KR20080074942A

KR20080074942A - 해석 장치, 처리 장치, 측정 장치, 노광 장치, 기판 처리시스템, 해석 방법 및 프로그램

Info

Publication number: KR20080074942A
Application number: KR1020087013398A
Authority: KR
Inventors: 신이치 오키타
Original assignee: 가부시키가이샤 니콘
Priority date: 2005-11-04
Filing date: 2006-11-01
Publication date: 2008-08-13
Also published as: KR101555709B1; JPWO2007052699A1; JP5035685B2; TWI413154B; TW200719397A; WO2007052699A1

Abstract

노광 장치에 의해 노광되고 현상된 기판 상의 패턴의 선폭은, 측정기에 의해 측정된다. 해석 장치는, 그 선폭이 이상하다고 판정한 경우 (단계 303) 에는, 그 선폭의 실측값과 시뮬레이션값의 일치도에 근거하는 선폭 변동 요인의 장치의 특정 (단계 307), 통계값에 근거하는 선폭 변동 요인의 특정 (단계 311), 파라미터의 최적화 (단계 315, 317) 등을 실시한다. 이로써, 디바이스 제조 공정에 있어서, 그 수율이 향상된다.

노광 장치, 선폭, 통계값, 시뮬레이션값, 측정 장치, 해석 장치

Description

해석 장치, 처리 장치, 측정 장치, 노광 장치, 기판 처리 시스템, 해석 방법 및 프로그램{ANALYZING APPARATUS, PROCESSING APPARATUS, MEASURING INSTRUMENT, EXPOSURE APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, ANALYSIS METHOD, AND PROGRAM}

기술분야

본 발명은, 해석 장치, 처리 장치, 측정 장치, 노광 장치, 기판 처리 시스템, 해석 방법 및 프로그램에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 디바이스 제조를 위해서 제공되는 물체 상에, 디바이스 패턴을 형성하기 위한 일련의 프로세스에 관한 정보를 해석하는 해석 장치, 그 해석 장치를 구비하는 처리 장치, 측정 장치 및 노광 장치, 상기 각종 장치를 구비하는 기판 처리 시스템, 상기 해석 장치를 사용하여 해석을 실시하는 해석 방법, 그리고 디바이스 제조를 위해서 제공되는 물체 상에, 디바이스 패턴을 형성하기 위한 일련의 프로세스에 관한 정보를 컴퓨터에 해석시키기 위한 프로그램에 관한 것이다.

배경기술

종래부터, 반도체 소자, 액정 표시 소자 등의 전자 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 반도체 기판 (웨이퍼) 또는 액정 표시 기판 (유리 플레이트) 등의 감응 기판 상에 형성되는 회로 패턴 등의 선폭이 설계값에서 너무 벗어나지 않도록, 노광 장치에 있어서 선폭에 큰 영향을 미치는 노광 조건, 예를 들어 포커스 (투영 광 학계의 광축 방향에 관한 투영 광학계의 이미지면과 감응 기판 표면의 위치 관계) 와, 노광량을 변경하면서 순차적으로 테스트 노광을 실시하고, 그 노광 결과로부터 최적의 포커스 및 노광량을 구하고 있다. 구체적으로는, 포커스를 소정 단계 피치로 변경시키면서, 각 단계에서 노광량을 소정 범위 내에서 단계적으로 변화시켜, 감응 기판 상의 상이한 영역에 테스트 패턴을 순차적으로 전사한다. 이로써, 감응 기판 상에는, 포커스와 노광량 중 적어도 일방이 상이한 조건 하에서 전사된 복수의 테스트 패턴의 전사 이미지가 형성된다. 그리고, 예를 들어 복수의 전사 이미지의 검출 결과를, 포커스와 노광량을 좌표축으로 하는 2 차원 좌표계 상에 매트릭스상으로 바꾸어 배열한 결과에 기초하여, 최적의 포커스 및 노광량을 구한다.

예를 들어, 종래의 CD (Critical Dimension) 관리에 있어서는, 패턴 선폭을 포커스와 노광량의 연속 함수로서 파악하고, 테스트 노광에 의한 각 노광 필드의 크리티컬한 선폭의 측정 결과에 기초하여 그 연속 함수를 해석 소프트웨어에 의해 작성하고 있다. 그리고, 포커스와 노광량을 좌표축으로 하는 2 차원 좌표 평면 내에 있어서의 연속 함수로부터, 허용할 수 있는 선폭이 되는 포커스 및 노광량의 영역인 이른바 프로세스·윈도우를 확정하고, 패턴 영역 내의 각 지점의 패턴마다 취득되는 프로세스·윈도우의 중복 영역 내의 포커스와 노광량의 설정값을, 실제의 노광 시의 설정값으로서 선택하고 있다.

상기 서술한 바와 같은 방법을 사용하면, 양호한 패턴 선폭을 실현하는 포커스와 노광량을 미리 결정해 둘 수는 있다. 그러나, 프로세스 실행 중에, 선폭 변동 요인의 해석이나 선폭에 관련되는 파라미터의 최적화를 실시하려고 하는 경우에는, 스루풋의 관점에서 보면, 종래보다 해석 및 최적화에 필요로 하는 시간을 짧게 하는 것이 요구된다. 또, 실제로는, 패턴 선폭의 변동 요인은, 포커스나 노광량에는 한정되지 않기 때문에, 보다 많은 변동 요인을 해석 가능한 것도 요구된다.

발명의 개시

과제를 해결하기 위한 수단

본 발명은, 제 1 관점에서 보면, 디바이스 제조를 위해서 제공되는 물체 상에, 디바이스 패턴을 형성하기 위한, 일련의 프로세스에 관한 정보를 해석하는 해석 장치로서, 상기 일련의 프로세스 중 적어도 일부를 실행하는 처리 장치에 의해, 상기 일련의 프로세스 실행 중에 실시되는 처리 내용에 관한 정보를 취득하는 취득 장치를 구비하고, 상기 취득 장치에 의해 취득되는 정보와, 실측된 상기 물체 상에 형성된 패턴 사이즈에 관한 정보에 기초하여, 양자의 인과 관계를 해석하는 해석 장치이다.

본 발명은, 제 2 관점에서 보면, 디바이스 제조를 위해서 제공되는 복수의 물체 상에 디바이스 패턴을 형성하기 위한, 일련의 프로세스 중 적어도 일부를 실행하는 처리 장치에 있어서, 상기 일련의 프로세스 중 적어도 일부를, 상기 복수의 물체 상에 순차적으로 실행하고 있는 도중에, 상기 패턴 사이즈에 관련되는 처리 내용에 관한 정보를 출력하는 처리 장치이다.

본 발명은, 제 3 관점에서 보면, 물체 상에 형성된 패턴 사이즈를 측정하는 측정 장치에 있어서, 상기 패턴 사이즈의 측정 조건에 관한 정보와, 그 측정 상태에 관한 정보를 출력 가능한 측정 장치이다.

본 발명은, 제 4 관점에서 보면, 디바이스 제조를 위해서 제공되는 물체 상에 디바이스 패턴을 형성하기 위한, 일련의 프로세스가 실행되고 있는 기간 도중에, 상기 물체 상에 형성된 패턴 사이즈를 측정하는 측정 장치에 있어서, 상기 패턴 사이즈의 측정 조건에 관한 정보와, 그 측정 상태에 관한 정보를, 상기 일련의 프로세스 실행 중에 출력 가능한 측정 장치이다.

본 발명은, 제 5 관점에서 보면, 물체 상에 형성된 패턴 사이즈를 측정하는 측정 장치에 있어서, 상기 물체 상에 상기 패턴이 형성되었을 때의 처리 내용에 관한 정보를, 장치 외부에 요구하는 측정 장치이다.

본 발명은, 제 6 관점에서 보면, 디바이스 제조를 위해서 제공되는 복수의 물체 상에, 디바이스 패턴을 형성하기 위한 일련의 프로세스가 실행되고 있는 기간의 도중에, 상기 물체 상에 형성된 패턴 사이즈를 측정하는 측정 장치에 있어서, 상기 물체 상에 상기 패턴이 형성되었을 때의 처리 내용에 관한 정보를, 상기 일련의 프로세스 실행 중에, 장치 외부에 요구하는 측정 장치이다.

본 발명은, 제 7 관점에서 보면, 물체 상에 형성된 패턴 사이즈를 측정하는 측정 장치로서, 상기 물체 상에 상기 패턴이 형성되었을 때의 처리 내용에 관한 정보를, 장치 외부로부터 수신하는 수신부를 갖는 측정 장치이다.

본 발명은, 제 8 관점에서 보면, 디바이스 제조를 위해서 제공되는 복수의 물체 상에 디바이스 패턴을 형성하기 위한, 일련의 프로세스가 실행되고 있는 기간 의 도중에, 상기 물체 상에 형성된 패턴 사이즈를 측정하는 측정 장치로서, 상기 물체 상에 상기 패턴이 형성되었을 때의 처리 내용에 관한 정보를, 상기 일련의 프로세스 실행 중에, 장치 외부로부터 수신하는 수신부를 갖는 측정 장치이다.

본 발명은, 제 9 관점에서 보면, 물체 상에 패턴을 전사하는 노광 장치에 있어서, 상기 물체 상에 대한 상기 패턴의 전사 조건에 관한 정보와, 상기 물체 상에 대한 상기 패턴의 전사 상태에 관한 정보를 출력 가능한 노광 장치이다.

본 발명은, 제 10 관점에서 보면, 디바이스 제조를 위해서 제공되는 복수의 물체 상에 디바이스 패턴을 전사하는 노광 장치에 있어서, 상기 물체 상에 대한 상기 패턴의 전사 조건에 관한 정보와, 상기 물체 상에 대한 상기 패턴의 전사 상태에 관한 정보를, 상기 복수의 물체 상에 상기 전사를 순차적으로 실행하고 있는 도중에 출력 가능한 노광 장치이다.

본 발명은, 제 11 관점에서 보면, 물체 상에 패턴을 형성하는 일련의 프로세스를 실행하는 기판 처리 시스템에 있어서, 상기 일련의 프로세스를 실행하는 복수의 처리 장치 각각에 있어서 상기 패턴 사이즈에 영향을 주는 처리 내용에 관한 정보를 통괄 관리하는 데이터 관리부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템이다.

본 발명은, 제 12 관점에서 보면, 디바이스 제조를 위해서 제공되는 물체 상에 디바이스 패턴을 형성하기 위한, 일련의 프로세스에 관한 정보를 컴퓨터에 해석시키기 위한 프로그램으로서, 상기 일련의 프로세스 중 적어도 일부를 실행하는 처리 장치에 의해, 상기 일련의 프로세스 실행 중에 실시되는 처리 내용에 관한 정보 와, 실측된 상기 물체 상에 형성된 패턴 사이즈에 관한 정보에 기초하여, 양자의 인과 관계를 해석하는 순서를 컴퓨터에 실행시키는 프로그램이다.

이들에 의하면, 일련의 프로세스에 있어서, 패턴 사이즈에 관한 정보와 처리 장치의 처리 내용에 관한 정보의 인과 관계를, 일련의 프로세스 실행 중에 자동적으로 해석하는 것이 가능해지기 때문에, 복수 장의 웨이퍼의 노광 처리 중에 노광 패턴의 선폭 정밀도가 악화되어도, 신속히 요인 분석, 대처를 할 수 있고, 생산 효율을 떨어뜨리지 않고 양품률을 올릴 수 있다. 또, 반드시 테스트 처리를 실시할 필요가 없어지는 데다가, 조정되는 파라미터를 한정할 필요가 없어진다.

도면의 간단한 설명

도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련되는 기판 처리 시스템의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.

도 2 는 테이블의 일례를 나타내는 도면이다.

도 3 은 기판 처리 시스템의 처리의 흐름을 나타내는 플로우 차트이다.

도 4 는 기판 처리 시스템의 데이터 플로우이다.

도 5 는 해석 장치의 처리를 나타내는 플로우 차트이다.

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

이하, 본 발명의 일 실시형태를 도 1 ∼ 도 5 에 기초하여 설명한다. 도 1 에는, 본 발명의 일 실시형태에 관련되는 기판 처리 시스템의 개략적인 구성이 나타내어져 있다. 이 기판 처리 시스템 (101) 은, 반도체 웨이퍼를 처리하고, 마이크로 디바이스를 제조하는 시스템이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 이 기판 처리 시스템 (101) 은, 노광 장치 (100) 와, 그 노광 장치 (100) 에 인접하여 배치된 트랙 (300) 과, 관리 콘트롤러 (500) 와, 해석 장치 (600) 와, 호스트 시스템 (700) 과, 디바이스 형성 장치군 (900) 을 구비하고 있다.

노광 장치 (100), 트랙 (300) 은, 상호 인 라인 접속되어 있다. 여기서의 인 라인 접속이란, 장치간 및 각 장치 내의 처리 유닛 사이를, 로봇 아암이나 슬라이더 등의 웨이퍼를 자동 반송하는 반송 장치를 개재하여 접속하는 것을 의미한다. 이 인 라인 접속에 의해, 노광 장치 (100), 트랙 (300) 의 조합을 1 개의 기판 처리 장치로 간주할 수도 있다. 또한, 도 1 에서는, 지면의 형편상, 기판 처리 장치 (100, 300) 가 1 개밖에 도시되어 있지 않지만, 실제로는, 기판 처리 시스템 (101) 에는, 복수의 기판 처리 장치가 설치되어 있다. 즉, 기판 처리 시스템 (101) 에 있어서는, 노광 장치 (100) 와 트랙 (300) 이 복수대 형성되어 있다. 각 기판 처리 장치 (100, 300), 디바이스 형성 장치군 (900) 은, 온도 및 습도가 관리된 클린룸 내에 설치되어 있다. 또, 각 장치 사이에서는, 소정의 통신 네트워크 (예를 들어 LAN : Local Area Network) 를 통하여, 데이터 통신을 실시할 수 있도록 되어 있다.

기판 처리 장치 (100, 300) 에 있어서는, 웨이퍼는 복수 장 (예를 들어 25 장 또는 50 장) 을 1 단위 (로트라고 한다) 로서 처리된다. 기판 처리 시스템 (101) 에 있어서는, 웨이퍼는 1 로트를 기본 단위로 하여 처리되어 제품화되고 있다.

노광 장치 (100) 는, 노광용 조명광을 사출하는 조명계, 그 조명광에 의해 조명되는 회로 패턴 등이 형성된 레티클을 유지하는 스테이지, 투영 광학계, 노광 대상이 되는 웨이퍼를 유지하는 스테이지 및 이들의 제어계 등을 구비하고 있다. 이 노광 장치 (100) 는, 노광용 조명광에 대하여, 상기 각 스테이지를 구동하여 레티클과 웨이퍼를 상대 동기 주사와, 웨이퍼의 스테핑을 반복함으로써, 레티클의 회로 패턴을 웨이퍼 상의 복수의 상이한 쇼트 영역에 전사하고 있다. 즉, 노광 장치 (100) 는, 주사 노광형의 노광 장치이다. 노광 장치 (100) 에서는, 조명광의 강도 (노광량) 를 제어하는 노광량 제어계와, 양 스테이지의 동기 제어, 투영 광학계의 초점 심도 내에 웨이퍼면을 일치시키는 오토포커스/레벨링 제어 (이하, 간단히, 포커스 제어라고 한다) 등을 실시하는 스테이지 제어계가 구축되어 있다. 노광량 제어계는, 노광량을 계측 가능한 각종 노광량 센서의 검출값에 기초하여, 노광량이 그 목표값에 일치하는 피드백 제어를 실시하고 있다. 스테이지 제어계는, 스테이지의 위치를 계측하는 간섭계의 계측값에 기초하여 피드백 제어를 실시함으로써, 양 스테이지의 동기 제어를 실현하고 있다. 노광 장치 (100) 에는, 웨이퍼면의 포커스/레벨링 어긋남을 검출하는 복수 검출점을 갖는 다점 AF (오토포커스) 센서가 형성되어 있다. 스테이지 제어계는, 이 다점 AF 센서의 복수 검출점 중에서, 예를 들어 9 개의 검출점 (9 채널) 에서 검출된 노광 영역 부근의 웨이퍼면을, 투영 광학계의 이미지면에 일치시키는 피드백 제어를 실시함으로써, 포커스 제어를 실현하고 있다. 또한, 노광 장치 (100) 에 있어서는, 양 스테이지의 동기 제어에 관련되는 2 차원 좌표계를 XY 좌표계 (동기 주사 방향을 Y 축으로 하고 있다) 로 하고, 투영 광학계의 광축과 평행한 좌표축을 Z 로 하여 XYZ 좌 표계 하에서 스테이지 제어를 실시하고 있다. 이하에서는, 스테이지 제어계를, 동기 제어계와 포커스 제어계로 나누어 설명한다.

노광 장치 (100) 에서는, 상기 각 제어계의 동작을 결정하기 위한 제어 파라미터가 설정 가능하게 되어 있다. 이와 같은 제어 파라미터는, 그 설정값을 변경할 때에, 그 최적값을 구하기 위해서 프로세스를 일단 정지시켜 장치의 조정이 필요한 조정계 파라미터와 장치 조정을 필요로 하지 않는 비조정계 파라미터로 대별된다.

조정계 파라미터의 대표예로는, 노광량 제어계 관련에서는, 노광량을 검출하는 노광량 센서의 조정 파라미터나, 웨이퍼면 상의 조명광의 강도를 계측하는 조도 계측 센서의 조정 파라미터 등이 있다. 또, 동기 제어계 관련에서는, 스테이지의 위치 측정용의 간섭계로부터의 레이저빔을 반사하기 위해서 웨이퍼나 레티클을 유지하는 스테이지 상에 형성된 이동경 굽힘 보정용의 보정 함수의 계수값 등의 파라미터나, 피드백 제어의 위치 루프 게인, 속도 루프 게인, 적분시 정수 등이 있다. 또, 포커스 제어계 관련에서는, 노광시의 웨이퍼면과 투영 렌즈 이미지면을 일치시킬 때의 포커스 제어의 오프셋 조정값인 포커스 오프셋, 노광시의 웨이퍼면이 투영 렌즈 이미지면과 일치 (평행) 시키기 위한 레벨링 조정 파라미터, 다점 AF 센서의 개개의 검출점의 센서인 위치 검출 소자 (PSD) 의 리니어리티, 센서간 오프셋, 각 센서의 검출 재현성, 채널간 오프셋, 웨이퍼 상에 대한 AF 빔 조사 위치 (즉, 검출점), 그 외 AF 면 보정 등에 관련되는 파라미터 등이 있다. 이들의 파라미터의 값은, 모두 장치의 캘리브레이션이나 시운전에 의해 조정할 필요가 있는 것이다.

한편, 비조정계 파라미터의 대표예로는, 노광량 제어계 관련에서는, 예를 들어, 조명계에 있어서의 ND 필터의 선택에 관한 파라미터나, 노광량 목표값이 있다. 또, 동기 제어계 관련에서는, 예를 들어, 주사 (스캔) 속도 등이 있다. 또, 포커스 제어계 관련에서는, 예를 들어, 9 채널분의 포커스 센서의 선택 상태, 후술하는 포커스 단차 보정 맵 관련의 파라미터, 포커스 오프셋의 미(黴)조정량, 웨이퍼 외부 가장자리의 에지 쇼트에 있어서의 스캔 방향 등이 있다. 이들 파라미터의 설정값은, 모두 장치의 캘리브레이션을 실시하지 않고 값을 변경하는 것이 가능한 파라미터이고, 노광 레시피에 의해 지정되어 있는 것이 많다. 또한, ND 필터에 대해서는, 어느 웨이퍼에 대한 노광 개시시에, 노광량 목표값을 적당히 (예를 들어 최소로) 설정한 상태에서 1 회만 실시되는 평균 파워 체크의 결과에 의해 선택된다. 또, 이 ND 필터의 선택에 의해서는, 스캔 속도도 어느 정도 미조정된다.

웨이퍼 상에 전사 형성되는 회로 패턴의 선폭은, 노광량, 동기 정밀도, 포커스의 각 제어 오차에 의해 설계값에서 벗어난다. 그래서, 노광 장치 (100) 에서는, 노광량 제어계로부터 얻어지는 노광량 오차에 관련되는 제어량의 시계열 데이터 (노광량 트레이스 데이터), 동기 제어계로부터 얻어지는 동기 정밀도 오차에 관련되는 제어량의 시계열 데이터 (동기 정밀도 트레이스 데이터), 포커스 제어계로부터 얻어지는 포커스 오차에 관련하는 제어량의 시계열 데이터 (포커스 트레이스 데이터) 를 로깅하고 있다. 이들 트레이스 데이터는, 후술하는 해석 장치 (600) 로의 해석에 이용된다.

또한, 노광 장치 (100) 에는, 웨이퍼를 유지하는 스테이지가 2 대 형성되어 있다. 계속해서 처리되는 웨이퍼는, 양 스테이지에 교대로 로드되어 순차적으로 노광된다. 이와 같이 하면, 일방의 스테이지에 유지된 웨이퍼에 대한 노광을 한창 실시하고 있는 도중에, 타방의 스테이지 상에 웨이퍼를 로드하고, 얼라인먼트 등을 실시해 둘 수 있기 때문에, 1 대의 스테이지에서 웨이퍼 교환 → 얼라인먼트 → 노광을 반복하여 실시하는 것보다 스루풋이 향상된다. 도 1 에서는, 일방의 스테이지에 유지된 웨이퍼에 대하여 주사 노광을 실시하는 부분을, 처리부 (1) 로서 나타내고 있고, 타방의 스테이지에 유지된 웨이퍼에 대하여 주사 노광을 실시하는 부분을, 처리부 (2) 로서 나타내고 있다.

트랙 (300) 에는, 레지스트 도포 및 현상을 실시하는 코터·디벨로퍼 (C/D) (310) 와 각종 측정을 실시하는 측정기 (800) 가 형성되어 있다. 이 C/D (310) 및 측정기 (800) 에 있어서도 처리부 1, 2 가 형성되어 있어, 처리 시간의 단축이 실현되고 있다.

측정기 (800) 는, 노광 장치 (100) 에서의 웨이퍼의 노광 전후 (즉, 사전, 사후) 에 있어서, 그 웨이퍼에 대한 소정의 측정을 실시한다. 측정기 (800) 는 노광 전 (사전) 의 웨이퍼 상의 모든 층의 각 쇼트 영역에 형성된 회로 패턴 등에 의해 발생된 개개의 웨이퍼면의 표면 형상 (요철) 인 이른바 쇼트 플래트니스 (디바이스 토포그래피, 포커스 단차라고도 한다) 를 측정한다. 측정기 (800) 에는, 예를 들어, 노광 장치 (100) 와 매칭된 AF 센서가 형성되어 있고, 이로써, 쇼 트 플래트니스가 측정된다. 또, 측정기 (800) 는, 노광 장치 (100) 에 의해 전사되고 C/D (310) 에 의해 현상된 노광 후 (사후) 의 웨이퍼 상의 회로 패턴 등의 선폭도 측정 가능하게 되어 있다.

해석 장치 (600) 는, 노광 장치 (100), 트랙 (300) 과는 독립적으로 동작하는 장치이다. 해석 장치 (600) 는, 각종 장치로부터 각종 데이터 (예를 들어 그 장치의 처리 내용) 를 수집하고, 웨이퍼에 대한 일련의 프로세스에 관한 데이터의 해석을 실시한다. 이와 같은 해석 장치 (600) 를 실현하는 하드웨어로는, 예를 들어 퍼스널 컴퓨터 (이하, 「PC」 라고 약술한다) 를 채용할 수 있다. 이 경우, 해석 처리는, 해석 장치 (600) 의 CPU (도시하지 않음) 에 의해 실행되는 해석 프로그램의 실행에 의해 실현된다. 이 해석 프로그램은, CD-ROM 등의 미디어 (정보 기록 매체) 에 의해 공급되고, PC 에 인스톨된 상태에서 실행된다.

해석 장치 (600) 는, 웨이퍼 상의 어느 지점에 패턴이 전사되었을 때의 노광량, 동기 정밀도, 포커스의 제어 오차에 기초하여, 그 지점에 전사 형성된 패턴의 선폭을 추정할 수 있다. 해석 장치 (600) 의 메모리 (도시하지 않음) 에는, 패턴의 선폭과, 노광량, 동기 정밀도, 포커스의 각 제어 오차와의 관계를 나타내는 테이블군이 저장되어 있다. 도 2 에는, 이 테이블군의 일례가 모식적으로 나타내어져 있다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 이 테이블군은, 인덱스 테이블 (51) 과, n 개의 테이블군 (52₁ ∼ 52_n) 으로 이루어진다. 인덱스 테이블 (51) 에는, 노광량의 제어 오차 (노광량 오차) 의 대표값으로서 -1.0 ∼ 1.0mJ/㎠ 중 5 개의 대표값이 지정되어 있고, 동기 정밀도의 제어 오차 (동기 정밀도 오차) 의 대표값으로서 0.00 ∼ 0.30㎛ 중 4 개의 대표값이 지정되어 있다. 도 2 의 인덱스 테이블 (51) 에서는, 노광량 오차로는 소정 기간 내의 이동 평균이 채용되고, 동기 정밀도 오차로는 소정 기간 내의 이동 표준 편차가 채용되고 있다. 모두 선폭 에 대한 영향도가 높은 통계값이 채용되고 있다. 여기서, 소정 기간이란, 양 스테이지의 상대 주사에 의해 슬릿상의 노광 영역이, 웨이퍼 (W) 상의 어느 지점에 도달하고 나서 빠져나갈 때까지의 기간이다.

인덱스 테이블 (51) 의 각 셀에는, 각 대표값의 조합에 대응하는 테이블군 52_i (i=1 ∼ n, n 은 예를 들어 20) 의 테이블명 (T₁₁ ∼ T₅₄) 중 어느 하나가 등록되어 있다. 각 테이블군 (52_i) 에는, 각각 포커스의 제어 오차의 통계값으로서의 Z 평균 오프셋 (Z_MEAN), Z 이동 표준 편차 (Z_MSD) 와, 선폭값의 관계를 나타내는 복수의 테이블이 준비되어 있다. 여기서, Z_MEAN 이란, 상기 소정 기간 (노광 슬릿 통과 기간) 내의 포커스의 제어 오차의 이동 평균값이고, Z_MSD 란, 상기 소정 기간 내의 포커스의 제어 오차의 이동 표준 편차이다. 보다 엄밀하게는, Z 평균 오프셋 (Z_MEAN), Z 이동 표준 편차 (Z_MSD) 는, 노광 슬릿이 그 패턴의 부분을 통과하는 동안의, 웨이퍼면의 디바이스 토포그래피를 기준으로 하는 포커스 목표 위치로부터의 웨이퍼면의 Z 방향 및 경사 방향의 어긋남, 즉 그들 방향의 종합적인 포커스 제어 오차의 이동 평균 및 이동 표준 편차이다. 또한, 동일한 Z_MEAN, Z_MSD 이 어도 그 때의 선폭값 (CD 값) 은, 이미지 높이 (주사 방향에 직교하는 좌표축 방향) 마다 상이하기 때문에, 각 테이블군 (52_i) 에서는, 이미지 높이의 몇 개의 대표값 (f₀ ∼ f_M) 마다 테이블이 준비되어 있다.

해석 장치 (600) 는, 노광 장치 (100) 로부터 취득되는 노광량 트레이스 데이터, 동기 정밀도 트레이스 데이터, 포커스 트레이스 데이터에 기초하여, 웨이퍼 (W) 상의 어느 지점 (샘플 지점) 에서의 각각의 제어 오차의 통계값을 산출한다. 그리고, 해석 장치 (600) 는, 인덱스 테이블 (51) 을 참조하고, 노광량 오차 및 동기 정밀도 오차에 기초하여, 그들의 값에 가까운 대표값에 대응하는 테이블군을, 테이블군 (52₁ ∼ 52_n) (테이블명 T₁₁ ∼ T₅₄) 중에서 선택한다. 예를 들어, 노광량 오차가 -0.7 이고, 동기 정밀도 오차가 0.005 이었다고 하면, 그 값 근방의 대표값의 조합에 대응하는 셀에 등록된 4 개의 테이블군 52₁, 52₂, 52₅, 52₆ (테이블 명 T₁₁, T₁₂, T₂₁, T₂₂) 이 선택되도록 된다.

4 개의 테이블군이 선택된 경우의 CD 값의 산출 방법에 대해 설명한다. 전제로서 선택된 테이블군에 대응하는 노광량 오차의 대표값 중에서, 작은 쪽을 노광량 오차 최소값이라고 부르고, 큰 쪽을 노광량 오차 최대값이라고 부른다. 또, 선택된 테이블군에 대응하는 동기 정밀도 오차의 대표값 중에서, 작은 쪽을 동기 정밀도 오차 최선값이라고 부르고, 큰 쪽을 동기 정밀도 오차 최악값이라고 부른다. 해석 장치 (600) 는, 선택된 4 개의 테이블군 중에서, 얼라인먼트 마크 의 쇼트 내 X 좌표에 대응하는 이미지 높이 f_k (k=0 ∼ M) 의 테이블을 참조하여, 이하에 나타내는 4 개의 테이블을 판독한다. 여기서, k=0 은 이미지 높이 0, 즉 광축 상인 것을 의미한다.

(1) 노광량 오차 최소값과 동기 정밀도 오차 최선값에서의 테이블군의 이미지 높이 f_k 의 테이블 1

(2) 노광량 오차 최소값과 동기 정밀도 오차 최악값에서의 테이블군의 이미지 높이 f_k 의 테이블 2

(3) 노광량 오차 최대값과 동기 정밀도 오차 최선값에서의 테이블군의 이미지 높이 f_k 의 테이블 3

(4) 노광량 오차 최대값과 동기 정밀도 오차 최악값에서의 테이블군의 이미지 높이 f_k 의 테이블 4

먼저, 해석 장치 (600) 는, 테이블 1, 2 를 참조하여, Z_MEAN, Z_MSD 에 대응하는 CD 값을 판독한다. 그리고, 동기 정밀도 오차 최악값과 동기 정밀도 오차 최선값 사이를 내분하는 동기 정밀도 오차의, 그 내분비에 근거하는 1 차 보간에 의해, 테이블 1, 2 로부터 판독된 CD 값으로부터, 그 동기 정밀도 오차에 대응하는 CD 값을 산출한다. 보다 구체적으로는, CD 와 동기 정밀도 오차를 각 좌표축으로 하는 2 차원 면내에 있어서의 2 개의 테이블 1, 2 로부터 각각 판독된 2 개의 CD 값, 그 2 개의 CD 값에 대응하는 점을 양단으로 하는 직선의 절편과 기울기 (즉, 직선의 식) 를 구하고, 동기 정밀도 오차에 대응하는 그 직선상의 점의 CD 값을, 그 동기 정밀도 오차에 대응하는 CD 값으로서 구한다. 동일하게, 테이블 3, 4 를 참조하여, Z_MEAN, Z_MSD 에 대응하는 CD 값을 판독한다. 그리고, 동기 정밀도 오차 최악값과 동기 정밀도 오차 최선값 사이를 내분하는 동기 정밀도 오차의 값의 그 내분비에 근거하는 1 차 보간에 의해, 테이블 3, 4 로부터 판독된 CD 값으로부터, 그 동기 정밀도 오차에 대응하는 CD 값을 산출한다. 계속해서, 산출된 2 개의 CD 값을, 노광량 오차 최소값과 노광량 오차 최대값 사이를 내분하는 노광량 오차의 값의, 그 내분비에 근거하는 1 차 보간에 의해, 그 노광량의 제어 오차에 대응하는 CD 값을 산출한다. 이 CD 값이, 이 샘플 지점에 있어서의 CD 값이 된다. 상기 보간은, 노광량 오차 또는 동기 정밀도 오차 중 어느 일방의 값이 대표값과 동일하고, 4 개의 테이블이 아니라 2 개의 테이블이 선택되었을 경우에도 적용되는 것은 물론이다.

그런데, 이 테이블을 사용한 선폭의 추정에 앞서, 테이블에 CD 값을 미리 등록해 둘 필요가 있다. 이 CD 값은, 일련의 프로세스 실행 전에, 노광 장치 (100) 및 측정기 (800) 로부터 얻어지는 정보에 기초하여 등록된다. 먼저, 노광 장치 (100) 에, 소정의 노광 조건을 설정한 상태에서 주사 노광을 실시하여 테스트 웨이퍼에 테스트 패턴을 전사시키고, 그 때의 노광량 트레이스 데이터, 동기 정밀도 트레이스 데이터, 포커스 트레이스 데이터를 취득시킨다. 그리고, 테스트 패턴이 전사된 테스트 웨이퍼를 C/D (310) 에 현상시키고, 측정기 (800) 에 테 스트 패턴의 선폭을 측정시킨다. 그리고, 각종 트레이스 데이터 및 설정되어 있는 노광 조건에 관한 데이터와, 선폭의 측정 결과를, 해석 장치 (600) 에 전송시킨다.

해석 장치 (600) 는, 각종 트레이스 데이터에 기초하여, 선폭이 측정된 테스트 패턴이 전사된 샘플점에서의 노광량, 동기 정밀도, 포커스의 제어 오차의 통계값을 산출한다. 다음으로, 해석 장치 (600) 는, 테이블에 설정되어 있는 각종 제어 오차의 대표값를 기준으로 하는 소정의 범위 (즉 테이블 내의 셀) 마다, 측정 결과를 그룹 나누기한다. 그리고, 동일한 그룹에 속하는 선폭의 측정 결과의 평균값을, 그 셀의 CD 값으로서 테이블에 등록한다. 또한, 등록되는 CD 값은, 측정기 (800) 의 측정 결과에 근거하는 것이 아니고, SEM 에 의한 측정된 값 또는 OCD 법 등에 의해 측정된 값에 근거하는 것이어도 되고, 실제로 테스트 웨이퍼를 사용하지 않고, 테스트 패턴의 공간 이미지를 계측하는 공간 이미지 센서를 대신으로 설치하고, 그 공간 이미지 센서에 의해 계측되는 테스트 패턴의 공간 이미지로부터 구해진 공간 이미지 시뮬레이션의 산출값이어도 된다.

또한, 노광량 오차, 동기 정밀도 오차, 포커스 오차가 완전히 같아도, CD 값은, 노광 장치 (100) 의 노광 조건, 전사되는 패턴의 설계 조건에 따라 상이해진다. 그 때문에, 테이블군은, 노광 조건, 패턴 설계 조건마다 준비된다. 이와 같이, 테이블군에 대해서는, 노광 조건, 패턴 설계 조건, 노광량 오차, 동기 정밀도 오차, 포커스 오차를 키로 하여, CD 값의 추정값을 탐색할 수 있도록 데이터베이스화시켜 둘 필요가 있다. 또한, 노광 조건으로는, 노광 파장, 투영 광학 계 NA, 조명 NA, 조명 σ, 조명 종류, 초점 심도 등이 있고, 패턴의 설계 조건으로는, 설계 선폭 (예를 들어 130㎚), 패턴 종류 (고립선이나 라인·앤드·스페이스·패턴) 등이 있다. 이들 노광 조건, 패턴 설계 조건과, 패턴 선폭의 관계나, 테이블에 있어서의 이미지 높이 등의 제조건의 설정 방법에 대해서는, 예를 들어 일본 공개특허공보 2001-338870호 등에 상세하게 개시되어 있다.

관리 콘트롤러 (500) 는, 노광 장치 (100) 에서 실시되는 노광 공정을 제어·관리하고 있고, 노광 장치 (100) 의 스케줄링을 관리하고 있다. 또, 호스트 시스템 (700) 은, 기판 처리 시스템 (101) 전체를 통괄 관리한다. 디바이스 형성 장치군 (900) 에는, 웨이퍼 상에 박막의 생성을 실시하는 성막 장치 (CVD (Chemical Vapor Deposition) 장치) (910), 에칭을 실시하는 에칭 장치 (920), 화학적 기계적 연마를 실시하여 웨이퍼를 평탄화시키는 처리를 실시하는 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 장치 (930), 및 웨이퍼를 산화시키거나 이온 (불순물) 을 주입하거나 하는 산화·이온 주입 장치 (940) 등이 포함된다. CVD 장치 (910), 에칭 장치 (920), CMP 장치 (930) 및 산화·이온 주입 장치 (940) 에도, 2 개의 처리부 (처리부 1, 2) 가 형성되어 있고, 스루풋의 향상이 도모되어 있다. 또, CVD 장치 (910), 에칭 장치 (920), CMP 장치 (930) 및 산화·이온 주입 장치 (940) 도, 노광 장치 (100) 등과 동일하게 복수대 설치되어 있고, 상호간에 웨이퍼를 반송 가능하게 하기 위한 반송 경로가 형성되어 있다. 디바이스 형성 장치군 (900) 에는, 이 외, 웨이퍼의 프로빙 처리, 리페어 처리, 다이싱 처리, 패키징 처리, 본딩 처리 등을 실시하는 장치도 포함되어 있다.

다음으로, 기판 처리 시스템 (101) 에 있어서의 일련의 프로세스 흐름에 대해 설명한다. 도 3 에는, 이 프로세스의 플로우 차트가 나타내어지고, 도 4 에는, 이 일련의 프로세스에 있어서의 반복 공정에 관련된 부분의 웨이퍼의 흐름과 데이터의 흐름이 나타내어져 있다. 이 기판 처리 시스템 (101) 의 일련의 프로세스는, 호스트 시스템 (700) 및 관리 콘트롤러 (500) 에 의해 스케줄링되어 관리되고 있다. 상기 서술한 바와 같이 웨이퍼는 로트 단위로 처리되지만, 도 3, 도 4 는 모두, 1 장의 웨이퍼에 대한 일련의 처리로 되어 있다. 실제로는, 로트 단위로, 웨이퍼마다, 도 3, 도 4 에 나타내는 처리가 반복되게 된다.

도 3, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 먼저, CVD 장치 (910) 에 있어서 웨이퍼 상에 막을 생성하고 (단계 201), 그 웨이퍼를 C/D (310) 에 반송하고, C/D (310) 에 있어서 그 웨이퍼 상에 레지스트를 도포한다 (단계 202). 다음으로, 웨이퍼를, 측정기 (800) 에 반송하고, 측정기 (800) 에 있어서, 웨이퍼 상에, 이미 형성된 전층의 복수의 쇼트 영역 중에서, 계측 대상으로서 선택된 쇼트 영역 (이하, 계측 쇼트로 한다) 에 대해, 쇼트 플래트니스 (쇼트 영역의 포커스 단차) 를 측정한다 (단계 203). 이 계측 쇼트의 수 및 배치는, 임의의 것으로 할 수 있지만, 예를 들어, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 외주부의 8 개의 쇼트로 할 수 있다. 측정기 (800) 의 측정 결과 (즉 계측 쇼트의 쇼트 플래트니스) 는, 노광 장치 (100) 로 보내진다. 이 측정 결과는, 노광 장치 (100) 에 있어서의 주사 노광시의 포커스 제어에 사용된다.

계속해서, 웨이퍼를 노광 장치 (100) 에 반송하고, 노광 장치 (100) 에서 레 티클 상의 회로 패턴을 웨이퍼 상에 전사한다 (단계 205). 이 때, 노광 장치 (100) 에서는, 계측 쇼트 노광 중인 상기 노광량, 동기 정밀도, 포커스 트레이스 데이터를 모니터링하여, 내부의 메모리에 기억해 둔다. 다음으로, 웨이퍼를 C/D 에 반송하고, C/D (310) 에서 현상을 실시한다 (단계 207). 이 레지스트 이미지의 선폭은, 측정기 (800) 에서 측정된다 (단계 209). 측정기 (800) 의 측정 결과 (선폭 데이터) 는, 해석 장치 (600) 로 보내진다. 해석 장치 (600) 는, 노광 장치 (100) 또는 측정기 (800) 로부터의 정보에 기초하여 선폭에 관한 해석을 실시한다 (단계 211). 도 4 에 나타내는 바와 같이, 해석 장치 (600) 는, 해석의 경과, 필요에 따라, 측정기 (800) 나 노광 장치 (100) 에 대하여, 각종 데이터의 전송 요구를 발하거나, 해석 결과에 따라 각 장치에 해석 정보를 발한다. 또한, 이 해석 장치 (600) 에 있어서의 해석 처리 및 데이터 흐름의 상세한 것에 대해서는 후술한다. 또, 해석 장치 (600) 가 각종 데이터를 취득 후, 노광 장치 (100) 는, 내부에 기억되어 있는 트레이스 데이터 등을 신속하게 삭제하도록 해도 된다.

한편, 웨이퍼는, 측정기 (800) 로부터 디바이스 형성 장치군 (900) 에 포함되는 에칭 장치 (920) 에 반송되고, 에칭 장치 (920) 에 있어서 에칭을 실시하고, 불순물 확산, 알루미늄 증착 배선 처리, CVD 장치 (910) 에서 성막, CMP 장치 (930) 에서 평탄화, 산화·이온 주입 장치 (94) 에서의 이온 주입 등을 필요에 따라 실시한다 (단계 213). 그리고, 전체 공정이 완료되고, 웨이퍼 상에 모든 패턴이 형성되었는지의 여부를, 호스트 시스템 (700) 에서 판단한다 (단계 215). 이 판단이 부정되면 단계 201 로 되돌아가고, 긍정되면 단계 217 로 진행된다. 이와 같이, 성막·레지스트 도포 ∼ 에칭 등이라는 일련의 프로세스가 공정 수만큼 반복 실행됨으로써, 웨이퍼 상에 회로 패턴이 적층되어, 반도체 디바이스가 형성된다.

반복 공정 완료 후, 프로빙 처리 (단계 217), 리페어 처리 (단계 219) 가, 디바이스 형성 장치군 (900) 에서 실행된다. 이 단계 219 에 있어서, 메모리 불량 검출시에는, 예를 들어, 용장 회로로 치환하는 처리가 실시된다. 해석 장치 (600) 는, 검출한 선폭의 이상이 발생된 지점 등의 정보를, 프로빙 처리, 리페어 처리를 실시하는 장치에 보내도록 할 수도 있다. 도시하지 않은 검사 장치에서는, 웨이퍼 상의 선폭 이상이 발생된 지점에 대해서는, 칩 단위로, 프로빙 처리, 리페어 처리의 처리 대상으로부터 제외할 수 있다. 그 후, 다이싱 처리 (단계 221), 패키징 처리, 본딩 처리 (단계 223) 가 실행되고, 최종적으로 제품 칩이 완성된다. 또한, 단계 209 의 사후 측정 처리는, 단계 213 의 에칭 후에 실시하도록 해도 된다. 이 경우, 웨이퍼의 에칭 이미지에 대해 선폭 측정이 실시된다.

다음으로, 단계 211 에 있어서의 해석 처리에 대해 상세하게 설명한다. 도 5 에는, 해석 장치 (600) 에 있어서의 해석 처리의 플로우 차트가 나타내어져 있다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 먼저, 측정기 (800) 로부터 이미 보내진 계측 쇼트의 각 샘플점에 있어서의 선폭 데이터를 판독하여 (단계 301), 선폭이 이상한지의 여부를 판정한다 (단계 303). 이 판정은, 예를 들어 실측 선폭과 설 계값의 차이를, 미리 정해진 임계값과 비교함으로써 실시된다. 여기서, 선폭이 정상이라고 판정된 경우에는, 해석 처리를 그대로 종료하고, 선폭이 이상하다고 판정된 경우에는 단계 305 로 진행된다. 단계 305 에서는, 포커스 트레이스 데이터, 동기 정밀도 트레이스 데이터, 노광량 트레이스 데이터, 및 웨이퍼의 플래트니스 데이터, 제어 파라미터의 설정값을 노광 장치 (100) 로부터 로드하고, 그들의 데이터에 기초하여, 포커스의 제어 오차의 통계값인 Z_MEAN, Z_MSD, 동기 정밀도 오차 (이동 표준 편차), 노광량 오차 (이동 평균) 를 산출하고, 전술한 테이블군을 참조하여, 동기 정밀도 오차 및 노광량 오차, Z_MEAN, Z_MSD 에 대응하는 선폭의 추정값을 산출한다. 다음으로, 선폭의 추정값과 실측값의 경향이 일치하는지를 판정하여, 그들의 정합성을 체크한다 (단계 307). 일치하지 않는 경우에는, 노광 처리 이외 (성막·레지스트 처리, 사전 측정 처리, 현상 처리, 사후 측정 처리 등) 에 선폭 이상의 요인이 있다고 간주할 수 있다. 이 경우에는, 단계 309 로 진행되어, C/D (310), 디바이스 형성 장치군 (900) 의 각 장치 등에 해석 정보 (도 4 참조) 로서 프로세스의 정지 요구를 보내어, 각종 장치의 운용을 일단 정지시키고, 오퍼레이터가 다른 장치의 체크를 실시할 수 있는 상태로 한다. 오퍼레이터는, 노광 장치 (100) 이외의 장치의 점검을 실시하여, 선폭 이상의 요인을 조사한다. 한편, 단계 307 에 있어서, 실측값와 추정값이 거의 일치하여, 판단이 긍정된 경우에는, 선폭 이상의 원인이 노광 장치 (100) 인 것이라고 판단하여, 단계 311 로 진행된다.

단계 311 에서는, 상기 단계 305 에서 산출한 포커스/동기 정밀도/노광량의 각 제어 오차, 디바이스 단차가 규격 외인지를 판정한다. 여기서, 예를 들어 포커스에 관한 통계값이 규격을 벗어나 있는 경우에는, 선폭 이상의 요인으로서 포커스 제어 또는 쇼트 플래트니스가 포함되어 있다고 판정한다. 또, 동기 오차에 관한 통계값이 규격 외인 경우에는, 선폭 이상의 요인으로서 동기 오차가 포함되어 있다고 판정한다. 또, 노광량에 관한 통계값이 규격 외인 경우에는, 선폭 이상의 요인으로서 노광량 오차가 포함되어 있다고 판정한다. 이들 중에서 적어도 1 개의 통계값이 규격 (노광 장치의 스펙) 외인 경우에는, 판단은 긍정되어, 단계 315 로 진행된다. 단계 315 에서는, 선폭 이상의 요인으로서 특정된 제어 오차에 관련된 조정계 파라미터 및 제어계 파라미터를 선정하고, 선정된 파라미터의 최적화를 실시한다.

이 파라미터의 최적화에 있어서는, 도 2 에 나타내는 테이블을 참조하고, 여러가지 포커스/노광량/동기 정밀도의 각 제어 오차의 조합으로, 시뮬레이션을 실행함으로써, 각 제어 오차를 0 에 접근하도록 제어 파라미터를 조정하면 된다. 각 제어 파라미터가, 포커스/노광량/동기 정밀도의 각 제어 오차와의 관계는 미리 이미 알고 있기 때문에, 각 제어 오차를 0 에 접근하기 위한 제어 파라미터의 설정값을 산출할 수 있다.

한편, 단계 311 에서, 각 제어 오차의 통계값이 모두 규격 내인 경우에는, 판정은 부정되어, 단계 313 로 진행된다. 단계 313 에서는, 각 제어 오차의 통계값이 규격 내이어도, 제어 파라미터의 최적화를 실시하는지의 여부를 판정한다. 이 판정이 부정되면 해석 처리를 종료하고, 긍정되면 단계 317 로 진행된다. 단계 317 에서는, 제어 파라미터 중에서 비조정계의 파라미터만을 최적화한다 (조정한다). 여기서도, 상기 단계 315 와 동일하게 하여, 각 제어 오차를 0 에 접근하도록 제어 파라미터 (단, 비조정계 파라미터만) 를 조정한다. 이와 같이 하면, 노광 장치 (100) 에 있어서의 노광 처리를 정지시키지 않고 패턴 선폭의 조정이 가능해진다.

단계 315, 317 실행 후, 최적화된 제어 파라미터의 데이터를, 해석 정보 (도 4 참조) 로서 노광 장치 (100) 로 보낸다 (단계 319). 노광 장치 (100) 에서는, 제어 파라미터의 설정값이, 보내진 데이터의 값으로 갱신되고, 향후에는, 그 제어 파라미터 하에서 노광 처리가 속행되게 된다. 단계 319 실행 후는, 해석 처리를 종료한다.

이상 상세하게 서술한 바와 같이, 본 실시 형태에 관련되는 해석 장치 (600) 에 의하면, 웨이퍼 상에 디바이스를 제조하기 위한 일련의 프로세스에 있어서, 웨이퍼 상에 형성되는 패턴의 선폭에 관한 데이터와 노광 장치의 처리 내용에 관한 데이터, 즉 노광 조건이나 패턴 설계 정보 등의 처리 조건, 노광량, 동기 정밀도, 포커스의 각 제어 오차 등과의 인과 관계를, 일련의 프로세스 실행 중에, 자동적으로 해석하는 것이 가능해진다. 이로써, 테스트 처리를 실시할 필요가 없어지는 데다, 조정하는 파라미터를, 노광량이나 포커스 등에 한정할 필요가 없어진다.

또, 본 실시 형태에 의하면, 해석 장치 (600) 에서는, 선폭 이상이 확인된 경우에만 해석을 실시하기 때문에, 불필요한 해석 처리를 실시하지 않도록 할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 계측 쇼트의 각 샘플 지점에서의 선폭 실측값과 설계값의 차이가 1 지점이라도 임계값을 초과하면, 선폭 이상으로 하였다. 이와 같이 하면, 계측 쇼트 내에 있어서의 엄격한 선폭 이상 검출이 가능해진다.

그러나, 선폭 이상 검출에 있어서는, 계측 쇼트에 있어서의 선폭의 실측값에 관한 통계값을 산출하고, 산출된 통계값을 임계값과 비교함으로써, 선폭 이상을 검출하도록 해도 된다. 이 경우에는, 실측값에 포함되는 측정 오차의 영향이 저감되어, 보다 적확한 선폭 이상 검출이 가능해진다. 이와 같은 통계값으로는, 선폭의 평균값을 채용해도 된고, 선폭의 편차를 나타내는 지표값 (예를 들어, 표준 편차, 표준 편차의 3 배의 이른바 3σ, 분산 등) 을 채용해도 된다. 또, 평균값과 편차를 나타내는 지표값의 합 (예를 들어 선폭의 평균값 +3σ 등) 을 채용해도 된다.

또, 본 실시 형태에 의하면, 선폭 이상이 검출된 경우에는, 노광 장치 (100) 의 제어 파라미터를 최적화했지만, 선폭 이상이 검출된 웨이퍼에 대해서도 어떠한 조치가 필요하다. 예를 들어, 계측 쇼트의 대부분에 선폭 이상이 확인된 웨이퍼에 대해서는, 계측 쇼트가 아닌 쇼트 영역에 대해서도 선폭 이상이 발생했을 가능성이 높기 때문에, 웨이퍼 그 자체를 리젝트하고, 그 후의 처리 대상으로부터 제외할 수 있다. 또, 선폭 이상이 확인된 계측 쇼트가 예를 들어 1 개 정도인 웨이퍼에 대해서는, 국소적으로 선폭 이상이 발생한 것이라고 생각되기 때문에, 선폭 이상이 된 패턴 주변의 부분, 예를 들어 그 계측 쇼트만, 그 후의 처리 대상으로부터 제외하는 쇼트 영역으로서 지정할 수도 있다. 또, 1 개의 쇼트 영역 내에 복수의 칩 영역이 포함되어 있는 경우에는, 그 회로 패턴을 포함하는 칩 영역을, 칩 단위로, 그 후의 처리 대상으로부터 제외할 수 있다. 이와 같은 그 후의 처리 대상으로는, 예를 들어, 프로빙 처리, 리페어 처리 등이 있다. 이와 같이 하면, 문제가 발생된 부분에 대하여 그들의 처리를 생략하여, 처리 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 웨이퍼를 로트 단위로 처리해 가는 중에, 선폭 이상이 복수의 웨이퍼로 연속하여 다수 발생한 경우에는, 그 로트의 웨이퍼를 모두 리젝트하도록 해도 된다. 이와 같이, 선폭 이상이 검출된 회로 패턴이 포함되는 칩 영역, 쇼트 영역, 웨이퍼, 로트 등을, 그 후의 처리로부터 제외시킴으로써, 그 처리의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 이와 같은 리젝트에 관한 정보도 도 4 에 나타내는 해석 정보로서, 각 장치에 보내진다. 각 장치는 그 정보에 기초하여, 제외 대상의 칩 영역, 쇼트 영역, 웨이퍼, 로트 등에 대한 처리를 실시하지 않도록 한다.

또, 본 실시 형태에서는, 선폭 이상의 판정 레벨 (임계값) 은 1 개였지만, 판정 레벨을 복수 단계 형성하는 것도 가능하다. 이와 같이 하면, 각각의 판정 레벨에 따라, 그 후에 실행되는 각종 장치의 처리 상태를 변경하는 것이 가능해진다. 예를 들어, 임계값을 고저 2 개 설정하고, 실측 선폭과 설계값의 편차가 2 개의 임계값의 중간에 있던 경우에는, 노광 장치 (100) 의 제어 파라미터의 최적화만을 실시하고, 패턴 리젝트는 실시되지 않도록 하고, 실측 선폭과 설계값의 편차가 높은 임계값도 초과한 경우에는, 제어 파라미터의 최적화와 패턴 리젝트의 양방을 실시하도록 할 수 있다. 또, 이것에 한정되지 않고, 노광 장치 (100) 이외 에, C/D (310), 측정기 (800), 각종 디바이스 형성 장치군 (900) 의 각 장치 등의 처리 내용을 단계적으로 조정하는 것이 가능해진다.

또, 본 실시 형태에서는, 측정기 (800) 에 있어서, 웨이퍼마다 미리 선택된 계측 쇼트만에 대해서 선폭의 측정을 실시했는데, 이상의 발생 빈도에 따라, 선폭 측정의 빈도를 증감시키도록 해도 되고, 이상의 발생 분포에 따라 선폭 측정 위치의 분포를 변화 (이상 발생 지점을 중점적으로 측정) 시켜도 된다. 예를 들어, 선폭 이상이 확인되는 계측 쇼트의 수가 증가된 경우에는, 웨이퍼 내의 계측 쇼트의 수를 늘릴 수 있고, 선폭 이상이 확인되는 계측 쇼트의 수가 감소된 경우에는, 계측 쇼트수를 줄여 가는 것도 가능하다. 또, 선폭 이상의 측정은, 모든 웨이퍼에서 실시하지 않아도 되고, 수 장 간격이어도 된다. 예를 들어, 선폭의 이상이, 소정 장수 연속해서 발생하지 않으면, 선폭 측정을 웨이퍼 3 장 간격으로 하고, 그 후에도 연속해서 선폭의 이상이 발생하지 않으면, 선폭 측정 횟수를 웨이퍼 10 장 간격으로 하고, 최종적으로는 로트 선두의 웨이퍼만 선폭을 측정하는 것으로 해도 된다. 무엇보다, 선폭의 이상이 새롭게 발생한 경우에는, 선폭의 측정 빈도를 늘리도록 할 필요가 있는 것은 물론이다.

또한, 해석 장치 (600) 는, 선폭의 이상을 확인한 경우에는, 그 취지를, 해석 정보로 하고, 각종 처리 장치에 통지하도록 해도 된다.

또한, 본 실시 형태에서는, 패턴의 이상을 검출한 경우에만 제어 파라미터의 최적화를 실시했는데, 이것에는 한정되지 않고, 웨이퍼 수 장 간격으로, 반드시, 제어 파라미터의 최적화를 실시하도록 해도 된다. 이 경우, 단계 303 (도 5) 에서는, 최적화의 대상이 된 웨이퍼인지의 여부를 판단하게 된다. 또, 이 경우에도, 상기 서술한 바와 같이, 선폭이 이상하다고 판단된 패턴의 검출 빈도에 따라, 최적화의 대상이 되는 웨이퍼의 수를 증감시킬 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서는, 노광 장치 (100) 의 처리 내용과 웨이퍼 상의 패턴 선폭의 인과 관계를 주로 해석하였다. 그러나, 패턴 선폭에 영향을 주는 처리 장치는 노광 장치만이 아니다. 예를 들어, C/D (310) 에 있어서 웨이퍼 상에 도포되는 레지스트의 도포 불균일 등은, 형성되는 패턴의 선폭에 많은 영향을 준다. 따라서, 노광 장치뿐만이 아니라, 다른 처리 장치와 패턴 선폭의 인과 관계를 해석 가능하게 하고, 선폭의 변동 요인이 노광 장치에 있는지, 다른 처리 장치에 있는지 특정할 수 있도록 하는 것이 보다 바람직하다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 노광 장치의 처리 상태로부터 추정되는 회로 패턴의 선폭의 추정값과 그 선폭의 실측값의 일치도에 기초하여, 웨이퍼 상의 회로 패턴 사이즈의 변동 요인이 노광 장치에 있는지 여부를 판정하여, 노광 장치가 아니라고 판정되면, 다른 처리 장치의 체크를 실시하도록 하고 있다. 이 추정값은, 과거에 얻어진 노광 장치 (100) 의 처리 내용과, 회로 패턴의 선폭의 관계가 나타내어진 테이블군 (도 2 참조) 에 기초하여 추정된다. 이로써, 선폭의 추정값의 신뢰성이 증가한다.

본 실시 형태에서는, 노광 장치의 처리 내용에는, 노광 조건이나 패턴의 설계 정보 등의 처리 조건에 부가하여, 그 처리 상태 (주사 노광 중인 포커스, 노광량, 동기 정밀도의 각 제어 오차) 가 포함되어 있다. 노광 장치의 처리 상태와 회로 패턴의 선폭의 관계를 나타내는 테이블은, 처리의 복수의 상이한 설정값마다 구비되어 있다. 이 테이블에 있어서는, 노광 장치의 처리 내용과 회로 패턴의 선폭의 관계의 샘플값밖에 등록되어 있지 않지만, 노광 장치의 처리 내용이 어떠한 값을 취한다고 해도, 보간 연산에 의해, 그 처리 내용에 대응하는 선폭의 추정값을 산출할 수 있다. 이와 같이 하면, 테이블을 저장하는 메모리의 용량을 줄일 수 있는 데다가, 셀수가 방대한 테이블을 탐색하는 것보다 패턴 선폭의 추정값을 구하는 데 필요로 하는 시간이 단축되게 된다. 즉, 테이블 관리가 용이해진다.

또한, 이 테이블군은, 노광 장치에 있어서의 노광 조건마다뿐만 아니라, 그 노광 조건에 부가하여 다른 처리 장치의 처리 결과마다 형성하도록 해도 된다. 예를 들어, C/D (310) 에 의해 도포된 레지스트의 막 두께를, 노광 조건 등과 동일한 처리 조건으로서 부가할 수 있다. 이와 같은 처리 조건에 대응하는 처리 장치는, 주로, 노광 전의 처리를 실시하는 전처리 장치이다. 전처리 장치로는, 예를 들어, 웨이퍼 상에 레지스트를 도포하는 C/D (310) 과 쇼트 플래트니스를 측정하는 측정기 (800) 가 있다. 측정 장치 (800) 의 처리 내용으로는, 그 처리 결과에 포함되는 오차값 등이 있다. 또, 노광 후의 처리를 실시하는 후처리 장치의 처리 조건이어도, 테이블에 있어서의 처리 조건으로서 부가할 수 있다. 예를 들어, 측정기 (800) 에 있어서의 측정 오차도, C/D (310) 에 있어서의 PEB 처리 조건 (온도 균일성 등) 이나 현상 처리 조건도, 처리 조건으로서 부가할 수 있고, 측정기 (800) 에 있어서의 측정 대상이, 레지스트 이미지가 아니고 에칭 이미지인 경우에는, 에칭 장치의 처리 결과도 처리 조건으로서 부가할 수 있다. 이와 같이 하면, 노광 장치뿐만 아니라, 각종 처리 장치의 처리 내용을 고려한 선폭 이상 검출, 선폭 변동 요인의 장치 특정, 선폭 변동 요인 특정이 가능해진다.

또, 본 실시 형태에 의하면, 노광 장치의 포커스, 노광량, 동기 정밀도의 각 트레이스 데이터에 기초하여, 그들 중에서, 회로 패턴의 선폭의 변동 요인을 특정한다. 그 특정 방법으로는, 각종 트레이스 데이터로부터 산출되는 그 패턴이 전사되는 동안의 변동 요인의 후보가 되는 제어 오차의 통계값과, 그 제어 오차의 규정값을 비교하고, 규격 외의 것을 선폭의 변동 요인으로서 특정하고 있다. 이와 같은 통계값으로는, 제어 오차의 이동 평균값, 이동 표준 편차 등을 채용할 수 있지만, 동기 정밀도에 대해서는, 이동 평균값보다, 그 편차를 나타내는 이동 표준 편차가 선폭에 대한 영향을 직접 나타내도록 되기 때문에, 본 실시 형태에서는, 이동 표준 편차를 채용하였다. 그러나, 동기 정밀도에 대해 이동 평균을 채용해도 된다는 것은 물론이고, 동기 정밀도, 노광량에 대해서도, 포커스와 동일하게, 이동 평균, 이동 표준 편차의 양방을 채용해도 된다. 또, 포커스의 제어 오차의 통계값을, Z 평균 오프셋 (이동 평균) 과, Z 이동 표준 편차로 했지만, 이 외, SFQR, SFQD 를 채용할 수도 있다.

또, 본 실시 형태에서는, 측정기 (800) 에 있어서, 노광 전의 웨이퍼의 쇼트 플래트니스를 측정했는데, 본 발명은 이것에는 한정되지 않는다. 예를 들어, 노광 장치에 웨이퍼를 로드한 후에, 웨이퍼를 유지하는 스테이지를 수평으로 유지한 채로 (즉, 포커스 제어를 실시하지 않고) 주사 노광와 동일하게 동기 주사하고, 그 때에 포커스 제어계에 의해 관측되는 웨이퍼면의 변동에 기초하여 쇼트 플래트니스를 측정하도록 해도 되고, 전회의 주사 노광 중에 있어서의 포커스 트레이스로 부터, 웨이퍼 스테이지의 Z 위치나 경사량을 공제한 구배를, 쇼트 플래트니스 데이터로서 측정하도록 해도 된다. 또한, 이와 같은 쇼트 플래트니스 데이터의 측정 방법에 대해서는, 예를 들어 전술한 일본 공개특허공보 2001-338870호 등에 상세하게 개시되어 있다.

또한, 본 실시 형태에서는, 포커스의 제어 오차의 통계값인 Z 평균 오프셋, Z 이동 표준 편차는, 쇼트 플래트니스 (디바이스 토포그래피) 기준이었지만, 이것에는 한정되지 않고, 포커스의 제어 오차의 산출시에는, 쇼트 플래트니스를 고려 하지 않아도 된다.

또, 본 실시 형태에 의하면, 패턴 사이즈의 변동 요인으로서 특정된 처리 내용을 조정하는 조정 정보로서, 제어 파라미터의 최적값을 산출한다. 이 경우에는, 원칙적으로 노광 장치에 있어서의 처리 내용의 통계값과, 패턴의 선폭의 관계를 나타내는 테이블을 참조하여, 포커스, 노광량, 동기 정밀도의 통계값이 0 에 근접하도록, 각종 제어 파라미터를 조정하게 되지만, 그러한 조정이 곤란한 경우에는, 변동 요인으로서 특정된 처리 내용에 대한 패턴의 선폭에 대한 영향이 상쇄되도록, 제어 파라미터를 조정하도록 해도 된다. 이 경우에도, 제어 파라미터의 조정에 상기 테이블군을 이용할 수 있다. 즉, 각종 통계값이 0 은 아니지만, 선폭이 설계값대로 되어 있는 셀을 탐색하여, 통계값이 그 값이 되도록 제어 파라미터를 조정할 수 있다. 또, 이 테이블을 참조하면, 선폭에 특히 영향을 주고 있는 처리 내용을 특정할 수 있기 때문에, 조정하는 제어 파라미터를 특정된 처리 내용에 관련되는 것으로 좁힐 수 있다. 이로써, 조정하는 제어 파라미터의 수 를 줄일 수 있게 되어, 그 조정 효율을 향상시키는 것도 가능하다. 또, 포커스, 동기 정밀도, 노광량의 조정만으로 제어 파라미터의 조정이 곤란한 경우 등에는, 노광 조건, 패턴의 설계 조건을 변경하는 것도 가능하다. 이 경우, C/D (310) 에 의해 도포되는 레지스트의 막 두께나 PEB 온도 제어 등, 다른 처리 장치의 처리 조건을 변경하도록 해도 된다.

또, 본 실시 형태에서는 노광량/동기 정밀도/포커스가 규격 외가 아니어도 제어 파라미터의 최적화를 실시하려고 하는 경우에는, 조정계의 파라미터가 아닌, 비조정계의 파라미터만을 조정 대상으로 하고 있다. 이와 같이 하면, 장치의 가동을 정지시킬 필요가 없어지기 때문에, 스루풋이 향상된다.

본 실시 형태에 관련된 기판 처리 시스템 (101) 은, 지금까지 서술해 온 바와 같이, 해석 장치 (600) 를 구비하고, 해석 장치 (600) 를 사용하여, 웨이퍼에 대한 일련의 프로세스 중 적어도 일부를 실행하는 각종 처리 장치의 처리 내용을 해석, 구체적으로는, 웨이퍼 상에 형성된 패턴 선폭의 이상 검출, 선폭 이상의 요인이 되는 장치의 특정, 선폭 이상의 요인이 된 처리 내용의 특정을 실시하고 있다. 이 때문에, 복수의 상이한 처리 조건 각각을 노광 장치에 순차적으로 설정하여 그때마다 테스트 노광을 실시하는 등의 번잡한 공정을 생략하여 스루풋의 향상이 가능해지는 데다, 조정 가능한 선폭의 변동 요인의 수에 제한이 없어지기 때문에, 보다 많은 파라미터를 조정할 수 있도록 되어 섬세한 장치 조정이 가능해져, 패턴 선폭 정밀도가 향상된다. 이 결과, 선폭의 이상 등에 대한 신속한 대응이나, 파라미터의 조속한 최적화가 가능해져, 디바이스 제조의 수율이 향상된다.

본 실시 형태에 관련된 기판 처리 시스템 (101) 에 있어서는, 해석 장치 (600) 에 있어서의 해석 처리에 있어서, 노광 장치 (100), 및 측정기 (800) 등의 각 처리 장치가, 각각의 처리 내용을 해석 장치 (600) 에 보낼 수 있다. 예를 들어 노광 장치 (100) 에서는, 그들의 처리 결과에 관한 정보뿐만 아니라, 그 처리 조건이나, 처리 도중 상태 등에 관한 정보를 장치 외부로 출력할 수 있다. 또한, 측정기 (800), C/D (310), 및 디바이스 형성 장치군 (900) 의 각 장치 등도, 동일하게, 그들의 처리 결과뿐만 아니라, 처리 조건, 처리 상태에 관한 정보를 해석 장치 (600) 에 출력할 수 있도록 되어 있어도 된다. 예를 들어, 측정기 (800) 에 대해서는, 패턴의 선폭의 측정 조건에 관한 데이터 (조명 조건, 조명 파장 등) 나, 측정 상태에 관한 데이터 (예를 들어, 측정 오차의 편향이나 편차에 관한 데이터) 등을 출력 가능하게 하도록 해도 된다. 이 경우, 본 실시 형태에 관련되는 노광 장치 (100) 나 측정기 (800) 와 동일하게, 이들의 처리 조건, 처리 상태는, 일련의 프로세스가 실행되고 있는 기간 도중에도 출력 가능하게 하면, 그 데이터를 사용한 해석을 신속하게 실시하여, 선폭 이상 등에 대한 신속한 대응이 가능해진다.

또, 본 실시 형태에서는, 해석 장치 (600) 의 해석 결과는, 해석 정보로서, 일련의 프로세스 실행 중에도, 노광 장치 (100) 를 비롯하여, C/D (310), 측정기 (800), 디바이스 형성 장치군 (900) 에 보내진다. 각 장치는, 이 해석 정보를 수신하는 수신부를 구비하고 있다. 이들의 해석 정보에는, 각 장치의 제어 파라미터의 조정 정보를 포함하고 있고, 각 장치는, 이 조정 정보에 기초하여, 자체 적인 제어 파라미터의 설정값을 변경한다. 이와 같이 하면, 일련의 프로세스 실행 중에도, 장치 조정을 실시할 수 있게 되어, 선폭 악화에 대한 신속한 대응이 가능해진다.

예를 들어, 측정기 (800) 에 있어서의 제어 파라미터에 대해서는, 예를 들어, 계측 대상이 되는 웨이퍼의 선정이나, 계측 쇼트의 선택 등이 있다. 예를 들어, 도 4 에 있어서는, 웨이퍼 외부 가장자리의 8 개의 쇼트 영역이 계측 쇼트로서 선택되어 있지만, 이들의 쇼트 영역이, 레지스트의 도포 불균일 등에 의해, 계측 쇼트로서 적절하지 않다고 판단된 경우에는, 계측 쇼트를 변경할 수 있다. 어떤 의미에서는, 상기 서술한 선폭 측정의 빈도 조정도, 측정기 (800) 의 파라미터 조정이라고 할 수 있다. 또, C/D (310) 에 있어서의 제어 파라미터에 대해서는, 예를 들어, 웨이퍼 상의 레지스트의 도포 불균일에 관련하는 파라미터가 있다. 예를 들어, 웨이퍼의 회전 속도, 레지스트의 적하량이나 적하 간격 등이 있다.

또한, 해석 장치 (600) 는, 측정기 (800), 노광 장치 (100) 또는 다른 처리 장치 내에 장착되어 있어도 된다. 이 경우에는, 해석 장치가 장착된 측정기 (800), 노광 장치 (100) 또는 다른 처리 장치에서 선폭에 관한 해석을 실시할 필요가 있기 때문에, 해석 장치 (600) 와 동일하게, 일련의 프로세스 실행 중에, 다른 장치와의 데이터의 송수신을 실시하는 송수신 인터페이스가 필요하다.

또, 본 실시 형태에 관련된 기판 처리 시스템 (101) 은, 해석 장치 (600) 를 개재한 노광 장치 (100) 와 측정기 (800) 의 연휴 (連携) 에 의해, 노광 장치 (100) 에 있어서의 선폭 관리를 적절히 실시하는 시스템이었다. 그것들은 인 라인에 접속되어 있기 때문에, 레지스트 도포, 사전 측정, 노광, 사후 측정, 현상 등의 공정을 단기간 내에 실시하여, 그들의 측정 결과를 해석하고, 그 해석 결과를 각 공정에 신속히 반영할 수 있기 때문에, 효율적인 선폭 관리가 가능해진다.

또, 노광 장치 (100) 로부터 해석 장치 (600) 에, 각종 트레이스 데이터와 함께 제어 파라미터의 설정값 데이터를 보냈는데, 이들의 데이터를 보내지 않아도 된다. 해석 장치 (600) 에서는, 제어 파라미터의 설정값의 변화분을 산출하여, 그것을 노광 장치 (100) 에 보내도록 하고, 노광 장치 (100) 측에서, 그 변화분만큼 제어 파라미터의 설정값을 변경하면 된다. 또, 노광 장치 (100) 로부터 해석 장치 (600) 에 보내지는 트레이스 데이터는, 포커스, 동기 정밀도, 노광량 중 적어도 1 종류이면 된다. 트레이스 데이터로는, 포커스, 노광량, 동기 정밀도에는 한정되지 않고, 패턴 선폭에 관련되는 처리 상태이면, 임의의 것을 채용할 수 있다. 또, 노광 조건도 상기의 것에는 한정되지 않고, 선폭에 영향을 주는 노광 조건, 패턴의 설계 조건, 동기 제어의 제어 조건, 다른 처리 장치의 처리 결과이면, 임의의 것을 지정할 수 있다.

또, 본 실시 형태에서는, 노광 장치 (100) 로부터 취득하는 데이터를, 노광량/동기 정밀도/포커스의 각 제어 트레이스 데이터로 했는데, 노광 장치 (100) 에서, 각 제어 오차의 통계값을 산출해 두고, 그 통계값을 해석 장치 (600) 에 보내도록 해도 된다. 이 경우, 트레이스 데이터를 해석 장치 (600) 에 보낼 필요는 없다.

또한, 레지스트 처리, 현상 처리, 에칭 처리 등의 프로세스마다 테이블을 작성하여, 각 처리 조건을 해석 장치에 통지하도록 하면, 보다 최적의 선폭 관리가 실현된다. 즉, 노광 장치 이외의 각종 장치의 처리 상태와 선폭의 관계를 나타내는 테이블을 관리하고, 그 테이블을 사용하여 선폭의 해석을 실시하도록 해도 된다.

관점을 바꾸면, 해석 장치 (600) 는, 선폭에 영향을 주는 처리 내용에 관한 얻어지는 정보를 각종 처리 장치로부터 얻어, 패턴의 선폭이 설계값대로 되도록 그들의 정보를 통괄 관리하는 데이터 관리부라고 간주할 수 있다. 즉, 기판 처리 시스템 (101) 은, 선폭에 관련되는 각 장치의 데이터를 공유 관리하는 데이터 관리부를 갖는 시스템이라고 간주할 수 있다. 이와 같은 통괄적인 선폭에 관련되는 데이터의 관리를 실시하면, 디바이스를 제조함에 있어서, 각종 장치에 걸친 밸런스가 우수한 시스템 조정이 가능해진다.

본 실시 형태에서는, 측정기 (800) 를 노광 장치 (100) 등과 인 라인으로 접속하는 것으로 했는데, 측정기는, 노광 장치 (100) 나 트랙 (300) 과는 인 라인으로 접속되어 있지 않은 오프 라인의 측정기이어도 된다. 또, 사전 측정기와 사후 측정기는, 따로 따로 형성되어 있어도 되고, 어느 일방이 인 라인이 아니고 오프 라인이어도 된다.

본 실시 형태에서는, 노광 장치 (100) 를, 스텝·앤드·스캔 방식의 노광 장치로 했는데, 이것에 한정되지 않고, 스텝·앤드·리피트 방식이나 다른 방식의 노광 장치이어도 된다. 이것으로 대표되는 바와 같이, 각종 장치에 대해서도, 그 종류에는 한정되지 않는다. 또, 본 발명은, 반도체 제조 공정에 한정되지 않고, 액정 표시 소자 등을 포함하는 디스플레이의 제조 공정에도 적용 가능하다. 또, 디바이스 패턴을 유리 플레이트 상에 전사하는 공정, 박막 자기 헤드의 제조 공정, 및 촬상 소자 (CCD 등), 마이크로 머신, 유기 EL, DNA 칩 등의 제조 공정 외, 모든 디바이스 제조 공정에 있어서의 선폭 관리에 본 발명을 적용할 수 있는 것은 물론이다.

또, 상기 실시형태에서는, 관리 대상을 라인 패턴의 선폭으로 했는데, 박스 마크 등의 라인 패턴이 아닌 패턴의 폭 등이어도 되는 것은 물론이다. 즉, 관리 대상은 패턴 사이즈이면 된다.

또, 상기 실시형태에서는, 해석 장치 (600) 를, 예를 들어 PC 로 하였다. 즉 해석 장치 (600) 에 있어서의 해석 처리는, 해석 프로그램이 PC 에서 실행됨으로써 실현되고 있다. 이 해석 프로그램은, 상기 서술한 바와 같이 미디어를 통하여 PC 에 인스톨 가능하게 되어 있어도 되고, 인터넷 등을 통해서 PC 에 다운로드 가능하게 되어 있어도 된다. 또, 해석 장치 (600) 가 하드웨어로 구성되어 있어도 상관없는 것은 물론이다.

산업상이용가능성

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 해석 장치, 처리 장치, 측정 장치, 노광 장치, 기판 처리 시스템, 해석 방법 및 프로그램은, 디바이스 제조 공정에 사용되는 데에 적합하다.

Claims

디바이스 제조를 위해서 제공되는 물체 상에 디바이스 패턴을 형성하기 위한, 일련의 프로세스에 관한 정보를 해석하는 해석 장치로서,

상기 일련의 프로세스 중 적어도 일부를 실행하는 처리 장치에 의해, 상기 일련의 프로세스 실행 중에 실시되는 처리 내용에 관한 정보를 취득하는 취득 장치를 구비하고,

상기 취득 장치에 의해 취득되는 정보와, 실측된 상기 물체 상에 형성된 패턴 사이즈에 관한 정보에 기초하여, 양자의 인과 관계를 해석하는, 해석 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 패턴 사이즈의 실측값에 기초하여, 상기 패턴 사이즈의 이상을 검출하고,

이상이 검출되었을 경우에, 상기 인과 관계를 해석하는, 해석 장치.
제 2 항에 있어서,

상기 패턴 사이즈의 실측값에 관한 통계값에 기초하여, 상기 패턴 사이즈의 이상을 검출하는, 해석 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 통계값은, 상기 패턴 사이즈의 평균값, 편차, 평균값과 편차의 합 중 적어도 1 개인, 해석 장치.
제 2 항에 있어서,

사이즈가 이상하다고 판단된 패턴을, 그 후의 처리 대상으로부터 제외하는 패턴으로서 지정하는, 해석 장치.
제 5 항에 있어서,

상기 물체는, 반도체 기판이고,

사이즈가 이상하다고 판단된 패턴을 포함하는 칩을, 칩 단위로, 처리 대상으로부터 제외하는, 해석 장치.
제 2 항에 있어서,

상기 패턴 사이즈의 이상의 판정 레벨을 복수 단계 형성하고,

판정 레벨마다, 그 판정 레벨에 따라, 그 후에 실행되는 처리 장치의 처리 내용을 지정하는, 해석 장치.
제 2 항에 있어서,

복수의 물체 각각에 대하여 상기 일련의 프로세스를 차례로 실행하는 경우에,

사이즈가 이상하다고 판단된 패턴의 검출 빈도, 또는 검출 분포에 따라, 상기 패턴 사이즈를 측정하는 물체의 선택수를 증감, 또는 측정하는 물체의 위치를 변화시키는, 해석 장치.
제 2 항에 있어서,

상기 패턴 사이즈의 이상이 검출된 것을, 상기 처리 장치에 통지하는, 해석 장치.
제 1 항에 있어서,

복수의 물체 각각에 대하여 상기 일련의 프로세스를 차례로 실행하는 경우에,

상기 복수의 물체 중에서, 선택된 물체만에 대해, 상기 인과 관계를 해석하는, 해석 장치.
제 10 항에 있어서,

사이즈가 이상하다고 판단된 패턴의 검출 빈도, 또는 검출 분포에 따라, 상기 패턴 사이즈를 측정하는 물체의 선택수를 증감 또는, 측정하는 물체의 위치를 변화시키는, 해석 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 일련의 프로세스 중 적어도 일부는, 그 프로세스의 일부를 각각 실행하는 복수의 처리 장치에 의해 실행되고, 그 복수의 처리 장치 사이에 있어서의, 상기 패턴 사이즈에 관련되는 처리 내용의 인과 관계를 해석하는, 해석 장치.
제 12 항에 있어서,

상기 인과 관계의 해석 결과에 기초하여, 상기 패턴 사이즈의 변동 요인이 된 적어도 1 개의 처리 장치를 특정하는, 해석 장치.
제 13 항에 있어서,

상기 패턴 사이즈에 관한 정보는, 상기 패턴 사이즈의 실측값이고,

상기 각 처리 장치의 처리 내용에 관한 정보로부터 추정되는 상기 패턴 사이즈의 추정값과 상기 실측값의 일치도에 기초하여, 상기 패턴 사이즈의 변동 요인이 되는 적어도 1 개의 처리 장치를 특정하는, 해석 장치.
제 14 항에 있어서,

과거에 얻어진, 상기 각 처리 장치의 처리 내용과 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보에 기초하여, 상기 패턴 사이즈를 추정하는, 해석 장치.
제 15 항에 있어서,

상기 각 처리 장치의 처리 내용에 관한 정보는, 상기 물체에 대한 처리 조건 과 처리 상태에 관한 정보를 포함하고,

상기 각 처리 장치의 처리 내용과 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보로서, 상기 각 처리 장치의 처리 상태와 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보를, 상기 처리 조건의 복수의 상이한 설정값마다 갖는, 해석 장치.
제 16 항에 있어서,

상기 각 처리 장치의 처리 내용에 관한 정보는, 상기 물체에 대한 처리 결과를 추가로 포함하고,

상기 각 처리 장치의 처리 내용과 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보로서, 상기 각 처리 장치의 처리 상태와 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보를, 상기 처리 조건의 복수의 상이한 설정값마다, 다른 처리 장치의 처리 결과마다 갖는, 해석 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 일련의 프로세스 중 적어도 일부는, 상기 물체 상에 패턴을 전사하는 적어도 1 개의 노광 장치와, 상기 패턴의 전사 전의 프로세스를 실행하는 적어도 1 개의 전처리 장치와, 상기 패턴의 전사 후의 프로세스를 실행하는 적어도 1 개의 후처리 장치 중 적어도 1 개를 포함하는 적어도 1 개의 처리 장치에 의해 실행되는, 해석 장치.
제 18 항에 있어서,

상기 전처리 장치에는, 상기 물체 상에 감광제를 도포하는 도포 장치와, 상기 물체 상태를 측정하는 사전 측정 장치 중 적어도 1 개가 포함되고,

상기 후처리 장치에는, 상기 물체 상에 전사 형성된 패턴을 현상하는 현상 장치와, 상기 패턴에 따른 상기 물체의 에칭을 실시하는 에칭 장치와, 상기 패턴 사이즈를 측정하는 사후 측정 장치와, 상기 패턴의 검사 장치 중 적어도 1 개가 포함되는, 해석 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 일련의 프로세스 중 적어도 일부는, 그 프로세스의 일부를 각각 실행하는 복수의 처리 장치에 의해 실행되고,

상기 각 처리 장치의 처리 내용에 관한 정보에 기초하여, 그 각 처리 장치에 있어서의 상기 패턴 사이즈의 변동 요인이 된 적어도 1 개의 처리 내용을 특정하는, 해석 장치.
제 20 항에 있어서,

상기 각 처리 장치의 처리 내용의 통계값과, 그 처리 내용의 규정값의 비교 결과에 기초하여, 그 각 처리 장치에 있어서의 상기 패턴 사이즈의 변동 요인이 된 적어도 1 개의 처리 내용을 특정하는, 해석 장치.
제 21 항에 있어서,

상기 각 처리 장치의 처리 내용의 통계값은, 상기 물체 상에 상기 패턴이 형성되는 동안의 처리 상태에 관한 정보의 이동 평균값, 이동 표준 편차 중 적어도 1 개인, 해석 장치.
제 20 항에 있어서,

상기 패턴 사이즈의 변동 요인으로서 특정된 처리 내용을 조정하는 조정 정보를 산출하는, 해석 장치.
제 23 항에 있어서,

과거에 얻어진, 상기 각 처리 장치의 처리 내용과 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보에 기초하여, 상기 조정 정보를 산출하는, 해석 장치.
제 24 항에 있어서,

과거에 얻어진, 상기 각 처리 장치의 처리 내용과 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보를 참조하여, 상기 변동 요인으로서 특정된 처리 내용의 상기 패턴 사이즈에 대한 영향이 상쇄되도록, 상기 조정 정보를 산출하는, 해석 장치.
제 24 항에 있어서,

과거에 얻어진, 상기 각 처리 장치의 처리 내용과 상기 패턴 사이즈의 관계 에 관한 정보를 참조하여, 상기 패턴 사이즈를 변경하는 데에 유효한 처리 내용으로 좁혀, 그들의 조정 정보를 산출하는, 해석 장치.
제 24 항에 있어서,

상기 각 처리 장치의 처리 내용과 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보로서, 상기 처리 장치의 처리 상태와 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보를, 상기 각 처리 장치의 처리 조건의 복수의 상이한 설정값마다 갖고 있는 경우에,

상기 처리 조건을 변경한 것이 상기 패턴 사이즈의 수정에 대해 유효한 경우에는, 상기 처리 조건의 설정값을 조정하는 조정 정보를 산출하는, 해석 장치.
제 23 항에 있어서,

상기 패턴 사이즈의 이상이 검출되어 있지 않은 경우에는, 조정하는 처리 내용을, 변경해도 상기 물체에 대한 처리를 속행할 수 있는 처리 내용으로 한정하는, 해석 장치.
제 23 항에 있어서,

상기 복수의 처리 장치에는, 상기 노광 장치가 포함되고,

상기 노광 장치의 처리 내용에 관한 정보에는, 상기 물체 상에 있어서의 패턴 이미지의 결상 상태에 관한 정보와, 상기 패턴 이미지에 대한 상기 물체의 상대 위치 어긋남에 관한 정보와, 상기 물체 상에 패턴 이미지를 전사하기 위한 에너지 빔의 에너지에 관한 정보 중 적어도 1 개가 포함되고,

상기 처리 조건에는,

상기 패턴을 전사하기 위한 노광 조건, 상기 패턴의 설계 조건, 상기 패턴과 상기 물체의 상대 위치의 제어 조건, 및 상기 패턴의 전사 전의 처리를 실시하는 다른 처리 장치의 처리 결과에 관한 조건 중 적어도 1 개가 포함되는, 해석 장치.
제 29 항에 있어서,

상기 물체 상에 있어서의 상기 패턴 이미지의 결상 상태에 관한 정보는, 상기 물체의 면 형상 기준의 정보인, 해석 장치.
제 23 항에 있어서,

산출한 조정 정보를, 그 조정 정보에 대응하는 상기 처리 장치에 통지하는, 해석 장치.
물체 상에 패턴을 형성하는 일련의 프로세스 중 적어도 일부를 실행하는 처리 장치로서,

제 1 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 기재된 해석 장치를 구비하는, 처리 장치.
물체 상에 형성된 패턴 사이즈를 측정하는 측정 장치로서,

제 1 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 기재된 해석 장치를 구비하는, 측정 장치.
물체 상에 패턴을 전사하는 노광 장치로서,

제 1 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 기재된 해석 장치를 구비하는, 노광 장치.
물체 상에 패턴을 형성하는 일련의 프로세스에 관한 정보를 해석하는 해석 방법으로서,

제 1 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 기재된 해석 장치를 사용하여, 상기 일련의 프로세스 중 적어도 일부를 실행하는 처리 장치의 처리 내용을 해석하는 공정을 포함하는 해석 방법.
디바이스 제조를 위해서 제공되는 복수의 물체 상에 디바이스 패턴을 형성하기 위해, 일련의 프로세스 중 적어도 일부를 실행하는 처리 장치로서,

상기 일련의 프로세스 중 적어도 일부를, 상기 복수의 물체 상에 순차적으로 실행하고 있는 도중에, 상기 패턴 사이즈에 관련되는 처리 내용에 관한 정보를 출력하는, 처리 장치.
제 36 항에 있어서,

상기 처리 내용은,

상기 처리 장치에 있어서의 상기 물체에 대한 처리 조건과 처리 상태와 처리 결과 중 적어도 1 개를 포함하는, 처리 장치.
제 36 항에 있어서,

상기 일련의 프로세스 중 적어도 일부는,

상기 물체 상에 감광제를 도포하는 도포 처리와, 상기 물체 상태를 측정하는 사전 측정 처리와, 상기 물체 상에 전사 형성된 패턴을 현상하는 현상 처리와, 상기 패턴에 따른 상기 물체의 에칭을 실시하는 에칭 처리와, 상기 패턴 사이즈를 측정하는 사후 측정 처리와, 상기 패턴의 검사 처리 중 어느 하나를 포함하는, 처리 장치.
물체 상에 형성된 패턴 사이즈를 측정하는 측정 장치로서,

상기 패턴 사이즈의 측정 조건에 관한 정보와, 그 측정 상태에 관한 정보를 출력 가능한, 측정 장치.
제 39 항에 있어서,

상기 측정 상태에 관한 정보는,

상기 패턴 사이즈의 측정 오차에 관한 정보를 포함하는, 측정 장치.
디바이스 제조를 위해서 제공되는 물체 상에 디바이스 패턴을 형성하기 위한, 일련의 프로세스가 실행되고 있는 기간의 도중에, 상기 물체 상에 형성된 패턴 사이즈를 측정하는 측정 장치로서,

상기 패턴 사이즈의 측정 조건에 관한 정보와, 그 측정 상태에 관한 정보를, 상기 일련의 프로세스 실행 중에 출력 가능한, 측정 장치.
물체 상에 형성된 패턴 사이즈를 측정하는 측정 장치로서,

상기 물체 상에 상기 패턴이 형성되었을 때의 처리 내용에 관한 정보를, 장치 외부에 요구하는, 측정 장치.
디바이스 제조를 위해서 제공되는 복수의 물체 상에 디바이스 패턴을 형성하기 위한, 일련의 프로세스가 실행되고 있는 기간의 도중에, 상기 물체 상에 형성된 패턴 사이즈를 측정하는 측정 장치로서,

상기 물체 상에 상기 패턴이 형성되었을 때의 처리 내용에 관한 정보를, 상기 일련의 프로세스 실행 중에, 장치 외부에 요구하는, 측정 장치.
물체 상에 형성된 패턴 사이즈를 측정하는 측정 장치로서,

상기 물체 상에 상기 패턴이 형성되었을 때의 처리 내용에 관한 정보를, 장치 외부로부터 수신하는 수신부를 갖는, 측정 장치.
디바이스 제조를 위해서 제공되는 복수의 물체 상에 디바이스 패턴을 형성하기 위한, 일련의 프로세스가 실행되고 있는 기간의 도중에, 상기 물체 상에 형성된 패턴 사이즈를 측정하는 측정 장치로서,

상기 물체 상에 상기 패턴이 형성되었을 때의 처리 내용에 관한 정보를, 상기 일련의 프로세스 실행 중에, 장치 외부로부터 수신하는 수신부를 갖는, 측정 장치.
물체 상에 패턴을 전사하는 노광 장치로서,

상기 물체 상에 대한 상기 패턴의 전사 조건에 관한 정보와, 상기 물체 상 에 대한 상기 패턴의 전사 상태에 관한 정보를 출력 가능한, 노광 장치.
디바이스 제조를 위해서 제공되는 복수의 물체 상에 디바이스 패턴을 전사하는 노광 장치로서,

상기 물체 상에 대한 상기 패턴의 전사 조건에 관한 정보와, 상기 물체 상 에 대한 상기 패턴의 전사 상태에 관한 정보를, 상기 복수의 물체 상에 상기 전사를 순차적으로 실행하고 있는 도중에 출력 가능한, 노광 장치.
물체 상에 패턴을 형성하는 일련의 프로세스를 실행하는 기판 처리 시스템으로서,

제 1 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 기재된 해석 장치를 구비하는, 기판 처리 시스템.
물체 상에 패턴을 형성하는 일련의 프로세스를 실행하는 기판 처리 시스템으로서,

제 36 항에 기재된 처리 장치를 구비하는, 기판 처리 시스템.
물체 상에 패턴을 형성하는 일련의 프로세스를 실행하는 기판 처리 시스템으로서,

제 39 항에 기재된 측정 장치를 구비하는, 기판 처리 시스템.
물체 상에 패턴을 형성하는 일련의 프로세스를 실행하는 기판 처리 시스템으로서,

제 41 항에 기재된 측정 장치를 구비하는, 기판 처리 시스템.
물체 상에 패턴을 형성하는 일련의 프로세스를 실행하는 기판 처리 시스템으로서,

제 42 항에 기재된 측정 장치를 구비하는, 기판 처리 시스템.
물체 상에 패턴을 형성하는 일련의 프로세스를 실행하는 기판 처리 시스템으로서,

제 43 항에 기재된 측정 장치를 구비하는, 기판 처리 시스템.
물체 상에 패턴을 형성하는 일련의 프로세스를 실행하는 기판 처리 시스템으로서,

제 44 항에 기재된 측정 장치를 구비하는, 기판 처리 시스템.
물체 상에 패턴을 형성하는 일련의 프로세스를 실행하는 기판 처리 시스템으로서,

제 45 항에 기재된 측정 장치를 구비하는, 기판 처리 시스템.
물체 상에 패턴을 형성하는 일련의 프로세스를 실행하는 기판 처리 시스템으로서,

제 46 항에 기재된 노광 장치를 구비하는, 기판 처리 시스템.
물체 상에 패턴을 형성하는 일련의 프로세스를 실행하는 기판 처리 시스템으로서,

제 47 항에 기재된 노광 장치를 구비하는, 기판 처리 시스템.
물체 상에 패턴을 형성하는 일련의 프로세스를 실행하는 기판 처리 시스템으로서,

상기 일련의 프로세스를 실행하는 복수의 처리 장치 각각에 있어서 상기 패턴 사이즈에 영향을 주는 처리 내용에 관한 정보를 통괄 관리하는 데이터 관리부를 구비하는, 기판 처리 시스템.
디바이스 제조를 위해서 제공되는 물체 상에 디바이스 패턴을 형성하기 위한, 일련의 프로세스에 관한 정보를 컴퓨터에 해석시키기 위한 프로그램으로서,

상기 일련의 프로세스 중 적어도 일부를 실행하는 처리 장치에 의해, 상기 일련의 프로세스 실행 중에 실시되는 처리 내용에 관한 정보와, 실측된 상기 물체 상에 형성된 패턴 사이즈에 관한 정보에 기초하여, 양자의 인과 관계를 해석하는 순서를 컴퓨터에 실행시키는, 프로그램.
제 59 항에 있어서,

상기 패턴 사이즈의 실측값에 기초하여, 상기 패턴 사이즈의 이상을 검출하는 순서를 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키고,

이상이 검출된 경우에, 상기 인과 관계를 해석하는 순서를 상기 컴퓨터에 실행시키는, 프로그램.
제 60 항에 있어서,

상기 패턴 사이즈의 이상을 검출하는 순서를, 상기 패턴 사이즈의 실측값에 관한 통계값에 기초하여, 상기 컴퓨터에 실행시키는, 프로그램.
제 60 항에 있어서,

사이즈가 이상하다고 판단된 패턴을, 그 후의 처리 대상으로부터 제외하는 패턴으로서 지정하는 순서를, 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는, 프로그램.
제 62 항에 있어서,

상기 물체는, 반도체 기판이고,

처리 대상으로부터 제외하는 패턴으로서 지정하는 순서로서, 사이즈가 이상하다고 판단된 패턴을 포함하는 칩을, 칩 단위로, 프로세스의 처리 대상으로부터 제외하는 순서를, 상기 컴퓨터에 실행시키는, 프로그램.
제 60 항에 있어서,

상기 패턴 사이즈의 이상의 판정 레벨을 복수 단계에서 형성하고,

상기 복수 단계의 판정 레벨에서 판정되는 상기 패턴 사이즈의 이상도의 레벨에 따라, 그 후에 실행되는 처리 장치의 처리 내용을 지정하는 순서를, 상기 컴퓨터에 실행시키는, 프로그램.
제 60 항에 있어서,

복수의 물체 각각에 대하여 상기 일련의 프로세스를 차례로 실행하는 경우에,

사이즈가 이상하다고 판단된 패턴의 검출 빈도, 또는, 검출 분포에 따라, 상기 패턴 사이즈를 측정하는 물체의 선택수를 증감, 또는, 측정하는 물체의 위치를 변화시키는 순서를, 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는, 프로그램.
제 60 내지 65 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 패턴 사이즈의 이상이 검출된 것을, 상기 처리 장치에 통지하는 순서를, 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는, 프로그램.
제 59 항에 있어서,

복수의 물체에 대하여 상기 일련의 프로세스를 차례로 실행하는 경우에,

상기 복수의 물체 중에서, 선택된 물체에 대해서만, 상기 인과 관계를 해석하는 순서를, 상기 컴퓨터에 실행시키는, 프로그램.
제 67 항에 있어서,

사이즈가 이상하다고 판단된 패턴의 검출 빈도, 또는, 검출 분포에 따라, 상기 패턴 사이즈를 측정하는 물체의 선택수를 증감, 또는, 측정하는 물체의 위치를 변화시키는 순서를, 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는, 프로그램.
제 59 항에 있어서,

상기 일련의 프로세스 중 적어도 일부는, 그 프로세스의 일부를 각각 실행하 는 복수의 처리 장치에 의해 실행되고, 그 복수의 처리 장치 사이에 있어서의, 상기 패턴 사이즈에 관련되는 처리 내용의 인과 관계를 해석하는 순서를, 상기 컴퓨터에 실행시키는, 프로그램.
제 69 항에 있어서,

상기 인과 관계의 해석 결과에 기초하여, 상기 패턴 사이즈의 변동 요인이 된 적어도 1 개의 처리 장치를 특정하는 순서를, 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는, 프로그램.
제 70 항에 있어서,

상기 패턴 사이즈에 관한 정보는, 상기 패턴 사이즈의 실측값이고,

상기 각 처리 장치의 처리 내용에 관한 정보로부터 추정되는 상기 패턴 사이즈의 추정값과 상기 실측값의 일치도에 기초하여, 상기 패턴 사이즈의 변동 요인이 되는 적어도 1 개의 처리 장치를 특정하는 순서를, 상기 컴퓨터에 실행시키는, 프로그램.
제 71 항에 있어서,

과거에 얻어진, 상기 각 처리 장치의 처리 내용과 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보에 기초하여, 상기 패턴 사이즈를 추정하는 순서를, 상기 컴퓨터에 실행시키는, 프로그램.
제 72 항에 있어서,

상기 각 처리 장치의 처리 내용에 관한 정보는, 상기 물체에 대한 처리 조건과 처리 상태에 관한 정보를 포함하고,

상기 각 처리 장치의 처리 내용과 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보로서, 상기 각 처리 장치의 처리 상태와 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보를, 상기 처리 조건의 복수의 상이한 설정값마다 갖는, 프로그램.
제 73 항에 있어서,

상기 각 처리 장치의 처리 내용에 관한 정보는, 상기 물체에 대한 처리 결과를 추가로 포함하고,

상기 각 처리 장치의 처리 내용과 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보로서, 상기 각 처리 장치의 처리 상태와 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보를, 상기 처리 조건의 복수의 상이한 설정값마다, 다른 처리 장치의 처리 결과마다 갖는, 프로그램.
제 74 항에 있어서,

상기 각 처리 장치의 처리 내용에 관한 정보에 기초하여, 그 각 처리 장치에 있어서의 상기 패턴 사이즈의 변동 요인이 된 적어도 1 개의 처리 내용을 특정하는 순서를, 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는, 프로그램.
제 75 항에 있어서,

상기 각 처리 장치의 처리 내용의 통계값과, 그 처리 내용의 규정값의 비교 결과에 기초하여, 그 각 처리 장치에 있어서의 상기 패턴 사이즈의 변동 요인이 된 적어도 1 개의 처리 내용을 특정하는 순서를, 상기 컴퓨터에 실행시키는, 프로그램.
제 76 항에 있어서,

상기 패턴 사이즈의 변동 요인으로서 특정된 처리 내용을 조정하는 조정 정보를 산출하는 순서를, 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는, 프로그램.
제 77 항에 있어서,

과거에 얻어진, 상기 각 처리 장치의 처리 내용과 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보에 기초하여, 상기 조정 정보를 산출하는 순서를, 상기 컴퓨터에 실행시키는, 프로그램.
제 78 항에 있어서,

과거에 얻어진, 상기 각 처리 장치의 처리 내용과 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보를 참조하여, 상기 변동 요인으로서 특정된 처리 내용에 의한 상기 패턴 사이즈에 대한 영향이 상쇄되도록, 상기 조정 정보를 산출하는 순서를, 상기 컴 퓨터에 실행시키는, 프로그램.
제 78 항에 있어서,

과거에 얻어진, 상기 각 처리 장치의 처리 내용과 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보를 참조하여, 상기 패턴 사이즈를 변경하는 데 유효한 처리 내용으로 좁히고, 그들의 조정 정보를 산출하는 순서를, 상기 컴퓨터에 실행시키는, 프로그램.
제 77 항에 있어서,

상기 각 처리 장치의 처리 내용과 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보로서, 상기 각 처리 장치의 처리 상태와 상기 패턴 사이즈의 관계에 관한 정보를, 상기 처리 장치의 처리 조건의 복수의 상이한 설정값마다 갖고 있는 경우에,

상기 처리 조건을 변경하는 것이 상기 패턴 사이즈의 수정에 대해 유효한 경우에는, 상기 처리 조건을 조정하는 조정 정보를 산출하는 순서를, 상기 컴퓨터에 실행시키는, 프로그램.
제 77 항에 있어서,

상기 패턴 사이즈의 이상이 검출되어 있지 않은 경우에는, 조정하는 처리 내용을, 변경해도 상기 물체에 대한 처리를 속행할 수 있는 처리 내용으로 한정하는 순서를, 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는, 프로그램.
제 77 항 내지 제 82 항 중 어느 한 항에 있어서,

산출한 조정 정보를, 상기 처리 장치에 통지하는 순서를, 상기 컴퓨터에 추가로 실행시키는, 프로그램.