CN110146798B - 一种对失效芯粒的自动分析方法及系统 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种对失效芯粒的自动分析方法及系统,所述方法包括以下步骤:收集待测晶圆的WAT数据及CP数据,进行数据分析处理,所述WAT数据为待测晶圆的电性测试数据,所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据;根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WAT mapping图;根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CP mapping图,并根据生成的CP mapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据,形成新的CP‑WAT mapping图;将待测晶圆的WAT mapping图与CP‑WAT mapping图进行比对,计算得到WAT mapping图与CP‑WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。节省人力物力,提高效率。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆测试技术领域,特别涉及一种对失效芯粒的自动分析方法及系统。
背景技术
当晶圆在完成所有制程工艺之后,需要对晶圆进行WAT测试(Wafer AcceptanceText晶片允收测试)对晶圆上各个测试结构进行电性测试及CP测试(Circuit Probing晶圆测试)确保晶圆上每个芯粒能基本满足器件的特征等。
而现有WAT测试完成后需手动处理数据,根据测试坐标手动汇出WAT mapping图并计算出单片晶圆各个测试项目的最大值,最小值,均值,标准差等。一般测试项目较多,在40-60项左右。CP测试完成后需手动处理数据,根据测试坐标手动汇出CP mapping图并计算出单片晶圆各个测试项目的最大值,最小值,均值,标准差等。根据单颗芯粒尺寸大小,晶圆上芯粒颗数数量不一,一般在20000颗以上。其中测试项目根据客户需求设定,一般在10-20项。CP mapping生成后,需手动提取每个shot中的PCM区域边缘3行3列数据重新计算,形成与WAT mapping图相对应的CP-WAT mapping图。将生成的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行色阶填充后,手动一一比对WAT mapping图与CP-WAT mapping图的相似性,找出相似性最高的项目。
假设WAT测试项目40项,分别为项目一、项目二,……,项目四十,则根据坐标手动绘制WAT mapping图,则生成相对应的40张WAT mapping图。
假设CP测试芯粒25000颗,测试项目10项,分别为项目A、项目B,……,项目J,则根据坐标手动绘制CP mapping图,则生成相对应的10张CP mapping图。CP mapping生成后,需手动提取每个shot中的PCM区域边缘3行3列数据重新计算,形成与WAT mapping图相对应的CP-WAT mapping图,并手动进行色阶填充mapping图。
手动提取项目A的CP-WAT mapping图依次与40张WAT mapping图进行一一比对,找出相似值最大的WAT测试项目,则找出了项目A与WAT测试项目XX相关性最大。接着提取项目B再依次比对,得出相关性最大的WAT测试项目。以此类推,一一比对。
假设项目A是无效的,则需工艺调整与A相关性最大的WAT测试项目XX。
显然手动数据处理工作量大,繁琐,需耗费大量的人力物力,同时数据量大,数据精度小。
发明内容
为此,需要提供一种对失效芯粒的自动分析方法,解决现有对晶圆失效分析中通过动数据处理工作量大,繁琐,需耗费大量的人力物力,及数据量大,数据精度小的问题。
为实现上述目的,发明人提供了一种对失效芯粒的自动分析方法,包括以下步骤:
收集待测晶圆的WAT数据及CP数据,进行数据分析处理,所述WAT数据为待测晶圆的电性测试数据,所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据;
根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WAT mapping图;
根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CP mapping图,并根据生成的CP mapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据,形成新的CP-WAT mapping图;
将待测晶圆的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行比对,计算得到WATmapping图与CP-WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。
进一步优化,所述“将待测晶圆的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行比对,计算得到WAT mapping图与CP-WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性”具体包括以下步骤:
将待测晶圆的CP-WAT mapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第一图片,将待测晶圆的WAT mapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第二图片;
将第一图片与第二图片根据像素点比对法进行比对,计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WAT mapping图的正相关相似值;
根据计算得到的正相关相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。
进一步优化,所述“根据计算得到的正相关相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性”之后还包括步骤:
将待测晶圆的WAT mapping图根据负色阶填充规则进行填充生成第三图片;
将第一图片与第三图片根据像素点比对法进行比对,计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WAT mapping图的负相关相似值;
根据计算得到的正相关相似值及负相关相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。
进一步优化,还包括以下步骤:
对待测晶圆是否进行CP测试、CP测试是否完成、WAT数据和CP测试数据是否已经发送及WAT数据和CP数据是否已经进行数据处理分析进行实时监控,获得监控信息;
并将获得的监控信息发送至工程师。
进一步优化,所述“将待测晶圆的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行比对,计算得到WAT mapping图与CP-WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性”之后还包括步骤:
根据计算得到的相似值大小排序及判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性生成测试报告。
发明人还提供了另一个技术方案:一种对失效芯粒的自动分析系统,包括数据收集模块、数据处理模块及数据比对模块;
所述数据收集模块用于收集待测晶圆的WAT数据及CP数据,并发送至数据处理模块,所述WAT数据为待测晶圆的电性测试数据,所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据;
所述数据处理模块用于根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WAT mapping图,根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CP mapping图,并根据生成的CP mapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据,形成新的CP-WAT mapping图;
所述数据比对模块用于将待测晶圆的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行比对,计算得到WAT mapping图与CP-WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。
进一步优化,所述数据比对模块具体用于:
将待测晶圆的CP-WAT mapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第一图片,将待测晶圆的WAT mapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第二图片;
将第一图片与第二图片根据像素点比对法进行比对,计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WAT mapping图的正相关相似值;
根据计算得到的正相关相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。
进一步优化,所述数据比对模块还用于:
将待测晶圆的WAT mapping图根据负色阶填充规则进行填充生成第三图片;
将第一图片与第三图片根据像素点比对法进行比对,计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WAT mapping图的负相关相似值;
根据计算得到的正相关相似值及负相关相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。
进一步优化,还包括数据监控模块及通信模块;
所述数据监控模块用于对待测晶圆是否进行CP测试、CP测试是否完成、WAT数据和CP测试数据是否已经发送及WAT数据和CP数据是否已经进行数据处理分析进行实时监控,获得监控信息;
所述通信模块用于将获得的监控信息发送至工程师。
进一步优化,还包括报告生成模块,所述报告生成模块用于根据计算得到的相似值大小排序及判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性生成测试报告。
区别于现有技术,上述技术方案,通过收集待测晶圆的WAT数据及CP数据,进行数据分析处理,然后分别生成WAT mapping图及CP-WAT mapping图;将待测晶圆的WATmapping图与CP-WAT mapping图进行比对,计算得到WAT mapping图与CP-WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性,则可以快速得到失效的CP项目所对应的WAT项目,减少工程师的工作量,并避免了人工统计的疏漏。节省大量的人力物力,同时提高数据处理的精准度、便捷性以及反应速度,大大提高了办公效率。
附图说明
图1为具体实施方式所述对失效芯粒的自动分析方法的一种流程示意图;
图2为具体实施方式所述项目A对应的CP mapping图的一种结构示意图;
图3为具体实施方式所述项目A对应的CP-WAT mapping图的一种结构示意图;
图4为具体实施方式所述项目一对应的经过正色阶填充的WAT mapping图的一种结构示意图;
图5为具体实施方式所述项目一对应的经过负色阶填充的WAT mapping图的一种结构示意图
图6为具体实施方式所述项目二对应的经过正色阶填充的WAT mapping图的一种结构示意图
图7为具体实施方式所述项目二对应的经过负色阶填充的WAT mapping图的一种结构示意图
图8为具体实施方式所述项目三对应的经过正色阶填充的WAT mapping图的一种结构示意图
图9为具体实施方式所述项目三对应的经过负色阶填充的WAT mapping图的一种结构示意图;
图10为具体实施方式所述对失效芯粒的自动分析系统的一种结构示意图。
附图标记说明:
210、数据收集模块,
220、数据处理模块,
230、数据比对模块。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1,本实施例提供一种对失效芯粒的自动分析方法,包括以下步骤:
步骤S110:收集待测晶圆的WAT数据及CP数据,进行数据分析处理,所述WAT数据为待测晶圆的电性测试数据,所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据;其中,WAT数据可以通过WAT量测机台进行对待测晶圆进行WAT测试获取;CP数据可以通过CP测试系统进行对待测晶圆CP测试获得,CP数据可以用于监控前道工艺良率。
步骤S120:根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WAT mapping图;通过根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标形成对应WAT测试项目的WAT mapping图,还可以计算出单片晶圆的各个WAT测试项目的最大值、最小值、均值及标准差等,其中,WAT mapping图根据色阶规则进行填充,根据WAT mapping图可解析出数据分布规律。
步骤S130:根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CP mapping图,并根据生成的CP mapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据,形成新的CP-WAT mapping图;根据不同的CP测试项目、测试坐标形成对应CP测试项目的CP mapping图,还可以计算出单片晶圆的各个CP测试项目的最大值、最小值、均值及标准差等;然后根据已经生成的CP mapping图再单独提取与WAT测试相应shot(曝光单元)位置的数据,形成新的CP-WAT mapping图。CP-WAT mapping图生成规则:取WAT测试shot的PCM区附近3行3列的值,并计算出均值,作为当前CP测试的shot的值。
步骤S140:将待测晶圆的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行比对,计算得到WAT mapping图与CP-WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。根据待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性,可以快速查找出CP测试项目与之相关的WAT测试项目,当CP测试项目出现失效时,则根据待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性,可以快速查找出与失效CP测试项目相关的WAT测试项目,进而进行工艺相关的调整,快速解决失效的CP测试项目,提升良率。同时减少工程师的工作量,并避免了人工统计的疏漏。节省大量的人力物力,同时提高数据处理的精准度、便捷性以及反应速度,大大提高了办公效率。
其中,所述“将待测晶圆的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行比对,计算得到WAT mapping图与CP-WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性”具体包括以下步骤:
将待测晶圆的CP-WAT mapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第一图片,将待测晶圆的WAT mapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第二图片;
将第一图片与第二图片根据像素点比对法进行比对,计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WAT mapping图的正相关相似值;
根据计算得到的正相关相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。
首先,通过根据正色阶填充规则对待测晶圆的CP-WAT mapping图及WAT mapping图分别进行填充,生成得到第一图片及第二图片,然后根据像素点比对发进行对第一图片及第二图片进行比对,可以得到待测晶圆的CP-WAT mapping图与WAT mapping图正相关相似值,如果得到第一图片及第二图片的正相关相似值超过75%,则第一待测晶圆的CP-WATmapping图与WAT mapping图的正相关相似度大;通过计算得到正相关相似值进行排列,即可判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。其中,正色填充规则为根据CP-WAT mapping图或WAT mapping图的不同区域的数值进行对CP-WAT mapping图或WATmapping图填色,从数值最大的用深蓝进行填充,随着数值降低,填充的颜色的色度也降低,直至数值最小的用深红色进行填充。
进一步,当得到待测晶圆的CP-WAT mapping图与WAT mapping图正相关相似值后,计算待测晶圆的CP-WAT mapping图与WAT mapping图负相关相似值,具体负相关相似值计算方法如下:
将待测晶圆的WAT mapping图根据负色阶填充规则进行填充生成第三图片;
将第一图片与第三图片根据像素点比对法进行比对,计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WAT mapping图的负相关相似值;
根据计算得到的正相关相似值及负相关相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。
通过将待测晶圆的WAT mapping图根据负色阶填充规则进行填充生成第三图片,然后根据像素点比对法对第一图片及第三图片进行比对,即可计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WAT mapping图的正相关相似值及负相关相似值的大小排序,即可判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。其中,负色填充规则为根据WATmapping图的不同区域的数值进行对WAT mapping图填色,从数值最大的用深红进行填充,随着数值降低,填充的颜色的色度也降低,直至数值最小的用深蓝色进行填充。
请参阅图2-9,假设待测晶圆的WAT测试项目有40项,分别为项目一、项目二、……、项目四十,则根据不同的WAT测试项目通过WAT数据的数据处理生成相对应的四十张WATmapping图;假设CP测试芯粒25000颗,CP测试项目10项,分别为项目A、项目B、……、项目J,则根据不同CP测试项目通过对CP数据进行数据处理自动生成对应项目的10张CP mapping图,然后CP mapping图生成后,根据设定的规则,自动生成与WAT mapping图相对应的CP-WAT mapping图;然后分别对WAT mapping根据正色阶填充规则及负色阶填充规则进行正色阶填充及负色阶填充,对CP-WAT mapping图根据整色阶填充规则进行正色阶填充,将经过正色阶填充及负色阶填充后的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行一一比对,得到待测晶圆的CP-WAT mapping图与待测晶圆的WAT mapping图的正相关相似值及负相关相似值的大小排序;如项目A对应的CP-WAT mapping图与项目一对应的WAT mapping图的正相关相似值为15.6%,负相关相似值为93.75%;如项目A对应的CP-WAT mapping图与项目二对应的WAT mapping图的正相关相似值为12.5%,负相关相似值为3.12%;如项目A对应的CP-WAT mapping图与项目三对应的WAT mapping图的正相关相似值为9.35%,负相关相似值为0%,……,即可根据得到正相关相似值及负相关相似值的大小排序:项目A对应的CP-WATmapping图与项目一对应的WAT mapping图的负相关相似值、项目A对应的CP-WAT mapping图与项目一对应的WAT mapping图的正相关相似值、项目A对应的CP-WAT mapping图与项目二对应的WAT mapping图的正相关相似值、项目A对应的CP-WAT mapping图与项目二对应的WAT mapping图的负相关相似值、项目A对应的CP-WAT mapping图与项目三对应的WATmapping图的正相关相似值、项目A对应的CP-WAT mapping图与项目一对应的WAT mapping图的负相关相似值、……;假设,项目A是无效的,且项目A测试的是漏电流大小,而根据得到的正相关相似值及负相关相似值的排序,查找出与项目A相关性最大的WAT测试项目为项目一,而项目一为测量绝缘值,则工程师可以通过调整工艺IMP(离子植入)的参数来改变绝缘值,以提高晶圆的提供良率。
在本实施例中,为了进一步提高工作效率,还包括以下步骤:
对待测晶圆是否进行CP测试、CP测试是否完成、WAT数据和CP测试数据是否已经发送及WAT数据和CP数据是否已经进行数据处理分析进行实时监控,获得监控信息;
并将获得的监控信息发送至工程师。
通过实时监控待测晶圆是否进行CP测试、CP测试是否完成、WAT数据和CP测试数据是否已经发送及WAT数据和CP数据是否已经进行数据处理分析,并将监控信息发送给工程师,便于工程师做出相应判断及采取移动措施处理异常,如当监控到待测晶圆未进行CP测试,并将该监控信息发送给工程师,工程师可以及时找出为何待测晶圆未进行CP测试,并进行处理。实时进行监控,有效反馈测试进度,便于工程师做出判断,提高工作效率。其中,可以通过邮件、微信、短信等方式通知到相关工程师。
在本实施例中,所述“将待测晶圆的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行比对,计算得到WAT mapping图与CP-WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性”之后还包括步骤:
根据计算得到的相似值大小排序及判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性生成测试报告。
通过根据计算得到的相似值大小排序及判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性,整合数据分析结果,进行生成可以供工程师和客户参考的测试报告,方便工程师的查看,并根据测试报告做出相应的测试。
请参阅图10,在另外一个实施例中,一种对失效芯粒的自动分析系统,包括数据收集模块210、数据处理模块220及数据比对模块230;其中:
所述数据收集模块用于收集待测晶圆的WAT数据及CP数据,并发送至数据处理模块,所述WAT数据为待测晶圆的电性测试数据,所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据;其中,WAT数据可以通过WAT量测机台进行对待测晶圆进行WAT测试获取;CP数据可以通过CP测试系统进行对待测晶圆CP测试获得,CP数据可以用于监控前道工艺良率。
所述数据处理模块用于根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WAT mapping图,根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CP mapping图,并根据生成的CP mapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据,形成新的CP-WAT mapping图;数据处理模块通过根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标形成对应WAT测试项目的WAT mapping图,还可以计算出单片晶圆的各个WAT测试项目的最大值、最小值、均值及标准差等,其中,WAT mapping图根据色阶规则进行填充,根据WAT mapping图可解析出数据分布规律,数据处理模块根据不同的CP测试项目、测试坐标形成对应CP测试项目的CP mapping图,还可以计算出单片晶圆的各个CP测试项目的最大值、最小值、均值及标准差等;然后根据已经生成的CP mapping图再单独提取与WAT测试相应shot(曝光单元)位置的数据,形成新的CP-WAT mapping图。CP-WAT mapping图生成规则:取WAT测试shot的PCM区附近3行3列的值,并计算出均值,作为当前CP测试的shot的值。
所述数据比对模块用于将待测晶圆的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行比对,计算得到WAT mapping图与CP-WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。根据待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性,可以快速查找出CP测试项目与之相关的WAT测试项目,当CP测试项目出现失效时,则根据待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性,可以快速查找出与失效CP测试项目相关的WAT测试项目,进而进行工艺相关的调整,快速解决失效的CP测试项目,提升良率。同时减少工程师的工作量,并避免了人工统计的疏漏。节省大量的人力物力,同时提高数据处理的精准度、便捷性以及反应速度,大大提高了办公效率。
进一步优化,所述数据比对模块具体用于将待测晶圆的CP-WAT mapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第一图片,将待测晶圆的WAT mapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第二图片;将第一图片与第二图片根据像素点比对法进行比对,计算得到待测晶圆的CP-WAT mapping图与待测晶圆的WAT mapping图的正相关相似值;根据计算得到的正相关相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。首先,数据比对模块通过根据正色阶填充规则对待测晶圆的CP-WAT mapping图及WAT mapping图分别进行填充,生成得到第一图片及第二图片,然后根据像素点比对发进行对第一图片及第二图片进行比对,可以得到待测晶圆的CP-WAT mapping图与WAT mapping图正相关相似值,如果得到第一图片及第二图片的正相关相似值超过75%,则第一待测晶圆的CP-WATmapping图与WAT mapping图的正相关相似度大;通过计算得到正相关相似值进行排列,即可判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。其中,正色填充规则为根据CP-WAT mapping图或WAT mapping图的不同区域的数值进行对CP-WAT mapping图或WATmapping图填色,从数值最大的用深蓝进行填充,随着数值降低,填充的颜色的色度也降低,直至数值最小的用深红色进行填充。
进一步优化,所述数据比对模块还用于:将待测晶圆的WAT mapping图根据负色阶填充规则进行填充生成第三图片;将第一图片与第三图片根据像素点比对法进行比对,计算得到待测晶圆的CP-WAT mapping图与待测晶圆的WAT mapping图的负相关相似值;根据计算得到的正相关相似值及负相关相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。通过将待测晶圆的WAT mapping图根据负色阶填充规则进行填充生成第三图片,然后根据像素点比对法对第一图片及第三图片进行比对,即可计算得到待测晶圆的CP-WAT mapping图与待测晶圆的WAT mapping图的正相关相似值及负相关相似值的大小排序,即可判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。其中,负色填充规则为根据WAT mapping图的不同区域的数值进行对WAT mapping图填色,从数值最大的用深红进行填充,随着数值降低,填充的颜色的色度也降低,直至数值最小的用深蓝色进行填充。
请参阅图2至图9,假设待测晶圆的WAT测试项目有40项,分别为项目一、项目二、……、项目四十,则根据不同的WAT测试项目通过WAT数据的数据处理生成相对应的四十张WAT mapping图;假设CP测试芯粒25000颗,CP测试项目10项,分别为项目A、项目B、……、项目J,则根据不同CP测试项目通过对CP数据进行数据处理自动生成对应项目的10张CPmapping图,然后CP mapping图生成后,根据设定的规则,自动生成与WAT mapping图相对应的CP-WAT mapping图;然后分别对WAT mapping根据正色阶填充规则及负色阶填充规则进行正色阶填充及负色阶填充,对CP-WAT mapping图根据整色阶填充规则进行正色阶填充,将经过正色阶填充及负色阶填充后的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行一一比对,得到待测晶圆的CP-WAT mapping图与待测晶圆的WAT mapping图的正相关相似值及负相关相似值的大小排序;如项目A对应的CP-WAT mapping图与项目一对应的WAT mapping图的正相关相似值为15.6%,负相关相似值为93.75%;如项目A对应的CP-WAT mapping图与项目二对应的WAT mapping图的正相关相似值为12.5%,负相关相似值为3.12%;如项目A对应的CP-WAT mapping图与项目三对应的WAT mapping图的正相关相似值为9.35%,负相关相似值为0%,……,即可根据得到正相关相似值及负相关相似值的大小排序:项目A对应的CP-WAT mapping图与项目一对应的WAT mapping图的负相关相似值、项目A对应的CP-WATmapping图与项目一对应的WAT mapping图的正相关相似值、项目A对应的CP-WAT mapping图与项目二对应的WAT mapping图的正相关相似值、项目A对应的CP-WAT mapping图与项目二对应的WAT mapping图的负相关相似值、项目A对应的CP-WAT mapping图与项目三对应的WAT mapping图的正相关相似值、项目A对应的CP-WAT mapping图与项目一对应的WATmapping图的负相关相似值、……;假设,项目A是无效的,且项目A测试的是漏电流大小,而根据得到的正相关相似值及负相关相似值的排序,查找出与项目A相关性最大的WAT测试项目为项目一,而项目一为测量绝缘值,则工程师可以通过调整工艺IMP(离子植入)的参数来改变绝缘值,以提高晶圆的提供良率。
在本实施例中,为了进一步提高工作效率,还包括数据监控模块及通信模块;所述数据监控模块用于对待测晶圆是否进行CP测试、CP测试是否完成、WAT数据和CP测试数据是否已经发送及WAT数据和CP数据是否已经进行数据处理分析进行实时监控,获得监控信息;所述通信模块用于将获得的监控信息发送至工程师。通过数据监控模块实时监控待测晶圆是否进行CP测试、CP测试是否完成、WAT数据和CP测试数据是否已经发送及WAT数据和CP数据是否已经进行数据处理分析,并通过通讯模块将监控信息发送给工程师,便于工程师做出相应判断及采取移动措施处理异常,如当监控到待测晶圆未进行CP测试,并将该监控信息发送给工程师,工程师可以及时找出为何待测晶圆未进行CP测试,并进行处理。实时进行监控,有效反馈测试进度,便于工程师做出判断,提高工作效率。其中,通讯模块采用MC系统,MC系统集成通讯手段的系统,用于将信息通知到具体人员,可以通过邮件、微信、短信等方式通知到相关工程师。
在本实施例中,还包括报告生成模块,所述报告生成模块用于根据计算得到的相似值大小排序及判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性生成测试报告。报告生成模块通过根据计算得到的相似值大小排序及判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性,整合数据分析结果,进行生成可以供工程师和客户参考的测试报告,方便工程师的查看,并根据测试报告做出相应的测试。
需要说明的是,尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述,但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此,基于本发明的创新理念,对本文所述实施例进行的变更和修改,或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域,均包括在本发明的专利保护范围之内。
Claims (10)
1.一种对失效芯粒的自动分析方法,其特征在于,包括以下步骤:
收集待测晶圆的WAT数据及CP数据,进行数据分析处理,所述WAT数据为待测晶圆的电性测试数据,所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据;
根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WAT mapping图;
根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CP mapping图,并根据生成的CP mapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据,形成新的CP-WAT mapping图;
将待测晶圆的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行比对,计算得到WAT mapping图与CP-WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性,当CP测试项目出现失效时,根据待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性,查找出与失效CP测试项目相关的WAT测试项目。
2.根据权利要求1所述对失效芯粒的自动分析方法,其特征在于,所述将待测晶圆的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行比对,计算得到WAT mapping图与CP-WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性具体包括以下步骤:
将待测晶圆的CP-WAT mapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第一图片,将待测晶圆的WAT mapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第二图片;
将第一图片与第二图片根据像素点比对法进行比对,计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WAT mapping图的正相关相似值;
根据计算得到的正相关相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。
3.根据权利要求2所述对失效芯粒的自动分析方法,其特征在于,所述根据计算得到的正相关相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性之后还包括步骤:
将待测晶圆的WAT mapping图根据负色阶填充规则进行填充生成第三图片;
将第一图片与第三图片根据像素点比对法进行比对,计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WAT mapping图的负相关相似值;
根据计算得到的正相关相似值及负相关相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。
4.根据权利要求1所述对失效芯粒的自动分析方法,其特征在于,还包括以下步骤:
对待测晶圆是否进行CP测试、CP测试是否完成、WAT数据和CP测试数据是否已经发送及WAT数据和CP数据是否已经进行数据处理分析进行实时监控,获得监控信息;
并将获得的监控信息发送至工程师。
5.根据权利要求1所述对失效芯粒的自动分析方法,其特征在于,所述将待测晶圆的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行比对,计算得到WAT mapping图与CP-WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性之后还包括步骤:
根据计算得到的相似值大小排序及判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性生成测试报告。
6.一种对失效芯粒的自动分析系统,其特征在于,包括数据收集模块、数据处理模块及数据比对模块;
所述数据收集模块用于收集待测晶圆的WAT数据及CP数据,并发送至数据处理模块,所述WAT数据为待测晶圆的电性测试数据,所述CP数据为待测晶圆上每一个芯粒的测试数据;
所述数据处理模块用于根据待测晶圆不同的WAT测试项目、测试坐标将待测晶圆的WAT数据生成对应测试项目的WAT mapping图,根据待测晶圆不同的CP测试项目、测试坐标将待测晶圆的CP数据生成对应测试项目的CP mapping图,并根据生成的CP mapping图单独提取与WAT相对应shot位置的数据,形成新的CP-WAT mapping图;
所述数据比对模块用于将待测晶圆的WAT mapping图与CP-WAT mapping图进行比对,计算得到WAT mapping图与CP-WAT mapping图的相似值,并根据计算得到的相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性,当CP测试项目出现失效时,根据待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性,查找出与失效CP测试项目相关的WAT测试项目。
7.根据权利要求6所述对失效芯粒的自动分析系统,其特征在于,所述数据比对模块具体用于:
将待测晶圆的CP-WAT mapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第一图片,将待测晶圆的WAT mapping图根据正色阶填充规则进行填充生成第二图片;
将第一图片与第二图片根据像素点比对法进行比对,计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WAT mapping图的正相关相似值;
根据计算得到的正相关相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。
8.根据权利要求7所述对失效芯粒的自动分析系统,其特征在于,所述数据比对模块还用于:
将待测晶圆的WAT mapping图根据负色阶填充规则进行填充生成第三图片;
将第一图片与第三图片根据像素点比对法进行比对,计算得到待测晶圆的CP-WATmapping图与待测晶圆的WAT mapping图的负相关相似值;
根据计算得到的正相关相似值及负相关相似值大小排序,判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性。
9.根据权利要求6所述对失效芯粒的自动分析系统,其特征在于,还包括数据监控模块及通信模块;
所述数据监控模块用于对待测晶圆是否进行CP测试、CP测试是否完成、WAT数据和CP测试数据是否已经发送及WAT数据和CP数据是否已经进行数据处理分析进行实时监控,获得监控信息;
所述通信模块用于将获得的监控信息发送至工程师。
10.根据权利要求6所述对失效芯粒的自动分析系统,其特征在于,还包括报告生成模块,所述报告生成模块用于根据计算得到的相似值大小排序及判断出待测晶圆的CP测试项目与WAT测试项目的相关性生成测试报告。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101140307A (zh) * | 2006-09-04 | 2008-03-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 自动目检方法 |
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---|---|---|---|---|
CN101140307A (zh) * | 2006-09-04 | 2008-03-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 自动目检方法 |
CN103605092A (zh) * | 2013-10-23 | 2014-02-26 | 上海华力微电子有限公司 | Wat测试系统 |
CN105702595A (zh) * | 2014-11-27 | 2016-06-22 | 华邦电子股份有限公司 | 晶圆的良率判断方法以及晶圆合格测试的多变量检测方法 |
CN104483616A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-01 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 晶圆测试芯片状态图的分类方法 |
CN106597261A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-04-26 | 上海华岭集成电路技术股份有限公司 | 晶圆测试系统 |
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