WO2007102484A1 - デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置 - Google Patents

デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置 Download PDF

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WO2007102484A1
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PCT/JP2007/054279
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Shinichi Okita
Koji Yasukawa
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Nikon Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a device manufacturing method, a device manufacturing system, and a measurement / inspection apparatus, and more specifically, for example, an imaging device such as a semiconductor device, a liquid crystal display device, a CCD (Charge Coupled Device), or a thin film magnetic head
  • an imaging device such as a semiconductor device, a liquid crystal display device, a CCD (Charge Coupled Device), or a thin film magnetic head
  • the present invention relates to a device manufacturing method, a device manufacturing system, and a measurement / inspection apparatus including a photolithographic process for manufacturing a semiconductor device.
  • a device such as a semiconductor element performs a series of a plurality of substrate processes such as a film forming resist process, an exposure process, a post-beta (PEB) process, a development process, and an etching process on a substrate such as a wafer. Manufactured by repeating in order.
  • measurement and inspection processing of each substrate is performed after the completion of each substrate processing for the purpose of improving the yield of device production.
  • One example is the measurement inspection process of the film on the substrate after the film-forming / resist process, the defect inspection of the pattern formed on the substrate after the development process or the etching process.
  • a device manufacturing method for manufacturing a device through a series of substrate processes including a measurement / inspection process for a substrate, and a series of information on the substrate and a series of the substrate.
  • an optimum measurement / inspection instrument is selected based on information on the substrate and Z or information on a series of substrate processing for the substrate, and based on the information, the measurement / inspection condition and Z or measurement are selected. Because information about inspection results is adjusted, measurement inspection conditions and Z or measurement inspection results can be adapted to the board. This makes it possible to perform measurement and inspection without any machine difference using any measurement and inspection device.
  • a device manufacturing system for manufacturing a device through a series of substrate processes including a measurement / inspection process for a substrate, and a series of information on the substrate and a series of the substrate.
  • An acquisition device that acquires at least one of the substrate processing information; a plurality of measurement / inspection instruments that perform the same measurement / inspection process; and based on the acquired information, from among the plurality of measurement / inspection instruments,
  • a selection device that selects one measurement / inspection instrument that actually measures and inspects the substrate; on the basis of the acquired information! //, the measurement / inspection condition and measurement / inspection result of the selected measurement / inspection instrument
  • a device manufacturing system comprising: an adjustment device that adjusts at least one of the information.
  • an optimal measurement test is performed by the selection device based on the information on the substrate and the information on Z or the series of substrate processing for the substrate acquired by the acquisition device.
  • a fixture is selected.
  • the adjustment device adjusts the information regarding the measurement / inspection condition and the Z or the measurement / inspection result based on the information. Therefore, the measurement inspection condition and Z or measurement inspection result can be adapted to the substrate. This makes it possible to perform measurement and inspection without any machine difference using any measurement and inspection device.
  • the present invention is a measurement / inspection apparatus that performs measurement / inspection processing on a substrate, and acquires at least one of information on the substrate and information on a series of substrate processing on the substrate.
  • a determination device that determines whether or not the substrate is actually suitable for measurement and inspection based on the acquired information; and a determination device that determines whether the substrate is appropriate
  • an adjustment device that adjusts at least one of the information related to the measurement / inspection condition and the measurement / inspection result based on the acquired information.
  • the determination device based on the information related to the substrate and Z acquired by the acquisition device or information related to a series of substrate processing for the substrate, the determination device actually measures and inspects the substrate. It is determined whether or not the force is appropriate, and when it is determined that the power is appropriate, the adjustment device adjusts at least one of the information related to the measurement inspection condition and the measurement inspection result based on the acquired information. Therefore, the measurement / inspection conditions and Z or measurement / inspection results can be adapted to the substrate.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a device manufacturing system according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of an exposure apparatus.
  • FIGS. 3 (A) to 3 (E) are diagrams showing the relationship between the overlay error measurement mark and the control error of various control systems.
  • FIG. 4 is a flowchart of the wafer process.
  • FIG. 5 (A) to FIG. 5 (C) are diagrams for explaining the components of the shot region arrangement.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing conditions that can be matched between the exposure apparatus and the measurement / inspection instrument.
  • FIG. 7 (A) to FIG. 7 (E) are diagrams showing examples of overlay error measurement marks.
  • BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 1 shows a schematic configuration of a device manufacturing / processing system 1000 according to an embodiment.
  • the device manufacturing / processing system 1000 includes an in-factory production management main host system 600, an exposure cell 700, a transfer line 800, a device manufacturing processing unit group 900, an exposure process control controller ( (Hereinafter abbreviated as “management controller”) 160 and an analysis device 170.
  • management controller exposure process control controller
  • In-factory production management main host system (hereinafter referred to as “host”) 600 is a device manufacturing 'processing system 1000 to grasp the overall status, exposure cell 700, transfer line 800, device manufacturing' processing equipment group 900, management controller 160 is a main host computer that performs overall control of the analysis device 170.
  • the exposure cell 700 the transfer line 800 (more specifically, the controller), the device manufacturing / processing device group 900, the management controller 160, and the analysis device 170 are wired or They are connected through a wireless communication network or a dedicated communication line, and can communicate data with each other. Through this data communication, the host 600 realizes overall control of the entire device manufacturing / processing system 1000.
  • the exposure cell 700 includes a plurality of exposure apparatuses 100 and 101, a plurality of tracks 200, a plurality of measurement inspectors 120 and 121, and a transport line 140.
  • a plurality of exposure apparatuses 100 and 101 a plurality of tracks 200
  • a plurality of measurement inspectors 120 and 121 a plurality of measurement inspectors 120 and 121
  • a transport line 140 a transport line 140.
  • FIG. 2 for simplicity of explanation, two exposure apparatuses, tracks, and measurement / inspection instruments are not shown. However, in reality, three or more exposure apparatuses, tracks, and measurement / inspection instruments may be provided.
  • the exposure apparatuses 100 and 101 are apparatuses that transfer a device pattern onto a wafer coated with a photoresist. Since exposure apparatuses 100 and 101 are the same model, the configuration and the like will be described below by taking exposure apparatus 100 as a representative.
  • FIG. 2 shows a schematic configuration of the exposure apparatus 100.
  • the exposure apparatus 100 includes an illumination system 10 that emits coherent illumination light IL, and a reticle stage (not shown) that holds a reticle R on which a device pattern illuminated by the illumination light IL is formed. ), Projecting the device pattern illuminated by the illumination light IL, for example, Telecentric on both sides A projection optical system PL, a wafer stage WST for holding a wafer W to be exposed, an off-axis alignment system ALG, and a main controller 20 for overall control thereof.
  • the illumination light IL from the illumination system 10 illuminates a device pattern such as a circuit pattern formed on the reticle R held on the reticle stage.
  • this irradiation area is described as the illumination area IAR.
  • Illumination light IL passing through illumination area IAR is incident on wafer W held by wafer stage WST via projection optical system PL.
  • a projection image of the device pattern in the illumination area IAR is formed on the wafer W.
  • this area on the wafer W is described as an exposure area IA.
  • the wafer stage WST is movable in the XY plane, and the surface of the wafer W is adjusted to shift in the Z-axis direction, 0 x (rotation around the X axis), and 0 y (rotation around the Y axis). It is possible to do.
  • the reticle stage can move in the Y-axis direction in synchronization with wafer stage WST.
  • Reticle stage and wafer stage WST (hereinafter referred to as “both stages” as appropriate)
  • Projection optical system PL on the reticle R Device pattern force Illumination area IAR is traversed by synchronous scanning in the Y-axis direction according to the projection magnification of PL Synchronously, the surface of wafer W crosses exposure area IA. As a result, the entire device pattern on the reticle R is transferred onto the wafer W.
  • the exposure apparatus 100 repeats the above-described relative synchronous scanning of both stages with respect to the illumination light IL and stepping between shots in the XY plane of the wafer stage WST, thereby allowing a plurality of different regions on the wafer W (
  • the device pattern on the reticle R is transferred to the shot area (SA). That is, exposure apparatus 100 is a scanning exposure (step 'and' scan) type exposure apparatus.
  • the main controller 20 has an exposure control system that controls the intensity (exposure) of the illumination light IL, synchronous control of both stages, and the surface of the wafer W within the focal depth of the projection optical system PL.
  • a focus control system that performs Z-leveling control (hereinafter simply referred to as focus control) and a lens control system that controls the imaging performance of the projection optical system PL (all not shown)
  • focus control performs Z-leveling control
  • lens control system that controls the imaging performance of the projection optical system PL
  • the exposure amount control system is based on detection values of various exposure amount sensors capable of detecting the exposure amount. Feedback control is performed to control the exposure amount so as to match the target value. Time series data such as control errors in this feedback control is always stored as log data at a predetermined interval.
  • the stage control system controls the position and speed of both stages based on the measured values of the interferometer and Z or other sensors that measure the position of each stage so that the position matches the target position. is doing.
  • the control system that performs synchronous control of both stages is the synchronous control system, and the Z position of the stage (wafer surface) (that is, the wafer position (focus position) in the optical axis direction of the projection optical system PL) )), And the control system that controls the amount of rotation around the X and Y axes (the tilt of the wafer surface relative to the projected image of the device pattern) is the focus control system.
  • the synchronous control system performs synchronous control of both stages during scanning exposure, and performs feedback control based on measurement values of an interferometer or the like so that their synchronization errors are reduced.
  • the exposure devices 100 and 101 detect the focus Z leveling deviation on the wafer surface at multiple measurement points (only one is shown in Fig. 2, but there are actually multiple measurement points).
  • An oblique incidence focus detection system AF is provided.
  • the focus detection system AF includes a focus optical system (60a, 60b), a focus sensor 23, and a focus signal processing device 24.
  • the focus sensor 23 photoelectrically converts the plurality of lights received by the light receiving system 60b, selects, for example, about nine measurement points from the plurality of measurement points, and outputs them to the focus signal processing device 24. To do.
  • the focus signal processing device 24 calculates the wafer surface height and inclination of the area including the nine measurement points, and outputs it to the main controller 20. . Based on the wafer surface height and tilt, the focus control system of the main controller 20 performs feedback control so that the wafer surface corresponding to the exposure area IA matches the image surface of the projection optical system PL. Yes.
  • the focus sensor 23 is configured by hardware such as an electric circuit. Ma
  • the focus signal processing device 24 is a computer, and the function thereof is realized by software operating on the computer.
  • the focus-related parameters include, for example, the focus step map, which is the surface shape of the exposed surface of the wafer W, the focus offset, which is the offset component of the signal output, the placement of the focus sensor, the selection of the focus sensor, and the processing of the focus signal. There is a focus measurement algorithm to do this.
  • control error of the synchronous control system and the time series data of the control error of the focus control system are also always stored as log data at a predetermined interval.
  • Projection optical system PL includes a plurality of optical elements (not shown) such as refractive optical elements (lens elements).
  • these lens elements some lens elements are movable lenses whose external force can be adjusted by the lens control system.
  • Each of these lens elements can be driven to shift in the X-axis, Y-axis, and Z-axis (optical axis) directions, and can be driven to rotate in the rotation directions ( ⁇ , 0 y, 0 z) around each axis. In other words, it can be driven with six degrees of freedom.
  • the lens control system monitors the atmospheric pressure, the temperature in the chambers of the exposure apparatuses 100 and 101, the exposure amount, the temperature of the lens of the projection optical system PL, and the magnification of the projection optical system PL based on the monitoring result.
  • the amount of fluctuation and focus fluctuation are calculated, and based on the calculation results, the pressure inside the projection optical system PL is adjusted, the position and orientation of the movable lens element (and the lens interval are adjusted), and the focus offset is adjusted. Changes have been made. As a result, the best focus position and the magnification follow the target value.
  • the amount of magnification fluctuation and the amount of focus fluctuation are always saved as log data with a specified preset.
  • Wafer W carried into exposure apparatus 100 is loaded onto wafer stage WST in a state where it is roughly aligned with respect to its outer shape.
  • the alignment mark formed together with the device pattern on wafer W loaded on wafer stage WST is measured by an off-axis type alignment system ALG, and the mark in the XY coordinate system is measured. Measure the position coordinates.
  • the alignment system ALG includes a light transmission system that irradiates the wafer W with illumination light (detection beam) having a wavelength band that the resist is not sensitive to, and a light receiving system that receives the reflected light of the surface force to be exposed on the wafer W.
  • the alignment optical system AS consists of Further, the alignment system ALG includes a alignment sensor 21 for detecting, for example, a signal corresponding to a mark waveform by photoelectrically detecting light obtained via the alignment optical system AS. If the detection signal power obtained as a result of this photoelectric detection is a waveform corresponding to the background of the wafer W including the mark, that is, if the mark is present in the detection field of the alignment ALG, it is based on the detection signal.
  • FIG. 2 shows an alignment apparatus 22 that processes the mark waveform detected by the alignment sensor 21 and calculates the position coordinates of the mark.
  • the alignment sensor 21 includes hardware such as a CCD and an electric circuit.
  • the alignment device 22 is a computer, and its function is realized by software operating on a computer.
  • the position information of all the shot areas SA on the wafer W may be measured, but this may affect the throughput. There is. Therefore, in the exposure apparatus 100, the alignment mark that is actually measured is limited, and a global key that statistically estimates the arrangement of the shot area SA on the wafer W from the measurement result of the position of the measured alignment mark. Employs the lement technology. In the exposure apparatus 100, as this global alignment, the deviation of the actual shot arrangement from the designed shot arrangement is expressed by a polynomial with X and Y as independent variables, and statistical calculation is performed to obtain an appropriate coefficient in that polynomial. The so-called EGA wafer alignment required is used.
  • EGA wafer alignment In EGA wafer alignment, first, the number of shot areas for measuring the alignment mark to be measured is selected. The selected shot area is called a sample shot.
  • the alignment ALG measures the position of the alignment mark (sample mark) attached to the sample shot. Such a measurement operation is called EG A measurement below.
  • EG A measurement a measurement operation is called EG A measurement below.
  • a correction amount representing the arrangement of the shot areas SA is estimated by a statistical calculation based on the measurement result of the EGA measurement, that is, the position information of several sample marks. Such an operation is hereinafter referred to as an EGA operation.
  • the EGA wafer alignment is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-44429 and US Pat. No. 4,780,617 corresponding thereto. Note that the coordinate system of the shot area SA arrangement is based on a reference mark formed on the reference mark plate FM.
  • the XY correction amount at the position of each shot area obtained by the above polynomial is referred to as an EGA correction amount. Since the polynomial coefficients obtained by EGA wafer alignment are those obtained by the method of least squares, there is a deviation (nonlinearity) between the measured value of the mark position and the mark position corrected by the EGA correction amount. Error component) remains. This deviation is called residual. Of course, it is desirable that the residual is smaller in view of accuracy.
  • One of the means for reducing the residual is a higher order EGA polynomial model.
  • the EGA polynomial model is a quadratic or cubic equation that is concatenated with a linear equation, the residual will naturally be smaller.
  • the exposure apparatuses 100 and 101 can parameterize several factors that define operations related to the EGA wafer alignment using the alignment system, and adjust the set values as alignment-related parameters.
  • the alignment system ALG includes the alignment optical system AS, the alignment sensor 21, and the alignment device 22, and can set the apparatus parameters that define the respective processing operations.
  • apparatus parameters there are generally two types: a fixed parameter that should be fixed in hardware settings, and an adjustment parameter that should be changed for each wafer W.
  • the fixed parameters include the aberration amount of the alignment optical system AS and the alignment sensor.
  • the adjustment parameters include the wavelength of illumination light, the focus offset, the mark length of the mark to be measured, the mark 'type, the mark' pitch, the mark width, and the mark 'center shift in the alignment optical system AS light transmission system. , Signal waveform shape (single Z double), mark detection algorithm (signal processing algorithm (edge extraction method, template matching method, aliasing autocorrelation method, slice level, etc.)), mark detection tolerance, as described above
  • mark detection algorithm signal processing algorithm (edge extraction method, template matching method, aliasing autocorrelation method, slice level, etc.)
  • mark detection tolerance as described above
  • the wavelength of the illumination light should be set carefully, taking into account interference due to the film thickness of the resist film, etc., and the reflectivity of the base of the wafer W.
  • the alignment system includes a plurality of types of alignment sensors and all the sensors detect the mark, the alignment that has detected the waveform data used to detect the actual mark position is detected.
  • the type of sensor (FIA (Field Image Alignment) method, LSA (Laser Step Alignment) method, etc.) is also included in the alignment parameters.
  • EGA polynomial models (6-parameter model, 10-parameter model, intra-shot average model, shot factor indirect application model, higher-order EGA processing conditions (usage order and use correction factor), etc.), weighted EGA Processing conditions, expansion of EGA optional functions EGA processing conditions (multi-point EGA execution conditions in shots, EGA calculation model, shot component correction conditions, etc.), correction amount to be added to measurement position of measured mark (alignment correction value, etc.), etc. Is also included in the alignment parameters.
  • These EGA polynomial models and other parameters for representing shot arrays include linear correction parameters for correcting the linear components of shot arrays and nonlinear correction parameters for correcting nonlinear components of shot arrays (wafer grid). It is also possible to classify them. Since nonlinear components of shot arrays are often expressed as higher-order functions or XY coordinate system maps, nonlinear correction parameters are generally In addition, the coefficient or the correction amount on the map.
  • the main controller 20 is a computer system that controls various components of the exposure apparatus 100 as described above.
  • the various operations of the exposure apparatus 100 described above are realized by the overall control of the main controller 20.
  • the above-described exposure amount control system, synchronization control system, focus control system, lens control system, and the like are included in the main controller 20.
  • the main controller 20 is connected to a communication network built in the device manufacturing / processing system 1000, and data can be transmitted / received to / from the outside via the communication network.
  • Main controller 20 operates in response to a command via this communication network.
  • the main control device 20 transmits trace data of various control errors to the analysis device 170 and receives information on parameters optimized by the analysis device 170 and sets them in the main control device 20.
  • the track 200 is disposed so as to contact a chamber (not shown) surrounding the exposure apparatus 100.
  • the track 200 mainly carries in and out the wafer W with respect to the exposure apparatus 100 by a transfer line provided inside.
  • a coater / developer (CZD) 110 including a coater for performing a resist coating process, a developer for performing a development process, and a PEB apparatus for performing a PEB process.
  • the CZD110 can monitor the processing status of resist coating, development, and PEB processing, and record the observation data as log data.
  • Possible processing conditions include, for example, spin coater rotation speed, temperature during development, development module processing, PEB temperature uniformity (hot plate temperature uniformity), wafer heating history management (avoid overbeta after PEB processing) , Cooling plate).
  • CZD110 can also adjust its processing state to some extent by setting its device parameters.
  • Such apparatus parameters include, for example, parameters (resist dropping amount and dropping interval) that can correct the resist thickness on the wafer W, the set temperature in the apparatus, and the spin coater rotation speed.
  • the CZD 110 can operate independently of external apparatuses such as the exposure apparatuses 100 and 101 and the measurement / inspection instrument 120.
  • CZD110 is placed along the transport line in truck 200. This transfer line enables transfer of the wafer W between the exposure apparatuses 100 and 101, the CZD 110, and the outside of the track 200.
  • the CZD 110 is connected to a communication network in the device manufacturing processing system 1000, and can send and receive data to and from the outside.
  • the exposure apparatus 100 and the CZD 110 in the track 200 adjacent to the exposure apparatus 100, and the exposure apparatus 101 and the CZD 110 in the track 200 adjacent to the exposure apparatus 101 are connected to each other in-line.
  • the in-line connection means that the apparatuses and the processing units in each apparatus are connected through a transfer device that automatically transfers the wafer W such as a robot arm or a slider. With this in-line connection, the wafer W transfer time between the exposure apparatus 100 and the CZD 110 and between the exposure apparatus 101 and the CZD 110 can be significantly shortened.
  • the exposure apparatus 100 and the track 200, and the exposure apparatus 101 and the track 200, which are connected in-line, can be regarded as one substrate processing apparatus (100, 200), (101, 200) as a whole.
  • the substrate processing apparatus (100, 200), (101, 200) includes a coating process in which a photosensitive agent such as a photoresist is applied to the wafer W, and a mask or reticle R on the wafer W coated with the photosensitive agent.
  • An exposure process for exposing the wafer W by projecting the pattern image, a PEB process after the completion of the exposure process, a development process for developing the wafer W, and the like are performed.
  • the exposure cell 700 can be regarded as having one substrate processing apparatus (100, 200) and one substrate processing apparatus (101, 200).
  • the measurement / inspection instruments 120 and 121 are complex measurement / inspection instruments capable of performing various measurement / inspections on the wafer W. Since the measurement / inspection instruments 120 and 121 are the same model, the configuration and the like will be described below by taking the measurement / inspection instrument 120 as a representative. Similar to wafer stage WST in exposure apparatus 100, measurement / inspection instrument 120 includes a stage for holding wafer W. The XY position of this stage is measured by an interferometer (not shown), similar to wafer stage WST. The controller of the measurement / inspection instrument 120 controls the XY position of the stage according to the measurement position of the interferometer. In order to measure and inspect the wafer W, first, alignment of the wafer and W is required.
  • This measuring and inspecting instrument 120 is equipped with exposure apparatuses 100 and 101. Similarly, alignment of the wafer W is possible, and an alignment system similar to the alignment system ALG of the exposure apparatus 100 is provided. The alignment of the wafer W in the measurement / inspection instrument 120 can be performed in the same manner under the same alignment-related parameters as the exposure apparatuses 100 and 101.
  • the measurement / inspection instrument 120 includes the following sensors that perform various measurement / inspections on the wafer W.
  • a measuring device that measures the surface shape of the wafer W (, so-called shot flatness (device topography, focus step)), which is the same as the focus detection system AF
  • the measurement / inspection instrument 120 is provided with various sensors according to the required measurement / inspection contents.
  • the measurement / inspection instrument 120 can operate independently of the exposure apparatuses 100 and 101 and the CZD 110. It is assumed that the transfer line 140 in the exposure cell 700 can be transferred between the exposure apparatuses 100 and 101, the C / D 110, and the measurement inspectors 120 and 121 for each of the wafers and the wafers.
  • the measurement / inspection instrument 120 can input and output data via a communication network.
  • the device manufacturing / processing apparatus group 900 includes a film forming apparatus 910, an oxidation ion implantation apparatus 920, an etching apparatus 930, and a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process that performs chemical mechanical polishing and planarizes the wafer W. Polishing) device 940 is provided.
  • Film deposition equipment The apparatus 910 is an apparatus for generating a thin film such as an antireflection film or a topcoat film on the wafer W by using CVD (Chemical Vapor Deposition) or the like.
  • Oxidation ion implantation apparatus 920 is an apparatus for forming an oxide film on the surface of Ueno, W or injecting impurities into a predetermined position on Ueno, W.
  • the etching apparatus 930 is an apparatus that performs etching on the developed wafer W.
  • the CMP apparatus 940 is a polishing apparatus that flattens the surface of the wafer W by chemical mechanical polishing.
  • Each device can adjust its processing status by adjusting its processing parameters, and can observe the processing status and blog data as processing data. In addition, each device can input and output data via a communication network.
  • the device manufacturing / processing device group 900 includes devices for performing probing processing, repair processing, dicing processing, packaging processing, bonding processing, and the like.
  • the transfer line 800 transfers the wafer W between various devices in the device manufacturing / processing apparatus group 900 and the exposure cell 700.
  • the wafer W is transferred from the apparatus that has completed processing on the wafer W to the apparatus that performs the next process on the wafer W.
  • the management controller 160 centrally manages the exposure process performed by the exposure apparatuses 100 and 101, and manages the C / D 110 in the track 200, the measurement / inspection instruments 120 and 121, and controls their associated operations. Do.
  • a controller for example, a personal computer (hereinafter abbreviated as a PC as appropriate) can be employed.
  • the management controller 160 receives information indicating the progress status of processing and operation, and information indicating processing results and measurement / inspection results from each device through a communication network in the device manufacturing 'processing system 1000, and performs device manufacturing' processing. Ascertain the status of the entire system 1000 production line, and manage and control each device so that the exposure process and other processes are performed appropriately.
  • the analysis apparatus 170 is connected to a communication network in the device manufacturing 'processing system 1000, and can send and receive data to and from the outside.
  • the analysis device 170 acquires information about the wafer W and information about the process for the wafer W, and analyzes the acquired information. More specifically, the measurement / inspection results of the measurement / inspection instruments 120 and 121 are analyzed, and if necessary, the apparatus parameters of the exposure apparatuses 100 and 101 are optimized based on the analysis results. Further, the analysis apparatus 170 selects a measurement / inspection instrument suitable for performing the measurement / inspection on the wafer W or adjusts the measurement / inspection conditions of the measurement / inspection instrument.
  • an analysis apparatus 170 for example, a personal computer can be employed.
  • the analysis processing is realized by executing an analysis program by the CPU (not shown) of the analysis device 170.
  • the analysis program is supplied by a medium (information recording medium) such as a CD-ROM, and is executed while installed on the PC.
  • the analysis apparatus 170 includes a database necessary for analysis.
  • a database necessary for analysis is a CD table group.
  • the CD table group is a database in which the relationship between illumination conditions in the exposure apparatuses 100 and 101, exposure amount, synchronization accuracy, focus, lens control errors, and pattern line width is registered.
  • This CD table group is used for selecting an overlay error mark transferred together with the device pattern when measuring the overlay error of the device pattern transferred and formed on the wafer W.
  • Fig. 3 (A) shows the overlay error measurement mark transferred together with the device pattern in the shot area SA, and the control error of various control systems such as exposure amount, synchronization accuracy, focus, and lens.
  • the relationship is shown schematically.
  • This device pattern is transferred by moving relative to W.
  • This device pattern includes an overlay error measurement mark Ml.
  • FIGS. 3B to 3E show examples of log data of exposure amount control error, synchronization accuracy control error, focus control error, and lens control error, respectively.
  • MEAN value moving average value
  • MSD value moving standard deviation
  • the CD table group includes illumination conditions in exposure apparatuses 100 and 101, exposure amount control error, synchronization accuracy control error, focus control error, and lens during relative synchronous scanning of wafer stage WST and reticle stage.
  • the relationship between the statistical value of control error and the pattern line width at that point is accumulated.
  • the analysis apparatus 170 estimates the pattern line width of each overlay error measurement mark transferred onto the wafer W, and the mark is measured. Refer to this CD table group to determine whether or not the force is appropriate. If the value is not registered in the statistical power database of the exposure control error, synchronization accuracy control error, or focus control error, interpolation calculation of several values in the vicinity of the value is performed. Estimate pattern line width.
  • the pattern line width registered in the CD table group is not based on the measurement result of the measurement / inspection instrument 120, but may be based on the value measured by the SEM or the value measured by the OCD method or the like. It may be a value obtained from the aerial image of the test pattern measured by the aerial image sensor that measures the aerial image of the test pattern.
  • the pattern line width is the exposure condition of the exposure apparatuses 100 and 101, the design condition of the transferred pattern, or the image. It becomes different depending on the height. Therefore, this table group is the exposure condition. Prepared for each combination of information, pattern design conditions, and image height. As described above, for the table group, the estimated value of the pattern line width can be searched using the exposure condition, pattern design condition, exposure amount control error, synchronization accuracy control error, focus control error, or lens control error as keys. It is necessary to create a database. Exposure conditions include exposure wavelength, projection optical system NA, illumination NA, illumination ⁇ , illumination type, depth of focus, etc.
  • Pattern design conditions include mask line width, target line width (eg, 130 nm), pattern Pitch, mask type (binary, halftone, Levenson), pattern type (isolated line, dense line (line 'and' space 'pattern)).
  • mask line width e.g. 130 nm
  • pattern Pitch mask type
  • mask type binary, halftone, Levenson
  • pattern type isolated line, dense line (line 'and' space 'pattern)
  • image height on the table are disclosed in detail in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-338870.
  • the analysis device 170 includes a database for storing analysis results.
  • a device manufacturing / processing system 1000 includes a plurality of measurement / inspection instruments 120 and 121 that perform the same measurement / inspection processing, and a plurality of exposure apparatuses 100 and 101. Yes. Therefore, for example, if one measurement detector and exposure apparatus are busy when performing the same process, the wafer waiting time can be shortened by using the other measurement inspection instrument and exposure apparatus. Thus, the throughput can be improved.
  • the measurement / inspection instrument is different, even if the same wafer is loaded, the measurement / inspection result may differ. This is because even if the measurement / inspection instrument is the same model, each device has different characteristics. Therefore, in order to reduce the difference between the plurality of measurement / inspection instruments 120 and 121 that perform the same type of measurement / inspection by scheduling as described above, the calibration process of the measurement / inspection instrument is performed prior to actual operation.
  • a calibration wafer is used.
  • This calibration wafer is a wafer on which a large number of calibration patterns that can be measured by the alignment systems of the devices 100, 101, 120, and 121 are formed.
  • the calibration measurement inspection pattern is formed on almost the entire surface of the calibration wafer.
  • a calibration pattern is formed on the exposure apparatuses 100 and 101 and the measurement / inspection instruments 120 and 121.
  • the calibration waveform is sequentially loaded, the same pattern on the calibration wafer is detected (measured) by each alignment system, and the mark waveform signal acquired by the alignment system of each device 100, 101, 120, 121 is
  • the alignment optical system (alignment optical system AS in the exposure apparatus 100 in FIG. 2) and the alignment sensor (alignment sensor 21 in the exposure apparatus 100 in FIG. 2) Adjust.
  • a number of different types of patterns (for example, a plurality of typical patterns with different line widths and Z or shapes) are measured on the calibration wafer. Matching adjustment is performed so that the detected mark waveforms match between devices.
  • the best imaging plane of the projection optical system PL of the exposure apparatuses 100 and 101, the best imaging plane of the optical system of the measurement inspectors 120 and 121, and the like are obtained by a method such as aerial image measurement.
  • the reference mark plate FM provided on the stage holding the wafer W is positioned on the best imaging plane.
  • the focus detection system AF is used to detect the defocus amount of the reference mark plate FM at multiple measurement points of the focus detection system AF. The detection result at this time becomes an offset component at each measurement point.
  • the stage is moved in the optical axis direction of the projection optical system PL, and the focus optical system (60a, 60b) is adjusted and the focus is adjusted so that the defocus amounts at the multiple measurement points are the same. Adjusts sensor 23 offset and gain.
  • the alignment system ALG and the focus detection system AF of the exposure apparatuses 100 and 101, the measurement inspectors 120 and 121 measure in the same state for the same mark on the same wafer. Is possible.
  • a calibration wafer on which a calibration pattern is formed is sequentially loaded into the exposure apparatuses 100 and 101 and the measurement / inspection instruments 120 and 121, and each apparatus 100, 101, 120, 121 is loaded.
  • Non-linear components of the stage movement that represent the deviation of the coordinate system when the stage holding the wafer W is moved according to the measurement value of the interferometer and the XY coordinate system that holds W (Component) may be obtained.
  • the pattern formed on the calibration wafer is powered so as to be positioned within the detection field of the alignment system, and the position of the pattern is measured by the alignment system.
  • the measurement value of the pattern misalignment at this time corresponds to the nonlinear component of the stage grid.
  • Figure 4 shows a flowchart of this process.
  • a series of processes of the device manufacturing / processing system 1000 is scheduled and managed by the host 600 and the management controller 160. Actually, the processing shown in FIG. 4 is repeated for each wafer, for example, in a pipeline manner.
  • step 203 reticle R is loaded onto the reticle stage, alignment of reticle R (reticle alignment), and baseline (ofix alignment ALG).
  • Preparation processing such as measuring the distance (positional relationship) between the detection center of the pattern and the projection center of the pattern on the reticle R.
  • processing for the wafer W is performed.
  • a film is formed on the wafer W in the film forming apparatus 910 (step 205), the wafer W is transferred to the CZD 110, and a resist is applied on the wafer W to the CZD 110 (step 20). 7).
  • a measurement / inspection instrument 120 or 121 for measuring / inspecting the wafer W is selected and its measurement / inspection conditions are set.
  • the flow of this process is as follows.
  • the analysis device 170 inquires of the host 600 (or the management controller 160) whether the exposure device 100 or 101 is used for exposure. (2) The host 600 (or management controller 160) sends the exposure apparatus name to the analysis apparatus 170.
  • the analysis apparatus 170 inquires of the selected exposure apparatus about data relating to the processing conditions of the exposure apparatus.
  • This data includes data relating to processing conditions such as alignment ALG and focus detection AF.
  • the exposure apparatus Upon receiving the inquiry, the exposure apparatus sends data related to the measurement / inspection conditions to the analysis apparatus 170.
  • the analysis device 170 selects an optimal measurement / inspection instrument based on the received data.
  • the analysis apparatus 170 can select a measurement / inspection instrument that performs the pre-measurement / inspection process depending on the compatibility with the exposure apparatus that exposes the wafer W. For example, as will be described later, when the exposure apparatus 100 is selected as the exposure apparatus that performs exposure on the wafer W, the alignment system measurement conditions in the measurement / inspection instrument are set to the alignment in the exposure apparatus 100. If the measurement conditions exceed the range of the measurement conditions that can be set when the measurement conditions of the system ALG are met, do not select the measurement inspection instrument and select another measurement inspection instrument. I'll do it.
  • the analysis device 170 returns the selection result to the host 600 (or the management controller 160).
  • the analysis device 170 sends data related to the measurement / inspection conditions to the selected measurement / inspection instrument.
  • measurement and inspection conditions include, for example, the wavelength and focus offset at the time of mark measurement by the alignment optical system, the processing conditions of the signal processing device that processes the mark waveform data detected by the alignment sensor, such as the mark length, the mark Alignment such as' type, mark 'pitch, mark width, mark' center shift, signal waveform shape (single Z double), mark detection algorithm, mark detection tolerance, number of required measurement marks, number of required measurement shots and EGA limit value
  • focus offset is the offset component of signal output, focus sensor placement, focus sensor selection and focus measurement algorithm for processing focus signals.
  • the selected measurement / inspection instrument sets the measurement / inspection conditions according to the received data.
  • the measurement / inspection instrument (120 or 121) selected in step 208 is set.
  • the alignment optical system AS and the alignment sensor 21 are adjusted for matching using a calibration wafer or the like.
  • other measurement conditions of the alignment system ALG are also adjusted to match the exposure apparatus, so the mark detection waveform for the same mark is almost the same. Marks can be detected in exactly the same state. That is, at this point, the difference between the measuring and inspecting instruments 120 and 121 has been eliminated.
  • FIGS 5 (A) to 5 (C) schematically show the relationship between the position of the overlay measurement mark Ml formed in the shot area SA, the arrangement of the shot area SA, and the shot area SA itself. Indicated! /
  • FIG. 5 (A) is a diagram in the case where the arrangement (wafer grid) force of the shot area SA has only a linear component.
  • the wafer grid of the right side shot area SA shown in Fig. 5 (A) has only rotation, magnification, and offset components, and the position of the mark Ml is It can be obtained only with linear components. Therefore, in this case, according to the linear component of the arrangement of the shot areas SA, the mark Ml can be positioned at the center of the detection visual field of the alignment system ALG.
  • FIG. 5 (B) is a diagram in the case where the arrangement (wafer grid) force of the shot area SA has a nonlinear component in addition to the linear component.
  • the arrangement of shot areas SA having only a linear component is shown, whereas in the shot arrangement on the right side of Fig. 5 (B), the positional relationship between adjacent shot arrangements changes.
  • the position of mark Ml has changed accordingly.
  • the mark Ml can be positioned at the center of the detection field of the alignment system ALG.
  • the alignment system ALG can always be positioned at the center of the detection field of view, and variations in mark detection errors due to aberration components of the alignment optical system AS can be reduced.
  • the shot area selected as the measurement target among the plurality of shot areas SA of the previous layer already formed on the wafer W is selected.
  • SA hereinafter referred to as measurement shot
  • the shot flatness focus step in the shot area
  • the number and arrangement of the measurement shots may be arbitrary, but may be, for example, eight shots on the outer periphery of Ueno and W.
  • the film on the wafer W is inspected, and mark measurement is performed to optimize alignment-related parameters.
  • the measurement / inspection result of the measurement / inspection instrument (120 or 121) is sent to the exposure apparatuses 100 and 101 and the analysis apparatus 170.
  • the analysis apparatus 170 performs, for example, optimization of alignment-related parameters of the exposure apparatuses 100 and 101 based on the measurement result of the marks as necessary.
  • the optimization result is sent to the corresponding exposure apparatus, and the exposure apparatus sets the optimum value of the alignment-related parameter.
  • this measurement result (for example, focus step)
  • the wafer is transferred to an exposure apparatus (referred to as 100), and exposure processing for transferring the circuit pattern on the reticle R onto the wafer W is performed by the exposure apparatus 100 (step 211).
  • the exposure apparatus 100 monitors the trace data of the exposure amount control error, the synchronization accuracy control error, the focus control error, and the lens control error during the measurement shot exposure, and the internal memory Is stored as log data.
  • the wafer W is transferred to the CZD 110 and developed at the CZD 110 (step 213).
  • a measurement / inspection instrument for performing post-measurement / inspection processing is selected and measurement / inspection conditions are set. Thereafter, post-measurement inspection processing such as measurement of the line width of the resist image, measurement of the line width of the device pattern transferred onto the wafer W, and pattern defect inspection is performed (step 215). These steps 214 and 215 may be performed after an etching process described later.
  • steps 214 and 215 will be described in detail for each of the measurement and inspection processes (1) and (2). Since the process up to the selection of the measurement / inspection instrument in step 214 is as described above, the following processing will be described after the measurement / inspection instrument is selected.
  • the selected measurement / inspection instrument inquires of the exposure apparatus (the power that is either 100 or 101, here the exposure apparatus 100) about data relating to processing conditions necessary for the measurement / inspection.
  • the exposure apparatus 100 includes information necessary for overlay error measurement, for example, the environment (temperature, humidity, pressure) in the exposure apparatus 100, the measurement conditions of the alignment system ALG, and the alignment result data of the wafer W (wafer grid and shot). (Surface deformation component of area SA itself), Ueno, W surface shape data (focus step data), and focus related parameters are sent to the measurement / inspection instrument.
  • the measurement / inspection instrument adjusts the environment in the measurement / inspection instrument and the measurement conditions of the alignment system to the exposure apparatus 100 according to the sent information.
  • the alignment is performed in a state where the measurement conditions of the alignment system ALG (such as the processing conditions of the alignment apparatus 22) in the exposure apparatus 100 are set.
  • the overlay error measurement mark on the wafer W is measured.
  • the focus of the optical system for the mark to be measured is the same focus as the exposure apparatus 100. This is done by taking into account the focus step data measured in the pre-measurement inspection process under the residue-related parameters. In this way, the time required for focusing on the mark can be shortened.
  • the selected measurement / inspection instrument inquires the analyzer 170 about the mark to be excluded from the measurement target. After receiving this inquiry, the analysis apparatus 170 requests the exposure apparatus 100 to transmit log data. The exposure apparatus 100 transmits log data when processing for the wafer W is performed to the analysis apparatus 170. Based on the received log data, the analyzer 170 calculates the control error at the point where the overlay error measurement mark is formed as shown in FIGS. 3 (A) to 3 (E). The log data power is calculated.
  • the CD table group is referred to, and the estimated line width value of the overlay error measurement mark is obtained.
  • the overlay error measurement mark is set to be excluded from the measurement target. Then, the analysis result of each overlay error measurement mark on the wafer W to be measured is returned to the measurement / inspection instrument.
  • the analysis apparatus 170 can perform various processes in addition to the mark removal.
  • the overlay error measurement mark is a line 'and' space 'pattern (LZS pattern), and the asymmetry force of the overlay error measurement mark can be estimated based on the mouth data of the exposure tool 100.
  • the amount of misalignment of the estimated mark may be calculated as an analysis result.
  • the measurement / inspection instrument that has received the analysis result from the analysis device 170 is excluded based on the result, and measures the overlay error using the overlay error measurement mark. If necessary, The overlay error is corrected by the positional deviation amount calculated as described above.
  • the analysis apparatus 170 uses only the log data of the exposure apparatus 100 to obtain the measurement inspection result (film thickness, film thickness, See clutch on film, peel, etc., or combinations thereof) Exclusion of overlay error measurement marks and estimation of misalignment may be performed. In addition, when the misalignment amount of the overlay error measurement mark can be estimated to some extent from the data related to the environment of the exposure apparatus, the analysis device 170 calculates the misalignment amount and sends it to the measurement inspector. May be. In this case, for example, the following equation can be used to estimate the positional deviation amount.
  • Result is the amount of displacement of the mark to be calculated. Result is calculated by incrementing the value of the previous sample. The increment value is a linear function of temperature change ⁇ Temperature, humidity change ⁇ Humid, and pressure change ⁇ Press during the sampling time. ⁇ , j8, and ⁇ are respective coefficients, and offsetT, offsetH, and offsetP are offset components with respect to temperature change, humidity change, and atmospheric pressure change.
  • the result on the right side is the value one sample before
  • the result on the left side is the updated value. Equation (1) shows that the updated result on the left-hand side is obtained as a result of taking the data related to the exposure system environment into the result one sample before!
  • the coefficients ⁇ , j8, and ⁇ and the offsets offsetT, offsetH, and offsetP are statistics that represent the relationship between the temperature change, humidity change, and atmospheric pressure change acquired in the past, and the mark displacement amount. Based on the data, for example, it can be obtained using a technique such as statistical analysis. For example, the coefficient and the offset can be calculated by measuring the relationship between one month and one day, using the measurement data, and using the least square method or the like.
  • the selected measurement / inspection instrument inquires of the exposure apparatus (assumed to be 100) about data relating to processing conditions necessary for measurement / inspection.
  • the exposure equipment uses information necessary for defect inspection of device patterns, such as the environment (temperature, humidity) in the exposure equipment, the measurement conditions of the alignment system ALG, and the wafer W alignment result data (wafer grid and shot area SA itself). Data of the deformation component) and the surface shape of the wafer W, etc.
  • the regular inspection device matches the environment in the measurement inspection device and the measurement conditions of the alignment system, the focus-related parameters (including focus step data), etc., to the exposure apparatus 100 according to the sent information.
  • wafer alignment is performed in a state where the measurement conditions of the alignment system ALG (such as the processing conditions of the alignment apparatus 22) in the exposure apparatus 100 are set.
  • the overlay error measurement mark on the wafer W is measured.
  • the measurement optical system is focused on the mark to be measured in consideration of the focus step data measured in the preliminary measurement inspection process. In this way, the time required for focusing on the mark can be shortened.
  • the selected measurement / inspection instrument inquires of the analysis device 170 about the content of the measurement process. Then, after receiving this inquiry, the analysis apparatus 170 requests the exposure apparatus 100 to transmit log data. The exposure apparatus transmits log data when processing is performed on the wafer W to the analysis apparatus 170. Based on the received log data, the analyzer 170 calculates the control error at the point where the pattern to be inspected is formed, as shown in FIGS. 3 (A) to 3 (E). Calculate using the data. Then, the estimated line width value of the pattern is obtained by referring to the CD table group using the control error as a key.
  • the measurement / inspection instrument performs pattern defect inspection according to the analysis result.
  • the detection sensitivity of the defect inspection may be set higher.
  • the control error power, the estimated line width value, and the design line width are considered to be almost the same, the pattern reliability is considered high, so the detection sensitivity for pattern defect inspection is set low. Or a relatively rough pattern inspection can be performed.
  • the analysis apparatus 170 performs measurement and measurement of the film on the wafer W performed in at least one of the log data of the CZD110, the pre-measurement inspection process, and the like using only the log data of the exposure apparatus.
  • ⁇ It may be possible to set the sensitivity for pattern defect inspection by referring to the result (film thickness, clutch on film, peeling, etc., or a combination thereof).
  • the wafer W is also transferred to the etching apparatus 930 by the measurement / inspection instrument force, and is etched in the etching apparatus 930 to perform impurity diffusion processing, wiring Processing, film formation by the film forming apparatus 910, flattening by the CMP apparatus 940, ion implantation processing by the oxidation ion implantation apparatus 920, etc. are performed as necessary (step 219).
  • the host 600 determines whether all the processes are completed and all the patterns are formed on the wafer (step 221). If this judgment is denied, the process returns to step 205, and if affirmed, the process proceeds to step 223. In this way, a series of processes such as film formation 'resist application to etching' are repeatedly executed for the number of steps, whereby the circuit pattern is laminated on the wafer W to form a semiconductor device.
  • the probing process (step 223) and the repair process (step 225) are executed in the device manufacturing 'processing apparatus group 900.
  • step 223 when a memory failure is detected, in step 225, for example, a replacement process with a redundant circuit is performed.
  • the analysis device 170 can also send information such as the location where the pattern defect has occurred to a device that performs the probing process and the repair process. In the inspection apparatus (not shown), the portion where the line width abnormality has occurred on the wafer W can be excluded from the processing target for the probing process and the repair process in units of chips.
  • a dicing process (step 227), a packaging process, and a bonding process (step 229) are executed, and the product chip is finally completed.
  • the post-measurement inspection process in step 215 may be performed after the etching in step 219.
  • an overlay error and a Z or pattern defect inspection are performed on an image formed on the wafer W after etching (hereinafter also referred to as an etched image). It may be performed both after development and after etching. In this case, since the measurement inspection is performed on both the resist image and the etching image, the processing state of the etching process can be detected based on the difference between the measurement results. become.
  • FIG. 6 schematically lists processing conditions that can be matched with the exposure apparatus in the measurement / inspection instrument.
  • environmental data such as temperature “humidity” and atmospheric pressure at the time of exposure can be matched with the measurement / inspection instrument.
  • the measurement / inspection instrument obtains environmental data when exposure is performed by the exposure system directly from the exposure system or via the analyzer 170, management controller 160, or host 600, and the data is displayed.
  • the environment inside the equipment is controlled so that the environment and the environment inside the equipment are the same, and the wafer W is measured and inspected while the environment is the same.
  • the alignment system is adjusted between the exposure apparatus and the measurement / inspection instrument.
  • Some of the hardware processing conditions such as the alignment optical system for detecting the mark and the alignment sensor for detecting the mark waveform signal are matched by a calibration process using a calibration wafer. Different conditions are required for each wafer W, for example, the wavelength and focus offset at the time of mark measurement by the alignment optical system, and the processing conditions of the signal processing device that processes the mark waveform data detected by the alignment sensor For example, mark length, mark 'type, mark' pitch, mark width, mark 'center shift, signal waveform shape (single Z double), mark detection algorithm, mark detection tolerance, number of required measurement marks, required measurement shots
  • the parameters such as the number and EGA limit value are set so that the exposure apparatus and the measurement / inspection instrument agree before the pre-measurement / inspection process for wafer W and the post-measurement / inspection process.
  • some of the processing conditions of the hardware such as the focus optical system for detecting alignment or device pattern processing focus signals, and the focus sensor are the reference mark plate FM (or calibration weno, The matching is adjusted by the calibration process using). Then, different conditions are required for each wafer W, processing conditions for a focus optical system, a part of a focus sensor, processing conditions for a signal processing apparatus that processes a focus signal detected by them, a device step correction map, Prior to the measurement / inspection processing for the wafer W, conditions such as the focus offset, the focus sensor arrangement, the focus sensor selection, and the focus detection algorithm are set so that the exposure apparatus and the measurement / inspection instrument match.
  • the actual position of the mark on wafer W is The positional force in design shifts according to the arrangement of the shot area SA (wafer grid) including the mark and the distortion of the device pattern of the Z or shot area SA itself (distortion of the image of the device pattern when transferred).
  • the shot area array and device pattern distortion include non-linear components that can only be expressed by high-order functions, in addition to linear components such as rotation, magnification, and offset. In the alignment system, if these nonlinear components are taken into consideration, the mark to be measured can always be positioned at the center of the detection field of the alignment system.
  • each overlay error measurement mark is suitable for measurement. This is determined in consideration of the log data of various control errors of the exposure apparatuses 100 and 101, the processing state of the CZD 110, and the measurement result of the resist film. For example, based on these log data, marks that are inappropriate for overlay error measurement are excluded, mark measurement conditions are adjusted, and the measurement position of the mark overlay error measurement mark is corrected. . In this way, it is possible to stabilize the measurement and inspection results and reduce machine differences.
  • the measurement inspection pattern formed on the calibration wafer was transferred by the exposure apparatus in the same manner as the pattern on the process wafer, which was transferred under strict standards. Since it is influenced by the aberration of the projection optical system of the exposure apparatus, the alignment based on the measurement inspection result of the measurement inspection pattern of the calibration wafer is considered in consideration of the deformation of the measurement inspection pattern due to the aberration. System matching may be adjusted. [0122] In the above points, when the processing conditions of the exposure apparatus and the measurement / inspection instrument are matched, the processing states of the exposure apparatus and the measurement / inspection instrument are almost the same. Machine differences in measurement and inspection results are reduced, and stable measurement and inspection are always possible. Note that the alignment order of the alignment system and the Z or focus system calibration process using the calibration wafer or the reference mark plate is not particularly limited in order to adjust the force and other processing conditions that must be performed before the process is executed. ⁇ .
  • a plurality of the same measurement / inspection processes are performed based on the information on the wafer W and the information on a series of substrate processes for Z or its Ueno and W.
  • a measurement / inspection instrument suitable for measurement / inspection of wafer W is selected from measurement / inspection instruments 120 and 121, and measurement / inspection conditions for measurement / inspection instruments 120 and 121 are selected according to actual wafers W and Z or their substrate processing. Adjust or correct the measurement test results. As a result, measurement and inspection in a state corresponding to the wafer W becomes possible, so that the machine difference between the measurement / inspection instrument 120 and the measurement / inspection instrument 121 when measuring and inspecting the actual process wafer W is reduced. It becomes possible.
  • the calibration wafers are sequentially loaded into the exposure apparatuses 100 and 101 and the measurement / inspection instruments 120 and 121, respectively, and the respective alignment system ALG
  • the same measurement / inspection mark on the calibration wafer is measured and inspected, and the result of the measurement / inspection results.
  • the operating conditions of the alignment system ALG detection system so that the exposure equipment 100, 101 and the measurement inspector 120, 121 match.
  • a calibration process can be performed to calibrate. This ensures that the alignment ALG hardware is matched and adjusted so that the measurement and inspection results of the same mark are the same between the measurement and inspection instruments 120 and 121, between the exposure system and the measurement and inspection instrument. become.
  • the exposure apparatuses 100 and 101 and the measurement / inspection instruments 120 and 121 are provided with the alignment system (including the autofocus mechanism) having the same configuration.
  • the equipment alignment system does not necessarily have the same hardware configuration.
  • the exposure apparatuses 100 and 101 and the measurement / inspection instruments 120 and 121 include the alignment optical system AS and the alignment sensor 21 that photoelectrically detect waveform data corresponding to the alignment marks on the wafer W. , Detect the alignment status of the alignment mark
  • the focus optical system (60a, 60b) and the focus sensor 23 are not limited to this, but the alignment optical system AS and the alignment sensor 21, or the focus optical system (60a, 60b) and the focus sensor 23 are not limited thereto. If it is common. Again, the common hardware operating conditions can be calibrated using a calibration wafer.
  • each apparatus it is not necessary for all of the detection systems to be common, and if there is a common part among them, it is possible to adjust the processing conditions in that part. Even if there is no common part in the detection system, it is possible to make adjustments so that the measurement and inspection results match as much as possible.
  • various data can be applied as a series of substrate processing data used for adjusting the measurement conditions of the measurement / inspection instrument.
  • data related to detection processing of alignment marks formed on wafers and wafers by substrate processing data related to the focus state of alignment system ALG marks of exposure apparatuses 100 and 101, and shots formed on wafers W by exposure.
  • Data related to arrangement of area SA data related to distortion of device pattern formed on wafer W by exposure (deformation of shot area SA), data related to processing status of exposure apparatus 100, 101, environment in exposure apparatus 100, 101
  • Data related to this and data related to measurement and inspection results of the film generated on the wafer W can be applied.
  • the overlay error measurement mark determined to be abnormal may be excluded.
  • information on the processing state of the exposure apparatuses 100 and 101, and information on the measurement and inspection result of the film generated on the wafer W The inspection condition for pattern defect inspection can be adjusted based on at least one of the above. More specifically, the portion determined to be abnormal is inspected more heavily than the portion diagnosed as normal. Furthermore, if the pattern defect inspection frequency of the part diagnosed as normal is reduced, it is possible to prevent a decrease in the overall throughput.
  • an actual process wafer is used for adjustment of the measurement / inspection instrument, but it was used for hardware matching adjustment of the measurement / inspection instrument 120, 121 and the exposure apparatus 100, 101.
  • a calibration wafer may be used.
  • measurement / inspection processing is performed in consideration of data related to distortion of the measurement / inspection pattern formed on the calibration wafer (for example, aberration data of the projection optical system of the exposure apparatus to which the pattern is transferred). It is possible to adjust at least one of the measurement / inspection conditions and measurement / inspection result information of the measurement / inspection instrument selected as the inspector.
  • data for selecting and adjusting the measurement / inspection instruments 120 and 121 data relating to the processing state of the exposure apparatuses 100 and 101, that is, wafer W and device pattern in exposure.
  • data related to the control error it is also possible to use, for example, data related to the control error in the film generation process and the Z or development process in CZD110.
  • the present invention is not limited to this, and data relating to the processing state of each device in the device manufacturing / processing device group 900 can also be used for adjustment of a measurement / inspection instrument that performs measurement / inspection of the wafer W after the processing.
  • a plurality of different overlay error measurement marks are usually formed on the reticle R.
  • a mark is formed on the reticle R as an overlay error measurement mark, and is transferred and formed on the wafer W together with the device pattern. It shall be.
  • Any one mark may be selected as the overlay error measurement mark.
  • the analysis device 170 is a force exposure device 100 that has acquired the log data from the exposure device 100 as it is, and the statistical value (MSD value, MEAN value) of the control error is calculated. Then, you can get the statistics.
  • the measurement / inspection conditions of the measurement / inspection instrument are adjusted for each wafer, but the present invention is not limited to this. For example, it may be performed every time an abnormality in the measurement / inspection result is detected, or may be performed at predetermined intervals (every several wafers, every predetermined time).
  • the force measuring and inspecting instruments 120 and 121 are connected in-line with the exposure apparatus 100 and the track 200.
  • the force measuring and inspecting apparatuses 120 and 121 are connected in-line with the exposure apparatus 100 and the like. It can be an off-line measurement / inspection instrument.
  • JP-A-11-135400 JP-A-2000-164504, WO2005Z074014, WO1999Z23692, US Pat. No. 6,897,963, etc.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a wafer stage that holds Weno and W, and a measurement stage equipped with a reference member on which a reference mark is formed and various photoelectric sensors.
  • the step-and-scan type exposure apparatus has been described.
  • the present invention is not limited to the step-and-repeat type exposure apparatus, and other exposure apparatuses, for example, the proximity system. It can also be applied to other exposure apparatuses.
  • the present invention can also be suitably applied to a step-and-stitch type exposure apparatus that synthesizes a shot area and a shot area.
  • the various apparatuses are not limited to those types. For example, instead of the reticle R, a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern is changed based on electronic data of a pattern to be exposed, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,778,257.
  • Electronic masks to be formed also called variable molding masks, active masks, or image generators, including non-light emitting image display elements (spatial light modulators) such as DMD (Digital Micro-mirror Device)) Even an exposure system that employs a can!
  • the present invention can also be applied.
  • a force that employs an exposure apparatus that locally fills the liquid between the projection optical system and the substrate is disclosed in JP-A-6-124873, JP-A-10-303114, and US Pat.
  • the present invention is also applicable to an immersion exposure apparatus that performs exposure in a state where the entire exposed surface of the substrate to be exposed is immersed in a liquid as disclosed in the specification of US Pat. No. 5,825,043.
  • the exposure apparatus 100 may be an immersion exposure apparatus
  • the exposure apparatus 101 may be an exposure apparatus that is not immersion.
  • the present invention is not limited to a semiconductor manufacturing process, and can be applied to a manufacturing process of a display including a liquid crystal display element.
  • the present invention can be applied to management.
  • the analysis device 170 is a PC, for example. That is, the analysis processing in the analysis apparatus 170 is realized by being executed by the analysis program power PC. This analysis program can be installed on the PC via the media as described above, and can be downloaded to the PC via the Internet! good.
  • the analysis device 170 may be configured by hardware.
  • the independent analysis device 170 is provided.
  • the analysis device 170 may be provided in each of the measurement / inspection instruments 120 and 121. In this case, the analysis function provided in each of the measurement / inspection instruments 120 and 121 is based on the wafer W data and the processing status data of the Z or the exposure apparatuses 100 and 101. It will be judged whether or not it is appropriate to measure W.
  • the device manufacturing method, device manufacturing system, and measurement / inspection apparatus of the present invention are suitable for producing devices.

Abstract

　露光装置で露光を行う前後において、測定検査器でウエハの測定検査を行う場合には、露光装置と測定検査器との装置内の環境、アライメント系の計測条件、ＡＦ計測装置の計測条件、ウエハグリッド、像歪みなどの各種条件を一致させる。特に、露光装置、コータ・デベロッパの処理状態、膜の計測結果などに応じて、重ね合わせ誤差測定用マークの除外、その計測条件の調整及び計測結果の補正、環境の調整、環境に応じた計測結果の補正、パターン欠陥検査の調整を行う。また、較正処理においては、較正用ウエハ上のパターンを転写した露光装置の投影光学系の収差なども考慮する。これにより、デバイス生産の歩留まりを向上させることができる。

Description

デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置 技術分野
[0001] 本発明は、デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置に係り、さ らに詳しくは、例えば、半導体素子、液晶表示素子、 CCD (Charge Coupled Device) 等の撮像素子、薄膜磁気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフイエ程を含むデ バイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置に関する。
背景技術
[0002] 半導体素子等のデバイスは、ウェハ等の基板に対し、成膜'レジスト処理、露光処 理、ポストベータ（PEB)処理、現像処理、エッチング処理などの一連の複数の基板 処理を、この順番で繰り返すことにより製造される。これら一連の基板処理では、デバ イス生産の歩留まりの向上を目的として、個々の基板処理が終了するとその基板の 測定検査処理を行っている。成膜'レジスト処理後における、基板上の膜の測定検査 処理、現像処理又はエッチング処理後における、基板上に形成されたパターンの欠 陥検査などはその一例である。
[0003] デバイス製造工場内では、同一の処理を行う複数台の測定検査器が設置されて ヽ るのが一般的であり、それらの測定検査器の中からいずれか 1つの装置を選択して、 その基板の測定検査を行うのが通常である。このようにすれば、測定検査処理を行う ための待ち時間を極力少なくして、スループットを向上することができる力もである。
[0004] しカゝしながら、複数台の測定検査器が同じ機種であっても、同じ基板を測定検査し た場合に測定検査結果に違 、が生じる場合がある。このような測定検査結果の違 ヽ は、基板の情報を検出するセンサ回路のゲイン、オフセット成分及び検査感度などを 、測定検査器間で同じ値に設定したとしても機差として残留する。
[0005] そこで、実際の運用に先立って、較正用の基準基板を各測定検査器で測定検査さ せ、その基板上に形成された同一のパターンの測定検査結果が測定検査器間で極 カー致するように (すなわち、機差が低減するように)、各測定検査器の測定検査状 態を較正する較正処理が従来にぉ 、ても行われて 、た。 [0006] しカゝしながら、実際にデバイスパターンが形成される基板と較正用の基準基板との 状態の違い、あるいはパターンそのものの違いなどにより、上述のような較正作業を 行ったとしても、実際の基板に対する測定検査結果に機差が生じてしまう。
発明の開示
課題を解決するための手段
[0007] 本発明は、第 1の観点カゝらすると、基板に対する測定検査処理を含む一連の基板 処理を経てデバイスを製造するデバイス製造方法であって、前記基板に関する情報 と、当該基板に対する一連の基板処理に関する情報との少なくとも一方を取得する 取得工程と;前記取得された情報に基づいて、同一の測定検査処理を行う複数の測 定検査装置の中から、前記基板を測定検査する 1つの測定検査装置を選択する選 択工程と;前記取得された情報に基づいて、前記選択された測定検査器の測定検査 条件及び測定検査結果に関する情報の少なくとも一方を調整する調整工程と;を含 むデバイス製造方法である。
[0008] これによれば、基板に関する情報及び Z又は、その基板に対する一連の基板処理 に関する情報に基づいて、最適な測定検査器を選択し、前記情報に基づいて、測定 検査条件及び Z又は測定検査結果に関する情報を調整するので、測定検査条件及 び Z又は測定検査結果を、その基板に合わせたものとすることができる。これにより、 いずれの測定検査器を用いても、機差が生ずることがない測定検査が可能となる。
[0009] 本発明は、第 2の観点カゝらすると、基板に対する測定検査処理を含む一連の基板 処理を経てデバイスを製造するデバイス製造システムであって、前記基板に関する 情報と、当該基板に対する一連の基板処理に関する情報との少なくとも一方を取得 する取得装置と；同一の前記測定検査処理を行う複数の測定検査器と；取得された 前記情報に基づいて、前記複数の測定検査器の中から、実際に前記基板を測定検 查する 1つの測定検査器を選択する選択装置と；取得された前記情報に基づ!/ヽて、 選択された前記測定検査器の測定検査条件及び測定検査結果に関する情報の少 なくとも一方を調整する調整装置と;を備えるデバイス製造システムである。
[0010] これによれば、取得装置で取得された、基板に関する情報及び Z又は、その基板 に対する一連の基板処理に関する情報に基づいて、選択装置により、最適な測定検 查器が選択される。また、調整装置により、前記情報に基づいて、測定検査条件及 び Z又は測定検査結果に関する情報が調整される。従って、測定検査条件及び Z 又は測定検査結果を、その基板に合わせたものとすることができる。これにより、いず れの測定検査器を用いても、機差が生ずることがない測定検査が可能となる。
[0011] 本発明は、第 3の観点力 すると、基板に対する測定検査処理を行う測定検査装置 であって、前記基板に関する情報と、当該基板に対する一連の基板処理に関する情 報との少なくとも一方を取得する取得装置と;取得された前記情報に基づいて、実際 に前記基板を測定検査するのに適切であるか否かを判定する判定装置と；前記判定 装置により適切であると判定された場合に、取得された前記情報に基づいて、測定 検査条件及び測定検査結果に関する情報の少なくとも一方を調整する調整装置と； を備える測定検査装置である。
[0012] これによれば、取得装置で取得された、基板に関する情報及び Z又は、その基板 に対する一連の基板処理に関する情報に基づいて、判定装置により、実際に前記基 板を測定検査するのに適切である力否かが判定され、適切であると判定された場合 に、調整装置により、取得された前記情報に基づいて、測定検査条件及び測定検査 結果に関する情報の少なくとも一方が調整される。従って、測定検査条件及び Z又 は測定検査結果を、その基板に合わせたものとすることができる。
図面の簡単な説明
[0013] [図 1]一実施形態に係るデバイス製造システムの概略的な構成を示す図である。
[図 2]露光装置の概略的な構成を示す斜視図である。
[図 3]図 3 (A)〜図 3 (E)は、重ね合わせ誤差測定用マークと、各種制御系の制御誤 差との関係を示す図である。
[図 4]ウェハプロセスのフローチャートである。
[図 5]図 5 (A)〜図 5 (C)は、ショット領域の配列の成分を説明するための図である。
[図 6]露光装置と測定検査器とで一致させることが可能な条件を模式的に示す図で ある。
[図 7]図 7 (A)〜図 7 (E)は、重ね合わせ誤差測定用マークの例を示す図である。 発明を実施するための最良の形態 [0014] 以下、本発明の一実施形態を図 1〜図 6に基づいて説明する。
[0015] 図 1には、一実施形態に係るデバイス製造'処理システム 1000の概略構成が示さ れている。図 1に示されるように、デバイス製造 ·処理システム 1000は、工場内生産 管理メインホストシステム 600と、露光セル 700と、搬送ライン 800と、デバイス製造' 処理装置群 900と、露光工程管理コントローラ（以下、「管理コントローラ」と略述する ) 160と、解析装置 170とを備えている。
[0016] [工場内生産管理メインホストシステム]
工場内生産管理メインホストシステム（以下、「ホスト」と呼ぶ） 600は、デバイス製造 '処理システム 1000全体の状態を把握し、露光セル 700、搬送ライン 800、デバイス 製造'処理装置群 900、管理コントローラ 160、解析装置 170を統括制御するメイン ホストコンピュータである。
[0017] ホスト 600と、露光セル 700と、搬送ライン 800 (より具体的にはそのコントローラ）と 、デバイス製造'処理装置群 900と、管理コントローラ 160と、解析装置 170との間は 、有線又は無線の通信ネットワーク又は専用の通信回線を通じて接続されており、相 互にデータ通信を行うことができる。このデータ通信により、ホスト 600は、デバイス製 造 ·処理システム 1000全体の統括制御を実現している。
[0018] 露光セル 700は、複数の露光装置 100、 101と、複数のトラック 200と、複数の測定 検査器 120、 121と、搬送ライン 140とを備えている。図 2では、説明を簡単にするた めに、露光装置、トラック、測定検査器はともに 2台し力示されていないが、実際には 、 3つ以上設けられていても良い。
[0019] [露光装置]
露光装置 100、 101は、デバイスパターンを、フォトレジストが塗布されたウェハに 転写する装置である。露光装置 100、 101は同じ機種であるため、以下では、露光装 置 100を代表的に取り上げてその構成等について説明する。
[0020] 図 2には、露光装置 100の概略構成が示されて 、る。図 2に示されるように、露光装 置 100は、コヒーレントな照明光 ILを射出する照明系 10、照明光 ILにより照明される デバイスパターン等が形成されたレチクル Rを保持するレチクルステージ (不図示）、 照明光 ILにより照明されたデバイスパターン等を投影する例えば両側テレセントリツ クな投影光学系 PL、露光対象となるウェハ Wを保持するウェハステージ WST、オフ ァクシスのァライメント系 ALG及びこれらを統括制御する主制御装置 20等を備えて いる。
[0021] 照明系 10からの照明光 ILは、レチクルステージに保持されたレチクル R上に形成さ れた回路パターン等のデバイスパターンを照明する。以下では、この照射領域を照 明領域 IARと記述する。照明領域 IARを経由した照明光 ILは、投影光学系 PLを介 して、ウェハステージ WSTに保持されたウェハ W上に入射する。これにより、ウェハ W上には、照明領域 IAR内のデバイスパターンの投影像が形成される。以下では、 このウェハ W上の領域を露光領域 IAと記述する。
[0022] ここで、投影光学系 PLの光軸と平行な座標軸を Z軸とする XYZ座標系を考える。ゥ ェハステージ WSTは、 XY平面内で移動可能であるとともに、ウェハ Wの面を、 Z軸 方向のシフト、 0 x (X軸回りの回転)方向、 0 y(Y軸回りの回転)方向に調整すること が可能である。レチクルステージは、ウェハステージ WSTに同期して Y軸方向に移 動することが可能である。レチクルステージ及びウェハステージ WST (以下、適宜、 両ステージと呼ぶ）の投影光学系 PLの投影倍率に応じた Y軸方向への同期走査に より、レチクル R上のデバイスパターン力 照明領域 IARを横切るのに同期して、ゥェ ハ Wの面が露光領域 IAを横切る。これにより、レチクル R上のデバイスパターン全体 力 ウェハ W上に転写される。露光装置 100は、照明光 ILに対し、上述した両ステ一 ジの相対同期走査と、ウェハステージ WSTの XY面内でのショット間ステッピングとを 繰り返すことにより、ウェハ W上の複数の異なる領域 (ショット領域 SA)にレチクル R上 のデバイスパターンが転写される。すなわち、露光装置 100は、走査露光 (ステップ' アンド'スキャン)方式の露光装置である。
[0023] 主制御装置 20には、照明光 ILの強度 (露光量)を制御する露光量制御系、両ステ ージの同期制御及び投影光学系 PLの焦点深度内にウェハ Wの面を一致させるォ 一トフォーカス Zレべリング制御（以下、単に、フォーカス制御という）などを行うステ ージ制御系、並びに投影光学系 PLの結像性能を制御するレンズ制御系（いずれも 不図示)などの各種制御系が構築されている。
[0024] 露光量制御系は、露光量を検出可能な各種露光量センサの検出値に基づいて、 その露光量を目標値に一致させるように制御するフィードバック制御を行って 、る。こ のフィードバック制御における制御誤差などの時系列データは、予め指定されたイン ターバルで、常時ログデータとして保存される。
[0025] ステージ制御系は、各ステージの位置を計測する干渉計及び Z又は他のセンサの 計測値に基づいて、その位置を目標位置に一致させるように、両ステージの位置及 び速度を制御している。
[0026] ステージ制御系のうち、両ステージの同期制御を行う制御系を同期制御系とし、ス テージ (ウェハ面）の Z位置 (すなわち投影光学系 PLの光軸方向に関するウェハの 位置 (フォーカス位置)）、及び X軸回り、 Y軸回りの回転量 (デバイスパターンの投影 像に対するウェハ面の傾き）を制御する制御系を、フォーカス制御系とする。
[0027] 同期制御系は、走査露光中、両ステージの同期制御を行い、干渉計等の計測値に 基づいて、それらの同期誤差が低減されるように、フィードバック制御を行っている。 また、露光装置 100、 101には、ウェハ面のフォーカス Zレべリングずれを複数計測 点（図 2では 1つしか示されていないが、実際には、複数の計測点がある）にて検出す る斜入射方式のフォーカス検出系 AFが設けられて 、る。このフォーカス検出系 AF は、フォーカス光学系（60a, 60b)と、フォーカスセンサ 23と、フォーカス信号処理装 置 24とを備えている。
[0028] フォーカス光学系（60a、 60b)は、その送光系 60aから発せられ、ウェハ Wの被露 光面に斜入射し、反射した複数 (例えば 7 X 7=49)の光が、受光系 60bで受光され るように配置されている。各光は、ウェハ Wの被露光面上の複数の計測点での面高 さの情報を含む光となっている。フォーカスセンサ 23は、受光系 60bで受光されたこ れらの複数の光を光電変換し、複数の計測点の中から、例えば 9個程度の計測点を 選択して、フォーカス信号処理装置 24に出力する。フォーカス信号処理装置 24は、 選択された計測点に対応する光電変換信号に基づいて、その 9個の計測点を含む 領域のウェハ面高さ及び傾きを求め、主制御装置 20に出力している。主制御装置 2 0のフォーカス制御系は、このウェハ面高さ及び傾きに基づいて、露光領域 IAに対 応するウェハ面を、投影光学系 PLの像面に一致させるようなフィードバック制御を行 つている。フォーカスセンサ 23は、電気回路等のハードウェアで構成されている。ま た、フォーカス信号処理装置 24は、コンピュータであり、その機能は、コンピュータ上 で動作するソフトウェアにより実現されている。
[0029] フォーカス検出系 AFを用いてフォーカス制御を行うためには、フォーカス検出系 A Fの動作を規定する装置パラメータが適切に設定される必要がある。このような装置 ノ ラメータを、フォーカス関連パラメータという。フォーカス関連パラメータには、例え ば、ウェハ Wの被露光面の面形状であるフォーカス段差マップ、信号出力のオフセッ ト成分であるフォーカスオフセット、フォーカスセンサの配置、フォーカスセンサの選 択、フォーカス信号を処理するためのフォーカス計測アルゴリズムなどがある。
[0030] なお、同期制御系の制御誤差、及びフォーカス制御系の制御誤差の時系列データ についても、予め指定されたインターバルで常時ログデータとして保存される。
[0031] 投影光学系 PLは、屈折光学素子 (レンズ素子)等の複数の光学素子 (不図示)を 含んでいる。これらのレンズ素子のうち、幾つかのレンズ素子は、レンズ制御系によつ て外部力 その位置と姿勢を調整可能な可動レンズとなって 、る。これらのレンズ素 子各々が、 X軸、 Y軸、 Z軸 (光軸)方向にシフト駆動可能であり、各軸回りの回転方 向（θ χ、 0 y、 0 z)に回転駆動可能、すなわち 6自由度に駆動可能な構成となって いる。レンズ制御系は、大気圧、露光装置 100、 101のチャンバ内の温度、露光量、 及び投影光学系 PLのレンズの温度などをモニタし、そのモニタ結果に基づ 、て投影 光学系 PLの倍率変動量及びフォーカス変動量などを算出し、その算出結果に基づ いて、投影光学系 PL内部の気圧の調整、可動レンズ素子の位置'姿勢の調整 (及び レンズ間隔の調整）、並びにフォーカスオフセットの変更などを行っている。これにより 、ベストフォーカス位置と、倍率とが、目標値に追従するようになる。倍率変動量と、フ オーカス変動量は、予め指定されたインターノ レで常時ログデータとして保存される
[0032] 露光装置 100に搬入されたウェハ Wは、その外形を基準としてラフにァライメントさ れた状態で、ウェハステージ WST上にロードされる。図 2に示されるように、そのゥェ ハ W上において、すでにショット領域 SAが配列状に形成されている場合には、レチ クル R上のデバイスパターンを、そのショット領域 SAに正確に重ね合わせて転写する 必要がある。 [0033] そこで、露光装置 100ではウェハステージ WSTにロードされたウェハ W上にその デバイスパターンとともに形成されたァライメントマークを、オファクシス方式のァラィメ ント系 ALGで計測して、 XY座標系におけるそのマークの位置座標を計測する。
[0034] ァライメント系 ALGは、レジストが感光しない波長帯域を有する照明光 (検出ビーム )をウェハ W上に照射する送光系と、ウェハ Wの被露光面力 の反射光を受光する 受光系とからなるァライメント光学系 ASを備えている。さらに、ァライメント系 ALGは、 ァライメント光学系 ASを介して得られる光を光電検出することで、例えば、マーク波 形に相当する信号を検出するためのァライメントセンサ 21を備えている。この光電検 出の結果得られる検出信号力、マークを含むウェハ Wの下地に対応する波形である 場合、すなわちァライメント系 ALGの検出視野内にマークが存在する場合には、そ の検出信号に基づいて、マークの位置座標を検出することが可能である。図 2には、 ァライメントセンサ 21により検出されたマーク波形を処理して、そのマークの位置座標 を算出するァライメント装置 22が示されている。ァライメントセンサ 21は、 CCD及び電 気回路等のハードウェアで構成されている。また、ァライメント装置 22は、コンビユー タであり、その機能は、コンピュータ上で動作するソフトウェアにより実現されている。
[0035] なお、デバイスパターンの正確な重ね合わせ露光を行うためには、ウェハ W上のす ベてのショット領域 SAの位置情報を計測しても良いが、それでは、スループットに影 響が出るおそれがある。そこで、露光装置 100では、実際に計測するァライメントマ一 クを限定し、計測されたァライメントマークの位置の計測結果から、ウェハ W上のショ ット領域 SAの配列を統計的に推定するグローバルァライメント技術を採用している。 露光装置 100では、このグローバルァライメントとして、設計上のショット配列に対する 実際のショット配列のずれを、 X、 Yを独立変数とする多項式で表現し、統計演算を 行ってその多項式における妥当な係数を求める、いわゆる EGA方式のウェハァライ メントが採用されている。 EGA方式のウェハァライメントでは、まず、計測対象のァラ ィメントマークを計測するショット領域を幾つ力選択する。選択されたショット領域をサ ンプルショットという。ァライメント系 ALGでは、サンプルショットに付設されたァライメ ントマーク（サンプルマーク）の位置を計測する。このような計測動作を、以下では EG A計測と呼ぶ。 [0036] EGA方式のウェハァライメントでは、この EGA計測の計測結果、すなわち幾つか のサンプルマークの位置情報に基づく統計演算により、ショット領域 SAの配列を表 す補正量を推定する。このような演算を、以下では EGA演算と呼ぶ。なお、 EGA方 式のウェハァライメントについては、特開昭 61—44429号公報及びこれに対応する 米国特許第 4, 780, 617号明細書等に開示されている。なお、ショット領域 SAの配 列の座標系は、基準マーク板 FM上に形成された基準マークを基準としている。
[0037] 上記多項式により求められる、各ショット領域の位置の XY補正量を、 EGA補正量 という。 EGA方式のウェハァライメントで求められる多項式の係数は、最小二乗法で 求められたものであることから、マーク位置の実測値と、 EGA補正量により補正され たマーク位置との間にはずれ (非線形誤差成分）が残る。このずれを残差という。この 残差は、精度の観点力もすれば、小さい方が望ましいのは勿論である。
[0038] 残差を小さくするための手段の 1つ力 EGA多項式モデルの高次化である。例え ば、 EGA多項式モデルを、 1次式でなぐ 2次式又は 3次式とした方が残差は当然に 小さくなる。ただし、多項式を高次化する場合には、それに合わせてサンプルショット の数を増やす必要がある。
[0039] また、ある一部のサンプルマークの計測結果力 実際のショット配列から著しくずれ ている場合には、全体の残差が大きくなる傾向がある。したがって、このようなサンプ ルマークの計測位置にっ 、ては、 EGA演算に用いな!/、ようにリジェクトするのが望ま しい。すなわち、 EGA計測によりサンプルマークの位置情報のうちの幾つかを、 EG A演算に用いないようにして、推定精度を高めていくことも可能である。このように、サ ンプルマークの数及び/又は配置の選択は、 EGA方式のウェハァライメントにとつて 重要なファクタとなる。
[0040] [ァライメント関連パラメータ]
露光装置 100、 101では、上記ァライメント系を用いた EGA方式のウェハァライメン トに関連する動作を規定するファクタを幾つかパラメータ化し、ァライメント関連パラメ ータとしてその設定値を調整することができる。前述のように、ァライメント系 ALGは、 ァライメント光学系 AS、ァライメントセンサ 21及びァライメント装置 22を備えており、そ れぞれの処理動作を規定する装置パラメータを設定できるようになって 、る。 [0041] これらの装置パラメータとしては、一般に、ハードウェアの設定で、その設定が固定 されるべき固定パラメータと、ウェハ W毎に変更する方が望ましい調整パラメータとの 2つがある。
[0042] 固定パラメータとしては、ァライメント光学系 ASが有する収差量、ァライメントセンサ
21のゲイン、及び暗電流などのオフセット成分などがある。
[0043] 一方、調整パラメータとしては、ァライメント光学系 ASの送光系における照明光の 波長、フォーカスオフセット、計測するマークのマーク長、マーク'タイプ、マーク'ピッ チ、マーク幅、マーク'センターシフト、信号波形形状 (シングル Zダブル）、マーク検 出アルゴリズム (信号処理アルゴリズム (エッジ抽出法、テンプレートマッチング法、折 り返し自己相関法等、スライスレベル等)）、マーク検出許容値、上述したような、 EG A計測に必要なサンプルマーク数、 EGA計測に必要なサンプルショット数、リジェクト すべきマーク位置座標の閾値である EGAリミット値などがある。レジスト膜などの膜厚 による干渉及びウェハ Wの下地の反射率などを考慮すれば、照明光の波長は、慎重 に設定されるべきである。
[0044] また、ァライメント系が、複数種類のァライメントセンサを備え、全てのセンサでマー ク検出を行っていた場合に、実際のマーク位置の検出に用いられた波形データを検 出したァライメントセンサの種類（FIA (Field Image Alignment)方式か、 LSA (Laser S tep Alignment)方式かなど)もァライメント関連パラメータに含まれる。
[0045] また、 EGA多項式モデルの種類（6パラメータモデル、 10パラメータモデル、ショッ ト内平均化モデル、ショットファクタ間接適用モデル、高次 EGA処理条件 (使用次数 と使用補正係数)等)、重み付け EGA処理条件、 EGAオプション機能の拡張 EGA 処理条件 (ショット内多点 EGA実施条件、 EGA計算モデル、ショット成分補正条件 等)、計測されたマークの計測位置に加えるべき補正量 (ァライメント補正値等)なども ァライメント関連パラメータに含まれる。これら EGA多項式モデル等のショット配列を 表現するためのパラメータは、ショット配列の線形成分を補正する線形補正パラメ一 タと、ショット配列（ウェハグリッド)の非線形成分を補正するための非線形補正パラメ ータとに分類することも可能である。ショット配列の非線形成分は、高次関数又は XY 座標系のマップとして表現されることが多いので、非線形補正パラメータは、一般的 に、その係数又はマップ上の補正量となる。
[0046] 主制御装置 20は、上述したように、露光装置 100の各種構成要素を制御するコン ピュータシステムである。上述した露光装置 100の各種動作は、主制御装置 20の統 括制御によって実現されるものである。上述した露光量制御系、同期制御系、フォー カス制御系、レンズ制御系などは、主制御装置 20内に含まれている。また、主制御 装置 20は、デバイス製造 ·処理システム 1000内に構築された通信ネットワークに接 続され、その通信ネットワークを介して外部とのデータ送受信が可能となっている。主 制御装置 20は、この通信ネットワークを介して、コマンドを受けて動作する。また、主 制御装置 20は、各種制御誤差のトレースデータを解析装置 170に送信するとともに 、解析装置 170によって最適化されたパラメータに関する情報を受信して、主制御装 置 20内に設定する。
[0047] [トラック]
図 1に戻り、トラック 200は、露光装置 100を囲むチャンバ（不図示）に接するように 配置されている。トラック 200は、内部に備える搬送ラインにより、主として露光装置 1 00に対するウェハ Wの搬入 ·搬出を行っている。
[0048] [コータ'デベロッパ]
トラック 200内には、レジスト塗布処理を行うコータ、現像処理を行うデベロツバ、 PE B処理を行う PEB装置などを備えるコータ ·デベロツバ（CZD) 110が設けられて 、る 。 CZD110は、レジスト塗布、現像、 PEB処理の処理状態を観測し、その観測デー タをログデータとして記録することができる。観測可能な処理状態としては、例えば、 スピンコータの回転速度、現像中の温度、現像モジュール処理、 PEBの温度均一性 (ホットプレート温度均一性）、ウェハ加熱履歴管理 (PEB処理後のオーバベータを 回避、クーリングプレート）の各状態がある。 CZD110も、その装置パラメータの設定 により、その処理状態をある程度調整することができる。このような装置パラメータには 、例えば、ウェハ W上のレジストの厚みを補正することができるパラメータ（レジストの 滴下量、滴下間隔）、装置内の設定温度、スピンコータの回転速度などがある。
[0049] CZD110は、露光装置 100、 101、及び測定検査器 120などの外部の装置とは、 独立して動作可能である。 CZD110は、トラック 200内の搬送ラインに沿って配置さ れており、この搬送ラインによって、露光装置 100、 101と CZD110とトラック 200外 部との間でウェハ Wの搬送が可能となる。また、 CZD110は、デバイス製造'処理シ ステム 1000内の通信ネットワークと接続されており、外部とのデータ送受信が可能と なっている。
[0050] すなわち、露光装置 100と該露光装置 100に隣接するトラック 200内の CZD110 、露光装置 101と該露光装置 101に隣接するトラック 200内の CZD110は、相互に インライン接続されている。ここで、インライン接続とは、装置間及び各装置内の処理 ユニット間を、ロボットアーム又はスライダ等のウェハ Wを自動搬送する搬送装置を介 して接続することを意味する。このインライン接続により、露光装置 100と CZD110と の間、露光装置 101と CZD110との間でのウェハ Wの受け渡し時間を格段に短くす ることがでさる。
[0051] インライン接続された露光装置 100とトラック 200、露光装置 101とトラック 200は、こ れを一体として、 1つの基板処理装置（100、 200)、（101、 200)とみなすこともでき る。基板処理装置（100、 200)、（101、 200)は、ウェハ Wに対して、フォトレジスト等 の感光剤を塗布する塗布工程と、感光剤が塗布されたウェハ W上にマスク又はレチ クル Rのパターンの像を投影することでウェハ Wを露光する露光工程と、露光工程が 終了した後の PEB工程、その後のウェハ Wを現像する現像工程等を行う。露光セル 700は、基板処理装置（100、 200)、及び基板処理装置（101、 200)をそれぞれ 1 つ備えて 、るとみなすことができる。
[0052] [測定検査器]
測定検査器 120、 121は、ウェハ Wを対象とする種々の測定検査を行うことが可能 な複合的な測定検査器である。測定検査器 120、 121は同機種であるため、以下で は、測定検査器 120を代表的に取り上げてその構成等について説明する。測定検査 器 120は、露光装置 100におけるウェハステージ WSTと同様に、ウェハ Wを保持す るステージを備えている。このステージの XY位置は、ウェハステージ WSTと同様に、 不図示の干渉計により計測されている。測定検査器 120のコントローラは、干渉計の 計測位置により、ステージの XY位置を制御する。ウェハ Wの測定検査には、まず、ゥ エノ、 Wの位置合わせが必要となる。この測定検査器 120は、露光装置 100、 101と 同様に、ウェハ Wの位置合わせが可能であり、露光装置 100のァライメント系 ALGと 同様のァライメント系を備えている。測定検査器 120におけるウェハ Wのァライメント は、露光装置 100、 101と同様のァライメント関連パラメータの下で、同じように行うこ とがでさる。
[0053] 測定検査器 120は、この他、ウェハ Wに対する各種測定検査を行うベぐ以下に示 すセンサを備えている。
(1)ウェハ W上の反射防止膜、フォトレジスト膜、トップコート膜等の膜の膜厚を測定 するための干渉計
(2)ウエノ、 W上のァライメントマークの測定を行うために設けられたァライメント系であ つて、ァライメント系 ALGと同様のァライメント系
(3)ウェハ Wの面形状（ 、わゆるショットフラットネス（デバイストポグラフィ、フォーカス 段差) )の計測を行う計測装置であって、フォーカス検出系 AFと同様の計測装置
(4)ウェハ W上の異物及び Z又はしみの検査を行うためのセンサであって、ァラィメ ント系又はレーザスキャン方式のセンサ
(5)ウエノ、 W上に形成されたパターンの線幅及び Z又は重ね合わせ誤差の測定を 行うためのセンサであって、デバイスパターンを撮像可能な撮像装置
(6)ウエノ、 W上のパターン欠陥の検査を行うためのセンサであって、高倍率の撮像 装置又はレーザスキャン方式のセンサ
[0054] 測定検査器 120には、この他にも、必要な測定検査内容に応じて、様々なセンサ が設けられている。
[0055] 測定検査器 120は、露光装置 100、 101及び CZD110とは、独立して動作可能で ある。露光セル 700内の搬送ライン 140は、露光装置 100、 101、 C/D110,測定 検査器 120、 121の間を、ウエノ、 W毎に搬送可能であるものとする。また、測定検査 器 120は、通信ネットワークを介してデータの入出力が可能である。
[0056] [デバイス製造'処理装置群]
デバイス製造 ·処理装置群 900としては、成膜装置 910と、酸化'イオン注入装置 9 20と、エッチング装置 930と、化学的機械的研磨を行いウェハ Wを平坦化する処理 を行う CMP (Chemical Mechanical Polishing)装置 940とが設けられている。成膜装 置 910は、 CVD (Chemical Vapor Deposition)等を用いて、ウェハ W上に、反射防止 膜、トップコート膜などの薄膜を生成する装置である。酸化'イオン注入装置 920は、 ウエノ、 Wの表面に酸ィ匕膜を形成し、又はウエノ、 W上の所定位置に不純物を注入す るための装置である。エッチング装置 930は、現像されたウェハ Wに対しエッチング を行う装置である。 CMP装置 940は、化学機械研磨によってウェハ Wの表面を平坦 化する研磨装置である。各装置とも、その処理パラメータの調整により、その処理状 態を調整可能であるとともに、その処理状態を観測し、処理状態に関するデータを口 グデータとして口ギング可能である。また、各装置とも、通信ネットワークを介してデー タ入出力が可能である。
[0057] 成膜装置 910、酸化'イオン注入装置 920、エッチング装置 930及び CMP装置 94 0の間は、相互間でウェハ Wを搬送可能とするための搬送経路が設けられている。デ バイス製造'処理装置群 900には、この他にも、プロ一ビング処理、リペア処理、ダイ シング処理、パッケージング処理、ボンディング処理などを行う装置も含まれている。
[0058] [搬送ライン]
搬送ライン 800は、デバイス製造'処理装置群 900の各種装置と、露光セル 700と の間で、ウェハ Wの搬送を行う。この搬送ライン 800と、露光セル 700内の搬送ライン 140との協調動作により、ウェハ Wに対する処理が完了した装置から、ウェハ Wに対 する次なる処理を行う装置まで、ウェハ Wが搬送される。
[0059] [管理コントローラ]
管理コントローラ 160は、露光装置 100、 101により実施される露光工程を集中的 に管理するととも〖こ、トラック 200内の C/D110、測定検査器 120、 121の管理及び それらの連携動作の制御を行う。このようなコントローラとしては、例えば、パーソナル コンピュータ（以下、適宜 PCと略述する）を採用することができる。管理コントローラ 16 0は、デバイス製造'処理システム 1000内の通信ネットワークを通じて、処理、動作の 進拔状況を示す情報、及び処理結果、測定検査結果を示す情報を各装置から受信 し、デバイス製造'処理システム 1000の製造ライン全体の状況を把握し、露光工程 等が適切に行われるように、各装置の管理及び制御を行う。
[0060] [解析装置] 解析装置 170は、デバイス製造'処理システム 1000内の通信ネットワークと接続さ れており、外部とデータ送受信が可能となっている。解析装置 170は、ウェハ Wに関 する情報及びウェハ Wに対するプロセスに関する情報を取得し、取得された情報の 解析を行う。より具体的には、測定検査器 120、 121の測定検査結果の解析を行い、 必要であれば、その解析結果に基づいて、露光装置 100、 101等の装置パラメータ の最適化を行う。また、解析装置 170は、ウェハ Wに対する測定検査を行うのに好適 な測定検査器の選択又は測定検査器の測定検査条件等の調整を行う。
[0061] このような解析装置 170を実現するハードウェアとしては、例えばパーソナルコンビ ユータを採用することができる。この場合、解析処理は、解析装置 170の CPU (不図 示）による解析プログラムの実行により実現される。解析プログラムは、 CD— ROMな どのメディア (情報記録媒体）により供給され、 PCにインストールされた状態で実行さ れる。
[0062] また、解析装置 170は、解析に必要なデータベースを備えている。このデータべ一 スの 1つとして CDテーブル群がある。 CDテーブル群は、露光装置 100、 101におけ る照明条件と、露光量、同期精度、フォーカス、レンズの各制御誤差と、パターン線 幅との関係が登録されたデータベースである。
[0063] この CDテーブル群は、ウェハ W上に転写形成されたデバイスパターンの重ね合わ せ誤差を測定する際に、デバイスパターンとともに転写された重ね合わせ誤差マーク を選択するために用いられる。
[0064] 図 3 (A)には、ショット領域 SA内にデバイスパターンとともに転写される重ね合わせ 誤差測定用マークと、露光量、同期精度、フォーカス、レンズなどの各種制御系の制 御誤差との関係が模式的に示されている。図 3 (A)に示される、ウェハ W上のショット 領域 SAには、露光領域 IA力 Y=0から Y=Yに、一定のスキャン速度で、ウェハ
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Wに対して相対的に移動することによりデバイスパターンが転写されるものとする。ま た、このデバイスパターンは、重ね合わせ誤差測定用マーク Mlを含んでいるものと する。
[0065] 図 3 (B)〜図 3 (E)には、露光量制御誤差、同期精度制御誤差、フォーカス制御誤 差及びレンズ制御誤差のログデータの一例力 それぞれ示されている。図 3 (B)〜図 3 (E)に示されるように、これらのログデータのうち、重ね合わせ誤差測定用マーク M 1の転写に寄与するログデータは、 Y=A力も Y=Bまでのログデータとなる。したがつ て、解析装置 170は、露光量、同期精度、フォーカス誤差、レンズ誤差の Y=Aから Y=Bまでのログデータの統計値 (例えば、移動平均値 (MEAN値）、移動標準偏差 (MSD値)など）に基づいて、重ね合わせ誤差測定用マーク Mlが、実際に重ね合 わせ誤差を測定するのに適当なマークである力否かを判断する。
[0066] CDテーブル群には、ウェハステージ WSTとレチクルステージの相対同期走査中 における、露光装置 100、 101での照明条件と、露光量制御誤差、同期精度制御誤 差、フォーカス制御誤差、及びレンズ制御誤差の統計値と、その地点でのパターン 線幅との関係が蓄積されている。解析装置 170は、露光装置 100、 101から取得した 各種制御誤差ログデータに基づ 、て、ウェハ W上に転写された各重ね合わせ誤差 測定用マークのパターン線幅を推定し、そのマークが測定に適切である力否かを判 断するために、この CDテーブル群を参照する。なお、露光量制御誤差、同期精度制 御誤差、又はフォーカスの制御誤差の統計値力 データベースに登録されていない 値であった場合には、その値の近傍の幾つかの値の補間演算によって、パターン線 幅を推定する。
[0067] CDテーブル群に基づ 、てパターン線幅を有効に推定するためには、そのテープ ルに、各種制御誤差の統計値とパターン線幅との関係を予め登録しておく必要があ る。この登録に際しては、実際に、ウェハ Wに対する露光装置 100、 101の露光中の トレースデータ力も算出された各種制御系の制御誤差の統計値と、測定検査器 120 で測定されたパターン線幅とをテーブル群に蓄積していけば良い。なお、 CDテープ ル群に登録されるパターン線幅は、測定検査器 120の測定結果に基づくものでなく 、 SEMにより測定された値又は OCD法等により測定された値に基づくものであって も良いし、テストパターンの空間像を計測する空間像センサによって計測されるテスト パターンの空間像から求められた値であっても良い。
[0068] なお、露光量誤差、同期精度誤差、フォーカス誤差、レンズ誤差が全く同じであつ ても、パターン線幅は、露光装置 100、 101の露光条件、転写されるパターンの設計 条件、又は像高などによって異なるようになる。そのため、このテーブル群は、露光条 件、パターン設計条件、及び像高の組み合わせごとに用意される。このように、テー ブル群については、露光条件、パターン設計条件、露光量制御誤差、同期精度制 御誤差、フォーカス制御誤差、又はレンズ制御誤差をキーとして、パターン線幅の推 定値を探索できるようにデータベース化しておく必要がある。なお、露光条件としては 、露光波長、投影光学系 NA、照明 NA、照明 σ、照明種類、焦点深度などがあり、 パターンの設計条件としては、マスク線幅、ターゲット線幅（例えば 130nm)、パター ンピッチ、マスク種類 (バイナリ、ハーフトーン、レベンソン）、パターン種類（孤立線、 密集線 (ライン'アンド 'スペース'パターン)）などがある。これらの露光条件と、パター ン設計条件と、パターン線幅との関係、及びテーブルにおける像高などの諸条件の 設定方法については、例えば特開 2001— 338870号公報に詳細に開示されている
[0069] 解析装置 170は、この他にも、解析結果を蓄積するデータベースを備えている。
[0070] [較正処理]
図 1に示されるように、本実施形態に係るデバイス製造 ·処理システム 1000は、同 じ測定検査処理を行う複数の測定検査器 120、 121と、複数の露光装置 100、 101 とを有している。したがって、例えば、同一のプロセスを実行する際に、一方の測定検 查器、露光装置がビジー状態であれば、もう一方の測定検査器、露光装置を用いる ことにより、ウェハの待ち時間を短くして、スループットの向上を図ることができる。
[0071] し力しながら、測定検査器が異なれば、まったく同じウェハをロードしても、その測 定検査結果に違いが生じる場合がある。これは、測定検査器が同じ機種であっても、 それぞれの特性が装置間で異なるからである。そこで、上述のようなスケジューリング により同種類の測定検査を行う複数の測定検査器 120、 121の機差を低減するため に、実際の運用に先立って、測定検査器の較正処理を行う。
[0072] この較正処理には、較正用のウェハが用いられる。この較正用ウェハは、各装置 1 00、 101、 120、 121のァライメント系で測定可能な較正用のパターンが多数形成さ れたウェハである。較正用の測定検査パターンは、較正用のウェハ上のほぼ全面に 渡って形成されている。
[0073] まず、露光装置 100、 101と測定検査器 120、 121に、較正用のパターンが形成さ れた較正用ウェハを順次ロードし、較正用ウェハ上の同一のパターンをそれぞれの ァライメント系で検出（測定)し、各装置 100、 101、 120、 121のァライメント系で取得 されるマーク波形信号が同一となるように、各ァライメント系の光学系（図 2の露光装 置 100においては、ァライメント光学系 AS)と、ァライメントセンサ（図 2の露光装置 10 0においては、ァライメントセンサ 21)とを調整する。較正用ウェハには、複数の異な る種類のパターン (例えば、線幅及び Z又は形状がそれぞれ異なる複数の代表的な パターン）が多数計測されており、ここでは、これらすベてのパターンで、検出された マーク波形が、装置間で一致するように、マッチング調整が行われる。
[0074] 次に、各装置 100、 101、 120、 121のフォーカス検出系 AFのマッチング調整を行 う。まず、露光装置 100、 101の投影光学系 PLの最良結像面、測定検査器 120、 12 1の光学系の最良結像面などを空間像計測などの方法で求める。そして、ウェハ W を保持するステージに設けられた基準マーク板 FMを、その最良結像面に位置させ る。フォーカス検出系 AFを用いて、基準マーク板 FMのデフォーカス量をフォーカス 検出系 AFの複数の計測点について検出する。このときの検出結果が、各計測点で のオフセット成分となる。また、ステージを投影光学系 PLの光軸方向に移動させ、そ の時の複数の計測点でのデフォーカス量が同一となるように、フォーカス光学系（60 a、 60b)の調整と、フォーカスセンサ 23のオフセット、ゲイン調整などを行う。
[0075] 上記 2つのマッチング調整により、露光装置 100、 101、測定検査器 120、 121のァ ライメント系 ALG及びフォーカス検出系 AFは、同じウェハの同じマークに対しては、 ほぼ同じ状態での測定が可能となる。
[0076] なお、この後、再度、露光装置 100、 101と測定検査器 120、 121に、較正用のパ ターンが形成された較正用ウェハを順次ロードし、各装置 100、 101、 120、 121のゥ エノ、 Wを保持する XY座標系と、干渉計の計測値にしたがってウェハ Wを保持するス テージを移動させたときの座標系のずれを表すステージ移動の非線形成分 (ステ一 ジグリッドの非線形成分)を求めるようにしても良い。ここでは、較正用ウェハ上に形 成されたパターンを、ァライメント系の検出視野内に位置させるように動力しつつ、そ のパターンの位置を、ァライメント系で測定する。このときのパターンの位置ずれの測 定値が、ステージグリッドの非線形成分に相当する。この測定値は、装置パラメータと して、各装置 100、 101、 120、 121に設定される。これにより、各装置間でのステー ジグリッドの差がほぼ 0となる。従って、同じウェハ Wの同じマークをそれぞれ計測しよ うとして、そのマークをァライメント系の検出視野内に収めるベぐそのウェハ Wを保 持するステージを移動させた場合、そのウェハ Wがステージ上に全く同じ状態で保 持されていたとすれば、そのマークは、どの装置においても、ァライメント系の検出視 野内のほぼ同じ位置に位置決めされるようになる。
[0077] [デバイス製造工程]
次に、デバイス製造'処理システム 1000における一連のプロセスの流れについて 説明する。図 4には、このプロセスのフローチャートが示されている。このデバイス製 造.処理システム 1000の一連のプロセスは、ホスト 600及び管理コントローラ 160に よってスケジューリングされ管理されている。実際には、図 4に示される処理が、ゥェ ハ毎に、例えばパイプライン的に繰り返されることになる。
[0078] 図 4に示されるように、まず、ステップ 203では、レチクル Rを、レチクルステージに口 ードし、レチクル Rの位置合わせ（レチクルァライメント）、及びベースライン (オファク シスのァライメント系 ALGの検出中心とレチクル R上のパターンの投影中心との距離 (位置関係））の計測などの準備処理を行う。この準備処理により、レチクル R上のデ パイスパターンを、ウェハステージ WST上で位置合わせされたウェハ W上に既に形 成されたショット領域 SAに対して重ね合わせて転写する、重ね合わせ露光が可能と なる。
[0079] この後、上記ステップ 203と平行して、ウェハ Wに対する処理が行われる。まず、成 膜装置 910においてウェハ W上に膜を生成し (ステップ 205)、そのウェハ Wを CZD 110に搬送し、 CZD 110にお!/、てそのウェハ W上にレジストを塗布する（ステップ 20 7)。
[0080] 次のステップ 208では、ウェハ Wを測定検査するための測定検査器（120又は 121 )の選択と、その測定検査条件の設定を行う。この処理の流れは以下のようになって いる。
[0081] (1)解析装置 170がホスト 600 (又は管理コントローラ 160)に対して、露光装置 100 、 101のいずれで露光するか否かを問い合わせる。 (2)ホスト 600 (又は管理コントローラ 160)は、露光装置名を解析装置 170に送る。
(3)解析装置 170は、選択された露光装置に対して、露光装置の処理条件に関する データを問い合わせる。このデータには、ァライメント系 ALG及びフォーカス検出系 AFなどの処理条件に関するデータが含まれる。
(4)問い合わせを受けた露光装置は、測定検査条件に関するデータを、解析装置 1 70に送る。
(5)解析装置 170は、受信したデータに基づいて、最適な測定検査器を選択する。
[0082] この場合、解析装置 170は、ウェハ Wに対して露光を行う露光装置との相性によつ て、事前測定検査処理を行う測定検査器を選択することができる。例えば、後述する ように、ウェハ Wに対して露光を行う露光装置として露光装置 100が選択されて 、る 場合には、測定検査器におけるァライメント系の測定条件を、その露光装置 100にお けるァライメント系 ALGの測定条件に合わせた場合に、その測定条件が、設定できる 測定条件の範囲を超えていた場合には、その測定検査器を選択せず、他の測定検 查器を選択するようにすれば良 、。
(6)解析装置 170は、選択結果をホスト 600 (又は管理コントローラ 160)に返す。
(7)解析装置 170は、測定検査条件に関するデータを、選択された測定検査器に送 る。このような測定検査条件には、例えば、ァライメント光学系によるマーク計測時の 波長及びフォーカスオフセット、ァライメントセンサにより検出されたマーク波形データ を処理する信号処理装置の処理条件、例えば、マーク長、マーク'タイプ、マーク'ピ ツチ、マーク幅、マーク'センターシフト、信号波形形状（シングル Zダブル）、マーク 検出アルゴリズム、マーク検出許容値、計測必要マーク数、計測必要ショット数及び EGAリミット値などのァライメント関連パラメータ、並びに信号出力のオフセット成分で あるフォーカスオフセット、フォーカスセンサの配置、フォーカスセンサの選択及びフ オーカス信号を処理するためのフォーカス計測アルゴリズムなどのフォーカス関連パ ラメータがある。
(8)選択された測定検査器は、受信したデータに従って、測定検査条件を設定する
[0083] 次のステップ 209では、ステップ 208で選択された測定検査器（120又は 121)にお いて、ウエノ、 wの測定検査処理を行う。より具体的には、選択されたウェハ Wを、測 定検査器 120に搬送し、そのステージ上にウエノ、 Wをロードする。
[0084] そして、ァライメント系 ALGを用いて、ステージ上のウェハ Wのァライメントを行う。
前述のように、露光装置 100、 101と、測定検査器 120、 121とでは、ァライメント光学 系 AS、ァライメントセンサ 21については、較正用ウェハ等を用いて、マッチング調整 がなされており、上記ステップ 208において、ァライメント系 ALGの他の計測条件も、 露光装置と一致するように調整されているため、同一マークに対するマーク検出波形 はほぼ同一となり、いずれの測定検査器であっても、露光装置と全く同じ状態で、マ ークを検出することが可能となる。すなわち、この時点で、測定検査器 120、 121の機 差は解消されている。
[0085] なお、このァライメントでは、ウェハ W上のショット領域 SAの配列の非線形成分、及 びショット領域 SA自体の非線形成分まで検出するようにしても良!ヽ。図 5 (A)〜図 5 ( C)には、ショット領域 SA内に形成された重ね合わせ測定用マーク Mlの位置と、ショ ット領域 SAの配列と、ショット領域 SA自体との関係が模式的に示されて!/、る。
[0086] 図 5 (A)は、ショット領域 SAの配列（ウェハグリッド）力 線形成分のみを有して 、る 場合の図である。図 5 (A)に示される左側のショット領域 SAの配列に対し、右側のシ ヨット領域の配列のウェハグリッドは、回転、倍率、オフセット成分のみを有しており、 マーク Mlの位置は、その線形成分のみで求めることができる。したがって、この場合 、ショット領域 SAの配列の線形成分に従えば、マーク Mlを、ァライメント系 ALGの 検出視野の中心に位置させることができるようになる。
[0087] 図 5 (B)は、ショット領域 SAの配列（ウェハグリッド）力 線形成分の他に、非線形成 分を有している場合の図である。図 5 (B)の左側には、線形成分のみを有するショット 領域 SAの配列が示されているのに対し、図 5 (B)の右側のショット配列は、隣接する ショット配列の位置関係が変化しており、その分だけマーク Mlの位置が変化してい る。この場合には、ショット領域 SAの配列の線形成分及び非線形成分に従えば、マ ーク Mlを、ァライメント系 ALGの検出視野の中心に位置させることができるようにな る。
[0088] 図 5 (C)に示されるように、ショット配列の線形成分、非線形成分に加え、ショット領 域 S A自体が変形して!/、た場合にも、マーク M 1の位置はさらにシフトすることになる。 この場合には、ショット領域 SAの配列の線形成分及び非線形成分に加え、ショット領 域 SA自体の変形をも考慮すれば、重ね合わせ誤差測定用マーク Mlを、ァライメン ト系 ALGの検出視野の中心に位置させることができるようになる。
[0089] このように、事前測定検査処理を行う際に、ショット領域 SAの配列の非線形成分、 及びショット領域 SA自体の変形成分までも考慮してステージを位置決めすれば、測 定対象のマークを、ァライメント系 ALGの検出視野の中心に常に位置させることがで きるようになり、ァライメント光学系 ASが有する収差成分によるマーク検出誤差のばら つきを低減することが可能となる。このようなァライメントを行うためには、ショット領域 S Aの配列の非線形成分、及びショット領域 SA自体の変形成分までも考慮した EGA 多項式モデル式を採用する必要がある。
[0090] そして、選択された測定検査器（120、 121のいずれ力）では、ウェハ W上に、既に 形成された前層の複数のショット領域 SAのうち、測定対象として選択されたショット領 域 SA (以下、計測ショットと呼ぶ）について、ショットフラットネス（ショット領域のフォー カス段差)の測定を行う。この計測ショットの数及び配置は、任意のものとすることがで きるが、例えば、ウエノ、 Wの外周部の 8ショットとすることができる。また、測定検査処 理では、ウェハ W上の膜の検査、ァライメント関連パラメータの最適化のためのマー ク測定なども行う。
[0091] 測定検査器（120、 121のいずれか)の測定検査結果は、露光装置 100、 101及び 解析装置 170に送られる。解析装置 170は、必要に応じて、例えば、マークの測定 結果に基づいて、露光装置 100、 101のァライメント関連パラメータの最適化などを 行う。この最適化結果は、該当する露光装置に送られ、その露光装置は、ァライメント 関連パラメータの最適値を設定する。また、この測定結果 (例えばフォーカス段差）は
、露光装置（100又は 101)における走査露光時のフォーカス制御に用いられる。
[0092] 続いて、ウェハを露光装置（100とする）に搬送し、露光装置 100にてレチクル R上 の回路パターンをウェハ W上に転写する露光処理を行う (ステップ 211)。このとき、 露光装置 100では、計測ショット露光中の露光量制御誤差、同期精度制御誤差、フ オーカス制御誤差、レンズ制御誤差のトレースデータをモニタリングし、内部のメモリ にログデータとして記憶しておく。次に、ウェハ Wを CZD110に搬送して、 CZD11 0にて現像処理を行う（ステップ 213)。
[0093] 次のステップ 214では、事後測定検査処理を行う測定検査器の選択及び測定検査 条件の設定を行う。その後、このレジスト像の線幅の測定、ウェハ W上に転写された デバイスパターンの線幅測定及びパターン欠陥検査などの事後測定検査処理を行う (ステップ 215)。このステップ 214、 215は、後述するエッチング処理後に行うようにし ても良い。
[0094] 事後測定検査処理の処理内容としては、様々なものがあるが、例えば、以下のもの があげられる。
(1)デバイスパターンの重ね合わせ誤差測定
(2)デバイスパターンのパターン欠陥検査
以下、（1)、（2)の測定検査処理各々について、ステップ 214、 215の処理を、詳細 に説明する。ステップ 214において、測定検査器の選択までは、前述したとおりであ るので、測定検査器が選択されてから以降の処理にっ 、て説明する。
[0095] [デバイスパターンの重ね合わせ誤差測定]
まず、選択された測定検査器は、露光装置（100、 101のいずれかである力 ここで は露光装置 100とする）に対して、測定検査に必要な処理条件などに関するデータ を問い合わせる。露光装置 100は、重ね合わせ誤差測定に必要な情報、例えば、露 光装置 100内の環境 (温度、湿度、気圧）、ァライメント系 ALGの測定条件、ウェハ W のァライメント結果のデータ（ウェハグリッド及びショット領域 SA自体の変形成分）、ゥ エノ、 Wの面形状などのデータ（フォーカス段差データ）、及びフォーカス関連パラメ一 タなどを測定検査器に送る。測定検査器は、送られた情報にしたがって、測定検査 器内の環境、及びァライメント系の測定条件などを、露光装置 100にあわせる。
[0096] デバイスパターンの重ね合わせ誤差測定では、露光装置 100におけるァライメント 系 ALGの測定条件 (ァライメント装置 22の処理条件など)が設定された状態で、ァラ ィメントが行われるようになる。
[0097] そして、ウェハ W上の重ね合わせ誤差測定用マークの測定を行う。ここでは、測定 対象となるマークに対する光学系のフォーカス合わせを、露光装置 100と同じフォー カス関連パラメータの下で、事前測定検査処理で測定されたフォーカス段差のデー タを考慮して行う。このようにすれば、マークに対するフォーカス合わせに要する時間 を短くすることが可能となる。
[0098] また、ショット領域 SAには、多数の重ね合わせ誤差測定用マークが形成されている ため、形成状態が良好でないマークについては、測定対象力も除外することができる 。この場合、選択された測定検査器は、解析装置 170に測定対象から除外すべきマ ークについて問い合わせる。解析装置 170は、この問い合わせを受信した後、露光 装置 100に対して、ログデータの送信を要求する。露光装置 100は、そのウェハ Wに 対する処理を行ったときのログデータを解析装置 170に送信する。解析装置 170は、 受信したログデータに基づいて、図 3 (A)〜図 3 (E)に示されるように、重ね合わせ誤 差測定用マークが形成されている地点での制御誤差を、 AB間のログデータ力 算 出する。そして、その制御誤差をキーとして、 CDテーブル群を参照し、その重ね合わ せ誤差測定用マークの推定線幅値を求める。そして、その推定線幅値が、設計線幅 力も所定値以上ずれている場合には、その重ね合わせ誤差測定用マークを測定対 象から除外するように設定する。そして、測定対象となっているウェハ W上の重ね合 わせ誤差測定用マーク各々の解析結果を、測定検査器に返す。
[0099] なお、解析装置 170では、マークの除外のほかにも様々な処理が可能である。例え ば、重ね合わせ誤差測定用マークが、ライン'アンド 'スペース'パターン (LZSパタ ーン)であり、その重ね合わせ誤差測定用マークの非対称性力 露光装置 100の口 グデータに基づいて推定可能である場合には、その非対称性力 推定されるマーク の位置ずれ量を解析結果として算出するようにしても良 、。
[0100] 解析装置 170から解析結果を受信した測定検査器は、その結果に基づいて、除外 されて 、な 、重ね合わせ誤差測定用マークによる重ね合わせ誤差の測定を行 、、 必要であれば、その重ね合わせ誤差を、上述のようにして算出された位置ずれ量で 補正する。
[0101] なお、解析装置 170は、露光装置 100のログデータだけでなぐ CZD110のログ データ、事前測定検査処理等の少なくとも 1つにおいて行われたウェハ Wの膜の測 定検査結果 (膜厚、膜上のクラッチ、はがれなど、又はそれらの組合せ)を参照して、 重ね合わせ誤差測定用マークの除外、位置ずれ量の推定などを行うようにしても良 い。また、解析装置 170は、露光装置の環境に関するデータから重ね合わせ誤差測 定用マークの位置ずれ量をある程度推定可能である場合には、その位置ずれ量を 算出し、測定検査器に送るようにしても良い。この場合、位置ずれ量の推定には、例 えば次式を用いることができる。
[0102] [数 1]
Result = Result + α χ ATemperature + offsetT
+ β χ AHumid + offsetH +
+ γ χ Δ Pr ess + offsetP. - - - (1) ここで、 Resultは、算出するマークの位置ずれ量である。 Resultは、 1サンプル前 の値の増分値で算出される。その増分値は、そのサンプリング時間における温度変 ィ匕 Δ Temperatureと、湿度変化 Δ Humidと、気圧変化 Δ Pressとの 1次関数となつ ている。 α、 j8、 γは、それぞれの係数であり、 offsetT, offsetH, offsetPは、温度 変化、湿度変化、気圧変化に対するオフセット成分である。なお、式（1)において右 辺の Resultが 1サンプル前の値であり、左辺の Resultは更新された値を示す。 1サ ンプル前の Resultに露光装置の環境に関するデータをカ卩味した結果、左辺の更新 された Resultが得られることを式（1)は示して!/、る。
[0103] なお、係数 α、 j8、 γと、オフセット offsetT、 offsetH, offsetPは、過去に取得さ れた、温度変化、湿度変化及び気圧変化と、マークの位置ずれ量との関係を表す統 計データに基づいて、例えば、統計解析などの手法を用いて求めることができる。例 えば、 1ヶ月の間、 1日の間における、それらの関係を測定し、その測定データを用い 、最小二乗法などを用いて、上記係数とオフセットとを算出することができる。
[0104] [デバイスパターンの欠陥検査]
まず、選択された測定検査器は、露光装置（100とする）に対して、測定検査に必 要な処理条件などに関するデータを問い合わせる。露光装置は、デバイスパターン の欠陥検査に必要な情報、例えば、露光装置内の環境 (温度、湿度）、ァライメント系 ALGの測定条件、ウェハ Wのァライメント結果のデータ（ウェハグリッド及びショット領 域 SA自体の変形成分）、ウェハ Wの面形状などのデータを測定検査器に送る。測 定検査器は、送られた情報にしたがって、測定検査器内の環境及びァライメント系の 測定条件、並びにフォーカス関連パラメータ (フォーカス段差データ含む)などを、露 光装置 100に合わせる。
[0105] デバイスパターンの欠陥検査においても、露光装置 100におけるァライメント系 AL Gの測定条件 (ァライメント装置 22の処理条件など)が設定された状態で、ウェハァラ ィメントが行われるようになる。
[0106] そして、ウェハ W上の重ね合わせ誤差測定用マークの測定を行う。ここでは、計測 対象となるマークに対する測定光学系のフォーカス合わせを、事前測定検査処理で 測定されたフォーカス段差データを考慮して行う。このようにすれば、マークに対する フォーカス合わせに要する時間を短くすることが可能となる。
[0107] 選択された測定検査器は、解析装置 170に対し、測定処理内容について問い合わ せる。すると、解析装置 170は、この問い合わせを受信した後、露光装置 100に対し て、ログデータの送信を要求する。露光装置は、そのウェハ Wに対する処理を行った ときのログデータを解析装置 170に送信する。解析装置 170は、受信したログデータ に基づいて、図 3 (A)〜図 3 (E)に示されるように、検査対象のパターンが形成されて いる地点での制御誤差を、 AB間のログデータを用いて算出する。そして、その制御 誤差をキーとして、 CDテーブル群を参照し、パターンの推定線幅値を求める。そして 、その推定線幅値力 設計線幅力 所定値以上ずれているパターンに対しては、フ ァインにパターン検査を行うように、設定する。そして、測定対象となっているウェハ W上の重ね合わせ誤差測定用マーク各々の解析結果を、測定検査器に返す。
[0108] なお、測定検査器では、解析結果に従って、パターン欠陥検査を行う。ここで、制 御誤差が大きぐパターン欠陥が発生している可能性が高い場所では、欠陥検査の 検出感度を高めに設定するようにしても良い。また、制御誤差力 、さぐ推定線幅値 と設計線幅とがほぼ一致すると考えられる場所にっ 、ては、パターンの信頼性が高 いと考えられるため、パターン欠陥検査の検出感度を低めに設定する、あるいは比 較的ラフなパターン検査を行うなどが可能である。
[0109] なお、解析装置 170は、露光装置のログデータだけでなぐ CZD110のログデー タ、事前測定検査処理等の少なくとも 1つにおいて行われたウェハ Wの膜の測定検 查結果 (膜厚、膜上のクラッチ、はがれなど、又はその組合せ)を参照して、パターン 欠陥検査の感度設定を行うようにしても良 、。
[0110] 上述のようにして、ステップ 214、 215の処理が行われた後、ウェハ Wは、測定検査 器力もエッチング装置 930に搬送され、エッチング装置 930においてエッチングを行 い、不純物拡散処理、配線処理、成膜装置 910にて成膜、 CMP装置 940にて平坦 ィ匕、酸化'イオン注入装置 920でのイオン注入処理などを必要に応じて行う（ステップ 219)。そして、全工程が完了し、ウェハ上にすべてのパターンが形成された力否か を、ホスト 600において判断する（ステップ 221)。この判断が否定されればステップ 2 05に戻り、肯定されればステップ 223に進む。このように、成膜'レジスト塗布〜エツ チング等という一連のプロセスが工程数分繰り返し実行されることにより、ウェハ W上 に回路パターンが積層されていき、半導体デバイスが形成される。
[0111] 繰り返し工程完了後、プロ一ビング処理 (ステップ 223)、リペア処理 (ステップ 225) 力 デバイス製造'処理装置群 900において実行される。ステップ 223において、メモ リ不良を検出した時には、ステップ 225において、例えば、冗長回路へ置換する処理 が行われる。解析装置 170は、パターン欠陥が発生した箇所などの情報を、プロービ ング処理、リペア処理を行う装置に送るようにすることもできる。不図示の検査装置で は、ウェハ W上の線幅異常が発生した箇所については、チップ単位で、プロ一ビング 処理、リペア処理の処理対象から除外することができる。その後、ダイシング処理 (ス テツプ 227)、パッケージング処理、ボンディング処理 (ステップ 229)が実行され、最 終的に製品チップが完成する。なお、ステップ 215の事後測定検査処理は、ステップ 219のエッチング後に行うようにしても良い。この場合には、エッチング後にウェハ W 上に形成される像 (以下、エッチング像とも呼ぶ）に対し重ね合わせ誤差、及び Z又 はパターン欠陥検査が行われるようになる。現像後、エッチング後の両方に行うように しても良い。この場合には、レジスト像に対しても、エッチング像に対しても測定検査 が行われるようになるので、それらの測定結果に違いに基づいて、エッチング処理の 処理状態を検出することができるようになる。
[0112] 図 6には、測定検査器において、露光装置と一致させることが可能な処理条件が模 式的に列挙されている。 [0113] 図 6に示されるように、露光装置と、測定検査器とでは、まず、露光時の温度 '湿度' 気圧などの環境データを、測定検査器と一致させることができる。測定検査器は、露 光装置から、直接、あるいは、解析装置 170、管理コントローラ 160、又はホスト 600 を介して、露光装置で露光が行われたときの環境データを取得し、そのデータが示 す環境と、装置内の環境とが同じとなるように、装置内の環境制御を行い、環境が同 じになった状態で、ウェハ Wに対する測定検査を行う。
[0114] さらに、露光装置と、測定検査器とでは、ァライメント系の調整を行う。
[0115] マークを検出するためのァライメント光学系、マーク波形信号を検出するためのァラ ィメントセンサなどのハードウェアの処理条件の一部は、較正用ウェハを用いた較正 処理によりマッチング調整される。そして、ウェハ Wごとに異なる条件が要求されるも の、例えば、ァライメント光学系によるマーク計測時の波長及びフォーカスオフセット、 及びァライメントセンサにより検出されたマーク波形データを処理する信号処理装置 の処理条件、例えば、マーク長、マーク'タイプ、マーク'ピッチ、マーク幅、マーク'セ ンターシフト、信号波形形状 (シングル Zダブル）、マーク検出アルゴリズム、マーク検 出許容値、計測必要マーク数、計測必要ショット数及び EGAリミット値などのパラメ一 タは、ウェハ Wに対する事前測定検査処理、及び事後測定検査処理に先立って、露 光装置と測定検査器とで一致するように、条件設定が行われる。
[0116] さらに、ァライメント用又はデバイスパターン処理用のフォーカス信号を検出するた めのフォーカス光学系、及びフォーカスセンサなどのハードウェアの処理条件の一部 は、基準マーク板 FM (又は較正用ウエノ、）を用いた較正処理によりマッチング調整さ れる。そして、ウェハ Wごとに異なる条件が要求されるもの、フォーカス光学系、フォ 一カスセンサの一部の処理条件、それらにより検出されたフォーカス信号を処理する 信号処理装置の処理条件、デバイス段差補正マップ、フォーカスオフセット、フォー カスセンサ配置、フォーカスセンサ選択、及びフォーカス検出アルゴリズムなどのパラ メータは、ウェハ Wに対する測定検査処理に先立って、露光装置と測定検査器とで 一致するように、条件設定が行われる。
[0117] さらに、ウェハ W上のマーク計測にあたり、そのマークをァライメント系の検出視野 に移動させる必要がある。しかるに、ウェハ W上のマークの実際の位置は、そのマー クを含むショット領域 SAの配列（ウェハグリッド)及び Z又はショット領域 SA自体のデ バイスパターンの歪み（転写される時のデバイスパターンの像の歪み）に応じて設計 上の位置力 ずれる。ショット領域の配列及びデバイスパターンの歪みは、回転、倍 率、オフセットなどの線形成分の他、高次関数でなければ表現することができない非 線形成分を含んでいる。ァライメント系では、これらの非線形成分をも考慮すれば、 計測対象のマークを、常に、ァライメント系の検出視野の中心に位置させることができ るよつになる。
[0118] また、事後測定検査処理にお!、て、ウェハ W上のデバイスパターンの重ね合わせ 誤差の測定を行う場合には、各重ね合わせ誤差測定用マークが、測定するにふさわ しいか否かを、露光装置 100、 101の各種制御誤差のログデータ、 CZD110の処理 状態、レジスト膜の計測結果を考慮して判断する。例えば、これらのログデータに基 づいて、重ね合わせ誤差の測定に不適なマークを除外したり、マークの測定条件を 調整したり、マークの重ね合わせ誤差測定用マークの測定位置を補正したりする。こ のようにすれば、測定検査結果を安定化させて、機差を低減することが可能となる。
[0119] さらに重ね合わせ誤差計測にあたっては、露光装置の環境に、測定検査器の環境 をあわせたり、重ね合わせ誤差測定用マークの計測位置を補正することも可能である
[0120] また、事後測定検査処理において、ウェハ W上のデバイスパターンの線幅測定及 び Z又はパターン欠陥の検査を行う場合には、露光装置 100、 101の各種制御誤差 のログデータ、 CZD110の処理状態、及びレジスト膜の計測結果を考慮する。例え ば、これらのログデータに基づいて、パターン線幅異常及び z又はパターン欠陥が 発生している可能性が高い領域については、細かく検査する、あるいは検査感度、 検査分解能、検査アルゴリズムなどの検査条件を調整する。
[0121] さらに、較正用ウェハ上に形成された測定検査パターンは、厳格な基準の下で転 写形成されたものではある力 プロセスウェハ上のパターンと同様に、露光装置によ り転写されたものであり、露光装置の投影光学系の収差の影響を受けたものであるた め、収差による測定検査パターンの変形を考慮して、較正用ウェハの測定検査バタ ーンの測定検査結果によるァライメント系のマッチング調整を行うようにしても良い。 [0122] 以上の点において、露光装置と測定検査器とで処理条件を一致させた場合には、 露光装置と測定検査器との処理状態がほぼ同一となり、そのウェハ Wに対する測定 検査器間の測定検査結果の機差が低減するようになり、常に、安定した測定検査が 可能となる。なお、較正用ウェハ又は基準マーク板を用いたァライメント系及び Z又 はフォーカス系の較正処理は、プロセスを実行する前に行う必要がある力 その他の 処理条件の調整を行う順番は特に限定されな ヽ。
[0123] 以上詳細に説明したように、本実施形態によれば、ウェハ Wに関する情報、及び Z 又はそのウエノ、 Wに対する一連の基板処理に関する情報に基づいて、同一の測定 検査処理を行う複数の測定検査器 120、 121の中から、ウェハ Wの測定検査に好適 な測定検査器を選択するとともに、実際のウェハ W及び Z又はその基板処理に応じ て測定検査器 120、 121の測定検査条件を調整したり、その測定検査結果を補正し たりする。これにより、そのウェハ Wに応じた状態での測定検査が可能となるため、実 際のプロセスウェハ Wを測定検査する際の測定検査器 120と測定検査器 121との間 の機差を低減することが可能となる。
[0124] さらに、本実施形態によると、実際の運用に先立って、露光装置 100、 101、測定 検査器 120、 121にそれぞれ、較正用ウェハを順次ロードして、それぞれのァラィメ ント系 ALGによって、較正用ウェハ上の同一の測定検査用マークを、測定検査させ 、その測定検査結果力 露光装置 100、 101と測定検査器 120、 121とで一致するよ うに、ァライメント系 ALGの検出系の動作条件を較正する較正工程を行うことができ る。これにより、測定検査器 120、 121間、露光装置と測定検査器との間などで、同 一のマークの測定検査結果が同一となるように、ァライメント系 ALGのハードウェア がマッチング調整されるようになる。
[0125] なお、本実施形態では、露光装置 100、 101と、測定検査器 120、 121とが同じ構 成を有するァライメント系（オートフォーカス機構を含む)を備えて 、るものとしたが、 各装置のァライメント系は、必ずしも同一のハードウェア構成を有している必要はな い。例えば、本実施形態では、露光装置 100、 101と、測定検査器 120、 121とが、 ウェハ W上のァライメントマークに相当する波形データを光電検出するァライメント光 学系 AS及びァライメントセンサ 21と、そのァライメントマークのフォーカス状態を検出 するフォーカス光学系（60a, 60b)及びフォーカスセンサ 23とを備えるものとしたが、 これに限らず、ァライメント光学系 AS及びァライメントセンサ 21、又はフォーカス光学 系（60a, 60b)及びフォーカスセンサ 23が、共通であれば良い。この場合にも、その 共通なハードウェアの動作条件を較正用ウェハを用いて較正することが可能である。
[0126] すなわち、各装置で、検出系のすべてが共通である必要はなぐそのうち一部に共 通な部分があれば、その部分での処理条件を調整することが可能である。また、検出 系に共通する部分がなくても、測定検査結果ができる限り一致するように、調整する ことも可能である。
[0127] なお、測定検査器の測定条件等を調整するために用いられる、一連の基板処理に 関するデータとしては、様々なものを適用することができる。例えば、基板処理により ウエノ、 W上に形成されたァライメントマークの検出処理に関するデータ、露光装置 10 0、 101のァライメント系 ALGのマークのフォーカス状態に関するデータ、露光により ウェハ W上に形成されたショット領域 S Aの配列に関するデータ、露光によりウェハ W 上に形成されたデバイスパターンの歪み (ショット領域 SAの変形）に関するデータ、 露光装置 100、 101の処理状態に関するデータ、露光装置 100、 101内の環境に関 するデータ、及びウェハ W上に生成された膜の測定検査結果に関するデータなどを 適用することができる。
[0128] これらのデータを用いて、様々な測定検査内容の測定検査条件、及び Z又は測定 検査結果の調整が可能となる。例えば、ウェハ W上に重ね合わせて形成されたデバ イスパターンに含まれる複数の重ね合わせ誤差測定用マークの測定処理に関して、 露光装置 100、 101の処理状態に関する情報と、露光装置 100、 101の環境に関す るデータと、ウェハ W上に生成された膜の測定検査結果に関するデータとの少なくと も 1つに基づいて、重ね合わせ誤差測定用マークの測定条件、測定結果及び測定 環境の少なくとも 1つの調整を行うことができる。
[0129] さらに、露光装置 100、 101の処理状態に関する情報と、露光装置 100、 101内の 環境に関する情報と、ウェハ W上に生成された膜の測定検査結果に関する情報との 少なくとも 1つに基づいて、異常と判断された重ね合わせ誤差測定用マークを除外す るようにしても良い。 [0130] また、ウェハ W上に形成されたデバイスパターンのパターン欠陥検査であれば、露 光装置 100、 101の処理状態に関する情報と、ウェハ W上に生成された膜の測定検 查結果に関する情報との少なくとも一方に基づいて、パターン欠陥検査の検査条件 を調整することができる。より具体的には、異常と判断された部分を、正常と診断され た部分に比して、重点的に検査する。さらに、正常と診断された部分のパターン欠陥 の検査頻度を減らすようにすれば、全体のスループットの低下を防止することができ る。
[0131] また、本実施形態では、測定検査器の調整に実際のプロセスウェハを用いたが、 測定検査器 120、 121と露光装置 100、 101とのハードウェアのマッチング調整に利 用された、較正用ウェハを用いるようにしても良い。この場合、較正用ウェハ上に形 成された測定検査用パターンの歪みに関するデータ（例えば、そのパターンを転写し た露光装置の投影光学系の収差データ)を考慮して、測定検査処理を行う測定検査 器として選択された測定検査器の測定検査条件及び測定検査結果に関する情報の 少なくとも一方を調整することができる。
[0132] また、本実施形態では、測定検査器 120、 121の選択、調整を行うためのデータと して、露光装置 100、 101の処理状態に関するデータ、すなわち露光におけるゥェ ハ Wとデバイスパターンとの制御誤差に関するデータの他、例えば、 CZD110にお ける膜生成処理及び Z又は現像処理における制御誤差に関するデータを用いること も可能とした。なお、これに限らず、デバイス製造 ·処理装置群 900の各装置の処理 状態に関するデータを、その処理後のウェハ Wの測定検査を行う測定検査器の調整 に用いることも可能である。
[0133] なお、レチクル R上には、通常、複数の異なる重ね合わせ誤差測定用マークが形成 されている場合が多い。例えば、図 7 (A)〜図 7 (E)に示されるような、マークが重ね 合わせ誤差測定用マークとして、レチクル R上に形成されており、デバイスパターンと ともに、ウェハ W上に転写形成されているものとする。
[0134] 重ね合わせ誤差測定用マークとしては、いずれか 1つのマークを選択すれば良い。
本実施形態では、図 7 (A)〜図 7 (E)に例示されるマークのうち、測定検査器間での 測定検査結果の機差が最小となるようなマークを選択することも可能である。このよう にしても、測定検査状態が安定し、測定検査器間の機差が低減する。
[0135] なお、上記実施形態では、解析装置 170は、露光装置 100からログデータをそのま ま取得した力 露光装置 100で、制御誤差の統計値 (MSD値、 MEAN値）が算出さ れて 、れば、その統計値を取得するようにしても良 、。
[0136] また、上記実施形態では、ウェハ 1枚 1枚について、測定検査器の測定検査条件 等の調整を行ったが、本発明はこれには限られない。例えば、測定検査結果の異常 が検出される度に行うようにしてもよぐ所定のインターバル (ウェハ数枚置き、所定時 間経過毎)で行うようにしても良い。
[0137] 上記実施形態では、測定検査器 120、 121を露光装置 100等とインラインに接続 するものとした力 測定検査器 120、 121は、露光装置 100及びトラック 200とはイン ラインに接続されて ヽな 、オフラインの測定検査器であっても良 、。
[0138] さらに、特開平 11— 135400号公報、特開 2000— 164504号公報、国際公開第 2 005Z074014号パンフレット、国際公開第 1999Z23692号パンフレット、米国特 許第 6,897,963号明細書などに開示されるように、ウエノ、 Wを保持するウェハステ ージと、基準マークが形成された基準部材及び各種の光電センサを搭載した計測ス テージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
[0139] なお、上記実施形態では、ステップ ·アンド'スキャン方式の露光装置について説明 したが、本発明は、ステップ'アンド'リピート方式の露光装置は勿論、その他の露光 装置、例えば、プロキシミティ方式の露光装置などにも適用できる。また、ショット領域 とショット領域とを合成するステップ'アンド'スティツチ方式の露光装置にも本発明を 好適に適用することができる。これに代表されるように、各種装置についても、その種 類には限定されない。例えば、レチクル Rに代えて、例えば米国特許第 6, 778, 25 7号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、 透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変 成形マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれ、例えば非発 光型画像表示素子（空間光変調器）の一種である DMD (Digital Micro-mirror Devic e)などを含む）を採用した露光装置であっても良!、。
[0140] また、例えば国際公開第 98Z24115号パンフレット、国際公開第 98/40791号 パンフレット、特開平 10— 163099号公報及び特開平 10— 214783号公報（対応米 国特許第 6, 590, 634号明細書)、特表 2000— 505958号公報 (対応米国特許第 5, 969, 441号明細書）、米国特許第 6, 208, 407号明細書などに開示されるよう な、ウェハステージを複数備えたマルチステージ型の露光装置にも適用できる。また 、例えば国際公開第 99Z49504号パンフレット、国際公開第 2004Z053955号パ ンフレット (対応米国特許出願公開第 2005Z0252506号明細書)、米国特許第 6,9 52,253号明細書、欧州特許出願公開第 1420298号明細書、国際公開第 2004Z 055803号パンフレツ卜、国際公開第 2004Z057590号パンフレツ卜、米国特許出願 公開第 2006Z0231206号明細書、米国特許出願公開第 2005Z0280791号明 細書などに開示される液浸法を用いる露光装置にも本発明を適用することができる のは勿論である。この場合、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たす露光 装置を採用している力 本発明は、特開平 6— 124873号公報、特開平 10- 30311 4号公報、米国特許第 5, 825, 043号明細書などに開示されているような露光対象 の基板の被露光面全体が液体中に浸かって 、る状態で露光を行う液浸露光装置に も適用可能である。例えば露光装置 100が液浸露光装置で、露光装置 101が液浸 でな 、露光装置であっても構わな 、。
[0141] なお、上記実施形態で引用した露光装置などに関する全ての公報、国際公開パン フレット、米国特許出願公開及び米国特許明細書の開示を援用して本明細書の記 載の一部とする。
[0142] また、本発明は、半導体製造工程に限らず、液晶表示素子などを含むディスプレイ の製造工程にも適用可能である。また、デバイスパターンをガラスプレート上に転写 する工程、薄膜磁気ヘッドの製造工程、及び撮像素子 (CCDなど）、マイクロマシン、 有機 EL、 DNAチップなどの製造工程の他、すべてのデバイス製造工程における線 幅管理に本発明を適用することができるのは勿論である。
[0143] また、上記実施形態では、解析装置 170を、例えば PCとした。すなわち解析装置 1 70における解析処理は、解析プログラム力 PCで実行されることにより実現されてい る。この解析プログラムは、上述したようにメディアを介して PCにインストール可能とな つて 、ても良 、し、インターネットなどを通じて PCにダウンロード可能となって!/ヽても 良い。また、解析装置 170がハードウェアで構成されていても構わないのは勿論であ る。また、上記実施形態では、独立した解析装置 170を備えるようにしたが、解析装 置 170は、測定検査器 120、 121の各々に設けられるようにしても良い。この場合、そ れぞれの測定検査器 120、 121に備えられた解析機能は、ウェハ Wに関するデータ 、及び Z又は露光装置 100、 101の処理状態のデータに基づいて、自身がそのゥェ ハ Wを測定検査するのに適切であるか否力判断することになる。
産業上の利用可能性
以上説明したように、本発明のデバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定 検査装置は、デバイスを生産するのに適している。

Claims

請求の範囲
[1] 基板に対する測定検査処理を含む一連の基板処理を経てデバイスを製造するデ バイス製造方法であって、
前記基板に関する情報と、当該基板に対する一連の基板処理に関する情報との少 なくとも一方を取得する取得工程と；
取得された前記情報に基づ！/、て、同一の測定検査処理を行う複数の測定検査器 の中から、実際に前記基板を測定検査する 1つの測定検査器を選択する選択工程と 取得された前記情報に基づ!/ヽて、選択された前記測定検査器の測定検査条件及 び測定検査結果に関する情報の少なくとも一方を調整する調整工程と;を含むデバ イス製造方法。
[2] 請求項 1に記載のデバイス製造方法にぉ 、て、
前記測定検査器に設けられ、前記基板に関する情報を検出する検出系と、前記基 板処理を行う基板処理装置に設けられ、前記基板に関する情報を検出する検出系と の少なくとも一部が共通する場合に、
前記調整工程に先立って、
較正用の基準基板を用いて、前記測定検査器と前記基板処理装置との検出系の 共通部の動作条件を較正する較正工程をさらに含むデバイス製造方法。
[3] 請求項 2に記載のデバイス製造方法にぉ 、て、
前記検出系は、
前記基板上のパターンに関する情報を光電検出するパターン検出系と、 前記検出系に対する前記基板のフォーカスに関する情報を検出するフォーカス検 出系との少なくとも一方を備えるデバイス製造方法。
[4] 請求項 1〜3のいずれか一項に記載のデバイス製造方法において、
前記基板に対する一連の基板処理に関する情報は、
前記基板処理により前記基板上に形成された位置合わせ用マークの検出処理に 関する情報と、
前記基板処理装置のフォーカスに関する情報と、 前記基板処理により前記基板上に形成されたパターンの配列に関する情報と、 前記基板処理により前記基板上に形成されたパターンの歪みに関する情報と、 前記基板処理の処理状態に関する情報と、
前記基板処理の環境に関する情報と、
前記基板上に生成された膜の測定検査結果に関する情報と、の少なくとも 1つを含 むデバイス製造方法。
[5] 請求項 4に記載のデバイス製造方法にぉ 、て、
前記測定検査処理は、
前記基板上に重ね合わせて形成されたデバイスパターンに含まれる複数の重ね合 わせ誤差測定用マークの測定を含み、
前記調整工程では、
前記基板処理の処理状態に関する情報と、前記基板処理の環境に関する情報と、 前記基板上に生成された膜の測定検査結果に関する情報との少なくとも 1つに基づ いて、重ね合わせ誤差測定用マークの測定条件、測定結果及び測定環境の少なくと も 1つの調整を行うデバイス製造方法。
[6] 請求項 4に記載のデバイス製造方法にぉ 、て、
前記測定検査処理は、
前記基板上に重ね合わせて形成されたデバイスパターンに含まれる複数の重ね合 わせ誤差測定用マークの測定を含み、
前記調整工程では、
前記基板処理の処理状態に関する情報と、前記基板処理の環境に関する情報と、 前記基板上に生成された膜の測定検査結果に関する情報との少なくとも 1つに基づ V、て、異常と判断された重ね合わせ誤差測定用マークを除外するデバイス製造方法
[7] 請求項 4に記載のデバイス製造方法にぉ 、て、
前記測定検査処理は、
前記基板上に形成されたデバイスパターンのパターン線幅検査及びパターン欠陥 検査の少なくとも一方を含み、 前記調整工程では、
前記基板処理の処理状態に関する情報と、前記基板上に生成された膜の測定検 查結果に関する情報との少なくとも一方に基づいて、パターン線幅検査及びパター ン欠陥検査の少なくとも一方の検査条件を調整するデバイス製造方法。
[8] 請求項 7に記載のデバイス製造方法にぉ 、て、
前記調整工程では、異常と判断された部分を、正常と診断された部分に比して、重 点的に検査するようにするデバイス製造方法。
[9] 請求項 8に記載のデバイス製造方法にぉ 、て、
前記調整工程では、正常と診断された部分のパターン線幅の検査頻度、又は、パ ターン欠陥の検査頻度を減らすデバイス製造方法。
[10] 請求項 9に記載のデバイス製造方法において、
前記基板として、較正用の基準基板を用いた場合、
前記調整工程では、
前記基準基板上に形成された計測用パターンの歪みに関する情報を考慮して、前 記測定検査処理を行う測定検査器として選択された測定検査器の測定検査条件及 び測定検査結果に関する情報の少なくとも一方を調整するデバイス製造方法。
[11] 請求項 4〜： LOのいずれか一項に記載のデバイス製造方法において、
前記基板処理は、前記基板上への膜生成処理と、前記基板へのデバイスパターン の転写処理と、転写されたデバイスパターンの現像処理と、転写されたデバイスバタ ーンのエッチング処理とを含み、
前記基板処理の処理状態に関する情報は、前記転写処理における前記基板とデ バイスパターンとの制御誤差に関する情報と、前記膜生成処理及び前記現像処理に おける処理状態に関する情報との少なくとも一方を含むデバイス製造方法。
[12] 基板に対する測定検査処理を含む一連の基板処理を経てデバイスを製造するデ バイス製造システムであって、
前記基板に関する情報と、当該基板に対する一連の基板処理に関する情報との少 なくとも一方を取得する取得装置と；
同一の前記測定検査処理を行う複数の測定検査器と； 取得された前記情報に基づいて、前記複数の測定検査器の中から、実際に前記 基板を測定検査する 1つの測定検査器を選択する選択装置と；
取得された前記情報に基づ!/ヽて、選択された前記測定検査器の測定検査条件及 び測定検査結果に関する情報の少なくとも一方を調整する調整装置と;を備えるデ ノ イス製造システム。
[13] 請求項 12に記載のデバイス製造システムにおいて、
前記基板処理を行う基板処理装置と；
前記測定検査器に設けられ、前記基板に関する情報を検出する検出系と、前記基 板処理装置に設けられ、前記基板に関する情報を検出する検出系との少なくとも一 部が共通する場合に、
前記調整装置による調整前に、
較正用の基準基板を用いて、前記測定検査器と前記基板処理装置との検出系の 共通部の動作条件を較正する較正装置と；をさらに備えるデバイス製造システム。
[14] 請求項 13に記載のデバイス製造システムにおいて、
前記検出系は、
前記基板上のパターンに関する情報を光電検出するパターン検出系と、 前記検出系に対する前記基板のフォーカスに関する情報を検出するフォーカス検 出系との少なくとも一方を備えるデバイス製造システム。
[15] 請求項 12〜 14のいずれか一項に記載のデバイス製造システムにおいて、
前記基板に対する一連の基板処理に関する情報は、
前記基板処理により前記基板上に形成された位置合わせ用マークの検出処理に 関する情報と、
前記基板処理装置のフォーカスに関する情報と、
前記基板処理により前記基板上に形成されたパターンの配列に関する情報と、 前記基板処理により前記基板上に形成されたパターンの歪みに関する情報と、 前記基板処理の処理状態に関する情報と、
前記基板処理の環境に関する情報と、
前記基板上に生成された膜の測定検査結果に関する情報と、の少なくとも 1つを含 むデバイス製造システム。
[16] 請求項 15に記載のデバイス製造システムにおいて、
前記複数の測定検査器は、前記基板上に重ね合わせて形成されたデバイスバタ ーンに含まれる複数の重ね合わせ誤差測定用マークの測定を行い、
前記調整装置は、前記基板処理の処理状態に関する情報と、前記基板処理の環 境に関する情報と、前記基板上に生成された膜の測定検査結果に関する情報との 少なくとも 1つに基づいて、重ね合わせ誤差測定用マークの測定条件、測定結果及 び測定環境の少なくとも 1つの調整を行うデバイス製造システム。
[17] 請求項 15に記載のデバイス製造システムにおいて、
前記複数の測定検査器は、前記基板上に重ね合わせて形成されたデバイスバタ ーンに含まれる複数の重ね合わせ誤差測定用マークの測定を行い、
前記調整装置は、前記基板処理の処理状態に関する情報と、前記基板処理の環 境に関する情報と、前記基板上に生成された膜の測定検査結果に関する情報との 少なくとも 1つに基づいて、異常と判断された重ね合わせ誤差測定用マークを除外す るデバイス製造システム。
[18] 請求項 15に記載のデバイス製造システムにおいて、
前記複数の測定検査器は、前記基板上に形成されたデバイスパターンのパターン 線幅検査及びパターン欠陥検査の少なくとも一方を行い、
前記調整装置は、前記基板処理の処理状態に関する情報と、前記基板上に生成 された膜の測定検査結果に関する情報との少なくとも一方に基づいて、パターン線 幅検査及びパターン欠陥検査の少なくとも一方の検査条件を調整するデバイス製造 システム。
[19] 請求項 18に記載のデバイス製造システムにおいて、
前記調整装置は、異常と判断された部分を、正常と診断された部分に比して、重点 的に検査するようにするデバイス製造システム。
[20] 請求項 19に記載のデバイス製造システムにお 、て、
前記調整装置は、正常と診断された部分のパターン線幅の検査頻度、又は、バタ ーン欠陥の検査頻度を減らすデバイス製造システム。
[21] 請求項 20に記載のデバイス製造システムにお 、て、
前記基板として、較正用の基準基板を用いた場合、
前記調整装置は、
前記基準基板上に形成された計測用パターンの歪みに関する情報を考慮して、前 記測定検査処理を行う測定検査器として選択された測定検査器の測定検査条件及 び測定検査結果に関する情報の少なくとも一方を調整するデバイス製造システム。
[22] 請求項 15〜21のいずれか一項に記載のデバイス製造システムにおいて、
前記基板処理は、前記基板上への膜生成処理と、前記基板へのデバイスパターン の転写処理と、転写されたデバイスパターンの現像処理と、転写されたデバイスバタ ーンのエッチング処理とを含み、
前記基板処理の処理状態に関する情報は、前記転写処理における前記基板とデ バイスパターンとの制御誤差に関する情報と、前記膜生成処理及び前記現像処理に おける処理状態に関する情報との少なくとも一方を含むデバイス製造システム。
[23] 基板に対する測定検査処理を行う測定検査装置であって、
前記基板に関する情報と、当該基板に対する一連の基板処理に関する情報との少 なくとも一方を取得する取得装置と；
取得された前記情報に基づ 、て、実際に前記基板を測定検査するのに適切である か否かを判定する判定装置と；
前記判定装置により適切であると判定された場合に、取得された前記情報に基づ いて、測定検査条件及び測定検査結果に関する情報の少なくとも一方を調整する調 整装置と；を備える測定検査装置。
[24] 請求項 23に記載の測定検査装置において、
前記測定検査装置に設けられ、前記基板に関する情報を検出する検出系と、前記 基板処理を行う基板処理装置に設けられ、前記基板に関する情報を検出する検出 系との少なくとも一部が共通する場合に、
前記調整装置の調整前に、
較正用の基準基板を用いて、前記検出系の共通部の動作条件を較正する較正装 置をさらに備える測定検査装置。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009164306A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Nikon Corp 較正方法、移動体駆動方法及び移動体駆動装置、露光方法及び露光装置、パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法
WO2018038071A1 (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
WO2018061945A1 (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
JP2018524811A (ja) * 2015-06-22 2018-08-30 ケーエルエー−テンカー コーポレイション パターン化ウェハ幾何計測を用いたプロセス誘起非対称性の検出、定量及び制御
JP2019020729A (ja) * 2017-07-14 2019-02-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 計測装置及び基板ステージ・ハンドラ・システム
KR20200100540A (ko) 2019-02-18 2020-08-26 캐논 가부시끼가이샤 노광 시스템 및 물품 제조 방법
JP2020160475A (ja) * 2015-02-23 2020-10-01 株式会社ニコン 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1289728C (zh) * 2000-12-14 2006-12-13 有限会社武村技术制作所 提花机的选针装置
US8037575B2 (en) * 2008-02-28 2011-10-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for shape and timing equivalent dimension extraction
US8531650B2 (en) 2008-07-08 2013-09-10 Chiaro Technologies LLC Multiple channel locating
US7951615B2 (en) * 2009-04-01 2011-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for implementing multi-resolution advanced process control
US8712571B2 (en) * 2009-08-07 2014-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for wireless transmission of diagnostic information
TWI499876B (zh) * 2009-12-09 2015-09-11 Pc Fan Technology Inc 半導體元件之監控方法
JP5574749B2 (ja) * 2010-02-24 2014-08-20 キヤノン株式会社 露光条件及びマスクパターンのうち少なくとも一方を決定する決定方法及びプログラム、情報処理装置
NL2006322A (en) * 2010-03-18 2011-09-20 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and associated method and monitoring and control system.
JP5832345B2 (ja) * 2012-03-22 2015-12-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 検査装置および検査方法
US9081287B2 (en) 2012-12-20 2015-07-14 Kla-Tencor Corporation Methods of measuring overlay errors in area-imaging e-beam lithography
US9110039B2 (en) * 2013-07-25 2015-08-18 Kla-Tencor Corporation Auto-focus system and methods for die-to-die inspection
US9562760B2 (en) * 2014-03-10 2017-02-07 Cognex Corporation Spatially self-similar patterned illumination for depth imaging
CN104570422B (zh) * 2014-12-31 2017-10-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板的品质的监控方法
US10785394B2 (en) 2015-08-28 2020-09-22 Kla Corporation Imaging performance optimization methods for semiconductor wafer inspection
JP6453805B2 (ja) * 2016-04-25 2019-01-16 ファナック株式会社 製品の異常に関連する変数の判定値を設定する生産システム
US11156993B2 (en) * 2016-06-02 2021-10-26 Universal Instruments Corporation Semiconductor die offset compensation variation
CN105867066B (zh) * 2016-06-27 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、显示基板的制作方法、显示基板及显示装置
JP2018077764A (ja) * 2016-11-11 2018-05-17 東京エレクトロン株式会社 異常検知装置
US10699429B2 (en) 2017-08-19 2020-06-30 Cognex Corporation Coding distance topologies for structured light patterns for 3D reconstruction
CN109635619B (zh) 2017-08-19 2021-08-31 康耐视公司 用于三维重建的结构化光图案的编码距离拓扑
US11029610B2 (en) 2017-09-28 2021-06-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic method
TWI667530B (zh) * 2017-09-28 2019-08-01 日商紐富來科技股份有限公司 Inspection method and inspection device
CN109188331A (zh) * 2018-09-07 2019-01-11 德淮半导体有限公司 测试构架的校验方法、计算设备及校验系统
TWI770614B (zh) * 2020-09-22 2022-07-11 南亞科技股份有限公司 機台監控系統與機台監控方法
CN112885731A (zh) * 2021-01-29 2021-06-01 南京诚芯集成电路技术研究院有限公司 对准系统的监控和数据的筛选方法
KR20220133102A (ko) * 2021-03-24 2022-10-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치, 해석 방법, 표시 장치 및 프로그램

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001250852A (ja) * 2000-03-02 2001-09-14 Hitachi Ltd 半導体デバイスの製造方法、検査装置における検査条件出し方法、検査装置の選定方法並びに検査装置およびその方法
JP2002100660A (ja) * 2000-07-18 2002-04-05 Hitachi Ltd 欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置
JP2002190443A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Hitachi Ltd 露光方法およびその露光システム

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
US4780617A (en) * 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JPH08262323A (ja) * 1995-03-24 1996-10-11 Asahi Optical Co Ltd 走査光学系
CN1244021C (zh) * 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 光刻装置和曝光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
KR100512450B1 (ko) * 1996-12-24 2006-01-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 두개의물체홀더를가진이차원적으로안정화된위치설정장치와이런위치설정장치를구비한리소그래픽장치
USRE40043E1 (en) 1997-03-10 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Positioning device having two object holders
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
US6897963B1 (en) * 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2001338870A (ja) 2000-03-24 2001-12-07 Nikon Corp 走査露光装置及び方法、管理装置及び方法、ならびにデバイス製造方法
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
JP2003197506A (ja) 2001-12-27 2003-07-11 Nikon Corp 位置検出方法、露光方法及びデバイス製造方法
WO2003077291A1 (fr) * 2002-03-12 2003-09-18 Olympus Corporation Procede de fabrication de semi-conducteurs et dispositif d'usinage associe
WO2004023955A1 (ja) 2002-09-10 2004-03-25 Tadayoshi Sato 揚げ物器
EP2495613B1 (en) 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
CN100470367C (zh) * 2002-11-12 2009-03-18 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
KR20050085235A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7358507B2 (en) 2002-12-13 2008-04-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
ATE335272T1 (de) 2002-12-19 2006-08-15 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
KR101562447B1 (ko) 2003-02-26 2015-10-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001250852A (ja) * 2000-03-02 2001-09-14 Hitachi Ltd 半導体デバイスの製造方法、検査装置における検査条件出し方法、検査装置の選定方法並びに検査装置およびその方法
JP2002100660A (ja) * 2000-07-18 2002-04-05 Hitachi Ltd 欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置
JP2002190443A (ja) * 2000-12-20 2002-07-05 Hitachi Ltd 露光方法およびその露光システム

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009164306A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Nikon Corp 較正方法、移動体駆動方法及び移動体駆動装置、露光方法及び露光装置、パターン形成方法及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法
JP2020160475A (ja) * 2015-02-23 2020-10-01 株式会社ニコン 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法
JP2018524811A (ja) * 2015-06-22 2018-08-30 ケーエルエー−テンカー コーポレイション パターン化ウェハ幾何計測を用いたプロセス誘起非対称性の検出、定量及び制御
WO2018038071A1 (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
JP2023022066A (ja) * 2016-08-24 2023-02-14 株式会社ニコン 計測システム
US11274919B2 (en) 2016-08-24 2022-03-15 Nikon Corporation Measurement system, substrate processing system, and device manufacturing method
JP2021121872A (ja) * 2016-08-24 2021-08-26 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
JPWO2018038071A1 (ja) * 2016-08-24 2019-07-18 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
EP3506012A4 (en) * 2016-08-24 2020-04-15 Nikon Corporation MEASURING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US10777441B2 (en) 2016-09-30 2020-09-15 Nikon Corporation Measurement system, substrate processing system, and device manufacturing method
JP7379314B2 (ja) 2016-09-30 2023-11-14 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
JPWO2018061945A1 (ja) * 2016-09-30 2019-07-11 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
JP2021047433A (ja) * 2016-09-30 2021-03-25 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
CN109791379A (zh) * 2016-09-30 2019-05-21 株式会社尼康 测量系统及基板处理系统、及元件制造方法
CN109791379B (zh) * 2016-09-30 2021-08-27 株式会社尼康 测量系统及基板处理系统、及元件制造方法
US11107718B2 (en) 2016-09-30 2021-08-31 Nikon Corporation Measurement system, substrate processing system, and device manufacturing method
US11915961B2 (en) 2016-09-30 2024-02-27 Nikon Corporation Measurement system, substrate processing system, and device manufacturing method
US11430684B2 (en) 2016-09-30 2022-08-30 Nikon Corporation Measurement system, substrate processing system, and device manufacturing method
WO2018061945A1 (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 株式会社ニコン 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法
JP2019020729A (ja) * 2017-07-14 2019-02-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 計測装置及び基板ステージ・ハンドラ・システム
JP7364323B2 (ja) 2017-07-14 2023-10-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 計測装置及び基板ステージ・ハンドラ・システム
US11874103B2 (en) 2017-07-14 2024-01-16 Asml Netherlands B.V. Measurement apparatus
KR20200100540A (ko) 2019-02-18 2020-08-26 캐논 가부시끼가이샤 노광 시스템 및 물품 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW200739678A (en) 2007-10-16
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