JP6980631B2 - 検査方法および検査装置 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 125
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 59
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 95
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 22
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706835—Metrology information management or control
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- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706845—Calibration, e.g. tool-to-tool calibration, beam alignment, spot position or focus
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
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Description
前記X方向または前記Y方向に対する前記試料の回転方向における位置ずれ量が第1の許容値以下であるか否かを確認するラフアライメントを実施する工程と、
前記位置ずれ量を前記第1の許容値より小さい第2の許容値以下になるように補正するファインアライメントを実施する工程と、を備え、
前記ラフアライメントを実施する工程は、
前記ラフアライメントに用いるパターンとして予め設定された前記試料の検査領域上の第1パターンの光学画像を取得し、
前記第1パターンの光学画像が取得されたときの前記ステージの位置から、前記ステージを前記X方向または前記Y方向に予め決められた移動量で移動させ、
前記ステージを前記移動量で移動させたときに、前記ラフアライメントに用いるパターンとして予め設定され、且つ、前記第1パターンに対して前記X方向または前記Y方向に離間して配置された前記検査領域上の第2パターンの光学画像が取得された場合に、前記位置ずれ量が前記第1の許容値以下であると認定し、一方、前記第2パターンの光学画像が取得されなかった場合に、前記位置ずれ量が前記第1の許容値より大きいと認定することを含み、
前記ファインアライメントを実施する工程は、
前記ラフアライメントによって前記位置ずれ量が前記第1の許容値以下であることが確認された場合に、前記試料の光学画像の前記検査領域上において前記X方向または前記Y方向に沿った四辺で構成される矩形枠の異なる複数の角部上に位置し、前記ファインアライメントに用いられる複数の第3パターンの光学画像を取得し、
前記取得された複数の第3パターンの光学画像に基づいて前記位置ずれ量を検出し、
前記検出された位置ずれ量が前記第2の許容値以下になるまで前記ステージを回転させることを含む。
複数の第3パターンは、検査領域の複数の隅部のそれぞれに設定された所定範囲の複数の領域内に位置し、X方向およびY方向の少なくとも一方に沿ったエッジを有するパターンであってもよい。
ファインアライメントを実施する工程は、
ステージの回転によって位置ずれ量が第2の許容値以下にならなかった場合に、第1パターンの光学画像を再取得し、
再取得された第1パターンの光学画像からの相対移動によって第3パターンの光学画像を再取得し、
再取得された第3パターンの光学画像に基づいて位置ずれ量を再検出し、
再検出された位置ずれ量が第2の許容値以下になるようにステージを再度回転させることを含んでもよい。
第3パターンは、第1パターンから一定距離内に位置するパターンであってもよい。
試料を載置可能なXY平面を有し、X方向およびY方向に移動可能かつXY平面に対して略垂直なZ軸回りに回転可能なステージを備え、試料の検査領域に設けられたパターンの欠陥を検査する検査装置であって、
前記X方向または前記Y方向に対する前記試料の回転方向における位置ずれ量が第1の許容値以下であるか否かを確認するラフアライメントを実施するラフアライメント部と、
前記位置ずれ量を前記第1の許容値より小さい第2の許容値以下になるように補正するファインアライメントを実施するファインアライメント部と、を備え、
前記ラフアライメント部は、
前記ラフアライメントに用いるパターンとして予め設定された前記試料の検査領域上の第1パターンの光学画像を取得し、
前記第1パターンの光学画像が取得されたときの前記ステージの位置から、前記ステージを前記X方向または前記Y方向に予め決められた移動量で移動させ、
前記ステージを前記移動量で移動させたときに、前記ラフアライメントに用いるパターンとして予め設定され、且つ、前記第1パターンに対して前記X方向または前記Y方向に離間して配置された前記検査領域上の第2パターンの光学画像が取得された場合に、前記位置ずれ量が前記第1の許容値以下であると認定し、一方、前記第2パターンの光学画像が取得されなかった場合に、前記位置ずれ量が前記第1の許容値より大きいと認定し、
前記ファインアライメント部は、
前記ラフアライメントによって前記位置ずれ量が前記第1の許容値以下であることが確認された場合に、前記試料の光学画像の前記検査領域上において前記X方向または前記Y方向に沿った四辺で構成される矩形枠の異なる複数の角部上に位置し、前記ファインアライメントに用いられる複数の第3パターンの光学画像を取得し、
前記取得された複数の第3パターンの光学画像に基づいて前記位置ずれ量を検出し、
前記検出された位置ずれ量が前記第2の許容値以下になるまで前記ステージを回転させる。
図1は、本発明に係る検査装置の一例として、第1の実施形態によるパターン検査装置1を示す図である。図1のパターン検査装置1は、例えば、D−DB(Die to Database)検査によって試料の一例であるリソグラフィー用マスク2に形成されたパターンの欠陥を検査するために用いることができる。
次に、図1のパターン検査装置1を適用した第1の実施形態のパターン検査方法について説明する。図2は、第1の実施形態によるパターン検査方法を示すフローチャートである。図2のフローチャートは、必要に応じて繰り返される。図3は、第1の実施形態によるパターン検査方法を示す斜視図である。図3に示すように、マスク2上の検査領域201は、短冊状の複数のストライプ202に仮想的に分割されている。フォトダイオードアレイ8は、XYθテーブル6の移動にともなって、マスク2をストライプ202毎に撮像する。このとき、図3の破線矢印に示す方向に各ストライプ202が連続的にスキャンされるように、テーブル制御回路17はXYθテーブル6の動作を制御する。XYθテーブル6を移動させながら、フォトダイオードアレイ8で撮像された光学画像に基づいてストライプ202上のパターンの欠陥を検査する。
第4のアライメントパターンP4が検索されると、制御計算機30は、第1のラフアライメントパターンP1の座標点(0,0)を基準とした第4のアライメントパターンP4の相対座標(X1、Y2)を登録する。
第1のラフアライメントパターンP1の光学画像が取得された後、制御計算機30は、テーブル制御回路17にビューVが+X方向に移動するようにXYθテーブル6を‐X方向に移動させる。このときのXYθテーブル6の移動量は、マスク2の設計データ2D上におけるラフアライメントパターンP1、P2間の距離に相当する移動量である。
位置ずれ量Dが第2の許容値以下となった場合(ステップS8:Yes)、制御計算機30は、マスク2の光学画像2Iの伸縮率を調整するための処理に移行する(ステップS12〜ステップS14)。
次に、マスク2の端部をラフアライメントパターンP1、P2とする第2の実施形態について説明する。図11は、第2の実施形態によるパターン検査方法を示す平面図である。
次に、マスク2の光学画像2I上でアライメントパターンPP1、PP2、P3、P4を設定する第3の実施形態について、第1の実施形態との相違点を中心に説明する。図12は、第3の実施形態によるパターン検査方法を示すフローチャートである。図13は、第3の実施形態によるパターン検査方法を示す平面図である。
2 マスク
6 XYθテーブル
Claims (5)
- 試料を載置可能なXY平面を有し、X方向およびY方向に移動可能かつ前記XY平面に対して略垂直なZ軸回りに回転可能なステージを備える検査装置を用いて、前記試料の検査領域に設けられたパターンの欠陥を検査する検査方法であって、
前記X方向または前記Y方向に対する前記試料の回転方向における位置ずれ量が第1の許容値以下であるか否かを確認するラフアライメントを実施する工程と、
前記位置ずれ量を前記第1の許容値より小さい第2の許容値以下になるように補正するファインアライメントを実施する工程と、を備え、
前記ラフアライメントを実施する工程は、
前記ラフアライメントに用いるパターンとして予め設定された前記試料の検査領域上の第1パターンの光学画像を取得し、
前記第1パターンの光学画像が取得されたときの前記ステージの位置から、前記ステージを前記X方向または前記Y方向に予め決められた移動量で移動させ、
前記ステージを前記移動量で移動させたときに、前記ラフアライメントに用いるパターンとして予め設定され、且つ、前記第1パターンに対して前記X方向または前記Y方向に離間して配置された前記検査領域上の第2パターンの光学画像が取得された場合に、前記位置ずれ量が前記第1の許容値以下であると認定し、一方、前記第2パターンの光学画像が取得されなかった場合に、前記位置ずれ量が前記第1の許容値より大きいと認定することを含み、
前記ファインアライメントを実施する工程は、
前記ラフアライメントによって前記位置ずれ量が前記第1の許容値以下であることが確認された場合に、前記試料の光学画像の前記検査領域上において前記X方向または前記Y方向に沿った四辺で構成される矩形枠の異なる複数の角部上に位置し、前記ファインアライメントに用いられる複数の第3パターンの光学画像を取得し、
前記取得された複数の第3パターンの光学画像に基づいて前記位置ずれ量を検出し、
前記検出された位置ずれ量が前記第2の許容値以下になるまで前記ステージを回転させることを含む、検査方法。 - 前記複数の第3パターンは、前記検査領域の複数の隅部のそれぞれに設定された複数の領域内に位置し、前記X方向および前記Y方向の少なくとも一方に沿ったエッジを有するパターンである、請求項1に記載の検査方法。
- 前記ファインアライメントを実施する工程は、
前記ステージの回転によって前記位置ずれ量が前記第2の許容値以下にならなかった場合に、前記第1パターンの光学画像を再取得し、
前記再取得された第1パターンの光学画像からの相対移動によって前記第3パターンの光学画像を再取得し、
前記再取得された第3パターンの光学画像に基づいて前記位置ずれ量を再検出し、
前記再検出された位置ずれ量が前記第2の許容値以下になるように前記ステージを再度回転させることを含む、請求項1または2に記載の検査方法。 - 前記第3パターンは、前記第1パターンから一定距離内に位置するパターンである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の検査方法。
- 試料を載置可能なXY平面を有し、X方向およびY方向に移動可能かつ前記XY平面に対して略垂直なZ軸回りに回転可能なステージを備え、
前記試料の検査領域に設けられたパターンの欠陥を検査する検査装置であって、
前記X方向または前記Y方向に対する前記試料の回転方向における位置ずれ量が第1の許容値以下であるか否かを確認するラフアライメントを実施するラフアライメント部と、
前記位置ずれ量を前記第1の許容値より小さい第2の許容値以下になるように補正するファインアライメントを実施するファインアライメント部と、を備え、
前記ラフアライメント部は、
前記ラフアライメントに用いるパターンとして予め設定された前記試料の検査領域上の第1パターンの光学画像を取得し、
前記第1パターンの光学画像が取得されたときの前記ステージの位置から、前記ステージを前記X方向または前記Y方向に予め決められた移動量で移動させ、
前記ステージを前記移動量で移動させたときに、前記ラフアライメントに用いるパターンとして予め設定され、且つ、前記第1パターンに対して前記X方向または前記Y方向に離間して配置された前記検査領域上の第2パターンの光学画像が取得された場合に、前記位置ずれ量が前記第1の許容値以下であると認定し、一方、前記第2パターンの光学画像が取得されなかった場合に、前記位置ずれ量が前記第1の許容値より大きいと認定し、
前記ファインアライメント部は、
前記ラフアライメントによって前記位置ずれ量が前記第1の許容値以下であることが確認された場合に、前記試料の光学画像の前記検査領域上において前記X方向または前記Y方向に沿った四辺で構成される矩形枠の異なる複数の角部上に位置し、前記ファインアライメントに用いられる複数の第3パターンの光学画像を取得し、
前記取得された複数の第3パターンの光学画像に基づいて前記位置ずれ量を検出し、
前記検出された位置ずれ量が前記第2の許容値以下になるまで前記ステージを回転させる、検査装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017188970 | 2017-09-28 | ||
JP2017188970 | 2017-09-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019066471A JP2019066471A (ja) | 2019-04-25 |
JP6980631B2 true JP6980631B2 (ja) | 2021-12-15 |
Family
ID=65806827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018180819A Active JP6980631B2 (ja) | 2017-09-28 | 2018-09-26 | 検査方法および検査装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10540561B2 (ja) |
JP (1) | JP6980631B2 (ja) |
KR (1) | KR102139508B1 (ja) |
CN (1) | CN109580658B (ja) |
TW (1) | TWI667530B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108037142B (zh) * | 2017-12-04 | 2021-01-19 | 江苏维普光电科技有限公司 | 基于图像灰度值的掩膜版光学缺陷检测方法 |
US20210209393A1 (en) * | 2018-07-06 | 2021-07-08 | Rakuten, Inc. | Image processing system, image processing method, and program |
DE102020209638B3 (de) * | 2020-07-30 | 2021-11-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum bestimmen einer ausrichtung einer fotomaske auf einem probentisch, der entlang zumindest einer achse verschiebbar und um zumindest eine achse drehbar ist |
CN112964725B (zh) * | 2021-02-02 | 2024-07-02 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 检测方法及装置、检测设备和存储介质 |
CN113379835B (zh) * | 2021-06-29 | 2024-06-04 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 检测设备的校准方法、装置、设备及可读存储介质 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4926489A (en) * | 1983-03-11 | 1990-05-15 | Kla Instruments Corporation | Reticle inspection system |
JP2555651B2 (ja) * | 1987-11-30 | 1996-11-20 | 株式会社ニコン | アライメント方法及び装置 |
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-
2018
- 2018-08-24 TW TW107129568A patent/TWI667530B/zh active
- 2018-09-13 KR KR1020180109568A patent/KR102139508B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-26 JP JP2018180819A patent/JP6980631B2/ja active Active
- 2018-09-28 US US16/145,643 patent/US10540561B2/en active Active
- 2018-09-28 CN CN201811137848.3A patent/CN109580658B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190095740A1 (en) | 2019-03-28 |
KR20190037112A (ko) | 2019-04-05 |
CN109580658A (zh) | 2019-04-05 |
US10540561B2 (en) | 2020-01-21 |
TW201921093A (zh) | 2019-06-01 |
CN109580658B (zh) | 2021-08-06 |
TWI667530B (zh) | 2019-08-01 |
JP2019066471A (ja) | 2019-04-25 |
KR102139508B1 (ko) | 2020-07-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211022 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |