KR100277111B1 - 노광장치와 이것을 이용한 디바이스 제조방법 - Google Patents

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류이치 에비누마
카즈노리 이와모토
에이지 오사나이
히로아키 타케이시
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미다라이 후지오
캐논 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 원판의 패턴의 일부를 투영광학계에 의해 기판위에 투영하고, 상기 원판과 상기 기판은 상기 투영광학계에 대해 상대적으로 주사이동함으로써, 상기 원판의 패턴이 상기 기판에 전사되는 주사노광장치이다. 이 장치는 상기 원판을 지지하는 원판스테이지와, 이 원판스테이지를 지지하는 정반과, 댐퍼와 필러를 개재해서 3점에서 상기 정반을 지지하는 지지수단을 구비하고 있다. 이 세점은 대략 이등변삼각형을 형성하고, 또한 주사방향은 이등변삼각명의 이등변이 교차하는 점과 이등변삼각형의 중점(重心)을 연결하는 직선에 평행하다.

Description

노광장치와 이것을 이용한 디바이스 제조방법
본 발명은 반도체디바이스의 제조에 사용하는 노광장치에 관한 것으로서, 구제적으로는 설계패턴을 기판상에 석판인쇄하는 노광장치에 관한 것이다. 다른 측면에 의하면, 본 발명은 상기한 노광장치를 이용하는 디바이스제조방법에 관한 것이다.
이와 같은 노광장치로서는, 웨이퍼등의 기판을 단차 이동시키면서 기판상의 복수의 노광영역에 원판의 패턴을, 투영광학계를 개재해서, 차례로 노광하는 투영노광장치(스테퍼)및 투영광학계에 대해서 상대적으로 마스크등의 원판과 기판을 동기주사하면서 원판의 패턴을 기판상에 노광하는 주사형 노광장치가 있다.
또한, 최근, 예를 들면 미국특허 제5,473,304호, 제5,477,305호 및 제5,491,534호에 개시되어 있는 바와 같이, 보다 고정밀도의 미세한 패턴의 노광을 행하는 스텝·엔드·스캔형의 노광장치가 제안되어 있다. 이와 같은 노광장치에서는, 상기 단차이동과 주사노광을 반복함으로써 기판상의 복수의 영역에 고정밀도의 미세한 패턴의 노광을 행한다. 이와 같은 타입의 노광장치에서는 슬릿에 의해 제한해서 투영광학계의 광축에 비교적 가까운 부분만을 사용하고 있기 때문에 보다 고정밀도이고 넓은 화각을 가진 미세패턴의 노광이 가능하게 되어 있다.
그러나, 고정세한 노광을 요하는 상기 스텝·엔드·스캔형의 노광장치 또는 기타 노광장치에 있어서, 투영광학계의 성능을 충분히 이용해서 현저하게 노광정밀도를 향상시키기 위해서는 원판과 기판간의 위치적 정합성을 향상시켜야 한다.
그래서 본 발명의 목적은, 노광장치 및 디바이스제조에 있어서, 원판과 기판간의 위치적 정합성의 향상을 도모하기 위한 새로운 기술을 제공하는 데 있다.
구체적으로는, 본 발명의 제1목적은, 예를 들면 투영광학계, 원판, 기판등의 지지방법이나 기판의 주사방향과의 관계를 변경해서 주사노광시의 기판스테이지의 이동에 따른 지지수단의 변형을 제거하거나 감소시키는 데 있다.
본 발명의 제2목적은, 이와 같은 지지수단의 변형에 의한 투영광학계나 원판과 기판사이의 위치관계의 측정정밀도의 열화를 제거 또는 감소시켜서, 이같은 위치관계의 제어를 보다 고정밀도로 행할 수 있도록 하는 데에 있다.
본 발명의 제3목적은 기판스테이지의 이동에 따른 발열량을 감소시켜서 온도의 안정화를 도모함으로써 온도의 불균일이나 변동에 의한 노광정밀도의 열화를 제거하거나 감소시키는 데에 있다.
본 발명의 제4목적은 보다 간단한 구성에 의해 주사노광시의 기판의 주사방향으로의 이동을 보다 고정밀도로 행할 수 있도록 하는 데에 있다.
본 발명의 이들 및 다른 목적들, 특징 및 이점은 첨부도면과 관련한 본 발명의 바람직한 실시예의 다음 설명을 고려할 때 더 명백해질 것이다.
제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 노광장치의 측단면도.
제2도는 제1도의 노광장치의 사시도.
제3도는 장치를 위에서 보았을 때, 제1도의 장치의 댐퍼(지지필러), 주사노광시의 주사방향, 투영광학계 및 노광광간의 위치적 관계를 표시하는 도면.
제4도는 단차이동 및 주사노광시에 제1도의 장치의 X스테이지 및 Y스테이지의 이동속도의 시간적 변화의 일례를 표시하는 그래프.
제5도는 제1도의 장치의 스테이지정반의 지지점과 스테이지정반의 측정점과의 위치관계를 표시하는 도면.
제6도는 마이크로디바이스의 제조의 흐름을 표시하는 플로우차트.
제7도는 제6도의 순서에 포함된 웨이퍼프로세스의 상세한 흐름을 표시한 플로우차트.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 레티클스테이지 2 : 투영광학계
3 : X·Y스테이지 4 : 리니어모터
3a : X스테이지 3b : Y스테이지
6 : 리니어모터 7 : 스테이지정반
8 : 댐퍼 9 : 경통정반
10 : 베이스테이블 11 : 댐퍼
12 : 필러(pillar) 13 : 거리측정수단
18,19 : 중심(重心) 20 : 노광광의 단면
21 : 투광수단 22 : 수광수단
23 : 레이저간섭계 24 : 반작용력 수용기구
본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도면을 참조해서 설명한다. 제1도는 본 발명의 일실시예에 의한 노광장치의 개략측단면도이고, 제2도는 이 노광장치의 외관의 사시도이다. 이들 도면에 표시한 바와 같이, 본 실시예에 있어서, 본 발명은 레티클스테이지(1)상에 위치한 원판의 패턴의 일부를 X-Y스테이지(3)상에 위치한 웨이퍼위에 투영하는 스텝·앤드 스캔형 노광장치에 적용된다. 이 레티클 및 웨이퍼를 투영광학계(2)에 대해 상대적으로 Y방향으로 동기해서 이동(주사)함으로써 레티클(윈판)의 패턴을 웨이퍼(피노광기판)에 노광한다. 이와 같은 주사노광은 웨이퍼상의 복수영역에 반복해서 행해지며, 이를 위해서 주사노광과 함께 스텝이동이 행해진다.
레티클스테이지는 리니어모터(4)에 의해 Y방향으로 이동할 수 있다. X-Y스테이지(3)의 X스테이지(3a)는 리니어모터(5)에 의해 X방향으로 이동할 수 있으며, Y스테이지(3b)는 리니어모터(6)에 의해 Y방향으로 이동할 수 있다. 레티클 및 웨이퍼의 동기주사를 위해서 레티클스테이지(1)와 Y스테이지(3b)는 Y방향으로 일정한 속도비(예를 들면, 4:1)로 이동한다. 또한, X방향의 스텝이동은 X스테이지(3a)를 사용해서 행해진다.
X-Y스테이지(3)는 스테이지정반(7)상에 배치되며, 이 스테이지정반(7)은 3개의 댐퍼(8)를 개재해서 3점에서 베이스테이블(10)상에 지지된다. 레티클스테이지(1)와 투영광학계(2)는, 수쌍의 댐퍼(11)와 필러(12)로 이루어지는 지지수단을 개재해서 3점에서 베이스테이블상에 지지되는 경통정반(9)상에 장착된다 각 댐퍼(8)는 진동을 6축방향으로 능동적으로 억제하거나 차단하는 작용을 하는 능동댐퍼로 이루어진다. 그러나, 그 대신에 피동댐퍼를 사용할 수도 있으며, 또한 댐퍼의 사용없이 지지해도 된다.
제3도는 위에서 보았을 때, 댐퍼(11)(또는 필러(12)), 주사노광시의 주사방향, 투영광학계(2) 및 노광광사이의 위치관계를 설명하는 개략도이다. 이 도면에 표시된 바와 같이, 댐퍼(11)와 필러(12)에 의한 경통정반(9)의 3개의 지지점은 이등변삼각형을 구성한다. 주사방향(Y)은, 이 삼각형의 중심(18)과 이 삼각형의 이등변 사이의 교점을 연결하는 직선(17)과 평행하다. 또한 중심(18)은 투영광학계(2)의 중심(19)과 거의 일치하고 있다. 도면의 (20)은 슬릿형상으로 형성된 노광의 단면을 표시한다. 슬릿형상의 길이방향은 주사방향에 수직한 방향(X방향)에 해당한다. 3개의 댐퍼(11)중의 2개는 장치의 앞부분에 위치하며, 나머지 1개는 장치의 뒷부분에 위치한다. 웨이퍼의 장치로의 반입경로는 장치의 앞부분으로부터, 장치의 앞부분에 배치된 2개의 필러(12)사이에 형성되어 있다.
노광장치는 또한 3점에서 Z방향으로 경통정반(9)과 스테이지정반(7)사이의 거리를 측정하기 위한, 예를 들면 레이저간섭계 또는 마이크로엔코더등의 거리측정수단(13)을 포함한다. 제5도에 표시한 바와 같이, 스테이지정반(7)상의 3측정점(P)은 측정방향에 대해, 댐퍼(8)에 의한 3지지점에 의해 구성된 삼각형의 세 변의 연장선 상에 있다.
또한, 거리측정은, 이들 측정점에 있어서의 미리 측정할 수 있는 X-Y스테이지(3)의 이동으로 인한 스테이지정반의 변형의 크기를 고려해서 행하도록 해도 된다.
또한, 제1도 및 제2도에 표시한 바와 같이, 노광장치는 또한 연결부재(25) 및 레티클스테이지(1)의 주사이동(가속 또는 감속)의 결과로서 주사방향으로 발생한 반작용력을 수용하는 반작용력수용기구(24)를 장비하고 있다. 반작용력수용기구(24)는 경통정반(9)과는 독립적으로 베이스테이블에 의해 지지된다.
상기한 구성에 의하면, 웨이퍼는 장치의 앞부분의 2개의 필러(12)사이에 형성된 반송경로를 따라서 반송수단(도시생략)에 의해 반송되어 X-Y스테이지(3)에 공급된다. 소정의 위치맞춤이 완료된 후, 노광장치는 주사노광과 스텝이동이 되풀이되어, 레티클의 패턴이 웨이퍼상의 복수의 노광영역에 석판식으로 노광전사된다. 주사노광시, 레티클스테이지(1)와 Y스테이지(36)는 소정의 속도비로 Y방향(주사방향)으로 이동하며, 그에 의해 레티클의 패턴이 슬릿형상의 노광광으로 주사된다. 또한 웨이퍼는 그 투영상으로 주사되며, 그에 의해 레티클의 패턴이 웨이퍼상의 소정노광영역에 노광된다. 한 노광영역의 주사노광이 완료된 후, X스테이지(3a)는 X방향으로 이동하며 (웨이퍼스텝이동), 그에 의해 다른 노광영역이 주사노광개시위치에 대해 위치 결정된다. 그리고 그 노광영역의 주사노광이 행해진다. 웨이퍼의 복수노광영역의 순차적 노광을 X방향의 스텝이동과 Y방향의 주사노광이동의 조합에 의해 효율적으로 행하기 위해서, 예를 들면 노광영역의 배치 주사방향(Y방향의 정 또는 부) 및 노광영역의 노광순서가 미리 설정되어 있다.
주사노광시 레티클스테이지(1)가 이동함에 따라서 그 중심이 이동하므로 경통정반(9)의 경사 또는 변형상태가 변화한다. 그러나, 상기한 바와 같이, 경통정반(9)의 지지점은 이등변삼각형을 형성하며, 주사방향 Y는 직선(17)과 평행하다.
또한, 이등변삼각형의 중심은 투영광학계(2)의 중심과 일치한다. 따라서 레티클스테이지(1)의 중심은 거의 직선(17)을 통과한다. 그 결과, 레티클스테이지(1)의 이동으로 인한 경통정반(9)의 경사는 Y(Z)방향의 성분만으로 이루어진다. X방향에 대해서는 기울어지지 않는다. 또한, 경통정반(9)의 변형량은 직선(17)에 대해 대칭이다. 따라서, 이러한 변형으로도 노광광의 슬리브형상은 주사방향에 대해 여전히 수직이므로, Y방향으로 경사한다고 해도 단순히 웨이퍼의 위치를 Z방향으로 조정함으로써 경사의 영향을 제거할 수 있다. 한편 경통정반(9)이 X방향으로 경사진다면, 슬릿형상(20)은 X방향으로 뻗어있기 때문에 이러한 경사의 영향을 제거하기는 매우 어렵다.
또한, 경통정반(9)은 3점에서 지지되기 때문에 레티클스테이지(1)의 위치, 겅통정반의 각정에서의 변형량 및 지지점의 위치사이의 관계는 한정적으로 결정된다. 따라서 4점지지계에 비해서 변형에 관해서 양호한 재현성을 확보할 수 있다. 따라서 레티클스테이지(1)의 이동으로 인한 경통정반(9)의 변형을 고려하거나 보정하여야 할 경우 그것을 고정밀도로 행할 수 있다. 예를 들면, 제1도에 표시한 바와 같이 웨이퍼가 투영광학계(2)의 초점위치에 있는 지의 여부는 경통정반(9)에 고정된 투광수단(21)으로부터 웨이퍼에 경사방향으로 광을 조사해서, 그로부터 반사된 광의 위치를 수광수단(22)에 의해 검출함으로써 판별할 수 있다. 이와 같은 경우에 정확한 초점위치검출은 경통정반(9)의 정확한 변형량을 고려해서 행할 수 있다. 또한, X, Y θ 방향의 웨이퍼위치의 검출을 위한 레이저간섭계(23)에 의한 측정도 마찬가지로 경통정반(9)의 변형량을 고려해서 정확히 행할 수 있다.
또한, 주사노광시 또는 스텝이동시, 경통정반(9) 또는 스테이지정반은 레티클스테이지(1) 또는 X-Y스테이지(3)의 이동의 결과로서 기울어질 수도 있다. 만약 그렇게 된다면 그것을 보정할 필요가 있다. 이를 위해서, 거리측정수단(13)을 사응해서 경통정반(9)과 스테이지정반(7)사이의 거리를 그들 3지지점의 근방에서 측정해도 된다. 여기서, 스테이지정반(7)상의 측정점은, 그 측정방향에 대해서, 3지지점에 의해 구성된 삼각형의 각 정점과 이 정점에 인접만 변의 중점을 통과하는 직선상에 있다. 이들 측정점에서는, 레티클스테이지(1) 또는 X-Y스테이지(3)의 변형량이 적으므로 그것을 무시할 수 있어, 변형량을 고려하지 않고 측정을 행해도 된다.
한편, 그 변형량을 무시할 수 없다면, 이러한 변형량을 레티클스테이지(1) 또는 X-Y스테이지(3)의 위치에 대응시켜서 미리 측정해도 된다. 다음, 경통정반(9)과 스테이지정반(7)사이의 정확한 거리를 이와 같은 변형량을 고러해서 정확하게 측정할 수 있다. 이 경우에, 상술한 3점지지 때문에 변형의 재현성이 양호하므로 변형량을 정확하게 반영할 수 있다.
제4(a)도 및 (b)도는 각각 스텝이동 및 주사노광시에 X스테이지(3a) 및 Y스테이지(3b)의 이동속도의 시간에 따른 변화의 예를 설명하는 그래프이다. Y스테이지의 가속이 개시되면, 0.051초의 가속기간과 0.15초의 정정(整定)기간이 경과한 후, Y스테이지는 0.375초동안 100mm/sec의 일정한 속도로 이동한다. 이 일정한 속도로 이동하는 동안 노광이 행해진다. 이 노광기간 후 Y스테이지는 감속되고, 또한 X스테이지의 가속이 개시되어 스텝이동을 행한다. 스텝이동이 완료된 후, Y스테이지의 가속이 마찬가지방식으로 다시 개시된다. 이와 같이, X 및 Y스테이지의 이동이 반복되어, 레티클의 패턴이 웨이퍼상의 복수영역에 순차적으로 주사노광되어 간다.
지금 X스테이지가 30kg의 무게, Y스테이지가 60kg의 무게를 가지고 있고, 그리고 제4(a)도 및 (b)도에 표시한 바와 같은 가속 및 감속이 행해진다고 가정한다. 그 경우에, X 및 Y스테이지의 최대가속이 0.2G; 최고주사속도가 100mm/sec; 최고스텝이동속도가 350mm/sec; 정정기간이 0.15sec; 노광의 화각(각 노광영역에 있어서의 노광범위의 크기)이 32.5× 25(mm); 주사거리가 37.5(32.5+5)mm; X 및 Y 스테이지를 이동시키기 위한 리니어모터의 추력정수가 20N/A라고 하면, 주사이동 및 단차이동시의 가속 및 감속에서의 듀티Dy 및 Dx는 다음과 같다.
Dy=0.051× 2/1.006=0.101
Dx=0.179× 2/1.006=0.356
Y스테이지 및 X스테이지의 발열량Q1y 및 Q1x는:
Q1y={(60×9.8×0.2)/(20×2)}2×5×2×0.101=8.73[W]
Q1x={(30× 9.8× 0.2)/20}2×5×0.35=15.39[W]이다.
발열량의 합계는 24.12[W], 한편, X스테이지가 주사방향으로 이동하고, 스텝이동이 Y스테이지에 의해 행해진다면(잔여부분은 상술한 것과 마찬가지임), 그 경우의 X 및 Y스테이지의 발열량Q2y 및 Q2x는:
Q2x={(30× 9.8× 0.2)/20}2× 5× 0.101=4.37[W]
Q1y={(60× 9.8× 0.2)/(20× 2)}2× 5× 2× 0.356=30.77[W]
발열량의 합계는 35.14[W]이다. 따라서, 무거운 아래쪽의 Y스테이지를 듀티가 적은 주사동작에 사용함으로써 발열량을 감소시키는 것이 가능하다. 또한, 상술한 바와 같이, 가벼운 상부X스테이지의 이동방향을 주사방향에 수직한 방향으로 설정해서, 그 X스테이지를 사웅해서 레티클스테이지(1)에 있어서의 주사방향에 수직한 성분의 구동오차의 보정을 행함으로써(또는 그 오프셋조정동작을 행함으로써), 보정 등의 정밀도를 현저하게 향상시킬 수 있다. 따라서, 레티클스테이지(1)를 주사방향만의 이동을 위한 일방향구동수단만으로 구성하는 것도 가능하다.
본 실시예에 있어서, 상술한 바와 같이, 투영광학계와 원판을 위한 스테이지는 3점에서 댐퍼와 필러를 개재해서 지지되는 정반상에 배치되어 있다. 또한 이들 3점에 의해 구성된 삼각형의 중심과 투영광학계의 중심을 일치시키도록 했다. 이에 의해 원판스테이지의 이동에 기인하여 정반이 변형하는 것을 본래의 상태로 양호하게 재현할 수 있으므로, 변형의 영향을 정밀하게 제거하는 것이 가능하다. 또한, 원판 스테이지는 정반상에서 상기 삼각형의 이등변의 교점과 중심을 연결하는 직선과 평행하게 이동하기 때문에 이 정반의 경사 또는 변형에 의한 영향이 슬릿형상의 노광광의 슬릿방향에 크게 미치는 것을 방지한다. 이와 같은 경사 또는 변형은 주로 슬릿방향에 수직한 방향으로 생성된다. 따라서, 그 영향을 제거하는 것이 용이하다. 상기 삼각형의 3점중의 2개는 장치의 앞부분에 놓여도 되고, 나머지 1점은 장치의 뒷부분에 놓여도 되므로, 기판의 장치에의 반입은 상기 앞부분의 2점에 놓인 2개의 지지필러 사이에 그것을 통과시켜서 행해도 된다. 이에 의해 기판 반입의 경로가 용이하게 확보되고, 또한 공간을 유효하게 이용할 수 있게 된다.
또한, 기판스테이지가 설치되고, 3점에 의해 구성된 삼각형의 각 정점과 이에 인접하는 변의 중점을 통과하는 직선상에는 3점지지정반의 위치 또는 이에 대한 거리의 측정점이 놓이게 된다. 이에 의해 기판스테이지의 이동에 따른 정반의 변형이 작은 점을 측정점으로 해서 측정할 수 있게 된다. 따라서 고정밀도의 측정이 확보된다. 또한 이와 같은 측정은 미리 측정된, 기판의 이동으로 인한 정반의 변형량을 고려해서 행해도 된다. 또한 이것은 고정밀측정을 확보하는 데 유효하다.
또한, 스텝이동을 위해 기판을 주사방향에 수직인 방향으로 이동시키기 위한 제2스테이지가 동기주사를 위해 기판을 주사방향으로 이동시키기 위한 제1스테이지에 장착되기 때문에 기판스테이지의 이동으로 인한 발열량은 감소된다. 따라서, 온도안정성이 확보되므로 불균일한 온도 또는 온도변동으로 인한 노광정밀도의 열화를 제거할 수 있다. 또한 주사방향에 수직한 방향으로의 보정을 제2스테이지에 의해 행할 수 있기 때문에 원판스테이지를 일축방향만을 위한 구동수단을 가진 단순한 구조로 형성할 수 있다.
다음에 상술한 바와 같은 노광장치를 이용하는 디바이스제조방법의 일실시예를 설명한다.
제6도는, 예를 들면 반도체칩(IC 또는 LSI등), 액정패널, CCD, 박막자기헤드 또는 마이크로머신 등의 마이크로디바이스의 제조순서의 플로우차트이다. 스텝 1은 반도체디바이스의 회로를 설계하는 설계공정이다. 스텝 2는 회로패턴설계에 의거하여 마스크를 제작하는 공정이다. 스텝 3은 실리콘 등의 재료를 사용해서 웨이퍼를 제조하는 공정이다. 스텝 4는 이렇게 준비된 마스크 및 웨이퍼를 사용해서 리소그래피기술에 의해 웨이퍼상에 실제로 회로를 형성하는, 전공정이라 불리우는 웨이퍼프로세스이다. 이 다음의 스텝 5는 스텝 4에 의해 처리된 웨이퍼가 반도체칩으로 형성되는, 후공정이라 불리는 조립스텝이다. 이 스텝은 조립(다이싱 및 본딩)공정과 포장(칩봉입)공정을 포함한다. 스텝 6은 스텝 5에 의해 제조된 반도제디바이스의 작동테스트, 내구성테스트등이 행해지는 검사스텝이다. 이들 공정에 의하여 반도체디바이스가 완성되어, 출하된다(스텝 7).
제7도는 웨이퍼프로세스의 상세를 표시하는 플로우차트이다. 스텝 11은 웨이퍼의 표면을 산화하는 산화공정이다. 스텝 12는 웨이퍼표면에 절연막을 형성하는 CVD공정이다. 스텝 13은 증착에 의해 웨이퍼에 전극을 형성하는 전극형성공정이다. 스텝 14는 웨이퍼에 이온을 주입하는 이온주입공정이다. 스텝 15는 웨이퍼에 레지스트(감광제)를 도포하는 레지스트공정이다. 스텝 16은 상술한 노광장치에의해 웨이퍼상에 마스크의 회로패턴을 노광에 의해 프린트하는 노광공정이다. 스텝 17은 노광된 웨이퍼를 현상하는 현상공정이다. 스텝 18은 현상된 레지스트상이외의 부분을 제거하는 에칭공정이다. 스텝 19는 에칭공정후에 웨이퍼에 잔류하는 레지스트재료를 박리하는 레지스트박리공정이다. 이들 공정을 반복함으로써 웨이퍼상에 회로패턴이 중첩해서 형성된다.
본 발명을 여기에 기재된 구조를 참조해서 설명했지만, 여기에 기재된 상세사항에 한정된 것은 아니며, 본 출원인은 개량의 목적 또는 다음 특허청구의 범위내에 들어가는 변형 또는 변경을 커버하려고 하였다.

