CN110777327B - 掩模装置的制造装置 - Google Patents
掩模装置的制造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110777327B CN110777327B CN201910634499.4A CN201910634499A CN110777327B CN 110777327 B CN110777327 B CN 110777327B CN 201910634499 A CN201910634499 A CN 201910634499A CN 110777327 B CN110777327 B CN 110777327B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mask
- holding unit
- frame
- manufacturing apparatus
- lift pins
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/20—Bonding
- B23K26/21—Bonding by welding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明的目的之一在于提供能够以高精度对准掩模并将掩模固定在框架上的掩模装置的制造方法和制造装置。掩模装置的制造装置包括:工作台,其包括用于保持框架的框架保持工作台和具有多个升降销的对准工作台;保持部,其用于保持与工作台相对地配置的基准板;掩模保持单元,其配置在工作台与基准板之间,用于保持掩模;和用于透过基准板对工作台的方向进行拍摄的摄像机,掩模保持单元在框架侧的面保持掩模,掩模保持单元能够通过多个升降销的动作在对准工作台上升降,多个升降销包括能够与掩模保持单元接触的多个第一升降销,摄像机对形成在掩模上的第一基准标记和形成在基准板上的第二基准标记进行拍摄。
Description
技术领域
本发明的一个实施方式涉及将掩模固定在框架上而成的掩模装置的制造装置。
背景技术
显示装置中,在各像素设置有发光元件,通过单独地控制发光来显示图像。例如,在使用有机EL元件作为发光元件的有机EL显示装置中,在各像素设置有有机EL元件,有机EL元件具有在由阳极电极和阴极电极构成的一对电极间夹着含有有机EL材料的层(下面,称为“有机EL层”)的结构。有机EL层由发光层、电子注入层、空穴注入层等功能层构成,通过选择这些功能层的有机材料,能够以各种波长的颜色发光。
在以低分子化合物为材料形成有机EL元件的薄膜时,可以使用蒸镀法。在蒸镀法中,利用加热器将蒸镀材料加热、升华,使其蒸镀在基板的表面来形成薄膜。此时,通过使用具有多个微细的开口图案的掩模,利用掩模的开口形成微细的薄膜图案。
掩模可以以将掩模固定在具有刚性的框状的框架上而成的掩模装置的形式使用。例如,日本特开2006-265712号公报中公开了如下的方法:利用多个夹具抓持极薄且具有刚性不同的区域的掩模并对其施加张力,从而将该掩模以没有变形或松弛的平坦的状态固定在框状的框架上。
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的一个实施方式的目的之一在于,提供能够以高精度对准掩模并将掩模固定在框架上的掩模装置的制造装置。
用于解决技术问题的手段
本发明的一个实施方式的掩模装置的制造装置是将掩模固定在框架上而成的掩模装置的制造装置,其特征在于,包括:工作台,其包括用于保持所述框架的框架保持工作台和具有多个升降销的对准工作台;保持部,其用于保持与所述工作台相对地配置的基准板;掩模保持单元,其配置在所述工作台与所述基准板之间,用于保持所述掩模;和用于透过所述基准板对所述工作台的方向进行拍摄的摄像机,所述掩模保持单元在所述框架侧的面保持所述掩模,所述掩模保持单元能够通过所述多个升降销的动作在所述对准工作台上升降,所述多个升降销包括能够与所述掩模保持单元接触的多个第一升降销,所述摄像机对形成在所述掩模上的第一基准标记和形成在所述基准板上的第二基准标记进行拍摄。
附图说明
图1A是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的概略结构的俯视图。
图1B是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的概略结构的截面图。
图2A是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造装置的概略结构的俯视图。
图2B是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造装置的概略结构的侧视图。
图3A是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造装置的工作台的结构的俯视图。
图3B是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造装置的工作台的结构的俯视图。
图4A是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的俯视图。
图4B是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的侧视图。
图5A是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的俯视图。
图5B是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的侧视图。
图6A是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的俯视图。
图6B是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的侧视图。
图7A是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的俯视图。
图7B是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的侧视图。
图8A是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的俯视图。
图8B是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的侧视图。
图9A是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的俯视图。
图9B是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的侧视图。
图10A是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的俯视图。
图10B是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的侧视图。
图11A是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的俯视图。
图11B是表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法的侧视图。
图12是表示本发明的变形例的掩模装置的制造装置的工作台的结构的俯视图。
附图标记说明
100:掩模装置,110:掩模,110a:第一面,110b:第二面,112:掩模图案部,114:第一基准标记,116:固定点,120:框架,122:开口,200:掩模装置的制造装置,210:工作台,210a:对准工作台,210b:框架保持工作台,220:掩模保持单元,220a:磁场产生部,220b:接触板,222b:开口,230:基准板,232:第二基准标记,234:支承部,240:摄像机,250:第一升降销,260:第二升降销,270:焊接机。
具体实施方式
下面,参照附图等,对本发明的实施方式进行说明。但是,本发明可以由多个不同的方式来实施,并不限定解释为下面例示的实施方式的记载内容。附图中,为了使说明更明确,有时与实际的方式相比示意性地表示各部分的尺寸、厚度、形状等,仅是一个例子,并不是对本发明的解释进行限定。在本说明书和各图中,有时对于与针对前面出现的图已说明过的要素相同的要素,标注相同的附图标记(或者在数字之后标注a、b等而得到的附图标记),适当省略详细的说明。对各要素附加的“第一”、“第二”的文字,是用于区分各要素而使用的为方便起见的标识,只要没有特殊的说明就不具有除此以外的含义。
在本说明书中,使某一部件或区域位于另一部件或区域之“上(或下)”的情况,只要没有特殊的限定,不仅包括某一部件或区域位于另一部件或区域的正上方(或正下方)的情况,而且也包括某一部件或区域位于另一部件或区域的上方(或下方)的情况,即,也包括在另一部件或区域的上方(或下方)在某一部件或区域与另一部件或区域之间包含其他构成要素的情况。在下面的说明中,只要没有特别说明,在截面观察时,将在基底部件上设置触控传感器(touch sensor)的一侧称为“上”或“上方”,将从“上”或“上方”看到的面称为“上表面”或“上表面侧”,反之则称为“下”、“下方”、“下表面”或“下表面侧”。
在下面的说明中,在图中示出D1方向、D2方向、D3方向时,D1方向与D2方向正交,D1方向及D2方向与D3方向正交。
(第一实施方式)
<掩模装置的概略结构>
图1A和图1B表示本发明的一个实施方式的掩模装置100的概略结构。图1A是掩模装置100的俯视图。图1B是图1A的A-A’截面图。
本实施方式的掩模装置100包括掩模110和框架120。掩模110具有掩模图案部112。掩模图案部112具有多个微细的开口图案(成膜图案),通过用于蒸镀,可利用掩模图案部112形成微细的薄膜图案。掩模图案部112的形状、排列是任意的,例如,可以举出将细长的缝隙状的开口部平行地排列的方式,将矩形状的开口部在纵向上排列并且平行地排列的方式等。例如,当在1块基板上制造多个显示面板的情况下,掩模110在与多个显示面板对应的各个位置具有与成膜图案相应的掩模图案部112。因此,通过使用本实施方式的掩模装置100,能够对多个显示面板一并形成由低分子化合物构成的薄膜。在本实施方式中,掩模110在与显示面板对应的位置的大致整个面具有矩形的掩模图案部112。但是并不限定于此,掩模图案部112可以采用与成膜图案相应的任意的形状。掩模110可以使用例如由镍、镍合金、殷钢等磁性金属构成的厚度3μm~20μm的膜状的金属。掩模110更优选热膨胀系数小、不易受到热的影响的具有殷钢特性的金属膜(金属片)。也可以是掩模110具有厚度不同的区域。
在本实施方式中,掩模110为矩形,在4个角设置有第一基准标记114。该第一基准标记114是在后述的制造掩模装置100时,用于进行基准板与掩模110之间的位置对准的掩模侧的对准标记。另外,也能够用于进行在蒸镀时作为蒸镀对象的基板与掩模装置100之间的位置对准。
掩模110在固定点116通过点焊等被固定在框架120上。掩模110在外周部具有多个固定点116。优选多个固定点116至少形成在掩模110的一边和与该一边相对的一边。更优选多个固定点116分别形成在掩模110的4边。框架120是用于保持掩模110的外周部的框状的部件,由热膨胀系数小的材料例如殷钢等构成。框架120至少在掩模110的与多个显示面板对应的位置具有开口122。即,在俯视时,掩模110的掩模图案部112配置在框架120的开口122的内侧。掩模110的外部尺寸大于框架120的开口122的口径,小于框架120的外部尺寸。在本实施方式中,在1个框架120上配置有2个掩模110。在每1个掩模上形成有12处的固定点116。但是并不限定于此,掩模110和固定点116的数量可以设定为任意的数量。
如图1B所示,掩模110具有:与成膜对象物相对的第一面110a;和第一面110a的相反侧的与框架120接触的第二面110b。优选掩模110的第一面110a是大致平坦的。另一方面,掩模110的第二面110b可以具有凹凸结构。通过掩模110的第二面110b具有凹凸结构,在对掩模110进行维护时,容易通过清洗将附着物等除去。
<掩模装置的制造装置>
接着,对掩模装置100的制造方法和制造装置进行说明。图2A和图2B表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造装置200的概略结构。图2A是掩模装置的制造装置200的俯视图。图2B是掩模装置的制造装置200的侧视图。
本实施方式的掩模装置的制造装置200包括工作台210、掩模保持单元220、用于支承基准板230的支承部234、摄像机240。工作台210在D1-D2方向具有平面。掩模保持单元220配置在工作台210的面上。在本实施方式中,在1个工作台210上配置有2个掩模保持单元220。但是并不限定于此,掩模保持单元220的数量只要与掩模110的数量对应即可。在俯视时,掩模保持单元220的面积小于工作台210的面积。
在本实施方式中,掩模保持单元220利用磁力从掩模110的与工作台210相反的一侧(D3反方向)保持掩模110的第一面110a。为此,掩模保持单元220包括磁场产生部220a和接触板220b。在本实施方式中,磁场产生部220a是电磁铁。磁场产生部220a是电磁铁,因此具有利用电气方式或机械方式来控制对掩模作用磁力的状态和不对掩模作用磁力的状态这至少2种状态的功能。但是并不限定于此,也可以是使用永磁铁代替电磁铁作为磁场产生部220a。掩模保持单元220在掩模保持单元220的工作台210侧保持掩模110。因此,在掩模保持单元220的与掩模110接触的工作台210侧配置接触板220b。接触板220b可以使用例如不锈钢、殷钢等厚度为1mm~50mm的板状的材料。更优选接触板220b为热膨胀系数小的材料。因为接触板220b为热膨胀系数小的材料,所以,在制造掩模装置100时,能够抑制由随时间的温度变化导致的掩模110与框架120的偏离(错位)。但是并不限定于此,接触板220b只要能够使磁场产生部220a的磁力通过,大致平坦即可。而且在接触板220b上,为了使得能够进行后述的掩模110与框架120的焊接,在固定点116的位置设置有开口222b。在本实施方式中,给出掩模保持单元220由磁场产生部220a和接触板220b构成的例子,但是并不限定于该例子,也可以省略接触板220b。另外,也可以是磁场产生部220a和接触板220b形成为一体。在不区分磁场产生部220a和接触板220b时称为掩模保持单元220。通过构成为这样,掩模保持单元220能够平坦地从D3反方向保持掩模110的第一面110a。
在掩模保持单元220的与工作台210相反的一侧(与D1-D2方向正交的D3方向),配置用于支承基准板230的支承部234。支承部234可拆装地支承基准板230。基准板230可以预先设置在掩模装置的制造装置200中,也可以根据掩模装置的规格而适当设置在支承部234上。在俯视时,基准板230的面积大于掩模保持单元220的面积。在基准板230上设置有与掩模110的第一基准标记114对应的第二基准标记232。该第二基准标记232是在后述的制造掩模装置100时,用于进行基准板230与掩模110之间的位置对准的基准板230侧的对准标记。基准板230的第二基准标记232配置在比与掩模保持单元220对应的位置靠D1方向和D1反方向外侧的位置。即,在俯视时,基准板230的第二基准标记232配置在比掩模保持单元220靠D1方向和D1反方向外侧的位置。在本实施方式中,基准板230的材料为厚度4mm~20mm的板状的玻璃。但是并不限定于此,基准板230只要具有透过性即可。更优选基准板230为热膨胀系数小的材料。因为基准板230为热膨胀系数小的材料,所以,在制造掩模装置100时,能够抑制第二基准标记232由随时间的温度变化引起的偏离。
在基准板230的与工作台210相反的一侧(D3方向),在与第二基准标记232对应的位置配置摄像机240。在进行基准板230与掩模110的位置对准时,摄像机240透过基准板230对第二基准标记232与第一基准标记114的位置进行拍摄。
接着,对工作台210的结构进行详细说明。图3A和图3B表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造装置的工作台的结构。图3A是工作台210的俯视图。图3B是配置了框架120的工作台210的俯视图。
本实施方式的掩模装置的制造装置200的工作台210包括对准工作台210a和框架保持工作台210b。在本实施方式中,工作台210包括:2个矩形的对准工作台210a;和包围对准工作台210a的1个框状的框架保持工作台210b。但是并不限定于此,只要对准工作台210a的数量与掩模110的数量对应,且框架保持工作台210b的数量与框架120的数量对应即可。
框架保持工作台210b在D1-D2方向具有平面,用于保持后述的框架120。框架120由框架保持工作台210b与D1-D2面平行地固定在掩模装置的制造装置200中。
2个对准工作台210a相对于框架保持工作台210b在D1-D2面方向(包括旋转方向)分别能够独立地移动。在对准工作台210a与框架保持工作台210b之间具有间隙,对准工作台210a能够在间隙的范围内相对于框架保持工作台210b移动。
对准工作台210a具有多个第一升降销250和多个第二升降销260。在对准工作台210a中,多个第一升降销250在D3方向升降时,配置在框架120的外侧,能够与掩模保持单元220接触。也可以是在多个第一升降销250的与接触板220b接触的前端,配置用于稳定地保持接触板220b的磁铁等。在对准工作台210a中,多个第二升降销260在D3方向升降时,配置在框架120的开口122的内侧,能够与后述的掩模110接触。也可以是在多个第二升降销260的与掩模110接触的前端,配置用于稳定地保持掩模110的磁铁等。通过构成为这样,掩模保持单元220和掩模110能够由对准工作台210a、第一升降销250和第二升降销260相对于框架120平行(D1-D2面方向和以D3方向为轴的旋转方向)地移动。关于多个第一升降销250和多个第二升降销260的位置和动作,将在后面详细说明。
利用本实施方式的掩模装置100的制造装置,因为具有对准工作台210a、第一升降销250和第二升降销260,所以能够以高精度对准掩模并将其固定在框架上。
<掩模装置的制造装置的动作和掩模装置的制造方法>
图4A至图9B表示本发明的一个实施方式的掩模装置的制造方法。图4A是掩模保持单元220上升后的状态下的掩模装置的制造装置200的俯视图。图4B是该状态下的掩模装置的制造装置200的侧视图。
如图4A和图4B所示,工作台210(对准工作台210a)具有多个第一升降销250。第一升降销250能够在D3方向从对准工作台210a上升,与掩模保持单元220的接触板220b接触。进而第一升降销250能够使掩模保持单元220上升,在工作台210与掩模保持单元220之间形成空间。在本实施方式中,第一升降销250分别在对准工作台210a的D2方向的一端和与该一端相反的一侧的另一端在D1方向排列配置。多个第一升降销250从对准工作台210a在D3方向同步地升降。通过构成为这样,第一升降销250配置在后述的框架120的外侧,能够在D3方向与D1-D2面平行地举起掩模保持单元220。
图5A是在工作台210上放置了框架120的状态下的掩模装置的制造装置200的俯视图。图5B是该状态下的掩模装置的制造装置200的侧视图。
