JP3374413B2 - 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法 - Google Patents
投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法Info
- Publication number
- JP3374413B2 JP3374413B2 JP19176692A JP19176692A JP3374413B2 JP 3374413 B2 JP3374413 B2 JP 3374413B2 JP 19176692 A JP19176692 A JP 19176692A JP 19176692 A JP19176692 A JP 19176692A JP 3374413 B2 JP3374413 B2 JP 3374413B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- projection exposure
- area
- projection
- detection
- focus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投影露光装置のように
被処理基板（感光基板）に対する焦点位置合わせの必要
な装置に関し、特に被処理基板の処理領域の起伏が一様
でない場合の焦点位置合わせを良好に行なう技術に関す
るものである。
被処理基板（感光基板）に対する焦点位置合わせの必要
な装置に関し、特に被処理基板の処理領域の起伏が一様
でない場合の焦点位置合わせを良好に行なう技術に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェハ等の表面に、集積回
路のパターンを露光するための投影露光装置において
は、ウェハ表面を正確に所定の露光面に合致させるため
に、光学式の焦点位置ずれ検出方式を採用するものがあ
る。この光学式の焦点位置ずれ検出の一方式として、被
検出面であるウェハ上に斜め上方より細長い断面を有す
る光束を照射し、その反射光を振動するスリットを介し
て集光し、その集光された光信号を光電変換した後、電
気的な処理をされた出力によって焦点位置を検出する方
法が考えられていた。しかし、この焦点位置ずれ検出に
用いられる検出光束は、停止したウェハに対して常に一
定位置に照射されるため、照射位置における局所的な平
面の焦点合わせを行なうことは可能であるが、投影露光
領域（視野）内に検出光束の照射位置における平面の高
さとは異なる高さを持つ面がある場合は、その面は焦点
面には合致しないことになる。
路のパターンを露光するための投影露光装置において
は、ウェハ表面を正確に所定の露光面に合致させるため
に、光学式の焦点位置ずれ検出方式を採用するものがあ
る。この光学式の焦点位置ずれ検出の一方式として、被
検出面であるウェハ上に斜め上方より細長い断面を有す
る光束を照射し、その反射光を振動するスリットを介し
て集光し、その集光された光信号を光電変換した後、電
気的な処理をされた出力によって焦点位置を検出する方
法が考えられていた。しかし、この焦点位置ずれ検出に
用いられる検出光束は、停止したウェハに対して常に一
定位置に照射されるため、照射位置における局所的な平
面の焦点合わせを行なうことは可能であるが、投影露光
領域（視野）内に検出光束の照射位置における平面の高
さとは異なる高さを持つ面がある場合は、その面は焦点
面には合致しないことになる。
【０００３】この場合、検出光束の照射位置における平
面の高さとは異なる高さを持つ面における集積回路パタ
ーンのデザインルールが投影露光領域内で一番厳しく、
その位置において焦点を合致させる必要があった場合
は、不都合が生じることとなる。近年集積回路パターン
の線幅の細線化により、投影露光レンズの高ＮＡ化が進
み、焦点深度の余裕が少なくなってきた。従って、投影
露光領域内の各回路のパターンの高さが一様でない場合
は、その中でも最も焦点位置ずれを少なくする必要のあ
る回路パターンに合わせて焦点位置合わせを行なうこと
がのぞましい。
面の高さとは異なる高さを持つ面における集積回路パタ
ーンのデザインルールが投影露光領域内で一番厳しく、
その位置において焦点を合致させる必要があった場合
は、不都合が生じることとなる。近年集積回路パターン
の線幅の細線化により、投影露光レンズの高ＮＡ化が進
み、焦点深度の余裕が少なくなってきた。従って、投影
露光領域内の各回路のパターンの高さが一様でない場合
は、その中でも最も焦点位置ずれを少なくする必要のあ
る回路パターンに合わせて焦点位置合わせを行なうこと
がのぞましい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このため、従来におい
ては、焦点位置ずれ検出に用いられる検出光束の照射位
置における平面と、最も焦点位置ずれを少なくする必要
のある回路パターン位置における平面との高さの差をフ
ォーカスオフセット量としてあらかじめ指定しておき、
実際には検出光束の照射位置における平面に焦点を合致
させる際に、あらかじめ指定したフォーカスオフセット
分を電気的処理において補正する方法が用いられてい
た。この方法の場合は、あらかじめフォーカスオフセッ
ト量を測定する必要があった。
ては、焦点位置ずれ検出に用いられる検出光束の照射位
置における平面と、最も焦点位置ずれを少なくする必要
のある回路パターン位置における平面との高さの差をフ
ォーカスオフセット量としてあらかじめ指定しておき、
実際には検出光束の照射位置における平面に焦点を合致
させる際に、あらかじめ指定したフォーカスオフセット
分を電気的処理において補正する方法が用いられてい
た。この方法の場合は、あらかじめフォーカスオフセッ
ト量を測定する必要があった。
【０００５】また、焦点位置ずれ検出に用いられる光束
の照射位置を、最も焦点位置ずれを少なくする必要のあ
る回路パターン位置にあらかじめ移動して焦点合わせを
行なった後、その焦点を維持したまま、投影露光位置へ
移動して露光する方法（フォーカスロック）も考えられ
るが、各露光処理ごとに処理時間が増加する欠点があっ
た。
の照射位置を、最も焦点位置ずれを少なくする必要のあ
る回路パターン位置にあらかじめ移動して焦点合わせを
行なった後、その焦点を維持したまま、投影露光位置へ
移動して露光する方法（フォーカスロック）も考えられ
るが、各露光処理ごとに処理時間が増加する欠点があっ
た。
【０００６】一方、アライメント用のセンサが被処理基
板上のアライメントマークに対してアライメント動作を
している場合においても、焦点位置ずれ検出に用いられ
る検出光束の照射位置はアライメントマーク位置とは一
般的に異なるため、検出光束の照射位置における平面の
高さがアライメントマーク位置における平面の高さと異
なる場合においては、同様の問題点が発生する。
板上のアライメントマークに対してアライメント動作を
している場合においても、焦点位置ずれ検出に用いられ
る検出光束の照射位置はアライメントマーク位置とは一
般的に異なるため、検出光束の照射位置における平面の
高さがアライメントマーク位置における平面の高さと異
なる場合においては、同様の問題点が発生する。
【０００７】そこで本発明は、ステップアンドリピート
方式又はステップ・スキャン方式等の投影露光装置にお
ける被処理基板に対する焦点位置合わせにおいて、被処
理基板の処理領域の起伏が一様でない場合の焦点位置合
わせを効率的に行なうことを目的とする。
方式又はステップ・スキャン方式等の投影露光装置にお
ける被処理基板に対する焦点位置合わせにおいて、被処
理基板の処理領域の起伏が一様でない場合の焦点位置合
わせを効率的に行なうことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、あらかじめ、
投影露光処理領域内の焦点検出位置における平面の高さ
と、前記投影露光処理領域内の最適合焦必要位置におけ
る平面の高さの差を自動的に計測し、この計測を複数回
行なった場合はこの計測値を平均化して記憶し、この平
均値の分だけ投影露光時に補正することを技術的要点と
している。
投影露光処理領域内の焦点検出位置における平面の高さ
と、前記投影露光処理領域内の最適合焦必要位置におけ
る平面の高さの差を自動的に計測し、この計測を複数回
行なった場合はこの計測値を平均化して記憶し、この平
均値の分だけ投影露光時に補正することを技術的要点と
している。
【０００９】また、アライメントにおいては、あらかじ
め、アライメント時の焦点検出位置における平面の高さ
と、アライメントマーク位置における平面の高さの差を
自動的に計測し、この計測を複数回行なった場合はこの
計測値を平均化して記憶し、この平均値の分だけアライ
メント計測時に補正することを技術的要点としている。
本発明における第１の投影露光装置は、マスクのパター
ンを感光基板上の複数のショット領域の一つに投影露光
するための投影光学系と、その感光基板を保持してその
投影光学系の光軸と垂直な面内で水平移動するととも
に、その光軸の方向に鉛直移動するステージと、その感
光基板上のショット領域に付設されたアライメント用の
マークをその投影光学系を介して光電検出するマーク検
出手段と、その投影光学系の視野内の所定位置に検出領
域が設定され、該検出領域に含まれるその感光基板の表
面のその光軸方向の位置ずれ量を検出する表面位置検出
手段と、焦点合わせのため、該検出された位置ずれ量に
基づいて、そのステージを垂直移動させる合焦制御手段
を備えた装置において、その感光基板をアライメントす
るために、その感光基板上の特定のｎ個のショット領域
の夫々に付設されたそのマークが、そのマーク検出手段
によって順次検出されるようにそのステージを水平移動
させるときに、そのｎ個のほぼ中央の第１位置と、該第
１位置から所定方向に所定量だけ離れ、且つそのショッ
ト領域内に存在する第２位置との夫々をその検出領域に
設定し、その表面位置検出手段によってｎ個のショット
領域の夫々についてその第１位置と第２位置との光軸方
向の位置偏差を測定するショット内偏差測定手段と；そ
のｎ個の位置偏差のうち、所定の許容範囲内のものをｍ
個選択し、そのｍ個の位置偏差の平均値を算出する演算
手段と；その表面位置検出手段による位置ずれ検出の基
準となる位置が、その算出された平均値だけその光軸方
向に偏位するように、その表面位置検出手段を補正する
補正手段とを備えたことを特徴とする。 また、本発明の
投影露光方法は、基板上に形成された複数の処理領域に
それぞれ付設された複数のアライメント用マークを検出
し、その検出結果に基づいてその複数の処理領域を順次
露光位置に配置するとともに、その処理領域内の焦点検
出位置において投影光学系の光軸方向における位置を検
出し、その検出結果に基づいてその処理領域をその投影
光学系の焦点位置に合わせてその処理領域を露光する投
影露光方法であって、そのアライメント用マークを検出
する動作に伴って、その基板表面の高さ方向における位
置を計測する手段によってその処理領域内のその焦点検
出位置と任意の部分とのその高さ方向の偏差に対応する
段差情報を計測し、その段差情報に基づいてその複数の
処理領域を露光する際のその基板の面位置を補正するこ
とを特徴とする。 また、本発明の第２の投影露光装置
は、基板上に形成された複数の処理領域にそれぞれ付設
された複数のアライメント用マークを検出し、その検出
結果に基づいて、その複数の処理領域を順次露光する位
置に配置するとともに、その処理領域内の焦点検出位置
において投影光学系の光軸方向における位置を検出し、
その検出結果に基づいてその処理領域をその投影光学系
の焦点位置に合わせてその処理領域を露光する投影露光
装置であって、そのアライメント用マークを検出する動
作に伴って、その処理領域内のその焦点検出位置と任意
の部分とのその基板表面の高さ方向における偏差に対応
する段差情報を計測する計測手段と、その段差情報に基
づいてその複数の処理領域を露光する際のその基板の面
位置を補正する補正手段と、を有することを特徴とす
る。
め、アライメント時の焦点検出位置における平面の高さ
と、アライメントマーク位置における平面の高さの差を
自動的に計測し、この計測を複数回行なった場合はこの
計測値を平均化して記憶し、この平均値の分だけアライ
メント計測時に補正することを技術的要点としている。
本発明における第１の投影露光装置は、マスクのパター
ンを感光基板上の複数のショット領域の一つに投影露光
するための投影光学系と、その感光基板を保持してその
投影光学系の光軸と垂直な面内で水平移動するととも
に、その光軸の方向に鉛直移動するステージと、その感
光基板上のショット領域に付設されたアライメント用の
マークをその投影光学系を介して光電検出するマーク検
出手段と、その投影光学系の視野内の所定位置に検出領
域が設定され、該検出領域に含まれるその感光基板の表
面のその光軸方向の位置ずれ量を検出する表面位置検出
手段と、焦点合わせのため、該検出された位置ずれ量に
基づいて、そのステージを垂直移動させる合焦制御手段
を備えた装置において、その感光基板をアライメントす
るために、その感光基板上の特定のｎ個のショット領域
の夫々に付設されたそのマークが、そのマーク検出手段
によって順次検出されるようにそのステージを水平移動
させるときに、そのｎ個のほぼ中央の第１位置と、該第
１位置から所定方向に所定量だけ離れ、且つそのショッ
ト領域内に存在する第２位置との夫々をその検出領域に
設定し、その表面位置検出手段によってｎ個のショット
領域の夫々についてその第１位置と第２位置との光軸方
向の位置偏差を測定するショット内偏差測定手段と；そ
のｎ個の位置偏差のうち、所定の許容範囲内のものをｍ
個選択し、そのｍ個の位置偏差の平均値を算出する演算
手段と；その表面位置検出手段による位置ずれ検出の基
準となる位置が、その算出された平均値だけその光軸方
向に偏位するように、その表面位置検出手段を補正する
補正手段とを備えたことを特徴とする。 また、本発明の
投影露光方法は、基板上に形成された複数の処理領域に
それぞれ付設された複数のアライメント用マークを検出
し、その検出結果に基づいてその複数の処理領域を順次
露光位置に配置するとともに、その処理領域内の焦点検
出位置において投影光学系の光軸方向における位置を検
出し、その検出結果に基づいてその処理領域をその投影
光学系の焦点位置に合わせてその処理領域を露光する投
影露光方法であって、そのアライメント用マークを検出
する動作に伴って、その基板表面の高さ方向における位
置を計測する手段によってその処理領域内のその焦点検
出位置と任意の部分とのその高さ方向の偏差に対応する
段差情報を計測し、その段差情報に基づいてその複数の
処理領域を露光する際のその基板の面位置を補正するこ
とを特徴とする。 また、本発明の第２の投影露光装置
は、基板上に形成された複数の処理領域にそれぞれ付設
された複数のアライメント用マークを検出し、その検出
結果に基づいて、その複数の処理領域を順次露光する位
置に配置するとともに、その処理領域内の焦点検出位置
において投影光学系の光軸方向における位置を検出し、
その検出結果に基づいてその処理領域をその投影光学系
の焦点位置に合わせてその処理領域を露光する投影露光
装置であって、そのアライメント用マークを検出する動
作に伴って、その処理領域内のその焦点検出位置と任意
の部分とのその基板表面の高さ方向における偏差に対応
する段差情報を計測する計測手段と、その段差情報に基
づいてその複数の処理領域を露光する際のその基板の面
位置を補正する補正手段と、を有することを特徴とす
る。
【００１０】
【作用】 本発明の第１の投影露光装置においては、感
光基板をアライメントするためにステージを水平移動さ
せるときに、感光基板（ウェハ）上の１つの露光処理領
域（局所領域、又はショット領域）内で露光時に投影光
学系の光軸近傍となる位置（第１位置）と、そこから所
定方向に一定距離だけ離れた処理領域内の少なくとも１
つの第２位置との間で、光軸方向の位置偏差（ショット
内フォーカス偏差）を求め、選ばれたいくつか（ｎ個）
の処理領域毎に求められたショット内フォーカス偏差の
うち、許容範囲内のものをｍ個（２つ以上）選び、その
平均値を求めるようにした。
光基板をアライメントするためにステージを水平移動さ
せるときに、感光基板（ウェハ）上の１つの露光処理領
域（局所領域、又はショット領域）内で露光時に投影光
学系の光軸近傍となる位置（第１位置）と、そこから所
定方向に一定距離だけ離れた処理領域内の少なくとも１
つの第２位置との間で、光軸方向の位置偏差（ショット
内フォーカス偏差）を求め、選ばれたいくつか（ｎ個）
の処理領域毎に求められたショット内フォーカス偏差の
うち、許容範囲内のものをｍ個（２つ以上）選び、その
平均値を求めるようにした。
【００１１】このため、算出された平均値は、ショツト
中央部とショット内の任意の部分（フォーカスを厳密に
合わせたい部分）との段差に対応したものになる。通常
の表面位置検出手段では、露光時にショット中央部（又
はショット内の特定点）のみをフォーカス検出するた
め、そこで検出されるフォーカス位置に対して段差（平
均値）分のオフセットを加えておくと、投影光学系の最
良像面（マスクとの共役面）はショット内でフォーカス
を厳密に合わせたい部分と正確に合致することになり、
スループットを極端に低下させることがなく、焦点位置
合わせを効率的に行うことが可能となる。また、本発明
の投影露光方法及び第２の投影露光装置においては、ア
ライメント用マークを検出する動作に伴って、処理領域
内の焦点検出位置と任意の部分との基板表面の高さ方向
における偏差に対応する段差情報を計測するため、処理
領域の起伏が一様でなくても、スループットを極端に低
下させることなく処理領域内の段差情報を得ることがで
き、焦点位置合わせを効率的に行うことが可能となる。
中央部とショット内の任意の部分（フォーカスを厳密に
合わせたい部分）との段差に対応したものになる。通常
の表面位置検出手段では、露光時にショット中央部（又
はショット内の特定点）のみをフォーカス検出するた
め、そこで検出されるフォーカス位置に対して段差（平
均値）分のオフセットを加えておくと、投影光学系の最
良像面（マスクとの共役面）はショット内でフォーカス
を厳密に合わせたい部分と正確に合致することになり、
スループットを極端に低下させることがなく、焦点位置
合わせを効率的に行うことが可能となる。また、本発明
の投影露光方法及び第２の投影露光装置においては、ア
ライメント用マークを検出する動作に伴って、処理領域
内の焦点検出位置と任意の部分との基板表面の高さ方向
における偏差に対応する段差情報を計測するため、処理
領域の起伏が一様でなくても、スループットを極端に低
下させることなく処理領域内の段差情報を得ることがで
き、焦点位置合わせを効率的に行うことが可能となる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明が適用される投影露光装置（ス
テッパー）の全体構成を示し、レチクル（マスク）Ｒに
形成されたパターン領域は露光用照明系のコンデンサー
レンズＣＬからの照明光で均一に照射される。パターン
領域を透過した光は両側テレセントリック、又は像側テ
レセントリックな投影レンズＰＬを介してウェハＷへ達
し、パターン領域の像がウェハＷ上の所定のショット領
域に投影される。レチクルアライメント顕微鏡ＲＡ1 、
ＲＡ2 は、レチクルＲの周辺に形成されたマークを検知
して、レチクルＲを投影レンズＰＬの光軸ＡＸに対して
アライメントしたり、あるいはレチクルＲ上のマークと
ウェハＷ上のマークとの相対的な位置ずれ量を検知し
て、レチクルＲとウェハＷをアライメントしたりする。
また投影レンズＰＬのみを介してウェハＷ上のマークを
検知するＴＴＬ（スルーザレンズ）アライメント系ＷＡ
は、投影レンズＰＬの投影視野内で、かつレチクルＲの
パターン領域の投影範囲の外側にマーク検出領域を有す
る。このＴＴＬアライメントマーク系ＷＡは投影視野内
の２ケ所にマーク検出領域が配置されるように、同じも
のが２組設けられている。
テッパー）の全体構成を示し、レチクル（マスク）Ｒに
形成されたパターン領域は露光用照明系のコンデンサー
レンズＣＬからの照明光で均一に照射される。パターン
領域を透過した光は両側テレセントリック、又は像側テ
レセントリックな投影レンズＰＬを介してウェハＷへ達
し、パターン領域の像がウェハＷ上の所定のショット領
域に投影される。レチクルアライメント顕微鏡ＲＡ1 、
ＲＡ2 は、レチクルＲの周辺に形成されたマークを検知
して、レチクルＲを投影レンズＰＬの光軸ＡＸに対して
アライメントしたり、あるいはレチクルＲ上のマークと
ウェハＷ上のマークとの相対的な位置ずれ量を検知し
て、レチクルＲとウェハＷをアライメントしたりする。
また投影レンズＰＬのみを介してウェハＷ上のマークを
検知するＴＴＬ（スルーザレンズ）アライメント系ＷＡ
は、投影レンズＰＬの投影視野内で、かつレチクルＲの
パターン領域の投影範囲の外側にマーク検出領域を有す
る。このＴＴＬアライメントマーク系ＷＡは投影視野内
の２ケ所にマーク検出領域が配置されるように、同じも
のが２組設けられている。
【００１３】一方、ウェハＷはＺステージ２０上に保持
され、Ｚステージ２０はＸＹステージ２１上に保持され
る。Ｚステージ２０はモータ１９等の駆動系によってＸ
Ｙステージ２１に対して光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）に微動
可能に構成される。これによってウェハＷ上の表面が投
影レンズＰＬの最良像面と合致するような焦点合わせが
実行される。ウェハＷの表面の光軸ＡＸ方向の位置は、
斜入射光式の位置検出系によって検出され、投光器ＡＦ
Ｐからの非露光光はウェハＷ上に斜めに投射され、その
反射光は受光器ＡＦＲによって受光される。この受光器
ＡＦＲからの検出信号（焦点ずれの大きさに対応して状
態が変化する信号）は焦点制御系ＡＦＵへ送出される。
制御系ＡＦＵはその検出信号に基づいてウェハＷの表面
の最良像面からのずれ量を逐次検知し、そのずれ量が所
定の許容値内に追い込まれるまでＺステージ２０用のモ
ータ１９を駆動する。
され、Ｚステージ２０はＸＹステージ２１上に保持され
る。Ｚステージ２０はモータ１９等の駆動系によってＸ
Ｙステージ２１に対して光軸ＡＸ方向（Ｚ方向）に微動
可能に構成される。これによってウェハＷ上の表面が投
影レンズＰＬの最良像面と合致するような焦点合わせが
実行される。ウェハＷの表面の光軸ＡＸ方向の位置は、
斜入射光式の位置検出系によって検出され、投光器ＡＦ
Ｐからの非露光光はウェハＷ上に斜めに投射され、その
反射光は受光器ＡＦＲによって受光される。この受光器
ＡＦＲからの検出信号（焦点ずれの大きさに対応して状
態が変化する信号）は焦点制御系ＡＦＵへ送出される。
制御系ＡＦＵはその検出信号に基づいてウェハＷの表面
の最良像面からのずれ量を逐次検知し、そのずれ量が所
定の許容値内に追い込まれるまでＺステージ２０用のモ
ータ１９を駆動する。
【００１４】さて、ウェハＷはステップアンドリピート
方式で露光されるが、そのステッピング位置はレーザ干
渉計ＩＦＭによって２次元の座標値として検出される。
このレーザ干渉計ＩＦＭはウェハＷの移動平面（ｘ−ｙ
平面）内の座標位置を、0.０１μｍ程度の分解能で検出
し、アライメント時のマーク位置計測等にも使われる。
モータ４０はＸＹステージ２１（すなわちウェハＷ）を
ｘ方向とｙ方向との夫々に移動させるもので、ステージ
制御系ＳＴＵによって制御される。制御系ＳＴＵは、主
制御系ＭＣからウェハＷの移動目標位置のデータが送ら
れると、レーザ干渉計ＩＦＭで計測される現在位置との
差を算出し、その差に応じた最適な速度でモータ４０を
駆動し、目標位置に対してレーザ干渉計ＩＭＦのカウン
ト値が、例えば±５カウント（±0.０５μｍ）以内にな
るようにモータ４０をサーボ制御する。
方式で露光されるが、そのステッピング位置はレーザ干
渉計ＩＦＭによって２次元の座標値として検出される。
このレーザ干渉計ＩＦＭはウェハＷの移動平面（ｘ−ｙ
平面）内の座標位置を、0.０１μｍ程度の分解能で検出
し、アライメント時のマーク位置計測等にも使われる。
モータ４０はＸＹステージ２１（すなわちウェハＷ）を
ｘ方向とｙ方向との夫々に移動させるもので、ステージ
制御系ＳＴＵによって制御される。制御系ＳＴＵは、主
制御系ＭＣからウェハＷの移動目標位置のデータが送ら
れると、レーザ干渉計ＩＦＭで計測される現在位置との
差を算出し、その差に応じた最適な速度でモータ４０を
駆動し、目標位置に対してレーザ干渉計ＩＭＦのカウン
ト値が、例えば±５カウント（±0.０５μｍ）以内にな
るようにモータ４０をサーボ制御する。
【００１５】また主制御系ＭＣは、レチクルアライメン
ト顕微鏡ＲＡ1 、ＲＡ2 による計測結果、ＴＴＬアライ
メント系ＷＡによるマーク位置計測結果等を入力すると
ともに、焦点制御系ＡＦＵとの間でデータやコマンドを
双方向にやり取りする。特に本実施例においては、主制
御系ＭＣがフォーカスオフセットデータを焦点制御系Ａ
ＦＵへ送り、それに基づいて焦点制御系ＡＦＵが受光器
ＡＦＲにフォーカスオフセットを設定する部分が本発明
と関連する。
ト顕微鏡ＲＡ1 、ＲＡ2 による計測結果、ＴＴＬアライ
メント系ＷＡによるマーク位置計測結果等を入力すると
ともに、焦点制御系ＡＦＵとの間でデータやコマンドを
双方向にやり取りする。特に本実施例においては、主制
御系ＭＣがフォーカスオフセットデータを焦点制御系Ａ
ＦＵへ送り、それに基づいて焦点制御系ＡＦＵが受光器
ＡＦＲにフォーカスオフセットを設定する部分が本発明
と関連する。
【００１６】さて、図２は図１中の焦点制御系ＡＦＵ、
投光器ＡＦＰ、受光器ＡＦＲの各構成を詳細に示した図
である。赤色、又は赤外域に帯域を有するブロードバン
ドな照明光ＩＬは、スリット１を照明する。スリット１
からの光は、レンズ系、ミラー３、開口絞り４、対物レ
ンズ５、及びミラー６を介して、ウェハＷの表面に対し
て斜めに投射される。このときスリット１の像がウェハ
Ｗ上に結像される。そのスリット像の反射光は、ミラー
７、対物レンズ８、レンズ系９、振動ミラー１０、角度
可変の平行平板ガラス（以後プレーンパラレルとする）
１２を介して、検出用のスリット１４上に再結像され
る。フォトマルチプライヤ１５はスリット１４を透過し
てくるスリット像の光束を光電検出し、その光電信号を
同期検波回路（ＰＳＤ）１７へ出力する。振動ミラー１
０は、駆動回路（Ｍ−ＤＲＶ）１１を介して発振器（Ｏ
ＳＣ．）１６からの正弦波状の一定周波数の信号に応答
して一定の角度範囲で振動させられる。これによって検
出用スリット１４上に再結像したスリット１の像は、ス
リットの長手方向と直交する方向に微小振動し、フォト
マルチプライヤ１５の光電信号はＯＳＣ．１６の周波数
に対応して変調されたものになる。ＰＳＤ１７はＯＳ
Ｃ．１６からの原信号を基準としてフォトマルチプライ
ヤ１５からの光電信号を位相検波し、その検波信号ＳＺ
を処理回路（ＣＰＸ）３０とＺステージ２０用のモータ
１９の駆動回路（Ｚ−ＤＲＶ）１８へ出力する。検波信
号ＳＺは、ウェハＷの表面が最良結像（基準面）と一致
しているときに零レベルとなり、その状態からウェハＷ
が光軸ＡＸに沿って上方へ偏位しているときは正レベル
となり、逆方向に偏位しているときは負レベルとなる。
従ってＺ−ＤＲＶ１８が零レベルを基準とするサーボア
ンプであると、Ｚ−ＤＲＶ１８はモータ１９を検波信号
ＳＺが零レベルになるように駆動する。これによってウ
ェハＷの自動焦点合わせが達成される。
投光器ＡＦＰ、受光器ＡＦＲの各構成を詳細に示した図
である。赤色、又は赤外域に帯域を有するブロードバン
ドな照明光ＩＬは、スリット１を照明する。スリット１
からの光は、レンズ系、ミラー３、開口絞り４、対物レ
ンズ５、及びミラー６を介して、ウェハＷの表面に対し
て斜めに投射される。このときスリット１の像がウェハ
Ｗ上に結像される。そのスリット像の反射光は、ミラー
７、対物レンズ８、レンズ系９、振動ミラー１０、角度
可変の平行平板ガラス（以後プレーンパラレルとする）
１２を介して、検出用のスリット１４上に再結像され
る。フォトマルチプライヤ１５はスリット１４を透過し
てくるスリット像の光束を光電検出し、その光電信号を
同期検波回路（ＰＳＤ）１７へ出力する。振動ミラー１
０は、駆動回路（Ｍ−ＤＲＶ）１１を介して発振器（Ｏ
ＳＣ．）１６からの正弦波状の一定周波数の信号に応答
して一定の角度範囲で振動させられる。これによって検
出用スリット１４上に再結像したスリット１の像は、ス
リットの長手方向と直交する方向に微小振動し、フォト
マルチプライヤ１５の光電信号はＯＳＣ．１６の周波数
に対応して変調されたものになる。ＰＳＤ１７はＯＳ
Ｃ．１６からの原信号を基準としてフォトマルチプライ
ヤ１５からの光電信号を位相検波し、その検波信号ＳＺ
を処理回路（ＣＰＸ）３０とＺステージ２０用のモータ
１９の駆動回路（Ｚ−ＤＲＶ）１８へ出力する。検波信
号ＳＺは、ウェハＷの表面が最良結像（基準面）と一致
しているときに零レベルとなり、その状態からウェハＷ
が光軸ＡＸに沿って上方へ偏位しているときは正レベル
となり、逆方向に偏位しているときは負レベルとなる。
従ってＺ−ＤＲＶ１８が零レベルを基準とするサーボア
ンプであると、Ｚ−ＤＲＶ１８はモータ１９を検波信号
ＳＺが零レベルになるように駆動する。これによってウ
ェハＷの自動焦点合わせが達成される。
【００１７】一方、処理回路（ＣＰＸ）３０は検波信号
ＳＺのレベルを読み込んで、プレーンパラレル１２の光
軸に対する傾きを調整する駆動部（Ｈ−ＤＲＶ）１３へ
駆動信号ＤＳを出力する。このＨ−ＤＲＶ１３内には駆
動用のモータと、プレーンパラレル１２の傾き量をモニ
ターするエンコーダとが含まれ、そのエンコーダからの
アップダウンパルス出力ＥＳはＣＰＸ３０へ読み込まれ
る。
ＳＺのレベルを読み込んで、プレーンパラレル１２の光
軸に対する傾きを調整する駆動部（Ｈ−ＤＲＶ）１３へ
駆動信号ＤＳを出力する。このＨ−ＤＲＶ１３内には駆
動用のモータと、プレーンパラレル１２の傾き量をモニ
ターするエンコーダとが含まれ、そのエンコーダからの
アップダウンパルス出力ＥＳはＣＰＸ３０へ読み込まれ
る。
【００１８】図３はＣＰＸ３０内の詳細な構成を示し、
検波信号ＳＺのレベルはアナログ−デジタル変換器（Ａ
ＤＣ）３０１でデジタル値に変換され、記憶部３０２に
保持される。記憶部３０２に保持されたデータは、補正
データ演算部３０３、駆動データ作成部３０４によって
処理され、フォーカスオフセットすべき量に対応したプ
レーンパラレル１２の傾き位置を減算器３０５に出力す
る。カウンタ３１２はエンコーダ出力ＥＳをアップダウ
ンカウントし、プレーンパラレル１２の傾き角の現在値
を減算器３０５に出力する。減算器３０５は作成部３０
４からのデータを基準として、カウンタ３１２の出力と
の間で差を求め、その差値をデジタル−アナログ交換器
（ＤＡＣ）３０８へ出力する。ＤＡＣ３０８は変換され
たアナログレベルをサーボアンプ３１０に印加し、アン
プ３１０はプレーンパラレル１２の駆動信号ＤＳを出力
する。
検波信号ＳＺのレベルはアナログ−デジタル変換器（Ａ
ＤＣ）３０１でデジタル値に変換され、記憶部３０２に
保持される。記憶部３０２に保持されたデータは、補正
データ演算部３０３、駆動データ作成部３０４によって
処理され、フォーカスオフセットすべき量に対応したプ
レーンパラレル１２の傾き位置を減算器３０５に出力す
る。カウンタ３１２はエンコーダ出力ＥＳをアップダウ
ンカウントし、プレーンパラレル１２の傾き角の現在値
を減算器３０５に出力する。減算器３０５は作成部３０
４からのデータを基準として、カウンタ３１２の出力と
の間で差を求め、その差値をデジタル−アナログ交換器
（ＤＡＣ）３０８へ出力する。ＤＡＣ３０８は変換され
たアナログレベルをサーボアンプ３１０に印加し、アン
プ３１０はプレーンパラレル１２の駆動信号ＤＳを出力
する。
【００１９】以上の図３の構成で、記憶部３０２、補正
データ演算部３０６、駆動データ作成部３０４、減算器
３０５は、コンピュータのプログラム上で実現されるた
め、上述の機能のみに限られた動作をするだけでなく、
関連したいくつかの動作を実行することもある。また補
正データ演算部３０６の具体的な動作については後で詳
しく述べるが、本発明と関連してフォーカスオフセット
量を算出することが主な機能である。
データ演算部３０６、駆動データ作成部３０４、減算器
３０５は、コンピュータのプログラム上で実現されるた
め、上述の機能のみに限られた動作をするだけでなく、
関連したいくつかの動作を実行することもある。また補
正データ演算部３０６の具体的な動作については後で詳
しく述べるが、本発明と関連してフォーカスオフセット
量を算出することが主な機能である。
【００２０】さて、図４は投影レンズＰＬの投影視野Ｐ
ＬＦ内に現われるウェハＷの表面構造を示し、図４
（Ａ）はレチクルＲのパターンをウェハＷ上のショット
領域に重ね合わせ露光するときの状態を示す。ウェハＷ
上の１つのショット領域には２つのチップ領域ＣＰ１、
ＣＰ２がストリート（スクライブ）ラインをはさんで、
形成され、これに対応してレチクルＲ上のパターン領域
内にも２つのチップパターンがストリートライン部をは
さんで形成されているものとする。投影視野ＰＬＦの中
心部（光軸ＡＸが通る位置）には、焦点位置検出系の投
光器ＡＦＰからの結像光束ＦＢがＸ−Ｙ平面内のＸ軸、
Ｙ軸の各々と４５°だけ傾いた方向から入射し、ウェハ
Ｗ上に送光用スリット１の像ＳＢが形成される。このス
リット像ＳＢは投影視野ＰＬＦの全域（直径）に対して
はかなり短い寸法（数百μｍ〜数mm）に設定され、図４
（Ａ）の状態のとき、チップ領域ＣＰ１とＣＰ２との間
のストリートライン上に投射される。またウェハＷ上の
１つのショット領域には、ウェハアライメント系ＷＡで
検出されるＸ方向用のウェハマークＷＭｘと、Ｙ方向用
のウェハマークＷＭｙとが形成されている。さらに投影
視野ＰＬＦ内の周辺の２ケ所には、Ｘ方向用のウェハア
ライメント系ＷＡの検出領域ＷＡＸと、Ｙ方向用のウェ
ハアライメント系ＷＡの検出領域ＷＡＹとが設定されて
いる。この検出領域ＷＡＸ、ＷＡＹは、ウェハアライメ
ント系ＷＡがレーザビームをスポット状（数μｍ〜１m
m）にしてウェハへ投射する方式では、そのスポットの
投射領域に相当し、テレビカメラ（ＣＣＤ）でマーク像
を検出する方式ではそのカメラによる撮像領域に相当す
る。
ＬＦ内に現われるウェハＷの表面構造を示し、図４
（Ａ）はレチクルＲのパターンをウェハＷ上のショット
領域に重ね合わせ露光するときの状態を示す。ウェハＷ
上の１つのショット領域には２つのチップ領域ＣＰ１、
ＣＰ２がストリート（スクライブ）ラインをはさんで、
形成され、これに対応してレチクルＲ上のパターン領域
内にも２つのチップパターンがストリートライン部をは
さんで形成されているものとする。投影視野ＰＬＦの中
心部（光軸ＡＸが通る位置）には、焦点位置検出系の投
光器ＡＦＰからの結像光束ＦＢがＸ−Ｙ平面内のＸ軸、
Ｙ軸の各々と４５°だけ傾いた方向から入射し、ウェハ
Ｗ上に送光用スリット１の像ＳＢが形成される。このス
リット像ＳＢは投影視野ＰＬＦの全域（直径）に対して
はかなり短い寸法（数百μｍ〜数mm）に設定され、図４
（Ａ）の状態のとき、チップ領域ＣＰ１とＣＰ２との間
のストリートライン上に投射される。またウェハＷ上の
１つのショット領域には、ウェハアライメント系ＷＡで
検出されるＸ方向用のウェハマークＷＭｘと、Ｙ方向用
のウェハマークＷＭｙとが形成されている。さらに投影
視野ＰＬＦ内の周辺の２ケ所には、Ｘ方向用のウェハア
ライメント系ＷＡの検出領域ＷＡＸと、Ｙ方向用のウェ
ハアライメント系ＷＡの検出領域ＷＡＹとが設定されて
いる。この検出領域ＷＡＸ、ＷＡＹは、ウェハアライメ
ント系ＷＡがレーザビームをスポット状（数μｍ〜１m
m）にしてウェハへ投射する方式では、そのスポットの
投射領域に相当し、テレビカメラ（ＣＣＤ）でマーク像
を検出する方式ではそのカメラによる撮像領域に相当す
る。
【００２１】図４（Ａ）のように、露光状態においては
ウェハマークＷＭｘと検出領域ＷＡＸとはＹ方向にずれ
ており、ウェハマークＷＭｙと検出領域ＷＡＹとはＸ方
向にずれている。これはウェハアライメント系ＷＡの光
学系の一部（ミラー等）が、レチクルパターンの投影領
域内に進入しないように、できるだけ投影視野ＰＬＦの
周辺に配置されるからである。尚、図１に示したレチク
ルアライメント系ＲＡ１、ＲＡ２が、ダイ・バイ・ダイ
方式でウェハマークを検出できるように作られていると
きは、図４（Ａ）の露光状態において検出領域（ＷＡ
Ｘ、ＷＡＹ）と各マークＷＭｘ、ＷＭｙとが一致するよ
うに、レチクルアライメント系ＲＡ１、ＲＡ２の対物レ
ンズの位置を設定すればよい。
ウェハマークＷＭｘと検出領域ＷＡＸとはＹ方向にずれ
ており、ウェハマークＷＭｙと検出領域ＷＡＹとはＸ方
向にずれている。これはウェハアライメント系ＷＡの光
学系の一部（ミラー等）が、レチクルパターンの投影領
域内に進入しないように、できるだけ投影視野ＰＬＦの
周辺に配置されるからである。尚、図１に示したレチク
ルアライメント系ＲＡ１、ＲＡ２が、ダイ・バイ・ダイ
方式でウェハマークを検出できるように作られていると
きは、図４（Ａ）の露光状態において検出領域（ＷＡ
Ｘ、ＷＡＹ）と各マークＷＭｘ、ＷＭｙとが一致するよ
うに、レチクルアライメント系ＲＡ１、ＲＡ２の対物レ
ンズの位置を設定すればよい。
【００２２】図４（Ｂ）はＸ方向用のウェハアライメン
ト系の検出領域ＷＡＸによって、ウェハマークＷＭｘを
検出するときの状態を示し、ＸＹステージ２１を図４
（Ａ）の状態からＹ方向へ一定量だけシフトさせたもの
である。この場合、焦点位置検出系によるスリット像Ｓ
Ｂは、チップ領域ＣＰ１と、ＣＰ２との間のストリート
ライン上に投射されている。
ト系の検出領域ＷＡＸによって、ウェハマークＷＭｘを
検出するときの状態を示し、ＸＹステージ２１を図４
（Ａ）の状態からＹ方向へ一定量だけシフトさせたもの
である。この場合、焦点位置検出系によるスリット像Ｓ
Ｂは、チップ領域ＣＰ１と、ＣＰ２との間のストリート
ライン上に投射されている。
【００２３】図４（Ｃ）はＹ方向用のウェハアライメン
ト系の検出領域ＷＡＹによって、ウェハマークＷＭｙを
検出するときの状態を示し、ＸＹステージ２１を図４
（Ａ）の状態からＸ方向へ一定量だけシフトさせたもの
である。この場合、焦点位置検出系のスリット像ＳＢ
は、チップ領域ＣＰ２のほぼ中央部に位置する。通常、
１ショット内に複数のチップを配列する場合、各チップ
は全て同一のパターン構造で作られる。従ってスリット
像ＳＢがチップ領域ＣＰ２の中央部に位置したことは、
ウェハＷ上に形成される全ての同一チップ領域内の表面
の高さ位置を、焦点位置検出系（ＡＦＰ、ＡＦＲ）が代
表的に検出できることを意味する。
ト系の検出領域ＷＡＹによって、ウェハマークＷＭｙを
検出するときの状態を示し、ＸＹステージ２１を図４
（Ａ）の状態からＸ方向へ一定量だけシフトさせたもの
である。この場合、焦点位置検出系のスリット像ＳＢ
は、チップ領域ＣＰ２のほぼ中央部に位置する。通常、
１ショット内に複数のチップを配列する場合、各チップ
は全て同一のパターン構造で作られる。従ってスリット
像ＳＢがチップ領域ＣＰ２の中央部に位置したことは、
ウェハＷ上に形成される全ての同一チップ領域内の表面
の高さ位置を、焦点位置検出系（ＡＦＰ、ＡＦＲ）が代
表的に検出できることを意味する。
【００２４】図４（Ｄ）は、ウェハマークＷＭｙが投影
視野ＰＬＦの中心部（スリット像ＳＢの位置）に配置さ
れるようにＸＹステージ２１を位置決めしたときの状態
を示す。ウェハマークＷＭｙ、ＷＭｘはチップ領域の周
囲のストリートライン内に形成されるため、図４（Ｄ）
の場合に焦点検出系で検出されるウェハ表面の高さ位置
は、図４（Ａ）の場合とほとんど同じである。このこと
はウェハマークＷＭｘをスリット像ＳＢの位置に配置し
ても、ほぼ同一ことである。
視野ＰＬＦの中心部（スリット像ＳＢの位置）に配置さ
れるようにＸＹステージ２１を位置決めしたときの状態
を示す。ウェハマークＷＭｙ、ＷＭｘはチップ領域の周
囲のストリートライン内に形成されるため、図４（Ｄ）
の場合に焦点検出系で検出されるウェハ表面の高さ位置
は、図４（Ａ）の場合とほとんど同じである。このこと
はウェハマークＷＭｘをスリット像ＳＢの位置に配置し
ても、ほぼ同一ことである。
【００２５】一般に、ウェハＷ上に形成されるチップ領
域ＣＰは、プロセスが進むにつれて、ストリートライン
よりも表面が盛り上がったものとなる。またチップ内の
パターン構造によっては段差の大きい部分も存在する。
そのため、ウェハＷ上の１つのショット領域に対して常
に同一部分で焦点検出（スリット像ＳＢの投射）が行な
われることになると、段差の影響を受けて正確なフォー
カス合わせが行なわれなくなることがある。
域ＣＰは、プロセスが進むにつれて、ストリートライン
よりも表面が盛り上がったものとなる。またチップ内の
パターン構造によっては段差の大きい部分も存在する。
そのため、ウェハＷ上の１つのショット領域に対して常
に同一部分で焦点検出（スリット像ＳＢの投射）が行な
われることになると、段差の影響を受けて正確なフォー
カス合わせが行なわれなくなることがある。
【００２６】そこで本発明の第１の実施例においては、
ステップアンドリピート方式でウェハを露光するのに先
立って、ウェハＷ上の１つのショット領域内の平坦度に
関する情報を焦点位置検出系で計測し、平坦度を反映さ
せた最適なフォーカス合わせを行なうようにした。図５
は第１の実施例によるシーケンスを模式的に表わしたフ
ローチャートである。このシーケンスは図１に示した主
制御系ＭＣと図２に示したＣＰＸ３０（図３）とが共同
して実行される。
ステップアンドリピート方式でウェハを露光するのに先
立って、ウェハＷ上の１つのショット領域内の平坦度に
関する情報を焦点位置検出系で計測し、平坦度を反映さ
せた最適なフォーカス合わせを行なうようにした。図５
は第１の実施例によるシーケンスを模式的に表わしたフ
ローチャートである。このシーケンスは図１に示した主
制御系ＭＣと図２に示したＣＰＸ３０（図３）とが共同
して実行される。
【００２７】まず、主制御系ＭＣはステップアンドリピ
ート時にウェハＷ上に形成されるショット領域の配列デ
ータに基づいて、その複数のショット領域のなかから代
表的ないくつかのショット領域を選び、Ｎ個の指定ショ
ット領域を設定する（ステップ１００）。このショット
指定はオペレータが実行するようにしてもよい。またス
テップ１００では、１つのショット領域内で中心以外に
焦点検出すべきポイントのパラメータＭが設定される。
このパラメータＭは、１つのショット領域内で中心部以
外に測定すべきショット領域内の測定点の位置や数を与
える。ただし、その測定点の位置は、ショット領域の中
心からのＸ、Ｙ方向へずらし量として規定しておけばよ
く、Ｎ個の指定ショット領域毎に個別に設定する必要は
ない。
ート時にウェハＷ上に形成されるショット領域の配列デ
ータに基づいて、その複数のショット領域のなかから代
表的ないくつかのショット領域を選び、Ｎ個の指定ショ
ット領域を設定する（ステップ１００）。このショット
指定はオペレータが実行するようにしてもよい。またス
テップ１００では、１つのショット領域内で中心以外に
焦点検出すべきポイントのパラメータＭが設定される。
このパラメータＭは、１つのショット領域内で中心部以
外に測定すべきショット領域内の測定点の位置や数を与
える。ただし、その測定点の位置は、ショット領域の中
心からのＸ、Ｙ方向へずらし量として規定しておけばよ
く、Ｎ個の指定ショット領域毎に個別に設定する必要は
ない。
【００２８】図６は、その様子を示し、図４（Ａ）のよ
うに露光位置で焦点位置検出を行なう場合（ほとんどの
ショット領域が該当する）、パラメータＭにはＭ
0 （０、０）が設定される。図６においても、２つのチ
ップ領域ＣＰ１、ＣＰ２は１つのショット領域ＳＡとし
て扱われる。図６に示すように、１つのショット領域Ｓ
Ａ内を中心以外の６点でも測定する場合、パラメータＭ
には、さらにＭ1 （ｘ1 、ｙ 1 ）、Ｍ2 （ｘ2 、
ｙ2 ）、Ｍ3 （ｘ3 、ｙ3 ）……Ｍ6 （ｘ6 、ｙ6 ）が
設定される。各パラメータＭ0 〜Ｍ6 の座標値（ｘm 、
ｙm ）は、中心の測定点Ｍ0（０、０）からのずれ量と
して設定される。また図６において各測定点を通る斜め
４５°の線は、図４に示したスリット像ＳＢを表わす。
うに露光位置で焦点位置検出を行なう場合（ほとんどの
ショット領域が該当する）、パラメータＭにはＭ
0 （０、０）が設定される。図６においても、２つのチ
ップ領域ＣＰ１、ＣＰ２は１つのショット領域ＳＡとし
て扱われる。図６に示すように、１つのショット領域Ｓ
Ａ内を中心以外の６点でも測定する場合、パラメータＭ
には、さらにＭ1 （ｘ1 、ｙ 1 ）、Ｍ2 （ｘ2 、
ｙ2 ）、Ｍ3 （ｘ3 、ｙ3 ）……Ｍ6 （ｘ6 、ｙ6 ）が
設定される。各パラメータＭ0 〜Ｍ6 の座標値（ｘm 、
ｙm ）は、中心の測定点Ｍ0（０、０）からのずれ量と
して設定される。また図６において各測定点を通る斜め
４５°の線は、図４に示したスリット像ＳＢを表わす。
【００２９】図６の場合、１つのショット領域ＳＡ内に
は、同一のパターン構造をもつ２つのチップ領域ＣＰ
１、ＣＰ２が作り込まれているので、どちらか一方のチ
ップ領域のみについて測定点を選定すれば十分な場合も
ある。どのように測定点を配置するかはオペレータによ
って適宜決定される。以上のようにしてパラメータＮ、
Ｍが決定されると、ステップ１０１においてＸＹステー
ジ２１を指定ショット領域に対する露光位置へステッピ
ングさせる。このとき、指定ショット領域は投影視野Ｐ
ＬＦ内に図４（Ａ）のように位置決めされる。次にステ
ップ１０２において、図２に示した焦点位置検出系（１
〜１７）とＺ−ＤＲＶ１８、モータ１９、Ｚステージ２
０により、検出信号ＳＺが零レベルになるようにウェハ
Ｗを焦点合わせする。そして検出信号ＳＺが零レベルに
なった状態で、Ｚ−ＤＲＶ１８によるサーボ制御を中止
し、モータ１９が信号ＳＺに応答して駆動されないよう
にロックする。これによって図６中の中心点Ｍ0（０、
０）に対して焦点合わせが達成される。
は、同一のパターン構造をもつ２つのチップ領域ＣＰ
１、ＣＰ２が作り込まれているので、どちらか一方のチ
ップ領域のみについて測定点を選定すれば十分な場合も
ある。どのように測定点を配置するかはオペレータによ
って適宜決定される。以上のようにしてパラメータＮ、
Ｍが決定されると、ステップ１０１においてＸＹステー
ジ２１を指定ショット領域に対する露光位置へステッピ
ングさせる。このとき、指定ショット領域は投影視野Ｐ
ＬＦ内に図４（Ａ）のように位置決めされる。次にステ
ップ１０２において、図２に示した焦点位置検出系（１
〜１７）とＺ−ＤＲＶ１８、モータ１９、Ｚステージ２
０により、検出信号ＳＺが零レベルになるようにウェハ
Ｗを焦点合わせする。そして検出信号ＳＺが零レベルに
なった状態で、Ｚ−ＤＲＶ１８によるサーボ制御を中止
し、モータ１９が信号ＳＺに応答して駆動されないよう
にロックする。これによって図６中の中心点Ｍ0（０、
０）に対して焦点合わせが達成される。
【００３０】次にステップ１０３において、ショット領
域ＳＡ内の測定ポイントｍが焦点位置検出系のスリット
像ＳＢと一致するように、パラメータＭに基づいてＸＹ
ステージ２１を位置決めする。このとき、Ｚステージ２
０は光軸ＡＸ方向に移動しないため、一番目の測定点Ｍ
1 （ｘ1 、ｙ1 ）がスリット像ＳＢの位置にくると、図
２に示したＰＳＤ１７の検出信号ＳＺは、中心点Ｍ0 と
測定点Ｍ1 との高さ方向の差分に相当したレベルにな
る。そこでＣＰＸ３０は、そのレベルを図３のＡＤＣ３
０１によってΔＺnmとして読み込み、記憶部３０２に格
納する。一番目の測定点Ｍ1 に関するずれ量ΔＺnmが記
憶されると、ステップ１０４によってショット内の測定
すべきポイントが残っているか否か（ｍ＝Ｍ？）を判断
し、残っているときはステップ１０３からの動作を繰り
返す。
域ＳＡ内の測定ポイントｍが焦点位置検出系のスリット
像ＳＢと一致するように、パラメータＭに基づいてＸＹ
ステージ２１を位置決めする。このとき、Ｚステージ２
０は光軸ＡＸ方向に移動しないため、一番目の測定点Ｍ
1 （ｘ1 、ｙ1 ）がスリット像ＳＢの位置にくると、図
２に示したＰＳＤ１７の検出信号ＳＺは、中心点Ｍ0 と
測定点Ｍ1 との高さ方向の差分に相当したレベルにな
る。そこでＣＰＸ３０は、そのレベルを図３のＡＤＣ３
０１によってΔＺnmとして読み込み、記憶部３０２に格
納する。一番目の測定点Ｍ1 に関するずれ量ΔＺnmが記
憶されると、ステップ１０４によってショット内の測定
すべきポイントが残っているか否か（ｍ＝Ｍ？）を判断
し、残っているときはステップ１０３からの動作を繰り
返す。
【００３１】以上の動作により、指定ショット領域内の
Ｍ個の測定点の夫々について、中心点Ｍ0 に対する高さ
方向のずれ量、すなわち平坦度が求められる。そして次
にステップ１０５でフォーカスロックを解除し、ステッ
プ１０６でＮ個の指定ショット領域の全てについて処理
したか否か（ｎ＝Ｎ？）を判断し、残りの指定ショット
領域があるときはステップ１０１〜１０５のシーケンス
を繰り返す。
Ｍ個の測定点の夫々について、中心点Ｍ0 に対する高さ
方向のずれ量、すなわち平坦度が求められる。そして次
にステップ１０５でフォーカスロックを解除し、ステッ
プ１０６でＮ個の指定ショット領域の全てについて処理
したか否か（ｎ＝Ｎ？）を判断し、残りの指定ショット
領域があるときはステップ１０１〜１０５のシーケンス
を繰り返す。
【００３２】以上のようにして、指定ショット領域内の
多点でショット内の平坦度が求まるが、ショット領域内
の特定の一ケ所のみを正確に焦点合わせすればよい場
合、ステップ１００で実行されるパラメータＭの設定
は、その一ケ所のみになる。またパラメータＭとして零
が設定されると、ステップ１０１以降のシーケンスは実
行されない。すなわち従来通り、ショット領域の中心点
に対する焦点合わせのみで露光を行なうことになる。
多点でショット内の平坦度が求まるが、ショット領域内
の特定の一ケ所のみを正確に焦点合わせすればよい場
合、ステップ１００で実行されるパラメータＭの設定
は、その一ケ所のみになる。またパラメータＭとして零
が設定されると、ステップ１０１以降のシーケンスは実
行されない。すなわち従来通り、ショット領域の中心点
に対する焦点合わせのみで露光を行なうことになる。
【００３３】次にＣＰＸ３０は、記憶されたずれ量のデ
ータΔＺnmを図３の補正データ演算部３０６によって演
算するが、その前にステップ１０７で各データΔＺnmが
所定の許容値内かどうかを選別する。この許容値とは、
例えば１ショット内で想定される表面の凹凸の程度の倍
以上の値に設定される。もちろん、この許容値は、ウェ
ハＷ上に形成される層構造によっても変える必要があ
り、さらに図４、図６のようにショット領域内でのチッ
プの取り方（マルチダイかシングルダイか）によっても
変える必要がある。また、層構造やチップの取り方によ
らない許容値の選定も考えられる。それは、測定された
各データΔＺnmの分散（σ値、又は３σ値）を求め、そ
の範囲からはずれるもののみをリジェクトする方法であ
る。あるいはデータΔＺnmの単純な平均値を求め、その
平均値に対して一定の範囲（焦点検出系の計測誤差等か
ら決定）を定め、その範囲からはずれたものをリジェク
トする方法もある。いずれの方法によっても、データΔ
Ｚnmのうち許容値からはずれたものがリジェクトされ、
残りのデータΔＺnmが次のステップ１０８で平均演算さ
れる。
ータΔＺnmを図３の補正データ演算部３０６によって演
算するが、その前にステップ１０７で各データΔＺnmが
所定の許容値内かどうかを選別する。この許容値とは、
例えば１ショット内で想定される表面の凹凸の程度の倍
以上の値に設定される。もちろん、この許容値は、ウェ
ハＷ上に形成される層構造によっても変える必要があ
り、さらに図４、図６のようにショット領域内でのチッ
プの取り方（マルチダイかシングルダイか）によっても
変える必要がある。また、層構造やチップの取り方によ
らない許容値の選定も考えられる。それは、測定された
各データΔＺnmの分散（σ値、又は３σ値）を求め、そ
の範囲からはずれるもののみをリジェクトする方法であ
る。あるいはデータΔＺnmの単純な平均値を求め、その
平均値に対して一定の範囲（焦点検出系の計測誤差等か
ら決定）を定め、その範囲からはずれたものをリジェク
トする方法もある。いずれの方法によっても、データΔ
Ｚnmのうち許容値からはずれたものがリジェクトされ、
残りのデータΔＺnmが次のステップ１０８で平均演算さ
れる。
【００３４】ステップ１０８（補正データ演算部３０
６）で算出された平均値ΔＺは、次のステップ１０９で
フォーカスオフセットの設定に使われる。平均値ΔＺ
は、もともと検出信号ＳＺのレベルとして求めたもので
あるから、フォーカスオフセットを電気信号上で加える
場合は、その平均値ΔＺと等しいオフセット電圧を、Ｐ
ＳＤ１７の出力段に設けられた増幅器へ与え、出力され
る検出信号ＳＺをレベルシフトさせるか、又は、Ｚ−Ｄ
ＲＶ１８内の入力段に設けられた増幅器へ、そのオフセ
ット電圧を与え、ＰＳＤ１７からの検出信号ＳＺと加算
すればよい。
６）で算出された平均値ΔＺは、次のステップ１０９で
フォーカスオフセットの設定に使われる。平均値ΔＺ
は、もともと検出信号ＳＺのレベルとして求めたもので
あるから、フォーカスオフセットを電気信号上で加える
場合は、その平均値ΔＺと等しいオフセット電圧を、Ｐ
ＳＤ１７の出力段に設けられた増幅器へ与え、出力され
る検出信号ＳＺをレベルシフトさせるか、又は、Ｚ−Ｄ
ＲＶ１８内の入力段に設けられた増幅器へ、そのオフセ
ット電圧を与え、ＰＳＤ１７からの検出信号ＳＺと加算
すればよい。
【００３５】また図２に示すように、プレーンパラレル
１２によって光学的にオフセットを加える場合、ＣＰＸ
３０は図３の駆動データ作成部３０４によってプレーン
パラレル１２の駆動量を算出し、そのデータを減算器３
０５へ出力してＨ−ＤＲＶ１３を制御する。プレーンパ
ラレル１２の補正が完了したら、ＣＰＸ３０内のＤＡＣ
３０８の出力を強制的に零にホールドするか、又はサー
ボアンプ３１０の入力を強制的に零にホールドすればよ
い。
１２によって光学的にオフセットを加える場合、ＣＰＸ
３０は図３の駆動データ作成部３０４によってプレーン
パラレル１２の駆動量を算出し、そのデータを減算器３
０５へ出力してＨ−ＤＲＶ１３を制御する。プレーンパ
ラレル１２の補正が完了したら、ＣＰＸ３０内のＤＡＣ
３０８の出力を強制的に零にホールドするか、又はサー
ボアンプ３１０の入力を強制的に零にホールドすればよ
い。
【００３６】以上のようにして、図５のシーケンスが終
了すると、主制御系ＭＣはステップアンドリピート方式
の露光動作を開始するが、このとき焦点位置検出系はシ
ョット領域内の中心部の高さ位置とは異なる面にベスト
フォーカス位置が設定されており、１つのショット領域
内で最も注意深く焦点合わせしたい部分に最良像面を合
致するように働く。
了すると、主制御系ＭＣはステップアンドリピート方式
の露光動作を開始するが、このとき焦点位置検出系はシ
ョット領域内の中心部の高さ位置とは異なる面にベスト
フォーカス位置が設定されており、１つのショット領域
内で最も注意深く焦点合わせしたい部分に最良像面を合
致するように働く。
【００３７】次に本発明の第２の実施例について説明す
るが、基本的なシーケンスは図５のものと同じである
が、指定ショット領域内での測定点Ｍの決め方が第１の
実施例の場合と異なる。通常、ウェハＷに対して重ね合
わせ露光を行なうときには、その前にウェハＷ上のマー
ク位置を検出してレチクルＲとの相対位置合わせが必要
となる。マーク位置の検出には、図１に示したウェハア
ライメント系ＷＡが使われるが、マーク検出時には投影
レンズＰＬの視野ＰＬＦ内の検出領域ＷＡＸ、ＷＡＹで
各マークが合焦した状態で検出されることが望ましい。
るが、基本的なシーケンスは図５のものと同じである
が、指定ショット領域内での測定点Ｍの決め方が第１の
実施例の場合と異なる。通常、ウェハＷに対して重ね合
わせ露光を行なうときには、その前にウェハＷ上のマー
ク位置を検出してレチクルＲとの相対位置合わせが必要
となる。マーク位置の検出には、図１に示したウェハア
ライメント系ＷＡが使われるが、マーク検出時には投影
レンズＰＬの視野ＰＬＦ内の検出領域ＷＡＸ、ＷＡＹで
各マークが合焦した状態で検出されることが望ましい。
【００３８】そこでまず、図４（Ｄ）に示したようにウ
ェハＷ上のアライメント（マーク位置検出）すべきショ
ット領域のマーク部分が、焦点位置検出系のスリット像
ＳＢの位置にくるようにＸＹステージ２１を位置決め
し、ここでＺステージ２０をサーボ制御して図５のステ
ップ１０２と同様に焦点合わせ、サーボロックを行な
う。これによって、ウェハマークＷＭｘ、ＷＭｙが形成
されたストリートラインの部分が、投影レンズＰＬの最
良像面の位置に焦点合せされる。
ェハＷ上のアライメント（マーク位置検出）すべきショ
ット領域のマーク部分が、焦点位置検出系のスリット像
ＳＢの位置にくるようにＸＹステージ２１を位置決め
し、ここでＺステージ２０をサーボ制御して図５のステ
ップ１０２と同様に焦点合わせ、サーボロックを行な
う。これによって、ウェハマークＷＭｘ、ＷＭｙが形成
されたストリートラインの部分が、投影レンズＰＬの最
良像面の位置に焦点合せされる。
【００３９】次にＸＹステージ２１を移動させて、ウェ
ハＷ上のマークＷＭｘ、ＷＭｙがそれぞれ図４（Ｂ）、
（Ｃ）の状態になるように順次設定し、マークＷＭｘ、
ＷＭｙの各位置をウェハアライメント系ＷＡによるマー
ク検出信号とレーザ干渉計ＩＦＭの計測値とに基づいて
検知する。この際、特に図４（Ｃ）の状態のとき、ＣＰ
Ｘ３０は検出信号ＳＺのレベルをＡＤＣ３０１を介して
読み込む。図４（Ｃ）の場合、焦点位置検出系のスリッ
ト像ＳＢはチップ領域ＣＰ２のほぼ中央部に投射される
から、本実施例においては図４（Ｃ）の状態での検出信
号ＳＺのレベルは、マークＷＭｘ、ＷＭｙが形成された
ストリートライン部分の表面を基準としたチップ領域の
中央部分の表面のＺ方向位置偏差ΔＺｎとなる。
ハＷ上のマークＷＭｘ、ＷＭｙがそれぞれ図４（Ｂ）、
（Ｃ）の状態になるように順次設定し、マークＷＭｘ、
ＷＭｙの各位置をウェハアライメント系ＷＡによるマー
ク検出信号とレーザ干渉計ＩＦＭの計測値とに基づいて
検知する。この際、特に図４（Ｃ）の状態のとき、ＣＰ
Ｘ３０は検出信号ＳＺのレベルをＡＤＣ３０１を介して
読み込む。図４（Ｃ）の場合、焦点位置検出系のスリッ
ト像ＳＢはチップ領域ＣＰ２のほぼ中央部に投射される
から、本実施例においては図４（Ｃ）の状態での検出信
号ＳＺのレベルは、マークＷＭｘ、ＷＭｙが形成された
ストリートライン部分の表面を基準としたチップ領域の
中央部分の表面のＺ方向位置偏差ΔＺｎとなる。
【００４０】一般にウェハＷを全体的に位置合わせする
グローバルアライメント時には、ウェハＷ上の少なくと
も２つのショット領域の夫々に付随したウェハマークを
検知する必要があるので、上述の動作によって図４
（Ｃ）のような状態が、異なるショット領域に大して少
なくとも２回生ずることになる。そこで、少なくとも２
ケ所で得られた位置偏差ΔＺｎを平均化してフォーカス
オフセット量を決定すればよいことになる。
グローバルアライメント時には、ウェハＷ上の少なくと
も２つのショット領域の夫々に付随したウェハマークを
検知する必要があるので、上述の動作によって図４
（Ｃ）のような状態が、異なるショット領域に大して少
なくとも２回生ずることになる。そこで、少なくとも２
ケ所で得られた位置偏差ΔＺｎを平均化してフォーカス
オフセット量を決定すればよいことになる。
【００４１】ただし、２ケ所以上のショット領域に対し
て同様に位置偏差ΔＺｎを検出する場合、マーク検出を
実行しなくても図４（Ｃ）のような配置にＸＹステージ
２１を位置決めしていけばよい。またチップ領域内で厳
密に焦点合わせしたい部分が図４（Ｃ）のような状態と
異なるときは、図４（Ｃ）の状態にウェハＷを移動させ
ていく途中でスリット像ＳＢがチップ領域内の所望の部
分に投射されるように、ＸＹステージ２１の移動ルート
を設定すればよい。
て同様に位置偏差ΔＺｎを検出する場合、マーク検出を
実行しなくても図４（Ｃ）のような配置にＸＹステージ
２１を位置決めしていけばよい。またチップ領域内で厳
密に焦点合わせしたい部分が図４（Ｃ）のような状態と
異なるときは、図４（Ｃ）の状態にウェハＷを移動させ
ていく途中でスリット像ＳＢがチップ領域内の所望の部
分に投射されるように、ＸＹステージ２１の移動ルート
を設定すればよい。
【００４２】本実施例のようにウェハマークが形成され
たストリートライン部分を基準としてショット領域内の
所望部分の高さ位置を検知するようにすると、図４
（Ａ）のようにショット領域内の中心（露光状態）で逐
一焦点合わせを行なってフォーカスロックを行なう必要
がなくなるので、ＸＹステージ２１の移動回数が減ると
ともに、アライメント時にマークに対して焦点合わせが
できるといった利点がある。また本実施例のようにマー
ク検出時にほぼ同時に位置偏差ΔＺｎを検出するように
すると、ダイ・バイ・ダイ（イーチショット）アライメ
ントによるステップアンドリピート露光の際、露光すべ
き全てのショット領域の夫々について個別に位置偏差Δ
Ｚｎが求められることになる。そこでウェハＷに対して
露光を開始してから２ショット目以降においては、前の
ショット露光のときに検知した位置偏差ΔＺｎと、今回
のショットのダイ・バイ・ダイアライメント時に検知し
た位置偏差ΔＺn+1 とに基づいて、より正確に平均値を
算出してオフセット量を設定することができる。
たストリートライン部分を基準としてショット領域内の
所望部分の高さ位置を検知するようにすると、図４
（Ａ）のようにショット領域内の中心（露光状態）で逐
一焦点合わせを行なってフォーカスロックを行なう必要
がなくなるので、ＸＹステージ２１の移動回数が減ると
ともに、アライメント時にマークに対して焦点合わせが
できるといった利点がある。また本実施例のようにマー
ク検出時にほぼ同時に位置偏差ΔＺｎを検出するように
すると、ダイ・バイ・ダイ（イーチショット）アライメ
ントによるステップアンドリピート露光の際、露光すべ
き全てのショット領域の夫々について個別に位置偏差Δ
Ｚｎが求められることになる。そこでウェハＷに対して
露光を開始してから２ショット目以降においては、前の
ショット露光のときに検知した位置偏差ΔＺｎと、今回
のショットのダイ・バイ・ダイアライメント時に検知し
た位置偏差ΔＺn+1 とに基づいて、より正確に平均値を
算出してオフセット量を設定することができる。
【００４３】次に本発明の第３の実施例を図７を参照し
て説明するが、本実施例も基本的には先の第１実施例、
又は第２実施例と同じである。異なる点は、ウェハＷの
グローバルアライメントとしてＥＧＡ（エンハンスメン
ト・グローバルアライメント）方式と組み合わせたこと
にある。ＥＧＡ方式については、例えば特開昭６１−４
４４２９号公報等に詳しく開示されているので、ここで
はその原理的な説明は省略し、本発明と密接に関連する
シーケンスのみについて説明する。
て説明するが、本実施例も基本的には先の第１実施例、
又は第２実施例と同じである。異なる点は、ウェハＷの
グローバルアライメントとしてＥＧＡ（エンハンスメン
ト・グローバルアライメント）方式と組み合わせたこと
にある。ＥＧＡ方式については、例えば特開昭６１−４
４４２９号公報等に詳しく開示されているので、ここで
はその原理的な説明は省略し、本発明と密接に関連する
シーケンスのみについて説明する。
【００４４】図７はＥＧＡ方式によるサンプルアライメ
ントショットの配置の一例を示し、同図中、斜線で示し
たショット領域がＥＧＡによって指定されたサンプルシ
ョットＳＡ1 〜ＳＡ8 である。ＥＧＡ方式の場合ウェハ
アライメント系ＷＡはサンプルショットＳＡ1 〜ＳＡ8
の各々に付随したウェハマークＷＭｘ、ＷＭｙを図７中
の矢印の順番に次々に検知し、各マーク位置を計測して
いく。その後、計測された複数のマーク位置（サンプル
ショットの座標位置）に基づいて、統計的な手法でウェ
ハＷ上の全てのショット領域の座標位置を演算によって
決定する。そして決定された座標位置に基づいてＸＹス
テージ２１をステッピングしては露光することを繰り返
す方式である。
ントショットの配置の一例を示し、同図中、斜線で示し
たショット領域がＥＧＡによって指定されたサンプルシ
ョットＳＡ1 〜ＳＡ8 である。ＥＧＡ方式の場合ウェハ
アライメント系ＷＡはサンプルショットＳＡ1 〜ＳＡ8
の各々に付随したウェハマークＷＭｘ、ＷＭｙを図７中
の矢印の順番に次々に検知し、各マーク位置を計測して
いく。その後、計測された複数のマーク位置（サンプル
ショットの座標位置）に基づいて、統計的な手法でウェ
ハＷ上の全てのショット領域の座標位置を演算によって
決定する。そして決定された座標位置に基づいてＸＹス
テージ２１をステッピングしては露光することを繰り返
す方式である。
【００４５】このとき、各サンプルショットＳＡ1 〜Ｓ
Ａ8 のマーク位置検出時に、第１の実施例、又は第２の
実施例と同様にして、露光時に焦点位置検出系のスリッ
ト像ＳＢが投射されるショット領域の中心点を基準とし
て、厳密に焦点合わせしたい部分の位置偏差ΔＺｎを順
次検出していく。そして同様に許容値に基づく選別を行
なってから、残りの位置偏差ΔＺｎのデータを平均化し
てフォーカスオフセット量を求め、ステップアンドリピ
ート方式の露光を実行する前に焦点位置検出系にオフセ
ット量を加えておく。
Ａ8 のマーク位置検出時に、第１の実施例、又は第２の
実施例と同様にして、露光時に焦点位置検出系のスリッ
ト像ＳＢが投射されるショット領域の中心点を基準とし
て、厳密に焦点合わせしたい部分の位置偏差ΔＺｎを順
次検出していく。そして同様に許容値に基づく選別を行
なってから、残りの位置偏差ΔＺｎのデータを平均化し
てフォーカスオフセット量を求め、ステップアンドリピ
ート方式の露光を実行する前に焦点位置検出系にオフセ
ット量を加えておく。
【００４６】このようにすると、ＥＧＡ方式におけるサ
ンプルアライメント時にショット領域内で真にフォーカ
スを合わせたい部分の偏差がほぼ同時に検出されるの
で、スループットを極端に低下させることがなく、フォ
ーカスオフセットを決定できるといった利点がある。以
上、本発明の各実施例においては、焦点位置検出系のス
リット像ＳＢ、すなわち検出子がショット領域内の所望
位置に静止した状態で検出信号ＳＺのレベルを読み込む
ようにしたが、必ずしもその必要はなく、電気的な応答
が十分に高ければ、ウェハＷが移動している途中で、検
出子が所望位置を横切る瞬間に検出信号ＳＺのレベルを
デジタルサンプリングするようにしてもよい。あるい
は、所望位置を含む局所範囲内で、レーザ干渉系ＩＦＭ
からのアップダウンパルスに応答して検出信号ＳＺのレ
ベルを何回かサンプリングし、その平均値を１つの位置
偏差ΔＺｎのデータとしてもよい。
ンプルアライメント時にショット領域内で真にフォーカ
スを合わせたい部分の偏差がほぼ同時に検出されるの
で、スループットを極端に低下させることがなく、フォ
ーカスオフセットを決定できるといった利点がある。以
上、本発明の各実施例においては、焦点位置検出系のス
リット像ＳＢ、すなわち検出子がショット領域内の所望
位置に静止した状態で検出信号ＳＺのレベルを読み込む
ようにしたが、必ずしもその必要はなく、電気的な応答
が十分に高ければ、ウェハＷが移動している途中で、検
出子が所望位置を横切る瞬間に検出信号ＳＺのレベルを
デジタルサンプリングするようにしてもよい。あるい
は、所望位置を含む局所範囲内で、レーザ干渉系ＩＦＭ
からのアップダウンパルスに応答して検出信号ＳＺのレ
ベルを何回かサンプリングし、その平均値を１つの位置
偏差ΔＺｎのデータとしてもよい。
【００４７】また同一プロセスの複数枚のウェハ（ロッ
ト）を連続して処理する場合は、各ウェハ毎に焦点位置
検出系を使ってフォーカスオフセット量を決定する代り
に、先頭の複数枚（２〜３枚）のウェハに対してオフセ
ット量の測定を行なったら、以後のウェハに対しては先
頭の複数枚のウェハの夫々で測定、決定されたフォーカ
スオフセット量の平均値を適用するようにしてもよい。
このようにすると、先頭の複数枚のウェハの処理が終っ
た後に引き続き処理されるウェハは、フォーカスオフセ
ットの測定時の動作が全く必要ないので、全体としての
処理速度を向上させることができる。
ト）を連続して処理する場合は、各ウェハ毎に焦点位置
検出系を使ってフォーカスオフセット量を決定する代り
に、先頭の複数枚（２〜３枚）のウェハに対してオフセ
ット量の測定を行なったら、以後のウェハに対しては先
頭の複数枚のウェハの夫々で測定、決定されたフォーカ
スオフセット量の平均値を適用するようにしてもよい。
このようにすると、先頭の複数枚のウェハの処理が終っ
た後に引き続き処理されるウェハは、フォーカスオフセ
ットの測定時の動作が全く必要ないので、全体としての
処理速度を向上させることができる。
【００４８】さらに上記の各実施例では、位置偏差ΔＺ
ｎとしてＰＳＤ１７の検出信号ＳＺのレベルを測定する
こととしたが、プレーンパラレル１２の傾き値に対応し
たカウンタ３１２の値を利用することもできる。この場
合、フォーカスロックをかけた位置（検出信号ＳＺのレ
ベルが零）からショット領域内の所望位置へウェハＷを
移動させたとき、検出信号ＳＺのレベルが零に保持され
るようにプレーンパラレル１２の傾きを補正し、その補
正量をカウンタ３１２から読み込めば、それが位置偏差
ΔＺｎに相当したものとなる。このようにプレーンパラ
レル１２の傾き量を補正して位置偏差ΔＺｎを検知する
場合、精度（分解能）的には十分に高いものが得られる
が、多少時間がかかるといった問題もある。そのため、
ショット領域内の凹凸状態を高精度に測定する必要があ
るときは、プレーンパラレル１２の傾き量から偏差ΔＺ
ｎを計測するのが望ましい。以上のように、本実施例に
よれば、投影露光処理位置にて最適な焦点位置合わせが
行なえない場合においても、あらかじめ算出された補正
値により最適な焦点位置合をせを行なうことが可能とな
る。しかも、この補正値を自動的に計測および算出する
ことが可能なため、作業効率を向上させることが可能と
なる。また、アライメント位置にて最適な焦点位置合わ
せが行なえない場合においても、あらかじめ算出させた
補正値により最適な焦点位置合わせを行なうことが可能
となる。しかも、この補正値を自動的に計測および算出
することが可能なため、作業効率を向上させることが可
能となる。さらに本発明によれば、投影露光されるショ
ット領域内の平坦度に合わせてベストフォーカス位置を
決定するための測定をアライメント動作と重複して実行
することができるので、スループットが低下することも
防止される。
ｎとしてＰＳＤ１７の検出信号ＳＺのレベルを測定する
こととしたが、プレーンパラレル１２の傾き値に対応し
たカウンタ３１２の値を利用することもできる。この場
合、フォーカスロックをかけた位置（検出信号ＳＺのレ
ベルが零）からショット領域内の所望位置へウェハＷを
移動させたとき、検出信号ＳＺのレベルが零に保持され
るようにプレーンパラレル１２の傾きを補正し、その補
正量をカウンタ３１２から読み込めば、それが位置偏差
ΔＺｎに相当したものとなる。このようにプレーンパラ
レル１２の傾き量を補正して位置偏差ΔＺｎを検知する
場合、精度（分解能）的には十分に高いものが得られる
が、多少時間がかかるといった問題もある。そのため、
ショット領域内の凹凸状態を高精度に測定する必要があ
るときは、プレーンパラレル１２の傾き量から偏差ΔＺ
ｎを計測するのが望ましい。以上のように、本実施例に
よれば、投影露光処理位置にて最適な焦点位置合わせが
行なえない場合においても、あらかじめ算出された補正
値により最適な焦点位置合をせを行なうことが可能とな
る。しかも、この補正値を自動的に計測および算出する
ことが可能なため、作業効率を向上させることが可能と
なる。また、アライメント位置にて最適な焦点位置合わ
せが行なえない場合においても、あらかじめ算出させた
補正値により最適な焦点位置合わせを行なうことが可能
となる。しかも、この補正値を自動的に計測および算出
することが可能なため、作業効率を向上させることが可
能となる。さらに本発明によれば、投影露光されるショ
ット領域内の平坦度に合わせてベストフォーカス位置を
決定するための測定をアライメント動作と重複して実行
することができるので、スループットが低下することも
防止される。
【００４９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、処理領
域の起伏が一様でなくても、スループットを極端に低下
させることなく、焦点位置合わせを効率的に行うことが
可能となる。
域の起伏が一様でなくても、スループットを極端に低下
させることなく、焦点位置合わせを効率的に行うことが
可能となる。
【００５０】
【図１】本発明が適用される投影露光装置の全体的な構
成を示す図
成を示す図
【図２】図１の装置に設けられる斜入射光式の焦点位置
検出系とその制御系の構成を示す図
検出系とその制御系の構成を示す図
【図３】図２中の処理系３０の構成を示すブロック図
【図４】投影レンズの投影視野内に現われるウェハ上の
ショット領域の各種状態を表わす図
ショット領域の各種状態を表わす図
【図５】第１の実施例による動作を説明するフローチャ
ート図
ート図
【図６】ショット領域内での多数のフォーカス測定点の
配置例を示す図
配置例を示す図
【図７】ウェハ上のＥＧＡ方式によるサンプルショット
の配置例を示す図
の配置例を示す図
Ｒ レチクル
Ｗ ウェハ
ＰＬ 投影レンズ
ＰＬＦ 投影視野
ＡＦＰ 投光器
ＡＦＲ 受光器
ＳＢ スリット像（検出子）
１ 送光用スリット
１２ プレーンパラレル
１４ 受光用スリット
１７ 同期検波回路（ＰＳＤ）
１９ モータ
２０ Ｚステージ
３０ 処理回路（ＣＰＸ）
Claims (17)
- 【請求項１】 マスクのパターンを感光基板上の複数の
ショット領域の一つに投影露光するための投影光学系
と、前記感光基板を保持して前記投影光学系の光軸と垂
直な面内で水平移動するとともに、前記光軸の方向に鉛
直移動するステージと、前記感光基板上のショット領域
に付設されたアライメント用のマークを前記投影光学系
を介して光電検出するマーク検出手段と、前記投影光学
系の視野内の所定位置に検出領域が設定され、該検出領
域に含まれる前記感光基板の表面の前記光軸方向の位置
ずれ量を検出する表面位置検出手段と、焦点合わせのた
め、該検出された位置ずれ量に基づいて、前記ステージ
を垂直移動させる合焦制御手段を備えた装置において、 前記感光基板をアライメントするために、前記感光基板
上の特定のｎ個のショット領域の夫々に付設された前記
マークが、前記マーク検出手段によって順次検出される
ように前記ステージを水平移動させるときに、前記ｎ個
のほぼ中央の第１位置と、該第１位置から所定方向に所
定量だけ離れ、且つ前記ショット領域内に存在する第２
位置との夫々を前記検出領域に設定し、前記表面位置検
出手段によってｎ個のショット領域の夫々について前記
第１位置と第２位置との光軸方向の位置偏差を測定する
ショット内偏差測定手段と； 前記ｎ個の位置偏差のうち、所定の許容範囲内のものを
ｍ個選択し、そのｍ個の位置偏差の平均値を算出する演
算手段と； 前記表面位置検出手段による位置ずれ検出の基準となる
位置が、前記算出された平均値だけ前記光軸方向に偏位
するように、前記表面位置検出手段を補正する補正手段
とを備えたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２】 基板上に形成された複数の処理領域にそ
れぞれ付設された複数のアライメント用マークを検出
し、その検出結果に基づいて前記複数の処理領域を順次
露光位置に配置するとともに、前記処理領域内の焦点検
出位置において投影光学系の光軸方向における位置を検
出し、その検出結果に基づいて前記処理領域を前記投影
光学系の焦点位置に合わせて前記処理領域を露光する投
影露光方法であって、 前記アライメント用マークを検出する動作に伴って、前
記基板表面の高さ方向 における位置を計測する手段によ
って前記処理領域内の前記焦点検出位置と任意の部分と
の前記高さ方向の偏差に対応する段差情報を計測し、そ
の段差情報に基づいて前記複数の処理領域を露光する際
の前記基板の面位置を補正することを特徴とする投影露
光方法。 - 【請求項３】 前記処理領域内の任意の部分がオペレー
タによって設定されることを特徴とする請求項２に記載
の投影露光方法。 - 【請求項４】 計測光を前記処理領域に照射し、その反
射光を検出することによって前記段差情報を計測するこ
とを特徴とする請求項２又は３に記載の投影露光方法。 - 【請求項５】 前記計測光と前記処理領域とを相対的に
移動しながら前記段差情報を計測することを特徴とする
請求項４に記載の投影露光方法。 - 【請求項６】 前記処理領域内の前記焦点検出位置と、
前記任意の部分内の複数点とにおいて、前記基板表面の
高さ方向における位置を計測し、これらの計測結果に基
づいて前記段差情報を求めることを特徴とする請求項２
〜５のいずれか一項に記載の投影露光方法。 - 【請求項７】 前記基板の前記光軸に垂直な面内におけ
る位置を干渉計によって検出し、 前記干渉計によって検出される前記基板の位置に対応し
て、前記処理領域内の前記焦点検出位置と、前記任意の
部分内の複数点との前記高さ方向における位置を記憶す
ることを特徴とする請求項６に記載の投影露光方法。 - 【請求項８】 前記投影露光方法は、ステップアンドス
キャン方式の投影露光方法であることを特徴とする請求
項２〜７のいずれか一項に記載の投影露光方法。 - 【請求項９】 請求項２〜８のいずれか一項に記載の投
影露光方法を用いて集積回路を製造することを特徴とす
る集積回路製造方法。 - 【請求項１０】 基板上に形成された複数の処理領域に
それぞれ付設された複数のアライメント用マークを検出
し、その検出結果に基づいて、前記複数の処理領域を順
次露光位置に配置するとともに、前記処理領域内の焦点
検出位置において投影光学系の光軸方向における位置を
検出し、その検出結果に基づいて前記 処理領域を前記投
影光学系の焦点位置に合わせて前記処理領域を露光する
投影露光装置であって、前記アライメント用マークを検出する動作に伴って、前
記処理領域内の前記焦点検出位置と任意の部分との前記
基板表面の高さ方向における偏差に対応する 段差情報を
計測する計測手段と、 前記段差情報に基づいて前記複数の処理領域を露光する
際の前記基板の面位置を補正する補正手段と、 を有することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項１１】 前記処理領域内の任意の部分をオペレ
ータが設定可能な設定手段をさらに有することを特徴と
する請求項１０に記載の投影露光装置。 - 【請求項１２】 前記計測手段は、計測光を前記処理領
域に照射し、その反射光を検出することによって前記段
差情報を計測することを特徴とする請求項１０又は１１
に記載の投影露光装置。 - 【請求項１３】 前記計測手段は、前記計測光と前記処
理領域とを相対的に移動しながら前記段差情報を計測す
ることを特徴とする請求項１２に記載の投影露光装置。 - 【請求項１４】 前記計測手段は、前記処理領域内の前
記焦点検出位置と、前記任意の部分内の複数点とにおい
て、前記基板表面の高さ方向における位置を計測し、こ
れらの計測結果に基づいて前記段差情報を求めることを
特徴とする請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の投
影露光装置。 - 【請求項１５】 前記基板の前記光軸に垂直な面内にお
ける位置を検出する干渉計と、 前記干渉計によって検出される前記基板の位置に対応し
て、前記処理領域内の前記焦点検出位置と、前記任意の
部分内の複数点との前記高さ方向における位置を記憶す
る記憶手段とをさらに有することを特徴とする請求項１
４に記載の投影露光装置。 - 【請求項１６】 前記投影露光装置は、ステップアンド
スキャン方式の投影露光装置であることを特徴とする請
求項１０〜１５のいずれか一項に記載の投影露光装置。 - 【請求項１７】 請求項１０〜１６のいずれか一項に記
載の投影露光装置を用いて集積回路を製造することを特
徴とする集積回路製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19176692A JP3374413B2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法 |
| US08/092,448 US5365051A (en) | 1992-07-20 | 1993-07-14 | Projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19176692A JP3374413B2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002244615A Division JP3465710B2 (ja) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636991A JPH0636991A (ja) | 1994-02-10 |
| JP3374413B2 true JP3374413B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=16280162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19176692A Expired - Fee Related JP3374413B2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5365051A (ja) |
| JP (1) | JP3374413B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104880913A (zh) * | 2014-02-28 | 2015-09-02 | 上海微电子装备有限公司 | 一种提高工艺适应性的调焦调平系统 |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010049589A1 (en) | 1993-01-21 | 2001-12-06 | Nikon Corporation | Alignment method and apparatus therefor |
| US6278957B1 (en) * | 1993-01-21 | 2001-08-21 | Nikon Corporation | Alignment method and apparatus therefor |
| JPH09311278A (ja) | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
| KR100358422B1 (ko) | 1993-09-14 | 2003-01-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 플래인위치결정장치,주사형노광장치,주사노광방법및소자제조방법 |
| KR100377887B1 (ko) * | 1994-02-10 | 2003-06-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 정렬방법 |
| JP3395801B2 (ja) * | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
| JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
| US5679125A (en) | 1994-07-07 | 1997-10-21 | Nikon Corporation | Method for producing silica glass for use with light in a vacuum ultraviolet wavelength range |
| USRE38438E1 (en) | 1994-08-23 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same |
| JP3100842B2 (ja) * | 1994-09-05 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置及び露光方法 |
| JPH08179204A (ja) | 1994-11-10 | 1996-07-12 | Nikon Corp | 投影光学系及び投影露光装置 |
| JP3454390B2 (ja) | 1995-01-06 | 2003-10-06 | 株式会社ニコン | 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法 |
| US6087283A (en) | 1995-01-06 | 2000-07-11 | Nikon Corporation | Silica glass for photolithography |
| JP3819048B2 (ja) | 1995-03-15 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びに露光方法 |
| JP3064857B2 (ja) | 1995-03-28 | 2000-07-12 | 株式会社ニコン | 光リソグラフィー用光学部材および合成石英ガラスの製造方法 |
| US6215896B1 (en) * | 1995-09-29 | 2001-04-10 | Advanced Micro Devices | System for enabling the real-time detection of focus-related defects |
| US5673208A (en) * | 1996-04-11 | 1997-09-30 | Micron Technology, Inc. | Focus spot detection method and system |
| US6885908B2 (en) * | 1997-02-14 | 2005-04-26 | Nikon Corporation | Method of determining movement sequence, alignment apparatus, method and apparatus of designing optical system, and medium in which program realizing the designing method |
| KR100274596B1 (ko) * | 1997-06-05 | 2000-12-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 노광설비의 스테이지 홀더 상의 파티클 감지방법과 이를 이용한 감지장치 및 그 제어방법 |
| DE19726696A1 (de) * | 1997-06-24 | 1999-01-07 | Jenoptik Jena Gmbh | Verfahren zur Fokussierung bei der Abbildung strukturierter Oberflächen von scheibenförmigen Objekten |
| JP3454497B2 (ja) * | 1997-07-15 | 2003-10-06 | キヤノン株式会社 | 投影露光方法および装置 |
| US6867406B1 (en) * | 1999-03-23 | 2005-03-15 | Kla-Tencor Corporation | Confocal wafer inspection method and apparatus using fly lens arrangement |
| US6294394B1 (en) * | 1999-07-01 | 2001-09-25 | Voyan Technology | Ramp rate limiter to control stress during ramping |
| US6278116B1 (en) * | 1999-08-09 | 2001-08-21 | United Microelectronics Corp. | Method of monitoring deep ultraviolet exposure system |
| JP3414689B2 (ja) * | 2000-03-02 | 2003-06-09 | 日本電気株式会社 | 焦点合わせ方法および焦点検知装置 |
| JP2001257157A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-21 | Nikon Corp | アライメント装置、アライメント方法、露光装置、及び露光方法 |
| GB0118307D0 (en) * | 2001-07-26 | 2001-09-19 | Gsi Lumonics Ltd | Automated energy beam positioning |
| JP3870058B2 (ja) | 2001-10-05 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | スキャン露光装置及び方法並びにデバイスの製造方法 |
| EP3352015A1 (en) * | 2003-04-10 | 2018-07-25 | Nikon Corporation | Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus |
| KR101369016B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2014-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
| SG194246A1 (en) | 2003-04-17 | 2013-11-29 | Nikon Corp | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
| US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| JP4497908B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び装置 |
| JP4661989B1 (ja) * | 2010-08-04 | 2011-03-30 | ウシオ電機株式会社 | レーザリフトオフ装置 |
| JP2013175500A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Toshiba Corp | 露光装置、及び露光方法 |
| JP6327861B2 (ja) | 2014-01-07 | 2018-05-23 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品の製造方法 |
| CN104729429B (zh) * | 2015-03-05 | 2017-06-30 | 深圳大学 | 一种远心成像的三维形貌测量系统标定方法 |
| JP6364059B2 (ja) * | 2016-11-18 | 2018-07-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、および物品の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4780617A (en) * | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
| US4801208A (en) * | 1984-11-19 | 1989-01-31 | Nikon Corporation | Projection type exposing apparatus |
| JP2661015B2 (ja) * | 1986-06-11 | 1997-10-08 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法 |
| US4952815A (en) * | 1988-04-14 | 1990-08-28 | Nikon Corporation | Focusing device for projection exposure apparatus |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP19176692A patent/JP3374413B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-07-14 US US08/092,448 patent/US5365051A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104880913A (zh) * | 2014-02-28 | 2015-09-02 | 上海微电子装备有限公司 | 一种提高工艺适应性的调焦调平系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5365051A (en) | 1994-11-15 |
| JPH0636991A (ja) | 1994-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3374413B2 (ja) | 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法 | |
| US5742067A (en) | Exposure method and apparatus therefor | |
| KR100378475B1 (ko) | 투영노광장치및방법 | |
| US6608681B2 (en) | Exposure method and apparatus | |
| US5502311A (en) | Method of and apparatus for detecting plane position | |
| JP3275368B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
| US4629313A (en) | Exposure apparatus | |
| US5323016A (en) | Focusing method | |
| US7141813B2 (en) | Surface position detection apparatus and method, and exposure apparatus and device manufacturing method using the exposure apparatus | |
| JP3303329B2 (ja) | 焦点置検出装置、露光装置及び方法 | |
| JPH10284404A (ja) | 面位置調整装置及びその方法並びに露光装置及びその方法 | |
| JP3218466B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JP3391470B2 (ja) | 投影露光装置、及び投影露光方法 | |
| JP3381313B2 (ja) | 露光装置および露光方法並びに素子製造方法 | |
| JPH11186129A (ja) | 走査型露光方法及び装置 | |
| JP3465710B2 (ja) | 投影露光装置、投影露光方法、並びに集積回路製造方法 | |
| JPH11168050A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JP3218484B2 (ja) | 投影露光装置、露光方法、及び該方法を用いる半導体製造方法 | |
| JPH09293660A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH1116822A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP3275879B2 (ja) | 投影露光装置、露光方法及び装置 | |
| JPH1154410A (ja) | 投影露光装置、方法及び素子製造方法 | |
| JPH113855A (ja) | 面位置検出方法、面位置調整方法及び投影露光方法 | |
| JPH09293655A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH09275071A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |