TWI667530B - Inspection method and inspection device - Google Patents
Inspection method and inspection device Download PDFInfo
- Publication number
- TWI667530B TWI667530B TW107129568A TW107129568A TWI667530B TW I667530 B TWI667530 B TW I667530B TW 107129568 A TW107129568 A TW 107129568A TW 107129568 A TW107129568 A TW 107129568A TW I667530 B TWI667530 B TW I667530B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pattern
- calibration
- optical image
- allowable value
- rough
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7007—Alignment other than original with workpiece
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
- G06V10/20—Image preprocessing
- G06V10/24—Aligning, centring, orientation detection or correction of the image
- G06V10/245—Aligning, centring, orientation detection or correction of the image by locating a pattern; Special marks for positioning
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本發明的實施方式涉及檢查方法及檢查裝置。 實施方式的檢查方法具備:粗略校準程序,其係取得作為用於確認相對於X、Y方向之樣品(2)的旋轉方向上的位置偏差量是否為第1容許值以下的粗略校準的圖案而預先設定的第1、第2圖案的光學影像,基於取得結果確認位置偏差量是否為第1容許值以下;精密校準程序,其係確認為第1容許值以下的情況下,取得在樣品(2)的光學影像上位於以沿著X、Y方向的四邊而構成的矩形框的不同的角部上,且用於就位置偏差進行校正的精密校準的第3圖案的光學影像,使載台(6)旋轉直到基於第3圖案的光學影像而檢測出的位置偏差量成為比第1容許值小的第2容許值以下為止。
Description
本發明涉及檢查方法及檢查裝置。
形成於用於光刻的光罩(以下亦僅稱為遮罩)的圖案的缺陷的檢查中,在開始檢查前,採用就裝載於具有可載置遮罩的XY平面的載台上的遮罩以相對於作為載台的移動方向的X方向或Y方向不具有傾斜的方式自動進行位置校準的自動校準方法。在歷來的自動校準方法,為了自動校準而預先在遮罩的檢查區域形成例如十字狀等的特定圖案,從以高倍率拍攝遮罩所得的高倍影像就特定圖案進行檢測。然後,基於檢測出的特定圖案,以消解遮罩相對於載台的移動方向的傾斜的方式,與遮罩一起使載台旋轉,從而進行自動校準,該移動方向係沿著將應檢查圖案的缺陷的遮罩的檢查區域假想地分割為複數個長條狀所得的長條的方向。 然而,歷來的自動校準方法係以形成為了自動校準而專門化的特定圖案的遮罩為對象,未形成特定圖案的一般的遮罩未當作對象。亦即,不具有特定圖案的遮罩的情況下,無法實施上述自動校準。期望使校準的通用性提升。
本發明提供一種檢查方法及檢查裝置,即使為不具有特定圖案的遮罩仍可進行載台的旋轉中的自動校準。 作為本發明的一態樣的檢查方法係一種檢查方法,其係利用具備載台的檢查裝置而就設於樣品的檢查區域的圖案的缺陷進行檢查者,該載台具有可載置樣品的XY平面,並可移動於X方向及Y方向且可繞相對於XY平面大致垂直的Z軸而旋轉, 該檢查方法具備: 實施粗略校準的程序,該粗略校準係確認相對於前述X方向或前述Y方向之前述樣品的旋轉方向上的位置偏差量是否為第1容許值以下者;和 實施精密校準的程序,該精密校準係以使前述位置偏差量成為比前述第1容許值小的第2容許值以下的方式進行校正者; 實施前述粗略校準的程序包含: 作為用於前述粗略校準的圖案,取得預先設定的前述樣品的檢查區域上的第1圖案的光學影像, 從取得前述第1圖案的光學影像時的前述載台的位置,使前述載台以預先決定的移動量移動於前述X方向或前述Y方向, 在以前述移動量使前述載台移動時,已取得作為用於前述粗略校準的圖案而預先設定且相對於前述第1圖案在前述X方向或前述Y方向上分離而配置的前述檢查區域上的第2圖案的光學影像的情況下,認定為前述位置偏差量為前述第1容許值以下,另一方面未取得前述第2圖案的光學影像的情況下,認定為前述位置偏差量比前述第1容許值大; 實施前述精密校準的程序包含: 透過前述粗略校準確認前述位置偏差量為前述第1容許值以下的情況下,在前述樣品的光學影像的前述檢查區域上位於以沿著前述X方向或前述Y方向下的四邊而構成的矩形框的不同的複數個角部上,取得用於前述精密校準的複數個第3圖案的光學影像, 基於前述取得的複數個第3圖案的光學影像就前述位置偏差量進行檢測, 使前述載台旋轉直到前述檢測出的位置偏差量成為前述第2容許值以下為止。 於上述的檢查方法, 可為複數個第3圖案為位於設定於檢查區域的複數個角部中的各者的既定範圍的複數個區域內,且具有沿著X方向及Y方向中的至少一者的邊緣的圖案。 於上述的檢查方法, 可為實施精密校準的程序包含: 透過載台的旋轉而位置偏差量未成為第2容許值以下的情況下,再取得第1圖案的光學影像, 透過從再取得的第1圖案的光學影像的相對移動而再取得第3圖案的光學影像, 基於再取得的第3圖案的光學影像而再檢測位置偏差量, 使載台再度旋轉為再檢測出的位置偏差量成為第2容許值以下。 於上述的檢查方法, 可為第3圖案係從第1圖案位於一定距離內的圖案。 作為本發明的一態樣的檢查裝置係一種檢查裝置,其係具備載台且就設於樣品的檢查區域的圖案的缺陷進行檢查者,該載台具有可載置樣品的XY平面,並可移動於X方向及Y方向且可繞相對於XY平面大致垂直的Z軸而旋轉, 該檢查裝置具備: 實施粗略校準的粗略校準部,該粗略校準係確認相對於前述X方向或前述Y方向之前述樣品的旋轉方向上的位置偏差量是否為第1容許值以下者;和 實施精密校準的精密校準部,該精密校準係以使前述位置偏差量成為比前述第1容許值小的第2容許值以下的方式進行校正者; 前述粗略校準部: 作為用於前述粗略校準的圖案,取得預先設定的前述樣品的檢查區域上的第1圖案的光學影像, 從取得前述第1圖案的光學影像時的前述載台的位置,使前述載台以預先決定的移動量移動於前述X方向或前述Y方向, 在以前述移動量使前述載台移動時,已取得作為用於前述粗略校準的圖案而預先設定且相對於前述第1圖案在前述X方向或前述Y方向上分離而配置的前述檢查區域上的第2圖案的光學影像的情況下,認定為前述位置偏差量為前述第1容許值以下,另一方面未取得前述第2圖案的光學影像的情況下,認定為前述位置偏差量比前述第1容許值大, 前述精密校準部: 透過前述粗略校準確認前述位置偏差量為前述第1容許值以下的情況下,取得在前述樣品的光學影像的前述檢查區域上位於以沿著前述X方向或前述Y方向下的四邊而構成的矩形框的不同的複數個角部上,且用於前述精密校準的複數個第3圖案的光學影像, 基於前述取得的複數個第3圖案的光學影像就前述位置偏差量進行檢測, 使前述載台旋轉直到前述檢測出的位置偏差量成為前述第2容許值以下。 依本發明時,可進行不需要特定圖案的校準,從而可使校準的通用性提升。
以下,參照圖式說明本發明相關的實施方式。實施方式非限定於本發明者。另外,對在實施方式參照的圖式,就相同部分或具有同樣的功能部分標注相同的符號或類似的符號,省略其重複的說明。 (第1實施方式) 圖1係作為本發明相關的檢查裝置的一例,為就基於第1實施方式的圖案檢查裝置1進行繪示的圖。圖1的圖案檢查裝置1例如可用於透過D-DB(Die to Database)檢查從而就形成於作為樣品的一例的光刻用遮罩2的圖案的缺陷進行檢查。 如示於圖1,圖案檢查裝置1依光的行進方向具備:光源3、偏振分束器4、接物鏡5、作為載台的一例之XYθ台6、成像用透鏡7、光電二極體陣列8。另外,可在偏振分束器4與XYθ台6之間,設置使光的偏光方向變化的波長板。 光源3朝偏振分束器4射出雷射光。偏振分束器4將來自光源3的光向接物鏡5反射。接物鏡5將以偏振分束器4反射的光朝XYθ台6照射。 XYθ台6具有可載置樣品(遮罩)2的XY平面6a。XYθ台6可移動於X方向、Y方向及相對於XY平面6a而移動於垂直方向(Z方向),且可繞相對於XY平面6a垂直的Z軸(旋轉方向)而旋轉。以下,有時將XYθ台6的旋轉方向稱為θ方向。另外,有時將Z軸稱為θ軸。 載置於XYθ台6的遮罩2反射從接物鏡5照射的光。透過此遮罩2的反射光使得遮罩2被照明。遮罩2的反射光穿透接物鏡5及偏振分束器4後,入射於成像用透鏡7。成像用透鏡7使入射的遮罩2的反射光,作為遮罩2的光學影像而成像於光電二極體陣列8。光電二極體陣列8就遮罩2的光學影像進行攝像並光電轉換。光電轉換的遮罩2的電信號係送至感測器電路19,在A/D轉換後將影像資料送至比較電路25。基於取得的影像資料,檢查形成於遮罩2的圖案的缺陷。 另外,如示於圖1,圖案檢查裝置1具備:自動裝載器9、X軸馬達10A、Y軸馬達10B及θ軸馬達10C、雷射測長系統11、Z感測器12、對焦機構13。 自動裝載器9係在XYθ台6上自動搬送遮罩2。X軸馬達10A、Y軸馬達10B及θ軸馬達10C分別使XYθ台6移動於X方向、Y方向及θ方向。使XYθ台6移動,使得對XYθ台6上的遮罩2以光源3的光進行掃描。雷射測長系統11就XYθ台6的X方向及Y方向的位置進行檢測。 Z感測器12檢測遮罩面的高度亦即Z方向的位置,該遮罩面係圖案側的遮罩2的表面。Z感測器12例如可具備:對遮罩面照射光的投光器、接收照射的光的光接收器。 對焦機構13進行使接物鏡5的焦點對於遮罩面的對焦。對焦例如以與以Z感測器12檢測出的遮罩面的高度對應的移動量使XYθ台6移動於Z方向從而進行。 另外,如示於圖1,圖案檢查裝置1具備連接於匯流排14的各種的電路。具體而言,圖案檢查裝置1具備:自動裝載器控制電路15、移動台控制電路17、自動對焦控制電路18。另外,圖案檢查裝置1具備:位置電路22、展開電路23、參照電路24、比較電路25。另外,圖案檢查裝置1具備感測器電路19,此感測器電路19連接於光電二極體陣列8與比較電路25之間。 自動裝載器控制電路15控制自動裝載器9,從而將搬送遮罩2自動搬送至XYθ台6上。 移動台控制電路17進行以下的控制:沿著將應檢查圖案的缺陷的遮罩2的檢查區域201(圖3參照)假想地分割為複數個長條狀的長條202而對檢查區域201以來自光源3的光進行掃描。具體而言,移動台控制電路17以沿著長條202對檢查區域201以來自光源3的光進行掃描的方式,就馬達10A~10C進行驅動控制而使XYθ台6移動。 自動對焦控制電路18依以Z感測器12檢測出的遮罩面的高度控制對焦機構13,從而使光源3的光自動對焦於遮罩面。 感測器電路19取入以光電二極體陣列8光電轉換的電信號,將取入的電信號進行A/D轉換。然後,感測器電路19將進行A/D轉換的光學影像資料輸出至參照電路24及比較電路25。感測器電路19例如可為TDI(Time Delay Integration)感測器的電路。利用TDI感測器,使得可高精度拍攝圖案。 雷射測長系統11檢測XYθ台6的移動位置,將檢測出的移動位置輸出至位置電路22。位置電路22基於從雷射測長系統11輸入的移動位置,檢測在XYθ台6上的遮罩2的位置。然後,位置電路22將檢測出的遮罩2的位置輸出至比較電路25。 展開電路23將收集於後述的磁碟裝置31的設計資料,從磁碟裝置31讀出,將讀出的設計資料轉換為2值或多值的參照影像資料。然後,展開電路23將轉換的參照影像資料輸出至參照電路24。 參照電路24對從展開電路23輸入的參照影像資料進行適切的濾波處理,從而生成使用於遮罩2的缺陷檢查的參照影像。然後,參照電路24將生成的參照影像輸出至比較電路25。 比較電路25基於將從感測器電路19輸入的遮罩2的光學影像、和從參照電路24輸入的參照影像的比較,檢查形成於遮罩2的圖案的缺陷。例如,比較電路25一面使用從位置電路22輸入的位置資訊,一面測定光學影像的圖案的各位置的線寬,就所測定的光學影像的圖案、和從參照電路24輸入的參照影像的圖案,比較兩圖案的線寬、階調值(明度)。然後,比較電路25例如將光學影像的圖案的線寬、和參照影像的圖案的線寬的誤差檢測為圖案的缺陷。 除上述構成以外,如示於圖1般,圖案檢查裝置1具備控制計算機30、磁碟裝置31、CRT34、印表機35。此等構成部30~35皆連接於匯流排14。 控制計算機30對連接於匯流排14的各構成部,執行與缺陷檢查關聯的各種的控制、處理。磁碟裝置31記憶遮罩2的設計資料。CRT34顯示與缺陷檢查關聯的各種的影像。印表機35印刷與缺陷檢查關聯的各種的資訊。 控制計算機30係如之後詳述,從感測器電路19取得形成於遮罩2上的檢查區域201中的用於粗略校準的第1圖案及第2圖案的影像資料。 以下,將用於粗略校準的第1圖案稱為第1粗略校準圖案。此外,將用於粗略校準的第2圖案稱為第2粗略校準圖案。 於此,粗略校準係就相對於沿著長條202的長邊方向而移動的XYθ台6的移動方向(X軸方向)或沿著長條202的短邊方向而移動的XYθ台6的移動方向(Y軸方向)之XYθ台6上的遮罩2的旋轉方向(亦即,θ方向)上的位置偏差量是否為第1容許值以下進行確認的處理。 換言之,相對於XYθ台6的移動方向(X軸方向或Y軸方向)之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差量係相對於XYθ台6之遮罩2的配置的位置偏差量,亦即為相對於沿著長條202下的XYθ台6的移動方向之沿著長條202下的遮罩2的端邊的傾斜。 於此,相對於X軸方向或Y軸方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差量過大的情況下,供後述的精密校準用的校準量變過大,精密校準的所需時間恐變長。於是,為了作成精密校準的所需時間不變長,在精密校準前進行粗略校準。亦即粗略校準係預先事前就相對於X軸方向或Y軸方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差量不過大進行確認。不同於精密校準,在粗略校準,不進行就位置偏差進行校正的處理。位置偏差比第1容許值大的情況下,當作錯誤中止粗略校準處理/缺陷檢查。 更詳而言之,於粗略校準,首先控制計算機30預先取得設定於遮罩2的檢查區域上的第1粗略校準圖案的光學影像。 接著,控制計算機30從取得第1粗略校準圖案的光學影像時的XYθ台6的位置,使XYθ台6朝X方向或Y方向移動預先決定的移動量(向量)。此移動量係相當於從第1粗略校準圖案的光學影像至後述的第2粗略校準圖案的光學影像為止的距離的移動量。此移動量係在作為用於粗略校準的圖案而設定第1粗略校準圖案與第2粗略校準圖案時成為既知的移動量。 接著,控制計算機30在以預先決定的移動量使XYθ台6移動時,在取得作為用於粗略校準的圖案而預先設定且對於第1粗略校準圖案分離於X方向或Y方向而配置的檢查區域上的第2粗略校準圖案的光學影像的情況下,認定位置偏差量為第1容許值以下。 另一方面,控制計算機30在以預先決定的移動量使XYθ台6移動時,未取得第2粗略校準圖案的光學影像的情況下,認定位置偏差量比第1容許值大。 粗略校準的更具體之例方面,於後述的圖案檢查方法進行說明。 於第1實施方式,用於粗略校準的第1粗略校準圖案及第2粗略校準圖案係遮罩2的圖案之中使用者作為可進行與其他圖案的區別的圖案而設定的獨特的2個圖案。作為一例,第1粗略校準圖案及第2粗略校準圖案係如示於圖4般,X軸方向上彼此分離且Y軸方向上的座標大致一致的一組的圖案。如此的第1實施方式中的第1粗略校準圖案及第2粗略校準圖案係使用者基於遮罩2的設計資料,以鍵盤等輸入第1粗略校準圖案及第2粗略校準圖案的個別的特定點的位置座標資訊從而預先設定於控制計算機30。 第1粗略校準圖案及第2粗略校準圖案的設定操作係例如從通過控制計算機30的顯示功能(例如,監視器CRT34)而顯示的遮罩2的設計資料上的圖案,使用者利用控制計算機30的輸入功能(例如,鍵盤、指向裝置等的人機介面)指定第1粗略校準圖案及第2粗略校準圖案的座標從而進行。更具體而言,在控制計算機30與磁碟裝置31之間,連接以與圖案檢查裝置1的執行程式不同的程式而動作的外部計算機200。對外部計算機200,從控制計算機30輸入第1粗略校準圖案及第2粗略校準圖案的座標。外部計算機200設定從控制計算機30輸入座標的第1粗略校準圖案及第2粗略校準圖案。亦即,外部計算機200將從控制計算機30輸入的第1粗略校準圖案及第2粗略校準圖案的座標送至圖案檢查裝置1,對控制計算機30指示來自圖案檢查裝置1的第1粗略校準圖案及第2粗略校準圖案的影像資料的取得。在圖案檢查裝置1取得的第1粗略校準圖案及第2粗略校準圖案的影像資料係取入至控制計算機30。 作成如此,控制計算機30可取得基於遮罩2的設計資料而設定的第1粗略校準圖案及第2粗略校準圖案的影像資料而實施已述的粗略校準。 此外,控制計算機30透過粗略校準確認相對於X軸方向或Y軸方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差為第1容許值以下的情況下,取得用於精密校準的圖案的光學影像。 以下,將用於精密校準的圖案,稱為精密校準圖案。 於此,精密校準係就相對於X軸方向或Y軸方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差進行校正的處理。更具體而言,精密校準係使XYθ台6旋轉直到以雷射測長系統11測定的相對於X軸方向或Y軸方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差量成為比第1容許值小的第2容許值以下為止的處理。 用於精密校準的精密校準圖案係在遮罩2的光學影像上的檢查區域201中具有位於以沿著X方向或Y方向的四邊而構成的假想的矩形框(圖8的符號f參照)的不同的複數個角部上的位置關係的圖案(圖8的符號PP1、PP2參照)。 於第1實施方式,控制計算機30在精密校準圖案的光學影像的取得時,首先於遮罩2的設計資料上,將具有位於以沿著X方向或Y方向下的四邊而構成的假想的矩形框的不同的角部上的位置關係的複數個圖案,取得作為複數個精密校準圖案。然後,控制計算機30登錄以取得的精密校準圖案的特定點方面的第1粗略校準圖案的特定點的座標為基準的相對座標。 矩形框係具有與X方向平行的邊、與Y方向平行的邊的正方形或長方形。 控制計算機30可將矩形框的4個角部之中位於X方向上分離的2個角部的2個圖案,取得作為精密校準圖案,將位於相對於精密校準圖案在Y方向上分離的剩下的2個角部的2個圖案,取得作為供於調整遮罩2的光學影像的伸縮率用的校準標記。 然後,控制計算機30基於精密校準圖案的登錄座標,使移動台控制電路17移動XYθ台6直到精密校準圖案位於光源3的光路徑上。於此前後,控制計算機30使自動對焦控制電路18執行供於拍攝精密校準圖案用的自動對焦。然後,控制計算機30從感測器電路19取得拍攝精密校準圖案的光學影像。 作成如此,控制計算機30可取得位於矩形框的不同的角部上的複數個精密校準圖案的光學影像。 此外,控制計算機30基於取得的複數個精密校準圖案的光學影像,檢測相對於X軸方向或Y軸方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差量。然後,控制計算機30使XYθ台6旋轉於θ方向直到檢測的位置偏差量成為比第1容許值小的第2容許位置以下,從而在遮罩2的光學影像上實施精密校準。 依具有如此的構成的控制計算機30時,可基於由使用者設定的獨特的第1粗略校準圖案及第2粗略校準圖案實施粗略校準,基於位於沿著X方向及Y方向下的假想的矩形框的不同的角部上的精密校準圖案而實施精密校準。 據此,例如可基於位於X方向上分離的矩形框的2個角部上的2個精密校準圖案的位置關係,檢測相對於X方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差。此結果,可對於未形成為了自動校準而專門化的特定圖案(例如,十字狀的圖案)的遮罩2適切地進行自動校準。此外,例如可利用位於相對於2個精密校準圖案在Y方向上分離的矩形框的剩下的2個角部上的2個校準點,適切地調整遮罩2的光學影像的伸縮率。 如以上所述,依第1實施方式的圖案檢查裝置1時,透過利用使用者設定的獨特的第1粗略校準圖案及第2粗略校準圖案下的粗略校準,可確認相對於X軸方向或Y軸方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差量是否為第1容許值以下。然後,確認位置偏差為第1容許值以下的情況下,可透過利用位於以沿著X方向或Y方向下的四邊而構成的矩形框的角部上的精密校準圖案下的精密校準,以成為比第1容許值小的第2容許值以下的方式校正相對於X軸方向或Y軸方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差。據此,可在不需要特定圖案之下適切地進行自動校準,故可使自動校準的通用性提升。 (圖案檢查方法) 接著,就適用圖1的圖案檢查裝置1的第1實施方式的圖案檢查方法進行說明。圖2係就依第1實施方式下的圖案檢查方法進行繪示的流程圖。圖2的流程圖係依所需而重複。圖3係就依第1實施方式下的圖案檢查方法進行繪示的透視圖。如示於圖3般,遮罩2上的檢查區域201係假想地分割為長條狀的複數個長條202。光電二極體陣列8係隨XYθ台6的移動,就遮罩2按長條202進行攝像。此時,移動台控制電路17以各長條202被連續掃描於示於圖3的虛線箭頭的方向上的方式控制XYθ台6的動作。一面使XYθ台6移動,一面基於以光電二極體陣列8拍攝的光學影像檢查長條202上的圖案的缺陷。 缺陷的檢查時,控制計算機30透過自動裝載器9就裝載於XYθ台6上的遮罩2進行自動校準。 圖4係在依第1實施方式下的圖案檢查方法中就遮罩2的設計資料D上的第1粗略校準圖案P1及第2粗略校準圖案P2的一例進行繪示的平面圖。具體而言,首先,如示於圖2及圖4般,控制計算機30執行與圖案檢查裝置1的程式不同的程式從而取得預先設定於遮罩2的設計資料2D上的第1粗略校準圖案P1及第2粗略校準圖案P2的座標(步驟S1)。於粗略校準圖案P1、P2的設定方面,可利用示於圖1的外部計算機200。 於圖4,例示在X方向上隔著間隔而設的第1粗略校準圖案P1與第2粗略校準圖案P2。粗略校準圖案P1、P2係設於遮罩2的檢查區域201之圖案之中使用者作為可與其他圖案區別的獨特的圖案而設定者。 粗略校準圖案P1、P2的座標係例如透過解析設計資料2D的佈局分析器(layout analyzer)自動地解析而取得。2個粗略校準圖案P1、P2係彼此的Y方向上的座標的差分小為優選,Y方向的座標一致較優選。另外,圖4之例中,圖4的橫向為X方向,縱向為Y方向,惟亦可橫向為Y方向,縱向為X方向。 圖5係在依第1實施方式下的圖案檢查方法中,就包含精密校準圖案PP1、PP2的矩形框f的角部上的4個校準圖案PP1、PP2、P3、P4的取得程序進行繪示的平面圖。取得粗略校準圖案P1、P2的座標後,如示於圖2及圖5般,控制計算機30取得在遮罩2的設計資料2D上具有位於以沿著X方向或Y方向下的四邊而構成的矩形框f的不同的角部上的位置關係的4個校準圖案PP1、PP2、P3、P4的特定的座標(校準點)(步驟S2)。4個校準圖案PP1、PP2、P3、P4之中,X方向上分離的2個校準圖案PP1、PP2係用於精密校準的精密校準圖案PP1、PP2。相對於精密校準圖案PP1、PP2在Y方向上分離的剩下的2個校準圖案P3、P4係利用於遮罩2的光學影像的伸縮率調整的校準圖案P3、P4。 此外,控制計算機30登錄所取得的4個校準圖案PP1、PP2、P3、P4中的各者方面的以第1粗略校準圖案P1的座標為基準的相對座標(步驟S2)。 具體而言,圖5之例中,控制計算機30對遮罩2的設計資料2D,在將第1粗略校準圖案P1的圖5中的左下端的特定的座標設定為第1粗略校準圖案P1的座標點(0,0)之下,檢索朝-Y方向及-X方向從座標點(0,0)存在於一定距離內的第1精密校準圖案PP1。如此般,檢索從第1粗略校準圖案存在於一定距離內的第1精密校準圖案PP1,從而可迅速檢索第1精密校準圖案PP1,進而可迅速進行自動校準。 第1精密校準圖案的檢索之際,控制計算機30如例示於圖5般,將預先設定的檢查區域201的左下角的一定範圍的區域A1作為檢索區域而檢索第1精密校準圖案PP1。 檢索第1精密校準圖案PP1時,控制計算機30登錄以第1粗略校準圖案P1的座標點(0,0)為基準的第1精密校準圖案PP1的相對座標(X1,Y1)。 登錄第1精密校準圖案PP1的相對座標(X1,Y1)後,控制計算機30朝+X方向檢索Y座標與第1精密校準圖案PP1一致的第2精密校準圖案PP2。此時,控制計算機30如例示於圖5般,將預先設定的檢查區域201的右下角的一定範圍的區域A2作為檢索區域而檢索第2精密校準圖案PP2。 檢索到第2精密校準圖案PP2時,控制計算機30登錄以第1粗略校準圖案P1的座標點(0,0)為基準的第2精密校準圖案PP2的相對座標(X2,Y1)。 登錄第2精密校準圖案PP2的相對座標(X2,Y1)後,控制計算機30朝+Y方向檢索X座標與第2精密校準圖案PP2一致的第3校準圖案P3。此時,控制計算機30如例示於圖5般,將預先設定的檢查區域201的右上角的一定範圍的區域A3作為檢索區域而檢索第3校準圖案P3。 檢索到第3校準圖案P3時,控制計算機30登錄以第1粗略校準圖案P1的座標點(0,0)為基準的第3校準圖案P3的相對座標(X2,Y2)。 登錄第3校準圖案P3的相對座標(X2,Y2)後,控制計算機30朝–X方向檢索Y座標與第3校準圖案P3一致且X座標與第1精密校準圖案PP1一致的第4校準圖案P4。此時,控制計算機30如例示於圖5般,將預先設定的檢查區域201的左上角的一定範圍的區域A4作為檢索區域而檢索第4校準圖案P4。 檢索到第4校準圖案P4時,控制計算機30登錄以第1粗略校準圖案P1的座標點(0,0)為基準的第4校準圖案P4的相對座標(X1,Y2)。 作成如以上,在遮罩2的設計資料2D上取得具有位於矩形框f的角部上的位置關係的4個校準圖案PP1、PP2、P3、P4。 圖6係在依第1實施方式下的圖案檢查方法中,就無法取得4個校準圖案PP1、PP2、P3、P4之例進行繪示的平面圖。 在圖5之例,可取得4個校準圖案PP1、PP2、P3、P4。相對於此,如示於圖6般,取決於設計資料2D,4個校準圖案未如示於圖5般被配置為位於矩形框f的角部,故有時亦無法取得4個校準圖案PP1、PP2、P3、P4。此情況下,使檢查進行錯誤停止或在檢查區域201內存在與從前同樣的特定圖案的情況下,切換為利用特定圖案下的校準。 圖7係在依第1實施方式下的圖案檢查方法中就最大矩形框f1上的4個校準圖案PP1_1、PP2_1、P3_1、P4_1的取得程序進行繪示的平面圖。在圖5之例,位於矩形框f上的4個校準圖案PP1、PP2、P3、P4方面,取得一組的校準圖案PP1、PP2、P3、P4。 相對於此,如示於圖7般,取決於設計資料2D,有時亦取得位於複數個矩形框f1~f3的各角部上的複數組的4個校準圖案。此情況下,取得位於複數個矩形框f1~f3之中最擴張至檢查區域201的外側的最大矩形框f1的角部上的4個校準圖案PP1_1、PP2_1、P3_1、P4_1,用於精密校準或伸縮率的調整即可。如此般,將位於複數個矩形框f1~f3之中位於遮罩2的最外側的矩形框f1的角部上的精密校準圖案PP1_1、PP2_1使用於精密校準,使得可使精密校準方面的後述的θ調整的精度提升。 圖8係在接續圖5之依第1實施方式下的圖案檢查方法中就粗略校準程序進行繪示的平面圖。取得4個校準圖案PP1、PP2、P3、P4後,控制計算機30基於所取得的粗略校準圖案P1、P2,在遮罩2的光學影像2I上實施粗略校準(步驟S3、S4)。 具體而言,如示於圖2及圖8般,於粗略校準,首先控制計算機30透過圖案檢查裝置1的為最高倍率的檢查解析度而取得第1粗略校準圖案P1的光學影像(步驟S3)。 圖8之例中,控制計算機30使移動台控制電路17移動XYθ台6直到第1粗略校準圖案P1位於光源3的光路徑上,於此前後,在使自動對焦控制電路18執行供於就遮罩2以檢查解析度進行攝像用的自動對焦之下拍攝遮罩2。 據此,取得圖8的具有以視域V包圍的攝像範圍的檢查解析度的第1粗略校準圖案P1的光學影像。 取得第1粗略校準圖案P1的光學影像後,控制計算機30使移動台控制電路17以視域V移動於+X方向的方式移動XYθ台6於-X方向。此時的XYθ台6的移動量係遮罩2的設計資料2D上的與粗略校準圖案P1、P2間的距離相當的移動量。 然後,控制計算機30判定從第1粗略校準圖案P1往+X方向的視域V的移動後的光學影像內是否存在第2粗略校準圖案P2(步驟S4)。 存在第2粗略校準圖案P2的情況(步驟S4:Yes)下,粗略校準成功,藉此,確認相對於X軸方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差量為第1容許值以下。圖8之例中,第1容許值係在往+X方向的移動後的視域V內可檢測出於設計資料2D上與第1粗略校準圖案P1取相同的Y座標的第2粗略校準圖案P2之程度的位置偏差。 另一方面,不存在第2粗略校準圖案P2的情況(步驟S4:No)下,粗略校準失敗,藉此,確認相對於X軸方向之XYθ台6的旋轉方向上的遮罩2的位置偏差比第1容許值大。 於此,如示於圖8般,自動校準前的遮罩2的光學影像2I係由於在XYθ台6上的往θ方向或Z方向的遮罩2的傾斜、位置偏差,使得成為相對於X方向及Y方向具有傾斜、變形的光學影像2I。若直接使用具有如此的傾斜、變形的光學影像2I而檢查圖案的缺陷的情況下,難以適切地檢查缺陷。 相對於此,依圖8的粗略校準時,可確認相對於X軸方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差量是否為第1容許值以下,故可迴避使用往θ方向的傾斜大的光學影像2I下的圖案的缺陷檢查的執行於未然。另外,在圖8之例,用於粗略校準的2個圖案方面,雖設定在X軸方向上分離而配置的第1粗略校準圖案P1與第2粗略校準圖案P2,惟用於粗略校準的2個圖案方面,亦可設定在Y軸方向上分離而配置的2個圖案。在如此般進行使用在Y軸方向上分離而配置的2個圖案下的粗略校準的情況下,可確認相對於Y軸方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差量是否為第1容許值以下。 圖9係在接續圖8之依第1實施方式下的圖案檢查方法中,就在精密校準中的精密校準圖案PP1、PP2的位置偏差D的測定程序進行繪示的平面圖。 透過粗略校準確認到相對於X軸方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差量為第1容許值以下的情況(步驟S4:Yes)下,控制計算機30基於取得的精密校準圖案PP1、PP2,在遮罩2的光學影像2I上實施精密校準(步驟S5~步驟S10)。 另一方面,在透過粗略校準確認到相對於X軸方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差量比第1容許值大的情況(步驟S4:No)下,控制計算機30進行錯誤處理(步驟S15)。錯誤處理係例如遮罩2的重載。 於精密校準,首先控制計算機30以檢查解析度取得精密校準圖案PP1、PP2的光學影像(步驟S5)。如同粗略校準圖案P1、P2的取得時,例如控制計算機30如示於圖9般,依次取得以視域V包圍的範圍的精密校準圖案PP1、PP2的光學影像。 取得精密校準圖案PP1、PP2的光學影像後,控制計算機30如示於圖2及圖9般,基於取得的精密校準圖案PP1、PP2的光學影像,就以雷射測長系統11測定的相對於X軸方向之遮罩2的旋轉方向上的位置偏差量D進行檢測(步驟S6)。位置偏差量D係例如以2個精密校準圖案PP1、PP2的Y座標的差分而算出。位置偏差量D的單位係例如像素。 圖10係在接續圖9之依第1實施方式下的圖案檢查方法中就精密校準中的XYθ台6的旋轉程序進行繪示的平面圖。檢測位置偏差量D後,控制計算機30係如示於圖2及圖10般,以位置偏差量D成為第2容許值以下的方式進行使XYθ台6旋轉於θ方向的θ調整(步驟S7)。 進行θ調整後,如示於圖2般,控制計算機30判定θ調整後的位置偏差量D是否成為第2容許值以下(步驟S8)。 位置偏差量D成為第2容許值以下的情況(步驟S8:Yes)下,控制計算機30轉移至供於調整遮罩2的光學影像2I的伸縮率用的處理(步驟S12~步驟S14)。 另一方面,位置偏差量D未成為第2容許值以下的情況(步驟S8:No)下,控制計算機30判定位置偏差量D的檢測次數是否超過規定檢測次數(步驟S9)。 超過規定檢測次數的情況(步驟S9:Yes)下,結束處理。另一方面,未超過規定檢測次數的情況(步驟S9:No)下,控制計算機30重試精密校準。具體而言,控制計算機30使視域V移動至將θ調整前的第1粗略校準圖案P1的座標以θ調整予以旋轉位移後的座標,從而再取得第1粗略校準圖案P1的光學影像(步驟S10)。 再取得第1粗略校準圖案P1的光學影像後,控制計算機30使視域V移動至將θ調整前的精密校準圖案PP1、PP2的座標以θ調整予以旋轉位移後的座標,從而再取得精密校準圖案PP1、PP2的光學影像(步驟S11)。 再取得精密校準圖案PP1、PP2的光學影像後,控制計算機30基於再取得的精密校準圖案PP1、PP2的光學影像,重複步驟S6之後的處理。 供於調整遮罩2的光學影像2I的伸縮率用的處理(步驟S12~步驟S14)中,首先,控制計算機30使XYθ台6移動於-Y方向而使視域V移動至第3校準圖案P3上,從而就第3校準圖案P3進行檢測。然後,控制計算機30登錄檢測出的第3校準圖案P3的座標(步驟S12)。 登錄第3校準圖案P3的座標後,控制計算機30使XYθ台6移動於+X方向而使視域V移動至第4校準圖案P4上,從而就第4校準圖案P4進行檢測。然後,控制計算機30登錄檢測出的第4校準圖案P4的座標(步驟S13)。 登錄第4校準圖案P4的座標後,控制計算機30基於θ調整後的校準圖案PP1、PP2、P3、P4的座標,以遮罩2的光學影像2I成為長方形或正方形的方式調整光學影像2I的伸縮率(步驟S14)。利用如此般傾斜及變形被校正的光學影像而檢查圖案的缺陷,使得可正確地進行檢查。 另外,控制計算機30可在進行已述的精密校準的重試的情況下,透過從再取得的第1粗略校準圖案P1的光學影像的座標之基於預先登錄的相對座標下的相對移動從而取得精密校準圖案PP1、PP2的光學影像。據此,即使由於XYθ台6的旋轉使得粗略校準圖案P1及精密校準圖案PP1、PP2的位置發生變化的情況下,仍可簡便且適切地進行精密校準的重試。 如以上所述,依第1實施方式時,進行利用使用者所設定的獨特的粗略校準圖案下的粗略校準、和利用位於矩形框的角部上的精密校準圖案下的精密校準,使得即使為不具有特定圖案的遮罩2亦可進行XYθ台6的旋轉方面的自動校準。據此,可使自動校準的通用性提升。 (第2實施方式) 接著,就使遮罩2的端部為粗略校準圖案P1、P2的第2實施方式進行說明。圖11係就依第2實施方式下的圖案檢查方法進行繪示的平面圖。 在第1實施方式,利用使用者作為獨特的圖案而設定的檢查區域201內的粗略校準圖案P1、P2進行自動校準。 相對於此,在第2實施方式,如示於圖11般,在設計資料2D上,將遮罩2的圖11中的左下端設定為第1粗略校準圖案P1,將右下端設定為第2粗略校準圖案P2。其他構成及作用如同第1實施方式故詳細的說明從略。 依第2實施方式時,透過利用遮罩2的端部,使得即使在檢查區域201內未發現獨特的圖案的情況下仍可進行自動校準。據此,可使校準的通用性進一步提升。 (第3實施方式) 接著,就在遮罩2的光學影像2I上設定校準圖案PP1、PP2、P3、P4的第3實施方式,以與第1實施方式的差異為中心進行說明。圖12係就依第3實施方式下的圖案檢查方法進行繪示的流程圖。圖13係就依第3實施方式下的圖案檢查方法進行繪示的平面圖。 如示於圖12及圖13般,於第3實施方式,控制計算機30在粗略校準成功的情況(步驟S4:Yes)下,從設定於檢查區域201的四角中的各者的既定範圍的區域A1~A4,取得具有位於矩形框的角部上的位置關係的4個校準圖案PP1、PP2、P3、P4的候補的光學影像(步驟S21)。 圖13之例中,校準圖案PP1、PP2、P3、P4的候補方面,取得具有位於第1矩形框f1的角部上的位置關係的校準圖案候補PP1_1、PP2_1、P3_1、P4_1、和具有位於第2矩形框f2的角部上的位置關係的校準圖案候補PP1_2、PP2_2、P3_2、P4_2。 取得校準圖案PP1、PP2、P3、P4的候補後,控制計算機30基於θ調整及伸縮率調整的所需調整量的閾值與矩形框的大小關係,將取得的候補之中1個候補決定為校準圖案PP1、PP2、P3、P4(步驟S22)。據此,基於光學影像取得精密校準圖案PP1、PP2。 此時,控制計算機30係為了與閾值進行比較,按校準圖案候補,實施θ調整而求得θ調整的所需調整量,同時實施伸縮率調整而求得伸縮率調整的所需調整量。θ調整及伸縮率調整的所需調整量比閾值小的情況下,控制計算機30判斷校準圖案候補作為校準圖案PP1、PP2、P3、P4具有適應性。此外,矩形框的面積越大,控制計算機30判斷校準圖案候補作為校準圖案PP1、PP2、P3、P4越具有適應性。 在圖13之例,比起第2矩形框f2,第1矩形框f1相對於X方向的傾斜、變形小(亦即,所需調整量比閾值小),此外面積大。為此,在圖13之例,第1矩形框f1的角部上的校準圖案候補PP1_1、PP2_1、P3_1、P4_1被決定為4個校準圖案PP1、PP2、P3、P4。 決定校準圖案PP1、PP2、P3、P4後,控制計算機30利用決定的校準圖案PP1、PP2、P3、P4,如同第1實施方式,執行精密校準(步驟S6~S11)及伸縮率的調整(步驟S14)。 其中,在第3實施方式,校準圖案PP1、PP2、P3、P4的決定之際(步驟S22),已求出θ調整的所需調整量。為此,精密校準中的θ調整(步驟S7)的調整量方面,可使用在校準圖案PP1、PP2、P3、P4的決定之際求出的θ調整的所需調整量。 此外,在第3實施方式,在取得校準圖案候補的光學影像之際(步驟S21),已取得第3校準圖案P3及第4校準圖案P4。為此,在伸縮率的調整(步驟S14)方面,可使用在校準圖案候補的光學影像的取得之際(步驟S21)取得的第3校準圖案P3及第4校準圖案P4。此外,伸縮率的調整量方面,可使用在校準圖案PP1、PP2、P3、P4的決定之際(步驟S22)求出的伸縮率的所需調整量。 依第3實施方式時,可將在校準圖案PP1、PP2、P3、P4的決定之際算出的θ調整及伸縮率調整的所需調整量活用於θ調整及伸縮率調整,故可縮短自動校準的所需時間。 再者,依第3實施方式時,可將在校準圖案候補的光學影像的取得之際取得的第3校準圖案P3及第4校準圖案P4活用於伸縮率的調整,故不需要如第1實施方式般移動至第3校準圖案P3及第4校準圖案P4的程序(圖2的步驟S12、S13)。據此,可進一步縮短自動校準的所需時間。 圖案檢查裝置1的至少一部分能以硬體構成,亦能以軟體而構成。以軟體而構成的情況下,可將實現圖案檢查裝置1的至少一部分的功能的程式收納於撓性碟、CD-ROM等的記錄媒體,使電腦讀取而執行。記錄媒體不限定於磁碟、光碟等的可裝卸者,亦可為硬體裝置、記憶體等的固定型的記錄媒體。 上述的實施方式係作為舉例而提示者,未意欲限定發明的範圍。實施方式能以其他各種方式實施,在不脫離發明之要旨的範圍下,可進行各種省略、置換、變更。此等實施方式、其變形如同包含於發明之範圍、要旨,為包含於記載在申請專利範圍之發明與其均等之範圍者。
1:圖案檢查裝置 2:遮罩 3:光源 4:偏振分束器 5:接物鏡 6:XYθ台 6a:XY平面 7:成像用透鏡 8:光電二極體陣列 9:自動裝載器 10A:X軸馬達 10B:Y軸馬達 10C:θ軸馬達 11:雷射測長系統 12:Z感測器 13:對焦機構 14:匯流排 15:自動裝載器控制電路 17:移動台控制電路 18:自動對焦控制電路 19:感測器電路 22:位置電路 23:展開電路 24:參照電路 25:比較電路 30:控制計算機 31:磁碟裝置 34:CRT 35:印表機 200:外部計算機 201:檢查區域 202:長條 2D:設計資料 A1、A2、A3、A4:既定範圍的區域 D:位置偏差量 P1、P2、P3、P4:校準圖案 PP1、PP2:校準圖案 PP1_1~PP4_4:校準圖案 V:視域
圖1係就依第1實施方式下的圖案檢查裝置進行繪示的圖。 圖2係就依第1實施方式下的圖案檢查方法進行繪示的流程圖。 圖3係就依第1實施方式下的圖案檢查方法進行繪示的透視圖。 圖4係在依第1實施方式下的圖案檢查方法中就粗略校準圖案的一例進行繪示的平面圖。 圖5係在依第1實施方式下的圖案檢查方法中就包含精密校準圖案的矩形框的角部上的4個校準圖案的取得程序進行繪示的平面圖。 圖6係在依第1實施方式下的圖案檢查方法中就無法取得4個校準圖案之例進行繪示的平面圖。 圖7係在依第1實施方式下的圖案檢查方法中就最大矩形框的角部上的4個校準圖案的取得程序進行繪示的平面圖。 圖8係在接續圖5之依第1實施方式下的圖案檢查方法中就粗略校準程序進行繪示的平面圖。 圖9係在接續圖8之依第1實施方式下的圖案檢查方法中就精密校準中的精密校準圖案的偏差量的測定程序進行繪示的平面圖。 圖10係在接續圖9之依第1實施方式下的圖案檢查方法中就精密校準中的XYθ台的旋轉程序進行繪示的平面圖。 圖11係就依第2實施方式下的圖案檢查方法進行繪示的平面圖。 圖12係就依第3實施方式下的圖案檢查方法進行繪示的流程圖。 圖13係就依第3實施方式下的圖案檢查方法進行繪示的平面圖。
Claims (8)
- 一種檢查方法,其係利用具備載台的檢查裝置而就設於樣品的檢查區域的圖案的缺陷進行檢查者,該載台具有可載置前述樣品的XY平面,並可移動於X方向及Y方向且可繞相對於前述XY平面大致垂直的Z軸而旋轉, 該檢查方法具備: 實施粗略校準的程序,該粗略校準係確認相對於前述X方向或前述Y方向之前述樣品的旋轉方向上的位置偏差量是否為第1容許值以下者;和 實施精密校準的程序,該精密校準係以使前述位置偏差量成為比前述第1容許值小的第2容許值以下的方式進行校正者; 實施前述粗略校準的程序包含: 作為用於前述粗略校準的圖案,取得預先設定的前述樣品的檢查區域上的第1圖案的光學影像, 從取得前述第1圖案的光學影像時的前述載台的位置,使前述載台以預先決定的移動量移動於前述X方向或前述Y方向, 在以前述移動量使前述載台移動時,已取得作為用於前述粗略校準的圖案而預先設定且相對於前述第1圖案在前述X方向或前述Y方向上分離而配置的前述檢查區域上的第2圖案的光學影像的情況下,認定為前述位置偏差量為前述第1容許值以下,另一方面未取得前述第2圖案的光學影像的情況下,認定為前述位置偏差量比前述第1容許值大; 實施前述精密校準的程序包含: 透過前述粗略校準確認前述位置偏差量為前述第1容許值以下的情況下,取得在前述樣品的光學影像的前述檢查區域上位於以沿著前述X方向或前述Y方向下的四邊而構成的矩形框的不同的複數個角部上,且用於前述精密校準的複數個第3圖案的光學影像, 基於前述取得的複數個第3圖案的光學影像就前述位置偏差量進行檢測, 使前述載台旋轉直到前述檢測出的位置偏差量成為前述第2容許值以下為止。
- 如申請專利範圍第1項的檢查方法,其中,前述複數個第3圖案係以下圖案:位於設定於前述檢查區域的複數個角部中的各者的複數個區域內,具有沿著前述X方向及前述Y方向中的至少一者的邊緣。
- 如申請專利範圍第1項的檢查方法,其中, 實施前述精密校準的程序包含: 透過前述載台的旋轉而前述位置偏差量未成為前述第2容許值以下的情況下,再取得前述第1圖案的光學影像, 透過從前述再取得的第1圖案的光學影像的相對移動而再取得前述第3圖案的光學影像, 基於前述再取得的第3圖案的光學影像而再檢測前述位置偏差量, 使前述載台再度旋轉為前述再檢測出的位置偏差量成為前述第2容許值以下。
- 如申請專利範圍第2項的檢查方法,其中, 實施前述精密校準的程序包含: 透過前述載台的旋轉而前述位置偏差量未成為前述第2容許值以下的情況下,再取得前述第1圖案的光學影像, 透過從前述再取得的第1圖案的光學影像的相對移動而再取得前述第3圖案的光學影像, 基於前述再取得的第3圖案的光學影像而再檢測前述位置偏差量, 使前述載台再度旋轉為前述再檢測出的位置偏差量成為前述第2容許值以下。
- 如申請專利範圍第1項的檢查方法,其中,前述第3圖案係從前述第1圖案位於一定距離內的圖案。
- 如申請專利範圍第2項的檢查方法,其中,前述第3圖案係從前述第1圖案位於一定距離內的圖案。
- 如申請專利範圍第3項的檢查方法,其中,前述第3圖案係從前述第1圖案位於一定距離內的圖案。
- 一種檢查裝置,其係具備載台且就設於樣品的檢查區域的圖案的缺陷進行檢查者,該載台具有可載置前述樣品的XY平面,並可移動於X方向及Y方向且可繞相對於前述XY平面大致垂直的Z軸而旋轉, 該檢查裝置具備: 實施粗略校準的粗略校準部,該粗略校準係確認相對於前述X方向或前述Y方向之前述樣品的旋轉方向上的位置偏差量是否為第1容許值以下者;和 實施精密校準的精密校準部,該精密校準係以使前述位置偏差量成為比前述第1容許值小的第2容許值以下的方式進行校正者; 前述粗略校準部: 作為用於前述粗略校準的圖案,取得預先設定的前述樣品的檢查區域上的第1圖案的光學影像, 從取得前述第1圖案的光學影像時的前述載台的位置,使前述載台以預先決定的移動量移動於前述X方向或前述Y方向, 在以前述移動量使前述載台移動時,已取得作為用於前述粗略校準的圖案而預先設定且相對於前述第1圖案在前述X方向或前述Y方向上分離而配置的前述檢查區域上的第2圖案的光學影像的情況下,認定為前述位置偏差量為前述第1容許值以下,另一方面未取得前述第2圖案的光學影像的情況下,認定為前述位置偏差量比前述第1容許值大, 前述精密校準部: 透過前述粗略校準確認前述位置偏差量為前述第1容許值以下的情況下,取得在前述樣品的光學影像的前述檢查區域上位於以沿著前述X方向或前述Y方向下的四邊而構成的矩形框的不同的複數個角部上,且用於前述精密校準的複數個第3圖案的光學影像, 基於前述取得的複數個第3圖案的光學影像就前述位置偏差量進行檢測, 使前述載台旋轉直到前述檢測出的位置偏差量成為前述第2容許值以下為止。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017188970 | 2017-09-28 | ||
JP2017-188970 | 2017-09-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201921093A TW201921093A (zh) | 2019-06-01 |
TWI667530B true TWI667530B (zh) | 2019-08-01 |
Family
ID=65806827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107129568A TWI667530B (zh) | 2017-09-28 | 2018-08-24 | Inspection method and inspection device |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10540561B2 (zh) |
JP (1) | JP6980631B2 (zh) |
KR (1) | KR102139508B1 (zh) |
CN (1) | CN109580658B (zh) |
TW (1) | TWI667530B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108037142B (zh) * | 2017-12-04 | 2021-01-19 | 江苏维普光电科技有限公司 | 基于图像灰度值的掩膜版光学缺陷检测方法 |
US20210209393A1 (en) * | 2018-07-06 | 2021-07-08 | Rakuten, Inc. | Image processing system, image processing method, and program |
DE102020209638B3 (de) * | 2020-07-30 | 2021-11-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum bestimmen einer ausrichtung einer fotomaske auf einem probentisch, der entlang zumindest einer achse verschiebbar und um zumindest eine achse drehbar ist |
CN112964725A (zh) * | 2021-02-02 | 2021-06-15 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 检测方法及装置、检测设备和存储介质 |
CN113379835A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-10 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 检测设备的校准方法、装置、设备及可读存储介质 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005096353A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Nikon Corporation | アライメント条件決定方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
WO2006025386A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Nikon Corporation | 位置合わせ方法、処理システム、基板の投入再現性計測方法、位置計測方法、露光方法、基板処理装置、計測方法及び計測装置 |
TW200739678A (en) * | 2006-03-07 | 2007-10-16 | Nikon Corp | Device manufacturing method, device manufacturing system, and measuring/examining instrument |
TW200745508A (en) * | 2006-04-27 | 2007-12-16 | Ebara Corp | Apparatus and method for correcting XY coordinates for test piece pattern inspection device |
TW200931186A (en) * | 2007-08-24 | 2009-07-16 | Nikon Corp | Moving body driving method, moving body driving system, pattern forming method, and pattern forming device |
US20090220872A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Detecting apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
TW201329654A (zh) * | 2007-07-24 | 2013-07-16 | 尼康股份有限公司 | 移動體驅動方法及移動體驅動系統、圖案形成方法及裝置、曝光方法及裝置、位置控制方法及位置控制系統、以及元件製造方法 |
TW201727393A (zh) * | 2015-09-28 | 2017-08-01 | 尼康股份有限公司 | 圖案描繪裝置及圖案描繪方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4926489A (en) * | 1983-03-11 | 1990-05-15 | Kla Instruments Corporation | Reticle inspection system |
JP2555651B2 (ja) | 1987-11-30 | 1996-11-20 | 株式会社ニコン | アライメント方法及び装置 |
JPH02109317A (ja) | 1988-10-18 | 1990-04-23 | Sony Corp | 露光パターンのアライメント方法 |
JPH0669319A (ja) | 1992-08-20 | 1994-03-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | アライメントシステム |
JPH09306977A (ja) | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Komatsu Ltd | ウエハ検査装置等におけるウエハの位置決め方法 |
US6072898A (en) * | 1998-01-16 | 2000-06-06 | Beaty; Elwin M. | Method and apparatus for three dimensional inspection of electronic components |
JP4037947B2 (ja) * | 1998-01-29 | 2008-01-23 | 株式会社テクノホロン | 対象物のアライメント方法 |
JP2000021769A (ja) | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Canon Inc | 位置合わせ方法及び位置合わせ装置 |
JP2001332490A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
TW563345B (en) * | 2001-03-15 | 2003-11-21 | Canon Kk | Image processing for correcting defects of read image |
JP4607380B2 (ja) | 2001-07-23 | 2011-01-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | パターン検出方法、パターン検査方法およびパターン修正、加工方法 |
KR100904728B1 (ko) * | 2002-07-15 | 2009-06-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 회전이 가능한 마스크 |
JP2005164565A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | 3B System Inc | 低解像度および高解像度映像におけるフラットパネル用光関連板要素の欠陥検出方法 |
JP4391846B2 (ja) * | 2004-02-12 | 2009-12-24 | Juki株式会社 | 電子部品実装装置の搭載誤差検出方法及び装置 |
CN101208580A (zh) * | 2005-06-28 | 2008-06-25 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 绘制表面轮廓 |
JP2007294815A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Seiko Epson Corp | 外観検査方法および外観検査装置 |
JP2008128651A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Olympus Corp | パターン位置合わせ方法、パターン検査装置及びパターン検査システム |
JP5090725B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2012-12-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 異物検査装置 |
JP5040643B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-10-03 | 日本電産リード株式会社 | アライメント方法 |
TWI532116B (zh) * | 2010-04-11 | 2016-05-01 | 肯提克有限公司 | 晶圓對齊方法及系統 |
WO2011149526A2 (en) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | Arryx, Inc. | Methods and apparatuses for detection of positional freedom of particles in biological and chemical analyses and applications in immunodiagnostics |
KR101993322B1 (ko) | 2011-09-28 | 2019-06-26 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크블랭크용 유리기판, 다층 반사막 부착 기판, 마스크블랭크 및 마스크, 그리고 그것들의 제조방법 |
CN103217421B (zh) * | 2012-01-19 | 2017-09-08 | 昆山思拓机器有限公司 | 软板检测分区对位的校正方法 |
JP6460617B2 (ja) * | 2012-02-10 | 2019-01-30 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
JP5793093B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2015-10-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査装置および検査方法 |
JP5126917B1 (ja) * | 2012-03-14 | 2013-01-23 | レーザーテック株式会社 | 欠陥座標測定装置、欠陥座標測定方法、マスクの製造方法、及び基準マスク |
JP5997039B2 (ja) | 2012-12-26 | 2016-09-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
JP6357143B2 (ja) * | 2013-02-22 | 2018-07-11 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
JP2015130412A (ja) | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 座標アライメント方法および荷電粒子線装置 |
JP6527808B2 (ja) * | 2015-10-27 | 2019-06-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 検査方法および検査装置 |
-
2018
- 2018-08-24 TW TW107129568A patent/TWI667530B/zh active
- 2018-09-13 KR KR1020180109568A patent/KR102139508B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-26 JP JP2018180819A patent/JP6980631B2/ja active Active
- 2018-09-28 US US16/145,643 patent/US10540561B2/en active Active
- 2018-09-28 CN CN201811137848.3A patent/CN109580658B/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005096353A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Nikon Corporation | アライメント条件決定方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
WO2006025386A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Nikon Corporation | 位置合わせ方法、処理システム、基板の投入再現性計測方法、位置計測方法、露光方法、基板処理装置、計測方法及び計測装置 |
TW200739678A (en) * | 2006-03-07 | 2007-10-16 | Nikon Corp | Device manufacturing method, device manufacturing system, and measuring/examining instrument |
TW200745508A (en) * | 2006-04-27 | 2007-12-16 | Ebara Corp | Apparatus and method for correcting XY coordinates for test piece pattern inspection device |
TW201329654A (zh) * | 2007-07-24 | 2013-07-16 | 尼康股份有限公司 | 移動體驅動方法及移動體驅動系統、圖案形成方法及裝置、曝光方法及裝置、位置控制方法及位置控制系統、以及元件製造方法 |
TW200931186A (en) * | 2007-08-24 | 2009-07-16 | Nikon Corp | Moving body driving method, moving body driving system, pattern forming method, and pattern forming device |
US20090220872A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Detecting apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
TW201727393A (zh) * | 2015-09-28 | 2017-08-01 | 尼康股份有限公司 | 圖案描繪裝置及圖案描繪方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019066471A (ja) | 2019-04-25 |
US10540561B2 (en) | 2020-01-21 |
KR20190037112A (ko) | 2019-04-05 |
JP6980631B2 (ja) | 2021-12-15 |
CN109580658A (zh) | 2019-04-05 |
TW201921093A (zh) | 2019-06-01 |
CN109580658B (zh) | 2021-08-06 |
KR102139508B1 (ko) | 2020-07-30 |
US20190095740A1 (en) | 2019-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI667530B (zh) | Inspection method and inspection device | |
TWI618977B (zh) | Mask inspection method and mask inspection device | |
KR101994524B1 (ko) | 포커싱 장치, 포커싱 방법 및 패턴 검사 방법 | |
JP2016145887A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2012078164A (ja) | パターン検査装置 | |
JP2016194482A (ja) | 検査方法および検査装置 | |
JP2017090133A (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP2017053674A (ja) | パターン幅寸法のずれ量測定方法及びパターン検査装置 | |
KR101698891B1 (ko) | 마스크 검사 장치 및 마스크 검사 방법 | |
TWI655496B (zh) | 參照圖像確認方法、光罩檢測方法及光罩檢測裝置 | |
JP5178781B2 (ja) | センサ出力データの補正装置及びセンサ出力データの補正方法 | |
JP5010701B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
JP6668199B2 (ja) | マスク検査方法 | |
JP2019135464A (ja) | パターン検査方法およびパターン検査装置 | |
JP2006275780A (ja) | パターン検査方法 | |
JP2006343143A (ja) | 撮像素子の検査装置 | |
TWI686673B (zh) | 檢查方法 | |
JP2012068321A (ja) | マスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法 | |
JP6513582B2 (ja) | マスク検査方法およびマスク検査装置 | |
JP2015105897A (ja) | マスクパターンの検査方法 | |
JP2019139104A (ja) | パターン検査方法およびパターン検査装置 | |
JP2014020950A (ja) | パターン検査装置 | |
JP6893842B2 (ja) | パターン検査方法およびパターン検査装置 | |
JP4131728B2 (ja) | 画像作成方法、画像作成装置及びパターン検査装置 | |
JP4554635B2 (ja) | パターン検査装置、パターン検査方法及びプログラム |