CN111903188B - 测量装置及测量方法 - Google Patents
测量装置及测量方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111903188B CN111903188B CN201880091640.4A CN201880091640A CN111903188B CN 111903188 B CN111903188 B CN 111903188B CN 201880091640 A CN201880091640 A CN 201880091640A CN 111903188 B CN111903188 B CN 111903188B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal plate
- magnetic force
- measuring device
- electromagnets
- mask sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
Abstract
一种用于测量包含磁体的金属板(10)的外形的测量装置(100),其具备:放置台(1),金属板(10)放置在其表面上;光源(2),其朝向放置台(1)照射光;图像获取部(3),其获取金属板(10)的图像;多个磁力生成部(4、6),其在放置台(1)的背面侧产生磁力;控制部(7),其控制磁力的产生位置。
Description
技术领域
本发明涉及一种测量包含磁体的金属板的外形的测量装置及测量方法。
背景技术
包含在显示设备(有机EL显示器、无机EL显示器、或Q LED显示器等)的制造工序的蒸镀步骤中,通常,使用掩膜片来控制蒸镀图案。
掩膜片中,存在多个对应于显示设备的像素的数μm尺寸的开口,有必要确定开口相对于设计值的位置偏移程度。将该位置偏移的测量称为PPA测量(Pixel PositionAccuracy;像素位置精度)。
通常,通过以下步骤进行PPA测量。首先,将掩膜片放置在放置台上。接下来,通过设置在四个角上的抓持器分别抓住并拉伸掩膜片的四个角。并且,用照相机拍摄掩膜片并测量PPA。
在掩膜片内的有源区域(像素区域)的内部和外部的膜厚不同。通过化学蚀刻形成的有源区的内部的膜厚薄。因此,在有源区域中可能会产生皱褶和/或波纹(以下简称为“皱褶”)。如果存在该皱褶,则难以准确地测量PPA。因此,将掩膜片拉伸并去除皱褶,然后测量PPA。
专利文献1中公开了通过抓持器来拉伸掩膜片的构成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本公开专利公报「特开2008-66269号公报」
发明内容
本发明要解决的问题
但是,上述的现有方法存在如下问题。
当通过抓持器抓住掩膜片,在掩膜片上残留夹痕。在检测工序之后将掩膜片拉伸焊接至框架时,以比在检测工序中受到的力更大的力拉伸掩膜片。其结果,存在掩膜片在夹痕的起点处断开的情况。此外,取决于PPA测量前的掩膜片的对准条件,在掩膜片中产生比检测后的拉伸工序及/或焊接工序更大的张力。
进一步,拉伸掩膜片引起发生如下问题:(1)膜厚薄的有源区域受到损伤;(2)产生有源区域的位置偏移;(3)有源区域的开口扩大。该情况下,难以准确地测量掩膜片的外形。
本发明是鉴于上述问题点而完成的,其目的是实现一种能够准确地测量包含磁体的金属板的外形的测量装置及测量方法。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题,本发明涉及的测量装置是用于测量包含磁体的金属板的外形的测量装置,其具备:放置台,所述金属板放置在其表面上;光源,其朝向所述放置台照射光;图像获取部,其获取所述金属板的图像;多个磁力产生部,其在所述放置台的背面侧产生磁力;控制部,其控制所述磁力的产生位置。
根据上述构成,包含磁体的所述金属板和所述磁力产生部在所述磁力的产生位置处通过磁力相互吸引,并且所述金属板被固定(临时固定)在所述放置台上。并且,在将所述金属板固定在所述放置台的状态下,所述控制部控制所述磁力的产生位置,能够通过磁力来拉伸所述金属板。由此,能够减少例如在金属板上产生的皱褶及/或波纹。其结果,所述测量装置能够准备地测量金属板的外形。
进一步,根据所述构成,无需为了拉伸所述金属板而用抓持器等抓住所述金属板的端部,因此,在所述金属板上不会残留夹痕。因此,在测量所述金属板的外形之后的工序中,所述金属板不会在所述夹痕的起点处断开。
此外,为了解决上述问题,本发明涉及的测量方法是用于测量包含磁体的金属板的外形的测量方法,其依次包括:(a)在放置台的表面上放置所述金属板的步骤;(b)在所述表面产生磁力的步骤;(c)控制所述磁力的产生位置的步骤;(d)获取所述金属板的图像的步骤。
根据上述构成,能够获得与所述测量装置相同的效果。
发明效果
根据本发明能够实现一种可更准确地测量金属板的外形的测量装置及测量方法。
附图说明
图1为本实施方式涉及的测量装置的概略图。
图2为本实施方式涉及的、减少掩膜片所包含的皱褶的流程图。
图3为示出掩膜片的PPA测量的情况的图。
图4为示出使用第一电磁石8至第n电磁石8的其他实施方式涉及的测量装置的主要部分的图。
图5为用于说明使用第一电磁石8至第n电磁石8的其他实施方式涉及的测量装置的动作的图。
图6为用于说明使用第一电磁石8至第n电磁石8的其他实施方式涉及的测量装置的动作的图。
图7为用于说明使用第一电磁石8至第n电磁石8的其他实施方式涉及的测量装置的动作的图。
