CN1378408A - 组合的掩模与使用该掩模制造有机电致发光装置的方法和设备 - Google Patents

组合的掩模与使用该掩模制造有机电致发光装置的方法和设备 Download PDF

Info

Publication number
CN1378408A
CN1378408A CN02105638A CN02105638A CN1378408A CN 1378408 A CN1378408 A CN 1378408A CN 02105638 A CN02105638 A CN 02105638A CN 02105638 A CN02105638 A CN 02105638A CN 1378408 A CN1378408 A CN 1378408A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
mask
deposition mas
deposition
mas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN02105638A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1311570C (zh
Inventor
藤森茂雄
北村义之
金森浩充
池田武史
冈哲雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Publication of CN1378408A publication Critical patent/CN1378408A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1311570C publication Critical patent/CN1311570C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种组合掩模,包括多个沉积掩模,每个具有沉积缝隙阵列的沉积掩模相应于沉积图案形成;和其上沉积掩模被排列的具有多个开口的基板被提供。沉积掩模通过接合单元以可脱离的方式被保持到基板上,和用来在基板上定位沉积掩模的对准标记被形成在基板上。另外,提供了用于制造组合掩模的方法和设备,用于使用组合掩模制造有机EL装置的方法和设备,和有机EL装置。

Description

组合的掩模与使用该掩模制 造有机电致发光装置的方法和设备
发明的领域
本发明涉及能够把电能转变成光的有机EL(电致发光)装置，并且其具有在装置中的各种应用，例如显示装置，平板显示器，背后照明，内部装饰，布告板，电子摄像机，表等等。更具体地说，本发明涉及组合的掩模，其中多个用于制造有机EL装置的沉积掩模被布置，和涉及用于生产这种组合的掩模的方法和设备。此外，本发明也涉及用于使用这种组合的掩模制造有机EL装置的方法和设备。
发明的背景与相关技术的描述
在有机EL装置中，当在阴极和阳极之间布置的有机层内从阴极提供的电子与从阳极提供的空穴被复合的时候，光被发射出。因为有机EL装置的简单的结构和能够以低电压发射出高强度的多色的光，有机EL装置通常被使用在薄的小型的显示器中。
为了使用有机EL装置制造全色的显示面板，包括红，绿和蓝(RGB)的发射层的薄膜层，第一电极层(例如，ITO)，第二电极层(例如，金属)等等，必须以具有预定间距的预定图案被有规则地形成。
在上述薄膜层中，为了以精确图案形成例如发射层的有机薄膜层，从有机薄膜层特征的观点看，通常应用掩模沉积方法。在掩模沉积方法中，沉积过程使用具有依照发射层的预定图案形成的缝隙的掩模，在真空中进行。
为了提高制造有机EL装置的生产率，多个有机EL装置被同时形成在单一的大的衬底上。这是因为用来形成发射层的掩模沉积以衬底到衬底以分批的方式被执行，并且现有的有机EL装置主要使用在小型设备中。
在其中多个有机EL装置被同时形成在单一的大的衬底上的情况下，具有多个缝隙阵列的沉积掩模必须被准备，其每个阵列相应于单一的有机EL装置。然而，在这种情况下，这种沉积掩模的尺寸被增加，并且在制造过程和沉积过程中这种沉积掩模被极大地变形。因此，缝隙阵列的高尺寸准确度不能被充分保持。因此，其中每一个具有相应于单一有机EL装置的缝隙阵列的多个沉积掩模被排列的组合掩模如在日本未审专利申请公开号2000-113978中所公开。
由于相应于三种颜色(RGB)的三个发射层被形成，准确地调整在三个发射t层之间的相对位置是重要的。虽然用于定位相对于衬底的单一沉积掩模的方法已经被建议(日本未审专利申请公开号11-158605)，但用于相对于衬底定位组合掩模的方法没有提供。此外，在组合掩模中，用于同时地形成多个有机EL装置提供的多个沉积掩模必须都被准确地定位。
因此，本发明的一个目的是提供用于实际上使用组合掩模的结构，其中多个沉积掩模被排列，每个掩模具有相应于有机EL装置的缝隙阵列。另外，本发明的另一个目的是提供以沉积掩模被准确地定位在组合掩模中的方式制造组合掩模的装置。此外，本发明的另一个目的是提供用于制造有机EL装置的方法和设备，通过它们，组合掩模和衬底能被准确地定位，多个有机EL装置通过沉积过程能被形成在单一衬底上，并且制造有机EL装置的生产率能被显著地提高。另外，本发明的另一个目的是提供一种高质量不昂贵的有机EL装置。
本发明的概要
根据本发明，组合掩模包括多个沉积掩模，每个沉积掩模具有根据沉积图案形成的沉积缝隙阵列；在具有多个开口的基板上沉积掩模被排列。沉积掩模通过接合单元以可脱离的方式被保持到基板上，并且用来在基板上定位沉积掩模的对准标记被形成在基板上。形成在基板上的每个开口的面积大于形成在每个沉积掩模中的沉积缝隙阵列的面积。更好地，当施加外力时，接合单元能够脱离沉积掩模。例如，每个接合单元可以由弹簧和传导弹力的部件构成。当没有施加外力时，沉积掩模通过弹力固定，当施加外力时，该部件移走施加到沉积掩模上的弹力。
此外，根据本发明，用于组合掩模的制造设备包括支承基板的台；沉积掩模保持和移动单元，其相对基板保持沉积掩模和自由地移动沉积掩模；定位系统，其检测基板和沉积掩模的对准标记或参考位置，并且使用沉积掩模保持和移动单元调整在基板和沉积掩模之间的相对位置；和分离单元，其通过在接合单元上施加外力来分离沉积掩模和基板。
此外，根据本发明，用于组合掩模的制造方法包括步骤，在台上支承基板，在基板上沉积掩模被放置；通过例如使用CCD摄像机的图象处理，检测基板和沉积掩模的对准标记或参考位置；通过相对基板保持和移动沉积掩模，调整在基板和沉积掩模之间的相对位置；和在调整相对位置的步骤后使用接合单元来把沉积掩模固定在基板上。
此外，根据本发明，有机EL装置制造方法包括步骤，使用组合掩模的对准标记定位本发明的组合掩模和衬底，从而在沉积室中进行沉积过程；使用组合掩模在沉积过程中形成薄膜层图案，从而形成有机EL装置。定位组合掩模和衬底的步骤可以在沉积室外部进行，并且在定位步骤后，组合掩模和衬底可以被转换到沉积室。因此，定位过程可以根据设备的布置或构造在适当位置被执行，并且定位过程被执行的位置不限于本发明，只要该定位过程被执行即可。此外，本发明的组合掩模最好用来形成R，G和B发射层。
此外，有机EL装置制造设备包括，定位设备，用于定位本发明的组合掩模和衬底，该衬底将使用组合掩模的对准标记进行沉积过程；和沉积设备，用于使用沉积掩模在沉积过程中图案化薄膜层。沉积设备包括布置在沉积室内的蒸发源，和具有相应于沉积掩模图案的图案的沉积层在这种沉积设备中被形成在衬底上。用于定位组合掩模和衬底的定位设备可以被布置在沉积室的内部或外部。在定位装置被布置在沉积室外部的情况下，有机EL装置制造设备可以包括用于在定位后把组合掩模和衬底传送到沉积室的装置。
在本发明的组合掩模中，其中每个具有沉积缝隙阵列的多个沉积掩模使用组合掩模和沉积掩模的参考标记被排列，并且通过接合单元以可分离的方式被保持到基板上。因此，多个沉积掩模能高精度地被布置在预定位置。
另外，在用于制造本发明的组合掩模的方法和设备中，基板的位置和沉积掩模的位置被检测，并且基板和沉积掩模之间的相对位置使用检测结果被调整。因此，具有高精度的组合掩模能够被加工。
另外，在制造本发明的有机EL装置的方法和设备中，定位组合掩模和衬底的步骤和形成例如发射层的薄膜层的步骤使用上述具有高精度的组合掩模被执行。因此，薄膜层能够形成具有高尺寸精度的预定图案，不考虑其上薄膜层被形成的衬底的尺寸。此外，由于多个有机EL装置能够以高精度被形成在单一的衬底上，高质量的有机EL装置能够高生产率地被制造。
附图的简要描述
图1是表示根据本发明的组合掩模的实施例的整体构造的透视图；
图2是图1中表示的组合掩模的分解透视图；
图3是表示根据本发明的组合掩模的另一实施例的整体构造的透视图；
图4是图3中表示的组合掩模的分解透视图；
图5是表示根据本发明的组合掩模制造设备的实施例的剖视图；
图6是表示根据本发明的组合掩模制造设备的另一实施例的剖视图；
图7是表示根据本发明的组合掩模制造设备的另一实施例的剖视图；
图8A和8B是表示使用根据本发明的组合掩模的沉积设备的实施例的剖视图；
图9A到9C是表示使用根据本发明的组合掩模的沉积设备的另一实施例的剖视图；
图10是表示ITO透明电极的图案的例子的透视图；和
图11是表示沉积掩模的例子的透视图；
最佳实施例的描述
本发明的最佳实施例将参考附图在下面描述
图1是表示根据本发明的组合掩模的实施例的整体构造的透视图，和图2是图1中表示的组合掩模的分解透视图。另外，图3是表示根据本发明的组合掩模的另一实施例的整体构造的透视图，而图4是图3中表示的组合掩模的分解透视图。
参考图1和2，组合掩模1通过利用接合单元40把4个沉积掩模20保持在基板2上被构成。
通过把具有缝隙阵列30的掩模板22保持在框架24上，每个沉积掩模20被形成，具有多个沉积缝隙32的缝隙阵列30根据沉积图案布置。框架24具有开口，其形状由虚线表示，所以直接在缝隙阵列30下面的空间是空的。此外，如图2所示，基板2设置有开口10，在此处沉积掩模20被放置，并且每个开口10的面积大于缝隙阵列30的面积。沉积缝隙32根据沉积图案形成例如矩形，圆形等的形状。开口10的面积最好比缝隙阵列30大5％到50％，并且更好的，大20％到100％。
每个沉积掩模20被定位在基板2上，使得沉积缝隙32通过使用形成在凸起部件4的上表面8上的对准标记6处于预定的位置。沉积缝隙32的位置可以被直接检测，并且沉积掩模20基于检测结果相对对准标记6可以被定位。可选择地，沉积掩模20的掩模板22可以被设置有对准标记26，并且对准标记26的位置相对对准标记6可以被调整。最好地，其上对准标记6被形成的凸起部件4的上表面8和沉积掩模20的掩模板22的上表面相对基板2处于相同的高度。在这种情况下，凸起部件4的上表面8与掩模板22的上表面具有相同的焦点位置，所以位置检测能够使用摄像机被容易地执行。
如图1和2所示，每个接合单元40包括限制销42，压缩弹簧44，和钩46。限制销42被插入形成在沉积掩模20中的孔28和形成在基板2的孔18中。压缩弹簧44被连接到在基板2较低一侧的限制销，并且钩46被固定在限制销42的末端使得限制销42不能被拔出。因此，沉积掩模20通过压缩弹簧44提供的预定力被压向基板2，并且被保持使得沉积掩模20不能由于摩擦而移动。假如钩46被向上压，压缩弹簧44被压缩，并且在限制销42的头部和沉积掩模20之间产生缝隙。因此，对沉积掩模20相对基板2施加的压力被移走，沉积掩模20能够被移动越过基板2。沉积掩模20被相对基板2定位，同时保持力被移走，然后施加到钩46的向上的压力被移走。因此，沉积掩模20通过接合单元40的弹性力被压向基板2而被保持。如上所述，接合单元40能够以可分离的方式固定沉积掩模20。
图3和4表示了组合掩模的另一个实施例，其中使用了不同类型的接合单元。参考图3和4，组合掩模100通过利用接合单元140把4个沉积掩模120保持在基板102上被形成。每个接合单元140包括压板142，压缩弹簧144，和支点146。压板142通过压缩弹簧144和支点146被固定在基板102的上表面上，并且通过压缩弹簧144提供的力通过支点146被对着设置在沉积掩模120的框架124上的接头128被按压。因此，沉积掩模120通过预定力被压向基板102，并且被保持使得沉积掩模120不能由于摩擦而移动。假如压板142在连接到压缩弹簧144的部分被向下压，压缩弹簧144被压缩并且在压板142和接头128之间产生缝隙。因此，相对基板102被施加到沉积掩模120上的压力被移走，并且沉积掩模120能够被移动越过基板102。沉积掩模120被相对基板102定位，同时保持力被移走，然后施加到压板142的向下的压力被移走。因此，沉积掩模120通过接合单元140的弹性力被压向基板102而被保持。如上所述，在本实施例中，接合单元140也能够以可分离的方式固定沉积掩模120。
组合掩模最好被这样设计，使得当沉积掩模通过接合单元被保持在基板上的时候，施加的力的主方向处于到基板的不大于±30°的角度。当用于保持沉积模板而施加的力的主方向处于大于±30°的角度时，存在着沉积掩模将被保持在偏离相对基板的预定位置的位置。为了防止这种情况，限制销，压板，和支点的硬度可以被增加，或者支点的间隙可以减少。
当上述组合掩模被用来制造有机EL装置的时候，因为蒸发源的热辐射，组合掩模周边的温度增加。因此，组合掩模的尺寸改变，结果，薄膜层图案的精度被改变。这种改变最好尽可能小。因此，构成组合掩模的基板，框架等最好由具有不大于10-5的热膨胀系数的材料形成，更好地不大于7×10-6和最好不大于4×10-6。例如，可以使用安珀合金，钼，钛，科瓦合金，玻璃，陶瓷等等。此外，由于相同的原因，在其上形成对准标记的凸起部件也最好由具有不大于10-5的热膨胀系数的材料形成，更好地不大于7×10-6和最好不大于4×10-6。凸起部件可以与基板整体形成，或者与基板分别形成和连接到基板上。当凸起部件与基板分别形成时，凸起部件和基板可以由不同的材料形成。
在形成在掩模板中的缝隙具有细长形状并且被布置成条形图案的情况下，存在着由于扭曲等造成缝隙容易变形的问题。为了解决这种问题，越过细长缝隙形成加强线，所以掩模板的强度增加并且能够防止缝隙的变形。掩模板的厚度适宜于为在缝隙之间的线宽度的三倍或更小，更好地，为在缝隙之间的线宽的两倍或更小。更具体地说，掩模板的厚度适宜于500μm或更小，更好地，为100μm或更小，和更好地，为50μm或更小。
掩模板能够通过电铸，蚀刻，机械抛光，喷砂，烧结，激光加工等被制造。被使用在本发明中具有准确的掩模图案的掩模板最好通过电铸制造。当通过上述方法被制造的掩模板被固定到框架上的时候，同时压力被施加，具有平面的沉积掩模能够获得。尽管用来把掩模板固定到框架上的方法是不受限制的，但使用粘合剂是方便的。
掩模板可以由金属形成，例如不锈钢，铜合金，镍合金，铁-镍合金，铝合金，或者各种树脂材料。然而，用来形成掩模板的材料不限于上面提到的材料。在其中掩模图案是精确的并且掩模板没有足够强度的情况下，在掩模板和有机EL装置的衬底之间的吸引力必须通过磁力增加。在这种情况下，掩模板最好由已知的磁性材料形成。
当沉积掩模布置在组合掩模上的时候，在沉积掩模之间的狭缝的尺寸最好减少。由于狭缝的尺寸和在沉积过程中其它没使用的区域被减少，用来形成预定数量的有机EL装置的衬底的尺寸能够减少。因此，衬底的成本能够减少。另外，沉积设备的尺寸能够减少，并且薄膜层的厚度能够被制造得更均衡。在沉积掩模之间的狭缝的尺寸最好为10mm或更小，更好地，为5mm或更小，甚至更好地，为3mm或更小。此外，由于在沉积过程中沉积材料朝向衬底一定的角度，存在着在衬底上材料不能被沉积的区域。这些区域也最好被制造得尽可能地小。由于这个原因，框架的开口和掩模板的缝隙被形成使得其剖视图是锥形的。
图5是表示本发明的组合掩模制造设备的实施例的剖视图。此外，图6是表示本发明的组合掩模制造设备的另一实施例的剖视图，和图7是表示本发明的组合掩模制造设备的另一实施例的剖视图。
图5表示了用于制造图1中表示的组合掩模1的组合掩模制造设备201。组合掩模1放置在配置在底座240上的X-Y台220的支承板230上。X-Y台220能够通过导杆224和导轨222在X方向(在图中的水平方向)，和通过导杆226和导轨228在Y方向(垂直于纸面的方向)移动支承板230。因此，放置在支承板230上的组合掩模1能够在水平面中自由移动。支承板230在基板2的周围区域支承组合掩模1，并且开口204形成在支承板230的中心部分。此外，支承板230在用来支持基板2的部分设置有多个吸孔，所以基板2能够通过空气吸力被保持。可选择地，基板2也可以通过使用销被保持。开口204形成在直接处于组合掩模1下的区域，并且包括推板234和气缸236的分离单元232布置在开口204的下面。当分离单元232的气缸236被驱动并且推板234被向上移动的时候，接合单元40的钩46被向上推动，并且限制销42离开组合掩模1的沉积掩模20。因此，应用到沉积掩模20的压力被移走，并且沉积掩模20能够在基板2的上面自由移动。
另外，保持单元250被从组合掩模1的直接上方的位置处的基板240延伸的框架242支持，该组合掩模放置在支承板230上。保持单元250包括卡盘垫252，其通过空气吸力保持沉积掩模20，转盘254，其旋转卡盘垫252，支承板256，其支持转盘254，和提升单元260，其在垂直方向移动支承板256。提升单元260被连接到框架242的预定位置。提升单元260通过驱动器(未示出)被移动，它在垂直方向自由地移动转盘254和卡盘垫252。转盘254在其中心区域设置有圆孔262，并且通过马达258在水平面内旋转。框架242在孔262的正上方位置处也设置有孔264，并且沉积掩模20等的对准标记6利用通过托架268连接到框架242上的摄像机266穿过孔262和264被观察。
通过组合掩模制造设备201制造组合掩模1的操作将在下面描述。
首先，沉积掩模20被布置在组合掩模1的基板2上的预定位置。然后，接合单元40被连接，并且沉积掩模20的位置被粗略地调整。然后，在上述准备后，组合掩模1被放置在组合掩模制造设备201中的X-Y台220的支承板230上，并且组合掩模1的基板2通过使用真空泵(未示出)利用空气吸力被保持。基板2可以使用螺钉等代替空气吸力被保持。接着，X-Y台220被移动使得形成在基板2上的一个对准标记6直接位于摄像机266之下。通过利用摄像机266单独地观察两个对准标记6，其二维坐标能够被确定并且该坐标系统的原点能够获得。然后，当沉积掩模20的一个对准标记26处的位置假设处于C表示的位置，X-Y台220被移动使得位置C位于摄像机266的正下方。因此，对准标记26分别由摄像机266观察。当沉积掩模20的对准标记26从希望位置离开时，即是，当对准标记26在摄像机266的中心点处(在摄像机窗口中显示的十字交叉点)没有观察到的时候，沉积掩模20的位置通过下面的过程被调整。首先，提升单元260被驱动并且卡盘垫252被向下移动直到它们接触沉积掩模20，并且沉积掩模20被卡盘垫252卡住。然后，分离单元232的气缸236被向上移动，使得推板234反抗压缩弹簧44的弹力向上推动接合单元40的钩46。因此，沉积掩模20脱离基板2。于是，转盘254和X-Y台220被移动，并且在沉积掩模20和基板2之间的相对位置被改变，使得对准标记26的位移被纠正。于是，在沉积掩模20的位置被改变后，分离单元232的气缸236被向下移动从而推板234离开钩46。因此，通过压缩弹簧44的弹力，沉积掩模20被保持在基板2上。于是，卡盘垫252释放沉积掩模20，并且提升单元260被向上移动。当卡盘垫252完全地脱离沉积掩模20的时候，X-Y台220被移动，使得位置C，即沉积掩模的一个对准标记26的位置假设位于摄像机266的正下方。因此，对准标记26的位置通过摄像机266被再次观察，并且用于调整沉积掩模20的位置的上述过程被重复直到对准标记26的位移被减少到可允许的范围。
当一个沉积掩模20的定位完成的时候，X-Y台220被移动，使得下一个沉积掩模20的一个对准标记26的位置被假设直接位于摄像机266的下面。于是，上述过程，即观察对准标记26的过程和调整沉积掩模20的位置的过程以相似的方式重复。
接着，参考图6，下面将描述本发明的组合掩模制造设备的另一个实施例。
参考图6，在组合掩模制造设备300中，组合掩模1被放置和保持在配置在底座360上的X-Y台302的支承板304上。X-Y台302能够通过导杆310和导轨312在X方向(在图中的水平方向)，和通过导杆306和导轨308在Y方向(垂直于纸面的方向)移动支承板304。因此，放置在支承板304上的组合掩模1能够在水平面中自由移动。此外，导轨312通过提升单元362被固定到底座360上，使得支承板304也能够在垂直方向自由地移动。支承板304在基板2的周围部分支承组合掩模1，并且开口314形成在支承板304的中心部分。此外，支承板304在用来支持基板2的部分设置有多个吸孔，所以基板2能够通过空气吸力被保持在支承板304上。开口314形成在直接处于组合掩模1下的区域，并且包括推板382和气缸384的分离单元380布置在开口314的下面的区域处的底座306上。当分离单元380的气缸384被驱动并且推板382被向上移动的时候，接合单元40的钩46被向上推动，并且限制销42离开组合掩模1的沉积掩模20。因此，应用到沉积掩模20的压力被移走，并且沉积掩模20能够在基板2的上面自由移动。
另外，用来保持和移动组合掩模1的沉积掩模20的保持单元330被布置在组合掩模1的正上方的位置处。保持单元330包括卡盘垫332，其通过空气吸力保持沉积掩模20，转盘334，其在水平面内旋转卡盘垫332，和上X-Y台336，其在X和Y方向移动卡盘垫332。转盘334被固定到上X-Y台336上，并且上X-Y台336通过导轨344被固定到框架350上。上X-Y台336通过连接到转盘334上的导杆338和导轨340在X方向，和通过连接到导轨340上的导杆342和导轨344在Y方向移动。
转盘334在其中心区域设置有圆孔316，并且通过马达346在水平面内旋转。框架350在孔316的正上方位置处也设置有孔352，并且沉积掩模20等的对准标记6利用通过调节器372A和372B连接到框架350上的摄像机370A和370B穿过孔316被观察。调节器372A和372B能够执行摄像机370A和370B的垂直和水平位置的精细调节。
通过组合掩模制造设备300制造组合掩模1的操作将在下面描述。
首先，沉积掩模20被布置在组合掩模1的基板2上的预定位置。然后，接合单元40被连接，并且沉积掩模20的位置被粗略地调整。然后，在上述准备后，组合掩模1被放置在组合掩模制造设备300中的X-Y台302的支承板304上，并且组合掩模1的基板2通过空气吸力被保持。接着，X-Y台302被移动使得形成在基板2上的对准标记6直接位于两个摄像机370A和370B之下。因此，基准位置D被确定。然后，摄像机370A和370B位置的细微调整使用调节器372A和372B被分别执行，使得两个对准标记6到达两个摄像机370A和370B的中心点，即摄像机窗口中显示的十字交叉点。
在两个摄像机370A和370B的位置调整之后，使用位置D作为基准，该X-Y台302被驱动并且组合掩模1被移动，所以一个沉积掩模20的对准标记26处的位置假设到达直接在摄像机370A和370B的下面。然后，沉积掩模20的对准标记26由两个摄像机370A和370B观察。当对准标记26离开两个摄像机370A和370B的中心点(在摄像机窗口中显示的十字交叉点)时，下面的过程被执行。首先，提升单元362被驱动并且X-Y台302被向上移动直到保持单元330的卡盘垫332接触沉积掩模20，并且沉积掩模20通过使用真空泵被卡盘垫332保持住。然后，分离单元380的气缸384被向上移动，使得推板382反抗压缩弹簧44的弹力向上推动接合单元40的钩46。因此，沉积掩模20脱离基板2。于是，转盘334和上X-Y台336被驱动，并且沉积掩模20在基板2上面在水平面内移动，所以对准标记26到达两个摄像机370A和370B的中心点(在摄像机窗口中显示的十字交叉点)。当对准标记26通过摄像机370A和370B在预定位置被观察的时候，分离单元380的气缸384被向下移动从而推板382离开钩46。因此，沉积掩模20被保持在基板2上。于是，卡盘垫332的空气吸力取消，提升单元362被驱动并且X-Y台302被向下移动，所以卡盘垫332脱离沉积掩模20。于是，用于对下一个沉积掩模20调整位置的上述过程被执行。
接着，参考图7，下面将描述本发明的组合掩模制造设备的另一个实施例。
图7表示了用于制造图3中显示的组合掩模100的组合掩模制造设备400，在组合掩模制造设备400中，组合掩模100被放置和保持在配置在底座460上的X-Y台402的支承板404上。X-Y台402能够通过导杆410和导轨412在X方向(在图中的水平方向)，和通过导杆406和导轨408在Y方向(垂直于纸面的方向)移动支承板404。因此，放置在支承板404上的组合掩模100能够在水平面中自由移动。此外，导轨412被固定到底座460上。基板102通过销414被保持在支承板404上。包括推板482和气缸484的分离单元480被固定到框架450上。当分离单元480的气缸484被驱动并且推板482被向下移动的时候，接合单元140的压板142在连接到压缩弹簧144的部分处被向下推动。因此，压缩弹簧144被压缩，并且在压板142和台128之间产生缝隙，所以沉积掩模120被释放，并且能够在基板2的上方自由地移动。
另外，用来保持和移动组合掩模100的沉积掩模120的保持单元430被布置在组合掩模100的正上方的位置处。保持单元430包括夹销432，其夹住沉积掩模120，转盘434，其在水平面内旋转夹销432，和上X-Y台436，其在X和Y方向移动夹销432。转盘434被固定到上X-Y台436上，并且上X-Y台436通过导轨444被固定到保持单元支架486上。上X-Y台436通过连接到转盘434上的导杆438和导轨440在X方向，和通过连接到导轨440上的导杆442和导轨444在Y方向移动。保持单元430通过保持单元支架486和气缸488被固定到框架450上。
转盘434在其中心区域设置有圆孔416，并且通过马达446在水平面内旋转。框架450在孔416的正上方位置处也设置有孔452，并且沉积掩模20等的对准标记6利用通过调节器472A和472B连接到框架450上的两个摄像机470A和470B穿过孔416和452被观察。调节器472A和472B能够执行摄像机470A和470B的垂直和水平位置的细微调节。
通过组合掩模制造设备400制造组合掩模100的操作将在下面描述。
首先，沉积掩模120被布置在组合掩模100的基板102上的预定位置。然后，接合单元140被连接，并且沉积掩模120的位置被粗略地调整。然后，在上述准备后，组合掩模100被固定在组合掩模制造设备400中的X-Y台402的支承板404上。通过把支承板404的销414插入形成在基板102的孔中和利用适当的装置相对支承板404按压基板102，组合掩模100可以被固定。接着，X-Y台402被移动使得形成在基板102上的对准标记106直接位于两个摄像机470A和470B之下。因此，基准位置E被确定。然后，摄像机470A和470B位置的细微调整使用调节器472A和472B被分别执行，使得两个对准标记106到达两个摄像机470A和470B的中心点，即摄像机窗口中显示的十字交叉点。
在两个摄像机470A和470B的位置调整之后，使用位置E作为基准，该X-Y台402被驱动并且组合掩模100被移动，所以一个沉积掩模120的对准标记126处的位置假设到达直接在摄像机470A和470B的下面。然后，沉积掩模120的对准标记126由两个摄像机470A和470B观察。然后，沉积掩模120的对准标记126由两个摄像机470A和470B观察。当对准标记126离开两个摄像机470A和470B的每个中心点(在摄像机窗口中显示的十字交叉点)时，下面的过程被执行。首先，保持单元430向下移动并且沉积掩模120被夹销432夹住和保持。然后，分离单元480被驱动并且推板482被向下移动使得推板482反抗压缩弹簧144的弹力向下推动接合单元140的压板142。因此，沉积掩模120脱离基板102。于是，转盘434和上X-Y台436被驱动，并且沉积掩模120在基板102上面移动，所以对准标记126到达两个摄像机470A和470B的中心点(在摄像机窗口中显示的十字交叉点)。当对准标记126通过摄像机470A和470B在预定位置被观察的时候，分离单元480的气缸484被向上移动从而推板482离开压板142。因此，沉积掩模120被保持在基板102上。于是，沉积掩模120脱离夹销432，并且保持单元430被向上移动使得夹销432脱离沉积掩模120。于是，用于对下一个沉积掩模120调整位置的上述过程被执行。
在上述用于定位沉积掩模的过程中，可允许的对准标记的位移，即，其中沉积掩模的定位认为完成的位移范围，被尽可能地设置为100μm或更小，更好地，20μm或更小，和甚至更好地，5μm或更小。此外，其中卡盘垫卡住沉积掩模的吸力和用来把基板保持在支承板上的吸力尽可能设置在0.1到50kPa的范围，更好地，5到20kPa。用来相对基板移动和定位沉积掩模的装置不限于上述卡盘垫或夹紧装置。可选择地，当确定的部件相对沉积掩模被按压时产生的摩擦力可以被使用，或可以应用利用空气吸力的夹紧机构。
图8A和8B是表示使用组合掩模的沉积设备的实施例的剖视图。图9A到9C是表示使用组合掩模的沉积设备的另一实施例的剖视图。
参考图8A和8B，在下面将描述使用组合掩模1的用于形成发射层等的沉积系统500。沉积系统500包括使用组合掩模1的沉积设备502。组合掩模1由布置在真空室532内的掩模支架512支承，该真空室532由外壁508覆盖，并且组合掩模1的基板2由固定部件518固定，所以基板2不能相对掩模支架512移动。真空室532被连接到真空吸引单元(未示出)，并且真空室532中的真空度被调整到沉积过程需要的值。玻璃衬底A被在真空室532中的衬底支架522在其底面被支承。另外，衬底支架522通过支架520和提升轴526被连接到马达528。提升轴526包括导杆和驱动器，和能够在垂直方向移动衬底支架522。另外，马达528能够旋转提升轴526和连接到其上的部件。因此，衬底A能够通过在真空室532内的提升轴526和马达528在垂直方向自由移动和在水平面内旋转。
掩模支架512被连接到固定在外壁508的上侧的X-Y导杆516。该X-Y导杆516通过驱动器(未示出)能够在X和Y方向自由移动，所以在掩模支架512上的组合掩模1能够在水平面内自由移动。组合掩模1的对准标记6和形成在衬底A中的对准标记，形成在沉积掩模20中的缝隙等，利用摄像机530通过形成在外壁508中的窥镜504被观察。根据观察结果，在组合掩模1和衬底A之间的位置关系在旋转方向通过X-Y导杆516在X和Y方向和通过马达528而被调节。当衬底A的对准标记被观察到时，提升轴526被向下移动并且衬底A被放置到组合掩模1上。因此，当衬底A被放置到组合掩模1上时执行观察。于是，在衬底A和组合掩模1之间的相对位置的调整之后，能够通过驱动器(未示出)相对支架520在垂直方向移动的按压部件524被向下移动。因此，按压部件524按压衬底A，并且在衬底A和组合掩模1之间的粘合力被增加。可选择地，在衬底A和组合掩模1之间的粘合力通过形成至少一部分磁材料的按压部件524也可以被增加，所以吸引力被施加到沉积掩模20，其是由磁性材料形成。
此外，蒸发源534被布置在真空室532中的组合掩模1的下面。当材料被插入蒸发源534并被加热到预定的温度，该材料蒸发。于是，仅仅穿过形成在组合掩模1中的沉积掩模20中的沉积缝隙32的一些材料粘附到衬底A上，所以具有预定图案的层形成在衬底A上。为了自由地开始/停止在衬底A上的沉积，一可移动的沉积遮挡板514被布置在蒸发源534的上侧。另外，当衬底A被送进和送出真空室532的时候，可移动的遮挡板536被打开，衬底A穿过形成在外壁508中的开口538通过传送设备600被传送。
传送设备600包括能够相对底座602旋转和垂直移动的基板604，和通过导杆606在基板604上面能够往复运动的滑板610。衬底A被放置在布置在滑板610上的垫608上，并且被传送到在可移动的范围内的任何位置。
沉积系统500的操作在下面将参考附图8A和8B被描述。
首先，组合掩模1被放置在真空室532中的掩模支架512上，并且被固定。然后，组合掩模1的对准标记6由摄像机530观察，并且其位置通过图象处理系统(未示出)被确定和存储。
然后，遮挡板536被打开，并且衬底A通过传送设备600被放置到衬底支架522上。在传送设备600的滑板610已经从真空室532中移出之后，遮挡板536被关闭，并且真空泵(未示出)被驱动使得真空室532中的真空度被调整到预定的值。然后，提升轴526向下移动并且衬底A被放置在组合掩模1上，并且衬底A的对准标记利用摄像机530穿过窥镜504被观察。然后，提升轴526向上移动直到衬底A离开组合掩模1，并且X-Y导杆516和马达528被移动使得组合掩模1的对准标记的位置和衬底A的对准标记的位置被处于相同位置。
在上述定位过程之后，组合掩模1的对准标记由摄像机530观察。然后，提升轴526被向下移动并且衬底A被放置在组合掩模1上，并且衬底A的对准标记由摄像机530观察。由于组合掩模1的对准标记6和衬底A的对准标记能够通过计算被校正，不必把它们放置在相同的位置上。当组合掩模1和衬底A的对准标记处于相同的位置，随后的计算过程等能够被省略。当组合掩模1和衬底A的对准标记不处于相同的位置，提升轴526被向上移动直到衬底A离开组合掩模1，调整该相对位置的过程按上述类似地被执行。于是，观察和调整组合掩模1和衬底A的对准标记的位置的过程被重复，直到组合掩模1的对准标记6与衬底A的对准标记被观察在相同的位置。然后，按压部件524被向下移动，并且按压部件524相对组合掩模1按压衬底A。压力最好在10到100N的范围内。
然后，蒸发源534被加热使得有机材料蒸发，并且沉积遮挡板514被打开所以有机材料根据掩模图案粘附到衬底A上。当具有预定厚度的有机层形成时，沉积遮挡板514关闭并且沉积过程停止。然后，真空室532中的压力增加到大气压。同时，按压部件524向上移动并且遮挡板536打开，在其上形成具有相应于掩模图案的图案的有机层的衬底A通过传送设备600被传送出，并且被传送到下一个过程被执行的地方。
由于用于把真空室532中的真空度调整到预定的数值需要相对长的时间，传送设备600可以被布置在真空室532内。在这种情况下，改变在大气压和真空之间的真空室532内部的压力的重复过程能够被省略并且效率能够被提高。
接着，参考图9A到9C，在下面将描述使用组合掩模1的沉积设备的另一个实施例。参考图9A到9C，沉积系统800包括定位设备700，传送设备600，和沉积设备802。定位设备700被用来在组合掩模1上定位衬底A，传送设备600用来传送衬底-掩模单元820，其中衬底A以衬底A和组合掩模1的对准标记处于相同位置的方式被布置在组合掩模1上。另外，沉积设备802接纳衬底-掩模单元820，并且执行沉积有机材料的过程。
沉积设备700包括支承组合掩模1的掩模支架702；在水平面(在X和Y方向)内自由地移动掩模支架702的X-Y台704；支承衬底A的衬底支架706；旋转马达714，衬底支架706通过支架718和提升轴712被连接到该旋转马达；支承旋转马达714的框架716；支承框架716和X-Y台704的底座708；和观察组合掩模1和衬底A的对准标记的摄像机710。提升轴712包括导杆和驱动器，和能够在垂直方向移动衬底支架706。另外，旋转马达714能够能够自由地旋转衬底支架706。
传送设备600具有与使用在上述沉积系统500中的传送设备完全相同的结构。沉积设备802包括支承在真空室816内部的衬底-掩模单元820的支架804；按压部件812，其能够在垂直方向移动并且相对组合掩模1以预定的力按压衬底A；有机材料的蒸发源806；和可移动的沉积遮挡板808，其阻止在蒸发源806被蒸发的材料到达衬底A。按压部件812被连接到固定在真空室816的外壁818上的气缸814上，并且通过气缸814在垂直方向移动。真空泵(未示出)被连接到真空室816，并且真空室816中的真空度能够被调节。衬底-掩模单元820穿过开口被传送进真空室816，该开口通常由可移动遮挡板810覆盖。
沉积系统800的操作在下面将参考附图9A到9C被描述。
