met een kantelbare objecttafel alsmede optisch lithografische inrichting voorzien van een dergelijke ondersteuningsinrichting. |
| US5477304A (en) * | 1992-10-22 | 1995-12-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
| JP2974535B2 (ja) * | 1993-03-11 | 1999-11-10 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置 |
| JP2862477B2 (ja) * | 1993-06-29 | 1999-03-03 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び該露光装置を用いてデバイスを製造する方法 |
| JP3282751B2 (ja) | 1993-07-14 | 2002-05-20 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置、及び該装置を用いる素子製造方法 |
| JP3226704B2 (ja) * | 1994-03-15 | 2001-11-05 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| JP3800616B2 (ja) * | 1994-06-27 | 2006-07-26 | 株式会社ニコン | 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置 |
| DE69608204T2 (de) * | 1995-05-30 | 2001-01-04 | Asm Lithography Bv | Lithographisches gerät mit einem sowie horizontal als auch vertikal justierbaren maskenhalter |
-
1996
- 1996-06-06 JP JP16512496A patent/JP3659529B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-02 US US08/867,355 patent/US5933215A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 EP EP97303781A patent/EP0811883B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 DE DE69739827T patent/DE69739827D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 TW TW086107632A patent/TW339456B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-06-03 EP EP00203428A patent/EP1069477B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 EP EP01203844A patent/EP1174768B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 DE DE69740012T patent/DE69740012D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 EP EP01203845A patent/EP1170633A1/en not_active Withdrawn
- 1997-06-03 DE DE69739621T patent/DE69739621D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 DE DE69712256T patent/DE69712256T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-03 EP EP01203848A patent/EP1170634B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-05 KR KR1019970023342A patent/KR100277111B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09326356A (ja) | 1997-12-16 |
| EP1174768A1 (en) | 2002-01-23 |
| US5933215A (en) | 1999-08-03 |
| KR100277111B1 (ko) | 2001-01-15 |
| KR980005338A (ko) | 1998-03-30 |
| EP1069477A3 (en) | 2001-01-24 |
| EP1170634A1 (en) | 2002-01-09 |
| TW339456B (en) | 1998-09-01 |
| EP1170634B1 (en) | 2010-03-31 |
| EP0811883B1 (en) | 2002-05-02 |
| EP0811883A2 (en) | 1997-12-10 |
| DE69739621D1 (de) | 2009-11-26 |
| EP0811883A3 (en) | 1998-12-16 |
| DE69739827D1 (de) | 2010-05-12 |
| DE69712256T2 (de) | 2002-10-17 |
| DE69740012D1 (de) | 2010-11-11 |
| EP1170633A1 (en) | 2002-01-09 |
| EP1069477B1 (en) | 2009-10-14 |
| EP1069477A2 (en) | 2001-01-17 |
| DE69712256D1 (de) | 2002-06-06 |
| EP1174768B1 (en) | 2010-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3659529B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3221823B2 (ja) | 投影露光装置およびこれを用いた露光方法ならびに半導体製造方法 | |
| JP3283767B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH10326747A (ja) | 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法、ならびにステージ装置 | |
| JPH1118406A (ja) | リニアモータとステージ装置及びこれを用いた走査型露光装置やデバイス製造方法 | |
| JP3869938B2 (ja) | ステージ装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| JP3907252B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法ならびにステージ装置および原点出し方法 | |
| JP3531894B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3286184B2 (ja) | 走査露光装置および方法 | |
| JPH10116877A (ja) | 面位置検出装置および方法、それを用いた露光方式、ならびにデバイス製造方法 | |
| JP3372782B2 (ja) | 走査ステージ装置および走査型露光装置 | |
| JPH1097987A (ja) | 走査型露光装置および方法 | |
| JP3984973B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH1092727A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3624057B2 (ja) | 露光装置 | |
| US6122059A (en) | Scanning exposure apparatus and device fabrication method in which multiple laser interferometers use a respective laser head | |
| JP2004297081A (ja) | 露光装置、デバイス製造方法およびステージ装置 | |
| JP3531895B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| JP3483403B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPH1070170A (ja) | 基板搬送装置 | |
| JPH1079340A (ja) | 走査型露光装置および方法 | |
| JPH1074684A (ja) | 走査型露光装置 | |
| JPH1083950A (ja) | 露光装置 | |
| JPH11260715A (ja) | 露光方法及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040301 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040331 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040528 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050309 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050311 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080325 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090325 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100325 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100325 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110325 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120325 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130325 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140325 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |