JP3286994B2 - 露光方法、および露光装置 - Google Patents
露光方法、および露光装置Info
- Publication number
- JP3286994B2 JP3286994B2 JP28991691A JP28991691A JP3286994B2 JP 3286994 B2 JP3286994 B2 JP 3286994B2 JP 28991691 A JP28991691 A JP 28991691A JP 28991691 A JP28991691 A JP 28991691A JP 3286994 B2 JP3286994 B2 JP 3286994B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- temperature
- environment
- stage
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子や液晶表示
素子等を製造するための露光装置に関し、特に露光装置
を外気からほぼ遮断して収納するチャンバー内の環境条
件を制御する装置に関するものである。
素子等を製造するための露光装置に関し、特に露光装置
を外気からほぼ遮断して収納するチャンバー内の環境条
件を制御する装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子や液晶表示素子製造の
リソグラフィ工程では、マスクまたはレチクル（以下、
単にレチクルと称す）のパターンを感光基板（表面にレ
ジスト層が形成された半導体ウエハやガラスプレート）
上に転写する装置として、ステップ・アンド・リピート
方式の投影型露光装置（ステッパー）が多用されるよう
になっている。例えば液晶表示素子製造用のステッパー
では、複数のレチクルを交換しながら各レチクルパター
ンの像を投影光学系を介して等倍で、プレートステージ
をステッピングさせながらガラスプレート上に順次つな
ぎ合わせて転写していく。これによって、ガラスプレー
ト上に画面合成（つなぎ合わせ）された大面積の回路パ
ターンを形成可能となっている。
リソグラフィ工程では、マスクまたはレチクル（以下、
単にレチクルと称す）のパターンを感光基板（表面にレ
ジスト層が形成された半導体ウエハやガラスプレート）
上に転写する装置として、ステップ・アンド・リピート
方式の投影型露光装置（ステッパー）が多用されるよう
になっている。例えば液晶表示素子製造用のステッパー
では、複数のレチクルを交換しながら各レチクルパター
ンの像を投影光学系を介して等倍で、プレートステージ
をステッピングさせながらガラスプレート上に順次つな
ぎ合わせて転写していく。これによって、ガラスプレー
ト上に画面合成（つなぎ合わせ）された大面積の回路パ
ターンを形成可能となっている。
【０００３】この種のステッパーは、レチクルパターン
の像をガラスプレートに結像投影するための投影光学系
と、ガラスプレートを保持して投影光学系の結像面内で
２次元移動可能なプレートステージとを有する露光処理
部と、ガラスプレートを保持可能な保持部材を少なくと
も１つ有し、保持部材に保持されたガラスプレートを露
光処理部に搬入するとともに、露光処理部で露光処理が
施されたガラスプレートを同一、または異なる保持部材
まで搬出する基板搬送部とから構成されている。保持部
材としては、例えば複数枚（１０〜２０枚程度）のガラ
スプレートを収納可能なプレート保管用キャリア、ある
いはステッパーとコータ・ディベロッパーとをインライ
ン化したとき、プレート搬送のサイクルタイムを調整す
るために一時的にガラスプレートを収納するバッファカ
セット等がある。
の像をガラスプレートに結像投影するための投影光学系
と、ガラスプレートを保持して投影光学系の結像面内で
２次元移動可能なプレートステージとを有する露光処理
部と、ガラスプレートを保持可能な保持部材を少なくと
も１つ有し、保持部材に保持されたガラスプレートを露
光処理部に搬入するとともに、露光処理部で露光処理が
施されたガラスプレートを同一、または異なる保持部材
まで搬出する基板搬送部とから構成されている。保持部
材としては、例えば複数枚（１０〜２０枚程度）のガラ
スプレートを収納可能なプレート保管用キャリア、ある
いはステッパーとコータ・ディベロッパーとをインライ
ン化したとき、プレート搬送のサイクルタイムを調整す
るために一時的にガラスプレートを収納するバッファカ
セット等がある。
【０００４】上記構成のステッパーでは、投影光学系の
周辺の環境条件（大気圧、気温、湿度等）の変化、さら
には投影光学系の露光光吸収による温度変化等によっ
て、投影光学系の結像特性（焦点位置、投影倍率等）が
変動し得る。このため、装置全体（露光処理部及び基板
搬送部）を、一定温度（例えば２３°±０．１°Ｃ）、
一定の清浄度（例えばクラス１０）に制御されたチャン
バー内に外気からほぼ遮断して収納している。しかも結
像特性に重要な影響を与える投影光学系のみを、高度に
温度制御された流体を用いてその温度を管理すること
で、効率的に結像特性の変動を防止する技術も提案され
ている。
周辺の環境条件（大気圧、気温、湿度等）の変化、さら
には投影光学系の露光光吸収による温度変化等によっ
て、投影光学系の結像特性（焦点位置、投影倍率等）が
変動し得る。このため、装置全体（露光処理部及び基板
搬送部）を、一定温度（例えば２３°±０．１°Ｃ）、
一定の清浄度（例えばクラス１０）に制御されたチャン
バー内に外気からほぼ遮断して収納している。しかも結
像特性に重要な影響を与える投影光学系のみを、高度に
温度制御された流体を用いてその温度を管理すること
で、効率的に結像特性の変動を防止する技術も提案され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来技術に
おいては、ステッパーを±０．１°Ｃ程度の精度で温度
制御されたチャンバー内で使用しており、人手または基
板搬送装置によってキャリア単位、あるいは１枚毎にガ
ラスプレートをチャンバー内に搬入すると、ガラスプレ
ートはチャンバー内の温度とほぼ等しい温度に平衡す
る。ところが、露光処理部のプレートステージ（特にホ
ルダ）は、ガラスプレートへのパターン露光の際にガラ
スプレートを介してステージに伝導して蓄積される熱エ
ネルギー、あるいはプレートステージの駆動系（例えば
送りねじ機構の場合、送りねじに螺合したナット）から
発生する熱等によって、チャンバー内の温度と異なる温
度に平衡している。このため、基板搬送装置（プレート
ローダ）によってプレートキャリアから取り出され、露
光処理部のプレートステージ（ホルダ）上に載置された
ガラスプレートは、プレートステージ（ホルダ）との温
度差がほぼ零となるまで温度変化し続け、最終的にはプ
レートステージの温度とほぼ等しい温度に平衡すること
になる。
おいては、ステッパーを±０．１°Ｃ程度の精度で温度
制御されたチャンバー内で使用しており、人手または基
板搬送装置によってキャリア単位、あるいは１枚毎にガ
ラスプレートをチャンバー内に搬入すると、ガラスプレ
ートはチャンバー内の温度とほぼ等しい温度に平衡す
る。ところが、露光処理部のプレートステージ（特にホ
ルダ）は、ガラスプレートへのパターン露光の際にガラ
スプレートを介してステージに伝導して蓄積される熱エ
ネルギー、あるいはプレートステージの駆動系（例えば
送りねじ機構の場合、送りねじに螺合したナット）から
発生する熱等によって、チャンバー内の温度と異なる温
度に平衡している。このため、基板搬送装置（プレート
ローダ）によってプレートキャリアから取り出され、露
光処理部のプレートステージ（ホルダ）上に載置された
ガラスプレートは、プレートステージ（ホルダ）との温
度差がほぼ零となるまで温度変化し続け、最終的にはプ
レートステージの温度とほぼ等しい温度に平衡すること
になる。
【０００６】従って、ガラスプレートの温度が平衡状態
となるまでは、ガラスプレートは寸法変化を起こし続け
るため、この間にガラスプレートに対してパターン露光
を行うと、ガラスプレート上での複数のレチクルパター
ンのつなぎ合わせ精度、あるいはガラスプレート上に既
に形成されているパターンに対するレチクルパターンの
投影像の重ね合わせ（アライメント）精度が低下すると
いう問題が生じる。これを防止するためには、ガラスプ
レートとプレートステージ（ホルダ）との温度差が無視
できる程度ないしはほぼ零となる（換言すれば、ガラス
プレートの寸法変化によるつなぎ合わせ精度やアライメ
ント精度の低下が所定の許容値（パターン線幅等によっ
て定まる値）以内となる）まで露光動作を停止させてお
く必要があるが、この停止時間が露光装置のスループッ
トを低下させるという問題点がある。
となるまでは、ガラスプレートは寸法変化を起こし続け
るため、この間にガラスプレートに対してパターン露光
を行うと、ガラスプレート上での複数のレチクルパター
ンのつなぎ合わせ精度、あるいはガラスプレート上に既
に形成されているパターンに対するレチクルパターンの
投影像の重ね合わせ（アライメント）精度が低下すると
いう問題が生じる。これを防止するためには、ガラスプ
レートとプレートステージ（ホルダ）との温度差が無視
できる程度ないしはほぼ零となる（換言すれば、ガラス
プレートの寸法変化によるつなぎ合わせ精度やアライメ
ント精度の低下が所定の許容値（パターン線幅等によっ
て定まる値）以内となる）まで露光動作を停止させてお
く必要があるが、この停止時間が露光装置のスループッ
トを低下させるという問題点がある。
【０００７】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
であり、露光処理部において感光基板が熱的に平衡状態
となるまでのその寸法変化によるアライメント精度（ま
たはつなぎ合わせ精度）やスループットの低下を防止で
きる露光装置を得ることを目的としている。
であり、露光処理部において感光基板が熱的に平衡状態
となるまでのその寸法変化によるアライメント精度（ま
たはつなぎ合わせ精度）やスループットの低下を防止で
きる露光装置を得ることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】 上記課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、マスク上のパターン
を基板ステージ（プレートステージＰＳ）に保持された
基板（ガラスプレートＰＴ）上に転写する露光方法にお
いて、前記基板ステージ上とは温度条件が異なる第２環
境（サブチャンバＳＣの扉ＳＤ1、ＳＤ2より外部）から
前記基板を前記基板ステージへ搬送するための基板搬送
部（プレートローダＰＬ）と前記基板ステージ（ＰＳ）
とを含む第１環境（メインチャンバＭＣ、サブチャンバ
ＳＣで形成される環境）へ搬入された基板を、前記基板
搬送部（ＰＬ）を用いて前記基板ステージ（ＰＳ）上へ
載置する前に、前記基板搬送部（ＰＬ）と前記基板ステ
ージ（ＰＳ）とを含む前記第１環境内で前記ステージ上
の温度条件に応じた所定状態に設定し、前記所定状態に
設定された基板を前記基板ステージ上に載置した後に前
記基板へ前記マスクパターンを転写することとした。ま
た、請求項１０に記載の発明では、マスク上のパターン
を基板上に転写する露光装置において、前記基板を保持
可能な基板ステージ（ＰＳ）と、前記基板ステージの設
置された第１環境とは（メインチャンバＭＣのチャンバ
ルームＭＲ内の環境）温度条件が異なる第２環境から搬
入された基板を、前記第１環境の温度条件に応じた所定
状態に設定する設定手段（サブチャンバＳＣ）とを設
け、前記所定状態に設定された基板上に前記マスクパタ
ーンを転写するよう構成した。また、請求項２１に記載
の発明では、マスク上に形成されたパターンを基板上へ
露光する露光装置において、第１装置が載置される第１
環境の温度条件を設定すると共に、前記第１装置とは異
なる第２装置が載置される第２環境に、前記第１環境と
は異なる温度条件を設定可能な環境設定手段を設ける。
めに、請求項１に記載の発明では、マスク上のパターン
を基板ステージ（プレートステージＰＳ）に保持された
基板（ガラスプレートＰＴ）上に転写する露光方法にお
いて、前記基板ステージ上とは温度条件が異なる第２環
境（サブチャンバＳＣの扉ＳＤ1、ＳＤ2より外部）から
前記基板を前記基板ステージへ搬送するための基板搬送
部（プレートローダＰＬ）と前記基板ステージ（ＰＳ）
とを含む第１環境（メインチャンバＭＣ、サブチャンバ
ＳＣで形成される環境）へ搬入された基板を、前記基板
搬送部（ＰＬ）を用いて前記基板ステージ（ＰＳ）上へ
載置する前に、前記基板搬送部（ＰＬ）と前記基板ステ
ージ（ＰＳ）とを含む前記第１環境内で前記ステージ上
の温度条件に応じた所定状態に設定し、前記所定状態に
設定された基板を前記基板ステージ上に載置した後に前
記基板へ前記マスクパターンを転写することとした。ま
た、請求項１０に記載の発明では、マスク上のパターン
を基板上に転写する露光装置において、前記基板を保持
可能な基板ステージ（ＰＳ）と、前記基板ステージの設
置された第１環境とは（メインチャンバＭＣのチャンバ
ルームＭＲ内の環境）温度条件が異なる第２環境から搬
入された基板を、前記第１環境の温度条件に応じた所定
状態に設定する設定手段（サブチャンバＳＣ）とを設
け、前記所定状態に設定された基板上に前記マスクパタ
ーンを転写するよう構成した。また、請求項２１に記載
の発明では、マスク上に形成されたパターンを基板上へ
露光する露光装置において、第１装置が載置される第１
環境の温度条件を設定すると共に、前記第１装置とは異
なる第２装置が載置される第２環境に、前記第１環境と
は異なる温度条件を設定可能な環境設定手段を設ける。
【０００９】
【作用】 請求項１の露光方法、又は、請求項１０の露
光装置によれば、基板ステージ上の第１環境とは異なる
第２環境から搬入される基板が、基板ステージ上へ載置
する前に、前記第１環境の温度条件に応じた所定状態に
設定される。このため、基板が基板ステージへ載置され
た際の変形が抑制される。また、請求項２１の露光装置
によれば、設定手段により、第１装置が載置される第１
環境と第２装置が載置される第２環境とで異なる温度条
件が設定可能である。
光装置によれば、基板ステージ上の第１環境とは異なる
第２環境から搬入される基板が、基板ステージ上へ載置
する前に、前記第１環境の温度条件に応じた所定状態に
設定される。このため、基板が基板ステージへ載置され
た際の変形が抑制される。また、請求項２１の露光装置
によれば、設定手段により、第１装置が載置される第１
環境と第２装置が載置される第２環境とで異なる温度条
件が設定可能である。
【００１０】このため、露光処理部に搬入される前の感
光基板の温度を、露光処理部内のステージ（ホルダ）の
温度とほぼ等しく設定することができる。従って、露光
処理部において感光基板が熱的に平衡状態となるまで露
光動作を停止させておく必要がなくなり、アライメント
（またはつなぎ合わせ）精度を低下させることなく、露
光装置のスループットを向上させることが可能となる。
光基板の温度を、露光処理部内のステージ（ホルダ）の
温度とほぼ等しく設定することができる。従って、露光
処理部において感光基板が熱的に平衡状態となるまで露
光動作を停止させておく必要がなくなり、アライメント
（またはつなぎ合わせ）精度を低下させることなく、露
光装置のスループットを向上させることが可能となる。
【００１１】
【実施例】 図１は本発明の実施例による露光装置の概
略的な全体構成を示す図であり、ここではチャンバに収
納された露光装置をその上方から見た様子を示してい
る。図１に示すように、本実施例では装置全体が２組の
チャンバＭＣ、ＳＣ内に外気からほぼ遮断されて収納さ
れている。メインチャンバーＭＣは、レチクルパターン
をガラスプレートに結像投影するための投影光学系７等
を有する露向処理部ＰＥを収納し、サブチャンバーＳＣ
は２組のプレートキャリアＰＣ1、ＰＣ2を含み、キャリ
アＰＣ1（又はＰＣ2）に収納されたガラスプレートを露
光処理部ＰＥに搬入するとともに、露光処理部ＰＥで露
光処理が施されたガラスプレートをキャリアＰＣ1又は
ＰＣ2まで搬出する基板搬送部（プレートローダ）ＰＬ
を収納している。
略的な全体構成を示す図であり、ここではチャンバに収
納された露光装置をその上方から見た様子を示してい
る。図１に示すように、本実施例では装置全体が２組の
チャンバＭＣ、ＳＣ内に外気からほぼ遮断されて収納さ
れている。メインチャンバーＭＣは、レチクルパターン
をガラスプレートに結像投影するための投影光学系７等
を有する露向処理部ＰＥを収納し、サブチャンバーＳＣ
は２組のプレートキャリアＰＣ1、ＰＣ2を含み、キャリ
アＰＣ1（又はＰＣ2）に収納されたガラスプレートを露
光処理部ＰＥに搬入するとともに、露光処理部ＰＥで露
光処理が施されたガラスプレートをキャリアＰＣ1又は
ＰＣ2まで搬出する基板搬送部（プレートローダ）ＰＬ
を収納している。
【００１２】本実施例では、露光処理部ＰＥに搬入すべ
きガラスプレートはキャリアＰＣ1 に収納され、このキ
ャリアＰＣ1 から取り出されて露光処理部ＰＥでパター
ンが転写されたガラスプレートはプレートローダＰＬに
よってキャリアＰＣ2 に収納されるものとする。また、
図１に示すようにメインチャンバーＭＣとサブチャンバ
ーＳＣとの間でガラスプレートの搬送が可能なように、
その境界の一部には開口部ＡＰが形成されている。
きガラスプレートはキャリアＰＣ1 に収納され、このキ
ャリアＰＣ1 から取り出されて露光処理部ＰＥでパター
ンが転写されたガラスプレートはプレートローダＰＬに
よってキャリアＰＣ2 に収納されるものとする。また、
図１に示すようにメインチャンバーＭＣとサブチャンバ
ーＳＣとの間でガラスプレートの搬送が可能なように、
その境界の一部には開口部ＡＰが形成されている。
【００１３】プレートキャリアＰＣ1 、ＰＣ2 は昇降可
能、すなわち紙面と垂直な方向へ移動可能な支持部材Ｅ
Ｖ1 、ＥＶ2 に載置されており、支持部材ＥＶ1 、ＥＶ
2 を下降させることによって、扉ＳＤ1 、ＳＤ2 を介し
て支持部材ＥＶ1 、ＥＶ2 とキャリア搬送用ワゴンＰＷ
との間でキャリアＰＣ1 、ＰＣ2 の受け渡しが行われ
る。また、図１中にはサブチャンバーＳＣ内、特に本実
施例では露光処理部ＰＥに搬入すべきガラスプレートを
保持したプレートキャリアＰＣ1 の周辺の環境条件（気
温、大気圧等）を検出する環境センサー２６が配置され
ている。
能、すなわち紙面と垂直な方向へ移動可能な支持部材Ｅ
Ｖ1 、ＥＶ2 に載置されており、支持部材ＥＶ1 、ＥＶ
2 を下降させることによって、扉ＳＤ1 、ＳＤ2 を介し
て支持部材ＥＶ1 、ＥＶ2 とキャリア搬送用ワゴンＰＷ
との間でキャリアＰＣ1 、ＰＣ2 の受け渡しが行われ
る。また、図１中にはサブチャンバーＳＣ内、特に本実
施例では露光処理部ＰＥに搬入すべきガラスプレートを
保持したプレートキャリアＰＣ1 の周辺の環境条件（気
温、大気圧等）を検出する環境センサー２６が配置され
ている。
【００１４】尚、本実施例ではキャリアＰＣ1 内のガラ
スプレート、もしくはその周辺の温度のみを検出できれ
ば良く、例えばガラスプレート（またはキャリアＰＣ1)
の温度を温度センサーにより直接、もしくは間接的に測
定するようにしても構わない。また、プレートキャリア
ＰＣ2 内のガラスプレートを露光処理部ＰＥに搬入する
場合もあるので、キャリアＰＣ2 の近傍にも環境センサ
ーを配置しておくことが望ましい。
スプレート、もしくはその周辺の温度のみを検出できれ
ば良く、例えばガラスプレート（またはキャリアＰＣ1)
の温度を温度センサーにより直接、もしくは間接的に測
定するようにしても構わない。また、プレートキャリア
ＰＣ2 内のガラスプレートを露光処理部ＰＥに搬入する
場合もあるので、キャリアＰＣ2 の近傍にも環境センサ
ーを配置しておくことが望ましい。
【００１５】図５はプレートローダＰＬの具体的な構成
を示す斜視図であって、キャリアＰＣ1 内のガラスプレ
ートＰＴは搬送部材（アーム）７０によってその裏面を
真空吸着されて取り出される。キャリアＰＣ1 内の複数
のガラスプレートの各々は、キャリアＰＣ1 と搬送アー
ム７０とをＺ方向に相対移動させる、すなわち本実施例
では支持部材ＥＶ1(図１）によってキャリアＰＣ1 を上
下動させることにより、キャリアＰＣ1 内から搬送アー
ム７０によって取り出される。
を示す斜視図であって、キャリアＰＣ1 内のガラスプレ
ートＰＴは搬送部材（アーム）７０によってその裏面を
真空吸着されて取り出される。キャリアＰＣ1 内の複数
のガラスプレートの各々は、キャリアＰＣ1 と搬送アー
ム７０とをＺ方向に相対移動させる、すなわち本実施例
では支持部材ＥＶ1(図１）によってキャリアＰＣ1 を上
下動させることにより、キャリアＰＣ1 内から搬送アー
ム７０によって取り出される。
【００１６】ガラスプレートＰＴを保持した搬送アーム
７０はＸＹ平面内で９０°回転した後、ガラスプレート
ＰＴはアーム旋回部（不図示）に付随して設けられたプ
リアライメント機構７１によって搬送アーム７０に対し
てアライメントされる。プリアライメントされたガラス
プレートＰＴは、Ｚ方向に移動可能な受け渡しテーブル
７２を介してロードアーム７３に受け渡され、このロー
ドアーム７３によって露光処理部ＰＥ内の所定位置に待
機しているプレートステージＰＳにローディングされて
ホルダＰＨに吸着される。受け渡しテーブル７２は、必
要時にはガラスプレートＰＴを９０°回転させてロード
アーム７３に受け渡すことが可能となっている。
７０はＸＹ平面内で９０°回転した後、ガラスプレート
ＰＴはアーム旋回部（不図示）に付随して設けられたプ
リアライメント機構７１によって搬送アーム７０に対し
てアライメントされる。プリアライメントされたガラス
プレートＰＴは、Ｚ方向に移動可能な受け渡しテーブル
７２を介してロードアーム７３に受け渡され、このロー
ドアーム７３によって露光処理部ＰＥ内の所定位置に待
機しているプレートステージＰＳにローディングされて
ホルダＰＨに吸着される。受け渡しテーブル７２は、必
要時にはガラスプレートＰＴを９０°回転させてロード
アーム７３に受け渡すことが可能となっている。
【００１７】露光処理部ＰＥでパターンが転写されたガ
ラスプレートＰＴは、搬送アーム７０がプレートステー
ジＰＳ上まで進入することにより取り出され、必要時に
は受け渡しテーブル７２上でガラスプレートＰＴを９０
°回転させた後、キャリアＰＣ2(図１）に収納される。
尚、ガラスプレートの交換を高速化するため、ガラスプ
レートの露光動作中に、次のガラスプレートをロードア
ーム７３に保持させておいても良い。
ラスプレートＰＴは、搬送アーム７０がプレートステー
ジＰＳ上まで進入することにより取り出され、必要時に
は受け渡しテーブル７２上でガラスプレートＰＴを９０
°回転させた後、キャリアＰＣ2(図１）に収納される。
尚、ガラスプレートの交換を高速化するため、ガラスプ
レートの露光動作中に、次のガラスプレートをロードア
ーム７３に保持させておいても良い。
【００１８】次に、図４を参照して露光処理部ＰＥの構
成を簡単に説明する。図４に示す装置のうち、少なくと
も投影光学系７とプレートステージＰＳとはチャンバー
ルームＭＲ内に配置されている。図４において、レチク
ルステージＲＳには４枚のレチクルＲ1 〜Ｒ4 が保持さ
れており、各レチクルはレーザ干渉計５とモータ６とに
よって、投影光学系７の上方に設定される。レチクルＲ
1 〜Ｒ4 の各々はレチクルステージＲＳ上でＸ、Ｙ、θ
（回転）方向に微動可能に構成されており、３組のレチ
クルアライメント系３Ｘ、３Ｙ、３θ（３Ｘはミラー４
Ｘのみ図示）を用いてレチクルを微動することによっ
て、レチクルは転写すべきパターン領域の中心点が投影
光学系７の光軸ＡＸとほぼ一致するように位置決めされ
る。
成を簡単に説明する。図４に示す装置のうち、少なくと
も投影光学系７とプレートステージＰＳとはチャンバー
ルームＭＲ内に配置されている。図４において、レチク
ルステージＲＳには４枚のレチクルＲ1 〜Ｒ4 が保持さ
れており、各レチクルはレーザ干渉計５とモータ６とに
よって、投影光学系７の上方に設定される。レチクルＲ
1 〜Ｒ4 の各々はレチクルステージＲＳ上でＸ、Ｙ、θ
（回転）方向に微動可能に構成されており、３組のレチ
クルアライメント系３Ｘ、３Ｙ、３θ（３Ｘはミラー４
Ｘのみ図示）を用いてレチクルを微動することによっ
て、レチクルは転写すべきパターン領域の中心点が投影
光学系７の光軸ＡＸとほぼ一致するように位置決めされ
る。
【００１９】さて、レチクルＲ2 を通過した照明光は両
側テレセントリックな投影光学系７に入射し、投影光学
系７はレチクルパターンの投影像を等倍で、表面にレジ
スト層が形成され、その表面が投影光学系７の結像面と
ほぼ一致するように保持されたガラスプレートＰＴ上に
結像投影する。ガラスプレートＰＴはプレートホルダ
（不図示）を介してプレートステージＰＳ上に載置され
ている。プレートステージＰＳはモータ９によりステッ
プ・アンド・リピート方式で２次元移動可能に構成され
ており、ガラスプレートＰＴに対するレチクルＲ2 の転
写露光が終了すると、次のショット位置までステッピン
グされる。プレートステージＰＳの２次元的な位置は干
渉計８によって、例えば０．０１μｍ程度の分解能で常
時検出される。また、プレートステージＰＳ上には当該
ステージまたはホルダの温度を測定するための温度セン
サー３０が設けられている。さらに図４中には、例えば
特開昭６０−１３０７４２号公報に開示されたようなＴ
ＴＬ(Through The Lens)方式のアライメント系３１も設
けられている。制御装置５０は、レチクルステージＲＳ
やプレートステージＰＳの位置を制御する他、装置全体
を統括制御する。
側テレセントリックな投影光学系７に入射し、投影光学
系７はレチクルパターンの投影像を等倍で、表面にレジ
スト層が形成され、その表面が投影光学系７の結像面と
ほぼ一致するように保持されたガラスプレートＰＴ上に
結像投影する。ガラスプレートＰＴはプレートホルダ
（不図示）を介してプレートステージＰＳ上に載置され
ている。プレートステージＰＳはモータ９によりステッ
プ・アンド・リピート方式で２次元移動可能に構成され
ており、ガラスプレートＰＴに対するレチクルＲ2 の転
写露光が終了すると、次のショット位置までステッピン
グされる。プレートステージＰＳの２次元的な位置は干
渉計８によって、例えば０．０１μｍ程度の分解能で常
時検出される。また、プレートステージＰＳ上には当該
ステージまたはホルダの温度を測定するための温度セン
サー３０が設けられている。さらに図４中には、例えば
特開昭６０−１３０７４２号公報に開示されたようなＴ
ＴＬ(Through The Lens)方式のアライメント系３１も設
けられている。制御装置５０は、レチクルステージＲＳ
やプレートステージＰＳの位置を制御する他、装置全体
を統括制御する。
【００２０】さて、図１の説明に戻って、メインチャン
バーＭＣにおいて露光処理部ＰＥは、ＨＥＰＡフィルタ
ー１２、仕切り（壁）１４、リターンダクト１５等で囲
まれたチャンバールームＭＲに配置されている。チャン
バールームＭＲ内の環境条件、特に気温は、空調機室１
７内に設けられた温度調節器１０、ファン１１、冷凍機
１３等によって、メインチャンバーＭＣ内の気体（空
気）の温度を制御して循環させることで、所定温度（２
３°Ｃ程度）に制御される。この際、例えば投影光学系
７の近傍に配置された環境（または温度）センサー１６
の検出結果に基づいて、チャンバーコントローラ１００
（図３）が温度調節器１０を制御することにより、チャ
ンバールームＭＲ内の気温が所定温度に維持される。
バーＭＣにおいて露光処理部ＰＥは、ＨＥＰＡフィルタ
ー１２、仕切り（壁）１４、リターンダクト１５等で囲
まれたチャンバールームＭＲに配置されている。チャン
バールームＭＲ内の環境条件、特に気温は、空調機室１
７内に設けられた温度調節器１０、ファン１１、冷凍機
１３等によって、メインチャンバーＭＣ内の気体（空
気）の温度を制御して循環させることで、所定温度（２
３°Ｃ程度）に制御される。この際、例えば投影光学系
７の近傍に配置された環境（または温度）センサー１６
の検出結果に基づいて、チャンバーコントローラ１００
（図３）が温度調節器１０を制御することにより、チャ
ンバールームＭＲ内の気温が所定温度に維持される。
【００２１】図１中に示した矢印は、メインチャンバー
ＭＣ内で空気の流れる方向（循環経路）を表しており、
チャンバールームＭＲ内ではサブチャンバーＳＣとの境
界部にほぼ沿って流れている。チャンバールームＭＲ内
で空気を流す方向は任意で構わないが、当然ながらサブ
チャンバーＳＣ、すなわち開口部ＡＰに向かないように
流すことが望ましい。尚、温度とともにチャンバールー
ムＭＲに流入させる気体の圧力等を制御しても良い。
ＭＣ内で空気の流れる方向（循環経路）を表しており、
チャンバールームＭＲ内ではサブチャンバーＳＣとの境
界部にほぼ沿って流れている。チャンバールームＭＲ内
で空気を流す方向は任意で構わないが、当然ながらサブ
チャンバーＳＣ、すなわち開口部ＡＰに向かないように
流すことが望ましい。尚、温度とともにチャンバールー
ムＭＲに流入させる気体の圧力等を制御しても良い。
【００２２】次に、図２を参照してサブチャンバーＳＣ
の具体的な構成の一例を説明する。図２は図１中に示し
たサブチャンバーＳＣを正面（ワゴンＰＷの方向）から
見た様子を示しており、２組のプレートキャリアＰ
Ｃ1 、ＰＣ2(不図示）とともにプレートローダＰＬは、
ＨＥＰＡフィルター２２及びリターンダクト２５を介し
て少なくとも温度制御された気体（空気）が循環される
チャンバールームＳＲ内に収納されている。チャンバー
ルームＳＲ内の環境条件、特に露光処理部ＰＥに搬入す
べきガラスプレートが収納されたプレートキャリアＰＣ
1 の周辺の気温は、空調機室２７内に設けられた温度調
節器２０、ファン２１、冷凍機２３等によって、サブチ
ャンバーＳＣ内の気体（空気）の温度を制御して循環さ
せることで所定温度に設定可能となっている。チャンバ
ールームＳＲの温度設定はメインチャンバーＭＣと同様
に、環境（または温度）センサー２６、さらには露光処
理部ＰＥ内のプレートステージ（ホルダ）ＰＳに設けら
れた温度センサー３０（後述）の検出結果に基づいて、
チャンバーコントローラ１００（図３）が温度調節器２
０を制御することにより行われる。
の具体的な構成の一例を説明する。図２は図１中に示し
たサブチャンバーＳＣを正面（ワゴンＰＷの方向）から
見た様子を示しており、２組のプレートキャリアＰ
Ｃ1 、ＰＣ2(不図示）とともにプレートローダＰＬは、
ＨＥＰＡフィルター２２及びリターンダクト２５を介し
て少なくとも温度制御された気体（空気）が循環される
チャンバールームＳＲ内に収納されている。チャンバー
ルームＳＲ内の環境条件、特に露光処理部ＰＥに搬入す
べきガラスプレートが収納されたプレートキャリアＰＣ
1 の周辺の気温は、空調機室２７内に設けられた温度調
節器２０、ファン２１、冷凍機２３等によって、サブチ
ャンバーＳＣ内の気体（空気）の温度を制御して循環さ
せることで所定温度に設定可能となっている。チャンバ
ールームＳＲの温度設定はメインチャンバーＭＣと同様
に、環境（または温度）センサー２６、さらには露光処
理部ＰＥ内のプレートステージ（ホルダ）ＰＳに設けら
れた温度センサー３０（後述）の検出結果に基づいて、
チャンバーコントローラ１００（図３）が温度調節器２
０を制御することにより行われる。
【００２３】図２中に示した矢印は、サブチャンバーＳ
Ｃ内で温度制御された空気の流れる方向（循環経路）を
表しており、チャンバールームＳＲ内ではメインチャン
バーＭＣとの境界部（開口部ＡＰ）からリターンダクト
２５に向かって流れている。尚、本実施例ではその構成
上、チャンバールームＳＲにおいて２組のプレートキャ
リアＰＣ1 、ＰＣ2 の開口部（ガラスプレートの出し入
れ口）が空気の流れる方向とほぼ平行となるので、その
内部に収納されたガラスプレートの温度制御の効率向上
のために、例えばキャリアＰＣ1、ＰＣ2 の側面部（空
気の流れる方向とほぼ垂直な面）に複数の孔（開口）を
形成しておき、温度制御された空気がキャリアＰＣ1 、
ＰＣ2 内の各ガラスプレートにほぼ沿って流れるように
構成することが望ましい。また、チャンバールームＳＲ
内で空気を流す方向は任意で良く、例えば図１中でキャ
リアＰＣ1 からキャリアＰＣ2 に向けて流すようにして
も構わない。但し、ＨＥＰＡフィルター２２からの空気
がメインチャンバーＭＣ、すなわち開口部ＡＰに向かな
いように流すことが望ましい。
Ｃ内で温度制御された空気の流れる方向（循環経路）を
表しており、チャンバールームＳＲ内ではメインチャン
バーＭＣとの境界部（開口部ＡＰ）からリターンダクト
２５に向かって流れている。尚、本実施例ではその構成
上、チャンバールームＳＲにおいて２組のプレートキャ
リアＰＣ1 、ＰＣ2 の開口部（ガラスプレートの出し入
れ口）が空気の流れる方向とほぼ平行となるので、その
内部に収納されたガラスプレートの温度制御の効率向上
のために、例えばキャリアＰＣ1、ＰＣ2 の側面部（空
気の流れる方向とほぼ垂直な面）に複数の孔（開口）を
形成しておき、温度制御された空気がキャリアＰＣ1 、
ＰＣ2 内の各ガラスプレートにほぼ沿って流れるように
構成することが望ましい。また、チャンバールームＳＲ
内で空気を流す方向は任意で良く、例えば図１中でキャ
リアＰＣ1 からキャリアＰＣ2 に向けて流すようにして
も構わない。但し、ＨＥＰＡフィルター２２からの空気
がメインチャンバーＭＣ、すなわち開口部ＡＰに向かな
いように流すことが望ましい。
【００２４】さて、上記構成の装置では、図３に示すよ
うにチャンバーコントローラ１００が環境センサー１
６、２６及び温度センサー３０の検出結果に基づいて温
度調節器１０、２０の各々を独立に制御し、チャンバー
ルームＭＲ、ＳＲ内を循環させる気体の各温度を任意に
設定することが可能となっている。従って、露光処理を
行うためにサブチャンバーＳＣに格納されたプレートキ
ャリアＰＣ1 内のガラスプレートはストックとして保管
されると同時に、チャンバールームＳＲ内の空気温度、
すなわち露光処理部ＰＥ内のプレートステージ（正確に
はプレート載置面（ホルダ面））の温度とほぼ等しい温
度に平衡していくことになる。このため、プレートキャ
リアＰＣ1 内のガラスプレートをプレートステージ上に
ローディングする際には、ガラスプレートとプレートス
テージ（ホルダ）との温度差が既にほぼ零となってお
り、プレートステージ上ではガラスプレートの寸法変化
が生じないので、直ちに露光動作を開始することができ
る。
うにチャンバーコントローラ１００が環境センサー１
６、２６及び温度センサー３０の検出結果に基づいて温
度調節器１０、２０の各々を独立に制御し、チャンバー
ルームＭＲ、ＳＲ内を循環させる気体の各温度を任意に
設定することが可能となっている。従って、露光処理を
行うためにサブチャンバーＳＣに格納されたプレートキ
ャリアＰＣ1 内のガラスプレートはストックとして保管
されると同時に、チャンバールームＳＲ内の空気温度、
すなわち露光処理部ＰＥ内のプレートステージ（正確に
はプレート載置面（ホルダ面））の温度とほぼ等しい温
度に平衡していくことになる。このため、プレートキャ
リアＰＣ1 内のガラスプレートをプレートステージ上に
ローディングする際には、ガラスプレートとプレートス
テージ（ホルダ）との温度差が既にほぼ零となってお
り、プレートステージ上ではガラスプレートの寸法変化
が生じないので、直ちに露光動作を開始することができ
る。
【００２５】以上の実施例においては、２組のプレート
キャリアＰＣ1 、ＰＣ2 及びプレートローダＰＬをサブ
チャンバーＳＣ内に収納していたが、露光処理部ＰＥに
搬入すべきガラスプレートを収納したキャリアのみをサ
ブチャンバーＳＣ内に収納しても良い。例えばキャリア
ＰＣ1 に収納されたガラスプレートを、露光処理部ＰＥ
でパターンが転写された後に、再び同一キャリアＰＣ1
に収納する場合には、キャリアＰＣ1 のみをサブチャン
バーＳＣに収納するようにしても構わない。このとき、
キャリアＰＣ1 以外はメインチャンバーＭＣ内に収納さ
れることになる。また、ステッパーとコータディベロッ
パーとをインライン化した場合には、表面にレジスト層
が形成されたガラスプレートをサブチャンバーを介して
メインチャンバーに搬入するように構成すれば良い。上
記の如くインライン化した場合には、ガラスプレートの
搬送タイムを調整するための保持部材（例えばバッファ
カセット等）が搬送路中に設けられるので、このバッフ
ァカセットをサブチャンバー内に収納するように構成す
れば良い。
キャリアＰＣ1 、ＰＣ2 及びプレートローダＰＬをサブ
チャンバーＳＣ内に収納していたが、露光処理部ＰＥに
搬入すべきガラスプレートを収納したキャリアのみをサ
ブチャンバーＳＣ内に収納しても良い。例えばキャリア
ＰＣ1 に収納されたガラスプレートを、露光処理部ＰＥ
でパターンが転写された後に、再び同一キャリアＰＣ1
に収納する場合には、キャリアＰＣ1 のみをサブチャン
バーＳＣに収納するようにしても構わない。このとき、
キャリアＰＣ1 以外はメインチャンバーＭＣ内に収納さ
れることになる。また、ステッパーとコータディベロッ
パーとをインライン化した場合には、表面にレジスト層
が形成されたガラスプレートをサブチャンバーを介して
メインチャンバーに搬入するように構成すれば良い。上
記の如くインライン化した場合には、ガラスプレートの
搬送タイムを調整するための保持部材（例えばバッファ
カセット等）が搬送路中に設けられるので、このバッフ
ァカセットをサブチャンバー内に収納するように構成す
れば良い。
【００２６】さらに、本実施例ではプレートステージ
（ホルダ）の温度に応じてガラスプレートの温度を制御
することとしたが、例えばプレートステージの温度変化
が小さい場合には、ガラスプレートの温度を一定値、す
なわちプレートステージの温度変化の範囲内の所定温度
に常時制御するようにしても良い。また、プレートステ
ージの温度とほぼ等しくなるようにガラスプレートの温
度を制御する必要はなく、例えばガラスプレートとプレ
ートステージとの温度差に起因して生じるガラスプレー
トの寸法変化量が所定の許容値（アライメント精度やつ
なぎ合わせ精度等によって一義的に定まる値）以内とな
るような温度範囲内にガラスプレートの温度を制御して
やれば良い。
（ホルダ）の温度に応じてガラスプレートの温度を制御
することとしたが、例えばプレートステージの温度変化
が小さい場合には、ガラスプレートの温度を一定値、す
なわちプレートステージの温度変化の範囲内の所定温度
に常時制御するようにしても良い。また、プレートステ
ージの温度とほぼ等しくなるようにガラスプレートの温
度を制御する必要はなく、例えばガラスプレートとプレ
ートステージとの温度差に起因して生じるガラスプレー
トの寸法変化量が所定の許容値（アライメント精度やつ
なぎ合わせ精度等によって一義的に定まる値）以内とな
るような温度範囲内にガラスプレートの温度を制御して
やれば良い。
【００２７】また、上記実施例ではガラスプレートの温
度を所望の温度に制御するために、温度制御された空気
をサブチャンバーＳＣ内で循環させていたが、これ以外
の方法、例えば露光処理部ＰＥに搬入すべきガラスプレ
ートを収納したプレートキャリア（またはバッファカセ
ット）、もしくはガラスプレートを、ペルチェ素子等の
温度調整手段によって加熱（または冷却）してその温度
を制御するようにしても良い。また、このような構成を
採用する場合には特にサブチャンバーを設ける必要はな
く、露光処理部ＰＥ等とともにプレートキャリアＰＣ1
をメインチャンバー内に収納することができる。しかし
ながら、ガラスプレートの温度制御精度を考慮すると、
少なくともキャリアＰＣ1 をサブチャンバー内に配置す
ることが望ましい。尚、サブチャンバーＳＣ内を循環さ
せる気体は空気以外、例えばヘリウム等であっても良
い。また、温度制御された気体を循環させる方式以外
に、ガラスプレートの温度のみを直接、または間接的に
制御する場合には、気体の他に流体（水等）を用いても
構わない。
度を所望の温度に制御するために、温度制御された空気
をサブチャンバーＳＣ内で循環させていたが、これ以外
の方法、例えば露光処理部ＰＥに搬入すべきガラスプレ
ートを収納したプレートキャリア（またはバッファカセ
ット）、もしくはガラスプレートを、ペルチェ素子等の
温度調整手段によって加熱（または冷却）してその温度
を制御するようにしても良い。また、このような構成を
採用する場合には特にサブチャンバーを設ける必要はな
く、露光処理部ＰＥ等とともにプレートキャリアＰＣ1
をメインチャンバー内に収納することができる。しかし
ながら、ガラスプレートの温度制御精度を考慮すると、
少なくともキャリアＰＣ1 をサブチャンバー内に配置す
ることが望ましい。尚、サブチャンバーＳＣ内を循環さ
せる気体は空気以外、例えばヘリウム等であっても良
い。また、温度制御された気体を循環させる方式以外
に、ガラスプレートの温度のみを直接、または間接的に
制御する場合には、気体の他に流体（水等）を用いても
構わない。
【００２８】さらに、ガラスプレートの交換を高速化す
るために、露光動作中にローダアーム７３に次のガラス
プレートを待機させておくようなシーケンスを採用する
場合には、ローダアーム７３での待機時間を考慮して、
サブチャンバーＳＣ内におけるガラスプレートの温度を
予め高めに設定しておくことが望ましい。また、上記実
施例ではサブチャンバーＳＣ内の温度をプレートステー
ジＰＳの温度とほぼ等しく設定することで、ガラスプレ
ートＰＴの温度をプレートステージＰＳの温度と平衡さ
せていたが、最短時間でガラスプレートＰＴの温度がプ
レートステージＰＳの温度と等しくなるように、サブチ
ャンバーＳＣ内の温度（すなわち循環させる空気の温
度）を積極的に制御する、例えばプレートキャリア（ま
たはガラスプレート）がサブチャンバー内に収納された
直後はプレートステージＰＳの温度より高めに温度を設
定しておき、ガラスプレートＰＴの温度がプレートステ
ージＰＳの温度とほぼ等しくなった時点でプレートステ
ージＰＳの温度とほぼ等しく設定するようにしても良
い。
るために、露光動作中にローダアーム７３に次のガラス
プレートを待機させておくようなシーケンスを採用する
場合には、ローダアーム７３での待機時間を考慮して、
サブチャンバーＳＣ内におけるガラスプレートの温度を
予め高めに設定しておくことが望ましい。また、上記実
施例ではサブチャンバーＳＣ内の温度をプレートステー
ジＰＳの温度とほぼ等しく設定することで、ガラスプレ
ートＰＴの温度をプレートステージＰＳの温度と平衡さ
せていたが、最短時間でガラスプレートＰＴの温度がプ
レートステージＰＳの温度と等しくなるように、サブチ
ャンバーＳＣ内の温度（すなわち循環させる空気の温
度）を積極的に制御する、例えばプレートキャリア（ま
たはガラスプレート）がサブチャンバー内に収納された
直後はプレートステージＰＳの温度より高めに温度を設
定しておき、ガラスプレートＰＴの温度がプレートステ
ージＰＳの温度とほぼ等しくなった時点でプレートステ
ージＰＳの温度とほぼ等しく設定するようにしても良
い。
【００２９】また、プレートステージＰＳに温度調整機
構を設け、例えばステージの温度が常に一定となるよう
に制御しても構わない。この場合には、サブチャンバー
ＳＣ内の温度制御（正確にはガラスプレートの温度制
御）が非常に楽になるといった利点がある。さらに積極
的には、次にプレートステージ上に載置されるガラスプ
レートの温度に応じてプレートステージの温度を制御し
て両者の温度差をほぼ零とするようにしても良い。この
とき、次にプレートステージ上に載置されるガラスプレ
ートの温度を、サブチャンバー等によって所定値に制御
していても、あるいはサブチャンバー等を設けず、全く
制御していなくても良い。
構を設け、例えばステージの温度が常に一定となるよう
に制御しても構わない。この場合には、サブチャンバー
ＳＣ内の温度制御（正確にはガラスプレートの温度制
御）が非常に楽になるといった利点がある。さらに積極
的には、次にプレートステージ上に載置されるガラスプ
レートの温度に応じてプレートステージの温度を制御し
て両者の温度差をほぼ零とするようにしても良い。この
とき、次にプレートステージ上に載置されるガラスプレ
ートの温度を、サブチャンバー等によって所定値に制御
していても、あるいはサブチャンバー等を設けず、全く
制御していなくても良い。
【００３０】ところで、上記実施例ではガラスプレート
とプレートステージとの温度差に着目していたが、レチ
クルとレチクルステージとの間にも全く同様の問題が生
じ得るので、レチクルステージに搬送される前にレチク
ルの温度を所定値に制御しておくようにしても良い。こ
のときも上記実施例と全く同様に、レチクルステージに
搬送される前のレチクルを保管しておく保管部（レチク
ルケース等を含む）を、メインチャンバーＭＣとは別に
外気からほぼ遮断してサブチャンバー内に収納し、その
温度を所定値に制御するように構成しておけば良い。あ
るいは、レチクルの温度を直接制御しても、さらに数百
枚のレチクルを保管可能なストックシステムとステッパ
ーとがインライン化されている場合には、ストックシス
テム内でレチクルの温度を制御するように構成しても構
わない。
とプレートステージとの温度差に着目していたが、レチ
クルとレチクルステージとの間にも全く同様の問題が生
じ得るので、レチクルステージに搬送される前にレチク
ルの温度を所定値に制御しておくようにしても良い。こ
のときも上記実施例と全く同様に、レチクルステージに
搬送される前のレチクルを保管しておく保管部（レチク
ルケース等を含む）を、メインチャンバーＭＣとは別に
外気からほぼ遮断してサブチャンバー内に収納し、その
温度を所定値に制御するように構成しておけば良い。あ
るいは、レチクルの温度を直接制御しても、さらに数百
枚のレチクルを保管可能なストックシステムとステッパ
ーとがインライン化されている場合には、ストックシス
テム内でレチクルの温度を制御するように構成しても構
わない。
【００３１】尚、本発明においてメインチャンバー（第
１のチャンバー）の構成やその温度調整機構は任意で良
く、さらに露光処理部ＰＥは投影型以外、例えばプロキ
シミティー方式等であっても構わない。また、本発明は
半導体製造用の露光装置に対して全く同様に適用でき
る。
１のチャンバー）の構成やその温度調整機構は任意で良
く、さらに露光処理部ＰＥは投影型以外、例えばプロキ
シミティー方式等であっても構わない。また、本発明は
半導体製造用の露光装置に対して全く同様に適用でき
る。
【００３２】
【発明の効果】 請求項１露光方法、又は、請求項１１
の露光装置によれば、基板ステージ上の第１環境とは異
なる第２環境から搬入される基板が、基板ステージ上へ
載置される前に、前記第１環境の温度条件に応じた所定
状態に設定され、このため、基板が基板ステージへ載置
された際の変形が抑制される。よって、基板にマスクパ
ターンを露光する際に精度の高い露光が可能となる。ま
た、請求項２３の露光装置によれば、設定手段により、
第１装置が載置される第１環境と第２装置が載置される
第２環境とで異なる温度条件が設定可能である。このた
め、例えば、第１環境と第２環境との温度の違いに起因
する不都合を解消することが可能となる。
の露光装置によれば、基板ステージ上の第１環境とは異
なる第２環境から搬入される基板が、基板ステージ上へ
載置される前に、前記第１環境の温度条件に応じた所定
状態に設定され、このため、基板が基板ステージへ載置
された際の変形が抑制される。よって、基板にマスクパ
ターンを露光する際に精度の高い露光が可能となる。ま
た、請求項２３の露光装置によれば、設定手段により、
第１装置が載置される第１環境と第２装置が載置される
第２環境とで異なる温度条件が設定可能である。このた
め、例えば、第１環境と第２環境との温度の違いに起因
する不都合を解消することが可能となる。
【図１】本発明の実施例による露光装置の概略的な全体
構成を示す図。
構成を示す図。
【図２】図１中に示したサブチャンバー（第２のチャン
バー）の具体的な構成の一例を示す図。
バー）の具体的な構成の一例を示す図。
【図３】本発明の実施例による露光装置、特に２組のチ
ャンバーの制御系の構成の一例を示すブロック図。
ャンバーの制御系の構成の一例を示すブロック図。
【図４】露光処理部の具体的な構成を示す平面図。
【図５】基板搬送部（プレートローダ）の具体的な構成
を示す斜視図。
を示す斜視図。
１０、２０ 温度調節器 １１、２１ ファン １２、２２ ＨＥＰＡフィルター １６、２６ 環境センサー（温度センサー） ３０ 温度センサー ＰＥ 露光処理部 ＰＬ 基板搬送部 ＰＣ1 、ＰＣ2 プレートキャリア １００ チャンバーコントローラ
Claims (31)
- 【請求項１】マスク上のパターンを基板ステージに保持
された基板上に転写する露光方法であって、 前記基板ステージ上とは温度条件が異なる第２環境から
前記基板を前記基板ステージへ搬送するための基板搬送
部と前記基板ステージとを含む第１環境へ搬入された基
板を、前記基板搬送部を用いて前記基板ステージ上へ載
置する前に、前記基板搬送部と前記基板ステージとを含
む前記第１環境内で前記ステージ上の温度条件に応じた
所定状態に設定し、 前記所定状態に設定された基板を前記基板ステージ上に
載置した後に前記基板へ前記マスクパターンを転写する
ことを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】請求項１の露光方法において、 前記基板に設定される前記所定状態は、前記ステージ上
の温度条件に関する情報を検出するセンサからの出力に
応じて決定されることを特徴とする露光方法。 - 【請求項３】請求項１の露光方法において、 前記基板を前記ステージ上の温度条件に応じた前記所定
状態に設定することは、前記基板の温度を前記第１環境
の温度と等しい温度に設定することを含む。 - 【請求項４】請求項１の露光方法において、 前記基板を前記ステージ上の温度条件に応じた前記所定
状態に設定することは、前記基板の温度を前記第１環境
の温度よりも高い温度に設定することを含む。 - 【請求項５】請求項１の露光方法において、 前記基板を前記ステージ上の温度条件に応じた前記所定
状態に設定するために、前記ステージ上の温度条件に応
じた温度条件が設定されたチャンバ内に前記基板を保持
することを特徴とする露光方法。 - 【請求項６】請求項１の露光方法において、 前記基板を前記ステージ上の温度条件に応じた前記所定
状態に設定するために、前記基板を加熱又は冷却可能な
温度調節手段で前記基板の温度を制御することを特徴と
する露光方法。 - 【請求項７】請求項１の露光方法において、 前記第２環境から搬入される基板を、複数の基板を保持
可能なキャリアに保持された状態で搬入することを特徴
とする露光方法。 - 【請求項８】請求項７の露光方法において、 前記基板に設定される前記ステージ上の温度条件に応じ
た前記所定状態は、前記キャリアの近傍の環境に関する
情報を検出するセンサからの出力に応じて決定されるこ
とを特徴とする露光方法。 - 【請求項９】請求項８の露光方法において、 前記キャリアを複数搬入し、 前記センサは、前記複数のキャリアそれぞれの近傍の温
度条件に関する情報を検出することを特徴とする露光方
法。 - 【請求項１０】マスク上のパターンを基板上に転写する
露光装置であって、 前記基板を保持可能な基板ステージと、 前記基板ステージの設置された第１環境とは温度条件が
異なる第２環境から搬入された基板を、前記第１環境の
温度条件に応じた所定状態に設定する設定手段とを備
え、 前記所定状態に設定された基板上に前記マスクパターン
を転写することを特徴とする露光装置。 - 【請求項１１】請求項１０の露光装置は、 前記第１環境の温度条件に関する情報を検出するセンサ
を備え、 前記設定手段は、前記センサからの出力に応じて前記基
板を前記所定状態に設定することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項１２】請求項１０の露光装置において、 前記設定手段は、前記基板の温度を前記第１環境の温度
に等しく設定することを特徴とする露光装置。 - 【請求項１３】請求項１０の露光装置において、 前記設定手段は、前記基板の温度を前記第１環境の温度
よりも高い温度に設定することを特徴とする露光装置。 - 【請求項１４】請求項１０の露光装置は、 内部に前記第１環境の温度条件に応じた温度条件が設定
されたチャンバを備え、 前記第２環境から搬入された基板を、前記基板ステージ
上に載置する前に、前記チャンバ内に保持することによ
って、前記基板を前記第１環境の温度条件に応じた前記
所定状態に設定することを特徴とする露光装置。 - 【請求項１５】請求項１０の露光装置は、 前記基板を加熱又は冷却可能な温度調節手段を備え、 前記温度調節手段で前記基板を加熱又は冷却することに
よって、前記基板を前記第１環境の温度条件に応じた前
記所定状態に設定することを特徴とする露光装置。 - 【請求項１６】請求項１０乃至１５いずれか一項に記載
の露光装置と、 前記基板を複数保持可能なキャリアとを含み、 前記基板が前記キャリアに保持された状態で搬送される
ことを特徴とする露光システム。 - 【請求項１７】請求項１６の露光システムは、 前記キャリアの近傍の温度条件に関する情報を検出する
センサを備え、 前記設定手段は、前記センサからの出力に応じて前記基
板を前記所定状態に設定することを特徴とする露光シス
テム。 - 【請求項１８】請求項１７の露光システムは、 前記キャリアを複数備え、 前記センサは、前記複数のキャリアそれぞれの近傍の温
度条件に関する情報を検出することを特徴とする露光シ
ステム。 - 【請求項１９】請求項１４の露光装置は、 前記チャンバ内に設けられ、前記第２環境から搬入され
た基板を前記基板ステージまで搬送する搬送手段を有す
ることを特徴とする露光装置。 - 【請求項２０】請求項１９の露光装置において、 前記搬送手段は、前記基板を前記基板ステージへ載置す
る前に、前記基板の位置を調節する位置調節手段を有す
ることを特徴とする露光装置。 - 【請求項２１】マスク上に形成されたパターンを基板上
へ露光する露光装置であって、 第１装置が載置される第１環境の温度条件を設定すると
共に、前記第１装置とは異なる第２装置が載置される第
２環境に、前記第１環境とは異なる温度条件を設定可能
な設定手段を有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２２】請求項２１の露光装置において、 前記第１環境は第１チャンバ内の環境であり、前記第２
環境は、前記第１チャンバとは異なる第２チャンバ内の
環境であることを特徴とする露光装置。 - 【請求項２３】請求項２２の露光装置において、 前記設定手段は、専ら前記第１チャンバ内の第１環境の
温度条件を設定する第１設定手段と、前記第１設定手段
とは別設され、前記第２チャンバ内の前記第２チャンバ
の温度条件を設定する第２設定手段とを含むことを特徴
とする露光装置。 - 【請求項２４】請求項２１乃至２３いずれか一項に記載
の露光装置において、 前記第１装置は、前記マスクパターンを転写される位置
にある基板を保持するステージを含むことを特徴とする
露光装置。 - 【請求項２５】請求項２４に記載の露光装置において、 前記第２装置は、前記基板を前記ステージへ搬送する搬
送手段を含むことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２６】請求項２５に記載の露光装置において、 前記設定手段は、前記搬送手段を含む第２装置が載置さ
れた第２環境の温度を、前記ステージを含む第１装置が
載置された第１環境の温度よりも高い温度に設定するこ
とを特徴とする露光装置。 - 【請求項２７】請求項２６に記載の露光装置において、 前記搬送手段が、前記ステージへ基板を搬送する際に、
所定の待機動作を経た後に前記ステージ上へ前記基板を
搬送する場合に、 前記設定手段は、前記第２環境の温度を、前記待機動作
に応じて決定することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２８】請求項２７に記載の露光装置において、 前記設定手段は、前記第２環境に載置された基板の温度
が前記ステージの温度にほぼ等しくなるまで前記第２環
境に前記第１環境よりも高い温度を設定し、前記基板の
温度が前記ステージの温度にほぼ等しくなった後に、前
記第２環境の温度を前記第１環境の温度と等しく設定す
ることを特徴とする露光装置。 - 【請求項２９】請求項２４乃至２８いずれか一項に記載
の露光装置において、 前記設定手段は、前記ステージ上の環境条件に応じて、
前記第１環境の温度条件と前記第２環境の温度条件とを
設定することを特徴とする露光装置。 - 【請求項３０】請求項２９に記載の露光装置において、 前記設定手段は、前記第１環境の温度と前記第２環境の
温度とを所定温度範囲内に設定することを特徴とする露
光装置。 - 【請求項３１】請求項３０の露光装置において、 前記所定温度範囲は、前記ステージの温度に応じて決定
されることを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28991691A JP3286994B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 露光方法、および露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28991691A JP3286994B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 露光方法、および露光装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21200699A Division JP3149106B2 (ja) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | 露光システム及びその露光システムにより製造されたデバイス、並びに露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129181A JPH05129181A (ja) | 1993-05-25 |
| JP3286994B2 true JP3286994B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=17749425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28991691A Expired - Lifetime JP3286994B2 (ja) | 1991-11-06 | 1991-11-06 | 露光方法、および露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3286994B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707528B1 (en) | 1994-03-02 | 2004-03-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having independent chambers and methods of making the same |
| JP3695000B2 (ja) | 1996-08-08 | 2005-09-14 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置 |
| AU4779700A (en) | 1999-05-27 | 2000-12-18 | Nikon Corporation | Exposure system, method of manufacturing device, and method of environmental control of exposure system |
| JP5167572B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2013-03-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| US8208119B2 (en) | 2004-02-04 | 2012-06-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
| US7440076B2 (en) * | 2005-09-29 | 2008-10-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| JP5002947B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2012-08-15 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造設備 |
-
1991
- 1991-11-06 JP JP28991691A patent/JP3286994B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05129181A (ja) | 1993-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI696042B (zh) | 測量裝置、微影系統及曝光裝置、以及管理方法、重疊測量方法及元件製造方法 | |
| JP7379314B2 (ja) | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 | |
| US6593045B2 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
| JP3365571B2 (ja) | 光学式計測装置及び露光装置 | |
| US6342941B1 (en) | Exposure apparatus and method preheating a mask before exposing; a conveyance method preheating a mask before exposing; and a device manufacturing system and method manufacturing a device according to the exposure apparatus and method | |
| US5738165A (en) | Substrate holding apparatus | |
| TWI693477B (zh) | 測量裝置、微影系統及曝光裝置、以及元件製造方法 | |
| US7126689B2 (en) | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device | |
| US6228544B1 (en) | Exposure method utilizing pre-exposure reduction of substrate temperature | |
| US7440076B2 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby | |
| US20010055117A1 (en) | Alignment method, exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method | |
| JP2001244196A (ja) | 温度制御された熱シールドを有するリソグラフィ投影装置 | |
| JPH0992613A (ja) | 温調装置及び走査型露光装置 | |
| JPWO2002054460A1 (ja) | 露光装置 | |
| JP3286994B2 (ja) | 露光方法、および露光装置 | |
| KR101508620B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
| US20100186942A1 (en) | Reticle error reduction by cooling | |
| JP3214494B2 (ja) | 保持装置および露光システム、デバイス | |
| JP2004221253A (ja) | 露光装置 | |
| JP3149106B2 (ja) | 露光システム及びその露光システムにより製造されたデバイス、並びに露光方法及びその露光方法を用いたデバイス製造方法 | |
| JPH11251236A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP4196037B2 (ja) | 基板処理システム及び基板処理装置並びにデバイス製造方法 | |
| JPH04589B2 (ja) | ||
| JPH10242046A (ja) | 露光装置、露光方法及びマスク収納ケース | |
| JP2010266687A (ja) | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110315 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110315 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120315 Year of fee payment: 10 |