首先，组合掩模1被放置在定位设备700中的掩模支架702上，并且组合掩模1的对准标记6由摄像机710观察。然后，衬底A被放置在衬底支架706上，并且衬底支架706被向下移动所以衬底A被放置在组合掩模1上。然后，衬底A的对准标记由摄像机710观察，并且衬底支架706向上移动。然后，X-Y台704和旋转马达714被控制使得组合掩模1的对准标记6的位置和衬底A的对准标记的位置相同。然后，组合掩模1和衬底A的对准标记6被再次观察，并且定位和观察对准标记的过程被重复直到组合掩模1的对准标记6和衬底A的对准标记被观察处于相同的位置。然后，其中衬底A被放置在组合掩模1上的衬底-掩模单元820被从衬底支架706传送到传送设备600的垫608上。然后，沉积设备802的遮挡板810被打开，并且衬底-掩模单元820被放置在支架804上，并且按压部件812被向下移动，所以衬底A被相对组合掩模1以预定的力按压。压力最好在10到300N的范围内。在传送设备600的滑板610已经从真空室816移出来之后，遮挡板810关闭，并且真空泵(未示出)被驱动使得真空室816中的真空度被调节到预定的值。然后，蒸发源806被加热使得有机材料蒸发，并且沉积遮挡板808被打开使得有机材料根据掩模图案粘附到衬底A上。
当沉积完成时，沉积遮挡板808关闭，并且真空室816中的压力增加到大气压。然后，遮挡板810打开，在其上形成有机层的衬底-掩模单元820通过传送设备600被传送出，并且被传送到下一个过程被执行的地方。
定位设备700和传送设备600也可以被布置在真空室816内。在这种情况下，衬底A和组合掩模1在真空室内被定位和传送。因此，改变在大气压和真空之间的真空室816内部的压力的重复过程能够被省略并且生产率能够被显著地提高。
在其中n个有机EL装置(n是等于或大于2的整数)通过应用本发明被形成在单一的衬底上的情况下，使用了其中n个沉积掩模被保持在基板上的组合掩模。然而，当n为大数的时候，需要更多的时间和劳动来调节所有n个沉积掩模的位置，并且在沉积过程中不能被使用的区域，例如，用来保持沉积掩模的框架，在沉积掩模之间的狭缝等，被增加。在这种情况下，其中m满足n＝m×k(k是在2到n的范围中的整数)的m个沉积掩模(m是在2到n的范围中的整数)最好被布置在组合掩模中。
例如，在其中16个有机EL装置被形成在单一衬底的情况下(n＝16)，具有4个沉积掩模(m＝4)的组合掩模可以被使用。当每个沉积掩模具有相应于4个有机EL装置(k＝4)的4个缝隙阵列的时候，n＝m×k被满足。在这种情况下，与其中16个沉积掩模被布置在单一组合掩模(n＝16，m＝16，k＝1)中的情况相比较，被执行的定位过程的次数被减少到4。因此，在不降低其精度的情况下，为了有效地制造有机EL装置，重要的是使沉积掩模的尺寸在一定限度内尽可能的大，使得能够获得满意的尺寸精度。相对上述情况，依照在尺寸精度和效率之间的平衡，n＝16，m＝2，和k＝8的组合，或者n＝16，m＝8，和k＝2的组合也可以被应用。根据本发明，n，m，和k的组合可以被自由地确定。
在其中大量的小尺寸有机EL装置被形成在相对大的衬底上的情况下，上述n＝m×k的关系是特别有效率的。有机EL装置的发光区域的尺寸尽可能地为80mm×60mm或者更小，更好地，为40mm×30mm或者更小。另外，形成在单一衬底上的有机EL装置的数量尽可能地为6个或者更多，更好地，为16个或者更多，32个或者更多，或者64个或者更多。
本发明现在将通过例子被描述。然而，应该注意到，在附加权利要求中定义的本发明不限于下面的例子。
例子
例子1
例1将在下面参考图1，2和5描述。由镍合金形成的板(84mm宽，105mm长，和25μm厚)被准备作为形成发射层的掩模板22。另外，272个矩形缝隙(100μm宽和64mm长)被布置成具有300μm间距的沉积缝隙32。该矩形缝隙被布置使得其纵向方向(在该方向尺寸是64mm)沿着板的宽度方向(在该方向尺寸是84mm)。为了防止缝隙变形，在平行于具有300μm间距的缝隙的宽度方向上，形成20μm宽的加强线。在板的宽度方向具有30mm之间的距离的对称位置处，两个十字形的对准标记26形成在板上在离开板的左端线5mm处，。总共16个板被相似地制造为掩模板。
使用环氧树脂，如上述被制造的每个掩模板被固定到由不锈钢形成的框架24(104mm宽和105mm长)上的在附件部分(84mm宽和105mm长)。因此，总共16个沉积掩模20被制造。在框架中，附件部分的厚度是10mm，开口(76mm宽和97mm长)被形成在其中心区域，在其外围部分留有4mm的余量。另外，框架在宽度方向在从两侧10mm的部分的厚度是5mm，并且具有5mm的直径的两个固定孔形成在每一侧。因此，总共形成4个固定孔。
其中形成开口10(76mm宽和97mm长)的铝板(441mm宽，457mm长，和5mm厚)被准备作为基板2。从具有109mm间距的顶部19mm的位置处开始，开口10在宽度方向被排列成4行，和从具有110mm间距的左端的20mm的位置开始，在纵向方向排列成4行。因此，总共16个(4排×4列)开口被形成在基板上。然后，上述16个沉积掩模以在沉积掩模中的开口利用在基板中的开口被对准的方式被布置在基板上。然后，沉积掩模使用对每个沉积掩模的4个接合单元40被保持到基板上。因此，其中沉积掩模的位置被粗略调节的组合掩模被制造。在纵向方向从左端在10mm内的一部分组合掩模的厚度是15mm。在组合掩模的这个部分，两个孔(直径1mm，深度5mm)形成为对准标记6，其在离开左端线性5mm处，在宽度方向具有30mm之间的距离的对称位置处。其上形成对准标记的表面和沉积掩模的上表面相对基板处于相同的高度。接合单元40是由不锈钢形成的。限制销42的头部的直径是8mm，而穿过形成在基板上的孔的限制销42的轴部分的直径是4mm。另外，压缩弹簧44的弹簧常数是10N/mm，并且每个沉积掩模相对基板以100N受压。
接着，组合掩模1被放置在组合掩模制造设备201的支承板230上，并且放置在基板上的16个沉积掩模的位置被调节直到对准标记的位移被减少到5μm或更小。在组合掩模制造设备201中，X-Y台220能够以1μm的步长在水平面内移动，而转台254能够以0.001度的步长旋转。卡盘垫252与沉积掩模具有相同的外侧形状，并且卡盘垫252的表面被涂有聚四氟乙烯。另外，在卡盘垫252的表面上形成多个孔，并且卡盘垫252能够施加1到50kPa的吸力。支承板230的尺寸是500mm×500mm，并且开口204(400mm宽和415mm长)形成在其中。另外，具有2mm直径的用于空气吸力的孔形成在具有20mm间距的支承板230中，并且支承板230能够对基板施加1到50kPa的吸力。具有1μm的分辨率的CCD摄像机被用作摄像机266，用于获得位移和校正值的计算由图象处理单元执行。分离单元232的气缸236利用压力为0.5Mpa的压缩空气被提供，并且在调节沉积掩模的位置的过程中，接合单元被分离。在完成的组合掩模中，16个沉积掩模的位移在5μm内。因此，具有希望精度的组合掩模被获得。
例2
在例1中获得的组合掩模被连接到用来形成绿发射层的沉积设备中的掩模支架中，作为用来形成绿发射层的组合掩模。然后，另一个组合掩模相似于例1被制造，除了形成在掩模板中的缝隙(100μm宽和64mm长)的位置偏移100μm(相应于ITO电极的一个间距的长度)，并且被用作用来形成红发射层的组合掩模。此外，另一个组合掩模相似于例1被制造，除了形成在掩模板中的缝隙(100μm宽和64mm长)的位置偏移200μm(相应于ITO电极的两个间距的长度)，并且被用作用来形成蓝发射层的组合掩模。
接着，130nm厚的ITO透明电极层通过溅射形成在无碱玻璃衬底(1.1mm厚，436mm宽，和457mm长)的表面上。如图10所示，该ITO透明电极层形成在包括相应于16个有机EL装置的16个线阵列的图案中。该线阵列在衬底的宽度方向被安排有109mm的间距，在衬底的纵向方向被安排有110mm的间距。如图10所示，包括其中816线(90mm长和80μm宽)在玻璃衬底902的宽度方向延伸的条形图案904的每个线阵列906，被排列在具有100μm间距的玻璃衬底902的纵向方向上。
然后，3μm厚的正性光致抗蚀剂层(由Tokyo ohka kogyo有限公司制造的OFPR-80)通过旋涂被形成在衬底A的整个表面上。然后，衬底被干燥，使用光掩模曝光，并且光致抗蚀剂的显影被执行，所以预定的图案被形成。然后，固化过程在180℃被执行。因此，16个间隔单元被形成在16个有机EL装置的16个有效发光区域(包括ITO电极和R，G，和B发射层的区域)。在每个间隔单元中，具有在衬底的纵向方向(垂直于ITO电极的方向)的65μm和在衬底的宽度方向的235μm的尺寸的空洞(此空间处间隔装置没有形成)被形成。在每个间隔单元中，空洞被布置成在具有100μm间距的衬底的纵向方向的816行，所以ITO电极被曝光，包括200个空洞的每一行在衬底的宽度方向对准，即，在具有300μm间距的ITO电极的纵向方向。
接着，15nm厚的铜酞菁层和60nm厚的二(N-乙基咔唑(N-ethylcarbazole))层通过沉积被形成在16个有机EL装置的有效发光区域上。因此，空穴-传送层被形成。在沉积过程中真空度是2×10-4Pa或更小，并且在沉积过程中衬底相对蒸发源被旋转。
然后，为了形成发射层，组合掩模1被布置在图8中显示的沉积设备502中，并且对准标记由摄像机530观察。然后，其上形成空穴-传送层的玻璃衬底A通过传送设备600被放置在衬底支架522上，并且真空泵被驱动使得真空室532中的真空度被设置为1×10-4Pa。然后，衬底支架522被向下移动并且在衬底支架522上的玻璃衬底A被放置在组合掩模1上。这个玻璃衬底A设置有两个对准标记，该两个对准标记在纵向方向上在离开末端5mm的直线上，在宽度方向具有30mm之间的距离的对称位置处。对准标记由圆形(1mm的直径)的ITO透明电极形成。在玻璃衬底A和组合掩模1之间的相对位置被调节，使得玻璃衬底A的对准标记和组合掩模1的基板2的对准标记处于相同的位置。在定位过程后，玻璃衬底A通过按压部件524以20N相对组合掩模1被按压。然后，蒸发源534被加热，掺有0.3wt％的1，3，5，7，8-五甲基-4(1，3，5，7，8-pentamethyl-4)，4-二氟-4-bora-3a(4-difloro-4-bora-3a)，4a-二氮杂-s-indacene(PM546)(4a-diaza-s-indacene)的8-羟基喹啉-铝混合物(Alq3)(8-hydroxyquinoline-aluminum complex)被作为用来形成绿发射层的材料被沉积，形成相应于组合掩模1的掩模图案的图案。
然后，其上形成绿发射层的衬底A被取出并且被传送到另一个沉积设备中，在其中用于形成红发射层的组合掩模被布置。然后，与上述其中绿发射层被形成的情况相似，在衬底A和组合掩模之间的相对位置被调节。然后，掺有1wt％的4-(二氰亚甲基)-2-甲基-6(julolidinyl-9-乙烯基)吡喃(DCJT)(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6(julolidinyl-9-ethenyl)pyran(DCJT))在1×10-4Pa的真空条件下被沉积在衬底A上，所以15nm厚的红发射层被形成。然后，衬底A被传送到另一个沉积设备中，其中用于形成蓝发射层的组合掩模被布置。然后，在衬底A和组合掩模之间的相对位置被相似地调节，并且4，4’-二度(2，2’苯基苯乙烯基)苯基苯(DPVBi)(4，4’-bis(2，2’diphenylvinyl)diphenyl(DPVBi))在1×10-4Pa的真空条件下被沉积在衬底A上，所以20nm厚的蓝发射层被形成。
R，G和B发射层被形成在布置在条形图案的ITO电极上，所以ITO电极的暴露部分被完全地覆盖。
接着，在16个有机EL装置的有效发光区域上，DPVBi被沉积45nm而Alq3被沉积10nm。因此，电子传输层被形成。此外，锂根据层厚度被沉积0.5nm，并被掺到电子传输层中。然后，240nm厚的铝层在衬底上形成包括16个线性阵列的图案，该16个线性阵列在衬底的宽度方向排列有109mm间距，而在衬底的纵向方向排列有110间距，所以，在间隔单元中的上述空洞被覆盖。包括其中200个铝线(100mm长和250μm宽)在衬底的纵向方向(垂直于ITO衬底的方向)延伸的条形图案的每个线性阵列被排列在衬底的宽度方向，具有300μm的间距。在沉积过程中真空度为3×10-4Pa或更小。然后，一氧化硅酮(siliconemonoxide)通过电子束沉积被沉积200nm作为保护层。
因此获得的包括16个EL装置的衬底被切割使得16个EL装置被分离。在每个EL装置中，形成包括由布置在条形图案中的816个ITO电极形成的第一电极层的薄膜层，形成在第一电极层上的R，G，和B发射层，垂直于条形图案中的ITO电极排列的200个金属电极形成的金属电极层。在ITO电极和金属电极的交叉点，仅仅由间隔单元围绕的空洞处的区域形成发射光。另外，一个像素由相应于三种颜色(R，G，和B)的三种发光子-像素形成。因此，具有300μm间距的272×200像素的无源矩阵彩色有机EL装置被制造。
所有这样制造的16个有机EL装置具有适于用作显示器的发光特性。另外，由于发射层使用包括多个单独的沉积掩模的组合掩模被沉积，具有相同的尺寸精度和相同的特性的EL装置被获得。在所有16个有机EL装置中，在R，G，和B发射层之间的位移在15μm内。为了比较的目的，16个有机EL装置使用沉积掩模被制造，在沉积掩模中相应于16个有机EL装置的沉积图案被形成在单一的板上。在这种情况下，在R，G，和B发射层之间的位移是最大为100μm，并且仅仅两个有机EL装置能够实际上用作显示器。
例3
如图3所示，由镍合金形成的板(82mm宽，103mm长，和30μm厚)被准备作为形成发射层的掩模板122。另外，256个矩形缝隙(100μm宽和62mm长)被布置成具有300μm间距的沉积缝隙132。该矩形缝隙被布置使得其纵向方向(在该方向尺寸是62mm)沿着板的宽度方向(在该方向尺寸是82mm)。为了防止缝隙变形，在平行于具有300μm间距的缝隙的宽度方向上，形成20μm宽的加强线。两个十字形的对准标记126形成在板的纵向方向的中心线上，在板的宽度方向具有68mm之间的距离的对称位置处。相似地，总共16个掩模板被制造。
使用环氧树脂，上述每个掩模板被固定到由科瓦合金(Kovar alloy)形成的框架124(82mm宽和103mm长)上。因此，总共16个沉积掩模120被制造。在框架中，掩模板被固定处的部分的厚度是6mm，两-阶开口(较低部分是70mm宽和97mm长，而较高部分是63mm宽和90mm长)被形成在其中心区域。另外，具有2.5mm厚度的两个接头128被形成，在框架的斜对角的每一侧有一个。
接着，如图4所示，其中形成开口110(70mm宽和97mm长)的由科瓦合金形成的板(420mm宽，456mm长，和12mm厚)被准备作为基板102。从具有100mm间距的顶部19mm的位置处开始，开口110在宽度方向被排列成4行，和从具有111mm间距的左端的10mm的位置开始，在纵向方向排列成4行。因此，总共16个(4×4，4排×4列)开口被形成在基板上。然后，上述16个沉积掩模以在沉积掩模中的开口与基板中的开口对准的方式被布置在基板上。然后，沉积掩模使用对每个沉积掩模的2个接合单元140被保持到基板上，每个接合单元140包括压板142，压缩弹簧144，和支点146。因此，其中沉积掩模的位置被粗略调节的组合掩模被制造。在组合掩模中，以玻璃板的纵向方向沿着基板的宽度方向的方式，玻璃板(4mm宽，400mm长，和6mm厚)被保持在基板上的中心区域。该玻璃板设置有两种类型的由铬形成的十字形对准标记：一种类型是形成为交叉的两条线(20μm宽和100μm长)，并且用来定位沉积掩模，而另一种类型是形成为交叉的两条线(60μm宽和180μm长)，并且用来定位衬底。第一种类型的对准标记形成在其宽度方向的离开玻璃板的左端2mm的直线上，在宽度方向具有68mm距离的对称位置处。第二种类型的对准标记形成在其宽度方向的离开玻璃板的左端2mm的直线上，在宽度方向具有380mm距离的对称位置处。其上形成对准标记的表面和沉积掩模的上表面相对基板处于相同的高度。接合单元140是由不锈钢形成的，并且压板142的厚度是3mm。
接着，如图7所示，组合掩模100被放置在组合掩模制造设备400的支承板404上，并且放置在基板上的16个沉积掩模的位置被调节直到对准标记的位移被减少到5μm或更小。在组合掩模制造设备400中，X-Y台402能够以1μm的步长在水平面内移动，而转台434能够以0.001度的步长旋转。支承板404的尺寸是500mm×500mm，并且基板使用销414被保持。具有1μm的分辨率的CCD摄像机被用作摄像机470A和470B，用于获得位移和校正值的计算由图象处理单元执行。在这个例子中，沉积掩模的位置被调节，同时沉积掩模从两侧通过夹销432被夹住。在完成的组合掩模中，16个沉积掩模的位移在5μm范围内。
例4
在例3中获得的组合掩模被连接到用来形成绿发射层的沉积设备中的掩模支架中，作为用来形成绿发射层的组合掩模。然后，另一个组合掩模相似于例3被制造，除了形成在掩模板中的缝隙(100μm宽和62mm长)的位置偏移100μm(相应于ITO电极的一个间距的长度)，并且被用作用来形成红发射层的组合掩模。此外，另一个组合掩模相似于例3被制造，除了形成在掩模板中的缝隙(100μm宽和62mm长)的位置偏移200μm(相应于ITO电极的两个间距的长度)，并且被用作用来形成蓝发射层的组合掩模。
接着，130nm厚的ITO透明电极层通过溅射形成在无碱玻璃衬底(1.1mm厚，400mm宽，和444mm长)的表面上。如图10所示，该ITO透明电极层形成在包括相应于16个有机EL装置的16个线阵列的图案中。该线阵列在衬底的宽度方向被安排有100mm的间距，在衬底的纵向方向被安排有111mm的间距。如图10所示，包括其中768线(90mm长和80μm宽)在玻璃衬底902的宽度方向延伸的条形图案904的每个线阵列906，被排列在玻璃衬底902的纵向方向上，其具有100μm间距。
然后，其浓度被控制的正性光敏聚酰亚胺母体(photosensitive polyimideprecursor)(由Toray Industries有限公司制造的PW-100O)，通过旋涂被形成在衬底A的整个表面上。然后，衬底被干燥，使用光掩模曝光，并且聚酰亚胺母体(polyimide precursor)的显影被执行，所以预定的图案被形成。然后，固化过程在320℃被执行。因此，16个间隔单元被形成在16个有机EL装置的16个有效发光区域(包括ITO电极和R，G，和B发射层的区域)。在每个间隔单元中，具有在衬底的纵向方向(垂直于ITO电极的方向)的70μm和在衬底的宽度方向的235μm的尺寸的空洞(此空间处间隔装置没有形成)被形成。在每个间隔单元中，空洞被布置成在衬底的纵向方向的768行，其具有100μm间距，所以ITO电极被曝光，包括200个空洞的每一行在衬底的宽度方向对准，即，在具有300μm间距的ITO电极的纵向方向。
接着，空穴-传送层以与例2相似的方式被形成。
然后，为了形成发射层，组合掩模100被布置在图8中显示的沉积设备502中，并且对准标记由摄像机530观察。然后，其上形成空穴-传送层的玻璃衬底A通过传送设备600被放置在衬底支架522上，并且真空泵被驱动使得真空室532中的真空度被设置为1×10-4Pa。然后，衬底支架522被向下移动并且在衬底支架522上的玻璃衬底A被放置在组合掩模100上。这个玻璃衬底A设置有两个对准标记，该两个对准标记在纵向方向的中心直线上，在宽度方向具有380mm之间的距离的对称位置处。对准标记由圆形(300μm的直径)的ITO透明电极形成。在玻璃衬底A和组合掩模100之间的相对位置被调节，使得玻璃衬底A的对准标记和组合掩模100的基板2的对准标记处于相同的位置。在定位过程后，玻璃衬底A通过按压部件524以20N相对组合掩模100被按压。然后，RGB发射层相似于例2被形成。然后，电子-传送层，锂，金属层，和保护层相似于例2被形成。
因此获得的包括16个EL装置的衬底被切割使得16个EL装置被分离。在每个EL装置中，形成包括由布置在条形图案中的768个ITO电极形成的第一电极层的薄膜层，形成在第一电极层上的R，G，和B发射层，垂直于条形图案中的ITO电极排列的200个金属电极形成的金属电极层。在ITO电极和金属电极的交叉点，仅仅由间隔单元围绕的空洞处的区域形成发射光。另外，一个像素由相应于三种颜色(R，G，和B)的三种发光子-像素形成。因此，具有300μm间距的256×200像素的简单矩阵彩色有机EL装置被制造。
所有这样制造的16个有机EL装置具有适于用作显示器的发光特性。另外，由于发射层使用包括多个单独的沉积掩模的组合掩模被沉积，具有相同的尺寸精度和相同的特性的EL装置被获得。在所有16个有机EL装置中，在R，G，和B发射层之间的位移在10μm内。
例5
如图11所示，由镍合金形成的板(182mm宽，214mm长，和30μm厚)被准备作为沉积掩模170的掩模板172。另外，每个包括相似于在例3中描述的缝隙阵列130和对准标记126的4个缝隙阵列/对准标记单元180被形成在掩模板172中的2×2矩阵。相似地，总共4个掩模板被制造。
使用环氧树脂，上述每个掩模板被固定到由科瓦合金(Kovar alloy)形成的框架124(182mm宽和214mm长)上。因此，总共4个沉积掩模被制造。在每个框架中，掩模板被固定处的部分的厚度是6mm，两-阶开口(较低部分是170mm宽和208mm长，而较高部分是163mm宽和201mm长)被形成在其中心区域。另外，如图11所示，具有2.5mm厚度的4个接头178被形成，在框架的每一侧有2个。
接着，如图4所示，其中4个开口110(170mm宽和208mm长)被形成2×2图案的由科瓦合金形成的板(420mm宽，456mm长，和12mm厚)被准备作为基板102。然后，上述4个沉积掩模以在沉积掩模中的开口与基板中的开口对准的方式被布置在基板上。然后，沉积掩模使用对每个沉积掩模的2个接合单元140被保持到基板上，每个接合单元140包括压板142，压缩弹簧144，和支点146。因此，其中沉积掩模的位置被粗略调节的组合掩模被制造。相似于例3的玻璃板被连接到基板上。
接着，相似于例3，组合掩模被放置在组合掩模制造设备400的支承板404上，并且放置在基板上的4个沉积掩模的位置被调节直到对准标记的位移被减少到5μm或更小。在完成的组合掩模中，4个沉积掩模的位移在5μm范围内。
例6
相似于例4，具有300μm间距的256×200像素的无源矩阵彩色有机EL装置使用在例5中获得的组合掩模被制造。
所有这样制造的16个有机EL装置具有适于用作显示器的发光特性。另外，由于发射层使用包括多个单独的沉积掩模的组合掩模被沉积，具有相同的尺寸精度和相同的特性的EL装置被获得。在所有16个有机EL装置中，在R，G，和B发射层之间的位移在15μm内。
在上述例4中，为了在单一的衬底上形成16个有机EL装置(n＝16)，具有每个具有单一缝隙阵列(k＝1)的16个沉积掩模(m＝16)的组合掩模被使用。因此，沉积掩模的定位过程被执行16次。相反，在例6中，为了在单一的衬底上形成16个有机EL装置(n＝16)，具有每个具有4个缝隙阵列(k＝4)的4个沉积掩模(m＝4)的组合掩模被使用。因此，沉积掩模的定位过程仅被执行4次。因此，在没有降低其尺寸精度的情况下，沉积掩模的尺寸被增加，并且制造有机EL装置的效率被增加，同时精度的降低被抑制。
在上述例子中，三个组合掩模被用来形成R，G，和B发射层。然而，通过在组合掩模和衬底之间偏移相应于ITO电极的一个间距的量的相对位置，单独的组合掩模也可以被用来形成所有的R，G，和B发射层。另外，虽然掩模沉积方法也被用在形成金属电极的过程中，金属电极也可以在没有使用沉积掩模的情况下被形成。在这种情况下，壁(阴极分离器)可以被预先形成在衬底上，并且金属电极可以通过使用壁的静区(shadows)被形成。另外，在沉积过程后，衬底也可以通过已知的技术被密封。
虽然在上述例子中无源矩阵彩色有机EL装置被制造，通过省略在精确图案中形成发射层的过程，单色的有机EL装置也可以被制造。另外，通过使用包括例如薄膜晶体管(TFTs)的开关装置的衬底，有源矩阵彩色有机EL装置也可以被制造。

Claims (10)

1.一种组合掩模，包括：
多个沉积掩模，每个具有沉积缝隙阵列的沉积掩模相应于沉积图案形成；和
在具有多个开口的基板上沉积掩模被排列，
其中沉积掩模通过接合单元以可脱离的方式被保持到基板上，和
其中用来在基板上定位沉积掩模的对准标记被形成在基板上。
2.根据权利要求1的组合掩模，其中当施加外力时，接合单元脱离沉积掩模。
3.用于根据权利要求1的组合掩模的制造设备，包括：
支承基板的台；
沉积掩模保持和移动单元，其相对基板保持沉积掩模和自由地移动沉积掩模；
定位系统，其检测基板和沉积掩模的对准标记或参考位置，并且使用沉积掩模保持和移动单元调整在基板和沉积掩模之间的相对位置；和
分离单元，其分离沉积掩模和基板。
4.用于根据权利要求1的组合掩模的制造方法，包括步骤：
在台上支承基板，在基板上沉积掩模被放置；
检测基板和沉积掩模的对准标记或参考位置；和
通过相对基板保持和移动沉积掩模，调整在基板和沉积掩模之间的相对位置；和
在调整相对位置的步骤后使用接合单元来把沉积掩模保持在基板上。
5.一种有机EL装置制造方法，包括步骤：
使用组合掩模的对准标记定位根据权利要求1的组合掩模和衬底，其将被在沉积室中进行沉积过程；和
使用组合掩模在沉积过程中形成薄膜层图案，从而在单一衬底上形成n个有机EL装置，其中n是等于或者大于2的整数。
6.根据权利要求5的有机EL装置制造方法，其中组合掩模通过将m个沉积掩模保持在基板上被设置，其中m是在2到n范围内的整数。
7.根据权利要求6的有机EL装置制造方法，其中m和k满足n＝m×k(k是在2到n范围内的整数)。
8.根据权利要求5的有机EL装置制造方法，其中薄膜层是发射层或金属电极层。
9.一种有机EL装置，通过根据权利要求5的有机EL装置制造方法制造。
10.一种有机EL装置制造设备，包括：
定位设备，用于定位根据权利要求1的组合掩模和衬底，该衬底将使用组合掩模的对准标记进行沉积过程；和
沉积设备，用于使用沉积掩模在沉积过程中图案化薄膜层。
CNB021056382A 2001-01-31 2002-01-31 组合掩模及制造设备和方法，有机el装置制造设备和方法 Expired - Fee Related CN1311570C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001023474 2001-01-31
JP23475/01 2001-01-31
JP23474/01 2001-01-31
JP2001023475 2001-01-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1378408A true CN1378408A (zh) 2002-11-06
CN1311570C CN1311570C (zh) 2007-04-18

Family

ID=26608624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021056382A Expired - Fee Related CN1311570C (zh) 2001-01-31 2002-01-31 组合掩模及制造设备和方法，有机el装置制造设备和方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7396558B2 (zh)
EP (1) EP1229144A3 (zh)
KR (1) KR100853146B1 (zh)
CN (1) CN1311570C (zh)
TW (1) TW550966B (zh)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100428527C (zh) * 2001-09-25 2008-10-22 精工爱普生株式会社 掩模及其制法、场致发光装置及其制法以及电子机器
CN100447946C (zh) * 2005-07-20 2008-12-31 精工爱普生株式会社 掩模及其制造方法、掩模芯片及其制造方法以及电子设备
CN101603167A (zh) * 2008-06-13 2009-12-16 阿德文泰克全球有限公司 掩模尺寸调整定位系统和方法
CN101027424B (zh) * 2004-08-25 2010-06-09 阿德文泰克全球有限公司 使用小面积荫罩板制造大面积底板的系统和方法
CN1916228B (zh) * 2005-07-20 2010-06-09 精工爱普生株式会社 掩模及其制法、成膜方法及电光学装置的制法
CN102212785A (zh) * 2011-03-22 2011-10-12 友达光电股份有限公司 蒸镀设备
CN102251212A (zh) * 2011-06-13 2011-11-23 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 高功率半导体激光器阵列掩膜装置
CN102651457A (zh) * 2011-04-28 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 基板的固定装置及基于该装置的固定方法
CN103668049A (zh) * 2012-09-07 2014-03-26 昆山允升吉光电科技有限公司 一种大尺寸oled蒸镀用掩模板组件
CN104152845A (zh) * 2013-05-13 2014-11-19 三星显示有限公司 掩模组件及使用掩模组件的薄膜沉积方法
CN105296923A (zh) * 2012-01-12 2016-02-03 大日本印刷株式会社 拼版蒸镀掩模
CN107022737A (zh) * 2016-02-02 2017-08-08 阿德文泰克全球有限公司 平坦化共用载体框架上的多个阴影掩模的设备和方法
CN108411249A (zh) * 2018-03-28 2018-08-17 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 一种基片样品架、掩模板及基片更换方法及蒸镀设备
CN110249071A (zh) * 2017-02-10 2019-09-17 株式会社日本显示器 蒸镀掩模固定装置
CN110534508A (zh) * 2019-02-01 2019-12-03 友达光电股份有限公司 发光模块与显示模块
CN110777327A (zh) * 2018-07-25 2020-02-11 株式会社日本显示器 掩模装置的制造装置
CN112030103A (zh) * 2017-08-09 2020-12-04 株式会社饭沼Gauge制作所 掩膜装置以及掩膜制造方法

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100848972B1 (ko) * 2001-08-24 2008-07-30 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 진공증착용 다면부착 마스크장치
US6589382B2 (en) * 2001-11-26 2003-07-08 Eastman Kodak Company Aligning mask segments to provide a stitched mask for producing OLED devices
KR100490534B1 (ko) * 2001-12-05 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
US6897164B2 (en) * 2002-02-14 2005-05-24 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication
US6729927B2 (en) * 2002-08-01 2004-05-04 Eastman Kodak Company Method and apparatus for making a shadow mask array
KR100868854B1 (ko) * 2002-08-29 2008-11-14 오리온오엘이디 주식회사 마스크 지지판
JP4072422B2 (ja) * 2002-11-22 2008-04-09 三星エスディアイ株式会社 蒸着用マスク構造体とその製造方法、及びこれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法
JP4173722B2 (ja) * 2002-11-29 2008-10-29 三星エスディアイ株式会社 蒸着マスク、これを利用した有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子
KR20040049111A (ko) * 2002-12-05 2004-06-11 삼성전자주식회사 유기 ｅｌ 기판
KR100902448B1 (ko) * 2002-12-18 2009-06-11 오리온오엘이디 주식회사 유기 이엘(ｅｌ)용 마스크
US20040185172A1 (en) * 2003-03-20 2004-09-23 I-Ming Liu Method of forming film for organic electrified light emitting elements
KR100534580B1 (ko) * 2003-03-27 2005-12-07 삼성에스디아이 주식회사 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법
KR100889764B1 (ko) * 2003-10-04 2009-03-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체및, 그것을 이용한 박막 증착 방법
KR100609115B1 (ko) * 2003-10-27 2006-08-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 레티클 홀더 및 레티클의 조립체
US7292315B2 (en) * 2003-12-19 2007-11-06 Asml Masktools B.V. Optimized polarization illumination
TWI270311B (en) * 2004-01-06 2007-01-01 Delta Optoelectronics Inc The film fabricating method of the organic electroluminescent device and the film forming apparatus thereof
JP2005276480A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法および電子機器
KR100532354B1 (ko) * 2004-05-31 2005-11-30 삼성전자주식회사 식각 영역 조절 장치 및 웨이퍼 에지 식각 장치 그리고웨이퍼 에지 식각 방법
KR100659057B1 (ko) 2004-07-15 2006-12-21 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 유기 전계 발광표시장치
KR100673077B1 (ko) * 2005-06-10 2007-01-24 청호나이스 주식회사 고효율 가압다단형 오존 살균수 제조 장치
KR100662558B1 (ko) * 2005-12-13 2006-12-28 삼성전자주식회사 마스크 및 이를 이용한 디스플레이장치의 제조방법
TWM303781U (en) * 2005-12-16 2007-01-01 Inventec Corp Automation coating and applying apparatus
WO2007099518A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-07 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Stencil mask for accurate pattern replication
KR101346081B1 (ko) * 2006-06-20 2013-12-31 참엔지니어링(주) 플라스마 에칭 챔버
US8092601B2 (en) * 2006-12-13 2012-01-10 Ascentool, Inc. System and process for fabricating photovoltaic cell
KR100796617B1 (ko) * 2006-12-27 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 마스크 장치와 마스크 장치의 제조방법 및 이를 이용한유기전계발광표시장치의 제조방법
JP2008293798A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Toyota Industries Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
KR100947442B1 (ko) * 2007-11-20 2010-03-12 삼성모바일디스플레이주식회사 수직 증착형 마스크 제조장치 및 이를 이용한 수직 증착형마스크의 제조방법
TWI383277B (zh) * 2008-08-29 2013-01-21 Innovation Matrix Inc The working coordinate correction method of plane motor
US8349143B2 (en) * 2008-12-30 2013-01-08 Intermolecular, Inc. Shadow masks for patterned deposition on substrates
TWI398533B (zh) * 2009-12-29 2013-06-11 Au Optronics Corp 蔭罩及其製作方法
KR101182440B1 (ko) * 2010-01-11 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
KR101309864B1 (ko) * 2010-02-02 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리
KR101232181B1 (ko) * 2010-02-03 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리
DE102010000447A1 (de) * 2010-02-17 2011-08-18 Aixtron Ag, 52134 Beschichtungsvorrichtung sowie Verfahren zum Betrieb einer Beschichtungsvorrichtung mit einer Schirmplatte
US8483248B2 (en) * 2010-09-14 2013-07-09 Raytheon Company Laser crystal components joined with thermal management devices
KR101810683B1 (ko) 2011-02-14 2017-12-20 삼성디스플레이 주식회사 자석 수단의 교체가 가능한 마스크 고정장치 및 이를 포함하는 증착장치
KR102085707B1 (ko) 2012-01-12 2020-03-06 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 수지판을 구비한 금속 마스크, 증착 마스크, 증착 마스크 장치의 제조 방법, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
CN103247723B (zh) * 2012-02-06 2016-02-03 光宝电子(广州)有限公司 定位系统
US10679883B2 (en) * 2012-04-19 2020-06-09 Intevac, Inc. Wafer plate and mask arrangement for substrate fabrication
US9570309B2 (en) * 2012-12-13 2017-02-14 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Mask alignment system for semiconductor processing
US9579680B2 (en) * 2013-01-31 2017-02-28 Wki Holding Company, Inc. Self-centering magnetic masking system
KR20140109699A (ko) * 2013-03-06 2014-09-16 삼성디스플레이 주식회사 마스크 구조체와 이를 포함하는 마스크 조립체 및 마스크 구조체 제조방법
KR101901004B1 (ko) * 2013-03-26 2018-09-20 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크, 증착 마스크 준비체, 증착 마스크의 제조 방법 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
JP6035548B2 (ja) * 2013-04-11 2016-11-30 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク
KR102058515B1 (ko) * 2013-04-18 2019-12-24 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102124426B1 (ko) * 2013-07-08 2020-06-19 삼성디스플레이 주식회사 진공 증착 장치 및 이를 이용한 진공 증착 방법
US9490153B2 (en) 2013-07-26 2016-11-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Mechanical alignment of substrates to a mask
KR102130546B1 (ko) * 2013-10-11 2020-07-07 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치
CN103713466B (zh) * 2013-12-30 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制作方法
KR102140303B1 (ko) * 2014-09-17 2020-08-03 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20170084088A (ko) * 2014-10-17 2017-07-19 어드밴텍 글로벌, 리미티드 다중 마스크 정렬 시스템 및 방법
KR102391346B1 (ko) * 2015-08-04 2022-04-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조방법
KR101702785B1 (ko) 2015-12-02 2017-02-07 에스엔유 프리시젼 주식회사 박막 증착장치
CN105839052A (zh) 2016-06-17 2016-08-10 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板以及掩膜板的组装方法
CN106884140B (zh) * 2017-04-28 2019-04-30 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜组件及其组装方法
US10861723B2 (en) * 2017-08-08 2020-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EFEM robot auto teaching methodology
CN107779817B (zh) * 2017-10-18 2019-02-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 掩膜板及其制作方法
KR20220030437A (ko) * 2020-08-31 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 마스크, 이의 제조 방법, 및 표시 패널 제조 방법
KR20220034993A (ko) * 2020-09-11 2022-03-21 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 증착 장치의 마스크 착좌 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3352282A (en) * 1965-07-23 1967-11-14 Bendix Corp Vacuum deposit device including means to register and manipulate mask and substrate elements
US4915057A (en) * 1985-10-23 1990-04-10 Gte Products Corporation Apparatus and method for registration of shadow masked thin-film patterns
US5701055A (en) * 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
JP3491106B2 (ja) * 1994-12-14 2004-01-26 株式会社ニコン 位置検出装置、位置合せ装置及び位置測定方法
US5904961A (en) * 1997-01-24 1999-05-18 Eastman Kodak Company Method of depositing organic layers in organic light emitting devices
JP4058149B2 (ja) 1997-12-01 2008-03-05 キヤノンアネルバ株式会社 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法
JP3456423B2 (ja) * 1998-10-02 2003-10-14 東レ株式会社 有機電界発光素子の製造方法
US20020190661A1 (en) * 2000-01-27 2002-12-19 General Electric Company AC powered oled device
JP2001185350A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Sanyo Electric Co Ltd 被着用マスク、その製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
US6589382B2 (en) * 2001-11-26 2003-07-08 Eastman Kodak Company Aligning mask segments to provide a stitched mask for producing OLED devices
US6749690B2 (en) * 2001-12-10 2004-06-15 Eastman Kodak Company Aligning mask segments to provide an assembled mask for producing OLED devices

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100428527C (zh) * 2001-09-25 2008-10-22 精工爱普生株式会社 掩模及其制法、场致发光装置及其制法以及电子机器
CN101027424B (zh) * 2004-08-25 2010-06-09 阿德文泰克全球有限公司 使用小面积荫罩板制造大面积底板的系统和方法
CN100447946C (zh) * 2005-07-20 2008-12-31 精工爱普生株式会社 掩模及其制造方法、掩模芯片及其制造方法以及电子设备
CN1916228B (zh) * 2005-07-20 2010-06-09 精工爱普生株式会社 掩模及其制法、成膜方法及电光学装置的制法
CN101603167A (zh) * 2008-06-13 2009-12-16 阿德文泰克全球有限公司 掩模尺寸调整定位系统和方法
CN102212785A (zh) * 2011-03-22 2011-10-12 友达光电股份有限公司 蒸镀设备
CN102651457A (zh) * 2011-04-28 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 基板的固定装置及基于该装置的固定方法
CN102251212A (zh) * 2011-06-13 2011-11-23 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 高功率半导体激光器阵列掩膜装置
CN105296923A (zh) * 2012-01-12 2016-02-03 大日本印刷株式会社 拼版蒸镀掩模
CN105296923B (zh) * 2012-01-12 2020-01-24 大日本印刷株式会社 拼版蒸镀掩模、图案的制造方法及有机半导体元件的制作方法
CN103668049A (zh) * 2012-09-07 2014-03-26 昆山允升吉光电科技有限公司 一种大尺寸oled蒸镀用掩模板组件
CN104152845B (zh) * 2013-05-13 2018-07-06 三星显示有限公司 掩模组件及使用掩模组件的薄膜沉积方法
CN104152845A (zh) * 2013-05-13 2014-11-19 三星显示有限公司 掩模组件及使用掩模组件的薄膜沉积方法
CN107022737A (zh) * 2016-02-02 2017-08-08 阿德文泰克全球有限公司 平坦化共用载体框架上的多个阴影掩模的设备和方法
CN110249071A (zh) * 2017-02-10 2019-09-17 株式会社日本显示器 蒸镀掩模固定装置
CN112030103A (zh) * 2017-08-09 2020-12-04 株式会社饭沼Gauge制作所 掩膜装置以及掩膜制造方法
CN108411249A (zh) * 2018-03-28 2018-08-17 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 一种基片样品架、掩模板及基片更换方法及蒸镀设备
CN108411249B (zh) * 2018-03-28 2024-02-09 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 一种基片样品架、掩模板及基片更换方法及蒸镀设备
CN110777327A (zh) * 2018-07-25 2020-02-11 株式会社日本显示器 掩模装置的制造装置
CN110777327B (zh) * 2018-07-25 2022-04-19 株式会社日本显示器 掩模装置的制造装置
CN110534508A (zh) * 2019-02-01 2019-12-03 友达光电股份有限公司 发光模块与显示模块
CN110534508B (zh) * 2019-02-01 2021-05-28 友达光电股份有限公司 发光模块与显示模块

Also Published As

Publication number Publication date
CN1311570C (zh) 2007-04-18
TW550966B (en) 2003-09-01
EP1229144A2 (en) 2002-08-07
KR20020064187A (ko) 2002-08-07
US20020102754A1 (en) 2002-08-01
KR100853146B1 (ko) 2008-08-20
EP1229144A3 (en) 2004-03-17
US7396558B2 (en) 2008-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1311570C (zh) 组合掩模及制造设备和方法，有机el装置制造设备和方法
JP4971723B2 (ja) 有機発光表示装置の製造方法
US8568963B2 (en) Method of manufacturing mask for depositing thin film
CN1265680C (zh) 贴层状材料并且采用掩模以预定图案在基片上形成层的方法
US20130217164A1 (en) Organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same
JP2018197361A (ja) 基板載置装置、成膜装置、基板載置方法、成膜方法、および電子デバイスの製造方法
CN1674730A (zh) 掩模及其制法、薄膜图案的形成方法、电光学装置的制法
WO2011148750A1 (ja) 蒸着マスク及びこれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法と製造装置
KR101145201B1 (ko) Ｏｌｅｄ 제조용 박막 증착 장치
US20130186335A1 (en) Vapor deposition apparatus
CN1725076A (zh) 制造平板显示器的系统和方法
JP6468540B2 (ja) 基板搬送機構、基板載置機構、成膜装置及びそれらの方法
KR102128888B1 (ko) 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법
CN1678145A (zh) 掩模及其制造方法、电光学装置的制造方法和电子设备
CN109642308B (zh) 蔽荫掩模沉积系统及其方法
CN1854909A (zh) 用于定位掩模的方法和装置
WO2013183374A1 (ja) 蒸着装置
CN1578563A (zh) 蒸镀掩模及制法、显示装置及制法以及具有其的电子机器
CN1473748A (zh) 十字标记搬运方法、十字标记搬运装置以及曝光装置
CN1574178A (zh) 电子束装置，和制造用于该装置的隔离件的方法
CN113388806A (zh) 掩膜安装装置及方法、成膜装置及方法、以及基板载置器
KR101176843B1 (ko) Ｏｌｅｄ 제조용 박막 증착 시스템
CN1800436A (zh) 用于对准托盘和托盘固定器的装置
JP2013110072A (ja) 有機ｅｌ発光装置の製造方法及び製造装置
JP2003073804A (ja) 成膜方法および成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070418

Termination date: 20200131

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee