JP5574749B2 - 露光条件及びマスクパターンのうち少なくとも一方を決定する決定方法及びプログラム、情報処理装置 - Google Patents
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Description
なお、本実施例において、投影に用いる光源はArFエキシマレーザー(波長193nm)、投影光学系のNAは0.93としている。
比較のために、従来の方法として、MSDを考慮せずに各変数を調整した例を示す。図6(a)はその結果のマスクパターン、図6(b)は有効光源形状、図6(c)はσx=σy=10nmのときの基準露光量での像を示している。表2は各変数の調整結果を示している。このとき、σx=σy=10nmの場合、基準露光量と基準露光量±5%の3つの露光量での各評価寸法の目標値からのずれ量のRMSは4.2nmだった。
比較のために、従来の方法として、MSDを考慮せずに各変数を調整した例での評価結果を示す。なお、このときの各変数の値は表2に示されている。このとき、σx=σy=0nmの場合、基準露光量と基準露光量±5%の3つの露光量での各評価寸法の目標値からのずれ量のRMSは2.8nmだった。また、σx=σy=10nmの場合、基準露光量と基準露光量±5%の3つの露光量での各評価寸法の目標値からのずれ量のRMSは4.2nmだった。
Claims (11)
- 光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置の露光条件及びマスクのパターンのうち少なくとも一方をコンピュータを用いて決定する決定方法であって、
前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報を用いて、前記基板を露光している間に前記投影光学系の物体面にあるパターンの互いに横ずれした複数の像が重ね合わされるように形成される像を計算する計算ステップと、
該計算結果に基づいて、前記露光条件及び前記マスクのパターンのうち少なくとも一方を決定する決定ステップとを有し、
前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報は、前記基板を露光している間に変化するディストーションの情報を含むことを特徴とする決定方法。 - 光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置の露光条件及びマスクのパターンのうち少なくとも一方をコンピュータを用いて決定する決定方法であって、
前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報を用いて、前記基板を露光している間に前記投影光学系の物体面にあるパターンの互いに横ずれした複数の像が重ね合わされるように形成される像を計算する計算ステップと、
該計算結果に基づいて、前記露光条件及び前記マスクのパターンのうち少なくとも一方を決定する決定ステップとを有し、
前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報はガウス関数のσの値を含み、前記計算ステップにおいて、前記ガウス関数のσの値を用いて、前記像の横ずれがない場合の前記投影光学系の物体面にあるパターンの像に前記ガウス関数をコンボリューションすることにより、前記複数の像が重ね合わされるように形成される像を計算することを特徴とする決定方法。 - 前記ガウス関数のσの値は、前記横ずれの互いに垂直な2つの方向において互いに異なる値であることを特徴とする請求項2に記載の決定方法。
- 光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置の露光条件及びマスクのパターンをコンピュータを用いて決定する決定方法であって、
前記露光条件のパラメーター及び前記マスクのパターンのパラメーターの値を設定し、
該設定された前記パラメータの値と前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報とを用いて、前記基板を露光している間に前記投影光学系の物体面にあるパターンの互いに横ずれした複数の像が重ね合わされるように形成される像を計算する計算ステップと、
該計算結果に基づいて、前記露光条件及び前記マスクのパターンを決定する決定ステップとを有することを特徴とする決定方法。 - 前記マスクのパターンのそれぞれを複数の多角形が重ね合わさって構成される形状として、前記複数の多角形のそれぞれの辺の長さを、前記マスクパターンのパラメーターとして設定することを特徴とする請求項4に記載の決定方法。
- 光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置の露光条件及びマスクのパターンのうち少なくとも一方をコンピュータを用いて決定する決定方法であって、
前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報を用いて、前記基板を露光している間に前記投影光学系の物体面にあるパターンの互いに横ずれした複数の像が重ね合わされるように形成される像を計算する計算ステップと、
該計算結果に基づいて、前記露光条件及び前記マスクのパターンのうち少なくとも一方を決定する決定ステップとを有し、
前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報に、前記横ずれの程度を規定する複数の設定値が含まれ、
前記計算ステップでは、互いに異なる前記複数の設定値のそれぞれについて、前記投影光学系の物体面にあるパターンの像を計算することを特徴とする決定方法。 - 請求項1、2、4又は6に記載の決定方法を前記コンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
- 光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置の露光条件及びマスクのパターンのうち少なくとも一方を決定する情報処理装置であって、
前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報を用いて、前記基板を露光している間に前記投影光学系の物体面にあるパターンの互いに横ずれした複数の像が重ね合わされるように形成される像を計算し、該計算結果に基づいて、前記露光条件及び前記マスクのパターンのうち少なくとも一方を決定し、
前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報は、前記基板を露光している間に変化するディストーションの情報を含むことを特徴とする情報処理装置。 - 光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置の露光条件及びマスクのパターンのうち少なくとも一方を決定する情報処理装置であって、
前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報を用いて、前記基板を露光している間に前記投影光学系の物体面にあるパターンの互いに横ずれした複数の像が重ね合わされるように形成される像を計算し、該計算結果に基づいて、前記露光条件及び前記マスクのパターンのうち少なくとも一方を決定し、
前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報はガウス関数のσの値を含み、前記計算ステップにおいて、前記ガウス関数のσの値を用いて、前記像の横ずれがない場合の前記投影光学系の物体面にあるパターンの像に前記ガウス関数をコンボリューションすることにより、前記複数の像が重ね合わされるように形成される像を計算することを特徴とする情報処理装置。 - 光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置の露光条件及びマスクのパターンを決定する情報処理装置であって、
前記露光条件のパラメーター及び前記マスクのパターンのパラメーターの値を設定し、
該設定された前記パラメータの値と前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報とを用いて、前記基板を露光している間に前記投影光学系の物体面にあるパターンの互いに横ずれした複数の像が重ね合わされるように形成される像を計算する計算ステップと、
該計算結果に基づいて、前記露光条件及び前記マスクのパターンを決定する決定ステップとを有することを特徴とする情報処理装置。 - 光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置の露光条件及びマスクのパターンのうち少なくとも一方を決定する情報処理装置であって、
前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報を用いて、前記基板を露光している間に前記投影光学系の物体面にあるパターンの互いに横ずれした複数の像が重ね合わされるように形成される像を計算し、該計算結果に基づいて、前記露光条件及び前記マスクのパターンのうち少なくとも一方を決定し、
前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報に、前記横ずれの程度を規定する複数の設定値が含まれ、
前記計算ステップでは、互いに異なる前記複数の設定値のそれぞれについて、前記投影光学系の物体面にあるパターンの像を計算することを特徴とする情報処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010039071A JP5574749B2 (ja) | 2010-02-24 | 2010-02-24 | 露光条件及びマスクパターンのうち少なくとも一方を決定する決定方法及びプログラム、情報処理装置 |
US13/032,960 US9036897B2 (en) | 2010-02-24 | 2011-02-23 | Storage medium storing computer program for determining at least one of exposure condition and mask pattern |
KR1020110015950A KR101395995B1 (ko) | 2010-02-24 | 2011-02-23 | 노광 조건 및 마스크 패턴 중 적어도 하나를 결정하는 컴퓨터 프로그램을 저장한 저장 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010039071A JP5574749B2 (ja) | 2010-02-24 | 2010-02-24 | 露光条件及びマスクパターンのうち少なくとも一方を決定する決定方法及びプログラム、情報処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011176119A JP2011176119A (ja) | 2011-09-08 |
JP2011176119A5 JP2011176119A5 (ja) | 2013-04-11 |
JP5574749B2 true JP5574749B2 (ja) | 2014-08-20 |
Family
ID=44476520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010039071A Active JP5574749B2 (ja) | 2010-02-24 | 2010-02-24 | 露光条件及びマスクパターンのうち少なくとも一方を決定する決定方法及びプログラム、情報処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9036897B2 (ja) |
JP (1) | JP5574749B2 (ja) |
KR (1) | KR101395995B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5656905B2 (ja) * | 2012-04-06 | 2015-01-21 | キヤノン株式会社 | 決定方法、プログラム及び情報処理装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5486896A (en) * | 1993-02-19 | 1996-01-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
US6753948B2 (en) * | 1993-04-27 | 2004-06-22 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
JPH08293459A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Nikon Corp | ステージ駆動制御方法及びその装置 |
JP3331822B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2002-10-07 | ソニー株式会社 | マスクパターン補正方法とそれを用いたマスク、露光方法および半導体装置 |
JP2000260692A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Nikon Corp | 露光装置および露光方法 |
US6472673B1 (en) * | 1999-07-29 | 2002-10-29 | Ims Ionen-Mikrofabrikations Systeme Gmbh | Lithographic method for producing an exposure pattern on a substrate |
WO2002029870A1 (fr) * | 2000-10-05 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Procede de determination des conditions d'exposition, procede d'exposition, dispositif de realisation dudit procede et support d'enregistrement |
JP4022374B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2007-12-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体デバイスの製造方法およびそのシステム |
JP3559766B2 (ja) * | 2001-02-21 | 2004-09-02 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置及び走査露光方法並びにデバイスの製造方法 |
CN100350326C (zh) * | 2001-08-31 | 2007-11-21 | 佳能株式会社 | 模板、投影曝光设备、器件制造方法及测量方法 |
US6664121B2 (en) * | 2002-05-20 | 2003-12-16 | Nikon Precision, Inc. | Method and apparatus for position measurement of a pattern formed by a lithographic exposure tool |
WO2005008752A1 (ja) * | 2003-07-23 | 2005-01-27 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
WO2005083756A1 (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-09 | Nikon Corporation | 事前計測処理方法、露光システム及び基板処理装置 |
JP4336671B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2009-09-30 | キヤノン株式会社 | 露光パラメータの決定をコンピュータに実行させるプログラム、露光パラメータを決定する決定方法、露光方法及びデバイス製造方法。 |
JP4701030B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2011-06-15 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光パラメータを設定する設定方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム |
JP5147167B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2013-02-20 | キヤノン株式会社 | 決定方法及びプログラム |
JP5152612B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2013-02-27 | 株式会社ニコン | 情報管理方法、情報管理システム、プログラム、記録媒体、パターン検査装置及び基板検査装置 |
WO2007102484A1 (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Nikon Corporation | デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置 |
JP2009302206A (ja) | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Canon Inc | 露光パラメータの決定方法、露光パラメータを決定するためのプログラム、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP5153492B2 (ja) * | 2008-07-11 | 2013-02-27 | キヤノン株式会社 | 露光条件決定方法およびコンピュータプログラム |
-
2010
- 2010-02-24 JP JP2010039071A patent/JP5574749B2/ja active Active
-
2011
- 2011-02-23 KR KR1020110015950A patent/KR101395995B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-23 US US13/032,960 patent/US9036897B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101395995B1 (ko) | 2014-05-16 |
JP2011176119A (ja) | 2011-09-08 |
US20110206270A1 (en) | 2011-08-25 |
KR20110097684A (ko) | 2011-08-31 |
US9036897B2 (en) | 2015-05-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130225 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140603 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140701 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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