Claims (17)

  1. 원판의 패턴의 일부가 투영광학계를 개재해서 기판에 투영되고, 원판과 기판이 투영광학계에 대해 상대적으로 주사이동함으로써, 원판의 패턴이 상기 기판 위에 전사되는 주사형 노광장치로서, 원판을 지지하는 윈판스테이지와; 윈판스테이지를 지지하는 정반과; 댐버수단과 필러수단(pillar oneans)을 개재하여 3점에서 상기 정반을 지지하는 지지수단을 구비하고, 3점은 대략 이등변삼각형을 형성하고, 주사방향은 이등변삼각형의 이등변의 교자점과 이등변삼각형의 중심(重心)을 연결하는 직선에 평행한 것을 특징으로 하는 주사형노광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정반은 상기 투영광학계 및 상기 원판스테이지를 지지하는 것을 특징으로 하는 주사형노광장치.
  3. 제1항에 있어서, 이등변 삼각형의 중심은 상기 투영광학계의 중심과 대략 일치하는 것을 특징으로 하는 주사형노광장치.
  4. 제1항에 있어서, 세점중에서 두점은 상기 주사형노광장치의 앞부분에 위치하고, 나머지 한점은 상기 주사형노광장치의 뒷부분에 위치하고, 또한 상기 주사형노광장치에 기판을 반입하는 경로는 상기 장치의 앞부분의 상기 두점에 배치된 상기 필러수단의 두 개의 필러부재 사이에 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 주사형노광장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 원판스테이지의 주사이동으로부터 초래되는 반작용력을 수용하고 또한 상기 베이스로부터 분리지지된 반작용력 수용기구를 부가하여 구비한 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  6. 원판의 패턴의 일부가 투영광학계를 개재해서 기판에 투영되고, 윈판과 기판이 투영광학계에 대해 상대적으로 주사이동함으로써, 원판의 패턴이 상기 기판에 전사되는 주사형 노광장치로서, 원판을 지지하는 원판스테이지와; 원판스테이지를 지지하는 제1정반과; 제1댐퍼수단과 필러수단을 개재하여 세점에서 상기 제1정반을 지지하는 지지수단과; 상기 기판을 지지하고 이동하는 기판스테이지와; 상기 제1정반과는 상이하고, 상기 기판스테이지를 지지하는 제2정반과; 3점에서 상기 제2정반을 지지하는 제2댐퍼수단과; 상기 제2정반과 상기 제1정반 사이의 위치관계를 측정하는 측정수단을 구비한 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 측정수단은 세 개의 측정점에서 상기 제2정반과 상기 제1정반 사이의 거리를 측정하는 것을 특징으로 하는 주사형노광장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2정반위에서 상기 측정수단의 3개의 측정점의 각각은 3점에 의해 형성된 삼각형의 해당변의 연장에 대응하는 직선위에 있는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 측정수단은, 상기 제2정반위의 측정점에서, 미리 측정된 상기 기판 스테이지의 이동으로부터 초래되는 상기 제2정반의 변형량을 고려하면서, 측정을 행하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  10. 원판의 패턴의 일부가 투영광학계를 개재하여 기판에 투영되고, 원판과 기판이 투영광학계에 대해 상대적으로 주사이동함으로써, 원판의 패턴이 기판에 전사되는 주사형노광장치로서, 원판을 지지하는 원판스테이지와; 상기 원판스테이지를 지지하는 정반과; 댐퍼수단과 필러수단을 개재하여 세점에서 상기 정반을 지지하는 지지수단과; 기판을 주사하기 위하여 주사방향으로 기판을 이동하는 제1스테이지와; 제2스테이지를 단차적으로 이동하기 위하여 주사방향에 수직인 방향으로 기판을 이동하는 제2스테이지를 구비 하고, 상기 제2스테이지는, 기판을 유지하고 또한 상기 제1스테이지에 의해 주사방향으로 이동되는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  11. 원판을 유지하는 원판스테이지와, 원판스테이지를 지지하는 정반과, 3점이 대략 이등변삼각형을 형성하고 주사방향이 이등변삼각형의 이등변의 교자점과 이등변 삼각형의 중심을 연결하는 직선에 평행하고, 댐퍼수단과 필러수단을 개재하여 상기 3점에서 정반을 지지하는 지지수단을 포함하는 노광장치를 제공하는 단계와; 노광장치를 사용하여 원판 위에 형성된 패턴을 기판 위에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스제조방법.
