JP7379314B2 - 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 685
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 147
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 144
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 206
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 84
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 60
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 52
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 38
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 12
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 12
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 713
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 53
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 50
- 230000006870 function Effects 0.000 description 19
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 19
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 12
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 5
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 229910001208 Crucible steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000873785 Homo sapiens mRNA-decapping enzyme 1A Proteins 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 102100035856 mRNA-decapping enzyme 1A Human genes 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
- G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
- G01B11/272—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes using photoelectric detection means
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Description
Claims (35)
- マイクロデバイスの製造ラインで用いられる計測システムであって、
ステージに保持された基板上の第m層(mは1以上の整数)に形成された複数のマークの位置情報を、第1の所定条件の下で取得する第1計測装置と、
ステージに保持された基板上の第n層(nはmより大きい2以上の整数)に形成された複数のマークの位置情報を、前記第1の所定条件とは異なる第2の所定条件の下で取得する第2計測装置と、を含み、
前記第1計測装置と前記第2計測装置の一方で計測処理された基板を、他方で連続的に計測処理可能であり、
前記第m層に形成された複数のマークの位置情報を前記第m層の形成に用いられた露光装置で利用するために出力し、前記第n層に形成された複数のマークの位置情報を前記第n層の形成に用いられた露光装置で利用するために出力する計測システム。 - 前記第1計測装置は、前記ステージに保持された基板上の前記第m層に形成された複数のマークの位置情報を、前記第1の所定条件の下で取得し、
前記第2計測装置は、前記ステージに保持された基板上の前記第n層に形成された複数のマークの位置情報を、前記第2の所定条件の下で取得し、
前記第1計測装置と前記第2計測装置の一方で計測処理された基板を、前記第1計測装置が備える前記ステージと前記第2計測装置が備える前記ステージとの間で前記基板の受け渡しを行って、前記第1計測装置と前記第2計測装置の他方で連続的に計測処理可能である請求項1に記載の計測システム。 - マイクロデバイスの製造ラインで用いられる計測システムであって、
ステージに保持された基板上の第m層(mは1以上の整数)に形成された複数のマークの位置情報を、第1の所定条件の下で取得する第1計測装置と、
ステージに保持された基板上の第n層(nはmより大きい2以上の整数)に形成された複数のマークの位置情報を、前記第1の所定条件とは異なる第2の所定条件の下で取得する第2計測装置と、を含み、
前記第1計測装置と前記第2計測装置の一方で計測処理された基板を、前記第1計測装置が備える前記ステージと前記第2計測装置が備える前記ステージとの間で前記基板の受け渡しを行って、前記第1計測装置と前記第2計測装置の他方で連続的に計測処理可能であり、
前記第m層に形成された複数のマークの位置情報と、前記第n層に形成された複数のマークの位置情報のそれぞれを出力する計測システム。 - 前記基板は、前記第1計測装置において前記第1の所定条件の設定の下で前記位置情報の取得が終了した後に、前記第2計測装置において前記第2の所定条件の設定の下で前記位置情報の取得が行われる請求項1から3のいずれか一項に記載の計測システム。
- 前記第1の所定条件は、前記マークに照射される検出光の照射条件、及び、前記マークから発生する光を受光するときの受光条件、及び前記マークから生じる光を受光して得た光電変換信号を処理するための信号処理条件のうちの少なくとも1つが、前記第2の所定条件と異なる請求項1から4のいずれか一項に記載の計測システム。
- 前記第1計測装置、及び前記第2計測装置のそれぞれは前記検出光を前記マーク上に照射する光学系を備え、
前記照射条件は、前記検出光の波長、光量、及び前記光学系のNA又はσの少なくとも1つを含む請求項5に記載の計測システム。 - 前記マークからは、次数が異なる複数の回折光が発生し、
前記受光条件は、前記位置情報の取得に用いられる回折光の次数を含む請求項5又は6に記載の計測システム。 - 前記受光条件は、前記マークから生じ前記位置情報の取得に用いられる光の波長を含む請求項5~7のいずれか一項に記載の計測システム。
- 前記第m層に形成された複数のマークは所定平面内の一方向を周期方向とする格子マークを含み、前記第n層に形成された複数のマークは、前記所定平面内で前記一方向に交差する方向を周期方向とする格子マークを含む請求項1から8のいずれか一項に記載の計測システム。
- マイクロデバイスの製造ラインで用いられる計測システムであって、
ステージに保持された基板上の第m層(mは1以上の整数)に形成された複数のマークの位置情報を、第1の所定条件の下で取得する第1計測装置と、
ステージに保持された基板上の第n層(nはmより大きい2以上の整数)に形成された複数のマークの位置情報を、前記第1の所定条件とは異なる第2の所定条件の下で取得する第2計測装置と、を含み、
前記第1計測装置と前記第2計測装置の一方で計測処理された基板を、前記第1計測装置が備える前記ステージと前記第2計測装置が備える前記ステージとの間で基板の受け渡しを行って、前記第1計測装置と前記第2計測装置の他方で連続的に計測処理可能であり、
前記計測システムは、前記第m層に形成された複数のマークの位置情報と、前記第n層に形成された複数のマークの位置情報とに基づいて求められる情報を出力する計測システム。 - 前記第m層に形成された複数のマークは第1マークを含み、前記第n層に形成された複数のマークは、前記第1マークに対応する第2マークを含み、
前記出力する情報は、前記第1マークと前記第2マークの位置ずれに関する情報を含む請求項10に記載の計測システム。 - 前記出力する情報は、前記第m層と前記第n層の重ね合わせずれに関する情報を含む請求項10または11に記載の計測システム。
- 前記第1計測装置と前記第2計測装置との間で基板の受け渡しを行う搬送システムと、
基板を複数枚収納したキャリアを設置可能な少なくとも1つのキャリア載置部を有するキャリアシステムと、をさらに備え、
前記搬送システムは、前記キャリアシステムとの間で基板の受け渡しを行う請求項1~12のいずれか一項に記載の計測システム。 - 前記基板は、前記複数のマークの位置情報の取得に先立って、前記キャリアに収納された状態で、前記キャリア載置部に搬入される請求項13に記載の計測システム。
- 前記第1計測装置及び前記第2計測装置の少なくとも一方で行われる前記複数のマークの位置情報の取得は、露光後の現像、洗浄、酸化・拡散、成膜、エッチング、イオン注入、CMPの少なくとも1つのプロセス処理を経た後の基板に対して行われる請求項1~14のいずれか一項に記載の計測システム。
- 前記第1計測装置及び前記第2計測装置の少なくとも一方で行われる前記複数のマークの位置情報の取得は、前記現像処理後であって、エッチング処理前の基板に対して行われる請求項15に記載の計測システム。
- 前記第1計測装置及び前記第2計測装置の少なくとも一方で行われる前記複数のマークの位置情報の取得は、次の露光のために感応剤が塗布される前の基板に対して行われる請求項1~16のいずれか一項に記載の計測システム。
- 前記第1計測装置、及び前記第2計測装置とは異なる種類の計測を前記基板に対して行なう第3計測装置を少なくとも1台含む請求項1~17のいずれか一項に記載の計測システム。
- 前記第3計測装置は、前記基板の表面の凹凸情報を計測可能な装置である請求項18に記載の計測システム。
- 前記第1計測装置および前記第2計測装置の少なくとも一方は、
前記基板を保持して移動可動な前記ステージと、
前記ステージを移動する駆動システムと、
前記ステージの位置情報を取得可能な第1位置計測系と、
前記基板に形成されたマークを検出するマーク検出系と、を備え、
前記駆動システムによる前記ステージの移動を制御し、前記マーク検出系を用いて複数の区画領域と共に前記基板に形成された前記複数のマークをそれぞれ検出し、前記複数のマークそれぞれの検出結果と前記複数のマークそれぞれの検出時に前記第1位置計測系を用いて得られる前記ステージの位置情報とに基づいて、前記複数のマークそれぞれの絶対位置座標を求める制御装置を更に備える請求項1~19のいずれか一項に記載の計測システム。 - 前記第1位置計測系は、前記ステージの少なくとも3自由度方向の位置情報を取得可能である請求項20に記載の計測システム。
- 前記第1位置計測系は、格子部を有する計測面と前記計測面にビームを照射するヘッド部の一方が前記ステージに設けられ、前記ヘッド部からのビームを前記計測面に照射するとともに、該ビームの前記計測面からの戻りビームを受光して前記ステージの位置情報を取得可能である請求項20または21に記載の計測システム。
- 前記ヘッド部が設けられたベース部材と、
前記マーク検出系と前記ベース部材との相対的な位置情報を取得する第2位置計測系と、をさらに備え、
前記制御装置は、前記第2位置計測系を使って取得される位置情報と前記第1位置計測系を使って取得される位置情報とに基づいて前記駆動システムによる前記ステージの移動を制御する請求項22に記載の計測システム。 - 前記ベース部材は、前記ステージを所定平面内で互いに直交する第1、第2方向及び前記所定平面に垂直な第3方向を含む6自由度方向に移動可能に支持し、
前記第2位置計測系は、前記マーク検出系と前記ベース部材との前記6自由度方向に関する相対的な位置情報を取得可能である請求項23に記載の計測システム。 - 前記制御装置は、前記複数のマークの前記絶対位置座標を求めるに際し、前記第2位置計測系を用いて得られる前記マーク検出系と前記ベース部材との前記所定平面内における相対位置情報を補正量として用いる請求項24に記載の計測システム。
- 前記制御装置は、求めた複数の前記マークの前記絶対位置座標を用いて、統計演算を行い、前記基板上の前記複数の区画領域の配列の設計値からの補正量を求める請求項20~25のいずれか一項に記載の計測システム。
- 前記複数のマークは、アライメントマークを含む請求項1~26のいずれか一項に記載の計測システム。
- 前記複数のマークは、重ね合わせずれ計測用のマークを含む請求項1~27のいずれか一項に記載の計測システム。
- 請求項1~28のいずれか一項に記載の計測システムと、
前記計測システムの前記第1計測装置、及び前記第2計測装置の少なくとも一方で前記複数のマークの位置情報の計測が終了した前記基板が載置される基板ステージを有し、該基板ステージ上に載置された前記基板に対して、該基板上の複数のマークのうち選択された一部のマークの位置情報を取得するアライメント計測及び前記基板をエネルギビームで露光する露光が行われる露光装置と、を備える基板処理システム。 - 前記基板上には、複数の区画領域とともに前記複数のマークが形成され、
前記計測システムの前記第1計測装置、及び前記第2計測装置の少なくとも一方を使って取得された前記複数の区画領域の配列情報と、前記露光装置において前記アライメント計測で得られたマークの位置情報とに基づいて、前記基板ステージの移動が制御される請求項29に記載の基板処理システム。 - 前記計測システムの前記第1計測装置、及び前記第2計測装置の少なくとも一方を使って取得した前記複数のマークの前記位置情報を用いて、前記基板上の前記複数の区画領域の配列に関する第1情報を求め、
前記露光装置は、前記アライメント計測で取得した前記一部のマークの位置情報を用いて、前記基板上の前記複数の区画領域の配列に関する第2情報を求め、
前記第1情報と、前記第2情報とに基づいて、前記基板の露光を行う際に前記基板ステージの位置を制御する請求項30に記載の基板処理システム。 - 前記第1情報は、前記基板上の前記複数の区画領域の配列の非線形的な変形成分を含む請求項31に記載の基板処理システム。
- 前記第2情報は、前記基板上の前記複数の区画領域の配列の線形的な変形成分を含む請求項31または32に記載の基板処理システム。
- 請求項1~28のいずれか一項に記載の計測システムからそれぞれ構成される第1計測システム及び第2計測システムと、
前記第1計測システムの前記第1計測装置、及び前記第2計測装置の少なくとも一方で前記複数のマークの位置情報の計測が終了した基板が載置される基板ステージを有し、該基板ステージ上に載置された前記基板に対して、該基板上の複数のマークのうち選択された一部のマークの位置情報を取得するアライメント計測及び前記基板をエネルギビームで露光する露光が行われる露光装置と、を備え、
前記第1計測システムが備える前記第1計測装置及び前記第2計測装置の少なくとも一方で行われる前記複数のマークの位置情報の取得は、洗浄、酸化・拡散、成膜、エッチング、イオン注入、CMPの少なくとも1つのプロセス処理を経、次の露光のために感応剤が塗布される前の基板に対して行われ、
前記第2計測システムが備える前記第1計測装置及び前記第2計測装置の少なくとも一方で行われる前記複数のマークの位置情報の取得は、前記露光装置による露光後の現像処理後であって、エッチング処理前の基板に対して行われ、
前記第1計測システム及び前記第2計測システムのそれぞれによる異なる基板に対する前記複数のマークの位置情報の取得は、前記露光装置による異なる基板に対するアライメント計測及び露光と並行して行われる基板処理システム。 - 請求項29~34のいずれか一項に記載の基板処理システムの一部を構成する露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、
を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022115029A JP7487754B2 (ja) | 2016-09-30 | 2022-07-19 | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
JP2024041934A JP2024069525A (ja) | 2016-09-30 | 2024-03-18 | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016192810 | 2016-09-30 | ||
JP2016192810 | 2016-09-30 | ||
JP2018542468A JPWO2018061945A1 (ja) | 2016-09-30 | 2017-09-20 | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018542468A Division JPWO2018061945A1 (ja) | 2016-09-30 | 2017-09-20 | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022115029A Division JP7487754B2 (ja) | 2016-09-30 | 2022-07-19 | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021047433A JP2021047433A (ja) | 2021-03-25 |
JP7379314B2 true JP7379314B2 (ja) | 2023-11-14 |
Family
ID=61760389
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018542468A Pending JPWO2018061945A1 (ja) | 2016-09-30 | 2017-09-20 | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
JP2020199604A Active JP7379314B2 (ja) | 2016-09-30 | 2020-12-01 | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
JP2022115029A Active JP7487754B2 (ja) | 2016-09-30 | 2022-07-19 | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
JP2024041934A Pending JP2024069525A (ja) | 2016-09-30 | 2024-03-18 | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018542468A Pending JPWO2018061945A1 (ja) | 2016-09-30 | 2017-09-20 | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022115029A Active JP7487754B2 (ja) | 2016-09-30 | 2022-07-19 | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
JP2024041934A Pending JP2024069525A (ja) | 2016-09-30 | 2024-03-18 | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10777441B2 (ja) |
EP (1) | EP3521932A4 (ja) |
JP (4) | JPWO2018061945A1 (ja) |
KR (4) | KR102426823B1 (ja) |
CN (3) | CN109791379B (ja) |
TW (2) | TWI787204B (ja) |
WO (1) | WO2018061945A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6649636B2 (ja) | 2015-02-23 | 2020-02-19 | 株式会社ニコン | 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
CN111610696A (zh) | 2015-02-23 | 2020-09-01 | 株式会社尼康 | 基板处理系统及基板处理方法、以及组件制造方法 |
TWI696042B (zh) | 2015-02-23 | 2020-06-11 | 日商尼康股份有限公司 | 測量裝置、微影系統及曝光裝置、以及管理方法、重疊測量方法及元件製造方法 |
JPWO2018061945A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2019-07-11 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
KR102432209B1 (ko) * | 2019-03-01 | 2022-08-11 | 램 리써치 코포레이션 | 통합된 툴 리프트 |
CN113924638A (zh) * | 2019-03-28 | 2022-01-11 | 科磊股份有限公司 | 用于测量及校正半导体装置中的层之间的偏移的方法及用于其中的偏移目标 |
US11764111B2 (en) * | 2019-10-24 | 2023-09-19 | Texas Instruments Incorporated | Reducing cross-wafer variability for minimum width resistors |
US11687010B2 (en) | 2020-02-21 | 2023-06-27 | Onto Innovation Inc. | System and method for correcting overlay errors in a lithographic process |
CN111505210B (zh) * | 2020-04-29 | 2021-07-27 | 华中科技大学 | 一种气体传感器芯片一体化微加工装置 |
TWI792785B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-02-11 | 南韓商Tes股份有限公司 | 基板接合裝置及基板接合方法 |
JP2022162313A (ja) | 2021-04-12 | 2022-10-24 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、及びデバイス |
US20230122514A1 (en) * | 2021-10-18 | 2023-04-20 | Kla Corporation | Laser Anneal Pattern Suppression |
JP2023104051A (ja) * | 2022-01-17 | 2023-07-28 | 株式会社日立ハイテク | ステージ装置、荷電粒子線装置及び真空装置 |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002170770A (ja) | 2000-09-21 | 2002-06-14 | Canon Inc | 位置合わせ方法及び該方法を使用する露光装置及び露光方法 |
WO2004023214A1 (en) | 2002-09-05 | 2004-03-18 | Therma-Wave, Inc. | Interferometry-based method and apparatus for overlay metrology |
WO2005104196A1 (ja) | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Nikon Corporation | 計測方法、計測装置、露光方法及び露光装置 |
JP2006128187A (ja) | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 重ね合わせ検査システム |
JP2006245030A (ja) | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Nikon Corp | 計測方法及び計測用パターンを備えた物体 |
WO2007049704A1 (ja) | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Nikon Corporation | デバイス製造処理装置間の接続装置及び接続方法、プログラム、デバイス製造処理システム、露光装置及び露光方法、並びに測定検査装置及び測定検査方法 |
WO2007102484A1 (ja) | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Nikon Corporation | デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置 |
JP2009147317A (ja) | 2007-11-20 | 2009-07-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
JP2009212518A (ja) | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Asml Netherlands Bv | アラインメントマークを設ける方法、デバイス製造方法及びリソグラフィ装置 |
JP2012227551A (ja) | 2012-08-03 | 2012-11-15 | Nikon Corp | マーク検出方法及び装置、位置制御方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2013153167A (ja) | 2007-04-23 | 2013-08-08 | Kla-Tencor Corp | ウエハー上で実施される測定中のプロセスに関するダイナミック・サンプリング・スキームを生成または実施するための方法ならびにシステム |
JP2013175500A (ja) | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Toshiba Corp | 露光装置、及び露光方法 |
JP2013239721A (ja) | 2008-09-22 | 2013-11-28 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2015185166A1 (en) | 2014-06-02 | 2015-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Method of designing metrology targets, substrates having metrology targets, method of measuring overlay, and device manufacturing method |
JP2015535615A (ja) | 2012-11-12 | 2015-12-14 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2016136689A1 (ja) | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社ニコン | 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2016136691A1 (ja) | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社ニコン | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Cites Families (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2591746B2 (ja) * | 1987-05-22 | 1997-03-19 | 富士通株式会社 | 露光装置における位置合わせ方法 |
JPH042450A (ja) * | 1990-04-16 | 1992-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 混成ロット管理方法及び装置 |
JPH05217843A (ja) * | 1992-01-27 | 1993-08-27 | Nec Corp | 縮小投影露光装置 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3326902B2 (ja) | 1993-09-10 | 2002-09-24 | 株式会社日立製作所 | パターン検出方法及びパターン検出装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JPH07249558A (ja) | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
JPH097924A (ja) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP3709904B2 (ja) * | 1996-11-14 | 2005-10-26 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
EP0951054B1 (en) * | 1996-11-28 | 2008-08-13 | Nikon Corporation | Aligner and method for exposure |
JP2000505958A (ja) | 1996-12-24 | 2000-05-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置 |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
JPH11288867A (ja) * | 1998-04-02 | 1999-10-19 | Nikon Corp | 位置合わせ方法、アライメントマークの形成方法、露光装置及び露光方法 |
DE19921243C2 (de) * | 1999-05-07 | 2002-12-05 | Infineon Technologies Ag | Anlage zur Bearbeitung von Wafern |
SG124257A1 (en) | 2000-02-25 | 2006-08-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
KR20010109212A (ko) | 2000-05-31 | 2001-12-08 | 시마무라 테루오 | 평가방법, 위치검출방법, 노광방법 및 디바이스 제조방법,및 노광장치 |
US6218200B1 (en) * | 2000-07-14 | 2001-04-17 | Motorola, Inc. | Multi-layer registration control for photolithography processes |
JP2002064046A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Hitachi Ltd | 露光方法およびそのシステム |
JP2002198291A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Nikon Corp | 基板、位置計測装置、露光装置および位置合わせ方法並びに露光方法 |
US6999164B2 (en) * | 2001-04-26 | 2006-02-14 | Tokyo Electron Limited | Measurement system cluster |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
SG2010050110A (en) | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6815232B2 (en) * | 2002-11-26 | 2004-11-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for overlay control using multiple targets |
ATE424026T1 (de) | 2002-12-13 | 2009-03-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht |
AU2003283717A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
KR101562447B1 (ko) | 2003-02-26 | 2015-10-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US6838683B1 (en) * | 2003-06-18 | 2005-01-04 | Intel Corporation | Focused ion beam microlathe |
JP4444920B2 (ja) | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4760705B2 (ja) * | 2004-03-01 | 2011-08-31 | 株式会社ニコン | 事前計測処理方法、露光システム及び基板処理装置 |
JP3962736B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2007-08-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2006278767A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Toshiba Corp | オーバーレイ制御システム及びオーバーレイ制御方法 |
US8090875B2 (en) | 2005-10-28 | 2012-01-03 | Nikon Corporation | Device and method for connecting device manufacturing processing apparatuses, program, device manufacturing processing system, exposure apparatus and method, and measurement and inspection apparatus and method |
JP5128065B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2013-01-23 | 株式会社ニコン | 情報処理装置、デバイス製造処理システム、デバイス製造処理方法、プログラム |
TWI457977B (zh) * | 2005-12-28 | 2014-10-21 | 尼康股份有限公司 | A pattern forming method and a pattern forming apparatus, and an element manufacturing method |
US8411271B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method |
EP2857902B1 (en) | 2006-01-19 | 2016-04-20 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus, immersion exposure method, and device fabricating method |
KR101440630B1 (ko) | 2006-01-26 | 2014-09-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 중첩 관리 방법 및 장치, 처리 장치, 측정 장치 및 노광 장치, 디바이스 제조 시스템 및 디바이스 제조 방법, 및 정보 기록 매체 |
US20080013090A1 (en) * | 2006-03-29 | 2008-01-17 | Nikon Corporation | Measurement method, measurement unit, processing unit, pattern forming method , and device manufacturing method |
JP2007287878A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | 検査頻度算出装置、検査頻度算出方法、及びプログラム |
US8994923B2 (en) | 2008-09-22 | 2015-03-31 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5428671B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2014-02-26 | 株式会社ニコン | 露光方法、デバイス製造方法、及び露光システム |
JP5597031B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2014-10-01 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置及び物品の製造方法 |
CN102314091B (zh) * | 2010-07-01 | 2013-07-17 | 上海微电子装备有限公司 | 一种可调节对准系统照明光斑尺寸的光刻机 |
CN103246170B (zh) * | 2012-02-09 | 2015-07-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 曝光装置及曝光方法 |
WO2013189724A2 (en) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method |
US9508611B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-11-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor inspection method, semiconductor inspection device and manufacturing method of semiconductor element |
US9857694B2 (en) * | 2014-04-28 | 2018-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Estimating deformation of a patterning device and/or a change in its position |
TWI696042B (zh) * | 2015-02-23 | 2020-06-11 | 日商尼康股份有限公司 | 測量裝置、微影系統及曝光裝置、以及管理方法、重疊測量方法及元件製造方法 |
JP6521223B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2019-05-29 | 株式会社ニコン | リソグラフィ装置の管理方法及び装置、並びに露光方法及びシステム |
JPWO2018061945A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2019-07-11 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
-
2017
- 2017-09-20 JP JP2018542468A patent/JPWO2018061945A1/ja active Pending
- 2017-09-20 KR KR1020217010337A patent/KR102426823B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-20 CN CN201780060674.2A patent/CN109791379B/zh active Active
- 2017-09-20 KR KR1020227025858A patent/KR102625369B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-20 CN CN202110890872.XA patent/CN113608418B/zh active Active
- 2017-09-20 KR KR1020197010449A patent/KR102239782B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-20 EP EP17855900.1A patent/EP3521932A4/en active Pending
- 2017-09-20 KR KR1020247000711A patent/KR20240011232A/ko active Application Filing
- 2017-09-20 CN CN202110890873.4A patent/CN113608413B/zh active Active
- 2017-09-20 WO PCT/JP2017/033954 patent/WO2018061945A1/ja unknown
- 2017-09-26 TW TW106132892A patent/TWI787204B/zh active
- 2017-09-26 TW TW111143429A patent/TW202311867A/zh unknown
-
2019
- 2019-03-25 US US16/363,057 patent/US10777441B2/en active Active
-
2020
- 2020-05-07 US US16/868,952 patent/US11107718B2/en active Active
- 2020-12-01 JP JP2020199604A patent/JP7379314B2/ja active Active
-
2021
- 2021-05-18 US US17/323,180 patent/US11430684B2/en active Active
-
2022
- 2022-07-19 JP JP2022115029A patent/JP7487754B2/ja active Active
- 2022-07-21 US US17/869,912 patent/US11915961B2/en active Active
-
2024
- 2024-03-18 JP JP2024041934A patent/JP2024069525A/ja active Pending
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002170770A (ja) | 2000-09-21 | 2002-06-14 | Canon Inc | 位置合わせ方法及び該方法を使用する露光装置及び露光方法 |
WO2004023214A1 (en) | 2002-09-05 | 2004-03-18 | Therma-Wave, Inc. | Interferometry-based method and apparatus for overlay metrology |
WO2005104196A1 (ja) | 2004-04-23 | 2005-11-03 | Nikon Corporation | 計測方法、計測装置、露光方法及び露光装置 |
JP2006128187A (ja) | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Nikon Corp | 重ね合わせ検査システム |
JP2006245030A (ja) | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Nikon Corp | 計測方法及び計測用パターンを備えた物体 |
WO2007049704A1 (ja) | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Nikon Corporation | デバイス製造処理装置間の接続装置及び接続方法、プログラム、デバイス製造処理システム、露光装置及び露光方法、並びに測定検査装置及び測定検査方法 |
WO2007102484A1 (ja) | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Nikon Corporation | デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置 |
JP2013153167A (ja) | 2007-04-23 | 2013-08-08 | Kla-Tencor Corp | ウエハー上で実施される測定中のプロセスに関するダイナミック・サンプリング・スキームを生成または実施するための方法ならびにシステム |
JP2009147317A (ja) | 2007-11-20 | 2009-07-02 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
JP2009212518A (ja) | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Asml Netherlands Bv | アラインメントマークを設ける方法、デバイス製造方法及びリソグラフィ装置 |
JP2013239721A (ja) | 2008-09-22 | 2013-11-28 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2013175500A (ja) | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Toshiba Corp | 露光装置、及び露光方法 |
JP2012227551A (ja) | 2012-08-03 | 2012-11-15 | Nikon Corp | マーク検出方法及び装置、位置制御方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015535615A (ja) | 2012-11-12 | 2015-12-14 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2015185166A1 (en) | 2014-06-02 | 2015-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Method of designing metrology targets, substrates having metrology targets, method of measuring overlay, and device manufacturing method |
WO2016136689A1 (ja) | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社ニコン | 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2016136691A1 (ja) | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社ニコン | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2024069525A (ja) | 2024-05-21 |
KR102426823B1 (ko) | 2022-07-28 |
US11430684B2 (en) | 2022-08-30 |
TW202311867A (zh) | 2023-03-16 |
KR102239782B1 (ko) | 2021-04-13 |
JP7487754B2 (ja) | 2024-05-21 |
EP3521932A4 (en) | 2020-05-27 |
EP3521932A1 (en) | 2019-08-07 |
US11107718B2 (en) | 2021-08-31 |
US20200266087A1 (en) | 2020-08-20 |
CN109791379A (zh) | 2019-05-21 |
US20190287837A1 (en) | 2019-09-19 |
JP2021047433A (ja) | 2021-03-25 |
JPWO2018061945A1 (ja) | 2019-07-11 |
WO2018061945A1 (ja) | 2018-04-05 |
KR20240011232A (ko) | 2024-01-25 |
KR20220109485A (ko) | 2022-08-04 |
TWI787204B (zh) | 2022-12-21 |
US10777441B2 (en) | 2020-09-15 |
CN109791379B (zh) | 2021-08-27 |
US11915961B2 (en) | 2024-02-27 |
CN113608413A (zh) | 2021-11-05 |
CN113608418A (zh) | 2021-11-05 |
JP2022159301A (ja) | 2022-10-17 |
CN113608413B (zh) | 2024-05-28 |
KR102625369B1 (ko) | 2024-01-15 |
KR20210041133A (ko) | 2021-04-14 |
KR20190047020A (ko) | 2019-05-07 |
TW201827935A (zh) | 2018-08-01 |
US20220367224A1 (en) | 2022-11-17 |
CN113608418B (zh) | 2023-12-15 |
US20210272833A1 (en) | 2021-09-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201201 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20201204 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20210305 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211217 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220719 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20220719 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20220823 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20220830 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20220916 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20220927 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20230404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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