JP6649636B2 - 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びにデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6649636B2 JP6649636B2 JP2017502362A JP2017502362A JP6649636B2 JP 6649636 B2 JP6649636 B2 JP 6649636B2 JP 2017502362 A JP2017502362 A JP 2017502362A JP 2017502362 A JP2017502362 A JP 2017502362A JP 6649636 B2 JP6649636 B2 JP 6649636B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- substrate
- wafer
- stage
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims description 419
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 202
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 128
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 17
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 11
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 3
- 238000005339 levitation Methods 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 448
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 47
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 46
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 28
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 24
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 20
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 18
- 238000013461 design Methods 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 1
- 229910001208 Crucible steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 239000006094 Zerodur Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/03—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness by measuring coordinates of points
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
- G01B11/0608—Height gauges
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7092—Signal processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B2210/00—Aspects not specifically covered by any group under G01B, e.g. of wheel alignment, caliper-like sensors
- G01B2210/56—Measuring geometric parameters of semiconductor structures, e.g. profile, critical dimensions or trench depth
Description
以下、第1の実施形態について図1〜図7に基づいて説明する。図1には、第1の実施形態に係る計測装置100の構成が斜視図にて概略的に示されている。なお、図1に示される計測装置100は、実際には、チャンバと、該チャンバの内部に収容された構成部分とで構成されるが、本実施形態では、チャンバに関する説明は省略する。本実施形態では、後述するようにマーク検出系MDSが設けられており、以下では、マーク検出系MDSの光軸AX1の方向をZ軸方向とし、これに直交する面内で、後述する可動ステージが長ストロークで移動する方向をY軸方向、Z軸及びY軸に直交する方向をX軸方向とし、X軸、Y軸、Z軸回りの回転(傾斜)方向を、それぞれθx、θy及びθz方向として、説明を行う。ここで、マーク検出系MDSは、側面視(例えば+X方向から見て)L字状の外形を有し、その下端(先端)には円筒状の鏡筒部41が設けられ、鏡筒部41の内部には、Z軸方向の光軸AX1を有する複数のレンズエレメントから成る光学系(屈折光学系)が収納されている。本明細書では、説明の便宜上から鏡筒部41の内部の屈折光学系の光軸AX1を、マーク検出系MDSの光軸AX1と称している。
次に、上述した計測装置100を含むリソグラフィシステムに関する第2の実施形態について、図8〜図10に基づいて説明する。
図11には、変形例に係るリソグラフィシステム2000の構成が、概略的に示されている。リソグラフィシステム2000は、露光装置200と、C/D300と、前述の計測装置100と同様の構成された2台の計測装置100a、100bと、を備えている。リソグラフィシステム2000は、クリーンルーム内に設置されている。
Claims (74)
- 基板に形成された複数のマークの位置情報を計測する計測装置であって、
ベース部材と、
前記基板を保持し、前記ベース部材に対して移動可能なステージと、
前記ステージを移動する駆動システムと、
前記ベース部材に対する前記ステージの第1位置情報を計測する第1位置計測系と、
前記基板に形成されたマークを検出するマーク検出系を有する計測ユニットと、
前記マーク検出系と前記ベース部材との相対的な第2位置情報を計測する第2位置計測系と、
前記駆動システムによる前記ステージの移動を制御し、前記第1位置計測系を用いて前記第1位置情報を取得し、前記第2位置計測系を用いて前記第2位置情報を取得し、前記マーク検出系を用いて前記基板に形成された前記複数のマークの位置情報を求める制御装置と、を備える計測装置。 - 前記第1位置計測系は、前記ステージと前記ベース部材との間に配置される請求項1に記載の計測装置。
- 前記第1位置計測系は、格子部を有する計測面と前記計測面にビームを照射するヘッド部との一方が前記ステージに設けられ、前記ヘッド部からの複数のビームを前記計測面に照射し、前記複数のビームそれぞれの前記計測面からの戻りビームを受光して前記ステージの第1位置情報を計測する請求項1又は2に記載の計測装置。
- 前記戻りビームは、前記格子部からの回折ビームを含み、
前記第1位置計測系は、前記格子部からの前記回折ビームを受光するエンコーダシステムを含む請求項3に記載の計測装置。 - 前記ステージは、前記ベース部材に対し、所定平面内で直交する第1、第2方向及び前記所定平面に垂直な第3方向を含む6自由度方向に移動可能であり、
前記格子部は、前記所定平面内で互いに交差する第1周期方向及び第2周期方向を有する2次元格子を有し、
前記ヘッド部は、前記計測面に第1ビームを照射し、前記格子部からの第1回折ビームを受光して前記ステージの前記第1周期方向の位置情報を計測する第1ヘッドと、前記計測面に第2ビームを照射し、前記格子部からの第2回折ビームを受光して前記ステージの前記第2周期方向の位置情報を計測する第2ヘッドと、前記計測面に第3ビームを照射し、前記計測面からの光を受光して前記ステージの前記第3方向の位置情報を計測する少なくとも3つの第3ヘッドとを有し、
前記第1位置情報は、前記第1周期方向の位置情報、前記第2周期方向の位置情報、前記第3方向の位置情報を含む請求項3又は4に記載の計測装置。 - 前記ベース部材は、前記所定平面に平行な上面を有する請求項5に記載の計測装置。
- 前記第1ヘッドからの前記第1ビームの前記計測面上の照射点と、前記第2ヘッドからの前記第2ビームの前記計測面上の照射点とは、前記マーク検出系の検出領域の下方に位置する同一の検出点に設定され、前記少なくとも3つの第3ヘッドそれぞれからの第3ビームの前記計測面上の照射点は、前記検出点の周囲に設定される請求項5又は6に記載の計測装置。
- 前記検出点は、前記マーク検出系の検出中心の直下に位置し、前記検出点と前記検出中心とは、前記所定平面内の位置が一致する請求項7に記載の計測装置。
- 前記第1周期方向と前記第2周期方向とは、互いに直交する請求項5〜8のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記第1周期方向と前記第2周期方向との一方は、前記第1方向に一致し、前記第1周期方向と前記第2周期方向との他方は、前記第2方向に一致する請求項9に記載の計測装置。
- 前記第2位置計測系は、前記計測ユニットと前記ベース部材との一方に設けられた格子部と、前記計測ユニットと前記ベース部材との他方に設けられたヘッド部とを有する請求項1〜10のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記第2位置計測系の前記格子部は、前記第1方向及び前記第2方向を周期方向とする2次元格子を有し、
前記第2位置計測系の前記ヘッド部は、前記第1方向及び前記第3方向を計測方向とする第1の2次元ヘッドと、前記第2方向及び前記第3方向を計測方向とする第2の2次元ヘッドとを、少なくとも各1つ合計で少なくとも3つ含み、
前記少なくとも3つの前記2次元ヘッドそれぞれからのビームの照射点は、前記格子部上で同一直線上に位置しない異なる3点に設定される請求項10に記載の計測装置。 - 前記第2位置計測系の前記格子部は、前記第1方向及び前記第2方向のうちの一方の方向に関して位置が異なる第1部分と第2部分とを含み、
前記第2位置計測系の前記ヘッド部は、前記計測ユニットと前記ベース部材との前記他方に前記第1部分と前記第2部分とにそれぞれ対向して配置された2つの部分を含み、該2つの部分のそれぞれは、前記第1方向及び前記第2方向のうちの他方の方向に関して位置が異なる前記第1の2次元ヘッドと前記第2の2次元ヘッドとを各1つ含む請求項12に記載の計測装置。 - 前記ベース部材の前記第3方向の位置及び前記所定平面に対する傾斜を調整し、前記制御装置に接続された調整装置をさらに備える請求項5〜13のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記制御装置は、前記第1位置計測系で計測される前記ステージの前記第1位置情報に基づいて、前記ステージの前記所定平面内の移動時に前記調整装置を制御する請求項14に記載の計測装置。
- 前記制御装置は、前記ステージの移動時に、前記調整装置をフィード・フォワード制御する請求項14又は15に記載の計測装置。
- 前記制御装置は、前記ステージの前記基板を保持する保持面の凹凸情報に基づいて、前記ステージの前記所定平面内の移動時に前記調整装置をフィード・フォワード制御する請求項14〜16のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記制御装置は、前記ステージ上に保持された前記基板の厚み情報に基づいて、前記調整装置を制御する請求項14〜17のいずれか一項に記載の計測装置。
- 上面に前記調整装置を介して前記ベース部材が設置されたベースフレームをさらに備える請求項14〜18のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記ベースフレーム上に設置された支持フレーム上に配置され、前記計測ユニットを支持する複数の除振装置をさらに備える請求項19に記載の計測装置。
- 前記ステージは、前記駆動システムにより、所定平面内で互いに直交する第1、第2方向に移動可能である請求項1〜4のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記ステージは、前記駆動システムにより、前記所定平面に垂直な第3方向に移動可能である請求項21に記載の計測装置。
- 前記ステージは、前記駆動システムにより、前記所定平面に対して傾斜させることが可能である請求項22に記載の計測装置。
- 前記ステージは、6自由度方向に移動可能である請求項21〜23のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記ベース部材を動かす調整装置をさらに備える請求項21に記載の計測装置。
- 前記調整装置により、前記ベース部材は、前記第1、第2方向に移動可能である請求項25に記載の計測装置。
- 前記調整装置により、前記ベース部材は、前記所定平面に垂直な第3方向に移動可能である請求項25又は26に記載の計測装置。
- 前記ベース部材は、前記調整装置により、前記所定平面に対して傾斜させることが可能である請求項25〜27のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記調整装置により、前記ベース部材は、6自由度方向に移動可能である請求項25〜28のいずれか一項記載の計測装置。
- 前記調整装置を用いて前記ベース部材を移動することにより、前記ステージを移動可能である請求項29に記載の計測装置。
- 前記ベース部材の上面は、前記ステージの移動のためのガイド面を含む請求項30に記載の計測装置。
- 前記ステージは、前記駆動システムにより、前記ベース部材に対して移動可能である請求項31に記載の計測装置。
- 前記調整装置は、アクチュエータを含む請求項25〜32のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記制御装置は、前記第1位置計測系を用いて取得される前記第1位置情報に基づいて、前記調整装置による前記ベース部材の移動を制御する請求項25〜33のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記制御装置は、前記第2位置計測系を用いて取得される前記第2位置情報に基づいて、前記調整装置による前記ベース部材の移動を制御する請求項25〜34のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記調整装置は、前記ベース部材の振動を制御する除振装置を含む請求項25〜35のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記ステージは、前記ベース部材に対向する気体静圧軸受を有し、該気体静圧軸受が発生する力によって前記ベース部材上に非接触支持されている請求項1〜36のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記駆動システムは、前記ステージを前記第1方向及び前記第2方向のうちの一方の方向に駆動する第1駆動装置と、前記ステージ及び前記第1駆動装置を一体で第1方向及び前記第2方向のうちの他方の方向に駆動する第2駆動装置とを含む請求項37に記載の計測装置。
- 前記第1駆動装置は、前記ステージに接続された第1可動子と、該第1可動子との間の電磁相互作用により前記ステージを前記一方の方向に駆動する駆動力を発生する第1固定子とを有する第1リニアモータを含み、
前記第2駆動装置は、前記第1固定子が一部に設けられ前記ステージを前記一方の方向に移動可能に支持する可動部材と、該可動部材を前記他方の方向に駆動する第2リニアモータと、を含む請求項38に記載の計測装置。 - 前記第2リニアモータは、前記可動部材を前記一方の方向に移動可能に支持する第2可動子と、該第2可動子との間の電磁相互作用により前記可動部材を前記他方の方向に駆動する駆動力を発生する第2固定子とを有する請求項39に記載の計測装置。
- 前記第2固定子は、前記ベース部材とは物理的に分離されている請求項39又は40に記載の計測装置。
- 前記駆動システムは、前記ステージを、前記ベース部材上で6自由度方向に駆動する磁気浮上型の平面モータを含む請求項1〜36のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記マーク検出系は、画像処理方式の結像式アライメントセンサを含む請求項1〜42のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記マーク検出系は、回折光干渉方式のアライメントセンサを含む請求項1〜43のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記計測ユニットは、前記ステージに保持された前記基板表面に垂直な方向の位置情報を検出する面位置検出系をさらに有する請求項43又は44に記載の計測装置。
- 前記計測装置は、前記マーク検出系によるマーク検出条件が互いに異なる複数の計測モードを設定可能である請求項1〜45のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記複数の計測モードには、複数枚の基板を連続して処理する際に、最初に処理される第1枚目の基板を含む所定枚数の基板の計測結果に基づいて、前記基板に形成された複数のマークのうち、前記マーク検出系による検出の対象となるマークを決定するモードが含まれる請求項46に記載の計測装置。
- 複数枚の基板を連続して処理する際に、最初に処理される第1枚目の基板を含む所定枚数の基板の計測結果に応じて、前記複数の計測モードのうちの1つのモードが設定される請求項46又は47に記載の計測装置。
- 前記基板上には、複数の区画領域と、該複数の区画領域との対応関係が既知の複数の前記マークとが形成され、
前記制御装置は、計測した前記複数のマークの前記位置情報のうち、少なくとも一部の前記位置情報を用いて、統計演算を行い、前記基板上の前記複数の区画領域の配列情報を求める請求項1〜48のいずれか一項に記載の計測装置。 - 前記基板に露光処理を施す露光装置と前記基板に所定の処理を施す基板処理装置とをインライン接続するインラインインタフェース部と置き換え可能である請求項1〜49のいずれか一項に記載の計測装置。
- 前記複数のマークの位置情報の計測が終了した前記基板が載置される基板ステージを有し、該基板ステージ上に載置された前記基板をエネルギビームで露光する露光装置のうち、露光前の前記基板が搬入される搬入部に設置可能である請求項1〜50のいずれか一項に記載の計測装置。
- 請求項1〜51のいずれか一項に記載の計測装置と、
前記計測装置による前記複数のマークの位置情報の計測が終了した前記基板が載置される基板ステージを有し、該基板ステージ上に載置された前記基板に対して、該基板上の複数のマークのうち選択された一部のマークの位置情報を計測するアライメント計測及び前記基板をエネルギビームで露光する露光が行われる露光装置と、を備えるリソグラフィシステム。 - 前記アライメント計測時に選択される前記一部のマークは、前記計測装置で位置情報の計測が行われた複数のマークの一部である請求項52に記載のリソグラフィシステム。
- 前記計測装置で得られた前記複数のマークの位置情報と、前記露光装置において前記アライメント計測で得られたマークの位置情報とに基づいて、前記基板ステージの移動が制御される請求項52又は53に記載のリソグラフィシステム。
- 前記計測装置は、前記露光装置の一部であって、露光前の前記基板が搬入される搬入部に設置されている請求項52又は53に記載のリソグラフィシステム。
- 前記計測装置は、前記露光装置のチャンバ内に設置されている請求項52又は53に記載のリソグラフィシステム。
- 前記計測装置は、前記露光装置にインライン接続されている請求項52又は53に記載のリソグラフィシステム。
- 前記計測装置及び前記露光装置にインライン接続され、前記基板に所定の処理を施す基板処理装置をさらに備える請求項57に記載のリソグラフィシステム。
- 前記基板処理装置は、基板上に感応剤を塗布する塗布装置である請求項58に記載のリソグラフィシステム。
- 前記基板処理装置は、基板上に感応剤を塗布するとともに、露光後の前記基板を現像する塗布現像装置である請求項58に記載のリソグラフィシステム。
- 前記計測装置は、前記露光装置と前記基板処理装置との間に配置される請求項59又は60に記載のリソグラフィシステム。
- 前記計測装置は、前記感応剤が塗布される前の基板上の複数のマークの位置情報の計測を行う事前計測と、前記感応剤が塗布された前記基板上の前記複数のマークの位置情報の計測を行う事後計測との両方で用いられる請求項59〜61のいずれか一項に記載のリソグラフィシステム。
- 前記計測装置は、複数設けられ、該複数の計測装置のうちの第1計測装置と第2計測装置とは、前記露光装置と前記基板処理装置との間に配置され、
前記第1計測装置及び前記第2計測装置は、前記感応剤が塗布される前の基板上の複数のマークの位置情報の計測を行う事前計測と、前記感応剤が塗布された前記基板上の前記複数のマークの位置情報の計測を行う事後計測との両方で用いられ、
前記第1計測装置と前記第2計測装置は、複数枚の基板を連続処理するに際し、いずれも、同一基板に対する前記事前計測と前記事後計測とで用いられる請求項59又は60に記載のリソグラフィシステム。 - 前記計測装置は、複数設けられ、前記複数の計測装置のうちの第1計測装置は、前記露光装置と前記基板処理装置との間に配置され、前記複数の計測装置のうちの第2計測装置は、前記基板処理装置を挟んで前記露光装置の反対側に配置され、
前記第2計測装置は、前記感応剤が塗布される前の基板上の複数のマークの位置情報の計測を行う事前計測に用いられ、
前記第1計測装置は、前記感応剤が塗布された前記基板上の前記複数のマークの位置情報の計測を行う事後計測に用いられる請求項59又は60に記載のリソグラフィシステム。 - 前記基板処理装置は、露光後の前記基板を現像する現像装置である請求項58に記載のリソグラフィシステム。
- 前記計測装置は、前記露光装置と前記基板処理装置との間に配置される請求項65に記載のリソグラフィシステム。
- 前記計測装置は、前記感応剤が塗布された前記基板上の前記複数のマークの位置情報の計測を行う事後計測と、現像終了後の前記基板上の重ね合わせずれ計測マークの位置ずれ量を計測する重ね合わせずれ計測の両方で用いられる請求項60、65、66のいずれか一項に記載のリソグラフィシステム。
- 前記計測装置は、複数設けられ、該複数の計測装置のうちの第1計測装置は、前記露光装置と前記基板処理装置との間に配置され、残りの計測装置のうちの第2計測装置は、前記基板処理装置を挟んで前記露光装置の反対側に配置され、
前記第1計測装置は、前記感応剤が塗布された前記基板上の前記複数のマークの位置情報の計測を行う事後計測で用いられ、
前記第2計測装置は、現像終了後の前記基板上の重ね合わせずれ計測マークの位置ずれ量を計測する重ね合わせずれ計測で用いられる請求項60、65、66のいずれか一項に記載のリソグラフィシステム。 - 前記計測装置の前記ステージに搭載されるのに先立って、所定の温度範囲内となるように前記基板を温調する温調装置を、さらに備える請求項52〜68のいずれか一項に記載のリソグラフィシステム。
- 前記温調装置は、前記基板処理装置の一部に設けられる請求項69に記載のリソグラフィシステム。
- 請求項52〜70のいずれか一項に記載のリソグラフィシステムを用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 請求項1〜51のいずれか一項に記載の計測装置を備え、
前記計測装置を用いて複数のマークの位置情報が取得された基板をエネルギビームで露光する露光装置。 - 基板ステージをさらに備え、
前記基板ステージは、前記計測装置による前記複数のマークの位置情報の取得が終了した前記基板を保持可能であり、
前記計測装置を用いて取得された位置情報に基づいて、前記基板ステージの移動が制御される請求項72に記載の露光装置。 - 請求項72又は73に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015032912 | 2015-02-23 | ||
JP2015032912 | 2015-02-23 | ||
PCT/JP2016/055131 WO2016136689A1 (ja) | 2015-02-23 | 2016-02-23 | 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020003472A Division JP6855012B2 (ja) | 2015-02-23 | 2020-01-14 | 計測装置、リソグラフィシステム、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016136689A1 JPWO2016136689A1 (ja) | 2017-12-14 |
JP6649636B2 true JP6649636B2 (ja) | 2020-02-19 |
Family
ID=56788882
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017502362A Active JP6649636B2 (ja) | 2015-02-23 | 2016-02-23 | 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2020003472A Active JP6855012B2 (ja) | 2015-02-23 | 2020-01-14 | 計測装置、リソグラフィシステム、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020003472A Active JP6855012B2 (ja) | 2015-02-23 | 2020-01-14 | 計測装置、リソグラフィシステム、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10684562B2 (ja) |
EP (2) | EP3742109A1 (ja) |
JP (2) | JP6649636B2 (ja) |
KR (2) | KR102552792B1 (ja) |
CN (2) | CN112068406A (ja) |
HK (1) | HK1246849A1 (ja) |
TW (2) | TWI693477B (ja) |
WO (1) | WO2016136689A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111290221B (zh) * | 2015-02-23 | 2023-07-28 | 株式会社尼康 | 测量装置、光刻系统、曝光装置、测量方法、曝光方法以及元件制造方法 |
EP3264180B1 (en) | 2015-02-23 | 2020-01-08 | Nikon Corporation | Substrate processing system and substrate processing method, and device manufacturing method |
JP6619656B2 (ja) * | 2016-01-22 | 2019-12-11 | Thk株式会社 | 運動案内装置の荷重計測システム及び運動案内装置の寿命算出方法 |
CN109863457A (zh) * | 2016-08-24 | 2019-06-07 | 株式会社尼康 | 测量系统及基板处理系统、以及元件制造方法 |
WO2018061945A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
CN108423434A (zh) * | 2018-03-16 | 2018-08-21 | 惠科股份有限公司 | 一种移载设备及移载方法 |
CN111903188B (zh) * | 2018-03-26 | 2023-07-04 | 夏普株式会社 | 测量装置及测量方法 |
CN110657746A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种分体式精密测量装置 |
JP2020008762A (ja) | 2018-07-10 | 2020-01-16 | キオクシア株式会社 | パターニング支援システム、パターニング方法、及びプログラム |
CN108899288B (zh) * | 2018-07-20 | 2020-11-13 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 晶圆标记的监控方法和激光刻号机台对准位置的判定方法 |
JP7229637B2 (ja) * | 2019-02-28 | 2023-02-28 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置および露光方法 |
JP7369529B2 (ja) * | 2019-02-28 | 2023-10-26 | 株式会社オーク製作所 | 露光装置およびアライメント方法 |
JP7210367B2 (ja) * | 2019-04-23 | 2023-01-23 | 株式会社ディスコ | 厚み計測装置、及び厚み計測装置を備えた加工装置 |
JP2022162313A (ja) | 2021-04-12 | 2022-10-24 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、及びデバイス |
TWI792521B (zh) * | 2021-08-24 | 2023-02-11 | 新煒科技有限公司 | 調焦機構及調焦設備 |
CN114199201B (zh) * | 2021-11-29 | 2024-01-16 | 佛山市川东磁电股份有限公司 | 一种基于无线物联网络的智能楼宇系统 |
JP2023132701A (ja) * | 2022-03-11 | 2023-09-22 | オムロン株式会社 | 光干渉測距センサ |
Family Cites Families (166)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4780617A (en) * | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
US4734746A (en) | 1985-06-24 | 1988-03-29 | Nippon Kogaku K. K. | Exposure method and system for photolithography |
JP2897355B2 (ja) * | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
US20010049589A1 (en) | 1993-01-21 | 2001-12-06 | Nikon Corporation | Alignment method and apparatus therefor |
JP3412704B2 (ja) * | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
US5461237A (en) * | 1993-03-26 | 1995-10-24 | Nikon Corporation | Surface-position setting apparatus |
JP3326902B2 (ja) | 1993-09-10 | 2002-09-24 | 株式会社日立製作所 | パターン検出方法及びパターン検出装置及びそれを用いた投影露光装置 |
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
US6989647B1 (en) * | 1994-04-01 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5995198A (en) * | 1995-06-01 | 1999-11-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
JPH09289149A (ja) * | 1996-04-23 | 1997-11-04 | Fujitsu Ltd | X線マスク及びその製造方法 |
CN1244020C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光装置 |
DE69735016T2 (de) | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
KR20010032714A (ko) * | 1997-12-03 | 2001-04-25 | 오노 시게오 | 기판 반송방법 및 기판 반송장치, 이것을 구비한 노광장치및 이 노광장치를 이용한 디바이스 제조방법 |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
JPH11191585A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Canon Inc | ステージ装置、およびこれを用いた露光装置、ならびにデバイス製造方法 |
JP2000114137A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及びアライメント方法 |
US6924884B2 (en) | 1999-03-08 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Off-axis leveling in lithographic projection apparatus |
GB9921504D0 (en) | 1999-09-10 | 1999-11-17 | Morgan Crucible Co | High temperatures resistant saline soluble fibres |
TW546699B (en) | 2000-02-25 | 2003-08-11 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2001274073A (ja) | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Toshiba Corp | 重ね合わせ露光方法及び露光システム |
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR20010109212A (ko) | 2000-05-31 | 2001-12-08 | 시마무라 테루오 | 평가방법, 위치검출방법, 노광방법 및 디바이스 제조방법,및 노광장치 |
JP4915033B2 (ja) | 2000-06-15 | 2012-04-11 | 株式会社ニコン | 露光装置、基板処理装置及びリソグラフィシステム、並びにデバイス製造方法 |
US20030020889A1 (en) * | 2000-08-02 | 2003-01-30 | Nikon Corporation | Stage unit, measurement unit and measurement method, and exposure apparatus and exposure method |
US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
JP2002231622A (ja) | 2000-11-29 | 2002-08-16 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US20020109823A1 (en) * | 2001-02-09 | 2002-08-15 | Nikon Corporation. | Wafer stage assembly |
JP3762307B2 (ja) * | 2001-02-15 | 2006-04-05 | キヤノン株式会社 | レーザ干渉干渉計システムを含む露光装置 |
JP2003017386A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Canon Inc | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP3966211B2 (ja) | 2002-05-08 | 2007-08-29 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
CN100470367C (zh) | 2002-11-12 | 2009-03-18 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
CN100370533C (zh) | 2002-12-13 | 2008-02-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置 |
WO2004057590A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
TWI591445B (zh) | 2003-02-26 | 2017-07-11 | 尼康股份有限公司 | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP4164414B2 (ja) * | 2003-06-19 | 2008-10-15 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
JP4444920B2 (ja) | 2003-09-19 | 2010-03-31 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7443511B2 (en) * | 2003-11-25 | 2008-10-28 | Asml Netherlands B.V. | Integrated plane mirror and differential plane mirror interferometer system |
JP4400745B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2010-01-20 | 株式会社ニコン | 露光方法及びデバイス製造方法、露光装置、並びにプログラム |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7102729B2 (en) * | 2004-02-03 | 2006-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method |
JP4429037B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | ステージ装置及びその制御方法 |
US7728953B2 (en) | 2004-03-01 | 2010-06-01 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure system, and substrate processing apparatus |
US20070247640A1 (en) | 2004-03-30 | 2007-10-25 | Nikon Corporation | Exposure Apparatus, Exposure Method and Device Manufacturing Method, and Surface Shape Detection Unit |
JP4751032B2 (ja) | 2004-04-22 | 2011-08-17 | 株式会社森精機製作所 | 変位検出装置 |
JP2005327993A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Canon Inc | 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2006001416A1 (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-05 | Nikon Corporation | 管理方法及び管理システム、並びにプログラム |
US7256871B2 (en) * | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
TW200615716A (en) | 2004-08-05 | 2006-05-16 | Nikon Corp | Stage device and exposure device |
KR20070048650A (ko) | 2004-08-31 | 2007-05-09 | 가부시키가이샤 니콘 | 위치 맞춤 방법, 처리 시스템, 기판의 투입 재현성 계측방법, 위치 계측 방법, 노광 방법, 기판 처리 장치, 계측방법 및 계측 장치 |
JP2006073932A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Nikon Corp | フォーカス状態検出方法とその装置、フォーカス調整方法とその装置、位置検出方法とその装置及び露光方法とその装置 |
US8130362B2 (en) * | 2004-09-14 | 2012-03-06 | Nikon Corporation | Correction method and exposure apparatus |
TW201837984A (zh) | 2004-11-18 | 2018-10-16 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法 |
US20060139595A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness |
JP2006222312A (ja) | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Canon Inc | ステージ制御装置及びその方法、ステージ装置並びに露光装置 |
US7515281B2 (en) | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7405811B2 (en) * | 2005-04-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7838858B2 (en) * | 2005-05-31 | 2010-11-23 | Nikon Corporation | Evaluation system and method of a search operation that detects a detection subject on an object |
US7348574B2 (en) | 2005-09-02 | 2008-03-25 | Asml Netherlands, B.V. | Position measurement system and lithographic apparatus |
DE102005043569A1 (de) * | 2005-09-12 | 2007-03-22 | Dr. Johannes Heidenhain Gmbh | Positionsmesseinrichtung |
US7362446B2 (en) * | 2005-09-15 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit |
KR20080059572A (ko) * | 2005-10-07 | 2008-06-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 특성 계측 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법,그리고 검사 장치 및 계측 방법 |
EP1975981A1 (en) * | 2005-12-28 | 2008-10-01 | Nikon Corporation | Pattern formation method, pattern formation device, and device fabrication method |
US8411271B2 (en) | 2005-12-28 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Pattern forming method, pattern forming apparatus, and device manufacturing method |
JP2007184342A (ja) | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Nikon Corp | 露光システム、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2007184343A (ja) | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Nikon Corp | 処理方法、処理装置、及びプログラム |
TWI508132B (zh) | 2006-01-19 | 2015-11-11 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus and an exposure method, and an element manufacturing method |
KR101274828B1 (ko) | 2006-01-30 | 2013-06-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 처리 조건 결정 방법 및 장치, 표시 방법 및 장치, 처리 장치, 측정 장치 및 노광 장치, 기판 처리 시스템 및 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독가능한 정보 기록 매체 |
US7408642B1 (en) | 2006-02-17 | 2008-08-05 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Registration target design for managing both reticle grid error and wafer overlay |
EP3267258A1 (en) | 2006-02-21 | 2018-01-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
KR101342765B1 (ko) | 2006-02-21 | 2013-12-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
SG178816A1 (en) | 2006-02-21 | 2012-03-29 | Nikon Corp | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure appararus and method, and device manufacturing method |
US7602489B2 (en) * | 2006-02-22 | 2009-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7649613B2 (en) * | 2006-03-03 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of controlling a component of a lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7636165B2 (en) * | 2006-03-21 | 2009-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement systems lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2008004581A (ja) | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Nikon Corp | 露光装置及びセンサ |
US7692792B2 (en) * | 2006-06-22 | 2010-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
JP2008021748A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Canon Inc | 露光装置 |
TWI432910B (zh) * | 2006-07-14 | 2014-04-01 | 尼康股份有限公司 | 面位置檢測裝置、曝光裝置及元件製造方法 |
JP2008053618A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Canon Inc | 露光装置及び方法並びに該露光装置を用いたデバイス製造方法 |
KR101400615B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
KR101892410B1 (ko) | 2006-09-01 | 2018-08-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI622084B (zh) | 2006-09-01 | 2018-04-21 | Nikon Corp | Mobile body driving method, moving body driving system, pattern forming method and device, exposure method and device, component manufacturing method, and correction method |
JP2008071839A (ja) | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Canon Inc | 表面位置検出方法、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US7872730B2 (en) | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
CN100468212C (zh) | 2006-09-22 | 2009-03-11 | 上海微电子装备有限公司 | 双台定位交换系统 |
US8908144B2 (en) * | 2006-09-27 | 2014-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5120377B2 (ja) | 2006-09-29 | 2013-01-16 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP5105197B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-12-19 | 株式会社ニコン | 移動体システム、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2008056735A1 (fr) | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Nikon Corporation | Unité de support, système de détection de position et système d'exposition, procédé de déplacement, procédé de détection de position, procédé d'exposition, procédé d'ajustement du système de détection, et procédé de prod |
JP5276595B2 (ja) * | 2006-11-15 | 2013-08-28 | ザイゴ コーポレーション | リソグラフィツールにおいて使用される距離測定干渉計及びエンコーダ測定システム |
US20080158531A1 (en) | 2006-11-15 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
KR100781971B1 (ko) | 2006-11-28 | 2007-12-06 | 삼성전자주식회사 | 트윈 스캔 노광설비의 웨이퍼 스테이지 모듈 및 그의제어방법 |
US8040490B2 (en) | 2006-12-01 | 2011-10-18 | Nikon Corporation | Liquid immersion exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP5127507B2 (ja) | 2007-02-27 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、情報処理方法、プログラムおよび露光システム |
US7561280B2 (en) | 2007-03-15 | 2009-07-14 | Agilent Technologies, Inc. | Displacement measurement sensor head and system having measurement sub-beams comprising zeroth order and first order diffraction components |
US7903866B2 (en) * | 2007-03-29 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object |
US7710540B2 (en) * | 2007-04-05 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JPWO2008132799A1 (ja) * | 2007-04-12 | 2010-07-22 | 株式会社ニコン | 計測方法、露光方法及びデバイス製造方法 |
US8440375B2 (en) | 2007-05-29 | 2013-05-14 | Nikon Corporation | Exposure method and electronic device manufacturing method |
JP4953923B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-06-13 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7804579B2 (en) * | 2007-06-21 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Control system, lithographic projection apparatus, method of controlling a support structure, and a computer program product |
JP2009010289A (ja) | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
EP2818927B1 (en) * | 2007-07-18 | 2016-04-27 | Nikon Corporation | Measurement method, stage apparatus, and exposure apparatus |
TWI534408B (zh) | 2007-07-24 | 2016-05-21 | 尼康股份有限公司 | Position measuring system, exposure apparatus, position measuring method, exposure method and component manufacturing method, and measuring tool and measuring method |
CN101114134B (zh) * | 2007-07-24 | 2010-05-19 | 上海微电子装备有限公司 | 用于投影扫描光刻机的对准方法及微器件制造方法 |
JP5234308B2 (ja) * | 2007-07-30 | 2013-07-10 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2009028157A1 (ja) | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Nikon Corporation | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、並びにパターン形成方法及びパターン形成装置 |
DE102007046927A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Kalibrierung einer Positionsmesseinrichtung einer optischen Einrichtung |
TW200919100A (en) | 2007-10-31 | 2009-05-01 | Nanya Technology Corp | Exposure method |
NL1036080A1 (nl) | 2007-11-01 | 2009-05-07 | Asml Netherlands Bv | Position measurement system and Lithographic Apparatus. |
US9013681B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-04-21 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
CN101675500B (zh) | 2007-11-07 | 2011-05-18 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法 |
US8665455B2 (en) * | 2007-11-08 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL1036180A1 (nl) * | 2007-11-20 | 2009-05-25 | Asml Netherlands Bv | Stage system, lithographic apparatus including such stage system, and correction method. |
CN101680746B (zh) * | 2007-12-11 | 2013-11-20 | 株式会社尼康 | 移动体装置、曝光装置及图案形成装置、以及器件制造方法 |
US8711327B2 (en) | 2007-12-14 | 2014-04-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8237916B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
CN100559283C (zh) | 2007-12-28 | 2009-11-11 | 上海微电子装备有限公司 | 测量方镜非正交性角度和缩放比例因子校正值的方法 |
TWI547769B (zh) | 2007-12-28 | 2016-09-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, a moving body driving system, a pattern forming apparatus, and an exposure method, and an element manufacturing method |
KR20100124245A (ko) * | 2008-02-08 | 2010-11-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 위치 계측 시스템 및 위치 계측 방법, 이동체 장치, 이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 패턴 형성 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US8228482B2 (en) * | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8786829B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8149420B2 (en) * | 2008-07-25 | 2012-04-03 | Agilent Technologies, Inc. | Interferometer calibration system and method |
US8440475B2 (en) | 2008-08-01 | 2013-05-14 | Qimonda Ag | Alignment calculation |
NL2003347A (en) * | 2008-09-11 | 2010-03-16 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
JP5264406B2 (ja) | 2008-10-22 | 2013-08-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法およびデバイスの製造方法 |
US8902402B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8760629B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
JP2010186918A (ja) | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Nikon Corp | アライメント方法、露光方法及び露光装置、デバイス製造方法、並びに露光システム |
JP2010205867A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Canon Inc | 位置検出装置及び露光装置 |
US8472008B2 (en) * | 2009-06-19 | 2013-06-25 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
US8294878B2 (en) | 2009-06-19 | 2012-10-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8514395B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8493547B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5457767B2 (ja) | 2009-09-08 | 2014-04-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US20110096318A1 (en) | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
NL2005545A (en) * | 2009-11-17 | 2011-05-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP2011222610A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Nikon Corp | 位置合わせ方法、露光方法及びデバイスの製造方法、並びに露光装置 |
JP5498243B2 (ja) * | 2010-05-07 | 2014-05-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
NL2007818A (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-21 | Asml Netherlands Bv | Method of updating calibration data and a device manufacturing method. |
JP5787691B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2015-09-30 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
NL2009508A (en) | 2011-10-24 | 2013-04-25 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method. |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
WO2014054690A1 (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-10 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2014063995A1 (en) * | 2012-10-24 | 2014-05-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate positioning system, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9772564B2 (en) | 2012-11-12 | 2017-09-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
CN104797983B (zh) | 2012-11-19 | 2017-03-08 | Asml荷兰有限公司 | 位置测量系统、用于位置测量系统的光栅、以及方法 |
JP2014220263A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-20 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 |
JP6229311B2 (ja) * | 2013-05-28 | 2017-11-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US9703214B2 (en) * | 2013-07-19 | 2017-07-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Lithography apparatus, lithography method, and article manufacturing method |
JP6271896B2 (ja) * | 2013-07-22 | 2018-01-31 | キヤノン株式会社 | 干渉計測装置、リソグラフィ装置および物品の製造方法 |
JP6242099B2 (ja) * | 2013-07-23 | 2017-12-06 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置およびデバイス製造方法 |
JP6362312B2 (ja) | 2013-09-09 | 2018-07-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法 |
WO2016025505A1 (en) * | 2014-08-12 | 2016-02-18 | Zygo Corporation | Calibration of scanning interferometers |
CN111290221B (zh) * | 2015-02-23 | 2023-07-28 | 株式会社尼康 | 测量装置、光刻系统、曝光装置、测量方法、曝光方法以及元件制造方法 |
EP3264180B1 (en) * | 2015-02-23 | 2020-01-08 | Nikon Corporation | Substrate processing system and substrate processing method, and device manufacturing method |
CN106154765B (zh) | 2015-04-23 | 2018-12-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 套刻测量装置 |
JP6562707B2 (ja) * | 2015-05-13 | 2019-08-21 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP2017040583A (ja) | 2015-08-20 | 2017-02-23 | キヤノン株式会社 | 計測装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
WO2018061945A1 (ja) | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 株式会社ニコン | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
KR102259091B1 (ko) | 2016-11-10 | 2021-06-01 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 스택 차이를 이용한 설계 및 교정 |
-
2016
- 2016-02-23 CN CN202010926990.7A patent/CN112068406A/zh active Pending
- 2016-02-23 EP EP20179217.3A patent/EP3742109A1/en active Pending
- 2016-02-23 TW TW105105390A patent/TWI693477B/zh active
- 2016-02-23 JP JP2017502362A patent/JP6649636B2/ja active Active
- 2016-02-23 TW TW109111853A patent/TWI749514B/zh active
- 2016-02-23 KR KR1020177026404A patent/KR102552792B1/ko active IP Right Grant
- 2016-02-23 WO PCT/JP2016/055131 patent/WO2016136689A1/ja active Application Filing
- 2016-02-23 KR KR1020237022589A patent/KR20230107706A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-02-23 EP EP16755435.1A patent/EP3264030B1/en active Active
- 2016-02-23 CN CN201680011730.9A patent/CN107250717B/zh active Active
-
2017
- 2017-08-09 US US15/673,303 patent/US10684562B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-18 HK HK18106469.9A patent/HK1246849A1/zh unknown
-
2020
- 2020-01-14 JP JP2020003472A patent/JP6855012B2/ja active Active
- 2020-05-01 US US16/864,250 patent/US11385557B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI749514B (zh) | 2021-12-11 |
CN107250717B (zh) | 2020-09-29 |
JP2020095041A (ja) | 2020-06-18 |
US10684562B2 (en) | 2020-06-16 |
JP6855012B2 (ja) | 2021-04-07 |
CN107250717A (zh) | 2017-10-13 |
KR102552792B1 (ko) | 2023-07-06 |
EP3742109A1 (en) | 2020-11-25 |
US20180039191A1 (en) | 2018-02-08 |
EP3264030B1 (en) | 2020-07-22 |
EP3264030A1 (en) | 2018-01-03 |
KR20230107706A (ko) | 2023-07-17 |
JPWO2016136689A1 (ja) | 2017-12-14 |
CN112068406A (zh) | 2020-12-11 |
WO2016136689A1 (ja) | 2016-09-01 |
TW201633011A (zh) | 2016-09-16 |
HK1246849A1 (zh) | 2018-09-14 |
TW202032293A (zh) | 2020-09-01 |
EP3264030A4 (en) | 2018-12-05 |
KR20170118209A (ko) | 2017-10-24 |
TWI693477B (zh) | 2020-05-11 |
US20200257209A1 (en) | 2020-08-13 |
US11385557B2 (en) | 2022-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7020505B2 (ja) | 計測装置、露光装置及びリソグラフィシステム、並びに計測方法及び露光方法 | |
JP6649636B2 (ja) | 計測装置、リソグラフィシステム及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP7367786B2 (ja) | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 | |
WO2018061945A1 (ja) | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 | |
WO2018038071A1 (ja) | 計測システム及び基板処理システム、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190911 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191231 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6649636 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |