JP2002100660A - 欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置 - Google Patents

欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置

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JP2002100660A
JP2002100660A JP2001103290A JP2001103290A JP2002100660A JP 2002100660 A JP2002100660 A JP 2002100660A JP 2001103290 A JP2001103290 A JP 2001103290A JP 2001103290 A JP2001103290 A JP 2001103290A JP 2002100660 A JP2002100660 A JP 2002100660A
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Yukihiro Shibata
行広 芝田
Shunji Maeda
俊二 前田
Yukio Kenbo
行雄 見坊
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Hitachi Ltd
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    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
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    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers

Abstract

(57)【要約】 【課題】虚報の検出を防ぎ、高感度な検査技術を提供す
る。 【解決手段】チップ全域の画像を検出する手段を設け、
この画像を用いて致命性毎に検査領域を区分けし、それ
ぞれの領域で検査感度を設定可能とした。もしくは、検
査結果に欠陥を判定する特徴量、例えば、濃淡差を記録
することにより検査後の後処理で虚報を除去することが
可能とする。 さらに、検査装置群で共通に必要な検査条件などを共有
化するシステムを構築することで、検査条件出しの短縮
や、安定性、信頼性のモニタリングを可能とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程や
フラットパネルデイスプレイの製造工程に代表される微
細パターン欠陥及び異物等の検査や観察に用いる欠陥検
査方法と欠陥観察方法及び欠陥検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の検査技術としては、日本工業出版
（株）出版の「クリーンテクノロジー」１９９８．９月
号１２ページから１５ページに検査装置に関する記載が
ある。内容は、致命性のない色むらによる虚報などを、
セグメンテッド・オートスレッショルドと称する浮動し
きい値アルゴリズムを用いて検出しないようにするもの
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、試料上
に形成されたパターンのコントラストや画像の明るさな
どをセグメント毎に求めてしきい値を決定するアルゴリ
ズムとなっている。このアルゴリズムでは、パターンコ
ントラストや画像の明るさが高い場合は、しきい値を大
きくするため検査感度を低下させる作用が働く。半導体
製造工程において歩留まりを向上させるには致命的な欠
陥を早期に発見することであり、従来技術では検出した
画像によっては致命的な欠陥を見逃すことがある。さら
に、従来技術の浮動しきい値では、色むらの状況に応じ
て虚報を除去しきれないケースがある。
【０００４】また、上記の従来技術には３機種の検査装
置について記述があるが、それぞれの装置で検査条件を
作成する必要がある。このため、それぞれの装置で検査
条件を作成すると、条件出しに多大な時間を要する。
【０００５】さらに、検査装置は常に安定した感度の検
査が求められているが、光学系の光源における発光点の
変動などに応じて検査感度が変動する。このため、時間
の経過と共に検査感度が低下するような現象が生じるこ
とが考えられる。検査感度が低下すると、致命的な欠陥
を見逃す恐れがあるため、装置の検査感度をモニタリン
グして異常を早期発見することが製品の歩留まり向上に
貢献できる。
【０００６】したがって、本発明の目的は、虚報の検出
を抑え、高感度な欠陥検出技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、検査装置群間の条件だし時間の短
縮を図ることができる欠陥検査、検出技術を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】検査装置に、検査対象と
なる試料に形成されたチップ全域の画像を取得する光学
系と、チップ全域の画像をディスプレイして致命性に応
じて複数の領域に区分けする機能とを有し、区分けした
領域毎に欠陥判定するしきい値を変更可能とする。
【０００８】また、検査装置は欠陥候補として検出した
位置の特徴量を出力させる。この検査結果を用いてレビ
ューする前に、区分けした領域毎に致命性に応じて特徴
量のしきい値を再設定し、このしきい値に基づいて再度
欠陥候補を抽出してレビューすることにより、虚報をレ
ビューする確立を低減する。
【０００９】また、複数の検査装置で共通した検査条件
等の情報を複数の検査装置で互いに情報交換できる通信
システムと複数の検査装置の検査条件フォーマットを共
有化するフォーマット共有化ソフトを備えた上位検査情
報管理システムを設けることにより、何れかの装置で作
成した検査条件を他の検査装置で活用することが可能と
なり、検査条件出しの効率化が図れる。
【００１０】また、検査情報管理システムおいて、検査
装置で検出した欠陥候補が欠陥であるか虚報であるかの
判断結果を保存し、虚報が多発している領域を統計処理
することにより、虚報多発部で検出した欠陥候補はレビ
ューする確立を低く設定する。
【００１１】また、検査情報管理システムでは、検査装
置で定期的に特定の試料を検査して結果を保存する機能
を有し、前記検査結果を事前に検査した結果と比較して
検査感度の変動を算出する機能を設けることにより、検
査装置の安定性をモニタリングできる。
【００１２】さらに、検査情報管理システムにおいて、
事前に欠陥カテゴリと欠陥発生装置の統計データを記憶
する機能を有し、検査装置で検出した欠陥の分類結果よ
り欠陥発生装置の候補を抽出する機能を備えることによ
り、欠陥検出から欠陥発生装置の対策までの時間を短縮
することが可能となる。
【００１３】以下、本発明について更に詳細に説明す
る。
【００１４】第１の発明では、欠陥検査方法は、複数の
検査装置を用いて試料の欠陥を検査する場合、各検査装
置で得られた検査条件を記憶し、前記記憶された条件を
各検査装置で利用できるようにすることを特徴とする。
【００１５】第２の発明では、欠陥検査方法は、試料の
欠陥を検査する複数の欠陥検査装置間で共通した検査条
件を他の欠陥検査装置に通信できるように通信システム
を具備したことを特徴とする。
【００１６】第３の発明では、欠陥観察方法は、試料の
欠陥を検査する検査装置の検査条件及び検査結果の少な
くとも１種の検査情報を保存し、前記保存された情報を
複数の検査装置間で授受できるようにし、前記検査装置
で検出した試料の欠陥が虚報であるかどうかの判断結果
を保存すると共に、前記虚報が多発している試料の領域
で検出された欠陥候補はレビューする確立を低く設定す
る統計処理を施して、前記欠陥を観察することを特徴と
する。
【００１７】この欠陥観察方法において、前記試料に形
成されたパターンの致命性に応じてチップ内を複数の領
域に区切り、前記致命性によって区切られた領域毎に、
検出された前記欠陥の欠陥確認する頻度を設定して前記
欠陥を観察することを特徴とする。
【００１８】第４の発明では、欠陥検査方法は、試料の
欠陥を検査する検査装置の検査条件及び検査結果の少な
くとも１種の検査情報を保存し、前記保存された情報を
複数の検査装置間で授受できるようにし、前記検査装置
で定期的に特定の試料の欠陥を検査し、前記検査結果を
それよりも前に検査した結果と比較して検査感度の変動
を検出することを特徴とする。
【００１９】第５の発明では、欠陥検査方法は、試料の
欠陥を検査する検査装置の検査条件及び検査結果の少な
くとも１種の検査情報を保存し、前記保存された情報を
複数の検査装置間で授受できるようにし、欠陥カテゴリ
と前記試料を製造する装置における欠陥の発生状況とを
記憶し、前記検査装置で検出した欠陥の分類結果より欠
陥を発生する前記試料を製造する装置を抽出することを
特徴とする。
【００２０】第６の発明では、欠陥検査方法は、欠陥検
査対象試料の画像を回路パターンの粗密によって複数の
領域に分割し、前記分割された領域毎に欠陥の致命性の
大きさを設定し、前記致命性の大きさによって、欠陥判
定のしきい値を設定して欠陥を検査することを特徴とす
る。また、この欠陥検査方法において、前記試料は複数
個の半導体チップを含むウエハであり、前記複数の半導
体の欠陥検査結果をチップ画像の対応する部分に表示
し、前記欠陥をレビューすることによって、再度欠陥判
定のしきい値を設定して欠陥を検査することを特徴とす
る。
【００２１】第７の発明では、欠陥検査方法は、欠陥検
査対象試料の画像を回路パターンの粗密によって複数の
領域に分割して欠陥を検査して、欠陥候補が発生した領
域と、前記領域の濃淡差をリストアップした検査結果か
ら虚報の検出率が高い領域の欠陥候補判定しきい値を再
度設定することを特徴とする。
【００２２】第８の発明では、欠陥検査方法は、複数の
検査装置間で共通した検査条件や検査結果等の情報を通
信できるシステムにおいて、同一の試料を異なる検査条
件で複数回検査した結果を記憶し、それぞれの検査結果
を欠陥の座標情報に基づいて１つの検査結果に統合する
処理を行い、この処理結果を用いて欠陥をレビュ−して
検査条件を決定することを特徴とする。
【００２３】第９の発明では、欠陥検査装置は、半導体
チップの全域の画像を取得する光学系と、前記画像全域
を表示するディスプレイ装置と、前記画像を回路パター
ンの粗密に応じて複数の領域に分割して前記ディスプレ
イ装置に表示する画像処理部と、前記領域別に致命性の
程度を設定し、前記致命性に応じて欠陥候補を識別する
しきい値を設定する手段とを備えることを特徴とする。
【００２４】第１０の発明では、欠陥検査装置は、試料
の外観を検出する光学系と、検出した外観画像より欠陥
を検出する画像処理部を備えた検査装置において、検査
対象となる前記試料に形成されたチップ全域の画像を取
得することができる機能を前記光学系に設け、前記チッ
プ全域の画像をディスプレイして複数の領域に区分けす
る機能を前記画像処理部に設け、区分けした領域毎に検
査した結果のレビュー頻度を設定できる手段を備えるこ
とを特徴とする。また、この欠陥検査装置において、欠
陥候補として検出した位置の特徴量を出力する手段と、
前記区分けした領域毎に特徴量のしきい値を設定できる
手段と、前記しきい値に基づいて再度欠陥候補を抽出す
る手段とを備え、前記抽出結果のみをレビュウーするこ
とを特徴とする。
【００２５】第１１の発明では、欠陥検査システムは、
複数の欠陥検査装置と、この欠陥検査装置の検査条件を
記憶し、この検査条件を各検査装置で共有することがで
きる検査情報管理部とを備えることを特徴とする。
【００２６】第１２の発明では、欠陥検査システムは、
試料の外観を検出する光学系及び検出した外観画像より
欠陥を抽出する画像処理部とを備えた複数の検査装置
と、前記複数の検査装置で共通した検査装置等の情報を
前記複数の検査装置間で互いに情報交換できる通信シス
テムとを備えることを特徴とする。
【００２７】第１３の発明では、欠陥検査システムは、
複数の検査装置で共通した検査条件及び検査結果の少な
くとも１種の検査情報をこれら複数の検査装置で互いに
情報交換できる通信システムと、前記検査装置で検出し
た欠陥候補が欠陥であるか虚報であるかの判断結果を保
存するメモリと、前記虚報が多発している領域を統計処
理する演算部と、前記虚報多発部で検出した欠陥候補を
レビューする確立を低く設定する手段とを備えることを
特徴とする。
【００２８】第１４の発明では、欠陥検査システムは、
複数の検査装置間で共通した検査条件及び検査結果など
の少なくとも１種の検査情報を通信できる通信システム
と、前記装置で定期的に特定の試料を検査して保存する
手段と、前記検査結果を事前に検査した結果と比較して
検査感度の変動を検出する演算部とを備えることを特徴
とする。
【００２９】第１５の発明では、欠陥検査システムは、
複数の検査装置間で共通した検査条件及び検査結果など
の少なくとも１種の検査情報を通信できる通信システム
と、欠陥カテゴリと試料を製造する装置における欠陥の
発生状況とを事前に記憶する手段と、前記検査装置で検
出した欠陥の分類結果より欠陥を発生する前記試料を製
造する装置を抽出する手段とを備えることを特徴とす
る。
【００３０】第１６の発明では、欠陥検査システムは、
複数の検査装置間で共通した検査条件及び検査結果など
の少なくとも１種の検査情報を通信できるシステムにお
いて、同一の試料を異なる検査条件で複数回検査した結
果を保存する記憶装置と、それぞれの検査で検出した欠
陥の座標が特定の範囲内にあるものを同一の欠陥である
と判断して１つの検査結果に統合する処理を行う処理部
と、この処理結果を用いて欠陥を分類するレビュー機能
手段とを備えたことを特徴とする。
【００３１】第１７の発明では、欠陥検査システムは、
複数の検査装置間で共通した検査条件及び検査結果など
の少なくとも１種の検査情報を通信できるシステムにお
いて、同一の試料を複数の検査装置で検査した結果を保
存する記憶装置と、それぞれの検査装置で検出した欠陥
の座標が特定の範囲内にあるものを同一の欠陥であると
判断して１つの検査結果に統合する処理を行う処理部
と、この処理結果を用いて欠陥を分類するレビュー機能
手段とを備えたことを特徴とする。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、実施例を用い図を参照して具体的に説明する。
【００３３】図１は、本発明による検査装置の一実施例
として光学式外観検査装置４５を示すブロック図であ
る。図において、試料（ウェハ）１はウェハカセット４
１に収納されているが、ウェハ搬送ロボット４０によ
り、ウエハ載置台１４に載置され、このウエハ載置台１
４はＺステージ１０、θステージ１１、Ｘステージ１
２、Ｙステージ１３により、Ｚ方向、Ｘ方向、Ｙ方向に
移動されると共に回転される。
【００３４】ウエハ載置台１４上に搬送されたウエハ１
は、チップ全域の画像を検出するため、チップ全域検出
光学系２０の視野にウェハ１を移動させる。
【００３５】次にカメラ２１でチップ画像を撮像させ
る。この画像は画像処理部３０に転送される。この画像
をデータサーバ３１に保存させる。検査装置のオペレー
ティングコンピュータ３５のディスプレイにこの画像を
表示できるシステムとなっている。
【００３６】なお、実際の検査では、外観検査用光学系
１５の視野上にウェハ１の表面を走査させながら画像を
検出する。この画像データは画像処理部３０に転送さ
れ、隣接チップの画像と比較検査されて欠陥候補が求め
られる。検査結果はデータサーバ３１に保存される、レ
ビュー時に検査結果が読み出される。なお、ステージ１
０〜１３等の機械動作部は、メカニカルコントローラ３
２によって制御される。
【００３７】ウエハ載置台１４上に搬送されたウェハ１
は、ウェハ１に形成された複数のチップ２の配列とＸ・
Ｙステージ１２、１３の平行度を合わせる必要がある。
このθアライメントを行うには、ウェハ１上に形成され
たパターン２点の位置を検出し、θ方向のズレ量をθス
テージ１１で補正する。
【００３８】以下、図２を用いて、θアライメントを行
う方法について説明する。図２は、半導体ウエハの平面
図である。図のウエハについて、θ方向の位置決めをす
るには、視野の広い低倍率光学条件で第１のθアライメ
ントを行い、視野の狭い高倍率光学条件で第２のθアラ
イメントを行うことにより、高精度なθ方向の位置決め
が可能となる。
【００３９】これを行うには、最初に、θアライメント
用の２チップを決める必要がある。この２チップとし
て、第１のθアライメント用に２ａ，２ｂのチップを選
択する。このチップ２ａ、２ｂのθアライメント用のパ
ターンとして、例えばスクライブエリアにある十字マー
ク８を登録する。この２チップ２ａ、２ｂを別々に観測
して十字マーク８ａ、８ｂを低倍率光学条件で検出し、
そのＸ、Ｙ方向の座標を求める。
【００４０】この２点間の座標よりθ方向のズレ量を演
算する。このズレ量をθステージ１１で第１回目のθ補
正を行う。第２のθアライメントとして、第１回目のθ
アライメントで使用したチップよりも間隔が離れた２点
のチップ２ｃ，２ｄを指定し、高倍率光学条件で第１と
同様に各チップ２ｃ、２ｄの十字マーク８ｃ、８ｄを別
々に検出して、θステージ１１で第２回目の補正を行
う。このθアライメントを行うチップやθアライメント
を行う十字マークのウェハ内座標などは、光学式外観検
査装置４５以外の異機種の検査装置でも共通に使える情
報である。
【００４１】これらの情報を共有化するためには、種々
の検査装置間で情報の通信が行えると効率的である。こ
のためには、半導体の製造ラインに配置されている検査
装置群の各種情報を集約する検査情報管理システムを構
築する必要がある。
【００４２】図３は、本発明による検査情報管理システ
ムの一実施例を示すブロック図である。半導体ウエハな
どの検査を行う場合、例えば、製造ラインに光学式外観
検査装置４５やレーザ散乱光検出式異物検査装置４６、
ＳＥＭ(scanning electron microscope)式外観検査装置
４７、レビューＳＥＭ４８が半導体チップが流れる方向
に配置されている。本実施例ではこれらの装置に、共通
の検査情報管理システム４９が設けられ、各検査装置間
で通信を可能としている。したがって、この共通の検査
情報管理システム４９によって、検査条件などの相互通
信を行うことができる。
【００４３】例えば、新しい品種のウェハ１が製造ライ
ンに流れてきた場合、最初に光学式外観検査装置４５で
θアライメントを行うチップの登録、チップ配列情報や
検査領域の指定などを行う。このデータを検査情報管理
システム４９に保存する。
【００４４】これにより、他の検査装置では、すでに光
学式外観検査装置４５で作成した情報を基にして、更新
する作業を行うことができるため、新たに検査条件を作
成する必要はない。したがって、検査条件作成時間が短
縮され、検査装置が実際にウェハ１を検査する時間が短
縮され、実稼働率が向上する。
【００４５】以下、図１に示したチップ全域検出光学系
２０で取得した画像の活用方法について、図４を用いて
説明する。図４は、半導体チップの外観図である。図４
に示すように、メモリ・ロジック混載のＬＳＩは、チッ
プ内の領域に応じてメモリ部４とロジック部５及びイン
ターフェース部等の周辺回路部６などに区分できる。そ
れぞれの領域では、配線のデザインルールが異なってい
たり、後に積層されるパターンの種類などに応じて致命
性が異なってくる。
【００４６】例えば、メモリ部４ではデザインルールが
最も微細であり、小さな異物やパターン形状の不良が致
命的な欠陥となる確立が高くなる。しかし、周辺回路部
６は、パターンのデザインルールが比較的大きく、パタ
ーンとパターンのスペースの間隔なども広いため、メモ
リ部４に比べて致命的な欠陥のサイズは大きくなる。一
般に、ＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)処理を
行ったウェハはパターンのないスペース部で色むらが大
きくなる傾向がある。
【００４７】そこで、致命性が低く且つ色むら虚報の生
じやすい周辺回路部６は感度を低下させて検査すること
により、虚報の検出率を低下させることが可能となる。
このため、チップ２の検査領域３の全域の画像をディス
プレイに表示させ、このディスプレイ上で致命性に応じ
た検査領域の区分けを行うことで効率的な検査が可能と
なる。
【００４８】次に、図１に示したオペレーティングコン
ピュータ３５のディスプレイ上で、チップ内の検査領域
を区分けする手法を図５を用いて説明する。図５は、チ
ップ領域を区分けできるディスプレイの外観図である。
図に示すように、ディスプレイ３６にはチップ全域画像
が表示されている。
【００４９】まず、チップの座標原点となる位置をこの
画面で登録する。登録は、「チップ原点」ボタン２２を
クリックし、マウスでカーソル３７を移動させ、原点と
なる画像上でクリックすることにより登録可能となる。
検査領域を指定する場合は、まず「検査領域選択」ボタ
ン２３をクリックし、次に致命性の該当するボタンをク
リックする。
【００５０】例えば、メモリ部４ａの領域を登録したい
場合は、「致命性：高」ボタン２４をクリックし、メモ
リ部４ａの画像をカーソルで指定する。また、周辺回路
部６ａは致命的な欠陥のサイズは大きいため、周辺回路
部６ａの画像を指定したときには、例えば、「致命性：
低」ボタン２６をクリックして致命性を登録する。
【００５１】また、メモリ部４ａと周辺回路部６ａとの
間の欠陥サイズを有するロジック部５ａを検査領域とし
て指定する場合には、「致命性：中」ボタン２５をクリ
ックして致命性を登録する。
【００５２】このように、順次、回路パターンの致命性
に応じて領域を登録することにより、チップ内の領域を
簡単に区分けすることが可能となる。なお、領域の境界
部を厳密に指定したい場合は、高倍率光学条件で境界部
の画像をモニタリングし、厳密に指定するなどの手段が
考えられる。
【００５３】また、チップ全域の画像を用いてチップ内
の領域を区分けする手法以外に、設計データやレチクル
パターン情報などを用いてパターンの粗密情報を入手
し、致命性の大小を判断して検査する手法も考えられ
る。
【００５４】設計データには、デザインルールやパター
ンやパターンの配線密度及び後の工程で積層されるパタ
ーンのデザインルール等のデータが盛り込まれているた
め、これを用いて致命性を判断し、この致命性に応じて
領域を区分けすることができる。
【００５５】次に、チップ内の領域を複数の区分けして
検査した結果の活用方法について図６を用いて説明す
る。図６は、ウェハ全面で検出された欠陥を半導体チッ
プにプロットした欠陥表示図である。図において、白丸
は実欠陥５０を、×は虚報５５を示しており、ウェハ１
の全面を検査して検出した欠陥を、例えば、半導体チッ
プ２の全域画像にプロットしている。すなわち、ウェハ
１内の全ての半導体チップ２で検出した欠陥を１枚のチ
ップ全域画像の対応するチップ内座標に表示したもので
ある。
【００５６】これらの欠陥をレビューにより、欠陥か虚
報かの判断を行うことにより、例えば周辺回路部６ａで
虚報の割合が多いことがわかる。このことから、周辺回
路部６ａは欠陥候補判定しきい値が低く、感度を高く設
定しすぎていることがわかる。従って、以降の検査では
周辺間回路部６ａの領域の欠陥候補判定しきい値を比較
的高く設定し、検査することにより虚報を低減すること
が可能となる。
【００５７】また、欠陥候補判定しきい値を領域毎に変
更する手法以外に、検査結果の後処理で虚報を低減する
手法について図７を用いて説明する。図７は、検査装置
の検査結果出力フォーマットの一例を示す図である。検
査結果には、欠陥の番号、チップ座標Ｘ（横軸方向のチ
ップの数）、チップ座標Ｙ（縦軸方向のチップの数）、
チップ内座標Ｘ（チップ内でのＸ方向の座標）、チップ
内座標Ｙ（チップ内でのＹ方向の座標）が示されてお
り、ウェハのどこに欠陥があるか分かるようになってい
る。
【００５８】また、欠陥の概略寸法も記録されている。
検査結果には、欠陥候補部の濃淡差とその欠陥が存在す
る領域も記録されている。濃淡差が大きいと虚報の可能
性が少なく、欠陥の可能性が高いといえる。従って、虚
報の検出率が高い領域では、この結果を基に再度欠陥候
補判定しきい値を設定し直し、欠陥候補の再判定を行
う。
【００５９】例えば、領域６で虚報が多い場合は、再欠
陥候補判定しきい値を３５に設定すると、濃淡差が３４
以下は検出されない。このように、欠陥候補の再判定を
行い、濃淡差を３５以上のものを取り出すようにする
と、例えば、欠陥番号７の濃淡差は３１であるため虚報
の可能性が大と判定され、欠陥として取り出されない。
その虚報を除外してレビューすることにより、虚報をレ
ビューする確立を低減できる。
【００６０】なお、虚報をレビューする割合を低減する
ことにより、「致命性のない虚報を省いてレビューた
め、致命性のある欠陥、すなわち、キラー欠陥を早期発
見・欠陥発生工程の早期対策が可能となり、製造品の歩
留まり向上を図れる。」というメリットがある。
【００６１】次に、図３に示す検査情報管理システム４
９を用いた検査管理システムを製造ラインに適用した場
合、図８の機能を持たせることができる。図８は本発明
による検査管理システムの機能の一覧を示す図である。
第１の機能として、チップ内を区分けした致命性領域別
に、レビューする欠陥数の割合を変更する。例えば、パ
ターン密度が蜜の場合は９０％レビューし、その他の場
合は６０％レビューする。このように、致命性の高い領
域では多くの欠陥をレビューし、致命性の低い領域では
レビュー点数を低くする。
【００６２】実際には、検査装置で検査した結果を検査
情報管理システム４９に転送し、検査情報管理システム
４９でレビューしたい欠陥の抽出をする。さらに、抽出
結果をレビュー装置４８に転送して、レビューすること
になる。
【００６３】なお、レビューは今後、自動欠陥分類が実
用化されてくる。この自動欠陥分類とは、光学顕微鏡や
ＳＥＭを用いて、自動的に欠陥部の画像を取得し、この
画像を処理して欠陥の分類を自動的に行うものである。
検査情報管理システム４９は、自動欠陥分類を行う場合
でも欠陥の抽出に活用することが可能となる。
【００６４】第２の機能として、虚報検出率に応じたレ
ビューする欠陥の抽出を行うことが上げられる。これ
は、レビューや自動欠陥分類によって、虚報と判断され
た候補の統計データをとり、検査装置で検出した欠陥の
座標が虚報検出率の高い領域である場合は、再欠陥候補
判定しきい値を上げて再度欠陥判定し、再検出された欠
陥のみをレビューするものである。
【００６５】これは、虚報が発生する領域やチップ内座
標が同じ位置に生じやすいことを利用して、虚報を除去
しようとするものである。なお、虚報の統計データと
は、製造ラインで検査される何枚ものウェハ全ての座標
を蓄積することにより、データの信頼性を高めることが
可能となる。
【００６６】第３の機能として、ウェハ品種・工程別欠
陥マップの重ね合わせである。図６に示す通り、チップ
内の領域によって欠陥の生じやすい位置がある。例えば
ウェハ全面で検出した欠陥を１枚のチップ全域画像に重
ね合わせて表示することにより、欠陥が生じやすい領域
や座標を見分けやすくなる。欠陥が多発している領域
は、特定の原因で生じた欠陥である可能性が高い。この
場合、欠陥の外観も似たような形状不良であるため、欠
陥多発部の欠陥をたくさんレビューしても、レビュー時
間のロスである。そこで、検査情報管理システム４９で
は、欠陥の多発部をどれくらいレビューするかを抽出
し、レビュー装置４８に抽出結果の座標情報を転送する
ことが可能となる（図３参照）。
【００６７】第４の機能として、各種検査装置、例え
ば、光学式外観検査装置４５、レーザ散乱検出式異物検
査装置４６、ＳＥＭ式外観検査装置４７などの検査条件
データの共有化がある。各機種で共通に使うθアライメ
ントターゲット座標，チップ配列情報やチップ内検査領
域の座標及びチップ全面画像などを検査情報管理システ
ム４９に転送し、何れかの検査装置で検査条件を作成し
た場合、共有化できる情報は他の検査装置にも転送でき
るシステムである。これにより、検査条件作成時間の効
率化が図れる。
【００６８】第５の機能として、複数機種の検査装置が
ある場合は、どの検査装置を用いて量産ウェハの検査を
するのか判断する必要がある。従って、新しい品種、工
程のウェハがラインに流れてきた場合は、同じウェハを
それぞれの検査装置で検査し、各検査装置の検査感度を
比較する必要がある。すなわち、同じウエハを用いて各
検査装置で検査して検査結果を得る。これらの検査結果
を検査情報管理システム４９に集約し、どの検査装置が
量産ウェハの検査に適しているかを判断する。この場
合、以下の判断基準が考えられる。 １．致命的な欠陥となる寸法の欠陥を検出しているか。 ２．致命性のあるモードの欠陥を検出しているか。
【００６９】ここで、致命性のあるモードとは、例えば
ウェハに形成された同一層のパターン不良や積層された
パターンの上層と下層を導通させるコンタクトホールで
生じる縦方向のパターン不良のような違いをモードと称
している。
【００７０】第６の機能として、各検査装置の安定性・
信頼性管理ツールとしての活用である。例えば、光学式
外観検査装置４５では、光学系の光源における発光点の
変動などに応じて検査感度が変動する。このため、時間
の経過と共に検査感度が低下するような現象が生じるこ
とが考えられる。検査感度が低下すると、致命的な欠陥
を見逃す恐れがあるため、装置の検査感度をモニタリン
グして異常を早期発見することが製品の歩留まり向上に
貢献できる。
【００７１】従って、定期的に特定のウェハを検査し、
検査感度をモニタリングする必要がある。検査結果は検
査情報管理システム４９に転送され、規格値以内である
か否かを判断すると共に、変動の様子をモニタリングし
て突発変動などを顕在化するようにできる。さらに、同
じ機種の装置が複数台ラインにある場合は、機差の評価
ツールとしても検査情報管理システム４９を活用するこ
とが可能である。
【００７２】第７の機能として、製造装置の安定性・信
頼性の管理にも活用できる。例えば、検査情報管理シス
テム４９にウェハの品種・工程別に欠陥の分類別欠陥数
を蓄積する。この分類結果毎に、欠陥を低減した対策内
容や欠陥発生装置も検査情報管理システム４９に登録し
ていく。この統計データを用いることにより、ラインで
流れるウェハを検査・分類した結果が規格値以上である
場合は、欠陥発生原因や発生装置の候補を抽出し、早期
対策に貢献させることが可能となる。
【００７３】以下、チップ全域画像を用いたマクロ検査
について図９を用いて説明する。 図９は、マクロ検査に用いるウエハの平面図である。図
９に示すウエハ１をマクロ検査するには、ウェハ１の全
面に形成されている複数のチップ６０について、チップ
全域の画像をステップアンドリピートしながら取得す
る。チップが隣接する画像で差画像を求め、例えば差画
像の総和を求める。例えば、ウェハ周辺のチップ６０で
は差の総和が大きく、ウェハの中央部６２では差が小さ
くなり、その中間のチップ６１では差画像の総和はその
中間となる。
【００７４】この差は、隣接チップに積層されている絶
縁膜の膜厚の違いなどによる反射率の違いが検出され
る。従って、この差の総和が大きい場合は、反射率の違
いによる虚報が生じ易くなる。この虚報低減策として、
チップ全域画像を用いた隣接チップの差画像の総和に応
じて、各チップ毎にしきい値を変更することが有効であ
る。
【００７５】具体的には、差の総和が大きいチップで
は、しきい値を大きくして感度を下げることになる。ま
た、チップ内で差が大きくなるような位置を区分けし
て、それぞれの領域毎にしきい値を設定することが考え
られる。
【００７６】これは、図５で示したチップ内の領域の区
分けを自動的に行う時に有効である。なお、自動的に領
域の区分けを行う場合は、複数のチップ差画像を積分し
て区分けすることにより、的確な区分けが可能となる。
【００７７】次に、チップ全域の画像をもとにした、チ
ップ別しきい値設定手順について図１０を用いて説明す
る。図１０は、カメラ画像によるマクロ外観検査手順を
示すフローチャートである。検査をする場合、まず、ス
テップ７１において、ウェハを検査装置にローディング
し、ステップ７２でチップ全域の画像を取得する。この
画像取得は、ステップアンドリピートで行う。
【００７８】隣接チップの画像を検出したらステップ７
３で差画像を検出し、ステップ７４で各チップの差の総
和を求める。ステップ７５において、この差の総和に応
じて、各チップ毎に本検査時のしきい値に加減算する値
を求める。ステップ７６の本検査時は、先に求めたしき
い値を用いて欠陥を抽出する。これにより、マクロな色
むら等に起因した虚報を除去することが可能となる。
【００７９】また、チップ全域画像を用いた差画像は、
チップに積層された絶縁膜の膜厚などの情報を含んでお
り、この差が膜厚等のマクロ検査に活用できる。
【００８０】図１１を用いて、新たな品種、工程のウェ
ハ１を検査する場合の作業フローを説明する。図１１
は、新たな品種や工程で製造されたウエハを検査する作
業手順を示すフローチャートである。説明の便宜上、ま
ず最初に検査装置のフローについて説明する。検査装置
では、ステップ８０において、まず、最初の検査装置、
例えば光学式外観検査装置４５でウェハの品種や工程を
登録する。次に、ステップ８１で、ウェハ１をカセット
４１に配置し、ステップ８２で最初の検査装置内にウェ
ハ１をローディングする。
【００８１】次に、ステップ８３で、ウエハ１のθアラ
イメントマークの座標情報を登録し、アライメントマー
ク部の画像を取得する光学条件を設定する。更に、アラ
イメントマーク部の画像を取得し、テンプレート画像と
して登録する。
【００８２】次に、ステップ８４で、チップ原点、チッ
プ配列情報、チップ内検査領域を登録する。次に、ステ
ップ８５で、チップ全域検出光学系２０でチップ全域の
画像を取得する。ステップ８６では、取得したチップ全
域画像をオペレーティングコンピュータ３５のディスプ
レイに表示し、表示した画像を用いて、致命性毎に領域
を指定して登録する。
【００８３】次に、ステップ８７で、隣接チップの差画
像を求めて、欠陥判定する濃淡しきい値などの検査感度
パラメータを決定するためテスト検査を行い、検査感度
パラメータを登録する。
【００８４】以上、ステップ８０，８３，８４，８５，
８６，８７で登録した情報は、全て検査情報管理システ
ム４９に転送して保存される。
【００８５】次に、最初の検査装置において、完成した
検査レシピを用いてステップ８８で本検査を行い、ステ
ップ８９で、検査結果を保存すると共に、この検査結果
を検査情報管理システム４９に転送して保存する。検査
情報管理システム４９では、レビュー対象の欠陥を抽出
し、抽出結果を最初の検査装置４５或いは他の検査装
置、例えば、ＳＥＭ等のレビュー装置４８に転送する。
【００８６】最初の検査装置４５では、ステップ９１
で、転送された抽出結果を用いて欠陥をレビューする。
レビュー後、ステップ９２で、ウェハ１はアンローディ
ングされ、カセット４１に収納する（図１参照）。
【００８７】以降、機種が同じ他の検査装置で同一品
種、工程のウェハ１を検査する場合は、検査情報管理シ
ステム４９に保存した検査レシピを検査装置に転送して
検査する。さらに、異機種の検査装置で検査する場合
は、検査情報管理システム４９に登録した情報の内、共
有できる情報を活用することにより、レシピ作成時間の
短縮が可能となる。
【００８８】また、検査結果を検査情報管理システム４
９に転送し、致命性に応じたレビュー対象欠陥の抽出を
行うことにより、致命欠陥の早期発見が可能となり、製
品の歩留まり低下を早期対策できる。
【００８９】複数機種の検査装置を用いて効率的に検査
を行う場合には、検査レシピを事前に作成しておくこと
が便利である。この検査レシピには、ウェハ内のダイ配
列情報、ダイ内検査エリアの座標情報及び検査感度を設
定する必要がある。この内、ダイ配列情報やダイ内検査
エリアの座標情報は、検査情報管理システム４９で共有
化することが可能である。
【００９０】しかし、検査感度はウェハ１の品種、工程
に応じて調整する必要がある。検査感度を決定する代表
的なパラメータとして、欠陥判定しきい値、検査する光
学系の倍率及び照明条件などがある。これらをそれぞれ
変更しながらテスト検査を行い、その都度レビューして
検査パラメータを決定するのでは感度調整に莫大な時間
を要する。
【００９１】このため、感度を変更したレシピを事前に
複数準備してそれぞれテスト検査し、複数の検査結果を
１つの検査結果に統合してレビューすると効率的であ
る。
【００９２】そこで図１２には、その一例として、２種
類のレシピで検査した結果を図１２(a)、(b)に、さらに
これら２種類のレシピで検査した結果を統合処理した結
果を図１２(c)に、それぞれ示した。すなわち、図１２
(a)、(b)に示した検査結果１及び２には、それぞれ欠陥
の座標情報が記憶されている。この座標情報を互いの検
査結果で突合せて、同一の座標にある欠陥は、１つに纏
めて図１２(c)の統合検査結果に記憶する。
【００９３】例えば、図１２(a)の欠陥No１と図１２(b)
の欠陥No１は、同一ダイのほぼ同じダイ内座標である。
互いのダイ内座標(X、Y)を比べると、３μmほどずれて
いる。このずれ量は検査装置の欠陥座標精度による誤差
が影響している。
【００９４】従って、これら図１２(a)、(b)の検査結果
を座標突合せする場合は、検査装置の欠陥座標精度に応
じて位置ズレ許容値を設定する必要がある。座標のズレ
許容値を設定する必要がある。これは、検査装置の欠陥
座標精度に応じて設定する必要がある。
【００９５】図１２(c)の統合検査結果には、図１２
(a)、(b)の検査結果の両方で検出した欠陥であることが
分かるようにする必要がある。そこで、図１２(c)に
は、検査結果１と２毎に検出した欠陥には「１」、検出
されなかった欠陥には「０」を記憶するようにしてい
る。
【００９６】図１３には、統合した検査結果をベン図で
表した模式図を示す。例えば、検査感度の条件出しのた
めにレビューを行う場合は、それぞれの検査結果のみで
検出した（ａ）、（ｃ）の欠陥をレビューし、適切な感
度の条件を選択して本検査すると効率的である。
【００９７】この実施例では、２検査条件の場合につい
て示したが、２検査条件以上の場合でも同様の処理を行
うことが可能である。また、複数機種の検査装置がある
場合は、それぞれの検査装置で検査した結果を一つの検
査結果に統合してレビューすることにより、どの機種で
検査すれば高感度検査が可能であるか判断できる。これ
により、検査に用いる検査装置の選択が容易になる。
【００９８】ここで説明した内容は本発明の一実施の形
態であり、これらの内容を組み合わせて実施することな
どが考えられる。また、光学式外観検査やレーザ散乱光
式異物検査装置は、検査感度向上の観点から、短波長化
が進むと考えられる。例えば、ＤＵＶ(Deep Ultra Vi
olet)光を用いた検査装置などである。本発明では、短
波長光を用いた光学式外観検査装置やレーザ散乱光式異
物検査装置など今後開発される検査装置にも適用できる
ものである。
【００９９】以上に説明したごとく本発明によれば、試
料に形成されたチップ全域の画像を用いて致命性毎に検
査領域を区分けし、それぞれの領域で虚報を検出しない
高感度検査が可能となる。また、検査装置群に共通した
検査条件などを共有化できるシステムを構築したので、
条件出し時間を短縮できる。
【０１００】さらに、チップ内を区分けした領域別に虚
報を除去する後処理を行うことにより、レビューや自動
欠陥分類の効率向上に伴う、致命欠陥の早期発見、早期
対策が可能となり、製品の歩留まり向上に効果がある。
【０１０１】さらに、検査装置の安定性や機差のモニタ
リング及び各種検査装置の最適活用法の提案などが可能
となり、検査システムの安定稼働が実現できる。これに
より、製造ラインでの安定、高歩留まり生産に貢献でき
る。
【０１０２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、区
分けされたそれぞれの領域で虚報を検出しない高感度検
査が可能となる。また、各検査装置で共通した検査条件
を共有できるので条件出し時間を短縮することができ
る。さらに、チップ内を区分けした領域別に虚報を除去
する後処理を行うことにより、レビューや自動欠陥分類
の効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による検査装置の一実施例として光学式
外観検査装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】θアライメントの説明用半導体ウェハの平面図
である。
【図３】本発明による検査情報管理システムの一実施例
を示すブロック図である。
【図４】半導体チップの外観図である。
【図５】半導体チップ内領域を区分けできるディスプレ
イの外観図である。
【図６】半導体ウエハ全面で検出された欠陥を半導体チ
ップにプロットした欠陥表示図である。
【図７】検査装置の検査結果出力フォーマットの一実施
例を示す図である。
【図８】本発明による検査情報管理システムの機能の一
覧を示す図である。
【図９】マクロ検査に用いるカメラ画像による半導体ウ
エハの平面図である。
【図１０】カメラ画像によるマクロ外観検査手順を示す
フローチャートである。
【図１１】新たな品種や工程で製造される半導体ウエハ
を検査する作業手順を示すフローフローチャートであ
る。
【図１２】２種類のレシピで検査した検出結果を一つに
統合処理した結果を示す図である。
【図１３】複数の検査結果のベン図である。
【符号の説明】
１…試料、 ２…チップ、 ３…検査領域、 ４、４ａ…メモリ部、 ５、５ａ…ロジック部、 ６、６ａ…周辺回路部、 ７…スペース部、 ８…十字マーク、 １０…Ｚステージ、 １１…θステージ、 １２…Ｘステージ、 １３…Ｙステージ、 １５…外観検査用光学系、 ２０…チップ全域画像検出用光学系、 ２１…カメラ、 ３０…画像処理部、 ３１…データサーバ、 ３２…メカニカルコントローラ、 ３５…ディスプレイを有するオペレーティングコンピュ
ータ、 ４０…ウェハ搬送ロボット、 ４１…ウェハカセット、 ４５…光学式外観検査装置、 ４６…レーザ散乱光検出式異物検査装置、 ４７…ＳＥＭ式外観検査装置、 ４８…レビュー装置、 ４９…検査情報管理システム、 ５０…欠陥、 ５５…虚報
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 見坊 行雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA49 AA61 BB02 BB27 CC19 DD06 EE00 EE09 FF41 GG04 PP12 PP13 PP24 QQ06 QQ08 QQ14 QQ23 QQ24 QQ25 QQ27 QQ34 QQ41 QQ43 RR06 SS02 SS13 TT02 2G001 AA03 BA07 CA03 GA06 HA01 HA13 JA11 JA13 KA03 LA11 MA05 PA01 2G051 AA51 AB01 AB02 BA05 BA10 CA04 CB05 DA03 DA07 DA08 DA15 EA08 EA12 EA14 EA16 EA23 EB01 EB02 ED21 4M106 AA01 AA02 CA38 DB04 DB11 DB20 DJ04 DJ06 DJ12 DJ21 DJ23

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数の検査装置を用いて試料の欠陥を検査
    する場合、各検査装置で得られた検査条件を記憶し、前
    記記憶された条件を各検査装置で利用できるようにする
    ことを特徴とする欠陥検査方法。
  2. 【請求項２】試料の欠陥を検査する複数の欠陥検査装置
    間で共通した検査条件を他の欠陥検査装置に通信できる
    ようにすることを特徴とする欠陥検査方法。
  3. 【請求項３】試料の欠陥を検査する検査装置の検査条件
    及び検査結果の少なくとも1種の検査情報を保存し、前
    記保存された情報を複数の検査装置間で授受できるよう
    にし、前記検査装置で検出した試料の欠陥が虚報である
    かどうかの判断結果を保存すると共に、前記虚報が多発
    している試料の領域で検出された欠陥候補はレビューす
    る確立を低く設定する統計処理を施して、前記欠陥を観
    察することを特徴とする欠陥観察方法。
  4. 【請求項４】請求項３記載の欠陥観察方法において、前
    記試料に形成されたパターンの致命性に応じてチップ内
    を複数の領域に区切り、前記致命性によって区切られた
    領域毎に、検出された前記欠陥の欠陥確認する頻度を設
    定して前記欠陥を観察することを特徴とする欠陥観察方
    法。
  5. 【請求項５】試料の欠陥を検査する検査装置の検査条件
    及び検査結果の少なくとも1種の検査情報を保存し、前
    記保存された情報を複数の検査装置間で授受できるよう
    にし、前記検査装置で定期的に特定の試料の欠陥を検査
    し、前記検査結果をそれよりも前に検査した結果と比較
    して検査感度の変動を検出することを特徴とする欠陥検
    査方法。
  6. 【請求項６】試料の欠陥を検査する検査装置の検査条件
    及び検査結果の少なくとも1種の検査情報を保存し、前
    記保存された情報を複数の検査装置間で授受できるよう
    にし、欠陥カテゴリと前記試料を製造する装置における
    欠陥の発生状況とを記憶し、前記検査装置で検出した欠
    陥の分類結果より欠陥を発生する前記試料を製造する装
    置を抽出することを特徴とする欠陥検査方法。
  7. 【請求項７】欠陥検査対象試料の画像を回路パターンの
    粗密によって複数の領域に分割し、前記分割された領域
    毎に欠陥の致命性の大きさを設定し、前記致命性の大き
    さによって、欠陥判定のしきい値を設定して欠陥を検査
    することを特徴とする欠陥検査方法。
  8. 【請求項８】請求項７記載の欠陥検査方法において、前
    記試料は複数個の半導体チップを含むウエハであり、前
    記複数の半導体の欠陥検査結果をチップ画像の対応する
    部分に表示し、前記欠陥をレビューすることによって、
    再度欠陥判定のしきい値を設定して欠陥を検査すること
    を特徴とする欠陥検査方法。
  9. 【請求項９】欠陥検査対象試料の画像を回路パターンの
    粗密によって複数の領域に分割して欠陥を検査して、欠
    陥候補が発生した領域と、前記領域の濃淡差をリストア
    ップした検査結果から虚報の検出率が高い領域の欠陥候
    補判定しきい値を再度設定することを特徴とする欠陥検
    査方法。
  10. 【請求項１０】複数の検査装置間で共通した検査条件及
    び検査結果の少なくとも１種の検査情報を通信できる欠
    陥検査方法において、同一の試料を異なる検査条件で複
    数回検査した結果を記憶し、それぞれの検査結果を欠陥
    の座標情報に基づいて１つの検査結果に統合する処理を
    行い、この処理結果を用いて欠陥をレビュ−して検査条
    件を決定することを特徴とする欠陥検査方法。
  11. 【請求項１１】半導体チップの全域の画像を取得する光
    学系と、前記画像全域を表示するディスプレイ装置と、
    前記画像を回路パターンの粗密に応じて複数の領域に分
    割して前記ディスプレイ装置に表示する画像処理部と、
    前記領域別に致命性の程度を設定し、前記致命性に応じ
    て欠陥候補を識別するしきい値を設定する手段とを備え
    ることを特徴とする欠陥検査装置。
  12. 【請求項１２】試料の外観を検出する光学系と、検出し
    た外観画像より欠陥を検出する画像処理部を備えた検査
    装置において、検査対象となる前記試料に形成されたチ
    ップ全域の画像を取得することができる機能を前記光学
    系に設け、前記チップ全域の画像をディスプレイして複
    数の領域に区分けする機能を前記画像処理部に設け、区
    分けした領域毎に検査した結果のレビュー頻度を設定で
    きる手段を備えることを特徴とする欠陥検査装置。
  13. 【請求項１３】請求項１２記載の欠陥検査装置におい
    て、欠陥候補として検出した位置の特徴量を出力する手
    段と、前記区分けした領域毎に特徴量のしきい値を設定
    できる手段と、前記しきい値に基づいて再度欠陥候補を
    抽出する手段とを備え、前記抽出結果のみをレビュウー
    することを特徴とする欠陥検査装置。
  14. 【請求項１４】複数の欠陥検査装置と、前記欠陥検査装
    置の検査条件を記憶し、前記検査条件を各検査装置で共
    有することができる検査情報管理部とを備えることを特
    徴とする欠陥検査システム。
  15. 【請求項１５】試料の外観を検出する光学系及び検出し
    た外観画像より欠陥を抽出する画像処理部とを備えた複
    数の検査装置と、前記複数の検査装置で共通した少なく
    とも検査条件を含む情報を前記複数の検査装置間で互い
    に情報交換できる通信システムとを備えることを特徴と
    する欠陥検査システム。
  16. 【請求項１６】複数の検査装置で共通した検査条件及び
    検査結果の少なくとも１種の検査情報をこれら複数の検
    査装置で互いに情報交換できる通信システムと、前記検
    査装置で検出した欠陥候補が欠陥であるか虚報であるか
    の判断結果を保存するメモリと、前記虚報が多発してい
    る領域を統計処理する演算部と、前記虚報多発部で検出
    した欠陥候補をレビューする確立を低く設定する手段と
    を備えることを特徴とする欠陥検査システム。
  17. 【請求項１７】複数の検査装置間で共通した検査条件及
    び検査結果の少なくとも１種の検査情報を通信できる通
    信システムと、前記装置で定期的に特定の試料を検査し
    て保存する手段と、前記検査結果を事前に検査した結果
    と比較して検査感度の変動を検出する演算部とを備える
    ことを特徴とする欠陥検査システム。
  18. 【請求項１８】複数の検査装置間で共通した検査条件及
    び検査結果の少なくとも１種の検査情報を通信できる通
    信システムと、欠陥カテゴリと試料を製造する装置にお
    ける欠陥の発生状況とを事前に記憶する手段と、前記検
    査装置で検出した欠陥の分類結果より欠陥を発生する前
    記試料を製造する装置を抽出する手段とを備えることを
    特徴とする欠陥検査システム。
  19. 【請求項１９】複数の検査装置間で共通した検査条件及
    び検査結果の少なくとも１種の検査情報を通信できるシ
    ステムにおいて、同一の試料を異なる検査条件で複数回
    検査した結果を保存する記憶装置と、それぞれの検査で
    検出した欠陥の座標が特定の範囲内にあるものを同一の
    欠陥であると判断して１つの検査結果に統合する処理を
    行う処理部と、この処理結果を用いて欠陥を分類するレ
    ビュー機能手段とを有することを特徴とする欠陥検査シ
    ステム。
  20. 【請求項２０】複数の検査装置間で共通した検査条件及
    び検査結果の少なくとも１種の検査情報を通信できるシ
    ステムにおいて、同一の試料を複数の検査装置で検査し
    た結果を保存する記憶装置と、それぞれの検査装置で検
    出した欠陥の座標が特定の範囲内にあるものを同一の欠
    陥であると判断して１つの検査結果に統合する処理を行
    う処理部と、この処理結果を用いて欠陥を分類するレビ
    ュー機能手段とを有することを特徴とする欠陥検査シス
    テム。
JP2001103290A 2000-07-18 2001-04-02 欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置 Pending JP2002100660A (ja)

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