CN112967942B - 晶圆测试方法和装置、计算机存储介质及计算机设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种晶圆测试方法及装置、计算机存储介质及计算机设备。该测试方法包括：确定待测试的晶圆；采用标准点测机从晶圆中抽测目标数量的晶粒，得到第一测试数据；通过工作点测机对晶圆中的每颗晶粒进行测试，得到第二测试数据；基于第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常，从而及时发现晶圆测试过程中是否出现异常，以确保测试站的良率的技术效果。

Description

晶圆测试方法和装置、计算机存储介质及计算机设备

技术领域

本发明涉及测试技术领域，尤其涉及晶圆测试方法和装置、计算机存储介质及计算机设备。

背景技术

在正常的工艺流程中，晶圆在切割研磨后会到达测试站，经过测试站后到达分选以及后续站点，但如果晶圆在点测站点测过程中出现异常是很难在当站及时发现的，要等到最后工序进行质量抽样检测时才能发现，在质量抽样发现出点测有异常时，晶圆已经经过分选变成方片，由点测之后所有工序都要进行返工重测，分选还要进行清机动作，浪费人力，物力，时间及成本，导致测试站的良率较低。因此，如何及时发现晶圆测试过程中是否出现异常，以确保测试站的良率是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供晶圆测试方法和装置、计算机存储介质及计算机设备，旨在解决现有技术中难以及时发现晶圆测试过程中是否出现异常的技术问题。

本申请还提供一种晶圆测试方法，该测试方法包括：确定待测试的晶圆；采用标准点测机从所述晶圆中抽测目标数量的晶粒，得到第一测试数据；通过工作点测机对所述晶圆中的每颗晶粒进行测试，得到第二测试数据；基于所述第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常。

通过上述步骤，解决了现有技术中难以及时发现晶圆测试过程中是否出现异常的技术问题，通过采用标准点测机对晶圆中的晶粒进行抽测，工作点测机对所述晶圆中的晶粒进行全测，将抽测数据和全测数据进行比较，及时确定出晶圆测试过程是否出现异常，以便及时采取相应策略解决异常情况，确保测试站的良率。

可选地，基于所述第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常包括：若所述第一测试数据与第二测试数据的差异超过卡控范围，确定晶圆测试过程出现异常；若所述第一测试数据与第二测试数据的差异未超过所述卡控范围，确定晶圆测试过程未出现异常。

可选地，在确定晶圆测试过程出现异常之后，所述方法还包括：依据所述第一测试数据与第二测试数据，确定晶圆测试过程中是所述工作点测机异常还是人为造成的异常；若是测试过程中所述工作点测机异常，则对所述工作点测机进行调整；若是测试过程中人为造成的异常，则重新通过所述工作点测机对所述晶圆中的每颗晶粒进行测试。

可选地，所述第一测试数据中至少包括：被抽测晶粒的坐标，以及被抽测晶粒的第一亮度值、第一电压值和第一波长，所述第二测试数据中至少包括：每颗晶粒的坐标，以及每颗晶粒的第二亮度值、第二电压值和第二波长，在基于所述第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常之前，所述方法包括：计算所述第一测试数据中所有被抽测晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值；计算所述第二测试数据中与第一测试数据中相同坐标的所有晶粒的第二亮度值的均值，第二电压值的均值和第二波长的均值；基于所述第一亮度值的均值和所述第二亮度值的均值的比值，所述第一电压值的均值和所述第二电压值的均值的差值，所述第一波长的均值和所述第二波长的均值的差值，确定晶圆测试过程是否出现异常。

可选地，基于所述第一亮度值的均值和所述第二亮度值的均值的比值，所述第一电压值的均值和所述第二电压值的均值的差值，所述第一波长的均值和所述第二波长的均值的差值，确定晶圆测试过程是否出现异常包括：若所述第一亮度值的均值和所述第二亮度值的均值的比值小于第一阈值范围，所述第一电压值的均值和所述第二电压值的均值的差值小于第二阈值范围，且所述第一波长的均值和所述第二波长的均值的差值小于第三阈值范围，则确定晶圆测试过程未出现异常；若所述第一亮度值的均值和所述第二亮度值的均值的比值不小于所述第一阈值范围，或，所述第一电压值的均值和所述第二电压值的均值的差值不小于所述第二阈值范围，或，所述第一波长的均值和所述第二波长的均值的差值不小于所述第三阈值范围，则确定晶圆测试过程出现异常。

可选地，在计算所述第一测试数据中所有被抽测晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值之前，所述方法还包括：比较每个被抽测晶粒的第一亮度值和第二亮度值的差值，第一电压值和第二电压值的差值，第一波长和第二波长的差值；挑选出第一亮度值和第二亮度值的比值不超过第四阈值范围，第一电压值和第二电压值的差值不超过第五阈值范围，且第一波长和第二波长的差值不超过第六阈值范围的晶粒；计算所述第一测试数据中所有被抽测晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值包括：计算所有挑选出的晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值。

可选地，在确定晶圆测试过程出现异常之后，所述方法还包括：根据所述第一波长和所述第二波长的分布情况，确定晶圆测试过程中是所述工作点测机异常还是人为造成的异常。

可选地，所述方法还包括：将所述第一测试数据和所述第二测试数据上传制造执行系统；通过制造执行系统对所述第一测试数据和第二测试数据进行分析，确定晶圆测试过程是否出现异常。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种晶圆测试装置，包括：第一确定单元，用于确定待测试的晶圆；第一获取单元，用于采用标准点测机从所述晶圆中抽测目标数量的晶粒，得到第一测试数据；第二获取单元，用于通过工作点测机对所述晶圆中的每颗晶粒进行测试，得到第二测试数据；第二确定单元，用于基于所述第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常。

通过上述的晶圆测试装置，解决了现有技术中难以及时发现晶圆测试过程中是否出现异常的技术问题，通过采用标准点测机对晶圆中的晶粒进行抽测，工作点测机对所述晶圆中的晶粒进行全测，将抽测数据和全测数据进行比较，及时确定出晶圆测试过程是否出现异常，以便及时采取相应策略解决异常情况，确保测试站的良率。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种计算机存储介质，所述存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行上述任意一项所述的晶圆测试方法。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种计算机设备，所述计算机设备用于运行程序，其中，所述程序运行时执行上述任意一项所述的晶圆测试方法。

附图说明

图1是根据本申请实施例提供的晶圆测试方法的流程图；

图2是根据本申请实施例提供的可选的晶圆测试方法的示意图一；

图3是根据本申请实施例提供的可选的晶圆测试方法的示意图二；

图4是根据本申请实施例提供的晶圆测试装置的示意图。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

由于晶圆在点测站点测过程中出现异常是很难在当站及时发现的，要等到最后工序进行质量抽样检测时才能发现，在质量抽样发现出点测有异常时，已经浪费了人力，物力，时间及成本，导致测试站的良率较低。

基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。

根据本申请的实施例，提供了一种晶圆测试方法。

图1是根据本申请实施例的晶圆测试方法的流程图。如图1所示，该方法包括以下步骤：

步骤S101，确定待测试的晶圆。

在切割研磨下料后，整片的晶圆会变成一颗颗的晶粒倒膜在蓝膜上，将蓝膜上一颗颗的晶粒组成的晶圆作为待测试的晶圆。

步骤S102，采用标准点测机从晶圆中抽测目标数量的晶粒，得到第一测试数据。

例如，晶圆中晶粒有约10000颗，上述的目标数量为300颗，采用标准点测机从晶圆中抽测300的晶粒，得到第一测试数据，其中，第一测试数据中至少包括被抽测晶粒在蓝膜上的坐标以及对应的抽测结果，抽测结果至少包括亮度、电压、波长等等。

步骤S103，通过工作点测机对晶圆中的每颗晶粒进行测试，得到第二测试数据。

通过工作点测机对晶圆中的每颗晶粒进行测试，也即，对晶圆中的晶粒进行全测，得到第二测试数据，其中，第二测试数据中至少包括被抽测晶粒在蓝膜上的坐标以及对应的抽测结果，抽测结果至少包括亮度、电压、波长等等。

步骤S104，基于第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常。

由于通过采用标准点测机对晶圆中的晶粒进行抽测，工作点测机对晶圆中的晶粒进行全测，将抽测数据(作为标准数据)和全测数据进行比较，可以确定出晶圆测试过程是否出现异常，以便及时采取相应策略解决异常情况，确保测试站的良率，从而解决了现有技术中难以及时发现晶圆测试过程中是否出现异常的技术问题。

可选地，在本申请实施例提供的晶圆测试方法中，基于第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常包括：若第一测试数据与第二测试数据的差异超过卡控范围，确定晶圆测试过程出现异常；若第一测试数据与第二测试数据的差异未超过卡控范围，确定晶圆测试过程未出现异常。

如果两次数据(也即，第一测试数据与第二测试数据)的比值(也即差异)在卡控范围内，则为确定晶圆是合格片，确定晶圆测试过程未出现异常，可以直接跳转到下一站点继续进行分选操作。如果两次数据的比值在卡控范围之外，则确定晶圆是不合格片，确定晶圆测试过程出现异常。

在确定晶圆测试过程出现异常之后，还可以依据第一测试数据与第二测试数据，确定晶圆测试过程中是工作点测机异常还是人为造成的异常；若是测试过程中工作点测机异常，则对工作点测机进行调整；若是测试过程中人为造成的异常，则重新通过工作点测机对晶圆中的每颗晶粒进行测试。

也即，依据第一测试数据与第二测试数据可以判定是为工作点测机异常，还是人为造成的异常。若是工作点测机异常，则对工作点测机进行调整，例如，把本晶圆第二测试数据与第一测试数据之间相差的数据对工作点测机进行手动修正回卡控范围内，并把异常的工作点测机的参数调整为正常的工作点测机参数。如果是人为造成的异常，则需要确定是在抽测流程出的问题，还是全测流程出的问题。确定出哪有问题后，直接从哪一步重测此晶圆，重测后再进行对比。绝大多数情况，是全测流程有问题，这种情况下则重新通过工作点测机对晶圆中的每颗晶粒进行测试。

通过上述方案，可以及时确定哪一步流程出的问题，及时解决问题，以便保证后续测试站的良率。

可选地，在本申请实施例提供的晶圆测试方法中，第一测试数据中至少包括：被抽测晶粒的坐标，以及被抽测晶粒的第一亮度值、第一电压值和第一波长，第二测试数据中至少包括：每颗晶粒的坐标，以及每颗晶粒的第二亮度值、第二电压值和第二波长，在基于第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常之前，该方法包括：计算第一测试数据中所有被抽测晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值；计算第二测试数据中与第一测试数据中相同坐标的所有晶粒的第二亮度值的均值，第二电压值的均值和第二波长的均值；基于第一亮度值的均值和第二亮度值的均值的比值，第一电压值的均值和第二电压值的均值的差值，第一波长的均值和第二波长的均值的差值，确定晶圆测试过程是否出现异常。

在上述方案中，若被抽测晶粒有300颗，第一测试数据中会包括300颗被抽测到的晶粒在蓝膜上的坐标，对每颗被抽测晶粒测试出的亮度值、电压值和波长。为了将抽测数据和全测数据进行比对，首先，计算第一测试数据中被抽测晶粒的亮度值的均值，被抽测晶粒的电压值的均值和被抽测晶粒的波长值的均值。然后，计算第二测试数据(全测数据)中包括的被抽测到的晶粒的亮度值的均值，电压值的均值和波长值的均值。最后，基于抽测数据中的亮度值的均值(对应上述第一亮度值的均值)和全测数据中的亮度值的均值(对应上述第二亮度值的均值)的差值，抽测数据中的电压值的均值(对应上述第一电压值的均值)和全测数据中的电压值的均值(对应上述第二电压值的均值)的差值，以及抽测数据中的波长的均值(对应上述第一波长的均值)和全测数据中的波长的均值(对应上述第二波长的均值)的比值，即可确定出晶圆测试过程是否出现异常。

具体地，若第一亮度值的均值和第二亮度值的均值的比值小于第一阈值范围，第一电压值的均值和第二电压值的均值的差值小于第二阈值范围，且第一波长的均值和第二波长的均值的差值小于第三阈值范围，则确定晶圆测试过程未出现异常；若第一亮度值的均值和第二亮度值的均值的比值不小于第一阈值范围，或，第一电压值的均值和第二电压值的均值的差值不小于第二阈值范围，或，第一波长的均值和第二波长的均值的差值不小于第三阈值范围，则确定晶圆测试过程出现异常。

例如，上述的第一阈值范围为±3％，第二阈值范围为±0.02V，第三阈值范围为±0.5nm，若第一亮度值的均值和第二亮度值的均值的比值小于±3％，第一电压值的均值和第二电压值的均值的差值小于±0.02V，且第一波长的均值和第二波长的均值的差值小于±0.5nm，则确定晶圆测试过程未出现异常；若第一亮度值的均值和第二亮度值的均值的比值不小于±3％，或，第一电压值的均值和第二电压值的均值的差值不小于±0.02V，或，第一波长的均值和第二波长的均值的差值不小于±0.5nm，则确定晶圆测试过程出现异常，上述过程是图2中的抽测判定中的执行的，若确定晶圆测试过程未出现异常，则可以认为晶圆是合格片，可以直接跳转到下一站点继续进行分选操作。

为了保证后续数据比对的准确性，在本申请实施例提供的晶圆测试方法中，在计算第一测试数据中所有被抽测晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值之前，该方法还包括：比较每个被抽测晶粒的第一亮度值和第二亮度值的差值，第一电压值和第二电压值的差值，第一波长和第二波长的差值；挑选出第一亮度值和第二亮度值的比值不超过第四阈值范围，第一电压值和第二电压值的差值不超过第五阈值范围，且第一波长和第二波长的差值不超过第六阈值范围的晶粒；计算第一测试数据中所有被抽测晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值包括：计算所有挑选出的晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值。

通过上述方案，将两次测试中相同晶粒的亮度，电压与波长等的差异不在阈值范围内的晶粒进行排除，也即，忽略晶粒中不良点的亮度，电压与波长。通常情况下，允许晶圆中有一定比例范围(例如，5％)内的不良点存在。若抽测300颗晶粒，比较两次测试中相同晶粒电压的差值，波长的差值和亮度的比值时，若电压的差值不超过±0.02V，亮度比值不超过±3％，波长的差值不超过±0.5nm的晶粒有250颗，则不良点的有50颗，计算出不良点率超过了5％，则采用抽测数据中250颗正常的晶粒计算电压的均值，波长的均值和亮度的均值。通过上述方案，可以对抽测数据中筛选掉不良点的亮度，电压与波长的值，基于筛选后的正常的晶粒计算电压的均值，波长的均值和亮度的均值，以保证后续数据比对的准确性，从而能够准确确定晶圆测试过程是否出现异常。

可选地，在本申请实施例提供的晶圆测试方法中，在确定晶圆测试过程出现异常之后，该方法还包括：根据第一波长和第二波长的分布情况，确定晶圆测试过程中是工作点测机异常还是人为造成的异常。

上述方案是在图2中的工程判定中执行的，也即，在两次测试的数据中，若抽测的亮度值的均值和全测的亮度值的均值的比值不小于±3％，或，抽测的电压值的均值和全测的电压值的均值的差值不小于±0.02V，或，抽测的波长的均值和全测的波长的均值的差值不小于±0.5nm，则确定晶圆测试过程出现异常。然后依据根据第一波长和第二波长的分布情况可以判断工作点测机异常还是人为造成的异常，通常对晶圆进行抽测和全测的波长的分布应该呈直线分布，若波长的分布不是呈直线分布，则确定是人为造成的异常，例如，人为造成的异常可能为在进行全测时对晶粒的坐标选择错误等。若是人为造成的异常，则需要把此晶圆片交由工程判定，确定是异常后，对此片进行重新测试。若波长的分布是呈直线分布，则确定是点测机的异常，则需要执行对工作点测机进行修正数据，或调整机台(工作点测机)的参数等操作。例如，抽测数据中的电压值的均值比全测数据中的电压值的均值高0.05V，则对工作点测机的电压值进行补偿0.05V。抽测数据中的波长的均值比全测数据中的波长的均值多0.6nm，则对工作点测机的波长进行补偿0.6nm。在调整完成之后，再对晶圆进行全测，再次与抽测进行数据比对，以便确定晶圆是合格片还是非合格片。

可选地，在本申请实施例提供的晶圆测试方法中，该方法还包括：将第一测试数据和第二测试数据上传制造执行系统；通过制造执行系统对第一测试数据和第二测试数据进行分析，确定晶圆测试过程是否出现异常。

如图3所示，在对晶圆中的晶粒抽测之后，得到第一测试数据，将第一测试数据上传制造执行系统(manufacturing execution system，简称MES)，在对晶圆中的晶粒全测之后，得到第二测试数据，将第二测试数据上传MES系统，在MES系统中进行抽测数据和全测数据比较，提升数据比较的效率和准确率。

综上所述，本申请实施例提供的晶圆测试方法，在切割来料后，晶圆全测前，新增一道抽测流程。晶圆全测后新增一道对比流程，使在测试当站能够发现机台点测的问题，大大降低了重工的比例，有效的改善了点测过程中不能及时发现有问题，有风险的晶圆，确保了点测当站的良率。

需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。

本申请实施例还提供了一种晶圆测试装置，需要说明的是，本申请实施例的晶圆测试装置可以用于执行本申请实施例所提供的用于晶圆测试方法。以下对本申请实施例提供的晶圆测试装置进行介绍。

图4是根据本申请实施例的晶圆测试装置的示意图。如图4所示，该装置包括：第一确定单元401，第一获取单元402，第二获取单元403和第二确定单元404。

具体地，第一确定单元401，用于确定待测试的晶圆；

第一获取单元402，用于采用标准点测机从晶圆中抽测目标数量的晶粒，得到第一测试数据；

第二获取单元403，用于通过工作点测机对晶圆中的每颗晶粒进行测试，得到第二测试数据；

第二确定单元404，用于基于第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常。

综上所述，本申请实施例提供的晶圆测试装置，通过第一确定单元401确定待测试的晶圆；第一获取单元402采用标准点测机从晶圆中抽测目标数量的晶粒，得到第一测试数据；第二获取单元403通过工作点测机对晶圆中的每颗晶粒进行测试，得到第二测试数据；第二确定单元404基于第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常，解决了现有技术中难以及时发现晶圆测试过程中是否出现异常的技术问题，通过采用标准点测机对晶圆中的晶粒进行抽测，工作点测机对晶圆中的晶粒进行全测，将抽测数据和全测数据进行比较，及时确定出晶圆测试过程是否出现异常，以便及时采取相应策略解决异常情况，确保测试站的良率。

可选地，在本申请实施例提供的晶圆测试装置中，第二确定单元包括：第一确定模块，用于在第一测试数据与第二测试数据的差异超过卡控范围的情况下，确定晶圆测试过程出现异常；第二确定模块，用于在第一测试数据与第二测试数据的差异未超过卡控范围的情况下，确定晶圆测试过程未出现异常。

可选地，在本申请实施例提供的晶圆测试装置中，该装置还包括：第三确定单元，用于在确定晶圆测试过程出现异常之后，依据第一测试数据与第二测试数据，确定晶圆测试过程中是工作点测机异常还是人为造成的异常；调整单元，用于若是测试过程中工作点测机异常，则对工作点测机进行调整；测试单元，用于若是测试过程中人为造成的异常，则重新通过工作点测机对晶圆中的每颗晶粒进行测试。

可选地，在本申请实施例提供的晶圆测试装置中，第一测试数据中至少包括：被抽测晶粒的坐标，以及被抽测晶粒的第一亮度值、第一电压值和第一波长，第二测试数据中至少包括：每颗晶粒的坐标，以及每颗晶粒的第二亮度值、第二电压值和第二波长，该装置包括：第一计算单元，用于在基于第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常之前，计算第一测试数据中所有被抽测晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值；第二计算单元，用于计算第二测试数据中与第一测试数据中相同坐标的所有晶粒的第二亮度值的均值，第二电压值的均值和第二波长的均值；第四确定单元，用于基于第一亮度值的均值和第二亮度值的均值的比值，第一电压值的均值和第二电压值的均值的差值，第一波长的均值和第二波长的均值的差值，确定晶圆测试过程是否出现异常。

可选地，在本申请实施例提供的晶圆测试装置中，第四确定单元包括：第三确定模块，用于在第一亮度值的均值和第二亮度值的均值的比值小于第一阈值范围，第一电压值的均值和第二电压值的均值的差值小于第二阈值范围，且第一波长的均值和第二波长的均值的差值小于第三阈值范围的情况下，则确定晶圆测试过程未出现异常；第四确定模块，用于在第一亮度值的均值和第二亮度值的均值的比值不小于第一阈值范围，或，第一电压值的均值和第二电压值的均值的差值不小于第二阈值范围，或，第一波长的均值和第二波长的均值的差值不小于第三阈值范围的情况下，则确定晶圆测试过程出现异常。

可选地，在本申请实施例提供的晶圆测试装置中，该装置还包括：比较单元，用于在计算第一测试数据中所有被抽测晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值之前，比较每个被抽测晶粒的第一亮度值和第二亮度值的差值，第一电压值和第二电压值的差值，第一波长和第二波长的差值；挑选出第一亮度值和第二亮度值的比值不超过第四阈值范围，第一电压值和第二电压值的差值不超过第五阈值范围，且第一波长和第二波长的差值不超过第六阈值范围的晶粒；第一计算单元还用于计算所有挑选出的晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值。

可选地，在本申请实施例提供的晶圆测试装置中，该装置还包括：第五确定单元，用于在确定晶圆测试过程出现异常之后，根据第一波长和第二波长的分布情况，确定晶圆测试过程中是工作点测机异常还是人为造成的异常。

可选地，在本申请实施例提供的晶圆测试装置中，该装置还包括：上传单元，用于将第一测试数据和第二测试数据上传制造执行系统；分析单元，用于通过制造执行系统对第一测试数据和第二测试数据进行分析，确定晶圆测试过程是否出现异常。

所述晶圆测试装置包括计算机设备和存储器，上述第一确定单元401，第一获取单元402，第二获取单元403和第二确定单元404等均作为程序单元存储在存储器中，由计算机设备执行存储在存储器中的上述程序单元来实现相应的功能。

计算机设备中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来及时确定出晶圆测试过程是否出现异常，以便及时采取相应策略解决异常情况，确保测试站的良率。

存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)，存储器包括至少一个存储芯片。

本发明实施例提供了一种计算机存储介质，其上存储有程序，该程序被计算机设备执行时实现所述晶圆测试方法。

本发明实施例提供了一种计算机设备，所述计算机设备用于运行程序，其中，所述程序运行时执行所述晶圆测试方法。

应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种晶圆测试方法，其特征在于，包括：

确定待测试的晶圆；

采用标准点测机从所述晶圆中抽测目标数量的晶粒，得到第一测试数据，其中，所述第一测试数据中至少包括：被抽测晶粒的第一波长；

通过工作点测机对所述晶圆中的每颗晶粒进行测试，得到第二测试数据，其中，所述第二测试数据中至少包括：每颗晶粒的第二波长；

基于所述第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常；

其中，在确定晶圆测试过程出现异常之后，所述方法还包括：

根据所述第一波长和所述第二波长的分布情况，确定晶圆测试过程中是所述工作点测机异常还是人为造成的异常。

2.如权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，基于所述第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常包括：

若所述第一测试数据与第二测试数据的差异超过卡控范围，确定晶圆测试过程出现异常；

若所述第一测试数据与第二测试数据的差异未超过所述卡控范围，确定晶圆测试过程未出现异常。

3.如权利要求2所述的晶圆测试方法，其特征在于，在确定晶圆测试过程出现异常之后，所述方法还包括：

依据所述第一测试数据与第二测试数据，确定晶圆测试过程中是所述工作点测机异常还是人为造成的异常；

若是测试过程中所述工作点测机异常，则对所述工作点测机进行调整；

若是测试过程中人为造成的异常，则重新通过所述工作点测机对所述晶圆中的每颗晶粒进行测试。

4.如权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述第一测试数据中至少包括：被抽测晶粒的坐标，以及被抽测晶粒的第一亮度值、第一电压值和第一波长，所述第二测试数据中至少包括：每颗晶粒的坐标，以及每颗晶粒的第二亮度值、第二电压值和第二波长，在基于所述第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常之前，所述方法包括：

计算所述第一测试数据中所有被抽测晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值；

计算所述第二测试数据中与第一测试数据中相同坐标的所有晶粒的第二亮度值的均值，第二电压值的均值和第二波长的均值；

基于所述第一亮度值的均值和所述第二亮度值的均值的比值，所述第一电压值的均值和所述第二电压值的均值的差值，所述第一波长的均值和所述第二波长的均值的差值，确定晶圆测试过程是否出现异常。

5.如权利要求4所述的晶圆测试方法，其特征在于，基于所述第一亮度值的均值和所述第二亮度值的均值的比值，所述第一电压值的均值和所述第二电压值的均值的差值，所述第一波长的均值和所述第二波长的均值的差值，确定晶圆测试过程是否出现异常包括：

若所述第一亮度值的均值和所述第二亮度值的均值的比值小于第一阈值范围，所述第一电压值的均值和所述第二电压值的均值的差值小于第二阈值范围，且所述第一波长的均值和所述第二波长的均值的差值小于第三阈值范围，则确定晶圆测试过程未出现异常；

若所述第一亮度值的均值和所述第二亮度值的均值的比值不小于所述第一阈值范围，或，所述第一电压值的均值和所述第二电压值的均值的差值不小于所述第二阈值范围，或，所述第一波长的均值和所述第二波长的均值的差值不小于所述第三阈值范围，则确定晶圆测试过程出现异常。

6.如权利要求4所述的晶圆测试方法，其特征在于，

在计算所述第一测试数据中所有被抽测晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值之前，所述方法还包括：

比较每个被抽测晶粒的第一亮度值和第二亮度值的差值，第一电压值和第二电压值的差值，第一波长和第二波长的差值；挑选出第一亮度值和第二亮度值的比值不超过第四阈值范围，第一电压值和第二电压值的差值不超过第五阈值范围，且第一波长和第二波长的差值不超过第六阈值范围的晶粒；

计算所述第一测试数据中所有被抽测晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值包括：计算所有挑选出的晶粒的第一亮度值的均值，第一电压值的均值和第一波长的均值。

7.如权利要求1所述的晶圆测试方法，其特征在于，所述方法还包括：

将所述第一测试数据和所述第二测试数据上传制造执行系统；

通过制造执行系统对所述第一测试数据和第二测试数据进行分析，确定晶圆测试过程是否出现异常。

8.一种晶圆测试装置，其特征在于，包括：

第一确定单元，用于确定待测试的晶圆；

第一获取单元，用于采用标准点测机从所述晶圆中抽测目标数量的晶粒，得到第一测试数据，其中，所述第一测试数据中至少包括：被抽测晶粒的第一波长；

第二获取单元，用于通过工作点测机对所述晶圆中的每颗晶粒进行测试，得到第二测试数据，其中，所述第二测试数据中至少包括：每颗晶粒的第二波长；

第二确定单元，用于基于所述第一测试数据和第二测试数据，确定晶圆测试过程是否出现异常；

第五确定单元，用于在确定晶圆测试过程出现异常之后，根据第一波长和第二波长的分布情况，确定晶圆测试过程中是工作点测机异常还是人为造成的异常。

9.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行权利要求1至7中任意一项所述的晶圆测试方法。

10.一种计算机设备，其特征在于，所述计算机设备用于运行程序，其中，所述程序运行时执行权利要求1至7中任意一项所述的晶圆测试方法。

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