JP5673947B2 - マスクパターンの補正方法、プログラム及び該補正方法を用いたフォトマスク - Google Patents
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Description
前記複数の転写光学形状のパターンエッジの前記設計パターンに対する各々の寸法変化量を測定する工程と、前記各々の寸法変化量を評価し、寸法変化量の誤差分をみて、前記複数のパターン幅の各々の寸法変化量がほぼ同じになるようにする変化量評価工程と、前記変化量評価に基づいて前記マスクパターンのエッジを移動させ、前記設計パターンを変形する工程と、を含み、前記変化量評価工程において、前記複数のパターン幅の各々の寸法変化量がほぼ同じになるようにする手段が、前記複数のパターン幅に対応した前記複数の転写光学形状の光強度の傾きをほぼ等しくする手段であり、前記複数のパターン幅が、前記マスクパターンの中の矩形状パターンの短辺のパターン幅と長辺のパターン幅を含むことを特徴とするものである。
本発明のマスクパターンの補正方法は、フォトマスクに形成されたマスクパターンを、所望の設計パターンに近い転写イメージが得られるように、光近接効果の影響を予め考慮してパターン形状に補正を加え、露光量を変動させた場合でもパターン形状に依存した寸法変化を抑制でき、マスクパターン全体の転写裕度を向上させるものである。
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態に係るマスクパターンの補正方法について、従来のマスクパターンの補正方法と比較しながら詳細に説明する。
まず、図1の工程S10に示すように、フォトマスクの設計パターンとウェハ露光時の転写条件が選定される。図6は、目標とするマスクパターン(所望の設計パターン)の平面図の一例で、複数の矩形状遮光パターンが形成されている例を示す。転写条件は、露光波長、レンズの開口数NA、四重極や輪帯照明などの照明形状、光源の見かけの大きさσ、デフォーカスなどに関する条件である。また、工程S10において、設計パターンから評価する複数のパターン幅を選定する。
上記の本発明のマスクパターンの補正方法の一連の手順は、プログラムに組み込んで、コンピュータに実行させることができる。このプログラムは、コンピュータに読み取り可能な記録媒体に記録して提供したり、ネットワークを介して提供することができる。
本発明のマスクパターンの補正方法は、バイナリマスク、ハーフトーン型の位相シフトマスク、レベンソン型の位相シフトマスクなどに用いることが可能であり、本補正方法はフォトマスクの種別に限定されることはない。
次に、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。
図13(a)に示す長辺(L)250nm、短辺(W)50nmの複数の矩形パターン(パターン間寸法;x方向(Sx)150nm、y方向(Sy)50nm)を有する所望の設計パターンを準備した。この設計パターンのパターン外周に沿って、等間隔に評価点を複数個所に作成した。また、この設計パターンの矩形パターンの長辺(L)250nmと短辺(W)50nmを複数のパターン幅として選定した。
上記の実施例1に対し、従来のマスクパターン補正方法として、クリティカルパターンに重点を置いたOPC処理をした場合について比較した。
上記の実施例1および比較例1について、さらに説明する。図14は、本発明のマスクパターン補正方法の実施例1における露光量変動における転写光学形状(レジストパターン)を示す平面図であり、露光量が(a)最適露光量−5%の場合、(b)最適露光量(Just Dose)の場合、(c)最適露光量+5%の場合を示す。一方、図15は、従来のマスクパターン補正方法の比較例1における露光量変動における転写光学形状(レジストパターン)を示す平面図であり、露光量が(a)最適露光量−5%の場合、(b)最適露光量(Just Dose)の場合、(c)最適露光量+5%の場合を示す。
本実施例は、レンズの開口数NAと照明系を変えた場合である。図18は、NAが1.30の高NAレンズで、弱い超解像技術である輪帯照明系(outer σ=0.9;innerσ=0.4)に、本発明のマスクパターンの補正方法を適用した図18(b)のマスクパターンを用いたとき、シミュレーションによる図18(c)に示すウェハ上のレジストパターンの転写イメージを示す実施例である。
S11 露光量変動条件設定
S12 転写光学形状算出
S13 パターンエッジの設計パターンに対するズレ量測定
S14 変化量評価
S15 マスクパターンエッジを移動
S16 補正済みマスクパターン
Claims (5)
- フォトマスクに形成されたマスクパターンを、所望の設計パターンに近い転写イメージが得られるように、光近接効果の影響を予め考慮してパターン形状に補正を加えるマスクパターンの補正方法であって、
前記設計パターンから複数のパターン幅を選定する工程と、
予め露光量変動条件を設定する工程と、
前記露光量変動条件に基づいた複数の露光量条件で、シミュレーションにより前記複数のパターン幅に対応した複数の転写光学形状を算出する工程と、
前記複数の転写光学形状のパターンエッジの前記設計パターンに対する各々の寸法変化量を測定する工程と、
前記各々の寸法変化量を評価し、寸法変化量の誤差分をみて、前記複数のパターン幅の各々の寸法変化量がほぼ同じになるようにする変化量評価工程と、
前記変化量評価に基づいて前記マスクパターンのエッジを移動させ、前記設計パターンを変形する工程と、
を含み、
前記変化量評価工程において、前記複数のパターン幅の各々の寸法変化量がほぼ同じになるようにする手段が、前記複数のパターン幅に対応した前記複数の転写光学形状の光強度の傾きをほぼ等しくする手段であり、
前記複数のパターン幅が、前記マスクパターンの中の矩形状パターンの短辺のパターン幅と長辺のパターン幅を含むことを特徴とするマスクパターンの補正方法。 - 前記設計パターンを変形する工程で得られた設計パターンを用いて、前記複数の転写光学形状を算出する工程から前記設計パターンを変形する工程までを1回以上繰り返すことを特徴とする請求項1に記載のマスクパターンの補正方法。
- 前記複数のパターン幅が、前記マスクパターンの最小線幅のパターンを含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマスクパターンの補正方法。
- フォトマスクに形成されたマスクパターンを、所望の設計パターンに近い転写イメージが得られるように、光近接効果の影響を予め考慮してパターン形状に補正を加えるマスクパターンの補正プログラムであって、
前記設計パターンから矩形状パターンの短辺のパターン幅と長辺のパターン幅を含む複数のパターン幅を選定する手順と、
予め露光量変動条件を設定する手順と、
前記露光量変動条件に基づいた複数の露光量条件で、シミュレーションにより前記複数のパターン幅に対応した複数の転写光学形状を算出する手順と、
前記複数の転写光学形状のパターンエッジの前記設計パターンに対する各々の寸法変化量を測定する手順と、
前記各々の寸法変化量を評価し、寸法変化量の誤差分をみて、前記複数のパターン幅の各々の寸法変化量がほぼ同じになるように、前記複数のパターン幅に対応した前記複数の転写光学形状の光強度の傾きをほぼ等しくする変化量評価手順と、
前記変化量評価に基づいて前記マスクパターンのエッジを移動させ、前記設計パターンを変形する手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするマスクパターンの補正プログラム。 - 請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載のマスクパターンの補正方法を用いて補正されたマスクパターンを有することを特徴とするフォトマスク。
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