JP4825469B2 - 半導体デバイスの欠陥レビュー方法及びその装置 - Google Patents
半導体デバイスの欠陥レビュー方法及びその装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4825469B2 JP4825469B2 JP2005227374A JP2005227374A JP4825469B2 JP 4825469 B2 JP4825469 B2 JP 4825469B2 JP 2005227374 A JP2005227374 A JP 2005227374A JP 2005227374 A JP2005227374 A JP 2005227374A JP 4825469 B2 JP4825469 B2 JP 4825469B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- image
- magnification
- reference image
- detected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 300
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 65
- 238000012552 review Methods 0.000 title claims description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 34
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 59
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 41
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 23
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 22
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 21
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000881 depressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Description
Claims (4)
- 半導体デバイスの欠陥を観察する方法であって、
検査装置で検出した半導体デバイス上の欠陥を含む画像を走査型電子顕微鏡を用いて第1の倍率で撮像することにより取得し、
前記取得した第1の倍率の欠陥を含む画像を用いて合成参照画像を作成し、
前記取得した第1の倍率の欠陥を含む画像と前記第1の倍率の欠陥を含む画像を用いて作成した合成参照画像とを比較して欠陥検出処理を行い、
前記欠陥検出処理により欠陥を検出できた場合には欠陥検出処理を終了し、
前記欠陥検出処理により欠陥が検出できなかった場合には、前記欠陥を含む領域のパターンに対応する隣接パターン若しくは隣接チップのパターンまでステージ移動し、前記走査型電子顕微鏡を用いて前記第1の倍率で、前記欠陥を含む領域のパターンに対応する隣接パターン若しくは隣接チップのパターンを撮像して参照画像を取得し、前記取得した第1の倍率の欠陥を含む画像と前記取得した参照画像とを比較して欠陥を検出して欠陥検出処理を終了し、
前記検出した欠陥を前記第1の倍率よりも大きい第2の倍率で撮像すること
を特徴とする半導体デバイスの欠陥レビュー方法。 - 請求項1記載の半導体デバイスの欠陥レビュー方法であって、
前記欠陥検出処理では、前記第1の倍率の欠陥を含む画像と前記合成参照画像とを比較して欠陥候補を抽出し、前記欠陥候補を含む領域における特徴量を算出し、前記特徴量に基づいて欠陥を検出する処理を行うこと
を特徴とする半導体デバイスの欠陥レビュー方法。 - 半導体デバイスの欠陥を観察する装置であって、
半導体デバイスを搭載したステージ手段と、
検査装置で検出した半導体デバイス上の欠陥を含む画像を取得する走査型電子顕微鏡手段と、
前記走査型電子顕微鏡手段を用いて第1の倍率で取得した前記半導体デバイス上の欠陥を含む画像を用いて合成参照画像を作成する参照画像作成手段と、
前記走査型電子顕微鏡手段を用いて第1の倍率で取得した欠陥を含む画像と前記参照画像作成手段で作成した合成参照画像とを比較して欠陥検出処理を行う欠陥検出処理手段と、
前記欠陥検出処理により欠陥が検出できた場合には欠陥検出処理を終了し、前記欠陥検出処理により欠陥が検出できなかった場合には、前記欠陥を含む領域のパターンに対応する隣接パターン若しくは隣接チップのパターンまで前記ステージ手段を移動させ、前記欠陥を含む領域のパターンに対応する隣接パターン若しくは隣接チップのパターンを前記第1の倍率で撮像して参照画像を取得するように前記走査型電子顕微鏡手段を制御する制御手段と、
を有し、
前記欠陥検出処理手段は、前記第1の倍率で取得した欠陥を含む画像と前記合成参照画像との比較による欠陥検出処理により欠陥が検出できなかった場合には、前記制御手段による制御に基づいて前記走査型電子顕微鏡手段により取得された参照画像と前記第1の倍率で取得した欠陥を含む画像とを比較して欠陥を検出し欠陥検出処理を終了すること
を特徴とする半導体デバイスの欠陥レビュー装置。 - 請求項3記載の半導体デバイスの欠陥レビュー装置であって、
前記欠陥検出処理手段は、前記第1の倍率の欠陥を含む画像と前記合成参照画像とを比較
して欠陥候補を抽出し、前記欠陥候補を含む領域における特徴量を算出し、前記特徴量に
基づいて欠陥を検出する処理を行うこと
を特徴とする半導体デバイスの欠陥レビュー装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005227374A JP4825469B2 (ja) | 2005-08-05 | 2005-08-05 | 半導体デバイスの欠陥レビュー方法及びその装置 |
US11/488,636 US7873202B2 (en) | 2005-08-05 | 2006-07-19 | Method and apparatus for reviewing defects of semiconductor device |
US12/986,475 US8581976B2 (en) | 2005-08-05 | 2011-01-07 | Method and apparatus for reviewing defects of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005227374A JP4825469B2 (ja) | 2005-08-05 | 2005-08-05 | 半導体デバイスの欠陥レビュー方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007040910A JP2007040910A (ja) | 2007-02-15 |
JP4825469B2 true JP4825469B2 (ja) | 2011-11-30 |
Family
ID=37717627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005227374A Expired - Fee Related JP4825469B2 (ja) | 2005-08-05 | 2005-08-05 | 半導体デバイスの欠陥レビュー方法及びその装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7873202B2 (ja) |
JP (1) | JP4825469B2 (ja) |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5118872B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-01-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体デバイスの欠陥観察方法及びその装置 |
JP4894628B2 (ja) * | 2007-05-28 | 2012-03-14 | パナソニック電工株式会社 | 外観検査方法および外観検査装置 |
TW200849141A (en) * | 2007-06-04 | 2008-12-16 | Delta Electronics Inc | Device and method for inspecting the defects of objects |
KR100891934B1 (ko) * | 2007-09-03 | 2009-04-08 | 한국도로공사 | 영상처리 기법을 이용한 강교의 도막검사 시스템의 처리방법 |
JP4909859B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2012-04-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置及び検査方法 |
JP2009085657A (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡を用いた試料の観察方法およびそのシステム |
JP2009250645A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥レビュー方法およびその装置 |
JP5412169B2 (ja) | 2008-04-23 | 2014-02-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及び欠陥観察装置 |
JP2009272497A (ja) | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Hitachi High-Technologies Corp | レシピパラメータ管理装置およびレシピパラメータ管理方法 |
JP5145116B2 (ja) * | 2008-05-21 | 2013-02-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面欠陥データ表示管理装置および表面欠陥データ表示管理方法 |
JP5352144B2 (ja) | 2008-07-22 | 2013-11-27 | 株式会社荏原製作所 | 荷電粒子ビーム検査方法及び装置 |
JP5255953B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-08-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及び装置 |
JP5291419B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2013-09-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | データ処理装置及びデータ処理方法並びにこれを用いた検査作業支援システム |
JP5292043B2 (ja) * | 2008-10-01 | 2013-09-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察装置及び欠陥観察方法 |
JP5323457B2 (ja) | 2008-11-28 | 2013-10-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 観察条件決定支援装置および観察条件決定支援方法 |
JP5390215B2 (ja) | 2009-02-25 | 2014-01-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法および欠陥観察装置 |
JP2011047783A (ja) * | 2009-08-27 | 2011-03-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料の観察方法およびその装置 |
KR101342203B1 (ko) * | 2010-01-05 | 2013-12-16 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | Sem을 이용한 결함 검사 방법 및 장치 |
JP5622398B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2014-11-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Semを用いた欠陥検査方法及び装置 |
JP5341801B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2013-11-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体ウェーハの外観検査方法及びその装置 |
JP2011163766A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-25 | Omron Corp | 画像処理方法および画像処理システム |
JP5444092B2 (ja) | 2010-04-06 | 2014-03-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査方法およびその装置 |
CN103210482B (zh) * | 2010-08-09 | 2016-06-22 | Bt成像股份有限公司 | 持久性特征检测 |
KR20120068128A (ko) * | 2010-12-17 | 2012-06-27 | 삼성전자주식회사 | 패턴의 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 결함 검출 장치 |
JP5581286B2 (ja) | 2011-09-09 | 2014-08-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
JP5544344B2 (ja) | 2011-09-26 | 2014-07-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及び欠陥観察装置 |
JP2013123812A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Canon Inc | 検査装置、検査方法、コンピュータプログラム |
US8737717B2 (en) * | 2012-04-25 | 2014-05-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for defect identification |
JP5957378B2 (ja) | 2012-12-28 | 2016-07-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法および欠陥観察装置 |
JP5948262B2 (ja) | 2013-01-30 | 2016-07-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法および欠陥観察装置 |
US9098894B2 (en) * | 2013-02-01 | 2015-08-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Defect determination in integrated circuit manufacturing process |
US9466101B2 (en) * | 2013-05-01 | 2016-10-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Detection of defects on wafer during semiconductor fabrication |
JP6329397B2 (ja) * | 2014-03-07 | 2018-05-23 | 株式会社ダイヘン | 画像検査装置及び画像検査方法 |
JP2016139467A (ja) | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料観察方法および試料観察装置 |
US10393671B2 (en) * | 2015-04-29 | 2019-08-27 | Kla-Tencor Corp. | Intra-die defect detection |
US9940705B2 (en) | 2016-05-04 | 2018-04-10 | Kla-Tencor Corporation | System, method and computer program product for detecting defects in a fabricated target component using consistent modulation for the target and reference components |
US10409051B2 (en) * | 2016-08-02 | 2019-09-10 | Novartis Ag | Extraction of microscope zoom level using object tracking |
JP6668278B2 (ja) | 2017-02-20 | 2020-03-18 | 株式会社日立ハイテク | 試料観察装置および試料観察方法 |
US11087454B2 (en) * | 2017-03-17 | 2021-08-10 | Hitachi High-Tech Corporation | Defect observation device and defect observation method |
KR102630568B1 (ko) | 2018-06-15 | 2024-01-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
JP2020043266A (ja) | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体ウェハの欠陥観察システム及び欠陥観察方法 |
CN109979840B (zh) * | 2019-03-04 | 2021-06-15 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 监控缺陷观察设备晶圆载台精度偏移量的方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US104288A (en) * | 1870-06-14 | Improved crib and cradle | ||
US51565A (en) * | 1865-12-19 | Improvement in steam-engines | ||
JP3451608B2 (ja) * | 1995-08-24 | 2003-09-29 | 株式会社島津製作所 | X線分析装置 |
US6091846A (en) * | 1996-05-31 | 2000-07-18 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for anomaly detection |
JP2000030652A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Hitachi Ltd | 試料の観察方法およびその装置 |
JP2000067243A (ja) | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | 自動欠陥情報収集制御方法及び自動欠陥情報収集制御プログラムを記録した記録媒体 |
JP2001325595A (ja) | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Hitachi Ltd | 画像処理方法およびその装置並びに荷電粒子顕微鏡検査装置 |
JP2002100660A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Hitachi Ltd | 欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置 |
US6975754B2 (en) * | 2000-10-26 | 2005-12-13 | Hitachi, Ltd. | Circuit pattern inspection method and apparatus |
JP4035974B2 (ja) | 2001-09-26 | 2008-01-23 | 株式会社日立製作所 | 欠陥観察方法及びその装置 |
US7065239B2 (en) * | 2001-10-24 | 2006-06-20 | Applied Materials, Inc. | Automated repetitive array microstructure defect inspection |
JP4118703B2 (ja) * | 2002-05-23 | 2008-07-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥分類装置及び欠陥自動分類方法並びに欠陥検査方法及び処理装置 |
US7152219B2 (en) * | 2002-12-10 | 2006-12-19 | Synopsys Inc. | Reference image generation from subject image for photolithography mask analysis |
US7602962B2 (en) | 2003-02-25 | 2009-10-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of classifying defects using multiple inspection machines |
JP2005061837A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Jeol Ltd | 走査型荷電粒子ビーム装置を用いた欠陥検査方法 |
JP2005201810A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Toshiba Corp | 寸法測定装置、寸法測定方法およびプログラム |
-
2005
- 2005-08-05 JP JP2005227374A patent/JP4825469B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-19 US US11/488,636 patent/US7873202B2/en active Active
-
2011
- 2011-01-07 US US12/986,475 patent/US8581976B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8581976B2 (en) | 2013-11-12 |
US20110102573A1 (en) | 2011-05-05 |
US7873202B2 (en) | 2011-01-18 |
JP2007040910A (ja) | 2007-02-15 |
US20070031026A1 (en) | 2007-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4825469B2 (ja) | 半導体デバイスの欠陥レビュー方法及びその装置 | |
US9811897B2 (en) | Defect observation method and defect observation device | |
US8731275B2 (en) | Method and apparatus for reviewing defects | |
JP4866141B2 (ja) | Sem式レビュー装置を用いた欠陥レビュー方法及びsem式欠陥レビュー装置 | |
US7657078B2 (en) | Method and apparatus for reviewing defects | |
JP5325580B2 (ja) | Semを用いた欠陥観察方法及びその装置 | |
JP5543872B2 (ja) | パターン検査方法およびパターン検査装置 | |
KR101479889B1 (ko) | 하전 입자선 장치 | |
JP5103058B2 (ja) | 欠陥観察装置及び欠陥観察方法 | |
KR101955268B1 (ko) | 결함 관찰 장치 및 결함 관찰 방법 | |
JP5390215B2 (ja) | 欠陥観察方法および欠陥観察装置 | |
US20090252403A1 (en) | Method and its apparatus for reviewing defects | |
JP5341801B2 (ja) | 半導体ウェーハの外観検査方法及びその装置 | |
US11087454B2 (en) | Defect observation device and defect observation method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110613 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110816 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110912 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4825469 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140916 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |