JP2019102802A - 成膜装置、成膜方法及びそれを用いられる有機el表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 234
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 54
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 26
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
Description
おいては、蒸着材料を蒸発させて有機EL表示素子を形成しているので、本発明の望ましい適用例の一つである。
各成膜室11、12にはそれぞれ成膜装置(蒸着装置とも呼ぶ)が設けられている。搬送ロボット14との基板10の受け渡し、基板10とマスクの相対位置の調整(アライメント)、マスク上への基板10の固定、成膜(蒸着)などの一連の成膜プロセスは、成膜装置によって自動で行われる。
)とも呼ぶ。
支持力は、支持部材によって支持されているときの基板の高さであるとも言える。すなわち、上記のように支持力が設定されることは、第1支持部材211によって支持される基板の周縁部の高さが、第2支持部材212によって支持される基板の周縁部の高さと異なるように設定されることであり、より具体的には、第1支持部材211によって支持される基板の周縁部の高さが第2支持部材212によって支持される基板の周縁部の高さよりも高くなるように設定されることであると言える。
するのが望ましい。より望ましくは、第3支持部材213及び第4支持部材214による支持力が第2支持部材212による支持力より高くなるように弾性係数及び/または長さを設定する。これにより、第3支持部材及び第4支持部材によって支持される基板の周縁部の高さは、第2支持部材によって支持される基板の周縁部の高さより高く、第1支持部材によって支持される基板の周縁部の高さよりも低くなる。このように、支持部材の支持力を調節することで、基板10が静電チャック23に吸着される時、第1辺(例えば、対向する二つの長辺の中である一長辺)側の基板周縁部から基板の中央部を経て第2辺(例えば、対向する二つの長辺の中で他の一つの長辺)側を向かって吸着が順次に進むことができ、基板が平らに静電チャックに吸着されることができるようになる。
22:マスク台
23:静電チャック
24:マグネット
30:基板支持面部
31:弾性体部
211:第1支持部材
212:第2支持部材
213:第3支持部材
214:第4支持部材
Claims (16)
- マスクを介して基板に成膜を行うための成膜装置であって、
基板の周縁部を支持するための支持部を含む基板保持ユニットと、
前記支持部の上方に設けられ、前記基板を吸着するための静電チャックとを含み、
前記支持部は、前記基板の一端側の周縁部を支持するように設置される第1支持部材と、前記第1支持部材と対向する位置で前記基板の他端側の周縁部を支持するように設置される第2支持部材とを含み、
前記第1支持部材によって支持される前記基板の周縁部の高さは、前記第2支持部材によって支持される前記基板の周縁部の高さと異なる
成膜装置。 - 前記第1支持部材によって支持される前記基板の周縁部の高さが前記第2支持部材によって支持される前記基板の周縁部の高さよりも高い請求項1に記載の成膜装置。
- 前記第1支持部材は前記基板の第1方向に沿って配置される複数の支持部材を含み、前記第2支持部材は複数の前記第1支持部材と対向するように前記第1方向に沿って配置される複数の支持部材を含む請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記第1方向は前記基板の長辺方向と平行である請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記第1支持部材及び前記第2支持部材は弾性体部を含み、前記第1支持部材の弾性体部は前記第2支持部材の弾性体部より弾性係数が大きい請求項2乃至請求項4のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記第1支持部材及び前記第2支持部材は弾性体部を含み、前記第1支持部材の弾性体部は前記第2支持部材の弾性体部より長さが長い請求項2乃至請求項5のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記支持部は、前記第1方向と交差する前記基板の第2方向における位置で前記基板の一端側の周縁部を支持するように設置される第3支持部材と、前記第3支持部材と対向する位置で前記基板の他端側の周縁部を支持するように設置される第4支持部材とをさらに含み、
前記第3支持部材及び前記第4支持部材によって支持される前記基板の周縁部の高さは、前記第2支持部材によって支持される前記基板の周縁部の高さより高く、前記第1支持部材によって支持される前記基板の周縁部の高さよりも低い請求項2乃至請求項6のいずれか一項に記載の成膜装置。 - 前記第3支持部材は前記第2方向に沿って配置される複数の支持部材を含み、前記第4支持部材は複数の前記第3支持部材と対向するように前記第2方向に沿って配置される複数の支持部材を含む請求項7に記載の成膜装置。
- 複数の前記第3支持部材及び複数の前記第4支持部材によって支持される前記基板の周縁部の高さは、前記第2方向に沿って段階的に変わるように設置される請求項8に記載の成膜装置。
- 複数の前記第3支持部材及び複数の前記第4支持部材は、複数の前記第3支持部材及び複数の前記第4支持部材によって支持される前記基板の周縁部の高さが同じであるように設置される請求項8に記載の成膜装置。
- 前記第3支持部材及び前記第4支持部材によって支持される前記基板の周縁部の高さは前記第1支持部材によって支持される前記基板の周縁部の高さと同じである請求項8に記載の成膜装置。
- 前記第3支持部材及び前記第4支持部材は弾性体部を含み、前記第3支持部材及び前記第4支持部材の弾性体部は、前記第2支持部材の弾性体部より弾性係数が大きく、前記第1支持部材の弾性体部より弾性係数が小さい請求項7乃至請求項11のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 前記第3支持部材及び前記第4支持部材は弾性体部を含み、前記第3支持部材及び前記第4支持部材の弾性体部は、前記第2支持部材の弾性体部より長さが長く、前記第1支持部材の弾性体部より長さが短い請求項7乃至請求項12のいずれか一項に記載の成膜装置。
- 金属製のマスクを支持するために前記基板保持ユニットの下方に設けられるマスク台と、
前記静電チャックの上方に設けられ、前記マスクに磁力を作用させて前記基板と前記マスクを密着させるためのマグネットとをさらに含む
請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載の成膜装置。 - マスクを介して基板上に蒸着材料を成膜するための成膜方法であって、
請求項1乃至請求項14のいずれか一項に記載の成膜装置内に前記基板を搬入して基板保持ユニットの支持部に前記基板を置く工程と、
静電チャックにて、前記基板保持ユニットの前記支持部上に置かれた前記基板の上面を吸着する工程と、
前記マスクを介して前記基板に蒸着材料を堆積させる成膜工程と
を含む成膜方法。 - 請求項15に記載の成膜方法を用いて有機EL表示装置を製造する有機EL表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2017-0161894 | 2017-11-29 | ||
KR1020170161894A KR101944197B1 (ko) | 2017-11-29 | 2017-11-29 | 성막장치, 성막방법 및 이를 사용한 유기 el 표시 장치의 제조방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020081961A Division JP7241048B2 (ja) | 2017-11-29 | 2020-05-07 | 基板支持装置および成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019102802A true JP2019102802A (ja) | 2019-06-24 |
JP6703079B2 JP6703079B2 (ja) | 2020-06-03 |
Family
ID=65277076
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018200152A Active JP6703079B2 (ja) | 2017-11-29 | 2018-10-24 | 成膜装置、成膜方法及びそれを用いられる有機el表示装置の製造方法 |
JP2020081961A Active JP7241048B2 (ja) | 2017-11-29 | 2020-05-07 | 基板支持装置および成膜装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020081961A Active JP7241048B2 (ja) | 2017-11-29 | 2020-05-07 | 基板支持装置および成膜装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6703079B2 (ja) |
KR (1) | KR101944197B1 (ja) |
CN (1) | CN109837519B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019117922A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法及びこれを用いる有機el表示装置の製造方法 |
KR20220044114A (ko) | 2020-09-30 | 2022-04-06 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막 장치, 조정 장치, 조정 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102501609B1 (ko) * | 2019-12-20 | 2023-02-17 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막 장치, 이를 사용한 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법 |
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JP2017155338A (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-07 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光素子の蒸着装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6369054B2 (ja) * | 2014-03-03 | 2018-08-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置装置及び基板処理装置 |
-
2017
- 2017-11-29 KR KR1020170161894A patent/KR101944197B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-07-31 CN CN201810859611.XA patent/CN109837519B/zh active Active
- 2018-10-24 JP JP2018200152A patent/JP6703079B2/ja active Active
-
2020
- 2020-05-07 JP JP2020081961A patent/JP7241048B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7120545B2 (ja) | 2017-12-26 | 2022-08-17 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、成膜方法及びこれを用いる有機el表示装置の製造方法 |
KR20220044114A (ko) | 2020-09-30 | 2022-04-06 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막 장치, 조정 장치, 조정 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
JP2022057673A (ja) * | 2020-09-30 | 2022-04-11 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、調整装置、調整方法、及び電子デバイスの製造方法 |
CN114318283A (zh) * | 2020-09-30 | 2022-04-12 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置、调整装置、调整方法及电子器件的制造方法 |
JP7361671B2 (ja) | 2020-09-30 | 2023-10-16 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置、調整装置、調整方法、及び電子デバイスの製造方法 |
CN114318283B (zh) * | 2020-09-30 | 2024-05-07 | 佳能特机株式会社 | 成膜装置、调整装置、调整方法及电子器件的制造方法 |
KR102676520B1 (ko) | 2020-09-30 | 2024-06-18 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 성막 장치, 조정 장치, 조정 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109837519B (zh) | 2022-02-11 |
KR101944197B1 (ko) | 2019-01-30 |
JP2020122223A (ja) | 2020-08-13 |
JP6703079B2 (ja) | 2020-06-03 |
CN109837519A (zh) | 2019-06-04 |
JP7241048B2 (ja) | 2023-03-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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