JP2007157575A - 電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法及びそのシステム、並びに写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】帯電電子ビームを照射する帯電装置と、近傍に電位分布が形成された検査領域に写像投影電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出する検出手段と、該検出手段で検出したミラー画像信号を処理して欠陥を検出する欠陥検出手段とを備えた写像投影型欠陥検査装置であって、前記帯電電子ビームの照射条件を最適化する照射条件最適化手段を備えることを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
また、本発明は、前記条件出し過程に用いられる電子線検査装置は、写像投影型電子線検査装置又はマルチビーム型電子線検査装置又はSEM装置で構成されることを特徴とする。
また、本発明は、前記条件出し過程において、前記欠陥部の位置情報を、帯電させた状態で電子ビームを照射して2次電子又は反射電子を検出器で検出して得られるミラー画像を基に取得することを特徴とする。
また、本発明は、前記欠陥検査過程に用いられる欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置は、半導体製造ラインの中に組み込まれたインラインの複数の欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置で構成され、前記条件出し過程で決められた前記プリチャージ条件、又は前記ミラー画像の検出条件若しくは前記画像処理条件がインラインの複数の欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置に提供されることを特徴とする。
本発明に係る条件出しを含めた写像投影型又はマルチビーム型電子線式パターン欠陥検査方法及びそのシステム構成の第1の実施の形態について図1を用いて説明する。
本発明に係る条件出しを含めた写像投影型又はマルチビーム型の電子線式パターン欠陥検査方法及びそのシステム構成の第2の実施の形態について図2を用いて説明する。
次に、本発明に係る欠陥検査及び条件出しに用いる電子線式検査装置(検査機)1000、1010の第1の実施例である写像投影型(MPJ型(SEPJ型も含む))検査機(電子線式検査装置)10aについて図3及び図4を用いて説明する。MPJ型電子線式検査装置は面状電子線(面状の電子ビーム)を照射する写像投影によるミラー電子を検出する方式であり、SEPJ型電子線式検査装置は面状電子線(面状の電子ビーム)を照射する写像投影による2次電子を検出する方式である。図3は、本発明に係る電子線式検査装置の第1の実施例の構成を示す。第1の実施例は、大別して電子照射光学系11と、試料室12と、電子結像光学系13と、画像処理部14と、各種制御部(照射系偏向器105と結像系偏向器110とを制御する走査制御部151、対物レンズ106と焦点補正コイル1(119)と焦点補正コイル2(120)とを制御する焦点位置制御部152、ステージ108を制御するステージ制御部153、及び電源(電界発生手段)109を制御する電位制御部154を有する。)15と、各種制御部15及び画像処理部14等の全体を制御する全体制御部16とから構成される。
ここで、r0は入射角の拡がりで決まる分解能、βは最大入射半角、Zmは電子を引き戻す電界が生じている距離である。
α=X/(2f) (3)
(2)式及び(3)式から、例えば対物レンズ106の焦点距離fが10mmで面状ビーム310の大きさXを40μmとしたときは、クロスオーバの位置ずれΔfが10mm程度ずれても問題ない。これを前焦点面でのビーム直径に換算すると約40μmとなる。いずれにしろ、写像投影電子ビームのクロスオーバを対物レンズ106の前焦点面の近傍に配置させることで十分な分解能が得られることが分かる。
次に、本発明に係る欠陥検査及び条件出しに用いる電子線式検査装置(検査機)1000、1010の第2の実施例であるマルチビーム型電子線式検査装置10bについて図6を用いて説明する。マルチビーム型電子線式検査装置はマルチ電子ビーム(複数の点状の電子ビーム)を照射する写像投影による2次電子又は反射電子を検出する方式である。該第2の実施例において、上記第1の実施例と相違する点は、マルチビームを形成する光学系と、マルチビーム125の照射によって試料の表面乃至近傍からの2次電子又は反射電子を検出する検出光学系及び検出器とにある。マルチピームを形成する光学系としては、アパーチャアレイ122とレンズアレイ123とを備えた点である。検出器としては、マルチ検出器126によって構成した点である。なお、図6においては、マルチ検出器126が2次電子を検出する構成を示す。
本発明に係る欠陥位置情報を取得し、条件出しするMSEM兼用のSEM1020についての第3の実施例について図7を用いて説明する。該第3の実施例において、即ち、図3及び図6に示すものと同一の符号のものは同じものとする。なお、絞り103'は、条件出し用電子線ビームスポット128を照射するため、スポット状開口を有して構成される。さらに、試料107からの2次電子又は反射電子を検出器121で検出するように構成される。
次に、図1(b)に示す本発明に係る写像投影型又はマルチビーム型検査機1010による条件出し処理(S200)、及び写像投影型又はマルチビーム型検査機1000による欠陥検査の処理(S300)である第4の実施例について図8を用いて具体的に説明する。
次に、図1(b)に示す本発明に係る写像投影型又はマルチビーム型検査機1010による条件出しの処理(S200)、及び写像投影型又はマルチビーム型検査機1000による欠陥検査の処理(S300)である第5の実施例について図9を用いて具体的に説明する。図9(a)に示すように、該第5の実施例の条件出しにおいて、第4の実施例の条件出しと相違する点は、投入される条件出し用の半導体ウエハ107aとして、SEM1020において検出されて位置情報が取得された欠陥部を有するものを用い、しかもステップS212において欠陥部の位置情報をSEM1020から取得し、画像検出S207’において欠陥部のミラー画像を検出し、最適性評価S208’において欠陥部の検出性能、例えば顕在化できる濃淡差(差画像)としての欠陥部を検出できる最適性を評価する点にある。第5の実施例によれば、最適性の評価において、欠陥部の検出性能に影響を及ぼす、少なくとも帯電用電子ビームの照射条件であるプリチャージ条件の最適性について評価して決定することが可能である。また、第5の実施例によれば、最適性の評価において、欠陥部の検出性能に影響を及ぼす、他の検出条件(結像位置(フォーカス条件)、写像投影又はマルチの電子ビーム等の倍率/電流量/サンプリングレート/視野等)および画像処理条件(例えば欠陥判定しきい値)の最適性も評価することが可能であるため、例えばSEM1020においてSEM画像を基に事前に検出した欠陥が、写像投影型又はマルチビーム型検査機1000で検出できるように、検査用条件の設定部168において上記検出条件及び画像処理条件を設定することが可能となる。なお、条件出しの際、最適性の評価をするために、欠陥検査をするときに比べて解像度を高めることが必要である。そのため、解像度の点で上記検出条件は異なることになる。
次に、本発明に係る図1(b)及び図2(b)に示す前処理S100としてのSEM1020による欠陥位置情報取得のための処理フローである第6の実施例を図10を用いて説明する。即ち、SEM1020としては、図7に示す構成のSEMを用いるものとする。まず、回路パターンが形成され、欠陥を有する条件出し用の半導体ウエハ107aがSEM1020に投入される(S101)。次に、全体制御部16の帯電用電子ビーム照射条件設定部166で帯電用電子ビームの照射条件が設定される(S102)。次に、上記半導体ウエハに形成されたアライメント用マークを用いてSEMに設けられたアライメント光学顕微鏡(図示せず)によりアライメントを実行する(S103)。次に、検査領域設定部169で上記半導体ウエハのCAD情報や概略欠陥位置情報を基に検査領域を設定する(S104)。次に、全体制御部16は、該設定された検査領域の先頭位置にステージ108を移動し(S105)、試し検査領域のスキャンを開始する(S106)。そして、帯電・除電制御装置131の帯電装置1310により、帯電用電子ビームを試し検査領域に照射して帯電させる(S107)。次に、焦点合せ制御しながら、上記試し検査領域に電子照射光学系11により電子ビーム128を照射し(S108)、検出器121から例えば2次電子を検出して検査画像を検出して画像処理部14の画像メモリ143に入力する(S109)。次に、欠陥判定部145は、上記画像メモリ143に記憶された検査画像信号と画像メモリ144に記憶された参照画像信号とを比較して濃淡差(差画像)を基に欠陥を検出して主制御部16に送信する(S110)。主制御部16は、該欠陥検出信号を基に位置情報を抽出して記憶装置163に記憶する(S111、S112)と共に条件出しを写像投影による検査機1010で行う場合には該検査機1010に送信することになる(S112)。以上により、条件出し半導体ウエハ107aにおける多数の欠陥部が存在する情報及び該多数の欠陥部の位置情報がSEM1020を用いて取得されることになる。
次に、図2(b)に示す本発明に係るMSEM1020による条件出し処理(S400)、及び写像投影型又はマルチビーム型検査機1000による欠陥検査の処理(S300)である第7の実施例について図11を用いて具体的に説明する。
本発明に係る写像投影型又はマルチビーム型検査機(特にMPJ型(SEPJ型も含む)検査機)におけるアライメントについての第8の実施例について図12を用いて説明する。即ち、ミラー像の視野は0.1mmオーダであり、光学顕微鏡による低倍プリアライメントとの組合せが必須である。そのため、試料107のアライメントは、光学顕微鏡(図示せず)による低倍プリアライメントとミラー画像による高倍アライメントの2段階で行う。回路パターンと検出画像との位置関係を正確に設定するために、レシピ設定と同じくミラー画像をジャストフォーカス(試料107の表面を合焦点にする。)で検出して用いる。
本発明に係る写像投影型又はマルチビーム型検査機における検査領域設定部169での検査領域設定の第9の実施例について図13及び図14を用いて説明する。
本発明に係る写像投影型又はマルチビーム型検査機の第10の実施例について図15及び図16を用いて説明する。図15は、写像投影型検査機1000、1010の第10の実施例を示したものである。第16(a)、(b)はステージを高速で1スキャンによってプリチャージ、ミラー像検出、ディスチャージを行う説明図である。第10の実施例において、図3に示す第1の実施例及び図6に示す第2の実施例との相違点は、写像投影型又はマルチビーム型検査機1000、1010において照射ビーム310、125の両側に帯電装置1310及び除電装置1320を有する帯電・除電制御装置131に設け、ステージ108を高速で一方向に1スキャンする間に帯電、ミラー像検出(観察)、除電を行うように構成した点である。このように構成することによって、図16に示すように、条件出し用半導体ウエハを含めて半導体ウエハ107を高速で連続的に一方向に移動させることによって、検査領域に、帯電電子ビームの照射による帯電、写像投影又はマルチの電子ビームの照射によるミラー像検出、除電ビーム照射による除電とを行うことが可能となる。
本発明に係る条件出し用写像投影型又はマルチビーム型検査機の動作フロー(ステージ走査型)の第11の実施例について図17を用いて説明する。欠陥部を有する条件出し用ウエハ107aを条件出し用写像投影型又はマルチビーム型検査機1010に投入する。そして、ステージ108を移動させながら、帯電させていない状態で写像投影又はマルチの電子ビームを照射してSEM像を検出し、該検出されたSEM像に基づいて複数の欠陥部を検出する(S220)。該SEM像に基づいて欠陥部を検出することは予めSEM1020を用いて行っても良い。以上が準備段階である。
本発明に係る条件出し用写像投影型又はマルチビーム型検査機の動作フロー(ステップ&リピート型)の第12の実施例について図18を用いて説明する。該第12の実施例において、第11の実施例と相違する点は、ステージ108をステップ&リピートさせるために、そのステージ移動ステップ(S232)と(S234)とが入り、欠陥を指定するためにステップS233は指定欠陥の検査となり、ステップS234(S207’)は欠陥指定のミラー画像検出となり、ステップS236は次の欠陥へとなる。
11…電子照射光学系、12…試料室、13…電子結像光学系、14…画像処理部、15…各種制御部、16…全体制御部、101…電子源、102、121…コンデンサレンズ、103…絞り、103'… 絞り、104…ビームセパレータ、105…照射系偏向器、106…対物レンズ、107…試料(半導体ウエハ)、107a…条件出し用試料(半導体ウエハ)、108…ステージ、109…電源(電界発生手段)、110…結像系偏向器、111…結像レンズ、112…コントラストアパーチャ、113…拡大レンズ、114…蛍光板、115…光ファイバ束、116…TDI等のラインセンサ部、117…光学式高さ検出センサ、119…焦点補正コイル1、120…焦点補正コイル2、122…アパーチャアレイ、123…レンズアレイ、126…マルチ検出器、128…条件出し用電子線ビームスポット、
131…帯電・除電制御装置、141…合焦測度算出部、142…焦点位置算出部、143…画像メモリ、144…画像メモリ、145…欠陥判定部、151…走査制御部、152…焦点位置制御部、153…ステージ制御部、154…電位制御部、161…入力手段、162…表示装置(デイスプレイ)、163…記憶装置、165…条件出し用領域設定部、166…帯電用電子ビーム照射条件設定部、167…最適性評価部、168…レシピ調整用条件及び検査用条件の設定部、169…検査領域設定部、200…検出器、
310…写像投影(面状)電子ビーム、320…等電位面、331…負帯電欠陥(凸状欠陥)、332…正帯電欠陥(凹状欠陥)、341…フォーカス位置、342…フォーカス位置、
1020…条件出し用MSEM兼用SEM装置又は単なるSEM装置、1010…条件出し用写像投影型又はマルチビーム型検査機、1000、1000a〜1000c…複数のインラインの写像投影型又はマルチビーム型検査機、1030…ネットワーク、
1091…制御電極、1310…帯電装置、1312…電源、1311…面状の電子源、1313…電源、1314…引き出し電極、1320…除電装置、1322…高圧電源、1321…電極針、1323…グランド板。
Claims (25)
- 条件出し用電子線検査装置を用いて、欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置における回路パターンが形成された欠陥検査用試料に対する少なくとも帯電電子ビームの照射条件であるプリチャージ条件を決める条件出し過程と、
欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置を用いて、前記条件出し過程において決められたプリチャージ条件で帯電用電子ビームを前記欠陥検査用試料上の検査領域に照射して該検査領域を帯電させて該検査領域近傍に電位分布を形成する帯電ステップと、該帯電ステップにより電位分布が形成された検査領域に写像投影又はマルチの電子ビームを照射することにより前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出器で検出してミラー画像信号に変換する検出ステップと、該検出ステップにおいて変換されたミラー画像信号を処理することにより欠陥を検出する欠陥検出ステップとを有する欠陥検査過程とを有するパターン欠陥検査方法であって、
前記条件出し過程は、帯電電子ビームを、回路パターンが形成された条件出し用試料上の条件出し用領域に照射して帯電させて条件出し用領域近傍に電位分布を形成する帯電ステップと、該帯電ステップで電位分布が形成された条件出し用領域に条件出し用電子ビームを照射することにより前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出器で検出してミラー画像信号に変換する検出ステップと、その後前記条件出し用領域を除電する除電ステップとを、前記帯電ステップにおける前記帯電電子ビームの照射条件を変えながら複数回繰り返し、前記検出ステップから逐次変換されたミラー画像信号に基づき最適性を評価して、前記欠陥検査過程における少なくとも前記プリチャージ条件を決めることを特徴とする電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法。 - 前記条件出し過程において、前記検出ステップから逐次変換されたミラー画像信号に基づき最適性を評価して、前記欠陥検査過程における前記検査領域への前記写像投影又はマルチの電子ビームの照射条件を含むミラー画像としての検出条件又は欠陥を検出する画像処理条件を決定することを特徴とする請求項1記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法。
- 条件出し用電子線検査装置を用いて、欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置における回路パターンが形成された欠陥検査用試料に対する少なくとも帯電電子ビームの照射条件であるプリチャージ条件を決める条件出し過程と、
欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置を用いて、前記条件出し過程において決められたプリチャージ条件で帯電用電子ビームを前記試料上の検査領域に照射して該検査領域を帯電させて該検査領域近傍に電位分布を形成する帯電ステップと、該帯電ステップにより電位分布が形成された検査領域に写像投影又はマルチの電子ビームを照射することにより前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出器で検出してミラー画像信号に変換する検出ステップと、該検出ステップにおいて変換されたミラー画像信号を処理することにより欠陥を検出する欠陥検出ステップとを有する欠陥検査過程とを有するパターン欠陥検査方法であって、
前記条件出し過程は、帯電電子ビームを、欠陥部を有する条件出し用試料上の欠陥部に照射して帯電させて欠陥部近傍に電位分布を形成する帯電ステップと、該帯電ステップで電位分布が形成された欠陥部に条件出し用電子ビームを照射することにより前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出器で検出してミラー画像信号に変換する検出ステップと、その後前記条件出し用領域を除電する除電ステップとを前記帯電ステップにおける前記帯電電子ビームの照射条件を変えながら複数回繰り返し、前記検出ステップから逐次変換されたミラー画像信号の欠陥部の検出性能を基に最適性を評価して、前記欠陥検査過程における少なくとも前記プリチャージ条件を決めることを特徴とする電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法。 - 前記条件出し過程において、前記検出ステップから逐次変換されたミラー画像信号の欠陥部の検出性能を基に最適性を評価して、前記欠陥検査過程における前記検査領域への前記写像投影又はマルチの電子ビームの照射条件を含むミラー画像としての検出条件又は欠陥を検出する画像処理条件を決定することを特徴とする請求項3記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法。
- 前記条件出し過程に用いられる電子線検査装置は、写像投影型電子線検査装置又はマルチビーム型電子線検査装置又はSEM装置で構成されることを特徴とする請求項1または3記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法。
- 前記条件出し過程において、前記欠陥部の位置情報を、帯電させた状態で電子ビームを照射して2次電子又は反射電子を検出器で検出して得られるミラー画像を基に取得することを特徴とする請求項3または4記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法。
- 前記欠陥検査過程に用いられる欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置は、半導体製造ラインの中に組み込まれたインラインの複数の欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置で構成され、前記条件出し過程で決められた少なくとも前記プリチャージ条件がインラインの複数の欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置に提供されることを特徴とする請求項1または3記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法。
- 前記欠陥検査過程に用いられる欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置は、半導体製造ラインの中に組み込まれたインラインの複数の欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置で構成され、前記条件出し過程で決められた前記ミラー画像の検出条件又は前記画像処理条件がインラインの複数の欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置に提供されることを特徴とする請求項2または5記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法。
- 前記欠陥検査過程の前記検出ステップにおいて、前記写像投影又はマルチの電子ビームによる照射条件を含むミラー画像としての検出条件を検査用条件として設定する検査用条件設定ステップを含むことを特徴とする請求項1または3記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法。
- 前記条件出し過程の前記検出ステップにおいて、前記条件出し用電子ビームによる照射条件を含むミラー画像としての検出条件をレシピ調整用条件として設定するレシピ調整用条件設定ステップを含むことを特徴とする請求項1または3記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法。
- 欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置を用いて、試料上の検査領域を位置決めするアライメントステップと、該アライメントステップで位置決めされた試料上の検査領域に帯電用電子ビームを照射して該検査領域を帯電させて該検査領域近傍に電位分布を形成する帯電ステップと、該帯電ステップにより電位分布が形成され、前記検査領域に写像投影又はマルチの電子ビームを照射することにより前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出器で検出してミラー画像信号に変換する検出ステップと、該検出ステップにおいて変換されたミラー画像信号を処理することにより欠陥を検出する欠陥検出ステップとを有する電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法であって、
前記アライメントステップは、前記試料上に形成された粗位置決め用パターンの画像を光学式顕微鏡により低倍で検出し、該検出された粗位置決め用パターンの画像を基に粗位置決め用パターンの位置を測定する測定ステップと、該測定ステップで測定された粗位置決め用パターンの位置を基に精位置決め用パターンの位置を算出する算出ステップと、該算出ステップで算出された精位置決め用パターンの位置に前記帯電電子ビームを照射して前記精位置決め用パターン近傍を帯電させて該精位置決め用パターン近傍に電位分布を形成する帯電ステップと、該帯電ステップにより電位分布が形成された精位置決め用パターンに前記写像投影又はマルチの電子ビームを照射することにより前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出器で検出して高倍の精位置決め用パターンのミラー画像信号に変換する検出ステップと、該検出ステップで変換された高倍の精位置決め用パターンのミラー画像信号に対応する画像信号と予め登録しておいた基準位置座標を持った辞書パターンとを照合することにより精位置決め用パターンの位置座標を取得する取得ステップと、該取得ステップで取得された精位置決め用パターンの位置座標に基づいて前記検査領域の位置座標を補正して該検査領域を位置決めする補正ステップとを含むことを特徴とする電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法。 - 前記アライメントステップの前記取得ステップにおいて、前記照合する前記精位置決め用パターンのミラー画像信号に対応する画像信号及び前記予め登録しておいた基準位置座標を持った辞書パターンは、試料を帯電させた状態で電子ビームを照射して試料の表面を合焦点状態にして得られるミラー画像信号であることを特徴とする請求項11記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法。
- 欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置を用いて、回路パターンが形成された試料上において設定された欠陥検査用検査領域内の欠陥を検査する電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法であって、
前記欠陥検査用検査領域の設定は、
前記試料上に写像投影又はマルチの電子ビームを照射することにより試料の表面から放出される2次電子又は反射電子を検出器で検出して第一の画像を形成して操作画面に表示し、該表示された操作画面上で検査領域を予備検査領域として設定して記憶し、さらに前記検査領域に除電ビームを照射して除電する予備検査領域設定ステップと、
その後、前記検査領域に帯電電子ビームを照射して前記検査領域を帯電させて電位分布を形成し、該形成された検査領域に写像投影又はマルチの電子ビームを照射して試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出器で検出して第二の画像を形成して該第二の画像を前記操作画面に前記予備検査領域と共に表示して検査領域の修正を行い、該修正した検査領域を欠陥検査用検査領域として設定して記憶する欠陥検出用検査領域設定ステップとを有することを特徴とする電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法。 - 回路パターンが形成された試料上の検査領域に帯電用電子ビームを照射して帯電させて前記検査領域近傍に電位分布を生じせしめる帯電発生手段と、前記近傍に電位分布が形成された検出領域に写像投影又はマルチの電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出する検出手段と、該検出手段で検出したミラー画像信号を処理して欠陥を検出する欠陥検出手段とを備えたパターン欠陥検査装置であって、
予め、前記帯電発生手段によって帯電電子ビームの照射条件を変えながら前記検査領域に照射して帯電させて検査領域の近傍に電界分布を形成し、さらに該電界分布が形成された検査領域に前記電子ビーム照射手段によって写像投影又はマルチの電子ビームを照射した際、前記検出手段によって検出されたミラー画像信号に基づき欠陥検査時における帯電電子ビームの照射条件を最適化する照射条件最適化手段を備えることを特徴とするパターン欠陥検査装置。 - 欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置における回路パターンが形成された欠陥検査用試料に対する少なくとも帯電電子ビームの照射条件であるプリチャージ条件を決める条件出し用電子線検査装置と、
該条件出し用電子線検査装置において決められたプリチャージ条件で帯電用電子ビームを前記欠陥検査用試料上の検査領域に照射して該検査領域を帯電させて該検査領域近傍に電位分布を形成する帯電装置と、該帯電装置により電位分布が形成された検査領域に写像投影又はマルチの電子ビームを照射することにより前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出器で検出してミラー画像信号に変換する電子線照射及び検出光学系と、該電子線照射及び検出光学系において変換されたミラー画像信号を処理することにより欠陥を検出する画像処理部とを有する欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置とを備え、
前記条件出し用電子線検査装置は、帯電装置において照射条件を変えながら帯電電子ビームを逐次条件出し用領域に照射して逐次電位分布を形成し、該逐次電位分布が形成された条件出し用領域に、条件出し用電子ビームを電子線照射及び検出光学系により照射することにより前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出器で検出してミラー画像信号に変換することを繰り返し、該逐次変換されたミラー画像信号に基づき最適性を評価して、前記欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置における少なくとも前記プリチャージ条件を決める手段を備えたことを特徴とする電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査システム。 - 前記条件出し用電子線検査装置において、前記逐次変換されたミラー画像信号における回路パターンの特性を基に最適性を評価して、前記欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置における前記検査領域への前記写像投影又はマルチの電子ビームの照射条件を含むミラー画像としての検出条件又は欠陥を検出する画像処理条件を決定する手段を有することを特徴とする請求項15記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査システム。
- 欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置における回路パターンが形成された欠陥検査用試料に対する少なくとも帯電電子ビームの照射条件であるプリチャージ条件を決める条件出し用電子線検査装置と、
該条件出し用電子線検査装置において決められたプリチャージ条件で帯電用電子ビームを前記欠陥検査用試料上の検査領域に照射して該検査領域を帯電させて該検査領域近傍に電位分布を形成する帯電装置と、該帯電装置により電位分布が形成された検査領域に写像投影又はマルチの電子ビームを照射することにより前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出器で検出してミラー画像信号に変換する電子線照射及び検出光学系と、該電子線照射及び検出光学系において変換されたミラー画像信号を処理することにより欠陥を検出する画像処理部とを有する欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置とを備え、
前記条件出し用電子線検査装置は、帯電装置において照射条件を変えながら帯電電子ビームを逐次欠陥部に照射して逐次電位分布を形成し、該逐次電位分布が形成された欠陥部に、条件出し用電子ビームを電子線照射及び検出光学系により照射することにより前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出器で検出してミラー画像信号に変換することを繰り返し、該逐次変換されたミラー画像信号における欠陥部の検出性能を基に最適性を評価して、前記欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置における少なくとも前記プリチャージ条件を決める手段を備えたことを特徴とする電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査システム。 - 前記条件出し用電子線検査装置において、前記逐次変換されたミラー画像信号の欠陥部の検出性能を基に最適性を評価して、前記欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置における前記検査領域への前記写像投影又はマルチの電子ビームの照射条件を含むミラー画像としての検出条件又は欠陥を検出する画像処理条件を決定する手段を有することを特徴とする請求項17記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査システム。
- 前記条件出し用電子線検査装置は、写像投影型電子線検査装置又はマルチビーム型電子線検査装置又はSEM装置で構成されることを特徴とする請求項15または17記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査システム。
- さらに、前記欠陥部の位置情報を、帯電させた状態で電子ビームを照射して2次電子又は反射電子を検出器で検出して得られるミラー画像を基に取得する装置を有することを特徴とする請求項17または18記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査システム。
- 前記欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置の複数は、半導体製造ラインの中にインラインとして組み込まれて構成され、前記条件出し用電子線検査装置で決められた少なくとも前記プリチャージ条件が前記複数の欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置に提供されることを特徴とする請求項15または17記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査システム。
- 前記欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置の複数は、半導体製造ラインの中にインラインとして組み込まれて構成され、前記条件出し用電子線検査装置で決められた前記ミラー画像の検出条件又は前記画像処理条件が前記複数の欠陥検査用写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置に提供されることを特徴とする請求項15または17記載の電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査システム。
- 試料を載置して移動するステージと、帯電用電子ビームを試料上に照射して検査領域を帯電させて該検査領域近傍に電位分布を形成する帯電装置と、該帯電装置により電位分布が形成された検査領域に写像投影又はマルチの電子ビームを照射することにより前記試料の表面乃至近傍から発生した2次電子又は反射電子を検出器で検出してミラー画像信号に変換する電子線照射及び検出光学系と、該電子線照射及び検出光学系において変換されたミラー画像信号を処理することにより欠陥を検出する画像処理部と、除電ビームを試料上に照射して除電する除電装置とを備えたことを特徴する写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置。
- さらに、前記試料上に形成された粗位置決め用パターンの画像を低倍で検出する光学式顕微鏡を備えたことを特徴とする請求項23記載の写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置。
- 前記写像投影又はマルチの電子ビームを照射する照射領域に対して、前記ステージの進行方向の前及び後に前記帯電装置及び前記除電装置を設けたことを特徴とする請求項23記載の写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置。
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