JPH10335242A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents
露光装置及び露光方法Info
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- JPH10335242A JPH10335242A JP9160621A JP16062197A JPH10335242A JP H10335242 A JPH10335242 A JP H10335242A JP 9160621 A JP9160621 A JP 9160621A JP 16062197 A JP16062197 A JP 16062197A JP H10335242 A JPH10335242 A JP H10335242A
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- projection optical
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- projection
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスクのパターンの描画誤差を補正してマス
クパターンを被露光基板上に投影露光する。 【解決手段】 複数のセンサ（３２1 〜３２8 ）によ
り、マスク１３上のパターンＤＰの近傍にパターンと同
時に形成された第２マークの投影光学系（２５1 〜２５
7 ）によるマーク板２８上への投影像と、該投影像に対
応するマーク板２８上の第１マークとの相対位置関係が
検出される。制御系では、各センサ（３２1〜３２8 ）
により検出された各相対位置関係に基づいて、各第２マ
ークの投影像が、対応する第１マークに対して所定の位
置関係になるように調整機構２６を制御する。この場
合、第２マークがパターンと同時にマスク１３に形成さ
れているので、調整機構２６が制御された状態でマスク
上のパターンが基板１４上に投影露光されると、結果的
にパターンの描画誤差を補正した状態で投影露光が行わ
れる。
クパターンを被露光基板上に投影露光する。 【解決手段】 複数のセンサ（３２1 〜３２8 ）によ
り、マスク１３上のパターンＤＰの近傍にパターンと同
時に形成された第２マークの投影光学系（２５1 〜２５
7 ）によるマーク板２８上への投影像と、該投影像に対
応するマーク板２８上の第１マークとの相対位置関係が
検出される。制御系では、各センサ（３２1〜３２8 ）
により検出された各相対位置関係に基づいて、各第２マ
ークの投影像が、対応する第１マークに対して所定の位
置関係になるように調整機構２６を制御する。この場
合、第２マークがパターンと同時にマスク１３に形成さ
れているので、調整機構２６が制御された状態でマスク
上のパターンが基板１４上に投影露光されると、結果的
にパターンの描画誤差を補正した状態で投影露光が行わ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置及び露光方
法に係り、更に詳しくは液晶表示素子、半導体素子等の
製造に際し、リソグラフィ工程で用いられるマスク上の
パターンを投影光学系を介して被露光基板上に投影露光
する露光装置及び露光方法に関する。本発明は、例えば
大型マスクを用いた一括走査型露光装置に適用して好適
なものである。
法に係り、更に詳しくは液晶表示素子、半導体素子等の
製造に際し、リソグラフィ工程で用いられるマスク上の
パターンを投影光学系を介して被露光基板上に投影露光
する露光装置及び露光方法に関する。本発明は、例えば
大型マスクを用いた一括走査型露光装置に適用して好適
なものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、パソナルコンピュータ、ワープ
ロ、テレビ等の表示素子として液晶を用いた表示パネル
が多用されるようになってきている。また、年々、液晶
表示素子の表示範囲拡大がユーザーの間で望まれるよう
になっており、これに対応すべく、表示素子の拡大を図
ろうという要望が、各表示素子メーカから聞かれるよう
になった。
ロ、テレビ等の表示素子として液晶を用いた表示パネル
が多用されるようになってきている。また、年々、液晶
表示素子の表示範囲拡大がユーザーの間で望まれるよう
になっており、これに対応すべく、表示素子の拡大を図
ろうという要望が、各表示素子メーカから聞かれるよう
になった。
【０００３】ところで、液晶表示素子は、ガラス基板上
に透明なＩＴＯ薄膜電極と液晶分子配向素子を形成し、
その外周部を封着材で気密に封着された構造となってい
る。また、前記ガラス基板上に形成される透明なＩＴＯ
薄膜電極等は、リソグラフィ工程において転写露光等に
よりパターンニングされ、必要な形状、精度を得てい
る。
に透明なＩＴＯ薄膜電極と液晶分子配向素子を形成し、
その外周部を封着材で気密に封着された構造となってい
る。また、前記ガラス基板上に形成される透明なＩＴＯ
薄膜電極等は、リソグラフィ工程において転写露光等に
よりパターンニングされ、必要な形状、精度を得てい
る。
【０００４】従来より、この種の液晶表示回路（ＩＴＯ
薄膜電極等）の製造装置として、ステッパーと呼ばれる
フォトリソグラフィ装置が使用されており、マスク（又
はレチクル）上の分割された所望のパターンをいわゆる
ステップ・アンド・リピート方式により、ガラス基板上
で継ぎ合せることがなされていた。この他、大形のマス
ク上に形成された所望のパターンをミラープロジェクシ
ョンタイプのアライナーでスキャン露光することによっ
ても、液晶表示回路のパターンニングがなされていた。
薄膜電極等）の製造装置として、ステッパーと呼ばれる
フォトリソグラフィ装置が使用されており、マスク（又
はレチクル）上の分割された所望のパターンをいわゆる
ステップ・アンド・リピート方式により、ガラス基板上
で継ぎ合せることがなされていた。この他、大形のマス
ク上に形成された所望のパターンをミラープロジェクシ
ョンタイプのアライナーでスキャン露光することによっ
ても、液晶表示回路のパターンニングがなされていた。
【０００５】しかしながら、最近になって、さらなる液
晶表示領域の拡大が望まれるようになったことに伴い、
上記のステップ・アンド・リピート方式では、ショット
領域の増加によりスループットが十分でないという問題
が生じ、また、上記のミラープロジェクションタイプの
アライナーでは、大型化するマスク領域をカバーするだ
けの大形のミラーの製造の困難性と装置の大型化が問題
となってきた。
晶表示領域の拡大が望まれるようになったことに伴い、
上記のステップ・アンド・リピート方式では、ショット
領域の増加によりスループットが十分でないという問題
が生じ、また、上記のミラープロジェクションタイプの
アライナーでは、大型化するマスク領域をカバーするだ
けの大形のミラーの製造の困難性と装置の大型化が問題
となってきた。
【０００６】本願出願人は、かかる問題を改善すべく、
複数の投影光学系を用い、この複数の投影光学系に対し
てマスクと感光基板を同期走査することにより、スルー
プットを低下させずに且つ装置をそれほど大型化させる
ことなく、ガラス基板上の大面積の露光領域に大型マス
クの回路パターンを転写可能な走査型露光装置を先に提
案した（特開平７−５７９８６号公報等参照）。
複数の投影光学系を用い、この複数の投影光学系に対し
てマスクと感光基板を同期走査することにより、スルー
プットを低下させずに且つ装置をそれほど大型化させる
ことなく、ガラス基板上の大面積の露光領域に大型マス
クの回路パターンを転写可能な走査型露光装置を先に提
案した（特開平７−５７９８６号公報等参照）。
【０００７】図９には、従来の走査型露光装置の一例が
概略的に示されている。この図９において、断面略Ｕ字
状のキャリッジ１１２上には、マスクテーブル１２２及
びプレートテーブル１２３が相互に対向した姿勢で鉛直
に保持されている。また、テーブル１２２、１２３に
は、マスク１１３、プレート１１４がそれぞれ保持され
ている。マスクテーブル１２２の一端部には、マスク側
基準マーク板１３０が固定されており、プレートテーブ
ル１２３の一端部には、マスク側基準マーク板１３０に
対向してプレート側基準マーク板１２８が固定されてい
る。この状態で、キャリッジ１１２が矢印Ａ方向に移動
することにより、照明系１１７及び投影光学系ブロック
１１８に対してマスク１１３とプレート１１４とが一体
的に走査され、照明系１１７からの露光光によりマスク
１１３に形成されたパターンが投影光学系ブロックを構
成する各投影光学系を介してプレート１１４上に露光転
写されるようになっている。この図９において、符号１
２４ａ〜１２４ｃは、マスクテーブルの面内位置を制御
するアクチュエータを示す。
概略的に示されている。この図９において、断面略Ｕ字
状のキャリッジ１１２上には、マスクテーブル１２２及
びプレートテーブル１２３が相互に対向した姿勢で鉛直
に保持されている。また、テーブル１２２、１２３に
は、マスク１１３、プレート１１４がそれぞれ保持され
ている。マスクテーブル１２２の一端部には、マスク側
基準マーク板１３０が固定されており、プレートテーブ
ル１２３の一端部には、マスク側基準マーク板１３０に
対向してプレート側基準マーク板１２８が固定されてい
る。この状態で、キャリッジ１１２が矢印Ａ方向に移動
することにより、照明系１１７及び投影光学系ブロック
１１８に対してマスク１１３とプレート１１４とが一体
的に走査され、照明系１１７からの露光光によりマスク
１１３に形成されたパターンが投影光学系ブロックを構
成する各投影光学系を介してプレート１１４上に露光転
写されるようになっている。この図９において、符号１
２４ａ〜１２４ｃは、マスクテーブルの面内位置を制御
するアクチュエータを示す。
【０００８】図１０には、図９の走査型露光装置を構成
する投影光学系ブロックの構成が示されている。この投
影光学系ブロックは、７つの投影光学系としての光学モ
ジュール１２５1 〜１２５7 から成る。各光学モジュー
ル１２５は、それぞれ台形の露光フィールドを有し、マ
スク１１３上のパターンを分割し、プレート１１４上に
転写する。また、各光学モジュール１２５は、転写像の
位置を調整するための機構１２６を有している。光学モ
ジュール１２５1 〜１２５4 によって投影される台形領
域ＰＡ1 〜ＰＡ4 と、光学モジュール１２５5 〜１２５
7 によって投影される台形領域ＰＡ5 〜ＰＡ7 とが走査
方向に所定間隔で走査方向に直交する方向（非走査方
向）に並び、かつ隣合う台形領域同士（例えば、ＰＡ1
とＰＡ5 、ＰＡ5 とＰＡ2 ）の端部同士（図１１中に破
線で示される部分）が、非走査方向に所定量オーバーラ
ップするように、光学モジュール１２５1 〜１２５7 は
千鳥状に配置されている。
する投影光学系ブロックの構成が示されている。この投
影光学系ブロックは、７つの投影光学系としての光学モ
ジュール１２５1 〜１２５7 から成る。各光学モジュー
ル１２５は、それぞれ台形の露光フィールドを有し、マ
スク１１３上のパターンを分割し、プレート１１４上に
転写する。また、各光学モジュール１２５は、転写像の
位置を調整するための機構１２６を有している。光学モ
ジュール１２５1 〜１２５4 によって投影される台形領
域ＰＡ1 〜ＰＡ4 と、光学モジュール１２５5 〜１２５
7 によって投影される台形領域ＰＡ5 〜ＰＡ7 とが走査
方向に所定間隔で走査方向に直交する方向（非走査方
向）に並び、かつ隣合う台形領域同士（例えば、ＰＡ1
とＰＡ5 、ＰＡ5 とＰＡ2 ）の端部同士（図１１中に破
線で示される部分）が、非走査方向に所定量オーバーラ
ップするように、光学モジュール１２５1 〜１２５7 は
千鳥状に配置されている。
【０００９】マスク側基準マーク板１３０、プレート側
基準マーク板１２８には、図１１に示されるように、マ
ーク同士が互いに重なるように精度良くマスク側基準マ
ークＭ1 〜Ｍ8 、プレート側基準マークＰ1 〜Ｐ8 がそ
れぞれ形成され、これらのマークが台形領域のオーバー
ラップ部に対応するように配置されている。
基準マーク板１２８には、図１１に示されるように、マ
ーク同士が互いに重なるように精度良くマスク側基準マ
ークＭ1 〜Ｍ8 、プレート側基準マークＰ1 〜Ｐ8 がそ
れぞれ形成され、これらのマークが台形領域のオーバー
ラップ部に対応するように配置されている。
【００１０】図１２には、基準マークＭ1 〜Ｍ8 、Ｐ1
〜Ｐ8 を用いた投影光学系としての光学モジュール１２
５1 〜１２５7 のキャリブレーション（較正）の様子が
示されている。この図１２に示されるように、マスク側
基準マークＭ1 〜Ｍ8 を光学モジュール１２５1 〜１２
５7 によりプレート側基準マークＰ1 〜Ｐ8 上に投影す
る。この場合、基準マークＭ1 〜Ｍ8 と基準マークＰ1
〜Ｐ8 とは互いに重なるように精度良く作ってあるの
で、マーク同士が重ならない場合は光学モジュールによ
るディストーションが原因と考えられる。そこで、例え
ば光学モジュール１２５1 により投影されるマーク
Ｍ1 、Ｍ2 と、プレート側の基準マークＰ1 、Ｐ2 との
相対位置をセンサ（ＴＶカメラなど）１３２により光電
検出し、マークＭ1 の像とマークＰ1 との位置ずれ量
（ｄｘ1 ，ｄｙ1 ）、マークＭ2 の像とマークＰ2 との
位置ずれ量（ｄｘ2 ，ｄｙ2 ）を求め、それぞれの位置
ずれ量が０になるように、光学モジュール１２５1 の調
整機構１２６を調整する。同様に、相互に対応するマス
ク側基準マーク（Ｍ3 〜Ｍ8 ）とプレート側基準マーク
（Ｐ3 〜Ｐ8 ）がすべて重なるように光学モジュール１
２５2 〜１２５7 の調整を行う。なお、光学モジュール
１２５5 ，１２５6 ，１２５7 の調整は、基準マークが
該光学モジュール１２５5 ，１２５6 ，１２５7 の露光
フィールドに入るようキャリッジ１１２を移動して行な
えばよい。以上により、７つの光学モジュールはマスク
１１３上のパターンがプレート１１４上に正確に１：１
で転写できるように調整することができる。
〜Ｐ8 を用いた投影光学系としての光学モジュール１２
５1 〜１２５7 のキャリブレーション（較正）の様子が
示されている。この図１２に示されるように、マスク側
基準マークＭ1 〜Ｍ8 を光学モジュール１２５1 〜１２
５7 によりプレート側基準マークＰ1 〜Ｐ8 上に投影す
る。この場合、基準マークＭ1 〜Ｍ8 と基準マークＰ1
〜Ｐ8 とは互いに重なるように精度良く作ってあるの
で、マーク同士が重ならない場合は光学モジュールによ
るディストーションが原因と考えられる。そこで、例え
ば光学モジュール１２５1 により投影されるマーク
Ｍ1 、Ｍ2 と、プレート側の基準マークＰ1 、Ｐ2 との
相対位置をセンサ（ＴＶカメラなど）１３２により光電
検出し、マークＭ1 の像とマークＰ1 との位置ずれ量
（ｄｘ1 ，ｄｙ1 ）、マークＭ2 の像とマークＰ2 との
位置ずれ量（ｄｘ2 ，ｄｙ2 ）を求め、それぞれの位置
ずれ量が０になるように、光学モジュール１２５1 の調
整機構１２６を調整する。同様に、相互に対応するマス
ク側基準マーク（Ｍ3 〜Ｍ8 ）とプレート側基準マーク
（Ｐ3 〜Ｐ8 ）がすべて重なるように光学モジュール１
２５2 〜１２５7 の調整を行う。なお、光学モジュール
１２５5 ，１２５6 ，１２５7 の調整は、基準マークが
該光学モジュール１２５5 ，１２５6 ，１２５7 の露光
フィールドに入るようキャリッジ１１２を移動して行な
えばよい。以上により、７つの光学モジュールはマスク
１１３上のパターンがプレート１１４上に正確に１：１
で転写できるように調整することができる。
【００１１】このように、従来の走査型露光装置では、
マスク側基準マーク板（各基準マークの配置を含む）と
プレート側基準マーク板（各基準マークの配置を含む）
を精確に製作する（マーク位置の誤差をオフセット管理
してもよい）ことで、マスク上のパターンを正確にプレ
ート上に転写できるように投影光学系（光学モジュー
ル）の結像特性を較正（キャリブレーション）すること
ができる。
マスク側基準マーク板（各基準マークの配置を含む）と
プレート側基準マーク板（各基準マークの配置を含む）
を精確に製作する（マーク位置の誤差をオフセット管理
してもよい）ことで、マスク上のパターンを正確にプレ
ート上に転写できるように投影光学系（光学モジュー
ル）の結像特性を較正（キャリブレーション）すること
ができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術にあっては、マスク側基準マーク板上のマス
ク側基準マークとプレート側基準マーク板上のプレート
側基準マークとを用いて投影光学系のキャリブレーショ
ンが行われていたことから、例えば、図１３中に実線で
示されるように、マスク上のパターンそのものに設計値
（図１３中の点線参照）に対する位置誤差（描画誤差）
があった場合には、これを補正することができず、プレ
ート上には実際のマスクパターンがもつ誤差を含んでパ
ターンが転写されてしまうという不都合があった。この
場合において、大型マスクの寸法誤差は大きく、±１μ
ｍにもなる。
た従来技術にあっては、マスク側基準マーク板上のマス
ク側基準マークとプレート側基準マーク板上のプレート
側基準マークとを用いて投影光学系のキャリブレーショ
ンが行われていたことから、例えば、図１３中に実線で
示されるように、マスク上のパターンそのものに設計値
（図１３中の点線参照）に対する位置誤差（描画誤差）
があった場合には、これを補正することができず、プレ
ート上には実際のマスクパターンがもつ誤差を含んでパ
ターンが転写されてしまうという不都合があった。この
場合において、大型マスクの寸法誤差は大きく、±１μ
ｍにもなる。
【００１３】本発明は、かかる事情の下になされたもの
で、請求項１ないし３に記載の発明の目的は、マスクの
パターンの描画誤差を補正してマスクパターンを被露光
基板上に投影露光することができる露光装置を提供する
ことにある。
で、請求項１ないし３に記載の発明の目的は、マスクの
パターンの描画誤差を補正してマスクパターンを被露光
基板上に投影露光することができる露光装置を提供する
ことにある。
【００１４】また、請求項４に記載の発明の目的は、マ
スクのパターンの描画誤差を補正してマスクパターンを
被露光基板上に投影露光することができる露光方法を提
供することにある。
スクのパターンの描画誤差を補正してマスクパターンを
被露光基板上に投影露光することができる露光方法を提
供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、マスク（１３）上のパターンを少なくとも１つの投
影光学系（２５1 〜２５7 ）を介して被露光基板（１
４）上に投影露光する露光装置であって、前記被露光基
板（１４）を保持するとともに、所定方向に沿って配置
された複数の第１基準マーク（Ｐ1 〜Ｐ8 ）を備えた基
板ステージ（１５Ａ）と；前記パターンと同時に前記マ
スク（１３）に形成された第２基準マーク（Ｍ1 〜
Ｍ8 ）が前記第１基準マーク（Ｐ1 〜Ｐ8 ）に対応する
ように、前記マスク（１３）を保持するマスクステージ
（１５Ｂ）と；前記投影光学系（２５1 〜２５7 ）に設
けられ、前記第２基準マーク（Ｍ1 〜Ｍ8 ）及び前記パ
ターンの前記投影光学系（２５1 〜２５7 ）による投影
像の位置を調整する調整機構（２６）と；前記各第２基
準マークの前記投影光学系による前記基板ステージ（１
５Ａ）上への投影像と、該投影像に対応する前記第１基
準マーク（Ｐ1 〜Ｐ8 ）との相対位置関係を検出する複
数のセンサ（３２1 〜３２8 ）と；前記各センサにより
検出された前記各相対位置関係に基づいて、前記各第２
基準マークの投影像が、前記各第２基準マークの投影像
に対応する前記第１基準マークに対して所定の位置関係
になるように前記調整機構を制御する制御装置（３６）
とを有する。
は、マスク（１３）上のパターンを少なくとも１つの投
影光学系（２５1 〜２５7 ）を介して被露光基板（１
４）上に投影露光する露光装置であって、前記被露光基
板（１４）を保持するとともに、所定方向に沿って配置
された複数の第１基準マーク（Ｐ1 〜Ｐ8 ）を備えた基
板ステージ（１５Ａ）と；前記パターンと同時に前記マ
スク（１３）に形成された第２基準マーク（Ｍ1 〜
Ｍ8 ）が前記第１基準マーク（Ｐ1 〜Ｐ8 ）に対応する
ように、前記マスク（１３）を保持するマスクステージ
（１５Ｂ）と；前記投影光学系（２５1 〜２５7 ）に設
けられ、前記第２基準マーク（Ｍ1 〜Ｍ8 ）及び前記パ
ターンの前記投影光学系（２５1 〜２５7 ）による投影
像の位置を調整する調整機構（２６）と；前記各第２基
準マークの前記投影光学系による前記基板ステージ（１
５Ａ）上への投影像と、該投影像に対応する前記第１基
準マーク（Ｐ1 〜Ｐ8 ）との相対位置関係を検出する複
数のセンサ（３２1 〜３２8 ）と；前記各センサにより
検出された前記各相対位置関係に基づいて、前記各第２
基準マークの投影像が、前記各第２基準マークの投影像
に対応する前記第１基準マークに対して所定の位置関係
になるように前記調整機構を制御する制御装置（３６）
とを有する。
【００１６】これによれば、複数のセンサにより各第２
基準マークの投影光学系による基板ステージ上への投影
像と、該投影像に対応する第１基準マークとの相対位置
関係が検出されると、制御系では各センサにより検出さ
れた各相対位置関係に基づいて、各第２基準マークの投
影像が、各第２基準マークの投影像に対応する第１基準
マークに対して所定の位置関係になるように投影光学系
に設けられた調整機構を制御する。この場合、制御系で
は、各第２基準マークの投影像が、各第２基準マークの
投影像に対応する第１基準マーク上に正確に投影される
ように、調整機構を制御しても良く、あるいは第１基準
マークの配置が設計値から位置ずれしている場合には、
第１基準マークから各第２基準マークの投影像がこの位
置ずれ量分だけずれた位置に投影されるように調整機構
を制御するようにしても良い。
基準マークの投影光学系による基板ステージ上への投影
像と、該投影像に対応する第１基準マークとの相対位置
関係が検出されると、制御系では各センサにより検出さ
れた各相対位置関係に基づいて、各第２基準マークの投
影像が、各第２基準マークの投影像に対応する第１基準
マークに対して所定の位置関係になるように投影光学系
に設けられた調整機構を制御する。この場合、制御系で
は、各第２基準マークの投影像が、各第２基準マークの
投影像に対応する第１基準マーク上に正確に投影される
ように、調整機構を制御しても良く、あるいは第１基準
マークの配置が設計値から位置ずれしている場合には、
第１基準マークから各第２基準マークの投影像がこの位
置ずれ量分だけずれた位置に投影されるように調整機構
を制御するようにしても良い。
【００１７】いずれにしても、本請求項１に記載の発明
では、第２基準マークがパターンと同時にマスクに形成
されているので、第２基準マークの投影光学系による投
影像が第１基準マークに対し所定の位置関係になるよう
に調整した状態でマスク上のパターンが投影光学系を介
して被露光基板上に投影露光されると、結果的にマスク
のパターンに描画誤差があってもこれを補正した状態で
マスクパターンが被露光基板上に投影露光されるように
なる。
では、第２基準マークがパターンと同時にマスクに形成
されているので、第２基準マークの投影光学系による投
影像が第１基準マークに対し所定の位置関係になるよう
に調整した状態でマスク上のパターンが投影光学系を介
して被露光基板上に投影露光されると、結果的にマスク
のパターンに描画誤差があってもこれを補正した状態で
マスクパターンが被露光基板上に投影露光されるように
なる。
【００１８】この場合において、請求項２に記載の発明
の如く、前記第２基準マーク（Ｍ1〜Ｍ8 ）は、前記マ
スク（１３）上の前記パターンの近傍に配置されている
ことが望ましい。このようにマスク上の第２基準マーク
が、マスク上の（デバイス用）パターンの近傍に配置さ
れている場合には、第２基準マークの配置にパターンの
寸法誤差と同等の誤差が生じているので、第２基準マー
クの投影光学系による投影像の位置を所望の状態に調整
することにより、マスク上のパターンの描画誤差をより
正確に補正した状態で露光を行うことが可能になる。
の如く、前記第２基準マーク（Ｍ1〜Ｍ8 ）は、前記マ
スク（１３）上の前記パターンの近傍に配置されている
ことが望ましい。このようにマスク上の第２基準マーク
が、マスク上の（デバイス用）パターンの近傍に配置さ
れている場合には、第２基準マークの配置にパターンの
寸法誤差と同等の誤差が生じているので、第２基準マー
クの投影光学系による投影像の位置を所望の状態に調整
することにより、マスク上のパターンの描画誤差をより
正確に補正した状態で露光を行うことが可能になる。
【００１９】上記請求項１に記載の露光装置は、静止露
光型の露光装置であっても勿論良いが、請求項３に記載
の発明の如く、前記基板ステージ（１５Ａ）と前記マス
クステージ（１５Ｂ）とを同期して所定の走査方向に移
動させる走査機構（１２、１５、２１）を更に有し、前
記投影光学系（２５1 〜２５7 ）が、前記走査方向に沿
って所定間隔で配置された２列の投影光学系から成り、
第１列の各投影光学系の投影領域と第２列の各投影光学
系の投影領域とが前記走査方向に直交する非走査方向で
一部重複するように配置され、前記各センサが前記各重
複部に対応して前記非走査方向に所定間隔で配置されて
いるような走査型露光装置であっても良い。
光型の露光装置であっても勿論良いが、請求項３に記載
の発明の如く、前記基板ステージ（１５Ａ）と前記マス
クステージ（１５Ｂ）とを同期して所定の走査方向に移
動させる走査機構（１２、１５、２１）を更に有し、前
記投影光学系（２５1 〜２５7 ）が、前記走査方向に沿
って所定間隔で配置された２列の投影光学系から成り、
第１列の各投影光学系の投影領域と第２列の各投影光学
系の投影領域とが前記走査方向に直交する非走査方向で
一部重複するように配置され、前記各センサが前記各重
複部に対応して前記非走査方向に所定間隔で配置されて
いるような走査型露光装置であっても良い。
【００２０】請求項４に記載の発明は、マスク（１３）
上のパターンを少なくとも１つの投影光学系（２５1 〜
２５7 ）を介して被露光基板（１４）上に投影露光する
露光方法であって、前記被露光基板（１４）を保持する
基板ステージ（１５Ａ）上に所定方向に沿って複数の第
１基準マーク（Ｐ1 〜Ｐ8 ）を配置し、前記パターンと
同時に前記マスク（１３）に形成された第２基準マーク
（Ｍ1 〜Ｍ8 ）を前記第１基準マーク（Ｐ1 〜Ｐ8 ）に
対応するように配置し、前記各第２基準マークの前記投
影光学系による前記基板ステージ（１５Ａ）上への投影
像と、該投影像に対応する前記第１基準マークとの相対
位置関係を計測し、前記計測された前記各相対位置関係
に基づいて前記各第２基準マークの投影像が、該投影像
と対応する前記第１基準マークに対して所定の位置関係
になるように前記投影光学系による前記投影像の位置を
調整し、前記マスクのパターンを前記投影光学系を介し
て前記被露光基板上に投影露光することを特徴とする。
上のパターンを少なくとも１つの投影光学系（２５1 〜
２５7 ）を介して被露光基板（１４）上に投影露光する
露光方法であって、前記被露光基板（１４）を保持する
基板ステージ（１５Ａ）上に所定方向に沿って複数の第
１基準マーク（Ｐ1 〜Ｐ8 ）を配置し、前記パターンと
同時に前記マスク（１３）に形成された第２基準マーク
（Ｍ1 〜Ｍ8 ）を前記第１基準マーク（Ｐ1 〜Ｐ8 ）に
対応するように配置し、前記各第２基準マークの前記投
影光学系による前記基板ステージ（１５Ａ）上への投影
像と、該投影像に対応する前記第１基準マークとの相対
位置関係を計測し、前記計測された前記各相対位置関係
に基づいて前記各第２基準マークの投影像が、該投影像
と対応する前記第１基準マークに対して所定の位置関係
になるように前記投影光学系による前記投影像の位置を
調整し、前記マスクのパターンを前記投影光学系を介し
て前記被露光基板上に投影露光することを特徴とする。
【００２１】これによれば、パターンと同時にマスクに
形成された第２基準マークが被露光基板を保持する基板
ステージ上に所定方向に沿って配置された複数の第１基
準マークに対応するように配置され、各第２基準マーク
の投影光学系による基板ステージ上への投影像と、該投
影像に対応する第１基準マークとの相対位置関係が計測
される。そして、計測された各相対位置関係に基づいて
各第２基準マークの投影像が、該投影像と対応する第１
基準マークに対して所定の位置関係になるように投影光
学系による投影像の位置が調整される。この状態で、マ
スクのパターンが投影光学系を介して被露光基板上に投
影露光される。このように、本請求項４に記載の発明の
露光方法によれば、第２基準マークがパターンと同時に
マスクに形成されているので、第２基準マークの投影光
学系による投影像が第１基準マークに対し所定の位置関
係になるように調整した状態でマスク上のパターンが投
影光学系を介して被露光基板上に投影露光されると、結
果的にマスクのパターンに描画誤差があってもこれを補
正した状態でマスクパターンが被露光基板上に投影露光
されるようになる。
形成された第２基準マークが被露光基板を保持する基板
ステージ上に所定方向に沿って配置された複数の第１基
準マークに対応するように配置され、各第２基準マーク
の投影光学系による基板ステージ上への投影像と、該投
影像に対応する第１基準マークとの相対位置関係が計測
される。そして、計測された各相対位置関係に基づいて
各第２基準マークの投影像が、該投影像と対応する第１
基準マークに対して所定の位置関係になるように投影光
学系による投影像の位置が調整される。この状態で、マ
スクのパターンが投影光学系を介して被露光基板上に投
影露光される。このように、本請求項４に記載の発明の
露光方法によれば、第２基準マークがパターンと同時に
マスクに形成されているので、第２基準マークの投影光
学系による投影像が第１基準マークに対し所定の位置関
係になるように調整した状態でマスク上のパターンが投
影光学系を介して被露光基板上に投影露光されると、結
果的にマスクのパターンに描画誤差があってもこれを補
正した状態でマスクパターンが被露光基板上に投影露光
されるようになる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図１
ないし図８に基づいて説明する。
ないし図８に基づいて説明する。
【００２３】図１には、一実施形態に係る露光装置１０
の全体構成が概略的に示されている。この露光装置１０
は、大型のマスク１３に形成された回路パターンを被露
光基板としての角形のガラスプレート（以下、「プレー
ト」という）１４に転写するための走査型露光装置であ
る。
の全体構成が概略的に示されている。この露光装置１０
は、大型のマスク１３に形成された回路パターンを被露
光基板としての角形のガラスプレート（以下、「プレー
ト」という）１４に転写するための走査型露光装置であ
る。
【００２４】この露光装置１０は、ベース１１と、この
ベース１１上を図１におけるＸ軸方向（走査方向）に沿
って移動可能な移動ステージ１２と、この移動ステージ
１２上に固定され，マスク１３とプレート１４とを相互
に平行にかつ鉛直に保持する断面略Ｕ字状のキャリッジ
１５と、キャリッジ１５よりもＺ軸方向一側（＋Ｚ側）
に配置され本体コラム１６に保持された照明光学系１７
と、Ｚ軸方向でマスク１３とプレート１４との間の位置
に配置され，本体コラム１６に保持された投影光学系ブ
ロック１８とを備えている。
ベース１１上を図１におけるＸ軸方向（走査方向）に沿
って移動可能な移動ステージ１２と、この移動ステージ
１２上に固定され，マスク１３とプレート１４とを相互
に平行にかつ鉛直に保持する断面略Ｕ字状のキャリッジ
１５と、キャリッジ１５よりもＺ軸方向一側（＋Ｚ側）
に配置され本体コラム１６に保持された照明光学系１７
と、Ｚ軸方向でマスク１３とプレート１４との間の位置
に配置され，本体コラム１６に保持された投影光学系ブ
ロック１８とを備えている。
【００２５】移動ステージ１２は、ベース１１上にＸ軸
方向に沿って延設された一対のガイド部材２０Ａ、２０
Ｂ上に不図示のエアベアリングで浮上支持されている。
また、この移動ステージ１２のＺ軸方向の両サイドに
は、一対のムービングマグネット型のリニアモータ２１
が設けられ、これらのリニアモータ２１によって移動ス
テージ１２と一体的にキャリッジ１５がガイド部材２０
Ａ、２０Ｂに沿って駆動されるようになっている。な
お、リニアモータ２１は、Ｘ軸方向に沿って延設された
マグネットトラック２１ａと、移動ステージ１２側に取
り付けられたコイル２１ｂとから構成される。
方向に沿って延設された一対のガイド部材２０Ａ、２０
Ｂ上に不図示のエアベアリングで浮上支持されている。
また、この移動ステージ１２のＺ軸方向の両サイドに
は、一対のムービングマグネット型のリニアモータ２１
が設けられ、これらのリニアモータ２１によって移動ス
テージ１２と一体的にキャリッジ１５がガイド部材２０
Ａ、２０Ｂに沿って駆動されるようになっている。な
お、リニアモータ２１は、Ｘ軸方向に沿って延設された
マグネットトラック２１ａと、移動ステージ１２側に取
り付けられたコイル２１ｂとから構成される。
【００２６】キャリッジ１５のＺ軸方向の他側（−Ｚ
側）の側壁によりプレートステージ１５Ａが構成され、
このプレートステージ１５Ａには、鉛直方向に（より詳
細には、ほぼＸＹ平面に沿って）プレート１４を保持す
るプレートテーブル２３が取り付けられている。また、
キャリッジ１５のＺ軸方向の一側（＋Ｚ側）の側壁によ
りマスクステージ１５Ｂが構成され、このマスクステー
ジ１５Ｂには、マスク１３をＸＹ平面に沿って保持する
マスクテーブル２２が取り付けられている。マスクテー
ブル２２は、３つのモータ２４ａ〜２４ｃによってＸＹ
平面内で微小駆動可能に構成されており、キャリッジ１
５に対する位置・姿勢が調整可能になっている。
側）の側壁によりプレートステージ１５Ａが構成され、
このプレートステージ１５Ａには、鉛直方向に（より詳
細には、ほぼＸＹ平面に沿って）プレート１４を保持す
るプレートテーブル２３が取り付けられている。また、
キャリッジ１５のＺ軸方向の一側（＋Ｚ側）の側壁によ
りマスクステージ１５Ｂが構成され、このマスクステー
ジ１５Ｂには、マスク１３をＸＹ平面に沿って保持する
マスクテーブル２２が取り付けられている。マスクテー
ブル２２は、３つのモータ２４ａ〜２４ｃによってＸＹ
平面内で微小駆動可能に構成されており、キャリッジ１
５に対する位置・姿勢が調整可能になっている。
【００２７】前記プレートステージ１５Ａの＋Ｘ方向側
の端部には＋Ｚ方向に突出する凸部が形成されており、
この凸部の表面にＹ軸方向に延設されたプレート側基準
マーク板２８が固定されている。このプレート側基準マ
ーク板２８の表面は、プレート１４の表面とほぼ同一面
上に設定されている。
の端部には＋Ｚ方向に突出する凸部が形成されており、
この凸部の表面にＹ軸方向に延設されたプレート側基準
マーク板２８が固定されている。このプレート側基準マ
ーク板２８の表面は、プレート１４の表面とほぼ同一面
上に設定されている。
【００２８】本実施形態では、マスク１３のＸ軸方向
（走査方向）の長さがプレート１４より幾分長めに形成
され、このマスク１３の前記プレート側基準マーク板２
８に対向する領域には、Ｙ軸方向に所定間隔で８つの第
２基準マークとしてのマスク側基準マークが形成されて
いる（これについては更に後述する）。
（走査方向）の長さがプレート１４より幾分長めに形成
され、このマスク１３の前記プレート側基準マーク板２
８に対向する領域には、Ｙ軸方向に所定間隔で８つの第
２基準マークとしてのマスク側基準マークが形成されて
いる（これについては更に後述する）。
【００２９】なお、キャリッジ１５のＸＹＺ３軸方向の
位置は、干渉計Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４，Ｉ５（図１で
は測長ビームのみを図示）を含む干渉計システム３０
（図４参照）によって計測されるようになっている。
位置は、干渉計Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４，Ｉ５（図１で
は測長ビームのみを図示）を含む干渉計システム３０
（図４参照）によって計測されるようになっている。
【００３０】前記投影光学系ブロック１８は、投影光学
系としての第１〜第７の投影光学系モジュール２５1 〜
２５7 （但し、図１では投影光学系モジュール２５5 は
図示せず）を備えている。これらの投影光学系モジュー
ル２５1 〜２５7 は、それぞれ台形の露光フィールドを
有し、ここでは、等倍の正立像を投影するいわゆるダブ
ルダイソン型の光学系が用いられている。
系としての第１〜第７の投影光学系モジュール２５1 〜
２５7 （但し、図１では投影光学系モジュール２５5 は
図示せず）を備えている。これらの投影光学系モジュー
ル２５1 〜２５7 は、それぞれ台形の露光フィールドを
有し、ここでは、等倍の正立像を投影するいわゆるダブ
ルダイソン型の光学系が用いられている。
【００３１】前記７つの投影光学系モジュールの内、３
つの投影光学系モジュール２５5 〜２５7 は、図２に示
されるように、投影光学系モジュール２５1 〜２５4 の
＋Ｘ側に言わば背中合わせに配置されている。また、投
影光学系モジュール２５5 の光軸が投影光学系モジュー
ル２５1 と投影光学系モジュール２５2 の間に配置さ
れ、また、投影光学系モジュール２５6 の光軸が投影光
学系モジュール２５2 と投影光学系モジュール２５3 の
間に配置され、投影光学系モジュール２５7 の光軸が投
影光学系モジュール２５3 と投影光学系モジュール２５
4 の間に配置されてされている。
つの投影光学系モジュール２５5 〜２５7 は、図２に示
されるように、投影光学系モジュール２５1 〜２５4 の
＋Ｘ側に言わば背中合わせに配置されている。また、投
影光学系モジュール２５5 の光軸が投影光学系モジュー
ル２５1 と投影光学系モジュール２５2 の間に配置さ
れ、また、投影光学系モジュール２５6 の光軸が投影光
学系モジュール２５2 と投影光学系モジュール２５3 の
間に配置され、投影光学系モジュール２５7 の光軸が投
影光学系モジュール２５3 と投影光学系モジュール２５
4 の間に配置されてされている。
【００３２】すなわち、投影光学系モジュール２５1 〜
２５4 によって投影される台形の投影領域（以下、「台
形領域」という）ＰＡ1 〜ＰＡ4 と投影光学系モジュー
ル２５5 〜２５7 によって投影される台形領域ＰＡ5 〜
ＰＡ7 （図３参照）とが、Ｘ軸方向に所定間隔でＹ軸方
向に並び、かつ隣合う台形領域同士（例えば、ＰＡ1と
ＰＡ5 、ＰＡ5 とＰＡ2 ）の端部同士（図３中に点線で
示される部分）が、Ｙ軸方向に所定量オーバーラップす
るように、投影光学系モジュール２５1 〜２５7 はいわ
ゆる千鳥状に配置されている。これにより、投影光学系
ブロック１８に対してマスク１３とプレート１４とを走
査することにより、継ぎ露光が可能となっている。従っ
て、この露光装置１０においては、一対のリニアモータ
２１を介して移動ステージ１２と一体的にキャリッジ１
５を駆動することによりマスク１３とプレート１４とを
図１のＸ軸方向に走査すれば、１回の走査でマスク１３
上の全パターンをプレート１４上に転写できる。本実施
形態では、リニアモータ２１、移動ステージ１２及びキ
ャリッジ１５によって、基板ステージ１５Ａとマスクス
テージ１５Ｂとを同期して走査方向に移動させる走査機
構が構成されている。
２５4 によって投影される台形の投影領域（以下、「台
形領域」という）ＰＡ1 〜ＰＡ4 と投影光学系モジュー
ル２５5 〜２５7 によって投影される台形領域ＰＡ5 〜
ＰＡ7 （図３参照）とが、Ｘ軸方向に所定間隔でＹ軸方
向に並び、かつ隣合う台形領域同士（例えば、ＰＡ1と
ＰＡ5 、ＰＡ5 とＰＡ2 ）の端部同士（図３中に点線で
示される部分）が、Ｙ軸方向に所定量オーバーラップす
るように、投影光学系モジュール２５1 〜２５7 はいわ
ゆる千鳥状に配置されている。これにより、投影光学系
ブロック１８に対してマスク１３とプレート１４とを走
査することにより、継ぎ露光が可能となっている。従っ
て、この露光装置１０においては、一対のリニアモータ
２１を介して移動ステージ１２と一体的にキャリッジ１
５を駆動することによりマスク１３とプレート１４とを
図１のＸ軸方向に走査すれば、１回の走査でマスク１３
上の全パターンをプレート１４上に転写できる。本実施
形態では、リニアモータ２１、移動ステージ１２及びキ
ャリッジ１５によって、基板ステージ１５Ａとマスクス
テージ１５Ｂとを同期して走査方向に移動させる走査機
構が構成されている。
【００３３】また、本実施形態においても、前述した従
来例と同様に、投影光学系モジュール２５1 〜２５7 に
は、投影像（転写像）の位置を調整するための調整機構
２６がそれぞれ設けられており、この調整機構２６によ
って投影像の位置ずれ（シフト）、ローテーション（回
転）、倍率等が調整可能に構成されている。具体的に
は、この調整機構２６は、例えば投影光学系モジュール
内部の不図示のプレーンパラレルをＸ軸、Ｙ軸回りに回
転させることによりシフト量を調整し、また、投影光学
系モジュール内部の特定のレンズを光軸方向に駆動する
ことにより倍率を調整し、また、投影光学系モジュール
内部のプリズムを回転させることによりローテーション
を調整するようになっている。
来例と同様に、投影光学系モジュール２５1 〜２５7 に
は、投影像（転写像）の位置を調整するための調整機構
２６がそれぞれ設けられており、この調整機構２６によ
って投影像の位置ずれ（シフト）、ローテーション（回
転）、倍率等が調整可能に構成されている。具体的に
は、この調整機構２６は、例えば投影光学系モジュール
内部の不図示のプレーンパラレルをＸ軸、Ｙ軸回りに回
転させることによりシフト量を調整し、また、投影光学
系モジュール内部の特定のレンズを光軸方向に駆動する
ことにより倍率を調整し、また、投影光学系モジュール
内部のプリズムを回転させることによりローテーション
を調整するようになっている。
【００３４】前記プレート側基準マーク板２８には、図
３に示されるように、相互に隣接する台形領域のオーバ
ーラップ部に対応する位置に第１基準マークとしてのプ
レート側基準マークＰ2 〜Ｐ7 が形成され、また、両端
の台形領域ＰＡ1 、ＰＡ4 のＹ方向一側、Ｙ方向他側の
傾斜部に対応する位置にプレート側基準マークＰ1 、Ｐ
8 が設計値に従って精度良く形成されている。
３に示されるように、相互に隣接する台形領域のオーバ
ーラップ部に対応する位置に第１基準マークとしてのプ
レート側基準マークＰ2 〜Ｐ7 が形成され、また、両端
の台形領域ＰＡ1 、ＰＡ4 のＹ方向一側、Ｙ方向他側の
傾斜部に対応する位置にプレート側基準マークＰ1 、Ｐ
8 が設計値に従って精度良く形成されている。
【００３５】一方、マスク１３上には、デバイスパター
ンが形成されたパターン領域ＤＰの近傍に、プレート側
基準マークＰ1 〜Ｐ8 にそれぞれ対応する第２基準マー
クとしてのマスク側基準マークＭ1 〜Ｍ8 （図３参照）
が形成されている。本実施形態の場合、マスク側基準マ
ークＭ1 〜Ｍ8 は、パターン領域ＤＰのデバイスパター
ンと同時に予めパターンジェネレータ又は電子ビーム露
光装置等で描画されるため、デバイスパターンに描画誤
差がある場合、これとほぼ同様な誤差Ｅx ，Ｅy を生じ
て描画されている（図３参照）。
ンが形成されたパターン領域ＤＰの近傍に、プレート側
基準マークＰ1 〜Ｐ8 にそれぞれ対応する第２基準マー
クとしてのマスク側基準マークＭ1 〜Ｍ8 （図３参照）
が形成されている。本実施形態の場合、マスク側基準マ
ークＭ1 〜Ｍ8 は、パターン領域ＤＰのデバイスパター
ンと同時に予めパターンジェネレータ又は電子ビーム露
光装置等で描画されるため、デバイスパターンに描画誤
差がある場合、これとほぼ同様な誤差Ｅx ，Ｅy を生じ
て描画されている（図３参照）。
【００３６】更に、本実施形態では、プレート側基準マ
ークＰ1 〜Ｐ8 に対向して投影光学系モジュール２５1
〜２５7 によりそれぞれプレート側基準マーク板２８上
に投影されたマスク側基準マークＭ1 〜Ｍ8 の像と各マ
スク側基準マークに対応するプレート側の基準マークＰ
1 〜Ｐ8 との相対位置を光電検出するＴＶカメラ等から
成るセンサ３２1 〜３２8 が設けられている（図２参
照）。これらのセンサ３２1 〜３２8 は、プレート側基
準マーク板２８の裏面側のキャリッジ１５内に埋め込ま
れている。
ークＰ1 〜Ｐ8 に対向して投影光学系モジュール２５1
〜２５7 によりそれぞれプレート側基準マーク板２８上
に投影されたマスク側基準マークＭ1 〜Ｍ8 の像と各マ
スク側基準マークに対応するプレート側の基準マークＰ
1 〜Ｐ8 との相対位置を光電検出するＴＶカメラ等から
成るセンサ３２1 〜３２8 が設けられている（図２参
照）。これらのセンサ３２1 〜３２8 は、プレート側基
準マーク板２８の裏面側のキャリッジ１５内に埋め込ま
れている。
【００３７】図４には、露光装置１０の制御系の構成が
概略的に示されている。この制御系は、マイクロコンピ
ュータ（又はミニコンピュータ）から成る制御装置とし
ての主制御装置３６を中心として構成されている。この
主制御装置３６の入力部には、干渉計システム３０、ア
ライメントセンサ部３４及びセンサ群３２等が接続さ
れ、また、出力部には、モータ２４、リニアモータ２
１、調整機構２６が接続されている。
概略的に示されている。この制御系は、マイクロコンピ
ュータ（又はミニコンピュータ）から成る制御装置とし
ての主制御装置３６を中心として構成されている。この
主制御装置３６の入力部には、干渉計システム３０、ア
ライメントセンサ部３４及びセンサ群３２等が接続さ
れ、また、出力部には、モータ２４、リニアモータ２
１、調整機構２６が接続されている。
【００３８】前記干渉計システム３０は、図１に示され
る干渉計Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４，Ｉ５から構成され、
この干渉計システム３０からキャリッジ１５，マスクテ
ーブル２２，プレートテーブル２３のＸＹ２軸方向の位
置情報が主制御装置３６に供給されている。
る干渉計Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４，Ｉ５から構成され、
この干渉計システム３０からキャリッジ１５，マスクテ
ーブル２２，プレートテーブル２３のＸＹ２軸方向の位
置情報が主制御装置３６に供給されている。
【００３９】アライメントセンサ部３４は、それぞれ検
出基準となる指標を備えた画像処理方式の一対のアライ
メント顕微鏡から構成され、各アライメント顕微鏡は、
キャリッジ１２が所定のローディング位置（図１に示さ
れる位置）にあるときに、プレート側基準マーク板２８
に設けられた不図示のマスクアライメント用の一対の基
準マーク（前述した基準マークＰ1 〜Ｐ8 の内の任意の
２つを兼用しても良い）にそれぞれの指標が一致するよ
うにその位置が調整されている。このアライメントセン
サ部３４では、マスク１３のアライメント時に、各アラ
イメント顕微鏡の指標とマスク上に形成された不図示の
アライメントマーク（前述した基準マークＭ1 〜Ｍ8 の
内の任意の２つを兼用しても良い）との相対位置を計測
し、その計測値を主制御装置３６に供給する。
出基準となる指標を備えた画像処理方式の一対のアライ
メント顕微鏡から構成され、各アライメント顕微鏡は、
キャリッジ１２が所定のローディング位置（図１に示さ
れる位置）にあるときに、プレート側基準マーク板２８
に設けられた不図示のマスクアライメント用の一対の基
準マーク（前述した基準マークＰ1 〜Ｐ8 の内の任意の
２つを兼用しても良い）にそれぞれの指標が一致するよ
うにその位置が調整されている。このアライメントセン
サ部３４では、マスク１３のアライメント時に、各アラ
イメント顕微鏡の指標とマスク上に形成された不図示の
アライメントマーク（前述した基準マークＭ1 〜Ｍ8 の
内の任意の２つを兼用しても良い）との相対位置を計測
し、その計測値を主制御装置３６に供給する。
【００４０】前記センサ群３２は、前述した８つのセン
サ３２1 〜３２8 を代表的に示したものであり、また、
モータ２４は図１に示される３つのモータ２４ａ〜２４
ｃを代表的に示したものである。また、リニアモータ２
１は、図１に示される一対のリニアモータを代表的に示
したものであり、調整機構２６は第１〜第７の投影光学
系モジュール２５1 〜２５7 にそれぞれ設けられた７つ
の調整機構を代表的に示したものである。
サ３２1 〜３２8 を代表的に示したものであり、また、
モータ２４は図１に示される３つのモータ２４ａ〜２４
ｃを代表的に示したものである。また、リニアモータ２
１は、図１に示される一対のリニアモータを代表的に示
したものであり、調整機構２６は第１〜第７の投影光学
系モジュール２５1 〜２５7 にそれぞれ設けられた７つ
の調整機構を代表的に示したものである。
【００４１】次に、露光装置１０における投影光学系モ
ジュール２５1 〜２５7 の較正（キャリブレーション）
の方法について説明する。
ジュール２５1 〜２５7 の較正（キャリブレーション）
の方法について説明する。
【００４２】この前提として、主制御装置３６により、
前述したアライメントセンサ部３４からの計測値に基づ
いてモータ２４ａ〜２４ｃが制御され、マスク１３のア
ライメントは終了しているものとする。
前述したアライメントセンサ部３４からの計測値に基づ
いてモータ２４ａ〜２４ｃが制御され、マスク１３のア
ライメントは終了しているものとする。
【００４３】この状態で、主制御装置３６では干渉計シ
ステム３０の計測値をモニタしつつ、一対のリニアモー
タ２１を制御して投影光学系モジュール２５1 〜２５4
がプレート側基準マーク板２８に対向する位置までキャ
リッジ１５を移動させる。これによりマスク１３上のマ
スク側基準マークＭ1〜Ｍ8 に投影光学系モジュール２
５1 〜２５4 が対向した図２の状態となる。この状態で
不図示のシャッタが開放され、照明光学系１７からの照
明光によりマスク１３上の投影光学系モジュール２５1
〜２５4 の投影領域に対応する４つの台形状の領域が照
明されると、主制御装置３６では投影光学系モジュール
２５1 〜２５4 によってプレート側基準マークＰ1 〜Ｐ
8 上に投影されたマスク側基準マークＭ1 〜Ｍ8 の投影
像と該投影像に対応するプレート側基準マークＰ1 〜Ｐ
8 との相対位置関係を、８つのセンサ３２1 〜３２8 を
用いて計測する。
ステム３０の計測値をモニタしつつ、一対のリニアモー
タ２１を制御して投影光学系モジュール２５1 〜２５4
がプレート側基準マーク板２８に対向する位置までキャ
リッジ１５を移動させる。これによりマスク１３上のマ
スク側基準マークＭ1〜Ｍ8 に投影光学系モジュール２
５1 〜２５4 が対向した図２の状態となる。この状態で
不図示のシャッタが開放され、照明光学系１７からの照
明光によりマスク１３上の投影光学系モジュール２５1
〜２５4 の投影領域に対応する４つの台形状の領域が照
明されると、主制御装置３６では投影光学系モジュール
２５1 〜２５4 によってプレート側基準マークＰ1 〜Ｐ
8 上に投影されたマスク側基準マークＭ1 〜Ｍ8 の投影
像と該投影像に対応するプレート側基準マークＰ1 〜Ｐ
8 との相対位置関係を、８つのセンサ３２1 〜３２8 を
用いて計測する。
【００４４】ここで、この計測及びこの計測結果に基づ
く、投影像（転写像）の補正値の算出方法について投影
光学系モジュール２５1 の場合を例にとって説明する。
く、投影像（転写像）の補正値の算出方法について投影
光学系モジュール２５1 の場合を例にとって説明する。
【００４５】この場合において、マスク側基準マークＭ
として図５（Ａ）に示されるような二重十字マークが用
いられ、プレート側基準マークＰとして図５（Ｂ）に示
されるような十字マークが用いられるものとする。
として図５（Ａ）に示されるような二重十字マークが用
いられ、プレート側基準マークＰとして図５（Ｂ）に示
されるような十字マークが用いられるものとする。
【００４６】そして、センサ３２1 、３２2 により、そ
れぞれ図６（Ａ）、（Ｂ）に示されるような画像が撮像
されたものとすると、ＴＶカメラ３２1 、３２2 から相
対位置データ（計測値）としてプレート側基準マークＰ
1 、Ｐ2 の中心点を原点とする計測値（ｄｘ1 ，ｄ
ｙ1 ），（ｄｘ2 ，ｄｙ2 ）が主制御装置３６に供給さ
れる。これらの計測値に基づいて、主制御装置３６で
は、投影光学系モジュール２５1 の投影像（転写像）の
補正値を次の（１）式〜（４）式に基づいて演算する。
すなわち、 Ｘ方向のシフト量の補正値＝−（ｄｘ1 ＋ｄｘ2 ）／２ ………（１） Ｙ方向のシフト量の補正値＝−（ｄｙ1 ＋ｄｙ2 ）／２ ………（２） 倍率の補正値＝−（ｄｙ2 −ｄｙ1 ）／Ｌ ………（３） ローテーションの補正値＝−（ｄｘ1 −ｄｘ2 ）／Ｌ ………（４） 上記（１）〜（４）式における右辺の負号（−）は、補
正値であることから当然に付されるものであり、また
（３）式、（４）式中のＬは計測点間距離（基準マーク
Ｐ1 とＰ2 との距離）である。
れぞれ図６（Ａ）、（Ｂ）に示されるような画像が撮像
されたものとすると、ＴＶカメラ３２1 、３２2 から相
対位置データ（計測値）としてプレート側基準マークＰ
1 、Ｐ2 の中心点を原点とする計測値（ｄｘ1 ，ｄ
ｙ1 ），（ｄｘ2 ，ｄｙ2 ）が主制御装置３６に供給さ
れる。これらの計測値に基づいて、主制御装置３６で
は、投影光学系モジュール２５1 の投影像（転写像）の
補正値を次の（１）式〜（４）式に基づいて演算する。
すなわち、 Ｘ方向のシフト量の補正値＝−（ｄｘ1 ＋ｄｘ2 ）／２ ………（１） Ｙ方向のシフト量の補正値＝−（ｄｙ1 ＋ｄｙ2 ）／２ ………（２） 倍率の補正値＝−（ｄｙ2 −ｄｙ1 ）／Ｌ ………（３） ローテーションの補正値＝−（ｄｘ1 −ｄｘ2 ）／Ｌ ………（４） 上記（１）〜（４）式における右辺の負号（−）は、補
正値であることから当然に付されるものであり、また
（３）式、（４）式中のＬは計測点間距離（基準マーク
Ｐ1 とＰ2 との距離）である。
【００４７】上記と同様にして、主制御装置３６では、
センサ３２3 、３２4 を介してプレート側基準マークＰ
3 、Ｐ4 に対するマスク側基準マークＭ3 、Ｍ4 の投影
像の相対位置データ（ｄｘ3 、ｄｙ3 ）、（ｄｘ4 、ｄ
ｙ4 ）を得、これらに基づいて上記（１）〜（４）式と
同様の補正値の算出式を用いて投影光学系モジュール２
５2 の投影像の補正値を算出する。
センサ３２3 、３２4 を介してプレート側基準マークＰ
3 、Ｐ4 に対するマスク側基準マークＭ3 、Ｍ4 の投影
像の相対位置データ（ｄｘ3 、ｄｙ3 ）、（ｄｘ4 、ｄ
ｙ4 ）を得、これらに基づいて上記（１）〜（４）式と
同様の補正値の算出式を用いて投影光学系モジュール２
５2 の投影像の補正値を算出する。
【００４８】また、主制御装置３６では、センサ３
２5 、３２6 を介してプレート側基準マークＰ5 、Ｐ6
に対するマスク側基準マークＭ5 、Ｍ6 の投影像の相対
位置データ（ｄｘ5 、ｄｙ5 ）、（ｄｘ6 、ｄｙ6 ）を
得、これらに基づいて上記（１）〜（４）式と同様の補
正値の算出式を用いて投影光学系モジュール２５3 の
投影像の補正値を算出する。
２5 、３２6 を介してプレート側基準マークＰ5 、Ｐ6
に対するマスク側基準マークＭ5 、Ｍ6 の投影像の相対
位置データ（ｄｘ5 、ｄｙ5 ）、（ｄｘ6 、ｄｙ6 ）を
得、これらに基づいて上記（１）〜（４）式と同様の補
正値の算出式を用いて投影光学系モジュール２５3 の
投影像の補正値を算出する。
【００４９】また、主制御装置３６では、センサ３
２7 、３２8 を介してプレート側基準マークＰ7 、Ｐ8
に対するマスク側基準マークＭ7 、Ｍ8 の投影像の相対
位置データ（ｄｘ7 、ｄｙ7 ）、（ｄｘ8 、ｄｙ8 ）を
得、これらに基づいて上記（１）〜（４）式と同様の補
正値の算出式を用いて投影光学系モジュール２５3 の投
影像の補正値を算出する。
２7 、３２8 を介してプレート側基準マークＰ7 、Ｐ8
に対するマスク側基準マークＭ7 、Ｍ8 の投影像の相対
位置データ（ｄｘ7 、ｄｙ7 ）、（ｄｘ8 、ｄｙ8 ）を
得、これらに基づいて上記（１）〜（４）式と同様の補
正値の算出式を用いて投影光学系モジュール２５3 の投
影像の補正値を算出する。
【００５０】次いで、主制御装置３６では干渉計システ
ム３０の計測値をモニタしつつ、一対のリニアモータ２
１を制御して投影光学系モジュール２５5 〜２５7 がプ
レート側基準マーク板２８に対向する位置までキャリッ
ジ１５を＋Ｘ方向に所定量移動させる（このとき、不図
示のシャッタは閉じている）。これによりマスク１３上
のマスク側基準マークＭ2 〜Ｍ7 に投影光学系モジュー
ル２５5 〜２５7 が対向した図７の状態となる。この状
態で、不図示のシャッタが所定量開放され照明光学系１
７からマスク１３上の投影光学系モジュール２５5 〜２
５7 の投影領域に対応する３つの台形状の領域が照明さ
れると、主制御装置３６では、投影光学系モジュール２
５5 〜２５7 によってプレート側基準マークＰ2 、
Ｐ3 、Ｐ4 、Ｐ5 、Ｐ6 、Ｐ7 上に投影されたマスク側
基準マークＭ2 、Ｍ3 、Ｍ4 、Ｍ5 、Ｍ6 、Ｍ7 の投影
像と該投影像に対応するプレート側基準マークＰ2 、Ｐ
3 、Ｐ4 、Ｐ5 、Ｐ6 、Ｐ7 との相対位置をセンサ３２
2 、３２3 、３２4 、３２5 、３２6 、３２7 を用いて
計測し、これらのセンサ３２2 、３２3 、３２4 、３２
5 、３２6 、３２7 の計測値に基づいて、上述と同様に
して投影光学系モジュール２５5 〜２５7 の投影像の補
正値（シフト、倍率、回転）を求める。
ム３０の計測値をモニタしつつ、一対のリニアモータ２
１を制御して投影光学系モジュール２５5 〜２５7 がプ
レート側基準マーク板２８に対向する位置までキャリッ
ジ１５を＋Ｘ方向に所定量移動させる（このとき、不図
示のシャッタは閉じている）。これによりマスク１３上
のマスク側基準マークＭ2 〜Ｍ7 に投影光学系モジュー
ル２５5 〜２５7 が対向した図７の状態となる。この状
態で、不図示のシャッタが所定量開放され照明光学系１
７からマスク１３上の投影光学系モジュール２５5 〜２
５7 の投影領域に対応する３つの台形状の領域が照明さ
れると、主制御装置３６では、投影光学系モジュール２
５5 〜２５7 によってプレート側基準マークＰ2 、
Ｐ3 、Ｐ4 、Ｐ5 、Ｐ6 、Ｐ7 上に投影されたマスク側
基準マークＭ2 、Ｍ3 、Ｍ4 、Ｍ5 、Ｍ6 、Ｍ7 の投影
像と該投影像に対応するプレート側基準マークＰ2 、Ｐ
3 、Ｐ4 、Ｐ5 、Ｐ6 、Ｐ7 との相対位置をセンサ３２
2 、３２3 、３２4 、３２5 、３２6 、３２7 を用いて
計測し、これらのセンサ３２2 、３２3 、３２4 、３２
5 、３２6 、３２7 の計測値に基づいて、上述と同様に
して投影光学系モジュール２５5 〜２５7 の投影像の補
正値（シフト、倍率、回転）を求める。
【００５１】そして、主制御装置３６では、上記のよう
にして求めた補正値に従い、投影光学系モジュール２５
1 〜２５7 にそれぞれ設けられた調整機構２６を介して
投影光学系モジュール２５1 〜２５7 の結像特性をそれ
ぞれ調整する。これにより、マスク１３上に形成された
８つの基準マークＭ1 〜Ｍ8 が対応するプレート側基準
マークＰ1 〜Ｐ8 上に正確に投影されるように投影光学
系モジュール２５1 〜２５8 の結像特性が較正される。
このキャリブレーションにより、投影光学系モジュール
２５1 〜２５8 のディストーションは勿論、マスク１３
上のパターンの描画誤差も補正される。
にして求めた補正値に従い、投影光学系モジュール２５
1 〜２５7 にそれぞれ設けられた調整機構２６を介して
投影光学系モジュール２５1 〜２５7 の結像特性をそれ
ぞれ調整する。これにより、マスク１３上に形成された
８つの基準マークＭ1 〜Ｍ8 が対応するプレート側基準
マークＰ1 〜Ｐ8 上に正確に投影されるように投影光学
系モジュール２５1 〜２５8 の結像特性が較正される。
このキャリブレーションにより、投影光学系モジュール
２５1 〜２５8 のディストーションは勿論、マスク１３
上のパターンの描画誤差も補正される。
【００５２】このような各投影光学系モジュールの結像
特性のキャリブレーションが終了した状態で、主制御装
置３６によりリニアモータ２１を介してキャリッジ１５
が＋Ｘ方向に所定速度で走査されると、マスク１３上の
デバイスパターンが投影光学系モジュール２５1 〜２５
7 により逐次プレート１４上に転写されるが、このとき
プレート１４上に露光される転写パターンは図８に実線
で示されるように、マスク１３上のデバイスパターンの
描画誤差等の影響のないほぼ設計値（図８中の点線参
照）通りの転写パターンとなっている。
特性のキャリブレーションが終了した状態で、主制御装
置３６によりリニアモータ２１を介してキャリッジ１５
が＋Ｘ方向に所定速度で走査されると、マスク１３上の
デバイスパターンが投影光学系モジュール２５1 〜２５
7 により逐次プレート１４上に転写されるが、このとき
プレート１４上に露光される転写パターンは図８に実線
で示されるように、マスク１３上のデバイスパターンの
描画誤差等の影響のないほぼ設計値（図８中の点線参
照）通りの転写パターンとなっている。
【００５３】以上説明したように、本実施形態の露光装
置１０によると、プレート側基準マークＰ1 〜Ｐ8 を設
計値どおり製作しておけば、マスクパターンの描画誤差
を自動補正することができるので、描画誤差をもつマス
ク１３を用いて露光を行う場合であってもこの描画誤差
を補正した設計値どおりの転写像をプレート１４上に形
成することができる。
置１０によると、プレート側基準マークＰ1 〜Ｐ8 を設
計値どおり製作しておけば、マスクパターンの描画誤差
を自動補正することができるので、描画誤差をもつマス
ク１３を用いて露光を行う場合であってもこの描画誤差
を補正した設計値どおりの転写像をプレート１４上に形
成することができる。
【００５４】なお、上記実施形態では、プレート側基準
マークＰ1 〜Ｐ8 が設計値通りの位置に一定間隔Ｌでプ
レート側基準マーク板２８上に精度良く形成されている
場合について説明したが、仮にプレート側基準マークの
位置に誤差がある場合には、予めこの誤差量を計測して
おき、オフセットとして管理し、計測値を補正するよう
にすれば良い。
マークＰ1 〜Ｐ8 が設計値通りの位置に一定間隔Ｌでプ
レート側基準マーク板２８上に精度良く形成されている
場合について説明したが、仮にプレート側基準マークの
位置に誤差がある場合には、予めこの誤差量を計測して
おき、オフセットとして管理し、計測値を補正するよう
にすれば良い。
【００５５】また、上記実施形態では投影光学系ブロッ
ク１８が７つの投影光学系モジュール２５1 〜２５7 で
構成された場合について説明したが、本発明がこれに限
定されることはなく、投影光学系（投影光学系モジュー
ル）は１つ以上ならば幾つでもよく、投影光学系の数に
応じて基準マークの数を増減させるようにすれば良い。
ク１８が７つの投影光学系モジュール２５1 〜２５7 で
構成された場合について説明したが、本発明がこれに限
定されることはなく、投影光学系（投影光学系モジュー
ル）は１つ以上ならば幾つでもよく、投影光学系の数に
応じて基準マークの数を増減させるようにすれば良い。
【００５６】更に、上記実施形態では、マスクとプレー
ト（基板）とが断面略Ｕ字状キャリッジに保持され一体
的に移動するタイプの走査型露光装置に本発明が適用さ
れた場合について説明したが、本発明の適用範囲がこれ
に限定されることはなく、マスクと基板とが相互に同期
して投影光学系に対して相対走査されるタイプの走査型
露光装置は勿論、静止露光型の投影露光装置であっても
本発明は好適に適用でき、その場合においてもマスクの
パターンの描画誤差は上記と同様に補正することができ
る。
ト（基板）とが断面略Ｕ字状キャリッジに保持され一体
的に移動するタイプの走査型露光装置に本発明が適用さ
れた場合について説明したが、本発明の適用範囲がこれ
に限定されることはなく、マスクと基板とが相互に同期
して投影光学系に対して相対走査されるタイプの走査型
露光装置は勿論、静止露光型の投影露光装置であっても
本発明は好適に適用でき、その場合においてもマスクの
パターンの描画誤差は上記と同様に補正することができ
る。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし３
に記載の発明によれば、マスクのパターンに描画誤差が
あってもこれを補正してマスクパターンを被露光基板上
に投影露光することができるという従来にない優れた露
光装置を提供することができる。
に記載の発明によれば、マスクのパターンに描画誤差が
あってもこれを補正してマスクパターンを被露光基板上
に投影露光することができるという従来にない優れた露
光装置を提供することができる。
【００５８】また、請求項４に記載の発明によれば、マ
スクのパターンに描画誤差があってもこれを補正してマ
スクパターンを被露光基板上に投影露光することができ
る露光方法が提供される。
スクのパターンに描画誤差があってもこれを補正してマ
スクパターンを被露光基板上に投影露光することができ
る露光方法が提供される。
【図１】一実施形態に係る露光装置の概略構成を示す斜
視図である。
視図である。
【図２】図１の投影光学系ブロックを構成する投影光学
系モジュールの配置、及び投影光学系モジュール２５5
〜２５7 のキャリブレーションのための基準マーク間の
相対位置計測を説明するための図である。
系モジュールの配置、及び投影光学系モジュール２５5
〜２５7 のキャリブレーションのための基準マーク間の
相対位置計測を説明するための図である。
【図３】マスク上のマスク側基準マークとこれに対応す
るプレート側基準マークとの位置関係及びこれらと各台
形領域との位置関係、及びデバイスパターンの描画誤差
と同様の誤差がマスク側基準マークに生じる様子を示す
図である。
るプレート側基準マークとの位置関係及びこれらと各台
形領域との位置関係、及びデバイスパターンの描画誤差
と同様の誤差がマスク側基準マークに生じる様子を示す
図である。
【図４】図１の露光装置の制御系の構成を概略的に示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図５】（Ａ）はマスク側基準マークの一例を示す図、
（Ｂ）はプレート側基準マークの一例を示す図である。
（Ｂ）はプレート側基準マークの一例を示す図である。
【図６】（Ａ）はセンサ３２1 により撮像された画像の
一例を示す図、（Ｂ）はセンサ３２2 により撮像された
画像の一例を示す図である。
一例を示す図、（Ｂ）はセンサ３２2 により撮像された
画像の一例を示す図である。
【図７】投影光学系モジュール２５5 〜２５7 のキャリ
ブレーションのための基準マーク間の相対位置計測を説
明するための図である。
ブレーションのための基準マーク間の相対位置計測を説
明するための図である。
【図８】一実施形態の効果を説明するための図である。
【図９】従来の走査型露光装置の概略構成を示す斜視図
である。
である。
【図１０】図９の装置の投影光学系ブロックを構成する
光学系モジュールの構成を説明するための図である。
光学系モジュールの構成を説明するための図である。
【図１１】図９の装置におけるマスク側基準マークとこ
れに対応するプレート側基準マークとの位置関係及びこ
れらと各台形領域との位置関係を示す図である。
れに対応するプレート側基準マークとの位置関係及びこ
れらと各台形領域との位置関係を示す図である。
【図１２】図９の装置を構成する光学系モジュールのキ
ャリブレーションを説明するための図である。
ャリブレーションを説明するための図である。
【図１３】発明が解決しようとする課題を説明するため
の図である。
の図である。
１０ 露光装置 １２ 移動ステージ（走査機構の一部） １３ マスク １４ プレート（被露光基板） １５ キャリッジ（走査機構の一部） １５Ａ プレートステージ（基板ステージ） １５Ｂ マスクステージ ２１ リニアモータ（走査機構の一部） ２５1 〜２５7 投影光学系モジュール（投影光学系） ２６ 調整機構 ３２1 〜３２8 センサ ３６ 主制御装置（制御装置） Ｐ1 〜Ｐ8 プレート側基準マーク（第１基準マーク） Ｍ1 〜Ｍ8 マスク側基準マーク（第２基準マーク）
Claims (4)
- 【請求項１】 マスク上のパターンを少なくとも１つの
投影光学系を介して被露光基板上に投影露光する露光装
置であって、 前記被露光基板を保持するとともに、所定方向に沿って
配置された複数の第１基準マークを備えた基板ステージ
と；前記パターンと同時に前記マスクに形成された第２
基準マークが前記第１基準マークに対応するように、前
記マスクを保持するマスクステージと；前記投影光学系
に設けられ、前記第２基準マーク及び前記パターンの前
記投影光学系による投影像の位置を調整する調整機構
と；前記各第２基準マークの前記投影光学系による前記
基板ステージ上への投影像と、該投影像に対応する前記
第１基準マークとの相対位置関係を検出する複数のセン
サと；前記各センサにより検出された前記各相対位置関
係に基づいて、前記各第２基準マークの投影像が、前記
各第２基準マークの投影像に対応する前記第１基準マー
クに対して所定の位置関係になるように前記調整機構を
制御する制御装置とを有することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２】 前記第２基準マークは、前記マスク上の
前記パターンの近傍に配置されていることを特徴とする
請求項１に記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記基板ステージと前記マスクステージ
とを同期して所定の走査方向に移動させる走査機構を更
に有し、 前記投影光学系が、前記走査方向に沿って所定間隔で配
置された２列の投影光学系から成り、第１列の各投影光
学系の投影領域と第２列の各投影光学系の投影領域とが
前記走査方向に直交する非走査方向で一部重複するよう
に配置され、 前記各センサが前記各重複部に対応して前記非走査方向
に所定間隔で配置されていることを特徴とする請求項１
に記載の露光装置。 - 【請求項４】 マスク上のパターンを少なくとも１つの
投影光学系を介して被露光基板上に投影露光する露光方
法であって、 前記被露光基板を保持する基板ステージ上に所定方向に
沿って複数の第１基準マークを配置し、 前記パターンと同時に前記マスクに形成された第２基準
マークを前記第１基準マークに対応するように配置し、 前記各第２基準マークの前記投影光学系による前記基板
ステージ上への投影像と、該投影像に対応する前記第１
基準マークとの相対位置関係を計測し、 前記計測された前記各相対位置関係に基づいて前記各第
２基準マークの投影像が、該投影像と対応する前記第１
基準マークに対して所定の位置関係になるように前記投
影光学系による前記投影像の位置を調整し、 前記マスクのパターンを前記投影光学系を介して前記被
露光基板上に投影露光することを特徴とする露光方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16062197A JP4029130B2 (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 露光装置及び露光方法 |
| US09/088,571 US6342943B1 (en) | 1997-06-03 | 1998-06-02 | Exposure apparatus |
| US09/603,299 US6341011B1 (en) | 1997-06-03 | 2000-06-23 | Exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16062197A JP4029130B2 (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 露光装置及び露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335242A true JPH10335242A (ja) | 1998-12-18 |
| JP4029130B2 JP4029130B2 (ja) | 2008-01-09 |
Family
ID=15718898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16062197A Expired - Lifetime JP4029130B2 (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 露光装置及び露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6342943B1 (ja) |
| JP (1) | JP4029130B2 (ja) |
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| JP2001326154A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、及びマイクロデバイス並びにその製造方法 |
| JP2001337462A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Nikon Corp | 露光装置、露光装置の製造方法、およびマイクロデバイスの製造方法 |
| JP2001337463A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Nikon Corp | 露光装置、露光装置の製造方法、およびマイクロデバイスの製造方法 |
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| US7388663B2 (en) * | 2004-10-28 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
| US20070058881A1 (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-15 | Nishimura Ken A | Image capture using a fiducial reference pattern |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4132095B2 (ja) * | 1995-03-14 | 2008-08-13 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
-
1997
- 1997-06-03 JP JP16062197A patent/JP4029130B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
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2000
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