CN109642308B - 蔽荫掩模沉积系统及其方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示一种能够在衬底上形成高分辨率材料图案的直接沉积系统。来自蒸镀源的汽化原子通过蔽荫掩模中的通孔图案以按所要图案沉积于所述衬底上。所述蔽荫掩模固持于掩模卡盘中，所述掩模卡盘使所述蔽荫掩模及所述衬底能够间隔可小于10微米的距离。因此，通过所述蔽荫掩模的所述汽化原子在通过其孔隙之后很少或不展现横向散布(即，羽化)，且所述材料以相对于所述蔽荫掩模的所述孔隙图案具有非常高保真度的图案沉积于所述衬底上。

Description

蔽荫掩模沉积系统及其方法
相关案的声明
本案主张2016年5月24日申请的序列号为62/340,793号美国临时专利申请案(代理档案号：6494-208PR1)的优先权，所述申请案以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明大体上涉及薄膜沉积，且更特定来说，本发明涉及薄膜沉积设备。
背景技术
基于蔽荫掩模的沉积是将材料层沉积到衬底的表面上使得所述层的所要图案在沉积过程本身期间被界定的过程。此沉积技术有时指称“直接图案化”。
在典型蔽荫掩模沉积过程中，在与衬底相距距离的源处使所要材料汽化，其中蔽荫掩模定位于源与衬底之间。当材料的汽化原子朝向衬底行进时，其通过蔽荫掩模中的一组通孔，蔽荫掩模定位成与衬底表面接触或定位于衬底表面的正前方。通孔(即，孔隙)使材料在衬底上布置成所要图案。因此，蔽荫掩模阻挡除通过通孔的汽化原子之外的全部汽化原子通过，通过通孔的汽化原子以所要图案沉积于衬底表面上。基于蔽荫掩模的沉积类似于用于在用于发展艺术品的服装或模版物品上形成图案(例如球衣号码等等)的丝网技术。
多年来，基于蔽荫掩模的沉积已在集成电路(IC)工业中用于将材料图案沉积于衬底上，这部分归因于其避免需要在沉积材料层之后图案化所述材料层的事实。因此，其使用无需将沉积材料暴露于有害化学物质(例如酸性蚀刻剂、苛性光刻显影化学物质等等)来将其图案化。另外，基于蔽荫掩模的沉积需要较少处置及处理衬底，借此减少衬底损坏的风险且提高制造良率。此外，例如有机材料的许多材料不能在不使其受损的情况下经受光刻化学物质，这使通过蔽荫掩模来沉积此类材料成为必然。
不幸地，可通过常规蔽荫掩模沉积来获得的特征分辨率因沉积材料趋向于在通过蔽荫掩模之后横向散布(指称“羽化(feathering)”)的事实而减小。羽化随衬底与蔽荫掩模之间之间距的量值而增加。因此，通常在不损及固持衬底及蔽荫掩模的卡盘的完整性的情况下使此间距保持尽可能小。此外，跨沉积区域的此间距中的任何非均匀性将导致羽化量的变化。此非均匀性可由(例如)衬底与蔽荫掩模之间不平行、衬底及蔽荫掩模中的一或两者拱起或下垂及其类似者引起。
不幸地，可能难以使蔽荫掩模及衬底保持足够接近以避免导致大量羽化。此外，必须仅在蔽荫掩模的周边处支撑蔽荫掩模以避免阻挡汽化原子通过通孔图案。因此，蔽荫掩模的中心会因重力而下垂，这进一步加剧羽化问题。
因此，实际上，由现有技术的基于蔽荫掩模的沉积技术形成的关键特征通常由相对较大敞开空间区域分离以适应羽化，这限制可获得的装置密度。例如，主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器的每一像素通常包含各自发射不同色彩光的若干有机发光材料区域。由于羽化问题，现有技术的AMOLED显示器通常已受限于每英寸约600个像素(ppi)或更小，这对例如近眼扩增实境及虚拟现实应用的许多应用来说是不足的。另外，像素内及像素之间需要大间隙导致像素填充因子减小，这减小显示亮度。因此，必须增大通过有机层的电流密度来提供所要亮度，这会负面影响显示器寿命。
在现有技术中，仍未满足对实现高分辨率直接图案化的过程的需要。
发明内容
本发明能够在不增加成本且克服现有技术的缺点的情况下将图案化材料层高分辨率地直接沉积于衬底上。本发明能够高精准度地对准间隔仅数微米的蔽荫掩模及衬底。本发明还减轻仅在其周边处被支撑的蔽荫掩模的重力引致下垂。本发明的实施例尤其非常适于在衬底上需要高密度材料图案的应用，例如密集像素显示器(DPD)、高清晰度显示器及其类似者。
本发明的说明性实施例是一种直接图案化沉积系统，其包括：第一卡盘，其具有用于固持衬底的第一安装表面；及第二卡盘，其具有用于固持包括通孔图案的蔽荫掩模的第二安装表面。所述第二卡盘包含支架，其环绕暴露所述蔽荫掩模中的所述通孔图案的中心开口。因此，在沉积期间，材料的汽化原子可通过所述第二卡盘及所述通孔以按所要图案沉积于所述衬底之前表面的沉积区域上。
所述第一卡盘产生选择性地施加到所述衬底的后表面的第一静电力。所述第一卡盘还经设定尺寸及布置使得其不突出超过所述衬底的所述前表面。以类似方式，所述第二卡盘产生选择性地施加到所述蔽荫掩模的所述后表面的第二静电力。所述第二卡盘还经设定尺寸及布置使得其不突出超过所述蔽荫掩模的所述前表面。当所述蔽荫掩模及所述衬底对准地用于沉积时，所述第一卡盘及所述第二卡盘的无任何部分侵入到所述衬底与所述蔽荫掩模之间的三维空间中。因此，所述衬底及所述蔽荫掩模可在沉积期间定位成非常接近，借此减轻羽化。
在一些实施例中，所述第一吸力及所述第二吸力中的至少一者是例如真空产生力、磁力等等的非静电力。
在一些实施例中，所述第二安装表面经设定尺寸及布置以在所述蔽荫掩模的所述前表面中产生拉伸应力，其减轻所述蔽荫掩模的中心区域的重力引致下垂。在一些此类实施例中，所述第二卡盘的所述支架经塑形使得其安装表面远离所述支架的内周边的顶部边缘倾斜。因此，当所述蔽荫掩模安装于所述第二卡盘中时，所述蔽荫掩模变成略微拱起，这引致所述蔽荫掩模的所述前表面中的拉伸应力。在一些这些实施例中，所述安装表面从所述支架的所述内周边的所述顶部边缘向下弯曲。
本发明的实施例是一种用于通过蔽荫掩模中的通孔布置将材料图案沉积于衬底的第一区域上的系统，其中所述衬底包含第一主表面及包括所述第一区域的第二主表面，且其中所述蔽荫掩模包含第三主表面及包括所述通孔的第四主表面，所述系统包括：第一卡盘，其用于固持所述衬底，所述第一卡盘经设定尺寸及布置以将第一吸力选择性地施予所述第一主表面；第二卡盘，其用于固持所述蔽荫掩模，所述第二卡盘包括支架，所述支架环绕使所述材料能够通过所述第二卡盘而到所述通孔的第一开口，所述第二卡盘经设定尺寸及布置以将第二吸力选择性地施予所述第三主表面；及对准系统，其用于控制所述第一卡盘及所述第二卡盘的相对位置以使所述蔽荫掩模及所述衬底对准。
本发明的另一实施例是一种用于通过蔽荫掩模中的通孔布置将材料图案沉积于衬底的第一区域上的系统，其中所述衬底包含第一主表面及具有第一横向范围的第二主表面，所述第二主表面包括所述第一区域，且其中所述蔽荫掩模包含第三主表面及包括所述通孔的第四主表面，所述系统包括：第一卡盘，其用于固持所述衬底；及第二卡盘，其用于固持所述蔽荫掩模，所述第二卡盘包括支架，所述支架环绕使所述材料能够通过所述第二卡盘而到所述通孔的第一开口；其中当所述蔽荫掩模及衬底对准时，所述蔽荫掩模及所述衬底共同界定第二区域，所述第二区域(1)具有等于或大于所述第一横向范围的第二横向范围，(2)具有等于所述衬底与所述蔽荫掩模之间的间距的厚度，且(3)不包括所述第一卡盘及所述第二卡盘；且其中所述第一卡盘及第二卡盘经设定尺寸及布置以使所述厚度能够大于0微米且等于或小于25微米。
本发明的又一实施例是一种用于通过蔽荫掩模中的通孔布置将材料图案沉积于衬底的第一区域上的方法，其中所述衬底包含第一主表面及具有第一横向范围的第二主表面，所述第二主表面包括所述第一区域，且其中所述蔽荫掩模包含第三主表面及包括所述通孔的第四主表面，所述方法包括：将所述衬底固持于第一卡盘中，所述第一卡盘将第一吸力选择性地施予所述第一主表面；将所述蔽荫掩模固持于第二卡盘中，所述第二卡盘将第二吸力选择性地施予所述第三主表面，其中所述第二卡盘使包括所述材料的粒子能够通过所述第二卡盘而到所述通孔；使所述衬底及所述蔽荫掩模对准，使得所述第二主表面及所述第四主表面间隔大于0微米且小于或等于25微米的距离；及使包括所述材料的粒子流通过所述第二卡盘及所述蔽荫掩模。
附图说明
图1描绘根据本发明的说明性实施例的高精准度直接图案化沉积系统的主要特征的示意图。
图2描绘根据本发明的说明性实施例的用于在衬底上形成图案化材料层的操作的方法。
图3A描绘根据说明性实施例的衬底卡盘的横截面图的示意图。
图3B描绘衬底卡盘102在固持衬底114时的横截面图的示意图。
图4A到B分别描绘根据说明性实施例的掩模卡盘的俯视图及横截面图的示意图。
图5描绘安装于掩模卡盘104中的蔽荫掩模122的横截面图。
图6描绘系统100的部分的横截面图的示意图，其中衬底114及蔽荫掩模122对准地用于材料118的沉积。
图7A描绘根据本发明的第一替代实施例的掩模卡盘的部分的横截面图的示意图。
图7B描绘根据本发明的第二替代实施例的掩模卡盘的部分的横截面图的示意图。
图8A到B分别描绘根据本发明的第三替代实施例的掩模卡盘的俯视图及横截面图的示意图。
具体实施方式
图1描绘根据本发明的说明性实施例的高精准度直接图案化沉积系统的主要特征的示意图。系统100包含衬底卡盘102、掩模卡盘104、源106、对准系统108、真空室110及控制器112。系统100可操作以将所要材料图案蒸镀到衬底表面上且无需例如光刻及蚀刻的后续消减图案化操作。
本文相对于将发光有机材料图案沉积于玻璃衬底上(其作为制造AMOLED显示器的部分)来描述系统100。然而，所属领域的技术人员应在阅读本说明书之后清楚，本发明可针对在任何各种衬底(例如半导体衬底(例如硅、碳化硅、锗等等)、陶瓷衬底、金属衬底、塑料衬底及其类似者)上形成实际上任何薄膜及厚膜材料(有机或无机)的直接图案化层。此外，尽管说明性实施例是热蒸镀系统，但所属领域的技术人员应在阅读本说明书之后认识到，本发明可针对实际上任何材料沉积过程，例如电子束蒸镀、溅镀及其类似者。此外，尽管所描绘的实例是适合用于单衬底平面处理的沉积系统，但本发明还适合用于其它制造方法，例如丛集工具处理、追踪处理、滚动条式处理、卷带式处理等等。因此，本发明适合用于各种应用，其包含(但不限于)封装应用、集成电路制造、MEMS制造、纳米技术装置制造、球栅阵列(BGA)制造及其类似者。
衬底卡盘102是用于经由仅施加到其后表面的吸力来固持衬底114的压盘。在所描绘的实例中，衬底卡盘102产生静电力以固持衬底；然而，在一些实施例中，衬底卡盘102经由例如真空产生力、磁力等等的不同吸力来固持衬底。为了本说明书(其包含所附权利要求书)，术语“磁力”包含由使用永久磁体及/或电磁体引起的任何力。下文将相对于图3A到B来更详细描述衬底卡盘102。
在所描绘的实例中，衬底114是适合用于主动矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器中的玻璃衬底。衬底114包含其上界定显示元件的两个主表面：后表面116及前表面118。前表面118界定平面120。
掩模卡盘104是用于经由仅施予其后表面的吸力来固持蔽荫掩模122的夹具。在所描绘的实例中，掩模卡盘104使用静电力来固持蔽荫掩模122。在一些实施例中，掩模卡盘104经由例如真空产生力、磁力等等的不同吸力来固持蔽荫掩模。下文将相对于图4A到B来更详细描述掩模卡盘104。
在所描绘的实例中，蔽荫掩模122是包括处置衬底124及膜126的高精准度蔽荫掩模，膜126悬置于形成于处置衬底中的中心开口上。膜126包含通孔图案128。蔽荫掩模122包含两个主表面：前表面130及后表面132。前表面130是膜126的顶面(即，远离处置衬底124的膜表面)，其界定平面134。后表面132是处置衬底124的表面(即，远离膜126的衬底表面)。应注意，尽管蔽荫掩模122是基于膜的高精准度蔽荫掩模，但可使用根据本发明的掩模卡盘来固持实际上任何类型的蔽荫掩模。
源106是用于使材料118汽化的坩埚，材料118是发射所要波长的光的有机材料。在所描绘的实例中，源106是相对于衬底114居中的单室坩埚；然而，在一些实施例中，源106包含布置成一维及/或二维布置的多个室。当在室110的低压气氛内熔化或升华材料118时，材料118的汽化原子从源射出且以大体上弹道方式朝向衬底114传播。
对准系统108是用于控制衬底114与蔽荫掩模122之间的相对位置的高精准度对准系统。在所描绘的实例中，对准系统108能够在六个维度上独立地控制衬底卡盘102及掩模卡盘104中的每一者的位置。其还能够控制源106的位置，使得源可相对于衬底/蔽荫掩模组合移动以改进跨衬底的沉积均匀性(如果期望)。
真空室110是用于容纳蒸镀材料118所需的低压环境的常规压力容器。在所描绘的实例中，真空室110是独立单元；然而，还可在不背离本发明的范围的情况下使其成为丛集沉积系统或追踪沉积系统的部分。在一些实施例中，真空室110包含能够在衬底114上形成不同材料的不同图案(例如(例如)发射不同色彩(例如红色、绿色及蓝色)的光的多个发光子像素)的若干蒸镀源/蔽荫掩模组合。
控制器112是尤其将控制信号136及138分别提供到衬底卡盘102及掩模卡盘104的常规仪器控制器。
图2描绘根据本发明的说明性实施例的用于在衬底上形成图案化材料层的操作的方法。方法200开始于操作201，其中将衬底114安装于衬底卡盘102中。
图3A描绘根据说明性实施例的衬底卡盘的横截面图的示意图。衬底卡盘102包含压盘302及电极304-1及304-2。
压盘302是包括衬底306及电介质层308的结构刚性平台。衬底306及电介质层308中的每一者包含例如玻璃、陶瓷、阳极氧化铝、复合材料、电木及其类似者的电绝缘材料以使电极304-1及304-2彼此电隔离且在将衬底安装于衬底卡盘中时使电极304-1及304-2与衬底114电隔离。
电极304-1及304-2是导电元件，其形成于衬底306的表面上且由电介质层308覆盖以将其嵌入压盘302内。电极304-1及304-2与控制器112电耦合。应注意，尽管电极304-1及304-2经描绘为简单板；但衬底卡盘102实际上可具有以任何方式塑形的电极，例如指叉式梳指、同心环、不规则形状等等。
电介质层308是安置于电极304-1及304-2上以产生安装表面310的结构刚性玻璃层。
图3B描绘衬底卡盘102在固持衬底114时的横截面图的示意图。
为将衬底114固持于衬底卡盘102中，控制信号136在电极304-1与304-2之间产生电压电势。当使后表面116与安装表面310(即，电介质层308的顶面)接触时，交感电荷区域在衬底114内发展，如图中所展示。因此，将静电力选择性地施予后表面116，借此将后表面116吸引到安装表面310。
尽管说明性实施例包含经由静电力来固持衬底114的衬底卡盘，但所属领域的技术人员应在阅读本说明书之后清楚如何指定、制造及使用替代实施例，其中经由例如真空产生力、磁力及其类似者的非静电力的吸力来将衬底固持于衬底卡盘中。
在操作202中，将蔽荫掩模122安装于掩模卡盘104中。
图4A到B分别描绘根据说明性实施例的掩模卡盘的俯视图及横截面图的示意图。图4B中所描绘的横截面是穿过图4A中所展示的线a-a截取的。掩模卡盘104包含支架402、电极404-1及404-2及垫406。
支架402是电绝缘材料的结构刚性圆环。支架402环绕开口408，开口408足够大以暴露整个通孔图案128。在一些实施例中，支架402具有例如正方形、矩形、不规则形等等的非圆形形状。在一些实施例中，支架402包括涂覆有电绝缘体的导电材料。
电极404-1及404-2是形成于支架402的表面上的导电元件。电极404-1及404-2与控制器112电耦合。
垫406是安置于电极404-1及404-2上的电绝缘材料的结构刚性板。垫406中的每一者包含安装表面410，当将蔽荫掩模122安装于掩模卡盘中时，蔽荫掩模122紧贴安装表面410。
图5描绘安装于掩模卡盘104中的蔽荫掩模122的横截面图。
通过施予安装表面410与后表面132之间的静电力来将蔽荫掩模122固持于掩模卡盘104中。静电力响应于电极404-1与404-2之间的电压电势而产生，所述电压电势由控制信号138产生。当使后表面132与安装表面410接触时，交感电荷区域在处置衬底124内发展，如图中所展示。因此，将静电力选择性地施予后表面132与安装表面410之间。
在操作203中，对准系统108通过控制衬底卡盘102的位置来使衬底114及蔽荫掩模122对准。在一些实施例中，对准系统通过控制掩模卡盘104的位置来使衬底及蔽荫掩模对准。在一些实施例中，控制两个卡盘的位置以使衬底及蔽荫掩模对准。
本发明的方面是：在一些实施例中，衬底卡盘102及掩模卡盘104两者不包含突出超过其相应安装表面的任何结构元件。因此，衬底及蔽荫掩模可彼此间距很小或彼此无间距地对准以减轻沉积期间的羽化。所属领域的技术人员应认识到，在常规直接沉积系统中，衬底与蔽荫掩模之间之间距必须为至少数十或甚至数百微米。
图6描绘系统100的部分的横截面图的示意图，其中衬底114及蔽荫掩模122对准地用于材料118的沉积。
当衬底及蔽荫掩模对准时，其共同界定其之间的区域602。区域602具有等于前表面118的横向范围的横向范围L1。区域602还具有等于平面120与134之间之间距s1(即，衬底与蔽荫掩模之间之间距)的厚度。
因为衬底卡盘102无任何部分延伸超过平面120而进入到区域602中，所以衬底与蔽荫掩模之间无障碍物。因此，衬底114与蔽荫掩模122之间之间距s1可为极小的(≤25微米)。事实上，如果期望，那么可使衬底及蔽荫掩模彼此接触。在衬底/蔽荫掩模间距等于或小于25微米的情况下执行直接图案化的能力使本发明的实施例显著优于现有技术的直接图案化沉积系统，这是因为其能够显著减少或甚至消除羽化。在一些实施例中，衬底/蔽荫掩模间距可控制地保持到小于或等于20微米。在其它实施例中，衬底/蔽荫掩模间距可控制地保持到小于或等于10微米。
在操作204中，加热源106以使材料118汽化而实现衬底114之前表面118上的图案化材料层。
在一些实施例中，根据本发明的掩模卡盘包含一或多个特征，其减轻或消除安装蔽荫掩模时的所述蔽荫掩模的重力引致下垂。如2017年5月17日申请的序列号为15/597,635的美国专利申请案(代理档案号：6494-208US1)(所述申请案以引用方式并入本文中)中所详细论述，蔽荫掩模可归因于其自身质量及重力作用而中心下垂数微米。此重力引致下垂导致加剧羽化的若干重大问题。首先，其增大沉积区域的中心中的蔽荫掩模与衬底之间之间距，沉积区域通常居中定位于蔽荫掩模上。如上文所论述，羽化随衬底/蔽荫掩模间距而增加。其次，其导致衬底与蔽荫掩模之间的非均匀间距，这导致跨衬底表面发生的羽化度的变化。即使非均匀性并非无法经由创新掩模布局来补偿羽化，但会是非常困难的。
本发明的又一方面是：掩模卡盘可包含减轻蔽荫掩模的重力引致下垂的特征。
图7A描绘根据本发明的第一替代实施例的掩模卡盘的部分的横截面图的示意图。图7A中所描绘的横截面是穿过图4A中所展示的线a-a截取的。掩模卡盘700包含支架402、电极404-1及404-2及垫702。
垫702类似于上文所描述的垫406；然而，每一垫702具有经设计以引致或增加蔽荫掩模安装于掩模卡盘中时的蔽荫掩模中的拉伸应变的安装表面。垫702具有从内边缘706(即，接近开口408的边缘)到外边缘708向下线性锥形化的安装表面704。换句话说，安装表面704在负z方向上从点714到点716(即，从在平面710处与内边缘706的交会点到在平面712处与外边缘708的交会点)锥形化，如图中所展示。因此，在其中内边缘706垂直于平面710的实施例中，内边缘706及安装表面704形成内角θ，使得其是锐角。
当将蔽荫掩模122固持于掩模卡盘700中时，将后表面132吸引到安装表面704，借此引致蔽荫掩模弯曲，其增大蔽荫掩模之前表面130中的横向导引张力。因此，膜被拉得更紧且重力引致下垂被减小或消除。
图7B描绘根据本发明的第二替代实施例的掩模卡盘的部分的横截面图的示意图。图7B中所描绘的横截面是穿过图4A中所展示的线a-a截取的。掩模卡盘718包含支架402、电极404-1及404-2及垫720。
垫720类似于上文所描述的垫406；然而，如同垫702，每一垫720具有经设计以引致或增加蔽荫掩模安装于掩模卡盘中时的蔽荫掩模中的拉伸应变的安装表面。垫720具有从内边缘706到外边缘708向下(即，在负z方向上，如图中所展示)弯曲的安装表面722。换句话说，安装表面722在负z方向上从点714到点716锥形化，如图中所展示。
当将蔽荫掩模122固持于掩模卡盘718中时，将后表面132吸引到安装表面722，借此引致蔽荫掩模弯曲，其增大蔽荫掩模之前表面130中的横向导引张力。因此，膜被拉得更紧且重力引致下垂被减小或消除。在一些实施例中，可通过控制施加到电极404-1及404-2的电压差的量值来控制前表面130中所引致的额外张力量。
所属领域的技术人员应在阅读本说明书之后清楚，对于其中颠倒安装掩模(与图1中所描绘的其定向相比)的沉积系统，安装表面704及722倾斜(或弯曲)的方向将被反向。此外，在此构形中，通常需要使衬底卡盘102经设计以使衬底114能够驻留于开口408内以使衬底/蔽荫掩模间距小于或等于10微米。
图8A到B分别描绘根据本发明的第三替代实施例的掩模卡盘的俯视图及横截面图的示意图。掩模卡盘800包含掩模卡盘104及支撑栅格802。
支撑栅格802包含板804及支撑肋806。
板804是支撑肋806从其延伸的刚性板。在一些实施例中，板804及支撑肋806是由固体结构材料加工而成。适合用于板804及支撑肋806中的材料包含(但不限于)金属、塑料、陶瓷、复合材料、玻璃及其类似者。板804经设计以安装到支架402以将支撑栅格802定位于开口408内，使得其在蔽荫掩模122安装于掩模卡盘800中时机械地支撑膜126。
支撑肋806经布置以在位于通孔布置128的通孔之间的区域中支撑蔽荫掩模122。通常，蔽荫掩模的通孔布置成对应于衬底上的不同裸片区域的丛集。由于这些裸片区域通常由希望通过切割锯来移除的“线道”分离，所以支撑肋806经优选地布置以匹配这些线道的布置。然而，应注意，支撑肋的任何合适布置可用于支撑栅格802中。
支撑栅格802经形成使得其顶面808是共面的且界定平面810。平面810位于安装表面410上方的等于支架124的厚度的距离处。因此，当支架124与安装表面410接触时，支撑肋806与膜126接触。
在一些实施例中，将蔽荫掩模122颠倒地固持于掩模卡盘800中，使得膜126与安装表面410接触。在此类实施例中，支撑栅格802经设计以装配于开口408内，使得平面810与安装表面410共面。因此，膜126由支撑栅格802支撑，使得其在整个开口408中始终完全水平。
应理解，本发明仅教示根据本发明的一些实施例，且所属领域的技术人员可在阅读本发明之后容易地设想本发明的许多变化，且本发明的范围将由以下权利要求书确定。

Claims (10)

1.一种用于通过蔽荫掩模中的通孔布置来将材料图案沉积于衬底的第一区域上的系统，其中所述衬底包含第一主表面及包括所述第一区域的第二主表面，且其中所述蔽荫掩模包含第三主表面及包括所述通孔的第四主表面，所述系统包括：
第一卡盘，其用于固持所述衬底，所述第一卡盘经设定尺寸及布置以将第一吸力选择性地施予所述第一主表面；
第二卡盘，其用于固持所述蔽荫掩模，所述第二卡盘包括支架，其环绕使所述材料能够通过所述第二卡盘而到所述通孔的第一开口，其中所述支架具有安装表面，其经配置以在所述蔽荫掩模安装在所述第二卡盘中时通过在所述第四主表面中引致拉伸应力来减轻所述蔽荫掩模的重力引致下垂，且其中所述支架具有横截面，其中所述安装表面在接近所述第一开口的第一边缘与远离所述第一开口的第二边缘之间延伸，所述安装表面及第一边缘在第一平面中的第一点处交会，且所述安装表面及所述第二边缘在第二平面中的第二点处交会，且其中所述安装表面从所述第一边缘到所述第二边缘向下锥形化，且所述第二卡盘经设定尺寸及布置以将第二吸力选择性地施予所述第三主表面；及
对准系统，其用于控制所述第一卡盘及所述第二卡盘的相对位置以使所述蔽荫掩模及所述衬底对准。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一卡盘、所述第二卡盘及所述对准系统共同实现所述衬底与所述蔽荫掩模之间具有小于或等于10微米的间距时的所述衬底及所述蔽荫掩模的对准。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一卡盘、所述第二卡盘及所述对准系统共同实现所述衬底与所述蔽荫掩模之间具有大于0微米的间距时的所述衬底及所述蔽荫掩模的对准。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述安装表面是非线性的。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二卡盘进一步包含所述第一开口内的支撑栅格，所述支撑栅格经设定尺寸及布置以减轻所述蔽荫掩模的重力引致下垂。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二卡盘经设定尺寸及布置以影响所述蔽荫掩模的曲率。
7.一种用于通过蔽荫掩模中的通孔布置来将材料图案沉积于衬底的第一区域上的方法，其中所述衬底包含第一主表面及具有第一横向范围的第二主表面，所述第二主表面包括所述第一区域，且其中所述蔽荫掩模包含第三主表面及包括所述通孔的第四主表面，所述方法包括：
将所述衬底固持于第一卡盘中，所述第一卡盘将第一吸力选择性地施予所述第一主表面；
将所述蔽荫掩模固持于第二卡盘中，所述第二卡盘将第二吸力选择性地施予所述第三主表面，其中所述第二卡盘包含支架，其环绕使包括所述材料的粒子能够通过所述第二卡盘而到所述通孔的第一开口，且其中所述支架包含安装表面，其经配置以在所述蔽荫掩模固持于所述第二卡盘中时在所述第四主表面中引致拉伸应力，且所述支架具有横截面，其中所述安装表面在接近所述第一开口的第一边缘与远离所述第一开口的第二边缘之间延伸，且进一步其中所述安装表面及第一边缘在第一平面中的点处交会，且所述安装表面及所述第二边缘在第二平面中的点处交会，所述安装表面从所述第一边缘到所述第二边缘向下锥形化；
使所述衬底及所述蔽荫掩模对准，使得所述第二主表面及所述第四主表面间隔小于或等于10微米的距离；及
使包括所述材料的粒子流通过所述第二卡盘及所述蔽荫掩模。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述衬底及所述蔽荫掩模经对准使得所述第二主表面及所述第四主表面间隔大于0微米且小于或等于10微米的距离。
9.根据权利要求7所述的方法，其中通过在包含所述通孔的所述蔽荫掩模的区域中机械地支撑所述蔽荫掩模来减轻所述重力引致下垂。
10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：提供所述第二卡盘，使得所述第二卡盘包含支撑栅格，其定位于所述第一开口中，其中所述支撑栅格经设定尺寸及布置以物理地支撑所述蔽荫掩模。
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