JP2011176119A - 露光条件及びマスクパターンのうち少なくとも一方を決定する決定方法及びプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 露光装置の露光条件及びマスクのパターンのうち少なくとも一方をコンピュータを用いて決定する決定方法であって、露光装置は光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える。該方法は、露光装置に起因する像の横ずれに関する情報を用いて投影光学系の物体面にあるパターンの像を計算し、該計算結果に基づいて、露光条件及びマスクのパターンのうち少なくとも一方を決定する。
【選択図】 図1
Description
なお、本実施例において、投影に用いる光源はArFエキシマレーザー(波長193nm)、投影光学系のNAは0.93としている。
比較のために、従来の方法として、MSDを考慮せずに各変数を調整した例を示す。図6(a)はその結果のマスクパターン、図6(b)は有効光源形状、図6(c)はσx=σy=10nmのときの基準露光量での像を示している。表2は各変数の調整結果を示している。このとき、σx=σy=10nmの場合、基準露光量と基準露光量±5%の3つの露光量での各評価寸法の目標値からのずれ量のRMSは4.2nmだった。
比較のために、従来の方法として、MSDを考慮せずに各変数を調整した例での評価結果を示す。なお、このときの各変数の値は表2に示されている。このとき、σx=σy=0nmの場合、基準露光量と基準露光量±5%の3つの露光量での各評価寸法の目標値からのずれ量のRMSは2.8nmだった。また、σx=σy=10nmの場合、基準露光量と基準露光量±5%の3つの露光量での各評価寸法の目標値からのずれ量のRMSは4.2nmだった。
Claims (6)
- 光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置の露光条件及びマスクのパターンのうち少なくとも一方をコンピュータを用いて決定する決定方法であって、
前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報を用いて前記投影光学系の物体面にあるパターンの像を計算する計算ステップと、
該計算結果に基づいて、前記露光条件及び前記マスクのパターンのうち少なくとも一方を決定する決定ステップとを有することを特徴とする決定方法。 - 前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報はMSDであることを特徴とする請求項1に記載の決定方法。
- 前記計算ステップにおいて、前記露光条件のパラメーター及び前記マスクのパターンのパラメーターを設定し、仮決定された該パラメータの値を用いて前記像を計算し、
前記決定ステップにおいて、該計算結果に基づいて、前記露光条件及び前記マスクのパターンを決定することを特徴とする請求項1に記載の決定方法。 - 前記マスクのパターンを複数の多角形の組み合わせで構成される形状として、前記複数の多角形のそれぞれの辺の長さを、前記マスクパターンのパラメーターとして設定することを特徴とする請求項3に記載の決定方法。
- 前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報に、前記横ずれの程度を規定する複数の設定値が含まれ、
前記計算ステップでは、互いに異なる複数の設定値のそれぞれについて、前記投影光学系の物体面にあるパターンの像を計算することを特徴とする請求項1に記載の決定方法。 - 光源からの光を用いてマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板に投影する投影光学系とを備える露光装置の露光条件及びマスクのパターンのうち少なくとも一方をコンピュータに決定させるプログラムを記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体であって、
前記プログラムは、前記コンピュータに、
前記露光装置に起因する像の横ずれに関する情報を用いて前記投影光学系の物体面にあるパターンの像を計算する計算ステップと、
該計算結果に基づいて、前記露光条件及び前記マスクのパターンのうち少なくとも一方を決定する決定ステップとを実行させることを特徴とするプログラム。
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