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Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung
zur Dünnschichtmetrologie.
Im besonderen betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Dünnschichtmetrologie
auf Halbleitersubstraten, wobei die Vorrichtung aus mindestens einem
Kassettenelement für
Halbleitersubstrate und einer ersten Messeinheit für die Mikro-Dünnschichtmetrologie
besteht. Hinzu kommt, dass zwischen dem Kassettenelement für die Halbleitersubstrate
und der Messeinheit für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
ein Transportmechanismus vorgesehen ist.
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Ferner betrifft die Erfindung ein
Verfahren zur Dünnschichtmetrologie.
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Die Patentschrift
DE 100 53 232 offenbart ein Substratzuführmodul
für eine
Arbeitsstation. Aus dem Substratzuführmodul werden Halbleitersubstrate
an die Arbeitsstation zu weiteren Untersuchung übergeben. In der Arbeitsstation
werden z. B. mikroskopische Untersuchungen an dem Halbleitersubstrat
durchgeführt. Das
System aus Substratzuführmodul
und Arbeitsstation ist besonders flexibel, da das Substratzuführmodul an
beliebigen Seiten der Arbeitsstation angebaut werden kann. Die in
der Patentschrift beschriebene Vorrichtung hat jedoch den entscheidenden
Nachteil, dass in der Arbeitsstation nur ein bestimmter Arbeitsvorgang, wie
z. B. eine Makroinspektion oder Mikroinspektion, durchgeführt werden
kann. Sollen mehr als eine Untersuchung mit der Arbeitsstation durchgeführt werden,
erfordert dies ein zusätzliches
Gerät,
was die Grundfläche
bzw. Aufstellfläche
der gesamten Vorrichtung in einer Halbleiterfertigungsstätte erhöht.
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Bei der Herstellung von Halbleiter-Wafern
werden zwischen bestimmten Herstellungsschritten die Substrate in
Kassetten unterschiedlicher Art zu verschiedenen Arbeitsstationen
transportiert und müssen
dort in die jeweilige Arbeitsstation eingeführt werden. Der Transport kann
manuell oder automatisch erfolgen.
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Jede der Arbeitsstationen dient unterschiedlichen
Zwecken für
die Behandlung der Substrate, wie die Inspektion, Messung oder Bearbeitung
der Substrate. Bei der Inspektion der Substrate unterscheidet man
zwischen einer Makroinspektion und einer Mikroinspektion. Hier erfolgt
insbesondere die Inspektion hinsichtlich unerwünschter Partikel auf den Substraten
oder auf Fehler in den Strukturen oder auf der Oberfläche der
Substrate. Die Inspektion kann durch den Benutzer selbst oder automatisch
mit Hilfe einer elektronischen Kamera erfolgen. Beispielsweise können die
unerwünschten
Partikel oder Strukturfehler automatisch erkannt und klassifiziert
werden (Defektanalyse). Zudem können
die breiten Abstände
oder Dicken der Strukturen vermessen werden (CD-Analyse, Schichtdickenanalyse).
Für diese
Anwendung der Inspektion und Vermessung werden in solchen Arbeitsstationen
wegen der Kleinheit der untersuchten Objekte auf dem Substrat meist
Mikroskope verwendet. Die Makroinspektion erfolgt in einer getrennten
Arbeitsstation. Bei der Makroinspektion können schnell makroskopische
Defekte, wie Kratzer, Lackfehler oder Schmutzpartikel oder andere
makroskopische Inhomogenitäten,
wie die schwankende Dicke dünner
auf dem Halbleitersubstrat aufgebrachter Schichten erkannt werden.
Diese Defekte können
so für
eine genauere Inspektion einer Mikroinspektion zugeführt werden.
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Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde,
eine Vorrichtung zur Dünnschichtmetrologie
zu schaffen, die sowohl Makro- als auch Mikrometrologie in einer
Vorrichtung vereint.
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Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung
mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung
ist es, ein Verfahren zur Dünnschichtmetrologie
zu schalten, das eine effiziente und sichere Bearbeitung der Halbleitersubstrate
ermöglicht,
ohne dabei die Aufstellfäche
der gesamten Vorrichtung zu erhöhen.
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Die obige Aufgabe wird gelöst durch
ein Verfahren, das die Merkmale des Anspruchs 9 umfasst.
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Dünne
Schichten werden gegenwärtig
unter anderem durch optisch basierte Verfahren vermessen. Eingesetzt
werden unter anderem die Verfahren der spektroskopischen Photometrie
(Reflektometrie), der spektroskopischen Ellipsometrie sowie Ein-
oder Mehrwellenlängen-Ellipsometrie
oder eine Kombination aus mehreren der vorstehend genannten Verfahren.
Die Eigenschaften der dünnen
Schicht werden dabei aus den Eigenschaften eines an der Probe reflektierten
Lichtstrahls ermittelt.
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Bei der Mehrzahl der eingesetzten
Systeme wird die Strahlung durch fokussierende Abbildung auf die Wafer-Oberfläche gerichtet.
Der auf die Wafer-Oberfläche
abgebildete Messfleck hat dabei eine Größe im Bereich von einigen Mikrometern,
z.B. 10 μm.
Die Fokussierung des Messstrahls in einen mikroskopischen Bereich
wird verwendet, um auf Flächen
homogenen Materials in kleinen Strukturen strukturierter Wafer-Oberflächen messen
zu können.
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Der Vorteil dieser mikroskopisch
lokal messenden Systeme besteht darin, dass in den kleinen Strukturen
eine lokal definierte homogene Materialfläche zum Messsignal beiträgt und die
Messung damit eindeutig die Eigenschaften einer lokal definierten
Struktur wiedergibt.
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Der Nachteil besteht darin, dass
aus Gründen
der Messzeit nur einige wenige Flächen auf einem Wafer und nur
einige wenige Wafer einer Wafer-Kassette oder eines Substratzuführmoduls
gemessen werden können.
Von den Spezifikationen abweichende Eigenschaften der dünnen Schicht
in anderen als den stichprobenartig verteilten Messflächen oder
Wafern können
so nicht ermittelt werden. Insbesondere für die moderne Prozesskontrolle
hoher Technologieniveaus (Advanced Process Control, APC) ist aber
die lückenlose Überwachung
der Prozessschritte durch Metrologie von möglichst allen Wafern sowie
der gesamten Waferoberfläche
wünschenswert.
Außerdem
bedürfen
mikroskopische Systeme einer recht aufwendigen Automatisierung, da
die mikroskopisch kleinen Messfelder genau zum fokussierten Strahl (Lichtstrahl)
positioniert werden müssen,
wie zentrische und rotatorische Vorausrichtung des Wafers mit nachfolgender
Feinausrichtung durch automatische Bilderkennung und Koordinatentransformation.
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Eine andere Art von Meßsystemen
fokussiert die Strahlung nicht in einen kleinen Bereich, sondern
erzeugt über
einen größeren, makroskopischen
Bereich verteilte Messsignale. Solche Systeme werden auch als Wafer-Imaging-Systeme oder
Wafer-Scanner bezeichnet. Der Vorteil dieser Systeme ist die Messsignalgewinnung
aus einem wesentlich größeren Wafer-Bereich
in wesentlich geringerer Zeit. Der Nachteil besteht in der geringeren
Messgenauigkeit sowie der möglicherweise
eintretenden Mittelung der gemessenen Eigenschaften über verschiedene
Materialflächen.
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Es ist besonders vorteilhaft, wenn
die Vorrichtung zur Dünnschichtmetrologie
von Halbleitersubstraten aus mindestens einem Kassettenelement für die Halbleitersubstrate
und einer ersten Messeinheit für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
besteht. Zwischen dem Kassettenelement für die Halbleitersubstrate und
der Messeinheit für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
ist ein Transportmechanismus vorgesehen. Hinzu kommt, dass im Bereich
des Transportmechanismus nach dem Kassettenelement und vor der Messeinheit
für die
Mikro-Dünnschichtmetrologie
eine Messeinheit für
die Makro-Dünnschichtmetrologie
vorgesehen ist.
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Die gesamte Vorrichtung für die Dünnschichtmetrologie
von Halbleitersubstraten ist von einem Gehäuse umschlossen, wobei das
Gehäuse
eine Grundfläche
definiert.
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Es ist von außerordentlichem Vorteil, dass
die Messeinheit für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
und Messeinheit für
die Makro-Dünnschichtmetrologie
derart im Gehäuse
der Vorrichtung angeordnet ist, dass die Grundfläche nicht größer ist
als die Grundfläche
einer Vorrichtung für
die Dünnschichtmetrologie,
die lediglich eine Messeinheit für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
enthält.
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Die Messeinheit für die Mikro-Dünnschichtmetrologie
umfasst ein Mikro-Photometer
und/oder ein Mikro-Ellipsometer.
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Die Messeinheit für die Makro-Dünnschichtmetrologie
umfasst ein Makro-Photometer.
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In der Vorrichtung für die Dünnschichtmetrologie
sind die Halbleitersubstrate mit dem Feeder zur Zuführung in
die Messeinheit für
die Dünnschichtmetrologie
transportierbar. Auf dem Weg vom Kassettenelement zur Messeinheit
für die
Mikro-Dünnschichtmetrologie
werden die Halbleitersubstrate unter der Messeinheit für die Makro-Dünnschichtmetrologie entlanggeführt. Hierbei
werden die entsprechenden Messwerte aufgenommen.
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Das erfindungsgemäße Verfahren bietet ebenfalls
zahlreiche Vorteile. Zunächst
werden die Halbleitersubstrate aus mindestens einem Kassettenelement
zu einer Messeinheit für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie transportiert.
Hierbei werden die Halbleitersubstrate an bzw. unter der Messeinheit
für die
Makro-Dünnschichtmetrologie
entlanggeführt.
Beim Entlangführen
der Halbleitersubstrate unter der Messeinheit für die Makro-Dünnschichtmetrologie
werden auf den Halbleitersubstraten Messorte bestimmt, die auf Fehler
hindeuten und näher
untersucht werden müssen.
Die Positionen der ermittelten Messorte werden an einen Computer übergeben.
Befindet sich das entsprechende Halbleitersubstrat in der Messeinheit
für die
Mikro-Dünnschichtmetrologie,
werden die von der Messeinheit für
die Makro-Dünnschichtmetrologie
ermittelten Messorte übergeben,
damit die entsprechenden Messorte genauer inspiziert werden können. Das
genauere Inspizieren erfolgt entweder manuell durch den Benutzer
mit einem Mikroskop, oder diese Messorte werden automatisch angefahren,
so dass eine automatische Mikroinspektion erfolgen kann.
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In der Zeichnung ist der Erfindungsgegenstand
schematisch dargestellt und wird anhand der Figuren nachfolgend
beschrieben. Dabei zeigen:
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1 eine
perspektivische Ansicht der Vorrichtung zur Dünnschichtmetrologie, wobei
ein Einblick in das Innere der gesamten Vorrichtung möglich ist;
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2 eine
Draufsicht auf die erfindungsgemäße Vorrichtung,
wobei die wesentlichen Teile im Inneren der Vorrichtung schematisch
dargestellt sind,
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3 ein
Halbleitersubstrat in der Draufsicht, das in die verschiedenen Dies
unterteilt ist;
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4 ein
Messergebnis an dem Halbleitersubstrat mit einer Messeinheit für die Makro-Dünnschichtmetrologie,
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5 einen
schematischen Vergleich zwischen einem konventionellen Messverfahren
mit der Messeinheit für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
alleine und dem Verfahren, bei dem in einem Gehäuse die Messeinheit für die Mikro-Dünnschichtmetrologie mit der
Messeinheit für
die Makro-Dünnschichtmetrologie
kombiniert ist, und
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6 eine
Zuordnung eines in der Messeinheit für die Makro-Dünnschichtmetrologie
bestimmten Messortes zu einem entsprechenden Messort in der Messeinheit
für die
Mikro-Dünnschichtmetrologie.
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1 zeigt
eine perspektivische und schematische Ansicht der Vorrichtung 1 zur
Dünnschichtmetrologie,
die die spezifischen Vorteile des Verfahrens für die mikroskopische Untersuchung
und des Verfahrens für
die makroskopische Untersuchung in einem einzigen Messgerät kombiniert
Somit steht eine qualitativ höherwertige
Metrologielösung
für den
Anwender zur Verfügung.
Die Darstellung zeigt die prinzipielle erfindungsgemäße Methodik
an einem Gerät,
wie es für
die 200mm-Wafer-Metrologie typisch ist. Daraus ergeben sich jedoch
keine Beschränkungen
hinsichtlich anderer Geräteformen
oder Anordnungsvarianten, insbesondere Geräte betreffend, die für die 300mm-Wafer-Metrologie
verwendet werden. Die im folgenden angeführten Teile des Gerätes gelten
dann entsprechend. Die Vorrichtung 1 besteht aus einem Gehäuse 11,
das eine Grundfläche 12 definiert.
Dem Gehäuse 11 der
Vorrichtung 1 ist mindestens ein Kassettenelement 3 zugeordnet. Über das
Kassettenelement 3 werden Halbleitersubstrate in die Vorrichtung 1 eingeführt, um
an den Halbleitersubstraten die entsprechenden Messungen bzw. Untersuchungen
auszuführen.
Das Gehäuse 11 der
Vorrichtung 1 ist mit einem Display 13 versehen, über das
der Benutzer Informationen und Daten über die verschiedenen Messvorgänge erhält. Ebenso
ist am Gehäuse 11 ein
Eingabemittel 14 vorgesehen, über das der Benutzer entsprechende
Eingaben hinsichtlich des Verfahrensablaufs und der einzelnen Prozessschritte
durchführen
kann. Im Inneren umfasst die Vorrichtung 1 einen Computer 15,
eine Messeinheit 5 für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
und mindestens eine Messeinheit 9 für die Makro-Dünnschichtmetrologie.
Die Messeinheit 5 für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
ist im Wesentlichen im Bereich des Displays 13 und der
Tastatur 14 angeordnet. Die mindestens eine Messeinheit 9 für die Makro-Dünnschichtmetrologie
ist im Wesentlichen im Bereich zwischen dem Kassettenelement 3 und
der Messeinheit 5 für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
vorgesehen. Die Messeinheit 9 für die Makro-Dünnschichtmetrologie
ist zusammen mit der Messeinheit 5 für die Mikro-Dünnschichtmetrologie
derart in der Vorrichtung 1 integriert, dass makroskopische
Messungen auf den Halbleitersubstraten in einem Kassettenelement 3 durchgeführt werden
können,
während
ein oder mehrere andere Wafer der Kassette bereits mikroskopisch
vermessen werden. Die wesentlich schnellere und örtlich umfassendere makroskopische
Messung kann dabei zu einer Vorauswahl der Halbleitersubstrate dienen,
die einer weiteren mikroskopischen Messung in der Messeinheit 5 für die Mikro-Dünnschichtmetrologie unterzogen
werden müssen.
Diese Vorauswahl ist deshalb möglich,
weil örtliche
Inhomogenitäten
für die
meisten Prozesse der Dünnschicht-Abscheidung
nicht nur mikroskopisch sind, sondern stetig im Bereich von Zentimetern
auftreten.
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2 zeigt
die Vorrichtung 1 in der Draufsicht, wobei die wesentlichen
Bestandteile innerhalb des Gehäuses 11 der
Vorrichtung 1 schematisch dargestellt sind. Wie bereits
in der Beschreibung zu 1 erwähnt, besteht
die Vorrichtung 1 aus einem Gehäuse 11, das eine Grundfläche 12 definiert.
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Dem Gehäuse 11 ist mindestens
ein Kassettenelement 3 zugeordnet. Im Inneren der Vorrichtung 1 ist ein
Transportmechanismus 7 vorgesehen, der die Halbleitersubstrate
von dem mindestens einen Kassettenelement 3 zu der Messeinheit 5 für die Mikro-Dünnschichtmetrologie
transportiert bzw. überführt. Auf
dem Weg vom Kassettenelement 3 zu der Messeinheit 5 für die Mikro-Dünnschichtmetrologie
ist mindestens eine Messeinheit 9 für die Makro-Dünnschichtmetrologie
vorgesehen. Die Anordnung der Messeinheit 9 für die Makro-Dünnschichtmetrologie
ist derart ausgeführt,
dass die zu transportierenden Halbleitersubstrate an bzw. unter
der Messeinheit 9 für
die Makro-Dünnschichtmetrologie
vorbei transportiert werden. Die Messeinheit 9 für die Makro-Dünnschichtmetrologie
ist z. B. in Form eines Scanners ausgebildet, der eine Lichtzeile
auf die Oberfläche
des Halbleitersubstrates projiziert und das reflektierte Licht in
entsprechender Weise auswertet. Das gescannte Bild des Halbleitersubstrats
enthält
Reflektivitätsdaten
von der gesamten Oberfläche
des Halbleitersubstrats. Anhand dieser Daten können dann entsprechende Informationen
gewonnen werden, die auf Messorte hindeuten, die genauer mit einer
Messeinheit 5 für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
untersucht werden müssen.
Die von der Messeinheit 9 für die Makro-Dünnschichtmetrologie
gewonnenen Daten werden dem in der Vorrichtung 1 vorgesehenen
Computer zugeführt,
der diese Daten dann zur automatischen Ansteuerung der gefundenen
Messorte in der Messeinheit 5 für die Mikro-Dünnschichtmetrologie
verwendet. Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung
ist es somit möglich,
sowohl die Mikroinspektion als auch die Makroinspektion in einer
Vorrichtung durchführen
zu können,
ohne dabei die Halbleitersubstrate von einer Vorrichtung zur anderen
extern transportieren zu müssen.
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3 ist
eine schematische Ansicht eines Halbleitersubstrats 16,
das sich in einer Kassette 17 befindet. Die Kassette 17 dient
dazu, das Halbleitersubstrat 16 in der Vorrichtung 1 für die Dünnschichtmetrologie zu
handhaben bzw. zu transportieren. Die Kassetten 17 für die Halbleitersubstrate 16 sind
in dem Kassettenelement 3 unabhängig voneinander gestapelt
und können
einzeln von dem in der Vorrichtung 1 für die Dünnschichtmetrologie vorgesehenen
Transportmechanismus 7 entnommen werden. Auf dem Halbleitersubstrat 16 sind
entsprechend Dies 18 strukturiert. In der Vorrichtung 1 für die Dünnschichtmetrologie
geht es nun darum, die auf dem Halbleitersubstrat 16 strukturierten
Dies und die auf dem Halbleitersubstrat 16 aufgebrachten
dünnen
Schichten auf deren Qualität
hin zu untersuchen. Dabei ist es besonders wichtig, dass man von
dem Halbleitersubstrat 16 eine schnelle Übersicht
erhält
und eine detaillierte Untersuchung von bestimmten Messpunkten durchführen kann.
Dabei beschränkt
sich die detaillierte Untersuchung von den bestimmten Messpunkten auf
eine Mikro-Dünnschichtmetrologie.
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4 zeigt
die bildliche Darstellung eines Halbleitersubstrates 16 in
der Kassette 17, wobei das Halbleitersubstrat 16 in
der Messeinheit 9 für
die Makro-Dünnschichtmetrologie
vermessen wurde. In der Messeinheit 9 für die Makro-Dünnschichtmetrologie
werden die Dicken von durchscheinenden Filmen gemessen, die auf
dem Halbleitersubstrat 16 aufgebracht sind. Die gemessenen
Dicken werden in unterschiedlichen Grauabstufungen bzw. unterschiedlichen
Farben auf dem Display 13 der Vorrichtung 1 dargestellt.
In 4 sind die unterschiedlichen
Dicken der auf dem Halbleitersubstrat 16 aufgebrachten
dünnen
Schichten in verschiedenen Grauabstufungen 19 dargestellt.
Die Vorrichtung 1 zur Dünnschichtmetrologie
kann nun folgendermaßen
ausgestattet sein, dass die Koordinaten derjenigen Messorte auf
dem Halbleitersubstrat 16 dem Computer 15 zugeführt werden,
die einen gewissen Schwellwert hinsichtlich der Grauabstufung bzw.
hinsichtlich der Farbgebung überschreiten.
Diese Messorte werden dann in der Messeinheit 5 für die Mikro-Dünnschichtmetrologie angefahren
und genauer hinsichtlich der möglichen
Fehler untersucht.
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5 zeigt
beispielhaft den Vergleich zwischen einer Vorrichtung, die lediglich
für die
Mikro-Dünnschichtmetrologie
geeignet ist und einer Vorrichtung 1 für die Dünnschichtmetrologie, die sowohl
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
als auch die Makro-Dünnschichtmetrologie
in einer einzigen Vorrichtung kombiniert. Dabei gilt es, auf jedem
Halbleitersubstrat 16 fünf
Punkte 20 zu untersuchen. Die fünf Punkte 20 sind
in jeweils fünf
verschiedene Dies 18 verteilt. Aus der in 5 dargestellten Kombination aus einer
Messeinheit 5 für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
und der Messeinheit 9 für
die Makro-Dünnschichtmetrologie
ist ersichtlich, dass während
der Messung in der Messeinheit 5 für die Dünnschichtmetrologie parallel
dazu Halbleitersubstrate 16 in der Messeinheit 9 für die Makro-Dünnschichtmetrologie
vermessen werden können.
Dies ist von besonderem Vorteil, da die Messung in der Messeinheit 5 für die Mikro-Dünnschichtmetrologie
einige Minuten dauern kann, so dass mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung 1 ein
deutlicher Zeitgewinn erreicht werden kann. Werden z. B., wie in 5 dargestellt, drei Halbleitersubstrate 16 mit
jeweils fünf
anzufahrenden Messpunkten 20 in der Messeinheit 5 für die Dünnschichtmetrologie
vermessen, so können
aufgrund der erfindungsgemäßen Vorrichtung
parallel dazu neun Halbleitersubstrate 16 in der Messeinheit 9 für die Makro-Dünnschichtmetrologie
vermessen werden. Somit erhält
man bei dem gleichen Durchsatz von Halbleitersubstraten 16 in
der Messeinheit 5 für
die Dünnschichtmetrologie
wesentlich mehr Daten, da parallel hierzu Daten in der Messeinheit 9 für die Dünnschichtmetrologie
gewonnen werden.
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Tabelle 1 zeigt die Anzahl der zusätzlichen
Messungen in der Messeinheit
9 für die Makro-Dünnschichtmetrologie,
die parallel zu den Messungen an den Halbleitersubstraten in der
Messeinheit
5 für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
durchgeführt
werden können.
Tabelle
1: Anzahl der zusätzlichen
Messungen in der Messeinheit 9 für
die Makro-Dünnschichtmetrologie
bei einer bestimmten Anzahl von Messpunkten, die in der Messeinheit
5 für die
Mikro-Dünnschichtmetrologie
angefahren und vermessen werden müssen.
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6 zeigt
schematisch die Zuordnung eines in der Messeinheit 9 für die Makro-Dünnschichtmetrologie
bestimmten Messortes 22 zu einem entsprechenden Messort 24 in
der Messeinheit 5 für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie.
In der Messeinheit 9 für
die Makro-Dünnschichtmetrologie
wird auf dem Halbleitersubstrat 16 der Messort 22 gefunden,
an dem ein gewisser Schwellwert hinsichtlich der Dickenschwankungen
der auf dem Halbleitersubstrat 16 aufgebrachten dünnen Schichten überschritten
wird. Die entsprechenden X-Koordinaten und Y-Koordinaten des Messpunktes 22 werden
bestimmt und an den Computer 15 übertragen. Es ist für einen
Fachmann selbstverständlich,
dass der Messpunkt 22 eine gewisse flächige Ausdehnung besitzen kann,
die ebenfalls an den Computer 15 übermittelt wird. Von dem Computer 15 werden
die entsprechenden Daten des Messpunktes 22, der in der
Messeinheit 9 für
die Makro-Dünnschichtmetrologie
gefunden worden ist, an die Messeinheit 5 für die Mikro-Dünnschichtmetrologie übertragen.
Das Halbleitersubstrat 16 wird in der Messeinheit 5 die
Dünnschichtmetrologie
entsprechend ausgerichtet, damit auch der in der Messeinheit 9 für die Makro-Dünnschichtmetrologie
gefundende Messort 22 wieder auffindbar ist. Die Ausrichtung
kann zum einen derart durchgeführt
werden, dass das Halbleitersubstrat 16 in der Messeinheit 9 für die Makro-Dünnschichtmetrologie
in der Messeinheit 5 für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
die gleiche Aussrichtung besitzen. Weicht die Ausrichtung des Halbleitersubstrats 16 in
der Messeinheit 5 für
die Dünnschichtmetrologie
von der Ausrichtung des Halbleitersubstrates 16 in der
Messeinheit 9 für
die Makro-Dünnschichtmetrologie
ab, so kann der Messort 24 in der Messeinheit 5 für die Mikko-Dünnschichtmetrologie
durch eine geeignete Koordinatentransformation aufgefunden werden.
In der Messeinheit 5 für
die Mikro-Dünnschichtmetrologie
erfolgt die hochgenaue und präzise
Messung mittels eines Mikro-Photometers und/oder eines Mikro-Ellipsometers.
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- 1
- Vorrichtung
- 3
- Kassettenelement
- 5
- erste
Messeinheit
- 7
- Transportmechanismus
- 9
- zweite
Messeinheit
- 11
- Gehäuse
- 12
- Grundfläche
- 13
- Display
- 14
- Eingabemittel
- 15
- Computer
- 16
- Halbleitersubstrat
(Wafer)
- 17
- Kassette
- 18
- Dye
- 19
- Grauabstufung
- 20
- Punkte
- 22
- Messpunkt
(Makro)
- 24
- Messpunkt
(Mikro)