图8为用于说明使用第一电磁石8至第n电磁石8的其他实施方式涉及的测量装置的动作的图。
具体实施方式
〔第一实施方式〕
〔测量装置100的基板构成〕
以下,参照图1说明本发明的一实施方式。图1为本实施方式涉及的测量装置100的概略图。
测量装置100是测量掩膜片10的位置偏移的装置。以下说明中,将掩膜片10的位置偏移的测量称为“PPA测量(Pixel Position Accuracy;像素位置精度)”。
测量装置100具备:放置台1、灯2、照相机(图像获取部)3、移动磁铁(第二磁力产生部、第二磁铁)4、固定磁铁(第一磁力产生部、第一磁铁)6、移动磁铁控制部(控制部)7。
放置台1是在其表面上放置作为PPA测量对象的掩膜片10的放置台。放置台1具有透射性,透射从灯2照射的光。放置台1例如由玻璃制成。放置台1其表面是平坦面。放置台1被构成为,在放置台驱动部(驱动部)1a的控制下可移动。放置台驱动部1a可以内置于放置台1或从外部安装在放置台1上。
掩膜片10是包括磁体的金属板,其用于在显示设备的多个像素上蒸镀粒子。掩膜片10可以是FMM(Fine Metal Mask:精细金属掩膜),或者是CMM(Common Metal Mask:普通金属掩膜)等。
灯2是向放置台1照射光的光源。灯2配置在放置台1的下侧。灯2例如是LED灯,但是,也可以使用其他光源。灯2被构成为,从放置台1的下方、上方及侧方中的任意一个方向都可以向放置台1照射光。
照相机3拍摄被放置在放置台1的表面的掩膜片10的图像。在掩膜片10中,存在多个对应于显示设备的像素的数μm尺寸的开口。照相机3用于测量多个上述开口的每一个相对于设计值的位置偏移程度。照相机3只要具有足以进行PPA测量的分辨率即可,可以使用现有的PPA测量中所使用的照相机。
在图1中,照相机3被配置在放置台1的上侧。但是,照相机3也可以配置在其他位置。例如,灯2被配置在放置台1的上侧的情况下,照相机3设置在放置台1的下侧。如此,照相机3可以相对于灯2定位。照相机3被构成为,可移动地从放置台1的下方、上方及侧方中的任意一个方向都可以拍摄掩膜片10的图像。
固定磁铁6将掩膜片10临时固定在放置台1上。或者,固定磁铁6将掩膜片10固定在放置台1上。具体为,固定磁铁6被配置在放置台1的背面或内部,以吸引包含磁体的掩膜片10。在图1中记载有两个固定磁铁(固定磁铁6a及固定磁铁6b)。也可以存在共四个固定磁铁6,并分别配置在对应于掩膜片10的四个角的位置。或者,固定磁铁6也可以存在任意数量。此外,固定磁铁6也可以用参照图4等说明的电磁石来代替。该情况下,该电磁石的磁力的产生由控制部(未图示)控制。
移动磁铁4在移动磁铁控制部7的控制下,在放置台1的背面侧移动。关于移动磁铁4,在图1中记载有两个移动磁铁(移动磁铁4a及移动磁铁4b)。但是,也可以存在一个移动磁铁4,或存在三个以上的多个。
关于移动磁铁4的移动方法,并不特别限定。例如,移动磁铁4被配置在台车,并且,该台车在移动磁铁控制部7的控制下,在规定的路径(未图示)上移动。该情况下,当移动磁铁控制部7指示所述台车移动,则该台车承载移动磁铁4并在所述规定的路径上移动。
移动磁铁4的移动方法也可以是其他方法。例如,移动磁铁4也可以手动移动。该情况下,移动磁铁4与移动磁铁控制部7的控制无关。
所述规定的路径是限定承载移动磁铁4的所述台车的移动路径。具体为,所述规定的路径至少通过位置A、位置B(第一位置)及位置C(第二位置)。
位置A是放置台1的背面中央,并且远离放置台1的位置。在远离放置台1的位置中,掩膜片10和移动磁铁4不会通过磁力相互吸引。
位置B是放置台1的背面中央,并且接近放置台1的位置。接近的位置是指与放置台1接触的位置及/或掩膜片10和移动磁铁4可通过磁力相互吸引的位置。
位置C是放置台1的背面端部,并且接近放置台1的位置。背面端部是指设置固定磁铁6的位置附近,或者比设置固定磁铁6的位置更靠近放置台1的端部侧。
所述规定的路径也可以是循环构成。该构成中,移动磁铁4以如下方式移动:位置A、位置B、位置C,然后返回位置A。
以下说明如下示例:通过固定磁铁6将掩膜片10临时固定在放置台1上的状态下,移动磁铁控制部7控制移动磁铁4的位置。
首先,移动磁铁4位于位置A。在位置A中,掩膜片10不受移动磁铁4的磁力的作用。
接下来,移动磁铁控制部7使移动磁铁4从位置A移动到位置B。在位置B中,掩膜片10受到移动磁铁4的磁力的作用。
接下来,移动磁铁控制部7使移动磁铁4从位置B移动到位置C。在从位置B移动到位置C的期间,掩膜片10持续受到移动磁铁4的磁力的作用。在该磁力的作用下,存在于掩膜片10的有源区域内的皱褶和/或波纹(以下简称为“皱褶”)消失或减少。
如上所述,位置C是设置固定磁铁6的位置附近,或者比设置固定磁铁6的位置更靠近放置台1的端部侧。因此,与相对于固定磁铁6的设置位置使移动磁铁4的移动在放置台1的中央侧停止的情况相比,能够进一步减少掩膜片10的有源区域中存在的皱褶。
在所述规定的路径为循环构成的情况下,移动磁铁控制部7可以使移动磁铁4按照位置A、位置B、位置C、位置A、位置B、位置C的顺序,在位置A至位置C之间多次移动。由此,与移动磁铁4仅移动一次位置A、位置B、位置C的情况相比,可以进一步减少掩膜片10的有源区域中存在的皱褶。
移动磁铁控制部7接收外部信号,根据该外部信号使移动磁铁4前进、后退或者停止等。
以下,根据图2详细说明使用移动磁铁4减少所述皱褶的方法。图2为使用移动磁铁4减少掩膜片10所包含的皱褶的流程图。
首先,在放置台1上放置掩膜片10(S10)。接下来,对准(定位)掩膜片10(S20)。接下来,使用固定磁铁6将掩膜片10临时固定在放置台1上(S30)。接下来,移动磁铁控制部7使移动磁铁4从位置A移动到位置B,并在放置台1上产生磁力(S40)。接下来,移动磁铁控制部7使移动磁铁4从位置B移动到位置C。由此,移动磁铁控制部7控制放置台1上产生磁力的位置(S50)。接下来,解除固定磁铁6的临时固定(S60)。由此,在掩膜片10的端部形成的大的皱褶被消除。接下来,使用固定磁铁6,再次将掩膜片10临时固定在放置台1上(S70)。在S70中,被放置在放置台1上的掩膜片10被拉伸。并且,最后,照相机3拍摄被拉伸的掩膜片10的图像,并测量PPA(S80)。
此处,进一步详细说明S30至S70。
如上所述,在S30中,掩膜片10通过固定磁铁6被临时固定在放置台1(第一临时固定)。并且,在S40中,移动磁铁4移动至位置B,并在放置台1上产生磁力。
接下来,在S50中,移动磁铁4从位置B移动至位置C。在该移动期间,掩膜片10持续受到移动磁铁4的磁力的作用。根据该磁力的作用,随着移动磁铁4的移动,存在于掩膜片10的中央部的皱褶集中到掩膜片10的端部方向(位置C的方向)。换言之,存在于掩膜片10的中央部的皱褶被拉伸,另一方面,在掩膜片10的端部形成大皱褶。并且,当皱褶到达端部,根据该皱褶产生欲使从放置台1拉开临时固定的掩膜片10的力。根据该力,解除由固定磁铁4对掩膜片10的临时固定,其结果,消除褶皱(S60)。然后,掩膜片10的端部根据自重返回到放置台1。并且,通过固定磁铁6再次将掩膜片10临时固定在放置台1上(S70)。
通过这种方式,利用皱褶的力来解除第一临时固定。但是,也可以通过使固定磁铁暂时移动来解除第一临时固定。具体为,在移动磁铁4移动到位置C之后,固定磁铁6从放置台1暂时移开。由此,解除掩膜片10临时固定在放置台1的状态(S60),在掩膜片10的端部形成的大的皱褶被消除。从放置台1移开固定磁铁6的时机也可以是移动磁铁4即将移动至位置C之前,而并不是移动磁铁4移动至位置C之后。
接下来,固定磁铁6再次被安装到放置台1(S70)。固定磁铁6被安装的位置是对应于掩膜片10的端部的位置。由此,掩膜片10再次被临时固定在放置台1(第二临时固定)。通过S60,存在于掩膜片10的端部的大的皱褶已被消除。因此,相较于第一临时固定时,在第二临时固定时的形成在掩膜片10上的皱褶更少。
在第一临时固定及第二临时固定中,固定磁铁6无需将掩膜片10牢固地固定在放置台1上,而是,将掩膜片10轻轻地临时固定在放置台1即可。即,固定磁铁6以轻轻地吸引到放置台1的方向的力临时固定掩膜片10。
如上所述,在所述规定的路径为循环构成的情况下,移动磁铁控制部7可以使移动磁铁4按照位置A、位置B、位置C、位置A、位置B、位置C的顺序,在位置A至位置C之间多次移动。该情况下,移动磁铁4每次移动到位置C,掩膜片10的皱褶被消除。然后,在进行第二临时固定之后,使移动磁铁4按照位置A、位置B、位置C的移动。如上所述,当移动磁铁4每次移动到位置C,则通过重复S60及S70能够更加减少掩膜片10的皱褶。
并且,在掩膜片10的皱褶足够少的情况下,可以省略S60及S70。但是,为了更加可靠地减少掩膜片10的皱褶,优选实施S60及S70。此外,例如,只有掩膜片10的一端部(或一处)被临时固定在放置台1的情况下,朝向该一端部的相反方向即朝向另一端方向拉伸。由此,解除固定磁铁6的临时固定,并且不需要消除掩膜片10的皱褶的步骤及再次临时固定掩膜片10的步骤。
图3为示出掩膜片10的PPA测量的情况的图。在图2的S50(或者S70)中,在放置台1上的掩膜片10被拉伸。由此,拉伸存在于掩膜片10的有源区域内的皱褶。即,在测量装置100中,可以在与使用抓持器拉伸时相同的状态下测量PPA。
由此,测量装置100操作配置在放置台1的下方的移动磁铁4,使所述皱褶拉伸,并保持该状态下测量PPA。由此,测量装置100能够提高PPA测量精度。此时,掩膜片10不会被抓持器拉伸。因此,掩膜片10可以避免夹痕的导致的损坏。
〔变形例1〕
在上述说明中,测量装置100具备多个固定磁铁6。
但是,测量装置100可以以仅具备一个固定磁铁6的构成来实现。
例如,掩膜片10是矩形形状,并且在对应于四个角部中的一个角部的位置处配置固定磁铁6。即,在该一个角部中,掩膜片10被临时固定在放置台1。
另一方面,移动磁铁4存在多个。多个移动磁铁4从所述一个角部分别向其余三个角部移动。在这种构成中,也可以减少存在于掩膜片10的有源区域内的皱褶,而无需使用抓持器。
〔变形例2〕
在上述说明中,测量装置100具备多个移动磁铁4。但是,测量装置100可以以仅具备一个移动磁铁4的构成来实现。
例如,掩膜片10是矩形形状,并且在对应于四个角部中的每一个位置处配置固定磁铁6。即,在该四个角部中,掩膜片10被临时固定在放置台1。
此时,所述规定的路径被如下的构成。具体为,在该规定的路径中,移动磁铁4按照位置B、第一角部、位置B、第二角部、第三角部、位置B、第四角部的顺序移动。根据该构成,也可以减少存在于掩膜片10的有源区域内的皱褶。
并且,通过组合变形例1和变形例2,可以实现测量装置100分别具备一个移动磁铁4和一个固定磁铁6的构成。
〔第二实施方式〕
以下,根据图4至图8说明其他测量装置110涉及的构成。
〔测量装置110的基本构成〕
图4为示出使用第一电磁石8至第n电磁石8(n为2以上的整数)的测量装置110的主要部分的图。并且,为了便于说明,对与在上述的实施方式中说明的构件具有相同功能的构件,标注相同的附图标记,并省略其说明。
测量装置110是测量掩膜片10的位置偏移的装置。测量装置110具备放置台1、灯2(未图示)、照相机3(未图示)、第一电磁石8至第n电磁石8。
并且,测量装置110不具备移动磁铁4、固定磁铁6及移动磁铁控制部7。此外,在图4至图8中个,n是2至35的整数。
第一电磁石8至第n电磁石8通过通电分别暂时产生磁力。第一电磁石8至第n电磁石8分别配置在放置台1的背面,例如被如下的配置。(1)矩阵状、(2)线状、(3)相互之间设置间隙的配置、(4)相互之间未设置间隙的配置、(5)随机。并且,当执行以下说明的动作时,第一电磁石8至第n电磁石8的配置不限于(1)至(5)。
接下来,根据图4至图8说明第一电磁石8至第n电磁石8的动作。并且,以下说明中,假设第一电磁石8、第二电磁石8、第三十四电磁石8及第三十五电磁石8(分别称为“端部电磁石”。)分别对应于掩膜片10的端部。此外,假设第三电磁石8至第三十三电磁石8(分别称为“中央部电磁石”。)分别对应于掩膜片10的中央部。这是为了便于说明。因此,例如,也可以理解为第一电磁石8至第三电磁石8以及第三十三电磁石8至第三十五电磁石8分别对应于掩膜片10的端部,第四电磁石8至第三十二电磁石8分别对应于中央部。
在图4中,第一电磁石8、第二电磁石8、第三十四电磁石8及第三十五电磁石8分别被提供第一电流,并产生第一磁力。由此,第一电磁石8、第二电磁石8、第三十四电磁石8及第三十五电磁石8分别通过磁力吸引掩膜片10,并将掩膜片10的对应位置(端部)临时固定在放置台1上。这在后述的图5至图7也相同。
图5为用于说明使用第一电磁石8至第n电磁石8的测量装置110的动作的图。在图5中,(1)第一电磁石8、第二电磁石8、第三十四电磁石8及第三十五电磁石8分别被提供第一电流,并产生第一磁力,(2)第十七电磁石8至第十九电磁石8分别被提供第二电流,并产生第二磁力。第二电流比第一电流大。第二磁力比第一磁力大。
由此,第十七电磁石8至第十九电磁石8分别通过磁力吸引掩膜片10,并将掩膜片10的对应位置(中央部)固定(临时固定)在放置台1上。
图6为用于说明使用第一电磁石8至第n电磁石8的测量装置110的动作的图。在图6中,(1)第一电磁石8、第二电磁石8、第三十四电磁石8、第三十五电磁石8,以及第十七电磁石8至第十九电磁石8分别被提供第一电流,并产生第一磁力。进一步,在图6中,(2)第十五电磁石8、第十六电磁石8、第二十电磁石8及第二十一电磁石8分别被提供第二电流,并产生第二磁力。
即,在从图5的状态转变为图6的状态的过程中,在第十七电磁石8至第十九电磁石8的每一个中,电流值从第二电流降低至第一电流,并且,磁力从第二磁力降低至第一磁力。此外,第十五电磁石8、第十六电磁石8、第二十电磁石8及第二十一电磁石8的每一个中,电流值从0上升至第二电流,并且,磁力从0上升至第二磁力。由此,能够有效拉伸对应于第十五电磁石8至第二二十一电磁石8的位置的、存在于掩膜片10的有源区域内的皱褶。
并且,在上述说明中,假设为在第十七电磁石8至第十九电磁石8中分别被提供第一电流。但是,在第十七电磁石8至第十九电磁石8的每一个中只要被提供小于第二电流的电流即可,无需必须提供第一电流。
图7为用于说明使用第一电磁石8至第n电磁石8的测量装置110的动作的图。在图7中,(1)第一电磁石8、第二电磁石8、第三十四电磁石8、第三十五电磁石8,以及第十五电磁石8至第二十一电磁石8分别被提供第一电流,并产生第一磁力。进一步,在图7中,(2)第十三电磁石8、第十四电磁石8、第二十二电磁石8及第二十三电磁石8分别被提供第二电流,并产生第二磁力。
即,在从图6的状态转变为图7的状态的过程中,在第十七电磁石8至第十九电磁石8的每一个中,维持提供第一电流。在第十五电磁石8、第十六电磁石8、第二十电磁石8及第二十一电磁石8的每一个中,电流值从第二电流降低至第一电流,并且,磁力从第二磁力降低至第一磁力。在第十三电磁石8、第十四电磁石8、第二十二电磁石8及第二十三电磁石8的每一个中,电流值从0上升至第二电流,并且,磁力从0上升至第二磁力。由此,能够有效拉伸对应于第十三电磁石8至第二十三电磁石8的位置的、存在于掩膜片10的有源区域内的皱褶。
并且,在上述说明中,假设为在第十五电磁石8至第二十一电磁石8中分别被提供第一电流。但是,在第十五电磁石8至第二十一电磁石8的每一个中只要被提供小于第二电流的电流即可,无需必须提供第一电流。
图8为用于说明使用第一电磁石8至第n电磁石8的测量装置110的动作的图。在图8中,(1)第一电磁石8、第二电磁石8、第三十四电磁石8及第三十五电磁石8分别被提供第二电流,并产生第二磁力,(2)第三电磁石8至第三十三电磁石8分别被提供第一电流,并产生第一磁力。由此,能够有效拉伸存在于掩膜片10的有源区域内的皱褶。最终,在第一电磁石8、第二电磁石8、第三十四电磁石8及第三十五电磁石8中流动第二电流,掩膜片10维持拉伸皱褶的状态下被固定在放置台1。
如上所述,测量装置110通过改变提供至位置被固定的第一电磁石8至第n电磁石8的电流值,能够有效减少存在于掩膜片10的有源区域内的皱褶。测量装置110通过具备上述构成,无需具备移动磁铁4、固定磁铁6及移动磁铁控制部7。向第一电磁石8至第n电磁石8的供电控制由为图示的控制部进行即可。
如上所述,可以以各种方式配置第一电磁石8至第n电磁石8。以下说明每种配置的优点。
在第一电磁石8至第n电磁石8被配置为矩阵状的情况下,能够精确地控制存在于掩膜片10的有源区域中的皱褶的拉伸处理。
在第一电磁石8至第n电磁石8被配置为线状的情况下,能够容易地配置该第一电磁石8至第n电磁石8,并且,能够简化上述皱褶的拉伸处理。
在第一电磁石8至第n电磁石8相互之间设置间隙地配置的情况下,从灯2照射的光通过该间隙。由此,照相机3可以清楚地拍摄掩膜片10的图像。
此外,根据第一电磁石8至第n电磁石8的配置,也可以考虑从放置台1的侧方照射灯2的光的构成。如上所述,测量装置110可以灵活地改变整体构成。
以上,说明了测量装置100及测量装置110。即使与为了将掩膜片固定在放置台上而使用负压的现有方法(以下称为“空气吸附型”)相比,测量装置100和测量装置110所获得的效果也是显着的。在空气吸附型中,需要在放置台上设置多个细微的吸附孔。因此,在空气吸附型中存在如下问题:(1)掩膜片被吸附到放置台的位置限于所述吸附孔;(2)当异物进入吸附孔,则会引起吸附失败;(3)空气吸附方式的维护困难。
相对于此,测量装置100及测量装置110中需要具备吸附孔,因此不存在上述(1)至(3)的问题。此外,与空气吸附型不同的,测量装置100及测量装置110可以将放置台1的表面设为平坦面。因此,在测量装置100及测量装置110中,放置台1的加工及制造容易。
〔用途〕
本实施方式涉及的测量装置和测量方法测量用于在多个像素上蒸镀粒子的掩膜片10的外形。这种掩膜片10例如在以下的(1)至(3)中使用。因此,本实施方式涉及的测量装置及测量方法可以适当地应用于以下(1)至(3)等的显示器的制造。
(1)作为电气光学元件具备OLED(Organic Light Emitt ing Diode:有机发光二极管)的有机EL(Electro Luminescenc e:电致发光)显示器。
(2)作为电气光学元件具备无机发光二极管的无机EL显示器。
(3)作为电气光学元件具备QLED(Quantum dot Light Emitting Diode:量子点发光二极管)的QLED显示器等。
〔总结〕
本发明的第一方面涉及的测量装置是用于测量包含磁体的金属板的外形的测量装置,其具备:放置台,所述金属板放置在其表面上;光源,其朝向所述放置台照射光;图像获取部,其获取所述金属板的图像;多个磁力产生部,其在所述放置台的背面侧产生磁力;控制部,其控制所述磁力的产生位置。
根据上述构成,包含磁体的所述金属板和所述磁力产生部在所述磁力的产生位置处通过磁力相互吸引,并且所述金属板被固定(临时固定)在所述放置台上。并且,在将所述金属板固定在所述放置台的状态下,所述控制部控制所述磁力的产生位置,能够通过磁力来拉伸所述金属板。由此,能够减少例如在金属板上产生的皱褶及/或波纹。其结果,所述测量装置能够准备地测量金属板的外形。
进一步,根据所述构成,无需为了拉伸所述金属板而用抓持器等抓住所述金属板的端部,因此,在所述金属板上不会残留夹痕。因此,在测量所述金属板的外形之后的工序中,所述金属板不会因所述夹痕而断开。
本发明的第二方面涉及的测量装置是如第一方面所述的测量装置,其中,所述多个磁力产生部包括一个或多个第一磁力产生部和不同于该第一磁力产生部的一个或多个第二磁力产生部。所述一个或多个第一磁力产生部被固定在所述放置台,并且将所述金属板的端部临时固定在所述放置台。所述控制部通过使所述一个或多个第二磁力产生部在放置台的背面侧上从对应于所述金属板的中央部的第一位置朝向对应于所述金属板的端部的第二位置移动,由此控制所述磁力的产生位置。本发明的第二方面涉及的测量装置也可以通过这样的构成实现。
根据所述构成,可以有效地拉伸所述金属板。
本发明的第三方面涉及的测量装置是如第二方面所述的测量装置,其中,所述一个或多个第一磁力产生部及所述一个或多个第二磁力产生部分别是磁铁。
根据上述构成,能够以简单地构成实现达到上述效果的测量装置。
本发明的第四方面涉及的测量装置是如第一方面所述的测量装置,也可以构成为:所述多个磁力产生部是分别被固定在所述放置台的背面侧的多个电磁石,所述控制部经由向所述多个电磁石供电,控制所述磁力的产生位置。
根据上述构成,所述控制部能够容易地控制所述磁力的产生位置。
本发明的第五方面涉及的测量装置是如第一至第四方面所述的测量装置,也可以构成为:所述金属板是用于在显示器的多个像素上蒸镀粒子的掩膜片。
根据上述构成,所述测量装置可以适当地测量被用于具备OLED的有机EL显示器、具备无机发光二极管的无机EL显示器、具备QLED的QLED显示器等的掩膜片的外形。
本发明的第六方面涉及的测量装置是如第一至第五方面所述的测量装置,也可以构成为:所述放置台具备用于驱动该放置台的驱动部。
根据上述构成,在拉伸所述金属板之后,通过驱动所述放置台来容易地对准所述金属板。
本发明的第七方面涉及的测量装置是如第一至第六方面所述的测量装置,也可以构成为:所述放置台的所述表面是平坦面。
根据上述构成,所述测量装置不具有现有的空气吸附型所具有的问题。进一步,在所述测量装置中,能够容易地加工及制造所述放置台。
本发明的第八方面涉及的测量方法是用于测量包含磁体的金属板的外形的测量方法,其依次包括:(a)在放置台的表面上放置所述金属板的步骤;(b)在所述表面产生磁力的步骤;(c)控制所述磁力的产生位置的步骤;(d)获取所述金属板的图像的步骤。
本发明的第九方面涉及的测量方法是如第八方面所述的测量方法,其中,所述金属板是用于在显示器的多个像素上蒸镀粒子的掩膜片。
本发明的第十方面涉及的测量方法是如第八或第九方面所述的测量方法,其中,在所述(a)步骤和所述(b)步骤之间,依次包括:(a1)对准所述金属板的步骤;以及(a2)使用一个或多个第一磁铁临时固定所述金属板的步骤。在所述步骤(c)中,通过使不同于所述一个或多个第一磁铁的一个或多个第二磁铁在所述放置台的背面侧上从对应于所述金属板的中央部的第一位置朝向对应于所述金属板的端部的第二位置移动,由此控制所述磁力的产生位置。本发明的第十方面涉及的测量方法也可以通过这样的方法实现。
本发明的第十一方面涉及的测量方法是如第八或第九方面所述的测量方法,其中,在所述放置台的背面侧上从对应于所述金属板的中央部的第一位置到对应于所述金属板的端部的第二位置配置有多个电磁石的情况下,在所述(a)步骤和所述(b)步骤之间,依次包括:(a1)对准所述金属板的步骤;以及(a2)通过向所述多个电磁石中的、配置在对应于所述金属板的端部的位置的多个端部电磁石供电,临时固定所述金属板的步骤。在所述(c)步骤中,通过依次从所述第一位置朝向所述第二位置向所述多个电磁石中的、配置在对应于所述金属板的中央部的位置的多个中央部电磁石供电,控制所述磁力的产生位置。本发明的第十一方面涉及的测量方法也可以通过这样的方法实现。
本发明的第十二方面涉及的测量方法是如第十一方面所述的测量方法,其中,在所述(c)步骤中,被分别提供至所述多个中央部电磁石的电流,也可以首先被提供第二电流,接下来,被提供低于该第二电流的第一电流。
本发明的第十三方面涉及的测量方法是如第十二方面所述的测量方法,其中,在所述(c)步骤之后,被提供至所述多个端部电磁石的电流可以大于被提供至所述多个中央部电磁石的电流。
本发明不限于上述各实施方式,能在权利要求所示的范围中进行各种变更,将在不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合而得到的实施方式也包含于本发明的技术范围。
附图标记说明
1 放置台
1a 放置台驱动部
2 灯
3 照相机
4、4a、4b移动磁铁
6、6a、6b固定磁铁
7 移动磁铁控制部
8 电磁石
10 掩膜膜
100、110 测量装置
Claims (13)
1.一种测量包含磁体的金属板的外形的测量装置,其特征在于,具备:
放置台,将所述金属板放置在其表面上;
光源,其朝向所述放置台照射光;
图像获取部,其获取所述金属板的图像;
多个磁力产生部,其在所述放置台的背面侧产生磁力;
控制部,其控制所述磁力的产生位置。
2.如权利要求1所述的测量装置,其特征在于,
所述多个磁力产生部包括一个或多个第一磁力产生部和不同于所述第一磁力产生部的一个或多个第二磁力产生部,
所述一个或多个第一磁力产生部被固定在所述放置台,并且,将所述金属板的端部固定在所述放置台,
所述控制部通过使所述一个或多个第二磁力产生部在放置台的背面侧上从对应于所述金属板的中央部的第一位置朝向对应于所述金属板的端部的第二位置移动,由此控制所述磁力的产生位置。
3.如权利要求2所述的测量装置,其特征在于,
所述一个或多个第一磁力产生部及所述一个或多个第二磁力产生部分别是磁铁。
4.如权利要求1所述的测量装置,其特征在于,
所述多个磁力产生部是分别被固定在所述放置台的背面侧的多个电磁石,
所述控制部经由向所述多个电磁石供电,控制所述磁力的产生位置。
5.如权利要求1至4中任一项所述的测量装置,其特征在于,
所述金属板是用于在显示器的多个像素上蒸镀粒子的掩膜片。
6.如权利要求1至4中任意一项所述的测量装置,其特征在于,
所述放置台具备用于驱动该放置台的驱动部。
7.如权利要求1至4中任一项所述的测量装置,其特征在于,
所述放置台的所述表面是平坦面。
8.一种测量包含磁体的金属板的外形的测量方法,其特征在于,依次包括:
(a)在放置台的表面上放置所述金属板的步骤;
(b)在所述表面产生磁力的步骤;
(c)控制所述磁力的产生位置的步骤;
(d)获取所述金属板的图像的步骤。
9.如权利要求8所述的测量方法,其特征在于,
所述金属板是用于在显示器的多个像素上蒸镀粒子的掩膜片。
10.如权利要求8或9所述的测量方法,其特征在于,
在所述(a)步骤和所述(b)步骤之间,依次包括:
(a1)对准所述金属板的步骤;以及
(a2)使用一个或多个第一磁铁临时固定所述金属板的步骤,
在所述步骤(c)中,通过使不同于所述一个或多个第一磁铁的一个或多个第二磁铁在所述放置台的背面侧上从对应于所述金属板的中央部的第一位置朝向对应于所述金属板的端部的第二位置移动,由此控制所述磁力的产生位置。
11.如权利要求8或9所述的测量方法,其特征在于,
在所述放置台的背面侧上从对应于所述金属板的中央部的第一位置到对应于所述金属板的端部的第二位置配置有多个电磁石的情况下,
在所述(a)步骤和所述(b)步骤之间,依次包括:
(a1)对准所述金属板的步骤;以及
(a2)通过向所述多个电磁石中的、配置在对应于所述金属板的端部的位置的多个端部电磁石供电,临时固定所述金属板的步骤,
在所述(c)步骤中,通过依次从所述第一位置朝向所述第二位置向所述多个电磁石中的、配置在对应于所述金属板的中央部的位置的多个中央部电磁石供电,控制所述磁力的产生位置。
12.如权利要求11所述的测量方法,其特征在于,
在所述(c)步骤中,关于被分别提供至所述多个中央部电磁石的电流,首先被提供第二电流,接下来,被提供低于该第二电流的第一电流。
13.如权利要求12所述的测量方法,其特征在于,
在所述(c)步骤之后,被提供至所述多个端部电磁石的电流大于被提供至所述多个中央部电磁石的电流。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/012065 WO2019186630A1 (ja) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | 測定装置、及び測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111903188A CN111903188A (zh) | 2020-11-06 |
CN111903188B true CN111903188B (zh) | 2023-07-04 |
Family
ID=68062380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880091640.4A Active CN111903188B (zh) | 2018-03-26 | 2018-03-26 | 测量装置及测量方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11340061B2 (zh) |
CN (1) | CN111903188B (zh) |
WO (1) | WO2019186630A1 (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN202002629U (zh) * | 2010-12-27 | 2011-10-05 | 柯尼卡美能达商用科技(无锡)有限公司 | 厚度测量装置 |
JP2014154315A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 有機elデバイス製造装置及び有機elデバイス製造方法 |
JP2016000840A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 凸版印刷株式会社 | メタルマスクの搬送治具およびメタルマスクの検査方法 |
JP2016053192A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの寸法測定方法、蒸着マスクの張力付与装置および蒸着マスクの寸法測定装置 |
JP2017040496A (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 国立大学法人静岡大学 | 計測マーカー、画像計測システム及び画像計測方法 |
CN107250717A (zh) * | 2015-02-23 | 2017-10-13 | 株式会社尼康 | 测量装置、光刻系统及曝光装置、以及组件制造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5880828A (en) * | 1996-07-26 | 1999-03-09 | Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. | Surface defect inspection device and shading correction method therefor |
KR100775846B1 (ko) | 2006-09-04 | 2007-11-13 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 소자 제조용 마스크 |
US9580791B2 (en) * | 2010-05-28 | 2017-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition mask, and manufacturing method and manufacturing device for organic EL element using vapor deposition mask |
US10196737B2 (en) * | 2016-11-25 | 2019-02-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition device and method for producing organic EL display device |
US20210060700A1 (en) * | 2017-09-05 | 2021-03-04 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Manufacturing method for vapor deposition mask device and manufacturing apparatus for vapor deposition mask device |
CN109994629B (zh) * | 2017-12-29 | 2021-01-29 | Tcl科技集团股份有限公司 | 复合薄膜及其制备方法和应用 |
CN108198958B (zh) * | 2018-01-30 | 2020-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、制作设备、显示装置 |
-
2018
- 2018-03-26 US US16/981,658 patent/US11340061B2/en active Active
- 2018-03-26 CN CN201880091640.4A patent/CN111903188B/zh active Active
- 2018-03-26 WO PCT/JP2018/012065 patent/WO2019186630A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN202002629U (zh) * | 2010-12-27 | 2011-10-05 | 柯尼卡美能达商用科技(无锡)有限公司 | 厚度测量装置 |
JP2014154315A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 有機elデバイス製造装置及び有機elデバイス製造方法 |
JP2016000840A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 凸版印刷株式会社 | メタルマスクの搬送治具およびメタルマスクの検査方法 |
JP2016053192A (ja) * | 2014-09-03 | 2016-04-14 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの寸法測定方法、蒸着マスクの張力付与装置および蒸着マスクの寸法測定装置 |
CN107250717A (zh) * | 2015-02-23 | 2017-10-13 | 株式会社尼康 | 测量装置、光刻系统及曝光装置、以及组件制造方法 |
JP2017040496A (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 国立大学法人静岡大学 | 計測マーカー、画像計測システム及び画像計測方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019186630A1 (ja) | 2019-10-03 |
US20210108912A1 (en) | 2021-04-15 |
CN111903188A (zh) | 2020-11-06 |
US11340061B2 (en) | 2022-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108624857B (zh) | 基板载置方法和机构、成膜方法和装置、电子器件制造方法及有机el显示装置制造方法 | |
KR100800237B1 (ko) | 마스크 포지셔닝 장치 및 방법 | |
KR100777534B1 (ko) | 자석 마스크 홀더 | |
JP6919145B2 (ja) | マスク製造装置及びマスク製造方法 | |
CN108517505B (zh) | 基板载置装置、成膜装置、基板载置方法、成膜方法和电子器件的制造方法 | |
JP5517308B2 (ja) | マスクの製造方法、マスク及びマスクの製造装置 | |
CN108517506B (zh) | 基板载置装置和方法、成膜装置和方法、对准装置和方法以及电子器件的制造方法 | |
KR20180001472A (ko) | 기판 협지 방법, 기판 협지 장치, 성막 방법, 성막 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법, 기판 재치 방법, 얼라인먼트 방법, 기판 재치 장치 | |
CN110777327B (zh) | 掩模装置的制造装置 | |
TW201411296A (zh) | 光掩模、光掩模組、曝光裝置以及曝光方法 | |
KR20130111182A (ko) | 진공 증착 장치 및 진공 증착 방법 | |
CN111903188B (zh) | 测量装置及测量方法 | |
KR20150070571A (ko) | 정렬장치 및 정렬방법 | |
CN110783248B (zh) | 静电吸盘系统、成膜装置、吸附及成膜方法、电子器件的制造方法 | |
US20190352113A1 (en) | Transport device | |
KR102501606B1 (ko) | 기판 박리 장치, 기판 처리 장치, 및 기판 박리 방법 | |
CN113005418B (zh) | 对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法 | |
JP2010106297A (ja) | マスクアライメント装置 | |
KR102217879B1 (ko) | 기판을 프로세싱하기 위한 방법, 진공 프로세싱을 위한 장치, 및 진공 프로세싱 시스템 | |
KR102419064B1 (ko) | 정전척 시스템, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 | |
KR102498153B1 (ko) | 기판 보유지지 부재, 기판 보유지지 장치, 기판 처리 장치, 기판 보유지지 방법, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
US10443118B2 (en) | Mask repairing apparatus, method for repairing mask and evaporation apparatus | |
JP2007125794A (ja) | スクリーン印刷装置およびスクリーン印刷方法 | |
KR102498151B1 (ko) | 기판 보유지지 장치, 기판 처리 장치, 기판 보유지지 방법, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
JP7249863B2 (ja) | マスク、マスクの製造方法および電子デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |