JP2013175500A - 露光装置、及び露光方法 - Google Patents
露光装置、及び露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013175500A JP2013175500A JP2012037417A JP2012037417A JP2013175500A JP 2013175500 A JP2013175500 A JP 2013175500A JP 2012037417 A JP2012037417 A JP 2012037417A JP 2012037417 A JP2012037417 A JP 2012037417A JP 2013175500 A JP2013175500 A JP 2013175500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- focus offset
- correlation
- exposure
- exposure apparatus
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7019—Calibration
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】1つの実施形態は、例えば、位置合わせ精度を向上できる露光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】1つの実施形態によれば、取得部と計算部とを有する露光装置が提供される。取得部は、複数の計測値を取得する。複数の計測値は、互いに異なる複数のフォーカスオフセット量に対して計測されたものである。複数の計測値は、それぞれ、ショット領域内の位置ずれ分布を示す。計算部は、複数の計測値から複数のディストーション誤差を求める。計算部は、複数のフォーカスオフセット量及び複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量と位置合わせ補正値との相関関係を求める。位置合わせ補正値は、ディストーション誤差を補正するための値である。
【選択図】図1
【解決手段】1つの実施形態によれば、取得部と計算部とを有する露光装置が提供される。取得部は、複数の計測値を取得する。複数の計測値は、互いに異なる複数のフォーカスオフセット量に対して計測されたものである。複数の計測値は、それぞれ、ショット領域内の位置ずれ分布を示す。計算部は、複数の計測値から複数のディストーション誤差を求める。計算部は、複数のフォーカスオフセット量及び複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量と位置合わせ補正値との相関関係を求める。位置合わせ補正値は、ディストーション誤差を補正するための値である。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、露光装置、及び露光方法に関する。
露光装置では、マスクのパターンを基板へ転写する露光処理を行う。このとき、基板上におけるマスクのパターンの転写位置が予定した位置からずれるとパターン不良を発生させる可能性がある。そこで、位置合わせ精度を向上させることが望まれる。
1つの実施形態は、例えば、位置合わせ精度を向上できる露光装置、及び露光方法を提供することを目的とする。
1つの実施形態によれば、取得部と計算部とを有する露光装置が提供される。取得部は、複数の計測値を取得する。複数の計測値は、互いに異なる複数のフォーカスオフセット量に対して計測されたものである。複数の計測値は、それぞれ、ショット領域内の位置ずれ分布を示す。計算部は、複数の計測値から複数のディストーション誤差を求める。計算部は、複数のフォーカスオフセット量及び複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量と位置合わせ補正値との相関関係を求める。位置合わせ補正値は、ディストーション誤差を補正するための値である。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる露光装置、及び露光方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
(第1の実施形態)
第1の実施形態にかかる露光装置100について図1を用いて説明する。図1は、露光装置100の構成を示す図である。
第1の実施形態にかかる露光装置100について図1を用いて説明する。図1は、露光装置100の構成を示す図である。
露光装置100は、半導体デバイスの製造におけるリソグラフィー工程に使用される。露光装置100は、例えば走査型の露光装置であり、X方向に沿ってマスクMK及び基板SBを同期走査させながら、マスクMKのパターンを基板SBへ転写する露光処理を行う。以下の説明では、基板SBの表面SBaに沿った面内でX方向に垂直な方向をY方向とし、X−Y平面に垂直な方向をZ方向とする。
このとき、半導体デバイスの微細化要求に対して、リソグラフィーの微細化、すなわち露光装置の高解像化で対応を行うことを考えた場合、液浸型の露光装置のパターン解像限界を所定のレンズ開口数(例えば、NA=1.35)以上に向上することが困難になりつつある。
そこで、本実施形態では、露光装置100として、光源LSからの光の波長を従来(例えば、ArF光)より短くし、EUV(Extra Ultra Vioret)光を露光光とした縮小投影型のEUV露光装置を採用する。EUV光の波長は、例えば、λ=13.5nmである。
EUV露光装置では、露光光(EUV光)の空気中の透過率が非常に低いので、露光光が通過する箇所を真空にする必要がある。すなわち、露光装置100は、露光光が通過する箇所が真空チャンバ内に配され、真空チャンバ内が真空排気される。そのため、露光装置100では、マスクステージ10におけるマスクMKを吸着する機構として真空チャックが使えないため、マスクステージ10は静電チャック11でマスクMKを吸着する。
また、EUV露光装置では、露光光の波長が非常に短いため、屈折光学系を構成する適切なレンズ材料(高透過率、屈折率差)が存在せず、反射光学系と反射型マスクとを用いる必要がある。すなわち、露光装置100では、照明光学系IOS及び投影光学系POSは、いずれも、反射光学系であり、マスクMKは、反射型マスクである。例えば、投影光学系POSは、複数のミラーM1〜M7を有する。例えば、照明光学系IOSからマスクMKに照射された露光光は、マスクMKの表面MKaで反射され、複数のミラーM1〜M7を介して基板SBの表面SBaに導かれる。
このとき、図2に示すように、マスクMKに対して露光光が非テレセン(例えば、6度斜入射)となっている。そのため、マスクMKの表面MKaの平坦度や静電チャック11の表面11aの平坦度の影響を受けて、基板SB上で露光パターンの転写位置が、図1に実線で示す位置から一点鎖線で示す位置へずれる位置ずれ誤差が発生する可能性がある。例えば、マスクMKの表面MKaが本来の位置から距離dで凹んだ場合、露光光の重心は、マスクMKで反射した直後にマスクMKの表面MKaに沿った方向に例えばdtan6°≒d/9.5で位置ずれを起こし、基板SBの表面SBa上で基板SBの表面SBaに沿った方向に例えばd/38で位置ずれを起こす。
本発明者は、検討を行ったところ、この位置ずれのショット領域内における分布(位置ずれ分布)が、マスクMKの表面MKaから基板SBの表面SBaまでの距離、すなわち露光装置100のフォーカスオフセット量FOに依存することを見出した。
また、照明光学系IOSの瞳位置には、例えば、図3(a)に示すような開口形状の絞りIOSaが配され、露光装置100の解像力を向上させるためのダイポール照明を実現している。このダイポール照明の輝度バランスが図3(b)に示すように崩れると、マスクMKに対して露光光が非テレセンになっているため、その影響を受けやすく、基板SB上で露光パターンの転写位置が、図1に実線で示す位置から一点鎖線で示す位置へずれる位置ずれ誤差が発生する可能性がある。
本発明者は、検討を行ったところ、この位置ずれのショット領域内における分布(位置ずれ分布)も、マスクMKの表面MKaから基板SBの表面SBaまでの距離、すなわち露光装置100のフォーカスオフセット量FOに依存することを見出した。
また、本発明者は、検討を行ったところ、露光装置100のQC(品質管理)を行って求めた装置のベストフォーカス位置(フォーカスオフセット量FO=E)が、図4に示すように、実際の半導体デバイス(製品ロット)のベストフォーカス位置(フォーカスオフセット量FO=F)と異なる傾向にあることを見出した。すなわち、装置のベストフォーカス位置を求める際には、平坦な基板の表面上にQC用マスクパターン(図5参照)を転写するのに対して、実際の半導体デバイス(製品ロット)では、下地レイヤのパターンにより平坦でない基板の表面上にマスクパターンを転写するため、両者のベストフォーカス位置が異なるものと考えられる。このため、実際の半導体デバイスの露光処理において、半導体デバイスごとに、ショット領域内の位置ずれ分布が様々に変動し、歪み(ディストーション誤差)として顕在化する可能性がある。
例えば、図4の左図SH−Eに示すように、露光装置100のQCを行い、フォーカスオフセット量FO=EのZ位置をベストフォーカス位置としてZ=0の基準位置に設定した後に、製品基板を図4の右図SH−Fに示すZ≠0のZ位置で露光を行うと、露光装置100のQCでは見えなかった新たなショット内のディストーション誤差が顕在化してしまい、製品ウェハーの露光の時にショット内の位置合わせ精度が低下する可能性がある。
すなわち、基板SB上におけるマスクMKのパターンの転写位置が予定した位置からずれるとパターン不良を発生させる可能性がある。これにより、リワーク率が上昇したり基板の歩留まりが低下したりする傾向にあり、半導体デバイスの生産性が低下する可能性がある。
そこで、露光装置100は、ディストーション誤差の影響を抑制し、マスクMKと基板SBとの位置合わせの精度を向上させるために、互いに異なる複数のフォーカスオフセット量に対してショット領域内の位置ずれ分布を計測してディストーション誤差を求め、フォーカスオフセット量とディストーション誤差を補正するための位置合わせ補正値との相関関係を求める。
具体的には、露光装置100は、光源LS、照明光学系IOS、投影光学系POS、マスクステージ10、基板ステージ20、計測器40、80、及び制御系30を備える。
光源LSは、例えば、EUV光を露光光として発生させる。光源LSは、発生された露光光を照明光学系IOSへ入射させる。
光源LSは、例えば、EUV光を露光光として発生させる。光源LSは、発生された露光光を照明光学系IOSへ入射させる。
照明光学系IOSは、露光光に対して、絞りIOSa等による調整を行う。照明光学系IOSは、調整された露光光でマスクMKを照明する。マスクMKに照明された露光光は、マスクMKの表面MKaで反射され、投影光学系POSへ導かれる。
投影光学系POSは、導かれた露光光をさらに基板SBの表面SBaへ導く。
投影光学系POSは、導かれた露光光をさらに基板SBの表面SBaへ導く。
マスクステージ10は、マスクMKを保持する。マスクステージ10は、例えば、静電チャック11を有し、静電チャック11でマスクMKを吸着することでマスクMKを保持する。マスクステージ10は、例えば装置QCを行う際に基板SB上に形成すべき複数の位置合わせ計測マークに対応したQC用マスクパターン(図5参照)を有するQC用マスクをマスクMKとして保持する。マスクステージ10は、例えば実デバイスの露光処理を行う際に実デバイスのパターンに対応したマスクパターンを有するマスクをマスクMKとして保持する。
また、マスクステージ10は、例えば6方向(X方向、Y方向、Z方向、X軸回りの回転方向、Y軸回りの回転方向、Z軸回りの回転方向)に駆動される。
また、マスクステージ10は、例えば6方向(X方向、Y方向、Z方向、X軸回りの回転方向、Y軸回りの回転方向、Z軸回りの回転方向)に駆動される。
基板ステージ20は、基板SBを保持する。基板ステージ20は、例えば、静電チャック21を有し、静電チャック21で基板SBを吸着することで基板SBを保持する。
また、基板ステージ20は、例えば6方向(X方向、Y方向、Z方向、X軸回りの回転方向、Y軸回りの回転方向、Z軸回りの回転方向)に駆動される。
また、基板ステージ20は、例えば6方向(X方向、Y方向、Z方向、X軸回りの回転方向、Y軸回りの回転方向、Z軸回りの回転方向)に駆動される。
計測器40は、位置合わせ計測を行う。計測器40は、例えば、光学顕微鏡を有し、装置QCを行う際に、QC用の基板SB上に形成された複数の位置合わせ計測用マークPT1〜PTn(図5参照)の光学像(位置合わせ計測マーク)を光学顕微鏡で取得して制御系30へ供給する。なお、計測器40は、基準計測用マークM(図5参照)の光学像を光学顕微鏡でさらに取得して制御系30へ供給してもよい。QC用の基板SBは、例えば、基準となるゴールデン基板であってもよいし、あるいは、所定のベア基板であってもよい。
計測器80は、フォーカス計測を行う。計測器80は、例えば、投射系80a及び受光系80bを有している。投射系80a及び受光系80bは、互いに対向する位置において、それぞれ計測対象(例えば、基板SB)の斜め上方に位置している。投射系80aから照射された光は、光軸に沿って基板SB側に進んで基板SB上で所定形状の像として結像するとともに反射する。その反射光は、光軸に沿って基板SBから離れる方向に進んで受光系80bで所定形状の像として再結像する。これにより、計測器80は、基板SBのZ位置を検出するフォーカス計測を行う。
制御系30は、露光装置100の各部を全体的に制御する。具体的には、制御系30は、マスクステージ制御部31、基板ステージ制御部32、計測制御部33、及び主制御部34を有する。
マスクステージ制御部31は、マスクステージ10の駆動を制御する。マスクステージ制御部31は、マスクステージ10を、例えばX方向に駆動する。
マスクステージ制御部31は、マスクステージ10の駆動を制御する。マスクステージ制御部31は、マスクステージ10を、例えばX方向に駆動する。
基板ステージ制御部32は、基板ステージ20の駆動を制御する。基板ステージ制御部32は、基板ステージ20を、例えば6方向(X方向、Y方向、Z方向、X軸回りの回転方向、Y軸回りの回転方向、Z軸回りの回転方向)に駆動する。
このとき、主制御部34は、露光処理時において、マスクステージ10及び基板ステージ20をX方向に沿って同期走査するように、マスクステージ制御部31及び基板ステージ制御部32を制御する。
計測制御部33は、計測器40を制御する。例えば、計測制御部33は、計測器40を制御して、相対的な方法又は絶対的な方法を用いて、複数の位置合わせ計測用マークPT1〜PTn(図5参照)の位置ずれ量を求める。
相対的な方法を用いる場合、計測制御部33は、複数の位置合わせ計測用マークPT1〜PTnの光学像を取得する。計測制御部33は、複数の位置合わせ計測用マークPT1〜PTnの光学像に対して所定の演算を施すことにより、各位置合わせ計測用マークPT1〜PTnの位置ずれ量を求める。
例えば、図5に示すように、例えば位置合わせ計測用マークPT1を基準計測用マークとして、位置合わせ計測用マークPTkの本来の位置を示す相対位置ベクトルRP1を予め取得しておく。そして、上記の取得された光学像から、例えば、位置合わせ計測用マークPTkが実線で示す位置から破線で示す位置へずれた場合の相対位置ベクトルRP2を求める。そして、相対位置ベクトルRP2から相対位置ベクトルRP1をベクトル的に引くことにより、位置ずれ量(例えば、ベクトル量)を求める。この方法は、位置合わせ計測用マークPT1を基準としているため、絶対的な位置ずれ量は把握できないが、複数の位置合わせ計測用マークPT1〜PTnの間の相対的な位置ずれを把握できる。
あるいは、絶対的な方法を用いる場合、計測制御部33は、複数の位置合わせ計測用マークPT1〜PTnの光学像と基準計測用マークMの光学像とを取得する。計測制御部33は、基準計測用マークMの光学像を用いながら、複数の位置合わせ計測用マークPT1〜PTnの光学像に対して所定の演算を施すことにより、各位置合わせ計測用マークPT1〜PTnの位置ずれ量を求める。
例えば、図5に示すように、例えば基準計測用マークMを基準として、位置合わせ計測用マークPTkの本来の位置を示す絶対位置ベクトルSP1を予め取得しておく。そして、上記の取得された光学像から、例えば、位置合わせ計測用マークPTkが実線で示す位置から破線で示す位置へずれた場合の絶対位置ベクトルSP2を求める。そして、絶対位置ベクトルSP2から絶対位置ベクトルSP1をベクトル的に引くことにより、位置ずれ量(例えば、ベクトル量)を求める。この方法は、基準計測用マークMを基準としているため、各位置合わせ計測用マークPT1〜PTnについて絶対的な位置ずれ量も把握できる。
そして、計測制御部33は、求められた位置ずれ量(例えば、ベクトル量)の2次元的な分布情報(図7参照)を、ショット領域内の位置ずれ分布を示す計測値として取得する。計測制御部33は、このような計測値を、互いに異なる複数のフォーカスオフセット量について例えば順次に取得する。計測制御部33は、取得された計測値を主制御部34へ供給する。計測制御部33は、例えば複数の計測値(例えば、図7のSH−A〜SH−C参照)を順次に主制御部34へ供給する。
また、計測制御部33は、計測器80を制御する。例えば、計測制御部33は、計測器80を制御して、フォーカス計測を行ってフォーカス計測の結果を取得し、フォーカス計測の結果に基づいて、例えば基準のZ位置に対するフォーカス計測の結果との差分をとることなどにより、フォーカスオフセット量FOを求める。そして、計測制御部33は、求められたフォーカスオフセット量FOを計測値として主制御部34へ供給する。
主制御部34は、マスクステージ制御部31、基板ステージ制御部32、及び計測制御部33を全体的に制御する。具体的には、主制御部34は、フォーカス制御部35、位置合わせ制御部36、記憶部37、及び露光処理部38を有する。
フォーカス制御部35は、フォーカス計測の計測値、すなわちフォーカスオフセット量FOを計測制御部33から受ける。フォーカス制御部35は、フォーカスオフセット量FOと目標のフォーカスオフセット量とを比較する。
例えば、フォーカス制御部35は、目標のフォーカスオフセット量を決定する第1の決定部35aを有する。第1の決定部35aは、例えば装置QCを行う際に、互いに異なる複数のフォーカスオフセット量のうち未選択のフォーカスオフセット量を、目標のフォーカスオフセット量として決定する。第1の決定部35aは、例えば実デバイスの基板を露光する際に、実デバイスのレシピ情報等に基づいて、実デバイスの製造条件に対応したフォーカスオフセット量を目標のフォーカスオフセット量として決定する。
そして、フォーカス制御部35は、フォーカスオフセット量FOが目標のフォーカスオフセット量に近づくようなフォーカス補正値を求める。フォーカス制御部35は、求められたフォーカス補正値を用いて、基板ステージ制御部32を介して基板SBをZ方向等に移動させる。
位置合わせ制御部36は、計算部36a及び第2の決定部36bを有する。計算部36aは、誤差計算部36a1及び相関関係計算部36a2を有する。
位置合わせ制御部36は、計算部36a及び第2の決定部36bを有する。計算部36aは、誤差計算部36a1及び相関関係計算部36a2を有する。
誤差計算部36a1は、ショット領域内の位置ずれ分布をそれぞれ示す複数の計測値を例えば順次に計測制御部33から受ける。誤差計算部36a1は、複数の計測値のそれぞれに対して、位置ずれ分布の歪みを表すディストーション誤差を求める。例えば、誤差計算部36a1は、各計測値に含まれる複数の位置ずれ量(例えば、ベクトル量)をベクトル的に単純加算することで、ディストーション誤差(例えば、ベクトル量)を求める。誤差計算部36a1は、求められたディストーション誤差を相関関係計算部36a2へ供給する。
相関関係計算部36a2は、例えば装置QCを行う際フォーカスオフセット量FOが変わるたびに、フォーカス計測の計測値、すなわちフォーカスオフセット量FOを計測制御部33から受け、ディストーション誤差を誤差計算部36a1から受ける。すなわち、相関関係計算部36a2は、複数のフォーカスオフセット量及び複数のディストーション誤差を、両者の対応関係が分かる形で受ける。相関関係計算部36a2は、複数のフォーカスオフセット量及び複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量と位置合わせ補正値との相関関係を求める。位置合わせ補正値は、ディストーション誤差を補正するための補正値である。
例えば、相関関係計算部36a2は、ディストーション誤差(例えば、ベクトル量)を受けたら、ディストーション誤差を打ち消すようなベクトル(Dx,Dy)を求める。そして、相関関係計算部36a2は、例えば、そのベクトルに対応した係数K1〜K20を位置合わせ補正値として求める。相関関係計算部36a2は、このような処理を、複数の異なるフォーカスオフセット量FO=A〜Cについて繰り返し行い、複数の位置合わせ補正値K1〜K20のそれぞれについて相関関係G1〜G20を得る(図8(b)参照)。相関関係計算部36a2は、得られた相関関係G1〜G20に応じた相関情報を記憶部37に記憶させる。
第2の決定部36bは、記憶部37を参照し、相関関係に応じた相関情報を取得する。また、第2の決定部36bは、実デバイスの基板を露光する際の目標のフォーカスオフセット量として決定されたフォーカスオフセット量を第1の決定部35aから受ける。第2の決定部36bは、相関情報に応じて、実デバイスの基板のフォーカスオフセット量に対する位置合わせ補正値を決定する。第2の決定部36bは、決定された位置合わせ補正値を露光処理部38へ供給する。
露光処理部38は、装置QCを行う際に、第1の決定部35aにより決定されたフォーカスオフセット量FOに応じて、基板ステージ20を介して基板SBをZ方向に移動させた後、移動後の位置で基板SBが露光されるように制御する。
また、露光処理部38は、実デバイスの露光時に、決定されたフォーカスオフセット量FO及び位置合わせ補正値を用いて、基板SBを露光する。すなわち、露光処理部38は、第1の決定部35aにより決定されたフォーカスオフセット量OFに応じて、基板ステージ20を介して基板SBをZ方向に移動させた後、第2の決定部36bにより決定された位置合わせ補正値に応じて、基板ステージ20を介して基板SBをX方向及びY方向に移動させ、移動後の位置で基板SBが露光されるように制御する。
記憶部37は、相関関係計算部36a2により求められた相関関係に応じた相関情報を記憶する。
記憶部37は、相関関係計算部36a2により求められた相関関係に応じた相関情報を記憶する。
ここで、得られた相関関係G1〜G20のデータ量が多い場合これをそのまま記憶部37に記憶させると記憶部37の記憶容量を大容量にしなければならなくなる。露光装置100のコストを低減させるためにも、データ量を低減するための工夫が望まれる。
そこで、例えば、相関関係計算部36a2は、得られた相関関係G1〜G20から、実デバイスで使用することが予想されるフォーカスオフセット量A、B、Cに対応した値を抽出し、例えば図9に示すような相関テーブル371を生成する。相関テーブル371は、例えば、フォーカスオフセット欄3711、K1の値欄3712−1、K2の値欄3712−2、・・・、K20の値欄3712−20を有する。相関テーブル371を参照することにより、例えば、フォーカスオフセット量Aに対応した位置合わせ補正値K1a〜K20aを特定することができる。相関テーブル371を参照することにより、例えば、フォーカスオフセット量Bに対応した位置合わせ補正値K1b〜K20bを特定することができる。相関テーブル371を参照することにより、例えば、フォーカスオフセット量Cに対応した位置合わせ補正値K1c〜K20cを特定することができる。相関関係計算部36a2は、生成した相関テーブル371を記憶部37に記憶させる。
あるいは、例えば、相関関係計算部36a2は、得られた相関関係G1〜G20から、フォーカスオフセット量と位置合わせ補正値との関係を示す関数式を求める。すなわち、相関関係計算部36a2は、フォーカスオフセット量FOから位置合わせ補正値K1b〜K20bを求めるための関数式K1=F1(OF)、K2=F2(OF)、・・・、K20=F20(OF)を求める。例えば、フォーカスオフセット量FOと位置合わせ補正値K1b〜K20bとの関係が装置AP2について図8(b)に示すように直線近似できる場合、関数F1〜F20として1次関数を用いることができる。あるいは、例えば、フォーカスオフセット量FOと位置合わせ補正値K1b〜K20bとの関係が2次関数で近似できる場合、関数F1〜F20として2次関数を用いることができる。あるいは、例えば、フォーカスオフセット量FOと位置合わせ補正値K1b〜K20bとの関係が3次関数で近似できる場合、関数F1〜F20として3次関数を用いることができる。あるいは、例えば、フォーカスオフセット量FOと位置合わせ補正値K1b〜K20bとの関係がn次関数(n≧4)で近似できる場合、関数F1〜F20としてn次関数を用いることができる。相関関係計算部36a2は、求められた関数式を記憶部37に記憶させる。
次に、露光装置100の動作について主として図10を用いて説明する。図10は、露光装置100の動作を示すフローチャートである。
ステップS10では、露光装置100が、装置QCを行う。具体的には、以下のステップS11、ステップS12の処理が行われる。
ステップS11では、露光装置100が、QC露光を行う。
具体的には、図5に示すようなマスクパターンを有する露光装置の位置合わせQC用のマスクMKを用意する。露光装置の位置合わせQC用のマスクMKは、図5に示すように、ショット領域(露光可能領域)内に複数の位置合わせ計測用マークPT1〜PTnのパターンが配置されており、ショット領域内の歪み成分(ディストーション誤差)を計測することが可能なものである。
そして、露光装置100は、位置合わせQC用のマスクMKを用いて、位置合わせQC用の基板SB上に露光を行い複数の位置合わせ計測マークを形成する。QC用の基板SBは、例えば、基準となるゴールデン基板であってもよいし、あるいは、所定のベア基板であってもよい。
このとき、従来の位置合わせQC露光では、フォーカスオフセット量は固定(ゼロもしくは、1条件)で行うが、本実施形態では、複数のフォーカスオフセット条件で例えば順次に露光を行う。例えば、図6に示すように、「A」で示される複数のショット領域のそれぞれに対して、フォーカスオフセット量FO=Aの条件でQC露光を行い、その後、「B」で示される複数のショット領域のそれぞれに対して、フォーカスオフセット量FO=Bの条件でQC露光を行い、その後、「C」で示される複数のショット領域のそれぞれに対して、フォーカスオフセット量FO=Cの条件でQC露光を行う。
ステップS12では、露光装置100が、位置合わせ計測を行う。すなわち、露光装置100は、複数のフォーカスオフセット条件(フォーカスオフセット量FO=A〜C)で露光したQC用の基板SBに対して、位置合わせ計測を行う。位置合わせ計測は、ショット領域内に複数配置された位置合わせ計測マークを計測する。なお、位置合わせ計測マークと別に形成した基準計測マークをさらに計測してもよい。また、高精度な位置合わせ計測を行うために、図6に示す場合、フォーカスオフセット量毎に、複数のショット領域に対して位置合わせ計測を行い複数のショット領域の計測結果を平均して得られた値を、そのフォーカスオフセット量に対する計測結果とすることが好ましい。
なお、位置合わせ計測は、露光装置100が行う代わりに、露光装置100の外部の位置合わせ検査装置(図示せず)が行ってもよい。
ステップS20では、露光装置100が、計算処理を行う。具体的には、以下のステップS21〜ステップS23の処理が行われる。
なお、位置合わせ計測は、露光装置100が行う代わりに、露光装置100の外部の位置合わせ検査装置(図示せず)が行ってもよい。
ステップS20では、露光装置100が、計算処理を行う。具体的には、以下のステップS21〜ステップS23の処理が行われる。
ステップS21では、露光装置100が、上記した相対的な方法又は絶対的な方法を用いて、複数の位置合わせ計測用マークの位置ずれ量を求める。そして、計測制御部33は、求められた位置ずれ量(例えば、ベクトル量)の2次元的な分布情報(図7参照)を、ショット領域内の位置ずれ分布を示す計測値として取得する。すなわち、各計測値は、ショット領域内の位置ずれ分布を示すものであり、例えば、ショット領域内における位置ずれ量(例えば、ベクトル量)の2次元的な分布情報(図7参照)を含む。
ステップS22では、露光装置100が、各計測値から、フォーカスオフセット量毎にショット領域内の歪み成分(ディストーション誤差)を算出する(図7参照)。例えば、露光装置100は、各計測値に含まれる複数の位置ずれ量(例えば、ベクトル量)をベクトル的に単純加算することで、ディストーション誤差(例えば、ベクトル量)を求める。
ステップS23では、露光装置100が、複数のフォーカスオフセット量及び複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量と位置合わせ補正値との相関関係を求める。例えば、露光装置100は、ステップS22の算出結果に対して、例えば図8(a)に示す3次の高次関数式で最小二乗近似を行い、フォーカスオフセット量毎にディストーション誤差を補正するための位置合わせ補正値K1〜K20を算出する。
具体的には、露光装置100は、ディストーション誤差(例えば、ベクトル量)を受けたら、ディストーション誤差を打ち消すようなベクトル(Dx,Dy)を求める。そして、相関関係計算部36a2は、例えば図8(a)に示す3次の高次関数式で最小二乗近似を行い、そのベクトルに対応した係数K1〜K20を位置合わせ補正値として求める。相関関係計算部36a2は、このような処理を、複数の異なるフォーカスオフセット量OF=A〜Cについて繰り返し行い、複数の位置合わせ補正値K1〜K20のそれぞれについて相関関係G1〜G20を得る(図8(b)参照)。露光装置100は、得られた相関関係G1〜G20に応じた相関情報を生成し記憶部37に記憶させる。
ステップS30では、露光装置100が、実デバイスの基板SBに対して、露光処理を行う。具体的には、以下のステップS31〜ステップS33の処理が行われる。
ステップS31では、露光装置100が、フォーカス制御を行う。例えば、露光装置100は、実デバイスのレシピ情報等に基づいて、実デバイスの製造条件に対応したフォーカスオフセット量を決定する。そして、露光装置100は、決定されたフォーカスオフセット量に近づくように、基板SBをZ方向等に移動させる。
ステップS32では、露光装置100が、位置合わせ制御を行う。すなわち、露光装置100は、算出されたフォーカスオフセット量毎の位置合わせ補正値K1〜K20の情報、すなわち相関情報(例えば、図9に示す相関テーブル371)を使い、実際に露光する製品のフォーカスオフセット量に対応した位置合わせ補正値K1〜K20でショット領域内の歪み成分(ディストーション誤差)を補正する。
具体的には、露光装置100は、記憶部37を参照し、相関関係に応じた相関情報を取得する。露光装置100は、相関情報に応じて、実デバイスの基板のフォーカスオフセット量に対する位置合わせ補正値K1〜K20を決定する。露光装置100は、決定された位置合わせ補正値K1〜K20に応じて、例えば図8(a)に示す関数式からX方向及びY方向の移動量を決定し、基板SBをX方向及びY方向に移動させる。
ステップS33では、露光装置100が、基板SBの露光を行う。
ステップS33では、露光装置100が、基板SBの露光を行う。
以上のように、第1の実施形態では、露光装置100において、計測制御部33が、互いに異なる複数のフォーカスオフセット量に対して計測された複数の計測値であり、ショット領域内の位置ずれ分布をそれぞれ示す複数の計測値を取得する。計算部36aは、複数の計測値から複数のディストーション誤差を求め、複数のフォーカスオフセット量及び複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量と位置合わせ補正値との相関関係を求める。これにより、半導体デバイスごとにフォーカスオフセット量が変動する場合に、ディストーション誤差を補正するための位置合わせ補正値を調整することができる。この結果、実デバイスのベストフォーカス位置が装置QC時のベストフォーカス位置からずれ、ディストーション誤差の顕在化が危惧される場合に、ディストーション誤差を補正でき、ショット領域内の位置合わせ精度を向上できる。
また、第1の実施形態では、露光装置100において、第1の決定部35aが、実デバイスの基板を露光する際におけるフォーカスオフセット量を決定し、第2の決定部36bが、計算部36aにより求められた相関関係に応じて、実デバイスのフォーカスオフセット量に対する位置合わせ補正値を決定し、露光処理部38が、その決定された位置合わせ補正値を用いて、基板SBを露光する。これにより、実デバイスの露光の時にショット内の位置合わせ精度を向上できるので、パターン不良の発生を抑制でき、リワーク率を低減でき、基板の歩留まりを向上できる。この結果、半導体デバイスの生産性を向上できる。
また、例えば、第1の実施形態では、計算部36aが、複数のフォーカスオフセット量及び複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量と位置合わせ補正値とが複数のフォーカスオフセット量について対応付けられた相関テーブル371を求める。これにより、相関テーブル371を参照することで、フォーカスオフセット量に対応する位置合わせ補正値を容易に決定できる。また、フォーカスオフセット量に対応する位置合わせ補正値を決定する際に参照するデータの容量を小さく抑制できる。
あるいは、例えば、第1の実施形態では、計算部36aが、複数のフォーカスオフセット量及び複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量と位置合わせ補正値との関係を示す関数式を求める。これにより、関数式に代入して計算することで、フォーカスオフセット量に対応する位置合わせ補正値を容易に決定できる。また、フォーカスオフセット量に対応する位置合わせ補正値を決定する際に参照するデータの容量を小さく抑制できる。
なお、第1の実施形態では、相関関係の計算が露光装置内で行われる場合について例示的に説明しているが、相関関係の計算は、露光装置外部で行われてもよく、得られた相関情報は、例えば、直接手入力や記憶媒体を通じて露光装置へ入力する方法でもよいし、オンライン等によるデータ通信方法で露光装置に入力されてもよい。
例えば、図11に示すように、相関関係の計算は、管理センタ50iで行われてもよい。この場合、露光管理システム70iにおいて、管理センタ50iが通信回線60iを介して複数の露光装置AP1、AP2、・・・、APk(露光装置100i)に接続され、管理センタ50iが複数の露光装置AP1〜APkを統合的に管理しており各露光装置AP1〜APkの相関関係の計算を一括して行っていてもよい(図8(b)参照)。
具体的には、管理センタ50iは、計算部51、記憶部52、及び通信I/F53を有する。計算部51は、誤差計算部51a及び相関関係計算部51bを有する。誤差計算部51a及び相関関係計算部51bの機能は、それぞれ、露光装置100(図1参照)における誤差計算部36a1及び相関関係計算部36a2の機能と同様である。それに応じて、各露光装置AP1〜APkは、計算部36a(図1参照)が省略された構成であってもよい。
また、管理センタ50iの記憶部52には、相関関係データベース52aが記憶されている。相関関係データベース52aは、例えば、図12に示すように、露光装置100(図1参照)における相関テーブル371(図9参照)と同様のデータ構造をベースとして、さらに装置の識別子が対応付けられたデータ構造を有している。すなわち、相関関係データベース52aは、例えば、装置識別子欄52a3、フォーカスオフセット欄52a1、K1の値欄52a2−1、K2の値欄52a2−2、・・・、K20の値欄52a2−20を有する。相関関係データベース52aを参照することにより、例えば、露光装置AP1のフォーカスオフセット量Aに対応した位置合わせ補正値K1a〜K20aを決定することができる。また、相関関係データベース52aを参照することにより、例えば、露光装置APkのフォーカスオフセット量Cに対応した位置合わせ補正値K1ck〜K20ckを決定することができる。
管理センタ50iの通信I/F53は、通信回線60iを介して複数の露光装置AP1〜APkと通信を行う。それに応じて、各露光装置AP1〜APkは、その制御系内に通信I/F39が追加された構成であってもよい。
例えば、各露光装置AP1〜APkは、ショット領域内の位置ずれ分布をそれぞれ示す複数の計測値を取得して自身の記憶部に記憶させておく。管理センタ50iは、例えば定期的に各露光装置AP1〜APkの記憶部に通信回線60i経由でアクセスし、複数のフォーカスオフセット量と、ショット領域内の位置ずれ分布をそれぞれ示す複数の計測値と、露光装置の識別情報とを、各露光装置AP1〜APkから通信回線60iを介して通信I/F53で受信する。計算部51の誤差計算部51aは、複数の計測値を通信I/F53から受け、複数の計測値から複数のディストーション誤差を求めて相関関係計算部51bへ供給する。相関関係計算部51bは、複数のフォーカスオフセット量を通信I/F53から受け、複数のディストーション誤差を誤差計算部51aから受け、複数のフォーカスオフセット量及び複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量と位置合わせ補正値との相関関係を求め、求められた相関関係に応じた相関情報をさらに生成する。相関関係計算部51bは、露光装置の識別情報を通信I/F53からさらに受け、生成した相関情報を露光装置の識別情報に対応付けて記憶部52に例えば相関関係データベース52a(図12参照)として記憶する。そして、管理センタ50iは、相関関係の取得要求を通信回線60i経由で露光装置AP1〜APkから受信した場合、各装置と対応した相関情報を記憶部52から読み出して通信回線60i経由で露光装置AP1〜APkへ送信する。これにより、各露光装置AP1〜APkそれぞれにおいて複数の計測値を最新のものに更新して記憶しておくだけで、必要なタイミングで最新の相関情報を取得することができる。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態にかかる露光装置100jについて説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
次に、第2の実施形態にかかる露光装置100jについて説明する。以下では、第1の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
露光装置100jは、光源LSiが例えばArF光を発生させる液浸露光装置である。これに応じて、照明光学系IOSj及び投影光学系POSjは、ともに、屈折光学系であり、基板ステージ20jに保持された基板SBと投影光学系POSjの間には、水供給・回収機構110により水が満たされる構成となっている。また、マスクステージ10jに保持されるマスクMKjは、透過型マスクである。液浸露光装置でも、照明光学系IOSjの瞳位置に配される絞りIOSjaの開口形状を制御して例えば図14(a)、(b)に示すようなダイポール照明が用いられる場合、マスクMKjに対して露光光が非テレセンになっていなくても、照明輝度分布の影響でテレセンズレが起きる可能性がある。これにより、基板SB上で露光パターンの転写位置が、基板SBの表面SBaに沿った方向にずれる位置ずれ誤差が発生する可能性がある。
そこで、第2の実施形態においても、露光装置100jは、ディストーション誤差の影響を抑制し、マスクMKjと基板SBとの位置合わせの精度を向上させるために、互いに異なる複数のフォーカスオフセット量に対してショット領域内の位置ずれ分布を計測してディストーション誤差を求め、フォーカスオフセット量とディストーション誤差を補正するための位置合わせ補正値との相関関係を求める。すなわち、露光装置100jは、第1の実施形態と同様の制御系30を備える。
このように、第2の実施形態では、露光装置100jにおいて、計測制御部33が、互いに異なる複数のフォーカスオフセット量に対して計測された複数の計測値であり、ショット領域内の位置ずれ分布をそれぞれ示す複数の計測値を取得する。計算部36aは、複数の計測値から複数のディストーション誤差を求め、複数のフォーカスオフセット量及び複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量と位置合わせ補正値との相関関係を求める。すなわち、第2の実施形態によっても、半導体デバイスごとにフォーカスオフセット量が変動する場合に、ディストーション誤差を補正するための位置合わせ補正値を調整することができる。この結果、実デバイスのベストフォーカス位置が装置QC時のベストフォーカス位置からずれ、ディストーション誤差の顕在化が危惧される場合に、ディストーション誤差を補正でき、ショット領域内の位置合わせ精度を向上できる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10 マスクステージ、11 静電チャック、20 基板ステージ、21 静電チャック、30 制御系、31 マスクステージ制御部、32 基板ステージ制御部、33 計測制御部、34 主制御部、35 フォーカス制御部、35a 第1の決定部、36 位置合わせ制御部、36a 計算部、36a1 誤差計算部、36a2 相関関係計算部、36b 第2の決定部、37 記憶部、38 露光処理部、39 通信I/F、40 計測器、50i 管理センタ、51 計算部、51a 誤差計算部、51b 相関関係計算部、52 記憶部、52a 相関関係データベース、53 通信I/F、60i 通信回線、70i 露光管理システム、80 計測器、80a 投射系、80b 受光系、100、100i、100j 露光装置、371 相関テーブル。
Claims (5)
- 互いに異なる複数のフォーカスオフセット量に対して計測された複数の計測値であり、ショット領域内の位置ずれ分布をそれぞれ示す前記複数の計測値を取得する取得部と、
前記複数の計測値から複数のディストーション誤差を求め、前記複数のフォーカスオフセット量及び前記複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量とディストーション誤差を補正するための位置合わせ補正値との相関関係を求める計算部と、
基板を露光する際におけるフォーカスオフセット量を決定する第1の決定部と、
前記相関関係に応じて、決定されたフォーカスオフセット量に対する位置合わせ補正値を決定する第2の決定部と、
決定された位置合わせ補正値を用いて、前記基板を露光する処理部と、
を備えたことを特徴とする露光装置。 - 互いに異なる複数のフォーカスオフセット量に対して計測された複数の計測値であり、ショット領域内の位置ずれ分布をそれぞれ示す前記複数の計測値を取得する取得部と、
前記複数の計測値から複数のディストーション誤差を求め、前記複数のフォーカスオフセット量及び前記複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量とディストーション誤差を補正するための位置合わせ補正値との相関関係を求める計算部と、
を備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記計算部は、前記複数のフォーカスオフセット量及び前記複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量と位置合わせ補正値とが複数のフォーカスオフセット量について対応付けられた相関テーブルを求める
ことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。 - 前記計算部は、前記複数のフォーカスオフセット量及び前記複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量と位置合わせ補正値との関係を示す関数式を求める
ことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。 - 互いに異なる複数のフォーカスオフセット量に対して計測された複数の計測値であり、ショット領域内の位置ずれ分布をそれぞれ示す前記複数の計測値を取得することと、
前記複数の計測値から複数のディストーション誤差を求めることと、
前記複数のフォーカスオフセット量及び前記複数のディストーション誤差に応じて、フォーカスオフセット量とディストーション誤差を補正するための位置合わせ補正値との相関関係を求めることと、
を備え、
基板を露光する際、フォーカス制御を行うとともに、前記相関関係を参照して基板位置を制御する
ことを特徴とする露光方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012037417A JP2013175500A (ja) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 露光装置、及び露光方法 |
TW101130717A TWI503634B (zh) | 2012-02-23 | 2012-08-23 | Exposure apparatus, exposure management system, and exposure method |
US13/601,311 US9158212B2 (en) | 2012-02-23 | 2012-08-31 | Exposure apparatus, exposure control system, and exposure method |
CN201210320610.0A CN103293868B (zh) | 2012-02-23 | 2012-08-31 | 曝光装置、曝光管理系统、和曝光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012037417A JP2013175500A (ja) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 露光装置、及び露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013175500A true JP2013175500A (ja) | 2013-09-05 |
Family
ID=49002546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012037417A Pending JP2013175500A (ja) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 露光装置、及び露光方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9158212B2 (ja) |
JP (1) | JP2013175500A (ja) |
CN (1) | CN103293868B (ja) |
TW (1) | TWI503634B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018038071A1 (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
WO2018061945A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210131798A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-03 | 삼성전자주식회사 | Euv 노광 장치, 및 그 노광 장치를 이용한 오버레이 보정 방법과 반도체 소자 제조방법 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3374413B2 (ja) * | 1992-07-20 | 2003-02-04 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法 |
JP3412981B2 (ja) | 1995-08-29 | 2003-06-03 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置および投影露光方法 |
KR970072024A (ko) * | 1996-04-09 | 1997-11-07 | 오노 시게오 | 투영노광장치 |
US20020042664A1 (en) * | 2000-05-31 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Evaluation method, position detection method, exposure method and device manufacturing method, and exposure apparatus |
JP2002050562A (ja) | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
JP3913079B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-05-09 | キヤノン株式会社 | 面位置検出装置及び方法並びに露光装置と該露光装置を用いたデバイスの製造方法 |
JP2004111995A (ja) * | 2003-12-17 | 2004-04-08 | Canon Inc | 投影露光装置および方法 |
US7218399B2 (en) | 2004-01-21 | 2007-05-15 | Nikon Corporation | Method and apparatus for measuring optical overlay deviation |
US7113256B2 (en) * | 2004-02-18 | 2006-09-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method with feed-forward focus control |
US7239368B2 (en) * | 2004-11-29 | 2007-07-03 | Asml Netherlands B.V. | Using unflatness information of the substrate table or mask table for decreasing overlay |
US7649614B2 (en) | 2005-06-10 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Method of characterization, method of characterizing a process operation, and device manufacturing method |
US7439001B2 (en) * | 2005-08-18 | 2008-10-21 | International Business Machines Corporation | Focus blur measurement and control method |
JP2009270988A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Panasonic Corp | 重ね合わせずれ量算出方法及び半導体装置の製造方法 |
EP2392970A3 (en) | 2010-02-19 | 2017-08-23 | ASML Netherlands BV | Method and apparatus for controlling a lithographic apparatus |
-
2012
- 2012-02-23 JP JP2012037417A patent/JP2013175500A/ja active Pending
- 2012-08-23 TW TW101130717A patent/TWI503634B/zh active
- 2012-08-31 US US13/601,311 patent/US9158212B2/en active Active
- 2012-08-31 CN CN201210320610.0A patent/CN103293868B/zh active Active
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018038071A1 (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
JP2023022066A (ja) * | 2016-08-24 | 2023-02-14 | 株式会社ニコン | 計測システム |
US11274919B2 (en) | 2016-08-24 | 2022-03-15 | Nikon Corporation | Measurement system, substrate processing system, and device manufacturing method |
JP2021121872A (ja) * | 2016-08-24 | 2021-08-26 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
JPWO2018038071A1 (ja) * | 2016-08-24 | 2019-07-18 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
EP3506012A4 (en) * | 2016-08-24 | 2020-04-15 | Nikon Corporation | MEASURING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
KR102239782B1 (ko) | 2016-09-30 | 2021-04-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 시스템 및 기판 처리 시스템, 그리고 디바이스 제조 방법 |
JP2021047433A (ja) * | 2016-09-30 | 2021-03-25 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
US10777441B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-09-15 | Nikon Corporation | Measurement system, substrate processing system, and device manufacturing method |
JPWO2018061945A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2019-07-11 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
US11107718B2 (en) | 2016-09-30 | 2021-08-31 | Nikon Corporation | Measurement system, substrate processing system, and device manufacturing method |
KR20190047020A (ko) * | 2016-09-30 | 2019-05-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 시스템 및 기판 처리 시스템, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US11430684B2 (en) | 2016-09-30 | 2022-08-30 | Nikon Corporation | Measurement system, substrate processing system, and device manufacturing method |
JP2022159301A (ja) * | 2016-09-30 | 2022-10-17 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
WO2018061945A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
JP7379314B2 (ja) | 2016-09-30 | 2023-11-14 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
US11915961B2 (en) | 2016-09-30 | 2024-02-27 | Nikon Corporation | Measurement system, substrate processing system, and device manufacturing method |
JP7487754B2 (ja) | 2016-09-30 | 2024-05-21 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130222777A1 (en) | 2013-08-29 |
US9158212B2 (en) | 2015-10-13 |
TWI503634B (zh) | 2015-10-11 |
TW201335718A (zh) | 2013-09-01 |
CN103293868A (zh) | 2013-09-11 |
CN103293868B (zh) | 2015-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI395075B (zh) | Prior measurement processing method, exposure system and substrate processing device | |
JP5112408B2 (ja) | リソグラフィ装置及び基板非平坦性を補償する方法 | |
CN111158220A (zh) | 测量装置及方法、光刻系统、曝光装置及方法 | |
TWI512406B (zh) | 微影裝置,元件製造方法及相關資料處理裝置及電腦程式產品 | |
JPWO2005053007A1 (ja) | 露光方法及びデバイス製造方法、露光装置、並びにプログラム | |
JP2015032800A (ja) | リソグラフィ装置、および物品製造方法 | |
US10031429B2 (en) | Method of obtaining position, exposure method, and method of manufacturing article | |
JP2008021748A (ja) | 露光装置 | |
JP2007115784A (ja) | 露光システム、露光方法、及びデバイス製造工場 | |
US9910371B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
US20190041758A1 (en) | Methods of determining a mechanical property of a layer applied to a substrate, control system for a lithographic apparatus and lithographic apparatus | |
TWI390365B (zh) | 元件製造方法、微影設備和電腦程式產品 | |
JP2013247258A (ja) | アライメント方法、露光方法、及びデバイス製造方法、並びにデバイス製造システム | |
JP2013175500A (ja) | 露光装置、及び露光方法 | |
JP6918926B2 (ja) | 装置マークのインシチュプリンティングを含む計測方法及び対応する装置 | |
TWI411887B (zh) | 判定曝光設定的方法、微影曝光裝置、電腦程式及資料載體 | |
JP2016100590A (ja) | フォーカス制御方法、パターン転写装置、および物品の製造方法 | |
JP4947269B2 (ja) | 測定検査方法、測定検査装置、露光装置及びデバイス製造処理装置 | |
JP2004241666A (ja) | 計測方法及び露光方法 | |
TWI712072B (zh) | 曝光裝置、曝光方法及製造物品的方法 | |
JP2006228890A (ja) | 位置合わせ方法及び露光装置 | |
JP4596166B2 (ja) | 位置検出方法、露光方法、位置検出装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP7383840B1 (ja) | 情報処理装置、情報処理方法、プログラム、露光装置、露光方法、および物品の製造方法 | |
JP2007129102A (ja) | 補正情報算出方法及び露光方法 | |
JP6298345B2 (ja) | 計測方法、露光装置及び物品の製造方法 |