  12. 원판의 패턴의 일부가 투영광학계를 개재해서 기판 위에 투영되고, 원판과 기판이 투영광학계에 대해 상대적으로 주사이동함으로써, 원판의 패턴이 상기 기판위에 전사되는 주사형 노광장치로서, 상기 투영광학계를 지지하는 정반과; 댐퍼수단과 필러수단을 개재하여, 세점에서 상기 정반을 지지하는 지지수단을 구비하고, 세점은, 위에서 볼 때, 삼각형의 중심과 투영광학계의 중심이 대략 일치하는 삼각형을 형성하는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  13. 원판의 패턴의 일부가 투영광학계를 개재해서 기판위에 투영되고, 원판과 기판이 투영광학계에 대해 상대적으로 주사이동함으로써, 원판의 패턴이 상기 기판위에 전사되는 주사형 노광장치로서, 상기 투영광학계를 지지하는 정반과; 댐퍼수단과 필러수단을 개재하여 세점에서 상기 정반을 지지하는 지지수단을 구비하고, 세점 중에서 두점은 상기 주사형 노광장치의 한쪽에 대면하고, 나머지의 한 점은 상기 주사형 노광장치의 다른 쪽에 대면하고, 상기 주사형 노광장치에 기판을 반입하는 통로는, 상기 주사노광장치의 앞부분의 두점에 배치된 상기 필러수단의 필러부재 사이에 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 주사형 노광장치.
  14. 원판의 패턴의 일부가 투영광학계를 개재해서 기판위에 투영되고, 원판과 기판이 투영광학계에 대해 상대적으로 주사이동함으로써, 원판의 패턴이 기판위에 전사되는 주사노광방법으로서, 원판을 원판스테이지로 지지하는 단계와; 원판스테이지를 제1정반으로 지지하는 단계와; 지지수단, 제1댐퍼수단 및 필러수단을 개재하여 3점에서 제1정반을 지지하는 단계와; 기판 스테이지에 의해 기판을 고정하여 이동하는 단계와; 제1정반과는 상이한 제2정반에 의해 기판 스테이지를 지지하는 단계와; 제2댐퍼수단으로 세점에서 제2정반을 지지하는 단계와; 측정수단을 사용하여 제2정반과 제1정반 사이의 위치관계를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  15. 원판의 패턴의 일부가 투영광학계를 개재하여 기판 위에 투영되고 원판과 기판이 투영광학계에 대해 상대적으로 주사이동함으로써, 원판의 패턴이 기판위에 전사되는 주사노광방법으로서, 원판을 원판스테이지로 지지하는 단계와; 원판스테이지를 정반으로 지지하는 단계와, 지지수단, 댐퍼수단 및 필러수단을 개재하여 세점에서 정반을 지지하는 단계와; 기판을 주사하기 위하여 제1스테이지에 의해 주사방향으로 기판을 이동하는 단계와; 기판을 유지하고 또한 제1스테이지에 의해 주사방향으로 이동하는 제2스테이지에 의해, 기판을 단차이동하기 위하여, 주사방향에 수직인 방향으로 기판을 이동하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  16. 원판의 패턴의 일부가 투영광학계를 개재하여 기판위에 투영되고, 원판과 기판이 투영광학계에 대해 상대적으로 주사이동함으로써, 윈판의 패턴이 기판위에 전사되는 주사노광방법으로서, 베이스에 의해 투영광학계를 지지하는 단계와; 위에서 볼 때 삼각형의 중심(重心)이 광학계의 중심과 대략 일치하는 삼각형을 형성하는 세 위치에서, 지지수단, 댐퍼수단 및 필러수단을 개재하여, 정반을 지지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
  17. 투영노광장치를 사용하여, 원판의 패턴의 일부가 투영광학계를 개재하여 기판위에 투영되고, 원판과 기판이 투영광학계에 대해 상대적으로 주사이동함으로써, 원판의 패턴이 기판위에 전사되는 주사노광방법으로서, 정반에 의해 투영광학계를 지지하는 단계와; 세점 중에서 두점은 투영노광장치의 한쪽에 대면하고 나머지 만점은 투영노광장치의 다른쪽에 대면하고 투영노광장치에 기판을 반입하는 통로는 투영노광장치의 앞부분의 두점에 배치된 필러수단의 필러부재 사이에 연장되고, 상기 세점 위치에서 정반을 지지하는 단계를 포맘하는 것을 특징으로 하는 주사노광방법.
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