如图5A和图5B所示,框架120被放置在掩模装置的制造装置200的工作台210与掩模保持单元220之间。框架120从D1方向被放置在由工作台210、多个第一升降销250和掩模保持单元220包围的空间。即,在D2方向,掩模保持单元220的接触板220b的外部尺寸大于框架120的外部尺寸。
框架120由位置对准机构(未图示)配置在框架120的开口122与掩模保持单元220的磁场产生部220a对应的位置。即,在俯视时,掩模保持单元220的磁场产生部220a配置在框架120的开口122。为了使得能够进行后述的掩模110与框架120的焊接,在俯视时,掩模保持单元220的磁场产生部220a和接触板220b至少使固定点116的位置露出。另外,优选掩模保持单元220的一部分比开口122大,以使得掩模保持单元220被按压时,至少在掩模110和框架120在俯视时重叠的位置,在除固定点116以外的区域,掩模110与框架120紧贴。被放置的框架120可利用夹具或磁铁等固定在框架保持工作台210b上。
图6A是在框架120与掩模保持单元220之间被送入了掩模110的状态下的掩模装置的制造装置200的俯视图。图6B是该状态下的掩模装置的制造装置200的侧视图。
如图6A和图6B所示,掩模110被放置在由框架保持工作台210b保持的框架120与掩模保持单元220之间。掩模110从D1方向被放置在由框架120、多个第一升降销250和掩模保持单元220包围的空间。即,在D2方向,掩模保持单元220的接触板220b的外部尺寸大于掩模110的外部尺寸。在俯视时,掩模110以覆盖框架120的开口122的方式配置。掩模保持单元220的磁场产生部220a的面积小于掩模110的面积。另外,掩模保持单元220的磁场产生部220a的外部尺寸小于掩模110的外部尺寸。掩模110的掩模图案部112配置在与掩模保持单元220的磁场产生部220a对应的位置。即,在俯视时,掩模110的掩模图案部112配置在掩模保持单元220的磁场产生部220a的位置。此外,也可以是,在D1方向,掩模保持单元220的接触板220b的外部尺寸小于掩模110的外部尺寸。为了使得能够进行后述的掩模110与框架120的焊接,在俯视时,掩模保持单元220的磁场产生部220a和接触板220b至少使固定点116的位置露出。
掩模110的第一基准标记114配置在比与掩模保持单元220对应的位置靠D1方向和D1反方向的外侧的位置。即,在俯视时,掩模保持单元220的磁场产生部220a和接触板220b至少使掩模110的第一基准标记114露出。
图7A是掩模保持单元220下降到能够吸附掩模110的位置的状态下的掩模装置的制造装置200的俯视图。图7B是该状态下的掩模装置的制造装置200的侧视图。
被送入的掩模110由掩模保持单元220保持。如图7A和图7B所示,通过第一升降销250下降,掩模保持单元220在D3反方向下降。在此,掩模保持单元220的接触板220b与掩模110的第一面110a接触。即,掩模110与接触板220b的工作台210侧接触。掩模保持单元220利用磁场产生部220a的磁力隔着接触板220b从第一面110a侧(D3反方向)保持掩模110。因此,优选接触板220b和掩模110的第一面110a是大致平坦的。通过构成为这样,掩模保持单元220能够大致平坦地保持掩模110。不需要为了使掩模110平坦化而施加张力,因此,能够减少由张力引起的掩模110的变形等问题。而且,不需要在D1-D2方向抓持掩模110,因此,能够节省空间并且能够将多个掩模平铺(tiling)。
图8A是掩模保持单元220吸附掩模110并使掩模110上升的状态下的掩模装置的制造装置200的俯视图。图8B是该状态下的掩模装置的制造装置200的侧视图。
如图8A和图8B所示,第一升降销250在D3方向从对准工作台210a上升,使掩模保持单元220上升。而且,工作台210(对准工作台210a)具有多个第二升降销260。第二升降销260在D3方向从对准工作台210a上升,与掩模110接触。进而,第二升降销260使掩模110上升,在工作台210与掩模110之间形成空间。第二升降销260与掩模110接触,因此配置在掩模110的与掩模图案部112对应的位置以外的区域。优选第二升降销260配置在掩模110的与显示面板对应的位置以外的区域。在本实施方式中,第二升降销260配置在多个第一升降销250之间。第二升降销260配置在框架120的开口122。多个第一升降销250和多个第二升降销260在D3方向从对准工作台210a同步地升降。
而且,第一升降销250能够在框架120的外侧在D1-D2面方向移动。第二升降销260能够在框架120的开口122的内侧在D1-D2面方向移动。多个第一升降销250和多个第二升降销260按每个对准工作台210a在D1-D2面方向同步地移动。通过构成为这样,对准工作台210a、第一升降销250和第二升降销260能够使掩模保持单元220和掩模110一体地在D1-D2面方向或以D3方向为轴的旋转方向移动。
第一升降销250与掩模保持单元220接触,第二升降销260与掩模110接触。因此,在第一升降销250和第二升降销260上升时,第一升降销250的前端比第二升降销260的前端在D3方向高出掩模110的厚度。即,第一升降销250相对于对准工作台210a的升降范围大于第二升降销260相对于对准工作台210a的升降范围。第一升降销250和第二升降销260在上述的从对准工作台210a在D3方向同步地升降时和在D1-D2面方向同步地移动时,维持该高度的差异。通过构成为这样,对准工作台210a、第一升降销250和第二升降销260能够使掩模保持单元220和掩模110一体地在D3方向、D1-D2面方向或以D3方向为轴的旋转方向与框架120(D1-D2面方向)平行地移动。而且,掩模保持单元220和第二升降销260能够大致平坦地维持掩模110。
为了进行基准板230与掩模110的位置对准,摄像机240对第二基准标记232和第一基准标记114的位置进行拍摄。通过对准工作台210a、第一升降销250和第二升降销260使掩模保持单元220和掩模110在D1-D2面方向移动,来进行基准板230的第二基准标记232与掩模110的第一基准标记114的位置对准。在此,对准工作台210a、第一升降销250和第二升降销260作为对准机构发挥作用。通过构成为这样,摄像机240、对准工作台210a、第一升降销250和第二升降销260能够高精度地进行第二基准标记232与第一基准标记114的位置对准。
图9A是使掩模110和掩模保持单元220下降,将掩模110焊接到框架120上的掩模装置的制造装置200的俯视图。图9B是使掩模110和掩模保持单元220下降,将掩模110焊接到框架120上的掩模装置的制造装置200的侧视图。
如图9A和图9B所示,当第二基准标记232与第一基准标记114的位置对准时,第一升降销250和第二升降销260在对准工作台210a的D3反方向下降,使掩模保持单元220和掩模110下降。多个第一升降销250和多个第二升降销260在对准工作台210a的D3反方向同步地下降。通过构成为这样,第一升降销250和第二升降销260能够使掩模保持单元220和掩模110一体地在D3反方向与D1-D2面平行地下降。而且,掩模保持单元220和第二升降销260能够大致平坦地维持掩模110。
对准后的掩模110由焊接机270固定在框架120上。掩模110在固定点116由焊接机270的激光等点焊到框架120上。在D2方向,掩模保持单元220的接触板220b的外部尺寸大于框架120的外部尺寸。因此,也可以是经由接触板220b的开口222b进行掩模110与框架120的焊接。然后,将被焊接到框架120上的掩模110从掩模装置的制造装置200卸下,从而可将其作为能够用于蒸镀等的掩模装置100提供。
利用本实施方式的掩模装置100的制造方法,由掩模保持单元220从与工作台210相反的一侧大致平坦地保持掩模110,从而能够以更高精度对准掩模并将掩模固定在框架上。
(第二实施方式)
本实施方式的掩模装置的结构与第一实施方式的掩模装置的结构相同。本实施方式的掩模装置的制造方法中,代替由多个第一升降销250和多个第二升降销260使掩模110和掩模保持单元220上升(参照图8A和图8B),而由多个第一升降销250使掩模110和掩模保持单元220上升(参照图10A和图10B),除此以外,与第一实施方式的掩模装置的制造方法相同。省略与第一实施方式相同的说明,在此对与第一实施方式的掩模装置的制造方法不同的部分进行说明。
<掩模装置的制造装置的动作和掩模装置的制造方法>
图10A是使掩模110和掩模保持单元220上升后的掩模装置的制造装置200的俯视图。图10B是使掩模110和掩模保持单元220上升后的掩模装置的制造装置200的侧视图。
如图10A和图10B所示,第一升降销250在D3方向从对准工作台210a上升,与掩模保持单元220的接触板220b接触。第一升降销250使掩模保持单元220上升。在本实施方式中,掩模保持单元220利用磁场产生部220a的磁力,即使没有第二升降销260的支承也能够从第一面110a侧保持掩模110。即,随着第一升降销250从对准工作台210a上升,掩模110与掩模保持单元220一体地上升。
而且,第一升降销250能够在框架120的外侧在D1-D2面方向移动。多个第一升降销250按每个对准工作台210a在D1-D2面方向同步地移动。对准工作台210a和第一升降销250能够使掩模保持单元220和掩模110一体地在D1-D2面方向移动。
通过构成为这样,对准工作台210a和第一升降销250能够使掩模保持单元220和掩模110一体地在D3方向和D1-D2面方向或以D3方向为轴的旋转方向平行地移动。
利用上面说明的本实施方式的掩模装置100的制造方法,例如,即使掩模110的第二面110b具有凹凸结构,也能够实现以高精度对准掩模并将掩模固定在框架上。
(第三实施方式)
本实施方式的掩模装置的结构与第一实施方式的掩模装置的结构相同。本实施方式的掩模装置的制造方法中,代替由多个第一升降销250和多个第二升降销260使掩模110和掩模保持单元220上升(参照图8A和图8B),而由多个第二升降销260使掩模110和掩模保持单元220上升(参照图11A和图11B),除此以外,与第一实施方式的掩模装置的制造方法相同。省略与第一实施方式相同的说明,在此对与第一实施方式的掩模装置的制造方法不同的部分进行说明。
<掩模装置的制造装置的动作和掩模装置的制造方法>
图11A是使掩模110和掩模保持单元220上升后的掩模装置的制造装置200的俯视图。图11B是使掩模110和掩模保持单元220上升后的掩模装置的制造装置200的侧视图。
如图11A和图11B所示,第二升降销260在D3方向从对准工作台210a上升,与掩模110接触。第二升降销260使掩模110上升。在本实施方式中,掩模保持单元220即使没有第一升降销250的支承,也能够隔着掩模110由第二升降销260支承。即,随着第二升降销260从对准工作台210a上升,掩模保持单元220与掩模110一体地上升。
而且,第二升降销260能够在框架120的开口122的内侧在D1-D2面方向移动。多个第二升降销260按每个对准工作台210a在D1-D2面方向同步地移动。对准工作台210a和第二升降销260能够利用磁场产生部220a的足够的磁力使掩模保持单元220和掩模110一体地在D1-D2面方向移动。
通过构成为这样,对准工作台210a和第二升降销260能够使掩模保持单元220和掩模110一体地在D3方向和D1-D2面方向或以D3方向为轴的旋转方向平行地移动。
利用上面说明的本实施方式的掩模装置100的制造方法,能够实现以高精度对准掩模并将掩模固定在框架上。
上面,对本发明的一个实施方式进行了说明,但是本发明的一个实施方式也可以如下述那样变形为各种各样的方式。
(变形例1)
如图3A和图3B所示,在第一实施方式至第三实施方式中,对准工作台210a是矩形的,框架保持工作台210b是包围对准工作台210a的框状。因此,框架120的一部分也与对准工作台210a接触。但是并不限定于此,对准工作台210a中,只要将多个第一升降销250配置在框架120的外侧,将多个第二升降销260配置在框架120的开口122即可。框架保持工作台210b只要能够稳定地保持框架120即可。例如,图12是本发明的变形例的工作台210的俯视图。如图12所示,对准工作台210a也可以以包含多个第一升降销250的形状突出。框架保持工作台210b也可以以避开多个第一升降销250的方式陷入,也可以是不连续的。通过配置成这样,能够使框架保持工作台210b保持框架120的区域更大。
(变形例2)
在第一实施方式至第三实施方式中,掩模保持单元220利用磁力来保持掩模110的第一面110a。但是并不限定于此,也可以是掩模保持单元220利用真空吸附力来保持掩模110的第一面110a。在该情况下,也可以是掩模保持单元220包括真空吸附机和接触板。接触板只要具有吸附孔,大致平坦即可。通过构成为这样,本变形例的掩模装置100的制造方法能够实现以高精度对准掩模并将掩模固定在框架上。
Claims (17)
1.一种掩模装置的制造装置,所述掩模装置是将掩模固定在框架上而成的,所述掩模装置的制造装置的特征在于,包括:
工作台,其包括用于保持所述框架的框架保持工作台和具有多个升降销的对准工作台;
保持部,其用于保持与所述工作台相对地配置的基准板;
掩模保持单元,其配置在所述工作台与所述基准板之间,用于保持所述掩模;和
用于透过所述基准板对所述工作台的方向进行拍摄的摄像机,
所述掩模保持单元包括能够利用磁力来固定所述掩模的磁铁,
所述掩模保持单元能够将所述掩模以位于所述工作台与所述磁铁之间的方式保持,
所述掩模保持单元能够通过所述多个升降销的动作在所述对准工作台上升降,
所述多个升降销包括能够与所述掩模保持单元接触的多个第一升降销,
所述摄像机对形成在所述掩模上的第一基准标记和形成在所述基准板上的第二基准标记进行拍摄。
2.如权利要求1所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述多个第一升降销配置在所述框架的外侧,能够相对于所述对准工作台升降,从而使所述掩模保持单元在所述对准工作台上升降。
3.如权利要求1所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述多个第一升降销彼此同步地升降。
4.如权利要求1所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述多个升降销还包括能够与所述掩模接触的多个第二升降销。
5.如权利要求4所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述框架具有开口,
所述多个第二升降销配置在所述框架的开口的内侧,能够相对于所述对准工作台升降,从而使所述掩模在所述对准工作台上升降。
6.如权利要求4所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述多个第二升降销彼此同步地升降。
7.如权利要求4所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述多个第一升降销相对于所述对准工作台的升降范围大于所述多个第二升降销相对于所述对准工作台的升降范围。
8.如权利要求1所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述框架保持工作台与所述对准工作台隔开间隙地配置,
所述对准工作台能够在所述间隙中移动。
9.如权利要求1所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述多个升降销能够在所述掩模保持单元利用所述磁力保持所述掩模的状态下,以从相对于所述掩模与所述磁铁相反的一侧将所述掩模向上推的方式进行升降。
10.如权利要求9所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述掩模保持单元包括电磁铁。
11.如权利要求10所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述电磁铁的面积小于所述掩模的面积。
12.如权利要求10所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述掩模保持单元在所述掩模与所述电磁铁之间还包括接触板。
13.如权利要求12所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述接触板与所述掩模接触的面是平坦的。
14.如权利要求1所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述掩模与所述掩模保持单元接触的面是平坦的。
15.如权利要求1所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述工作台包括多个所述对准工作台,
在所述工作台与所述基准板之间配置有多个所述掩模保持单元,用于保持多个所述掩模。
16.如权利要求15所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
所述框架保持工作台与所述多个对准工作台隔开间隙地配置,
所述多个对准工作台能够分别独立地在所述间隙中移动。
17.如权利要求1所述的掩模装置的制造装置,其特征在于:
还包括用于将所述框架和所述掩模焊接的焊接机。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018-139301 | 2018-07-25 | ||
JP2018139301A JP7220030B2 (ja) | 2018-07-25 | 2018-07-25 | マスクユニットの製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110777327A CN110777327A (zh) | 2020-02-11 |
CN110777327B true CN110777327B (zh) | 2022-04-19 |
Family
ID=69179636
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910634499.4A Active CN110777327B (zh) | 2018-07-25 | 2019-07-15 | 掩模装置的制造装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11484971B2 (zh) |
JP (1) | JP7220030B2 (zh) |
CN (1) | CN110777327B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7191878B2 (ja) * | 2020-02-03 | 2022-12-19 | 株式会社三共 | 遊技機 |
JP7191877B2 (ja) * | 2020-02-03 | 2022-12-19 | 株式会社三共 | 遊技機 |
CN112091431B (zh) * | 2020-09-01 | 2022-03-08 | 北京航空航天大学 | 面向大尺寸超薄掩膜版的一种高精高效激光抛光方法 |
KR20220056914A (ko) * | 2020-10-28 | 2022-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 및 이를 포함하는 증착 장치 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1378408A (zh) * | 2001-01-31 | 2002-11-06 | 东丽株式会社 | 组合的掩模与使用该掩模制造有机电致发光装置的方法和设备 |
CN101158818A (zh) * | 2007-11-16 | 2008-04-09 | 上海微电子装备有限公司 | 一种对准装置与对准方法、像质检测方法 |
CN101533225A (zh) * | 2008-03-11 | 2009-09-16 | 株式会社阿迪泰克工程 | 玻璃掩模和掩模保持器的位置对准装置 |
CN103858208A (zh) * | 2011-08-10 | 2014-06-11 | 株式会社V技术 | 曝光装置用的对准装置以及对准标记 |
CN105589306A (zh) * | 2016-02-26 | 2016-05-18 | 合肥欣奕华智能机器有限公司 | 一种掩膜板对位系统 |
CN106399932A (zh) * | 2015-07-29 | 2017-02-15 | 阿德文泰克全球有限公司 | 使用可变间距编码孔径的阴影掩模对准 |
CN106939408A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-07-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种蒸镀装置 |
CN107435136A (zh) * | 2017-08-16 | 2017-12-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀腔体、蒸镀设备及蒸镀方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3715073B2 (ja) * | 1997-04-22 | 2005-11-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
JP4244555B2 (ja) * | 2002-02-25 | 2009-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の支持機構 |
DE10232478A1 (de) * | 2002-07-17 | 2004-02-12 | Infineon Technologies Ag | Waferhubvorrichtung |
JP2006265712A (ja) | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 基準位置指示装置及びメタルマスク位置アラインメント装置 |
US7988817B2 (en) * | 2006-11-10 | 2011-08-02 | Adp Engineering Co., Ltd. | Lift pin driving device and a flat panel display manufacturing apparatus having same |
DE102008037387A1 (de) * | 2008-09-24 | 2010-03-25 | Aixtron Ag | Verfahren sowie Vorrichtung zum Abscheiden lateral strukturierter Schichten mittels einer magnetisch auf einem Substrathalter gehaltenen Schattenmaske |
JP5141707B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2013-02-13 | 株式会社安川電機 | 被処理体の支持機構、支持方法およびそれを備えた搬送システム |
US20120237682A1 (en) * | 2011-03-18 | 2012-09-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ mask alignment for deposition tools |
TWI542727B (zh) * | 2011-06-17 | 2016-07-21 | 應用材料股份有限公司 | 處理腔室 |
KR102162790B1 (ko) * | 2013-05-02 | 2020-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체용 용접기 |
JP2015100943A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | スクリーン印刷機、部品実装ライン及びスクリーン印刷方法 |
TWI661502B (zh) * | 2014-02-27 | 2019-06-01 | 日商斯克林集團公司 | 基板處理裝置 |
WO2016061215A1 (en) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | Advantech Global, Ltd | Multi-mask alignment system and method |
US10745796B2 (en) * | 2014-10-17 | 2020-08-18 | Advantech Global, Ltd | Multi-mask alignment system and method |
JP6671993B2 (ja) * | 2016-02-01 | 2020-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板受け渡し位置の教示方法及び基板処理システム |
EP3543370A4 (en) * | 2016-11-18 | 2020-04-01 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | STEAM DEPOSIT MASK |
US20190345596A1 (en) * | 2016-12-02 | 2019-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition mask, vapor deposition device, method of manufacturing vapor deposition mask, and method of manufacturing electroluminescence display device |
-
2018
- 2018-07-25 JP JP2018139301A patent/JP7220030B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-15 CN CN201910634499.4A patent/CN110777327B/zh active Active
- 2019-07-18 US US16/515,115 patent/US11484971B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1378408A (zh) * | 2001-01-31 | 2002-11-06 | 东丽株式会社 | 组合的掩模与使用该掩模制造有机电致发光装置的方法和设备 |
CN101158818A (zh) * | 2007-11-16 | 2008-04-09 | 上海微电子装备有限公司 | 一种对准装置与对准方法、像质检测方法 |
CN101533225A (zh) * | 2008-03-11 | 2009-09-16 | 株式会社阿迪泰克工程 | 玻璃掩模和掩模保持器的位置对准装置 |
CN103858208A (zh) * | 2011-08-10 | 2014-06-11 | 株式会社V技术 | 曝光装置用的对准装置以及对准标记 |
CN106399932A (zh) * | 2015-07-29 | 2017-02-15 | 阿德文泰克全球有限公司 | 使用可变间距编码孔径的阴影掩模对准 |
CN105589306A (zh) * | 2016-02-26 | 2016-05-18 | 合肥欣奕华智能机器有限公司 | 一种掩膜板对位系统 |
CN106939408A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-07-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种蒸镀装置 |
CN107435136A (zh) * | 2017-08-16 | 2017-12-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀腔体、蒸镀设备及蒸镀方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7220030B2 (ja) | 2023-02-09 |
JP2020015946A (ja) | 2020-01-30 |
CN110777327A (zh) | 2020-02-11 |
US20200030913A1 (en) | 2020-01-30 |
US11484971B2 (en) | 2022-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110777327B (zh) | 掩模装置的制造装置 | |
CN114032498B (zh) | 对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法 | |
KR101901066B1 (ko) | 기판 협지 방법, 기판 협지 장치, 성막 방법, 성막 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법, 기판 재치 방법, 얼라인먼트 방법, 기판 재치 장치 | |
CN109385601B (zh) | 掩膜制造装置以及掩膜制造方法 | |
KR101975123B1 (ko) | 기판 재치 장치, 성막 장치, 기판 재치 방법, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
US7771789B2 (en) | Method of forming mask and mask | |
KR100811730B1 (ko) | 마스크막형성방법 및 마스크막형성장치 | |
JP4609756B2 (ja) | 成膜装置のマスク位置合わせ機構および成膜装置 | |
KR101893708B1 (ko) | 기판 재치 장치, 기판 재치 방법, 성막 장치, 성막 방법, 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
KR101969955B1 (ko) | 평판표시장치용 증착 마스크 조립체 제조장치 | |
KR20130018132A (ko) | El 장치의 제조방법 | |
KR101933807B1 (ko) | 성막장치 및 이를 사용한 유기 el 표시장치의 제조방법 | |
JP2006172930A (ja) | 真空蒸着方法及びelディスプレイ用パネル | |
KR102530431B1 (ko) | 마스크 부착 장치, 성막 장치, 마스크 부착 방법, 성막 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 마스크, 기판 캐리어, 및 기판 캐리어와 마스크의 세트 | |
WO2006090749A1 (ja) | 成膜装置における基板装着方法および成膜方法 | |
KR20220107970A (ko) | 성막 장치 | |
CN110268090B (zh) | 蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及蒸镀掩模的制造装置 | |
CN111230295B (zh) | 框架一体型掩模的制造装置 | |
KR102152686B1 (ko) | 프레임 일체형 마스크의 제조 장치 | |
US20190352113A1 (en) | Transport device | |
CN112779504B (zh) | 成膜装置及成膜方法 | |
JP2020176333A (ja) | マスク製造装置及びマスク製造方法 | |
JP2023017233A (ja) | 基板キャリア、成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 | |
CN117742070A (zh) | 图案形成方法、半导体装置的制造方法及压印装置 | |
CN115701649A (zh) | 载台支承装置、对准装置、成膜装置、掩模载置方法、成膜方法及电子器件的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |