TWI413154B - An analyzing device, a processing device, a measuring device, an exposure device, a substrate processing system, a resolving method, and a recorded recording medium - Google Patents

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Description

解析裝置、處理裝置、測定裝置、曝光裝置、基板處理系統、解析方法及記錄有程式之記錄媒體
本發明係有關解析裝置、處理裝置、測定裝置、曝光裝置、基板處理系統、解析方法及記錄有程式之記錄媒體，更詳言之，其係有關在供元件製造之物體上用以形成元件圖案之一連串處理(process)之相關資訊予以解析之解析裝置、具備該解析裝置之處理裝置、測定裝置、曝光裝置、具備前述各種裝置之基板處理系統、使用前述解析裝置進行解析之解析方法、以及在供元件製造之物體上用以形成元件圖案之一連串處理之相關資訊於電腦予以解析之記錄有程式之記錄媒體。
習知，在半導體元件、液晶顯示元件等之電子元件製程，為避免在半導體基板(晶圓)或液晶顯示基板(玻璃基板)等感應基板上所形成之電路圖案等線寬與設計值產生偏差，而在曝光裝置中對線寬會產生大影響之曝光條件，例如變更焦點(投影光學系統之光軸方向上的像面與感應基板表面之位置關係)與曝光量，而進行依序測試(test)曝光，並依據該曝光結果來求出最佳焦點及曝光量。具體言之，將焦點依既定步驟間距而變更，且於各步驟將曝光量在既定範圍內作階段性改變，以將測試圖案依序轉印於感應基板上的不同區域。藉此，在感應基板上可形成，在焦點與曝光量之至少一方為不同條件下所轉印之複數個測試圖案的轉印像。又，例如，根據將複數個轉印像之檢測結果，於以焦點與曝光量作為座標軸之二維座標系統上排列成矩陣狀而更換的結果，來求出最佳之焦點及曝光量。
例如，在習知之CD(Critical Dimension：臨界尺寸)管理上，係將圖案線寬作為焦點與曝光量的連續函數，根據測試曝光所得之各曝光區域之臨界線寬的測定結果，而利用解析軟體來作成該連續函數。又，依據將焦點與曝光量當作座標軸之2維座標平面內之連續函數，來確定成為可容許線寬之焦點及曝光量的區域或是處理窗(process window)，選擇按圖案區域內各部位的圖案別所取得之製程窗之重複區域內焦點與曝光量的設定值，當作實際曝光時的設定值。
若使用上述方法，可將用以實現良好圖案線寬之焦點與曝光量預先設定。然而，在製程執行中，當要進行線寬變動要因的解析及與線寬相關參數之最佳化時，若從產能的觀點而言，則要求縮短較以往解析及最佳化所需的時間。又，實際上，圖案線寬的變動要因由於未限於焦點或曝光量，因此，要求可解析更多變動要因之技術。
本發明之第1觀點，係一種解析裝置，用以解析在供元件製造用之物體上形成元件圖案之一連串處理之相關資訊，其具備：取得裝置，用以取得藉處理裝置(執行該一連串處理之至少一部分)進行該一連串處理執行中之處理內容之相關資訊；根據該取得裝置所取得之資訊、與實測所得之在該物體上所形成之圖案尺寸之相關資訊，來解析兩者之因果關係。
本發明之第2觀點，係一種處理裝置，用以執行在供元件製造之複數個物體上形成元件圖案之一連串處理之至少一部分；在將該一連串處理之至少一部分依序於該複數個物體上執行途中，輸出與該圖案尺寸相關的處理內容之相關資訊。
本發明之第3觀點，係一種測定裝置，用以測定在物體上所形成之圖案尺寸，其可輸出該圖案尺寸的測定條件之相關資訊、及其測定狀態之相關資訊。
本發明之第4觀點，係一種測定裝置，用以測定在物體上所形成之圖案尺寸，其可輸出該圖案尺寸的測定條件之相關資訊、及其測定狀態之相關資訊。
本發明之第5觀點，係一種測定裝置，在供元件製造之物體上形成元件圖案之一連串處理執行期間途中，用以測定在物體上所形成之圖案尺寸，其可將該圖案尺寸的測定條件之相關資訊、及其測定狀態之相關資訊，於該一連串處理執行中輸出。
本發明之第6觀點，係一種測定裝置，用以測定在物體上所形成之圖案尺寸，從裝置外部要求在該物體上形成有該圖案時的處理內容之相關資訊。
本發明之第7觀點，係一種測定裝置，在供元件製造之複數個物體上形成元件圖案之一連串處理執行期間途中，用以測定在物體上所形成之圖案尺寸；於該一連串處理執行中，從裝置外部要求在該物體上形成有該圖案時的處理內容之相關資訊。
本發明之第8觀點，係一種測定裝置，用以測定在物體上所形成之圖案尺寸，其具有接收部，用以從裝置外部接收在該物體上形成有該圖案時的處理內容之相關資訊。
本發明之第9觀點，係一種測定裝置，在供元件製造之複數個物體上形成元件圖案之一連串處理執行期間途中，用以測定在物體上所形成之圖案尺寸；其具有接收部，於該一連串處理執行中，用以從裝置外部接收在該物體上形成有該圖案時的處理內容之相關資訊。
本發明之第10觀點，係一種曝光裝置，用以將圖案轉印於物體上，其可輸出該圖案對該物體上之轉印條件之相關資訊、及該圖案對該物體上之轉印狀態之相關資訊。
本發明之第11觀點，係一種曝光裝置，用以將元件圖案轉印於供元件製造之複數個物體上，其可將該圖案對該物體上之轉印條件之相關資訊、及該圖案對該物體上之轉印狀態之相關資訊，在該複數個物體上依序執行轉印途中輸出。
本發明之第12觀點，係一種基板處理系統，用以執行在物體上形成圖案之一連串處理，其具備：資料管理部，用以綜合管理用以進行該一連串處理之複數個處理裝置對該圖案尺寸產生影響之處理內容之相關資訊。
本發明之第13觀點，係一種記錄有程式之記錄媒體，該程式係用以於電腦將在供元件製造之複數個物體上形成元件圖案之一連串處理之相關資訊加以解析；藉由用以執行該一連串處理之至少一部分的處理裝置，根據該一連串處理執行中所進行的處理內容之相關資訊、與實測所得之在該物體上所形成之圖案尺寸之相關資訊，將兩者的因果關係加以解析的步驟於電腦執行。
依該等發明，在一連串處理中，由於可將圖案尺寸之相關資訊與處理裝置的處理內容之相關資訊的因果關係，自動於一連串處理執行中解析，因此，即使在複數片晶圓的曝光處理中曝光圖案的線寬精度惡化，仍可迅速進行要因分析、對應、不會降低生產效率而能提高良品率。又，不僅能不必進行測試處理，並且不必限定待調整之參數。
以下，就本發明之一實施形態，根據圖1~圖5來予以說明。圖1係表示本發明之一實施形態之基板處理系統的概略構成圖。基板處理系統101，係用以處理半導體晶圓，以製造微元件之系統。如圖1所示，該基板處理系統101具備：曝光裝置100、與該曝光裝置100鄰接配置之曝光前後處理裝置300、管理控制器500、解析裝置600，主系統700、及元件形成裝置群組900。
曝光裝置100、曝光前後處理裝置300係彼此線內(in line)連接。在此之線內連接係指，將裝置間及各裝置內之處理單元間透過搬送裝置(機械臂或滑動件等用以自動搬送晶圓者)而連接。利用線內連接，亦可將曝光裝置100、曝光前後處理裝置300的組合視為一個基板處理裝置。又，在圖1中，由於係紙面的關係，因此僅圖示一個基板處理裝置(100、300)，實際上，在基板處理系統101設有複數個基板處理裝置。即，在基板處理系統101中，設有複數台曝光裝置100與曝光前後處理裝置300。各基板處理裝置(100、300)及元件形成裝置群組900，係設置於溫度及溼度受到管理之潔淨室內。又，在各裝置之間，亦可透過既定之通訊網路(例如LAN：區域網路)來進行資料通訊。
在基板處理裝置(100、300)，晶圓係以複數片(例如25片或50片)為1單位(批)來進行處理。在基板處理系統101，晶圓係以1批為基本單位來處理而製品化。
曝光裝置100具備：用以射出曝光用照明光之照明系統、用以保持形成有電路圖案等(以該照明光照明)之載台、投影光學系統、用以保持晶圓(曝光對象)之載台、以及該等之控制系統。該曝光裝置100，係藉由相對於曝光用照明光來驅動上述各載台，且重複標線片與晶圓的相對同步掃描、以及晶圓之步進，以將標線片之電路圖案轉印於晶圓上複數個照射區域。即，曝光裝置100係掃描曝光型曝光裝置。在曝光裝置100構築有：用以控制照明光的強度(曝光量)之曝光量控制系統；及載台控制系統，進行兩載台之同步控制、及在投影光學系統之焦點深度內使晶圓面一致之自動對焦/調平控制控制(以下僅稱為焦點控制)等。曝光量控制系統，根據可測量曝光量之各種曝光量感測器之檢測值，進行使曝光量與其目標值一致之回授(feed back)控制。載台控制系統，根據用以測量載台位置之干涉計的測量值來進行回授控制，藉此來實現兩載台之同步控制。在曝光裝置100設有多點AF(自動對焦)感測器，其具有用以檢測晶圓面之對焦/調平之任一種之複數個檢測點。載台控制系統，在該多點AF感測器之複數個檢測點之中，例如進行使在9個檢測點(9通道)所檢測出之曝光區域附近之晶圓面與投影光學系統的像面一致之回授控制，藉此來實現焦點控制。又，在曝光裝置100中，將與兩載台之同步控制相關之2維座標系統作為XY座標系統(以同步掃描方向為Y軸)，以與投影光學系統的光軸平行之座標軸為Z軸，而在XYZ座標系統下進行載台控制。以下，將載台控制系統分為同步控制系統與焦點控制系統作說明。
在曝光裝置100，可設定用以決定上述各控制系統的動作之控制參數。此種控制參數可分為兩大類，亦即：於變更其設定值時，為了求出其最佳值而必須使製程暫時停止以進行裝置調整之調整系統參數；以及不必進行裝置調整之非調整系統參數。
就調整系統參數的代表例而言，與曝光量控制系統相關者為：用以檢測曝光量之曝光量感測器之調整參數、及用以測量晶圓上照明光的強度之照度測量感測器之調整參數等。又，與同步控制系統相關者為：移動鏡(用以將來自載台位置測定用之干涉計之雷射光反射而設於用來保持晶圓或標線片之載台上)彎曲校正用之校正函數之係數值等之參數、回授控制之位置環路增益、速度環路增益、積分時間常數等。又，與焦點控制系統相關者為：當使曝光時之晶圓面與投影透鏡像面一致時焦點控制之偏差調整值(焦點偏差)、用以使曝光時之晶圓面與投影透鏡像面一致(平行)之調平調整參數、與多點AF感測器之各檢測點之感測器(位置檢測元件(PSD))之線性、感測器間偏差、各檢測器之檢測再現性、通道間偏差、晶圓上之AF光束照射位置(檢測點)、其它AF面校正等相關之參數等。該等參數值皆需利用裝置校正或試運轉來調整。
另一方面，就非調整系統參數的代表例而言，與曝光量控制系統相關者，例如照明系統之ND濾光器的選擇相關之參數、及曝光量目標值。又，與同步控制系統相關者，例如掃描速度等。又，與焦點控制系統相關者，例如，9通道份量之焦點感測器之選擇狀態、後述之焦點段差校正圖相關之參數、焦點偏差之微調整量、晶圓外緣之邊緣照射區域之掃描方向等。又，該等參數之設定值，即使未進行裝置校正仍可使值變更之參數，其大多利用曝光程式來指定。又，關於ND濾光器，在對某晶圓曝光開始時，在將曝光量目標值適當(例如最小)設定後之狀態下，依據僅進行一次之平均功率檢測的結果來選擇。又，利用該ND濾光器的選擇，亦可進行掃描速度之某程度微調整。
於晶圓上所轉印形成之電路圖案的線寬，會因曝光量、同步精度、焦點之各控制誤差而與設計值產生偏差。因此，在曝光裝置100中存入：自曝光量控制系統所獲得之與曝光量誤差相關之控制量之時序資料(曝光量追跡資料)、自同步控制系統所獲得之與同步精度誤差相關之控制量之時序資料(同步精度追跡資料)、自焦點控制系統所獲得之與焦點誤差相關之控制量之時序資料(焦點追跡資料)。該等追跡資料可利用於後述之解析裝置600之解析。
又，在曝光裝置100設有2台晶圓保持用之載台。下一待處理之晶圓交替裝載於兩載台而依序曝光。如此，由於當對被保持於一載台的晶圓進行曝光時，可將晶圓裝載於另一載台上而預先進行對準等，因此，可較以1台載台重複進行晶圓交換→對準→曝光更提高產能。在圖1中，將被保持於一載台的晶圓進行掃描曝光的部分以處理部1表示，而將被保持於另一載台的晶圓進行掃描曝光的部分以處理部2表示。
在曝光前後處理裝置300設有：用以進行光阻塗布及顯影之塗布顯影器(C/D)310、及進行各種測定之測定器800。在該C/D310及測定器800中亦設置處理部1、2，俾實現處理時間的縮短。
測定器800，於曝光裝置100之晶圓曝光前後(即，事前、事後)，對該晶圓進行既定測定。測定器800係用以測定，藉由在曝光前(事前)於晶圓上之前層各照射區域所形成之電路圖案等所產生之各晶圓面的表面形狀(凹凸)，亦即照射區域平坦度(亦稱為元件外形圖、焦點段差)。在測定器800，例如設置用以與曝光裝置100匹配之AF感測器，藉此，可測定照射區域平坦度。又，測定器800，亦可測定以曝光裝置100轉印且以C/D310顯影之曝光後(事後)之晶圓上之電路圖案等之線寬。
解析裝置600，係與曝光裝置100、曝光前後處理裝置300獨立動作之裝置。解析裝置600，收集來自各種裝置之各種資料(例如裝置之處理內容)，以進行對晶圓之一連串處理之相關資料的解析。實現該解析裝置600之硬體，例如可採用個人電腦(以下簡稱「PC」)。在此情形，解析處理係藉由執行在解析裝置600的CPU(未圖示)所執行之解析程式來實現。該解析程式係由CD－ROM等媒體(資訊記錄媒體)供應，而在安裝於PC的狀態下執行。
解析裝置600，根據將圖案轉印於晶圓上某部位時的曝光量、同步精度、焦點控制誤差，可推定轉印形成於該部位之圖案的線寬。在解析裝置600的記憶體(未圖示)儲存有表(table)群組，以表示圖案的線寬與曝光量、同步精度、焦點之各控制誤差之關係。圖2係表示該表群組之一例的示意圖。如圖2所示，該表群組係由指數表51與n個表群組521 ~52n 所構成。在指數表51，曝光量之控制誤差(曝光量誤差)的代表值係指定為－1.0~1.0mJ/cm2 中之5個代表值，同步精度之控制誤差(同步精度誤差)的代表值係指定為0.00~0.30μm中之4個代表值。在圖2之指數表51中，採用既定期間內之移動平均當作曝光量誤差，採用既定期間內之移動標準誤差當作同步精度誤差。其皆採用對線寬的影響度較高之統計值。在此，既定期間係指，藉由兩載台之相對掃描，狹縫狀的曝光區域到達晶圓上某部位起至離開為止之期間。
在指數表51之各單元，登錄有與各代表值的組合相對應之表群組52i (i＝1~n,n例如為20)之表名(T1 1 ~T5 4 )。在各表群組52i 中準備複數個表，用以表示當作各焦點控制誤差的統計值之Z平均偏差ZM E A N 、Z移動標準偏差ZM s D ，與線寬值的關係。在此，ZM E A N 係指上述既定期間(曝光狹縫通過期間)內之焦點控制誤差之移動平均值，ZM s D 係指上述既定期間內之焦點控制誤差之移動標準偏差。更嚴格而言，Z平均偏差ZM E A N 、Z移動標準偏差ZM S D ，係曝光狹縫通過該圖案部分期間，以晶圓面之元件外形圖為基準之焦點目標位置算起之晶圓面之Z方向及傾斜方向之任一者，即該等方向上綜合焦點控制誤差的移動平均及移動標準偏差。又，就算是相同之ZM E A N 、ZM s D ，由於其時之線寬值(CD值)仍會因各像高(與掃描方向正交之座標軸方向)而異，因此，在各表群組52i ，針對像高之幾個代表值(f0 ~fM )準備表。
解析裝置600，根據自曝光裝置100取得之曝光量追跡資料、同步精度追跡資料、焦點追跡資料，算出晶圓上某部位(取樣點)之各控制誤差的統計值。接著，解析裝置600，參照指數表51，並根據曝光量誤差及同步精度誤差，自表群組521 ~52n (表名T1 1 ~T5 4 )之中選擇與該等值接近之代表值相對應之表群組。例如，若曝光量誤差為－0.7、同步精度誤差為0.005，則選擇與其值附近的代表值組合相對應之登錄於單元之4個表群組521 、522 、525 、526 (表名T1 1 、T1 2 、T2 1 、T2 2 )。
接著，說明經選擇4個表群組之情形之CD值的算出方法。就前提而言，與選擇之表群組相對應之曝光量誤差的代表值中，小者稱為曝光量誤差最小值，大者稱為曝光量誤差最大值。又，與所選擇之表群組相對應之同步精度誤差的代表值之中，小者稱為同步精度誤差最佳值，大者稱為同步精度誤差最差值。解析裝置600，係從所選擇之4個表群組之中，參照與對準標記之照射區域內X座標相對應之像高fk (k＝0~M)之表，讀取以下所示之4個表。在此，k＝0係指像高為0，亦即係指位於光軸上。
(1)在曝光量誤差最小值與同步精度誤差最佳值之表群組之像高fk 之表1。
(2)在曝光量誤差最小值與同步精度誤差最差值之表群組之像高fk 之表2。
(3)在曝光量誤差最大值與同步精度誤差最佳值之表群組之像高fk 之表3。
(4)在曝光量誤差最大值與同步精度誤差最差值之表群組之像高fk 之表4。
首先，解析裝置600，參照表1、2，讀取與ZM E A N 、ZM S D 相對應之CD值。接著，藉由將同步精度誤差最差值與同步精度誤差最佳值間內分之同步精度誤差之，根據其內分比之1次插入，從表1、2所讀取之CD值，算出與該同步精度誤差相對應之CD值。更具體而言，求出直線的切片與斜率(即，直線之式)，該直線係從以CD值與同步精度誤差當作各座標軸之2維面內之2個表1、2所分別讀取之2個CD值，以與該2個CD值相對應之點作為兩端，且將與同步精度誤差相對應之該直線上之點的CD值當作與該同步精度誤差相對應之CD值來求出。同樣地，參照表3、4，讀取與ZM E A N 、ZM S D 相對應之CD值。接著，藉由將同步精度誤差最差值與同步精度誤差最佳值間內分之同步精度誤差之，根據其內分比之1次插入，從表3、4所讀取之CD值，算出與該同步精度誤差相對應之CD值。接著，將所算出之2個CD值，藉由將曝光量誤差最小值與曝光量誤差最大值間內分之曝光量誤差之，根據其內分比之1次插入，算出與該曝光量控制誤差相對應之CD值。該CD值成為該取樣點之CD值。上述插入，曝光量誤差或同步精度誤差任一方之值與代表值相等，不僅可適用於4個表的情形，亦可適用於選擇2個表的情形。
然而，先於使用該表之線寬的推定，必須預先將CD值登錄於表中。該CD值，係在執行一連串處理前，根據曝光裝置100及測定器800所獲得之資訊而登錄。首先，在曝光裝置100，於設定既定曝光條件後的狀態下進行掃描曝光以將測試圖案轉印於測試晶圓上，並取得此時之曝光量追跡資料、同步精度追跡資料、焦點追跡資料。接著，將轉印有測試圖案之測試晶圓顯影於C/D310，且於測定器800測定測試圖案。接著，將各種追跡資料及所設定之曝光條件之相關資料、與線寬之測定結果傳送至解析裝置600。
解析裝置600，根據各種追跡資料算出取樣點(轉印有線寬測定後之測試晶圓)的曝光量、同步精度、焦點控制誤差的統計值。其次，解析裝置600，針對以在表所設定之各種控制誤差之代表值為基準之各既定範圍(即表內之單元)，將測定結果分組。接著，將屬於同組之線寬測定結果的平均值登錄於表以當作該單元之CD值。又，所登錄之CD值，不僅可根據測定器800的測定結果，亦可根據SEM所測定之值或利用OCD法等所測定之值，亦可實際上不使用測試晶圓，而取代設置測試圖案的空間像測量用之空間像感測器，從以該空間像感測器所測量之測試圖案的空間像所求得之空間像模擬之算出值。
又，曝光量誤差、同步精度誤差、焦點誤差即使完全相同，CD值仍會因曝光裝置100的曝光條件、所轉印圖案設計條件而異。因此，表群組係按曝光條件、圖案設計條件別而準備。如此，關於表群組，以曝光條件、圖案設計條件、曝光量誤差、同步精度誤差、焦點誤差為重點，而需預先以可探索CD值之推定值的方式資料庫化。又，就曝光條件而言，有曝光波長、投影光學系統NA、照明NA、照明σ、照明種類、焦點深度等，就圖案的設計條件而言，有設計線寬(例如130nm)、圖案種類(孤立線或等間隔線圖案)等。有關該等曝光條件、圖案設計條件，與圖案線寬的關係，或表中之像高等諸條件的設定方法，例如已詳細揭示於日本特開2001－338870號公報及與此對應之美國專利第6538721、6992751號說明書等。只要在本案國際專利申請之指定國(或選擇國)之國內法令許可，援用上述公報及對應美國專利說明書所揭示者作為本說明書的記載之一部分。
管理控制器500，係用以控制管理在曝光裝置100所進行之曝光步驟，並管理曝光裝置100之程序。又，主系統700係用以綜合管理基板處理裝置101整體。元件形成裝置群組900包含：在晶圓上進行薄膜生成之成膜裝置(CVD(化學氣相沉積)裝置)910、進行蝕刻之蝕刻裝置920、進行化學機械研磨以將晶圓平坦化之CMP(化學機械研磨)裝置930、及使晶圓氧化且離子(雜質)植入之氧化離子植入裝置940等。在CVD裝置910、蝕刻裝置920、CMP裝置930及氧化離子植入裝置940，亦設有2個處理部(處理部1、2)，以謀求提高產能。又，在CVD裝置910、蝕刻裝置920、CMP裝置930及氧化離子植入裝置940，同樣亦設有複數台曝光裝置100等，且彼此間亦設有可用以搬送晶圓之搬送路徑。在元件形成裝置群組900，除上述外，亦包含用以進行晶圓之探索處理、修護處理、切割處理、封裝處理、接合處理等之裝置。
其次，說明在基板處理裝置101之一連串處理之流程。圖3係表示該處理之流程，圖4係表示在該一連串處理之重複步驟部分之晶圓流程與資料流程。該基板處理裝置101之一連串處理，係以主系統700及管理控制器500來進行程序管理。如上述，晶圓雖以批單位來進行處理，在圖3、圖4皆係對1片晶圓之一連串處理。實際上，以批單位對各晶圓重複進行圖3、圖4所示之處理。
如圖3、圖4所示，首先，在CVD裝置910於晶圓上成膜(步驟201)，然後將該晶圓搬送至C/D310，且在C/D310於該晶圓上塗布光阻(步驟202)。其次，將晶圓搬送至測定器800，在測定器800，於晶圓上已形成之前層複數個照射區域中，針對作為測量對象而選擇之照射區域，測定照射區域平坦度(照射區域之焦點段差)(步驟203)。該測量照射區域的數量及配置可為任意，例如，如圖4所示般，可設為晶圓外周部之8個照射區域。測定器800的測定結果(即測量照射區域之平坦度)係傳送至曝光裝置100。該測定結果係用於曝光裝置100之掃描曝光時之焦點控制。
接著，將晶圓搬送至曝光裝置100，且以曝光裝置100將標線片上之電路圖案轉印於晶圓上(步驟205)。此時，在曝光裝置100，進行測量照射區域曝光中之上述曝光量、同步精度、焦點追跡資料的監測，且將其預先儲存於內部之記憶體。其次，將晶圓搬送至C/D310，且以C/D310進行顯影(207步驟)。該光阻像之線寬以測定器800測定(步驟209)。測定器800的測定結果(線寬資料)送至解析裝置600。解析裝置600，根據來自曝光裝置100或測定器800之資訊來進行與線寬相關之解析(步驟211)。如圖4所示，解析裝置600，將解析經過按照需要，對測定器800或曝光裝置100發出各種資料之轉送要求，並按照解析結果將解析資訊傳送至各裝置。又，關於在該解析裝置600之詳細解析處理及資料的流程於後述。又，在解析裝置600取得各種資料後，曝光裝置100亦可將儲存於內部之追跡資料迅速刪除。
另一方面，從測定器800將晶圓搬送至元件形成裝置群組900所含之蝕刻裝置920，然後在蝕刻裝置920進行蝕刻，且按照需要進行雜質擴散、以CVD裝置910進行之成膜、以CMP裝置910進行之平坦化、在氧化離子植入裝置94之離子植入等。接著，所有步驟結束，在主系統700進行所有圖案是否已形成於晶圓上之判斷(步驟215)。若判斷為否定則回到步驟201，若判斷為肯定則進至步驟217。如此，藉由重複進行成膜、光阻塗布乃至蝕刻等一連串處理之步驟數，將電路圖案積層於晶圓上，而形成半導體元件。
重複步驟結束後，則在元件形成裝置群組900執行探索處理(步驟217)、修護處理(步驟219)。在步驟219，當檢測出記憶體不良時，例如進行對冗餘電路之置換處理。解析裝置600，可將檢測出之線寬異常發生部位等資訊送至進行探索處理、修護處理之裝置。在未圖示之檢查裝置，針對晶圓上之線寬異常發生部位，可於單元單位，自探索處理、修護處理之處理對象排除。其後，執行切割處理(步驟221)、封裝處理、接合處理(步驟223)，最後完成製品晶片。又，步驟209之事後測定處理，亦可在步驟213之蝕刻後進行。在此情形，對晶圓之蝕刻像進行線寬測定。
其次，詳細說明步驟211之解析處理。圖5係表示解析裝置600之解析處理的流程圖。如圖5所示，首先，讀取測定器800所傳送之測量照射區域之各取樣點之線寬資料(步驟301)，以判定線寬是否異常(步驟303)。該判定，例如藉由將實測線寬與設計值之差值和預設之閾值比較來進行。在此，若判定線寬為正常時則結束解析處理，若判定線寬為異常時則進至步驟305。在步驟305，自曝光裝置100下載焦點追跡資料、同步精度追跡資料、曝光量追跡資料、晶圓之平坦度資料、及控制參數之設定值，根據該等資料，算出焦點控制誤差之統計值之ZM E A N 、ZM S D 、同步精度誤差(移動標準偏差)、曝光量誤差(移動平均)，且參照前述之表群組，算出同步精度誤差及曝光量誤差、與ZM E A N 、ZM S D 相對應之線寬的推定值。其次，進行線寬的推定值與實測值的傾向是否一致之判定，以檢查該等之一致性(步驟307)。若不一致時，則可將其視為曝光處理以外(成膜/光阻處理、事前測定處理、顯影處理、事後測定處理等)導致線寬異常之要因。在此情形，進至步驟309，對C/D310、元件形成裝置群組900之各裝置等，發出處理停止要求而當作解析資訊(參照圖4)，暫時停止各種裝置的運用，而成為操作員可進行其他裝置的檢查之狀態。操作員進行曝光裝置100以外的裝置之檢查，俾調查線寬異常之要因。另一方面，在步驟307，若實測值與推定值大致一致而判斷為肯定時，則判斷線寬異常的原因為曝光裝置100所致，然後進至步驟311。
在步驟311，將上述步驟305所算出之焦點/同步精度/曝光量之各控制誤差、元件段差是否在規格外之判定。在此，例如若與焦點相關之統計值超出規格時，則判定為包含焦點控制或照射區域平坦度而當作線寬異常之要因。又，若與同步誤差相關之統計值在規格外時，則判定為包含同步誤差而當作線寬異常之要因。又，若與曝光量相關之統計值在規格外時，則判定為包含曝光量誤差而當作線寬異常之要因。若該等之中至少1個統計值為規格(曝光裝置之規格)外時，則判斷為肯定，然後進至步驟315。在步驟315，選定經特定之與控制誤差相關之調整系統參數及控制系統參數而當作線寬異常之要因，且進行選定之參數的最佳化。
在該參數的最佳化，參照圖2所示之表，執行各種焦點/同步精度/曝光量之各控制誤差的組合、模擬，藉此，以使各控制誤差接近於0的方式來調整控制參數。各控制參數，由於其與焦點/同步精度/曝光量之各控制誤差的關係為已知，故可推算出用以使各控制誤差接近於0的控制參數之設定值。
另一方面，在步驟311，若各控制誤差的統計值皆再規格內時，則判定為否定，然後進至步驟313。在步驟313，就算各控制誤差的統計值在規格內，仍進行是否將控制參數最佳化之判定。若判定為否定則結束解析處理，若判定為肯定則進至步驟317。在步驟317，僅將控制參數中非調整系統的參數最佳化(調整)。在此，與上述步驟315同樣，以使各控制誤差接近於0的方式來調整控制參數(但，僅係非調整系統的參數)。如此，不必停止曝光裝置100之曝光處理，仍可進行圖案線寬的調整。
在執行步驟315、317後，將經最佳化之控制參數資料當作解析資訊而傳送至曝光裝置100(步驟319)。在曝光裝置100，控制參數的設定值係被更新為所傳送的資料之值，今後，在該控制參數下續行曝光處理。在執行步驟319後，結束解析處理。
如以上所述，依本實施形態之解析裝置600，用以於晶圓上製造元件之一連串處理中，可將在晶圓上形成圖案的線寬之相關資料，與曝光裝置之處理內容之相關資料(即，曝光條件或圖案設計資訊等之處理條件)、曝光量、同步精度、焦點之各種控制誤差等之因果關係，在執行一連串處理中自動解析。因此，不僅不需進行測試處理，且待調整之參數亦不必限於曝光量或焦點等。
又，依本實施形態，解析裝置600，由於僅在確認到線寬異常時再進行解析，故可省略不必要之解析處理。在本實施形態中，於測量照射區域之各取樣點之線寬實測值與設計值的差值，就算僅於1處超過閾值，亦視為線寬異常。如此，則可於測量照射區域進行嚴密的線寬異常檢測。
然而，於線寬異常檢測中，亦可算出測量照射區域中與線寬的實測值相關之統計值，再將所算出之統計值與閾值比較，藉此來進行線寬異常檢測。在此情形，可減少實測值所含之測定誤差的影響，而可更確實進行線寬異常檢測。就此種統計值而言，可採用線寬的平均值，或採用表示線寬不均的指標值(例如標準偏差、標準偏差的3倍之所謂3 σ、分散等)。又，亦可採用平均值與表示不均之指標值的和(例如線寬的平均值＋3 σ等)。
又，依本實施形態，在檢測出線寬異常時，雖可將曝光裝置100的控制參數最佳化，惟，對被檢測出線寬異常的晶圓亦必須採取某些措施。例如，針對在大部分測量照射區域確認出線寬異常的晶圓，由於在非測量照射之照射區域亦有可能發生線寬異常，故可將該類晶圓去除，而將其自之後的處理對象排除。又，針對確認出線寬異常的測量照射區域例如一個左右晶圓，由於考慮到發生局部線寬異常，故可將線寬異常之圖案周邊部分，例如僅將該測量照射區域指定為自之後的處理對象排除之照射區域。又，在一個照射區域內包含複數個晶片區域時，能以晶片單位將包含其電路圖案之晶片區域自之後的處理對象排除。此種之後的處理對象，例如有探索處理、修護處理等。如此，對於發生缺陷的部分可省略該等處理，而可提高處理效率。又，在以批單位來處理晶圓中，線寬異常連續在複數個晶圓多數發生時，可將該批之晶圓完全排除。如此，將包含被檢測出線寬異常的電路圖案之晶片區域、照射區域、晶圓、批等自之後的處理排除，藉此，可提高其處理效率。又，此種排除之相關資訊亦當作圖4所示之解析資訊而送至各裝置。各裝置根據該資訊，而對排除對象之晶片區域、照射區域、晶圓、批等不進行處理。
又，在本實施形態，線寬異常的判定位準(閾值)雖是一個，惟，亦可將判定位準設置複數個階段。如此，則可按照各判定位準來變更之後所執行的各重裝置之處理狀態。例如，設置高低2個閾值，當實測線寬與設計值的偏差在2個閾值的中間時，僅進行曝光裝置100的控制參數的最佳化，而不進行圖案排除，當實測線寬與設計值的偏差超過高的閾值時，則進行控制參數的最佳化與圖案排除。又，未限於此，除了曝光裝置100之外，亦可將C/D310、測定器800、各種元件形成裝置900各裝置等的處理內容作階段性調整。
又，本實施形態，於測定器800，雖對各晶圓僅針對事先選擇的測量照射區域進行線寬測定，但亦可按照異常的發生頻度來增減線寬測定的頻度，或按照異常的發生分布來改變線寬測定位置的分布(異常發生部位重點測定)。例如，當待確認線寬異常的測量照射區域數量增加時，可增加晶圓內的測量照射數量，當待確認線寬異常的測量照射區域數量減少時，亦可減少測量照射數量。又，線寬異常的測定，亦可不必在所有的晶圓進行，可每隔數片進行。例如，若線寬異常未於既定片數連續發生時，則可將線寬測定次數設為每隔10片晶圓進行，最後，僅針對最前批晶圓進行測定。尤其，當新發生線寬異常時，則必須增加線寬的測定頻度。
又，解析裝置600，當確認出線寬異常時，則將其情形當作解析資訊來通知各種處理裝置。
又，本實施形態，雖僅於檢測出線寬異常時才進行控制參數的最佳化，惟未限於此，可以隔數片晶圓的方式，且必須進行控制參數的最佳化。在此情形，在步驟303(圖5)，進行是否為最佳化對象之晶圓。又，在此情形，如上述，亦可按照判斷為線寬異常之圖案的檢測頻度，來增減最佳化對象之晶圓的數量。
又，在本實施形態，主要係解析曝光裝置100的處理內容與晶圓上的圖案線寬之因果關係。然而，對圖案線寬會產生影響的處理裝置不僅係曝光裝置。例如，在C/D310中，在晶圓上所塗布之光阻的塗布不均等，對待形成的圖案線寬亦會產生極大影響。因此較佳係，不僅係曝光裝置，亦將其他處理裝置與圖案線寬的因果關係亦設成可解析，且可界定線寬的變動要因係曝光裝置、或其他裝置。因此，本實施形態，根據從曝光裝置的處理狀態所推定之電路圖案線寬的推定值，與該線寬的實測值之一致程度，來判定晶圓上的電路圖案尺寸的變動要因是否為曝光裝置，若判定為不是曝光裝置，則進行其他處理裝置的檢查。該推定值，係根據表示過去所得之曝光裝置100的處理內容，與電路圖案線寬的關係之表群組(參照圖2)來推定。藉此，可增加線寬的推定值。
在本實施形態，曝光裝置的處理內容，除了曝光條件及圖案的設計資訊等處理條件之外，亦包含其處理狀態(掃描曝光中之焦點、曝光量、同步精度之各控制誤差)。表示曝光裝置之處理狀態與電路圖案線寬的關係之表，係按照處理之複數個不同設定值來設定。在該表中，雖僅登錄曝光裝置之處理狀態與電路圖案線寬的取樣值，但，即使曝光裝置之處理內容取何種值，仍可藉由插入運算來算出與其處理內容對應之線寬推定值。如此，不僅可使用以儲存表之記憶體的容量減少，且相較於探索單元數龐大之表，可更縮短求出圖案線寬的推定值所需時間。亦即，可使表管理更容易。
又，該表群組，不僅按照曝光裝置之曝光條件來設定，亦可除該曝光條件之外按照其他處理裝置之處理結果來設定。例如，亦可以與曝光條件同樣的處理條件，加上以C/D310所塗布之光阻的膜厚。與此種處理條件對應的處理裝置，主要係用以進行曝光前處理之前處理裝置。就該前處理裝置而言，例如，用以在晶圓上塗布光阻之C/D310、用以測定照射區域平坦度之測定器800。就測定器800的處理內容而言，有該處理結果中所含之誤差值。又，即使係進行曝光後處理之後處理裝置的處理條件，亦可以作為在表中之處理條件來加入。例如，在測定器800中之測定誤差，亦可將C/D310中之PEB處理條件(溫度均勻性等)及顯影處理條件作為處理條件附加，當測定器800之測定對象並非光阻像而係蝕刻像時，亦可將蝕刻裝置的處理結果作為處理條件附加。如此，不僅可曝光裝置，亦可考慮到各種處理裝置的處理內容之線寬異常檢測、線寬變動要因之裝置界定、線寬變動要因之界定。
又，依本實施形態，根據曝光裝置之焦點、曝光量、同步精度之各追跡資料，從該等當中界定電路圖案線寬之變動要因。該界定方法，可將從各種追跡資料算出之該圖案轉印期間之變動要因候補之控制誤差的統計值、與該控制誤差的限定值作比較，而將規格外者界定為線寬之變動要因。此種統計值雖可採用控制誤差的移動平均值、移動標準偏差等，但，關於同步精度，由於用以表示其不均之移動標準偏差較移動平均值更能直接表示對線寬的影響，故本實施形態採用移動標準偏差。然而，關於同步精度當然亦可採用移動平均，關於同步精度、曝光量亦與焦點同樣，亦可採用移動平均與移動標準偏差兩者。又，雖將焦點誤差控制的統計值當作Z平均偏離(移動平均)、與Z移動標準偏差，惟其他亦可採用SFQR、SFQD。
又，在本實施形態，於測定器800雖測定曝光前晶圓的照射區域平坦度，惟本發明未限於此。例如，亦可在將晶圓裝載於曝光裝置後，將保持晶圓之載台仍保持水平(即不進行焦點控制)而與掃描曝光同樣進行同步掃描，此時，根據以焦點控制系統所觀測之晶圓面的變動，來測定照射區域平坦度，或是將前次掃描曝光中之焦點追跡減去晶圓載台之Z位置或傾斜量所得之差值當作照射區域平坦度來測定。又，有關此種照射區域平坦度資料之測定方法，例如詳細揭示於日本特開2001－338870號公報及對應之美國專利第6538721、6992751號說明書等。
又，在本實施形態，焦點控制誤差的統計值之Z平均偏離、Z移動標準偏差雖係以照射區域平坦度(元件外形圖)為基準，惟未限於此，亦可在算出焦點控制誤差時，不考慮照射區域平坦度。
又，依本實施形態，算出控制參數的最佳值當作調整資訊，以調整作為圖案尺寸的變動要因而界定之處理內容。在此情形，原則上，雖參照用以表示曝光裝置之處理內容的統計值與圖案線寬的關係之表，以使焦點、曝光量、同步精度的統計值接近於0的方式來調整各種控制參數，惟，當該調整有困難時，則亦可以作為變動要因而界定之處理內容之對圖案線寬的影響相抵銷的方式，來調整控制參數。在此情形，亦可將上述表群組利用在控制參數的調整上。亦即，各種統計值雖不是0，可探索線寬按照設計值而形成的元件，以使統計值成為該值的方式來調整控制參數。又，由於參照該表，可界定出特別會對線寬產生影響的處理內容，故可將待調整之控制參數縮小成與所界定之處理內容相關者。藉此，可減少待調整之控制參數的數量，而可提高其調整效率。又，在僅調整焦點、同步精度、曝光量仍難以調整控制參數時等，亦可變更曝光條件、圖案的設計條件。在此情形，亦可變更以C/D310所塗布之光阻膜厚或PEB溫度控制等、其他處理裝置的處理條件。
又，在本實施形態，就算曝光量/同步精度/焦點並非在規格外而仍欲進行控制參數最佳化之情形，並非將調整系統的參數當作調整對象，而僅將非調整系統的參數當作調整對象。如此，由於不必將裝置的運轉停止，故可提高產能。
本實施形態之基板處理系統101，如前述般，具備解析裝置600，使用解析裝置600，將各種處理裝置(用以執行對晶圓之一連串處理至少一部分)的處理內容進行解析，具體而言，進行在晶圓上所形成之圖案線寬的異常檢測、成為線寬異常要因之裝置的界定、成為線寬異常要因之處理內容的界定。因此，將複數個不同的處理條件分別依序設定於曝光裝置，此時，由於不僅可省略進行測試曝光等繁雜步驟而提高產能，且因不會受限於可調整之線寬變動要因的數量，故可調整更多參數，可進行更精細的裝置調整，而能提高圖案線寬精度。結果，可對線寬異常等迅速對應，將參數迅速最佳化，而可提高元件製造之良率。
在本實施形態之基板處理裝置101中，於解析裝置600之解析處理，曝光裝置100、及測定器800等各處理裝置，可將各處理內容傳送至解析裝置600。例如，在曝光裝置100，不僅將該等處理結果的相關資訊，並且將其處理條件、及處理途中的狀態等相關資訊輸出至裝置外部。又，測定器800、C/D310、及元件形成裝置群組900之各裝置等亦同樣地，亦可不僅將該等處理結果，並且將處理條件、處理狀態之相關資訊輸出至解析裝置600。例如，測定器800，可輸出圖案線寬的處理條件之相關資料(照明條件、照明波長等)、及測定狀態之相關資料(例如，測定誤差的偏差及不均之相關資料)等。在此情形，與本實施形態之曝光裝置100或測定器800同樣地，若可將該等處理條件、處理狀態，於一連串處理執行途中輸出，則可快速進行使用其資料之解析，而能對線寬異常等作迅速對應。
又，在本實施形態，解析裝置600之解析結果當作解析資訊，而於一連串處理執行中，亦傳送至曝光裝置100、C/D310、測定器800、元件形成裝置群組900。各裝置具備用以接收該解析資訊之接收部。在該等解析資訊中，包含各裝置之控制參數之調整資訊，各裝置根據該調整資訊，來變更本身之控制參數的設定值。如此，就算在一連串處理執行中，亦可進行裝置調整，而可對線寬惡化作迅速對應。
例如，有關在測定器800之控制參數，例如有測量對象之晶圓的選定、及測量照射區域的選擇等。例如，在圖4中，雖選擇晶圓外緣的8個照射區域當作測量照射區域，惟，該等照射區域若因光阻塗布等而判斷為不適合當作照射區域時，則可變更測量照射區域。在某種意義上，上述之線寬測定的頻度調整，亦可視為測定器800之參數調整。又，有關C/D310之控制參數，例如有在晶圓上之光阻塗布不均之相關參數。例如有晶圓的旋轉速度、光阻的滴下量或滴下間隔等。
又，解析裝置600，亦可組合於測定器800、曝光裝置100或其他處理裝置中。在此情形，於組合有解析裝置600之測定器800、曝光裝置100或其他處理裝置，由於必須進行線寬之相關解析，因此，與解析裝置600同樣地，在一連串處理執行中，須有用以進行與其他裝置之資料傳送接收之傳送接收介面。
又，本實施形態之基板處理系統101，透過解析裝置600而構成與曝光裝置100及測定氣800的結合，藉此構成可適當進行曝光裝置100之線寬管理之系統。該等由於與線內連接，而可於短期間進行光阻塗布、事前測定、曝光、事後測定、顯影等步驟，並將該等測定結果解析，再將該解析結果迅速反應於各步驟，因此，可有效率地進行線寬管理。
又，雖從曝光裝置100將控制參數的設定值資料與各種追跡資料對解析裝置600傳送，惟亦可不傳送該等資料。在解析裝置600，可算出控制參數的設定值之變化量並將其傳送至曝光裝置100，在曝光裝置10，可將控制參數的設定值變更該變化量即可。又，從曝光裝置100傳送至解析裝置600的追跡資料，可為焦點、同步精度、曝光量至少一種。追跡資料未限於焦點、曝光量、同步精度，若是圖案線寬之相關資料，則可採用任一種。又，曝光條件亦未限於上述者，若是會對線寬產生影響之曝光條件、圖案之設計條件、同步控制之控制條件、其他處理裝置之處理結果，則可指定任一者。
又，在本實施形態，從曝光裝置100所取得之資料當作曝光量/同步精度/焦點之各控制追跡資料，亦可在曝光裝置100，事先算出各控制誤差的統計值，再將該統計值傳送至解析裝置600。在此情形，不必將追跡資料傳送至解析裝置600。
若改變觀點，解析裝置600亦可視為資料管理部，可從各種處理裝置獲得會對線寬產生影響的處理內容之相關資訊，並將該等資訊綜合管理，俾使圖案線寬成為設計值。即，基板處理系統101亦可視為具有資料管理部(共有管理線寬相關之各裝置的資料)之系統。若進行此種線寬相關之資料的綜合管理，則於製造元件時，可跨越各種裝置而進行均衡良好的系統調整。
在本實施形態，雖將測定器800線內連接於曝光裝置100等，惟，測定器亦可係不與曝光裝置100及曝光前後處理裝置300形成線內連接之離線(off line)測定器。又，事前測定器與事後測定器亦可分別設置，任何一方皆可係線內或離線連接。
在本實施形態，雖將曝光裝置100當作步進掃描方式之曝光裝置，惟未限於此，其亦可係步進重複方式或其他方式之曝光裝置。各種裝置在此所代表者，亦未限於該種類。又，本發明，未限於半導體製程，亦可適用於包含液晶顯示元件等之元件製程。又，將元件圖案轉印於玻璃基板上之製程、薄膜磁頭之製程、及攝影元件(CCD等)、微機器、有機EL、DNA晶片等之製程外，在所有元件製程之線寬管理上，皆可適用本發明。
又，上述實施形態，雖將管理對象作為線圖案線寬，惟，亦可係圖案寬度，其並非箱形標記(box mark)等線圖案。
又，上述實施形態，亦可將解析裝置600例如當作PC(電腦)。即，解析裝置600之解析處理，其解析程式可藉於PC執行來實現。該解析程式，如上述，可透過媒體安裝於PC，或透過網路下載至PC。又，解析裝置600亦可以硬體來構成。
如以上所述，本發明之解析裝置、處理裝置、測定裝置、曝光裝置、基板處理系統、解析方法及記錄有程式之記錄媒體，適用於元件製程。
51．．．指數表
52．．．表群組
100．．．曝光裝置
101．．．基板處理系統
300．．．曝光前後處理裝置
310．．．塗布顯影器(C/D)
500．．．管理控制器
600．．．解析裝置
700．．．主系統
800．．．測定器
900．．．元件形成裝置群組
圖1係表示本發明一實施形態之基板處理系統的概略構成圖。
圖2係表示表之一例。
圖3係表示基板處理系統的處理流程圖。
圖4係表示基板處理系統的資料流程圖。
圖5係表示解析裝置的處理流程圖。

Claims (57)

  1. 一種解析裝置，係用以解析在供元件製造用之物體上形成元件圖案之一連串處理之相關資訊，其特徵在於，具備：取得裝置，用以取得藉執行該一連串處理之至少一部分且至少包含曝光裝置之處理裝置進行該一連串處理執行中之處理內容之相關資訊；根據該取得裝置所取得之從該處理裝置的處理內容之相關資訊所推定之該圖案尺寸的相關資訊、與至少包含在該物體上所形成之圖案尺寸之實測值之該圖案尺寸之相關資訊的比較結果，來解析該處理裝置中該圖案尺寸相關之處理內容的因果關係，根據該解析結果來界定該處理裝置中成為該圖案尺寸的變動要因之至少一個處理內容，算出用以調整該處理內容之調整資訊，將該調整資訊通知該處理裝置；該處理裝置的處理內容之相關資訊，包含該曝光裝置的處理內容之相關資訊；該曝光裝置的處理內容之相關資訊包含以下至少一種資訊：在該物體上圖案像的成像狀態之相關資訊、該物體對該圖案像的相對位置偏差之相關資訊、及用以在該物體上轉印圖案像之能量光束的能量之相關資訊。
  2. 如申請專利範圍第1項之解析裝置，其中，根據該圖案尺寸的實測值來檢測出該圖案尺寸的異常，當檢測出異常時，則進行該因果關係的解析。
  3. 如申請專利範圍第2項之解析裝置，其中，根據與該圖案尺寸的實測值相關之統計值，檢測出該圖案尺寸的異常。
  4. 如申請專利範圍第3項之解析裝置，其中，該統計值係該圖案尺寸的平均值、偏差、平均值與偏差的和之至少一者。
  5. 如申請專利範圍第2項之解析裝置，其中，將經判斷為尺寸異常之圖案，指定為從其後的處理對象排除之圖案。
  6. 如申請專利範圍第2項之解析裝置，其中，該物體係半導體基板；將包含經判斷為尺寸異常之圖案的晶片，以晶片單位從處理對象排除。
  7. 如申請專利範圍第2項之解析裝置，其中，將該圖案尺寸異常的判定位準設成複數個階段；針對各判定位準，按照其判定位準來指定其後所執行之處理裝置的處理內容。
  8. 如申請專利範圍第2項之解析裝置，其中，在對複數個物體依序執行該一連串處理時，按照經判斷為尺寸異常之圖案的檢測頻度、或檢測分布，來增減用以測定該圖案尺寸之物體的選擇數，或改變待測定之物體的位置。
  9. 如申請專利範圍第2項之解析裝置，其中，將檢測出該圖案尺寸異常的訊息通知該處理裝置。
  10. 如申請專利範圍第1項之解析裝置，其中，在對複數個物體依序執行該一連串處理時，於該複數個物體中， 僅針對所選擇之物體進行該因果關係的解析。
  11. 如申請專利範圍第1項之解析裝置，其中，按照經判斷為尺寸異常之圖案的檢測頻度、或檢測分布，來增減用以測定該圖案尺寸之物體的選擇數，或改變待測定之物體的位置。
  12. 如申請專利範圍第1項之解析裝置，其中，該一連串處理的至少一部分，係以分別執行該處理的一部分之複數個該處理裝置來執行，且於該複數個處理裝置間，進行與該圖案尺寸相關之處理內容的因果關係之解析。
  13. 如申請專利範圍第12項之解析裝置，其中，根據該因果關係的解析結果，來界定該複數個處理裝置中成為該圖案尺寸的變動要因之至少一個處理裝置。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之解析裝置，其中，根據過去所獲得之該複數個處理裝置的各處理內容與該圖案尺寸的關係之相關資訊，來推定該圖案尺寸。
  15. 如申請專利範圍第14項之解析裝置，其中，該複數個處理裝置的各處理內容之相關資訊，包含對該物體之處理條件與處理狀態之相關資訊；將該複數個處理裝置的各處理狀態與該圖案尺寸的關係之相關資訊，當作該複數個處理裝置的各處理內容與該圖案尺寸的關係之相關資訊，而存在於該處理條件的複數個不同的每一設定值。
  16. 如申請專利範圍第15項之解析裝置，其中，該複數個處理裝置的各處理內容之相關資訊，進一步包含對該物 體的處理結果；將該複數個處理裝置的各處理狀態與該圖案尺寸的關係之相關資訊，當作該複數個處理裝置的各處理內容與該圖案尺寸的關係之相關資訊，而存在於該處理條件的複數個不同的每一設定值、及其他處理裝置的每一處理結果。
  17. 如申請專利範圍第1項之解析裝置，其中，該一連串處理的至少一部分，係以至少一個處理裝置來執行；該至少一個處理裝置包含以下至少一個裝置：用以將圖案轉印於該物體之至少一個該曝光裝置、用以執行該圖案轉印前的處理之至少一個前處理裝置、及用以執行該圖案轉印後的處理之至少一個後處理裝置。
  18. 如申請專利範圍第17項之解析裝置，其中，在該前處理裝置中包含以下至少一個裝置：用以將感光劑塗布於該物體上之塗布裝置、用以測定該物體的狀態之事前測定裝置；在該後處理裝置中包含以下至少一個裝置：用以將轉印形成於該物體上的圖案顯影之顯影裝置、按照該圖案進行該物體的蝕刻之蝕刻裝置、用以測定該圖案尺寸之事後測定裝置、該圖案的檢查裝置。
  19. 如申請專利範圍第12項之解析裝置，其中，根據該複數個處理裝置的各處理內容的統計值、與其處理內容的限定值的比較結果，來界定該複數個處理裝置中成為該圖案尺寸的變動要因之至少一個處理內容。
  20. 如申請專利範圍第19項之解析裝置，其中，該複數 個處理裝置的各處理內容的統計值，係在該物體上形成該圖案期間的處理狀態之相關資訊的移動平均值、移動標準偏差之至少一種。
  21. 如申請專利範圍第12項之解析裝置，其中，根據過去所獲得之該複數個處理裝置的各處理內容與該圖案尺寸的關係之相關資訊，來算出該調整資訊。
  22. 如申請專利範圍第21項之解析裝置，其中，參照過去所獲得之該複數個處理裝置的各處理內容與該圖案尺寸的關係之相關資訊，以針對當作該變動要因而界定之處理內容對該圖案尺寸的影響相抵銷的方式，來算出該等調整資訊。
  23. 如申請專利範圍第21項之解析裝置，其中，參照過去所獲得之該複數個處理裝置的各處理內容與該圖案尺寸的關係之相關資訊，縮小範圍成變更該圖案尺寸上有效的處理內容，來算出該等調整資訊。
  24. 如申請專利範圍第21項之解析裝置，其中，當將該處理裝置的處理狀態與該圖案尺寸的關係之相關資訊，當作該複數個處理裝置的各處理內容與該圖案尺寸的關係之相關資訊，而存在於該複數個處理裝置的各處理條件的複數個不同的每一設定值之情形，若變更該處理條件對於該圖案尺寸的修正為有效時，則算出用以調整該處理條件的設定值之調整資訊。
  25. 如申請專利範圍第1項之解析裝置，其中，在未檢測出該圖案尺寸異常之情形，則將待調整之處理內容限定 為就算將其變更仍可對該物體續行處理之處理內容。
  26. 如申請專利範圍第23項之解析裝置，其中，該處理條件包含以下至少一種條件：用以轉印該圖案之曝光條件、該圖案之設計條件、該圖案與該物體的相對位置之控制條件、及用以進行該圖案之轉印前處理之其他處理裝置的處理結果之相關條件。
  27. 如申請專利範圍第26項之解析裝置，其中，在該物體上該圖案像的成像狀態之相關資訊係指該物體的面形狀基準之資訊。
  28. 一種處理裝置，係用以執行將圖案形成於物體上之一連串處理之至少一部分，其特徵在於，具備：申請專利範圍第1至27項中任一項之解析裝置。
  29. 如申請專利範圍第28項之處理裝置，其進一步在將該一連串處理之至少一部分依序於該複數個物體上執行途中，輸出與該圖案尺寸相關的處理內容之相關資訊。
  30. 如申請專利範圍第29項之處理裝置，其中，該處理內容包含以下至少一種：該處理裝置對該物體之處理條件、處理狀態、處理結果。
  31. 如申請專利範圍第29項之處理裝置，其中，該一連串處理之至少一部分係包含以下任一種處理：用以將感光劑塗布於該物體上之塗布處理、用以測定該物體的狀態之事前測定處理、用以將轉印形成於該物體上的圖案顯影之顯影處理、按照該圖案進行該物體的蝕刻之蝕刻處理、用以測定該圖案尺寸之事後測定處理、及該圖案的檢查處理。
  32. 一種測定裝置，係用以測定在物體上所形成之圖案尺寸，其特徵在於，具備：申請專利範圍第1至27項中任一項之解析裝置。
  33. 一種曝光裝置，係用以將圖案轉印於物體上，其特徵在於，具備：申請專利範圍第1至27項中任一項之解析裝置。
  34. 一種解析方法，係將圖案形成於物體上之一連串處理之相關資訊加以解析，其特徵在於包含：解析步驟，使用申請專利範圍第1至27項中任一項之解析裝置，將用以執行該一連串處理之至少一部分之處理裝置的處理內容加以解析。
  35. 一種基板處理系統，係用以執行在物體上形成圖案之一連串處理，其特徵在於，具備：申請專利範圍第1至27項中任一項之解析裝置。
  36. 一種基板處理系統，係用以執行在物體上形成圖案之一連串處理，其特徵在於，具備：申請專利範圍第29項之處理裝置。
  37. 一種記錄有程式之記錄媒體，該程式係用以於電腦將在供元件製造之複數個物體上形成元件圖案之一連串處理之相關資訊加以解析，其特徵在於：藉由用以執行該一連串處理之至少一部分且至少包含曝光裝置之的處理裝置，取得該一連串處理執行中所進行的處理內容之相關資訊，根據從該處理裝置的處理內容之 相關資訊所推定之該圖案尺寸的相關資訊、與至少包含在該物體上所形成之圖案尺寸之實測值之該圖案尺寸之相關資訊的比較結果，來解析該處理裝置中該圖案尺寸相關之處理內容的因果關係，根據該解析結果來界定該處理裝置中成為該圖案尺寸的變動要因之至少一個處理內容，算出用以調整該處理內容之調整資訊，將該調整資訊通知該處理裝置的步驟於電腦執行；該處理裝置的處理內容之相關資訊，包含該曝光裝置的處理內容之相關資訊；該曝光裝置的處理內容之相關資訊包含以下至少一種資訊：在該物體上圖案像的成像狀態之相關資訊、該物體對該圖案像的相對位置偏差之相關資訊、及用以在該物體上轉印圖案像之能量光束的能量之相關資訊。
  38. 如申請專利範圍第37項之記錄有程式之記錄媒體，其中，根據該圖案尺寸的實測值，將用以檢測該圖案尺寸異常的步驟進一步於電腦執行；當檢測出異常時，則將該因果關係加以解析的步驟於該電腦執行。
  39. 如申請專利範圍第38項之記錄有程式之記錄媒體，其中，根據與該圖案尺寸的實測值相關的統計值，將用以檢測該圖案尺寸異常的步驟於該電腦執行。
  40. 如申請專利範圍第38項之記錄有程式之記錄媒體，其中，將判斷為尺寸異常的圖案指定為從其後的處理對象排除之圖案之步驟，進一步於電腦執行。
  41. 如申請專利範圍第40項之記錄有程式之記錄媒體，其中，該物體係指半導體基板；將包含經判斷為尺寸異常之圖案的晶片，以晶片單位從處理對象排除之步驟，當作指定為從處理對象排除之圖案的步驟，於該電腦執行。
  42. 如申請專利範圍第38項之記錄有程式之記錄媒體，其中，將該圖案尺寸異常的判定位準設成複數個階段；按照以該複數個階段的判定位準所判定之該圖案尺寸異常程度的位準，將用以指定其後所執行之處理裝置的處理內容之步驟，於該電腦執行。
  43. 如申請專利範圍第38項之記錄有程式之記錄媒體，其中，在對複數個物體依序執行該一連串處理時，按照經判斷為尺寸異常之圖案的檢測頻度，來增減用以測定該圖案尺寸之物體的選擇數的步驟，進一步於該電腦執行。
  44. 如申請專利範圍第38至43項中任一項之記錄有程式之記錄媒體，其中，將檢測出該圖案尺寸異常的訊息通知該處理裝置的步驟，進一步於該電腦執行。
  45. 如申請專利範圍第37項之記錄有程式之記錄媒體，其中，在對複數個物體依序執行該一連串處理時，於該複數個物體中，僅針對所選擇之物體進行該因果關係的解析之步驟，於該電腦執行。
  46. 如申請專利範圍第45項之記錄有程式之記錄媒體，其中，按照經判斷為尺寸異常之圖案的檢測頻度，來增減用以測定該圖案尺寸之物體的選擇數之步驟，進一步 於該電腦執行。
  47. 如申請專利範圍第項之記錄有程式之記錄媒體，其中，該一連串處理的至少一部分，以分別執行該處理的一部分之複數個該處理裝置來執行，且於該複數個處理裝置間，進行與該圖案尺寸相關之處理內容的因果關係之解析的步驟，於該電腦執行。
  48. 如申請專利範圍第47項之記錄有程式之記錄媒體，其中，根據該因果關係的解析結果，來界定該複數個處理裝置中成為該圖案尺寸的變動要因之至少一個處理裝置的步驟，進一步於該電腦執行。
  49. 如申請專利範圍第47或48項之記錄有程式之記錄媒體，其中，根據過去所獲得之該複數個處理裝置的各處理內容與該圖案尺寸的關係之相關資訊，來推定該圖案尺寸的步驟，於該電腦執行。
  50. 如申請專利範圍第49項之記錄有程式之記錄媒體，其中，該複數個處理裝置的各處理內容之相關資訊，包含對該物體之處理條件與處理狀態之相關資訊；將該複數個處理裝置的各處理狀態與該圖案尺寸的關係之相關資訊，當作該複數個處理裝置的各處理內容與該圖案尺寸的關係之相關資訊，而存在於該處理條件的複數個不同的每一設定值。
  51. 如申請專利範圍第50項之記錄有程式之記錄媒體，其中，該複數個處理裝置的各處理內容之相關資訊，進一步包含對該物體的處理結果； 將該複數個處理裝置的各處理狀態與該圖案尺寸的關係之相關資訊，當作該複數個處理裝置的各處理內容與該圖案尺寸的關係之相關資訊，而存在於該處理條件的複數個不同的每一設定值、及其他該處理裝置的每一處理結果。
  52. 如申請專利範圍第50項之記錄有程式之記錄媒體，其中，根據該複數個處理裝置的各處理內容的統計值、與其處理內容的限定值的比較結果，來界定該複數個處理裝置中成為該圖案尺寸的變動要因之至少一個處理內容的步驟，於該電腦執行。
  53. 如申請專利範圍第50項之記錄有程式之記錄媒體，其中，根據過去所獲得之該複數個處理裝置的各處理內容與該圖案尺寸的關係之相關資訊，來算出該調整資訊的步驟，於該電腦執行。
  54. 如申請專利範圍第53項之記錄有程式之記錄媒體，其中，參照過去所獲得之該複數個處理裝置的各處理內容與該圖案尺寸的關係之相關資訊，以針對當作該變動要因而界定之處理內容對該圖案尺寸的影響相抵銷的方式，來算出該調整資訊的步驟，於該電腦執行。
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  56. 如申請專利範圍第50項之記錄有程式之記錄媒 體，其中，當將該複數個處理裝置的各處理狀態與該圖案尺寸的關係之相關資訊，當作該複數個處理裝置的各處理內容與該圖案尺寸的關係之相關資訊，而存在於該處理條件的複數個不同的每一設定值之情形，若變更該處理條件對於該圖案尺寸的修正為有效時，則算出用以調整該處理條件之調整資訊的步驟，於該電腦執行。
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