CN1574178A - 电子束装置，和制造用于该装置的隔离件的方法 - Google Patents

电子束装置，和制造用于该装置的隔离件的方法 Download PDF

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Abstract

一种电子束装置，其中具有涂敷基底材料表面的高电阻薄膜的隔离件插入在具有电子发射元件和行方向导线的后板，与具有金属背壳的面板之间。行方向导线和金属背壳经由高电阻薄膜电连接。隔离件附近的电子发射元件附近的电场保持基本上恒定，不管隔离件与隔离件附近的电子发射元件之间的位置关系。当面向行方向导线的隔离件的第一衬面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R1表示，并且邻近于电子发射元件的侧面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R2表示时，R2/R1是10－200。

Description

电子束装置，和制造用于该装置的隔离件的方法
技术领域
本发明涉及一种用作图像形成装置，例如平板型图像显示装置，图像记录装置等的电子束装置，尤其涉及一种使用涂敷有非常小的电流可以在其中流动的高电阻薄膜的隔离件的电子束装置，以及制造该隔离件的方法。
背景技术
一般地，平板型电子束装置具有如下配置，其中具有电子发射元件和用于驱动电子发射元件的导线的第一衬底，和具有设置成与导线电势不同的电势的导电元件的第二衬底，面向彼此，空间间隔将衬底分隔。第一和第二衬底的周边被密封。为了获得必要的抗大气压力的性质，绝缘隔离件插入在第一和第二衬底之间。但是，存在一个问题，即隔离件可能变得带电，以至于通过影响隔离件附近的电子轨迹而使电子发射位置偏离，从而易于引起例如隔离件附近象素亮度的下降，或者图像的退化，例如混色等。第二衬底的导电元件用作例如用于加速从电子发射元件发射的电子的加速电极。因为高压施加到该导电元件，隔离件表面的充电可能引起沿面放电。
已知，如在参考下面的专利文献1中描述的，隔离件表面的充电通过使得非常小的电流在隔离件中流动来防止。更具体地说，用作充电防止薄膜的高电阻薄膜在绝缘隔离件的表面上形成，高电阻薄膜经由低电阻导电元件连接到第一衬底上的导线，和连接到第二衬底的导电元件，从而使得非常小的电流在隔离件表面中流动。低电阻导电元件在隔离件，与面板和后板之间的接触面上形成。
也已知，如在参考下面的专利文献2中公开的，通过提供至少一个低电阻电极以偏转或收敛隔离件表面上的电子轨迹，隔离件附近的电子轨迹可以通过控制电极的电势来控制。
专利文献1：美国专利5,760,538号
专利文献2：美国专利5,859,502号
但是，上述常规技术具有下面的问题。
也就是，当低电阻部分例如电极在隔离件表面上形成，并且隔离件与隔离件附近的电子发射元件之间的位置关系偏离于期望位置时，因为隔离件附近电场的分布极大地改变，隔离件附近的电子轨迹改变，从而有时引起电子束的到达位置的偏离。隔离件与电子发射元件之间的位置关系的这种偏离可能发生，例如当隔离件的安装位置偏离于预先确定的期望位置时，当隔离件倾斜时，或者当隔离件的基底材料的形状与期望形状不同时。
为了抑制电子束的到达位置的上述偏离，例如，必须(a)通过在电子束装置制造期间提高隔离件安装位置的准确度来将电场分布的变化抑制在不会极大地影响电子轨迹的位置偏离，(b)提高隔离件的基底材料的处理的准确度，或者(c)提高在隔离件表面上形成的电极的位置的准确度。电子束的到达位置的偏离也可以通过根据隔离件位置的偏离适当地调节在隔离件表面上形成的电极的位置以控制电子轨迹来抑制。
但是，这些方法将引起复杂的制造过程，产品获益率的下降，或者装置的复杂控制，导致生产成本的增加。即使执行具有高准确度的装配，经常难以防止在随后的加热过程等时位置的偏离。此外，当与附近的电子发射元件的相对位置在一个隔离件内不恒定时，例如，当隔离件具有凸缘或盘子形状，在纵向(长轴)方向上弯曲，或者不平行时，隔离件的影响有时不能根据上述方法完全去除。
发明内容
本发明已经考虑到上述问题而创造。
本发明的目的在于提供一种电子束装置，其可以维持位于隔离件附近的电子发射元件附近的电场基本上恒定，而不管隔离件表面与位于隔离件附近的电子发射元件之间的位置关系，以及一种制造用于该电子束装置的隔离件的方法。
根据本发明的一个方面，一种电子束装置包括，具有电子发射元件和第一导电元件的第一衬底，具有设置成与第一导电元件的电势不同的电势的第二导电元件的第二衬底，以及具有覆盖基底材料表面的高电阻薄膜的隔离件，该隔离件插入在第一导电元件和第二导电元件之间，并处于接触第一导电元件和第二导电元件的状态中。第一导电元件和第二导电元件经由高电阻薄膜电连接。当面向第一导电元件的隔离件的第一衬面(facing surface)上的高电阻薄膜的方片电阻(sheet resistance)值由R1表示，并且邻近于电子发射元件的侧面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R2表示时，R2/R1是2-200。
优选地，R2/R1是5-100，R2是107-1014Ω/□，并且第二衬底具有用于由来自电子发射元件的电子束的照射来形成图像的图像形成元件。
根据本发明的另一方面，一种用于制造具有覆盖基底材料表面的高电阻薄膜的隔离件的方法，该隔离件插入在具有电子发射元件和第一导电元件的第一衬底，与具有设置成与第一导电元件的电势不同的电势的第二导电元件的第二衬底之间，并处于接触第一导电元件和第二导电元件的状态中，并且经由高电阻薄膜电连接第一导电元件和第二导电元件，该方法包括根据薄膜形成步骤形成高电阻薄膜的步骤，包括从面向第一导电元件的第一衬面的方向执行薄膜形成的步骤，以及从邻近于电子发射元件的侧面的方向执行薄膜形成的步骤。
优选地，薄膜形成步骤是形成高电阻薄膜的步骤，其中当第一衬面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R1表示，并且侧面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R2表示时，R2/R1是2-200。
优选地，薄膜形成步骤是从面向第二导电元件的第二衬面的方向执行薄膜形成的步骤，其与从第一衬面的方向执行薄膜形成的步骤同时或不同地在与从第一衬面的方向薄膜形成相同的薄膜形成条件下执行。
优选地，当仅从第一衬面的方向和第二衬面的方向执行薄膜形成时获得的第一衬面和第二衬面上的高电阻薄膜的方片电阻由r1表示，仅从侧面的方向执行薄膜形成时获得的侧面上的高电阻薄膜的方片电阻由r2表示，仅从第一衬面的方向和第二衬面的方向执行薄膜形成时获得的侧面上的高电阻薄膜的方片电阻由r2’表示，并且仅从侧面的方向执行薄膜形成时获得的第一衬面和第二衬面上的高电阻薄膜的方片电阻由r1’表示时，薄膜形成步骤中的薄膜形成满足下面的关系：
r1＜r1’，
r2＜r2’，以及
(r1×r2’)/(r1+r2’)＜(r2×r1’)/(r2+r1’)。
根据本发明的再一方面，一种用于制造具有覆盖基底材料表面的高电阻薄膜的隔离件的方法，该隔离件插入在具有电子发射元件和第一导电元件的第一衬底，与具有设置成与第一导电元件的电势不同的电势的第二导电元件的第二衬底之间，处于接触第一导电元件和第二导电元件的状态中，并且经由高电阻薄膜电连接第一导电元件和第二导电元件，该方法包括根据仅从面向第一导电元件的第一衬面的方向和面向第二导电元件的第二衬面的方向执行薄膜形成的薄膜形成步骤来形成高电阻薄膜的步骤。
在上述制造方法中，优选地，当第一衬面和第二衬面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R1表示，并且邻近于电子发射元件的侧面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R2表示时，R2/R1是2-200，并且R2是107-1014Ω/□。
本发明的前述和其他目的，特征和优点将从下面结合附随附图而进行的优选实施方案详述中变得更明白。
附图说明
图1是说明根据本发明的电子束装置的局部剖开透视图；
图2是说明图1中所示的隔离件附近的部分的放大横截面视图；
图3是说明图1中所示的荧光屏的图；
图4是说明隔离件与行方向导线之间的接触部分的放大示意图；
图5A～5C是每个说明当隔离件的侧面与第一衬面的电阻比大时，隔离件附近的等势线和电子轨迹的图；
图6是通过沿着图5A～5C中所示的线A-A’绘制电场而获得的图表；
图7A～7C是每个说明当第一衬面的电阻R1等于侧面的电阻R2时(当电阻比R2/R1＝1时)隔离件附近的等势线和电子轨迹的图；
图8是通过沿着图7A～7C中所示的线E-E’绘制电场而获得的图表；
图9是说明根据仿真获得的，电子轨迹相对于隔离件位置偏离量的灵敏度，对侧面与接触面的电阻比R2/R1的关系的图表；
图10A～10C是每个说明当制造在实例中使用的隔离件时薄膜形成方向的图；以及
图11是说明在本发明的实例2中制造的电子束装置的局部剖开透视图。
具体实施方式
首先，根据本发明实施方案的一种电子束装置将参考附图详细描述。
图1是说明根据本实施方案的电子束装置的局部剖开透视图。图2是说明图1中所示的隔离件附近的部分的放大横截面视图。图3是说明图1中所示的荧光屏的图。
该电子束装置是平板型图像显示装置。在图1和2中，后板1015用作第一衬底。面板1017用作第二衬底。侧壁1016插入在后板1015和面板1017的周边，其中后板1015和面板1017被排列以面向彼此且它们之间具有间隔。这些部件构成密闭容器，并且由这些部件包围的内部空间维持在真空气氛。
预先确定数目的隔离件1020插入在后板1015和面板1017之间，以便维持后板1015和面板1017之间预先确定的空间间隔并且防止密闭容器因容器外部和内部之间的压差而破坏。用于将各个隔离件1020固定在期望位置的块1023固定到后板1015，并且抓住隔离件1020的两端。
电子源衬底1011具有形成于其上的N×M个电子发射元件1012，并且固定在后板1015上。N和M是等于或大于2的正整数，并且根据显示象素的目标数目而适当地设置。例如，在用于显示高质量电视的显示装置中，N和M期望地分别等于或大于3,000和1,000。虽然所说明的电子发射元件1012是表面导电电子发射元件，其中具有裂纹、用作电子发射部分的导电薄膜形成，其中薄膜连接在一对元件电极之间，任何其他适当的冷阴极元件，例如场致发射电子发射元件等可以使用。
上述N×M个电子发射元件1012使用用作第一导电元件的M个行方向导线，和N个列方向导线1014来经受简单的矩阵驱动，其中M个行方向导线和N个列方向导线经受矩阵驱动。由N×M个电子发射元件1012，M个行方向导线1013，和N个列方向导线1014构成的电子源部分将在下文称作多电子束源。
荧光屏1018a在面板1017的底面(内表面)上形成。该图像显示装置执行彩色显示，并且三种基色，也就是红(R)，蓝(B)和绿(G)的荧光体单独地涂敷在荧光屏1018a上。各个颜色的荧光体单独地以条带形状涂敷，如图3中所示，并且黑色成分(黑色条带)1018b在相邻的条带之间提供。
用作第二导电元件、设置成与在后板1015提供的行方向导线1013和列方向导线1014的电势不同的电势的金属背壳(metal back)1019，在面向后板1015的荧光屏1018a的表面上提供。金属背壳1019被提供，以提高从构成荧光屏1018a的荧光体发射的光的利用效率，并且保护荧光屏1018a不受离子等的冲击，并且也起用于施加加速从电子发射元件1012发射的电子的加速电压的电极的作用。
多电子束源，面板，和包括这些组件的显示板的配置和制造方法的细节在日本专利申请公开(KoKai)2000-311633号中描述。
隔离件1020现在将进一步描述。如图2中所示，间隔片1020通过在由绝缘材料制成的基底材料1021的表面上形成高电阻薄膜1022来获得。高电阻薄膜1022在邻近于电子发射元件1012的隔离件1020的侧面上，和在面向后板1015上行方向导线1013的隔离件1020的第一衬面上，以及面向面板1017上金属背壳1019的隔离件1020的第二衬面上形成。高电阻薄膜1022也可以在面向块1023的隔离件1020的表面上形成，虽然这没有在图2中表示。但是，因为该表面不邻近于电子发射元件1012，高电阻薄膜1022在该表面上的形成可以省略。
优选地，隔离件1020的基底材料1021具有用于支撑施加到电子束装置的大气压力的足够的机械强度，以及保护不受制造电子束装置的过程期间施加的热量的耐热性质。玻璃，陶瓷等可以适合用作基底材料1021，虽然其他适合的材料可以代替地使用。
高电阻薄膜1022形成，以便缓和在隔离件1020表面上产生的充电，并且必须具有去除电荷所必需的方片电阻值。优选地，高电阻薄膜1022的方片电阻值期望地等于或小于1014Ω/□，并且更优地等于或小于1012Ω/□，以便获得足够的效果。如果方片电阻值太小，隔离件1020中的功耗增加。因此，高电阻薄膜1022的方片电阻值优选地至少107Ω/□.
例如，金属氧化物，铝和过渡金属的氮化物，锗和过渡金属的氮化物，碳，无定形碳等可以用于高电阻薄膜1022。铬，镍或铜的氧化物优选地作为金属氧化物，因为这些氧化物具有相对小的二次电子发射效率，所以，即使从电子发射元件1012发射的电子撞击在隔离件1020上，产生电荷的量是小的。铝和过渡金属的氮化物是优选的，因为电阻值可以通过调节过渡金属的组成控制在从良导体到绝缘体的宽范围内。过渡金属元素包括Ti，Cr，Ta等。锗和过渡金属的氮化物可以优选地用于高电阻薄膜1022，因为这种氮化物可以通过调节过渡金属的组成而具有极好的充电缓和性质。过渡金属元素包括Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta等。这种过渡金属可以单独使用，或者至少两种类型的过渡金属可以一起使用。碳是优选的，因为它具有小的二次电子发射效率。特别地，无定形碳可以容易地控制高电阻薄膜1022的电阻到期望的值，因为它具有高电阻。
高电阻薄膜1022可以根据汽相薄膜形成方法，例如溅射，电子束真空淀积，离子电镀，离子辅助真空淀积，CVD(化学汽相淀积)，等离子CVD，喷射等，依赖于使用的高电阻薄膜1022的类型，或者根据液相薄膜形成方法，例如浸渍(dipping)等在绝缘基底材料1021上形成。
隔离件1020的第一衬面和第二衬面分别接触行方向导线1013和金属背壳1019，以便经由高电阻薄膜1022电连接行方向导线1013和金属背壳1019。虽然在说明的实施方案中，间隔片1020的第一衬面接触行方向导线1013，接触导线或电极可以独立地在后板1015上提供作为第一导电元件，以便接触隔离件1020。隔离件1020的第二衬面接触金属背壳1019。但是，当金属背壳1019在荧光屏1018a的内侧提供时，黑色成分1018b可能包括导体以便接触隔离件1020作为第二导电元件。
在本发明中，当至少第一衬面上，优选地，第一衬面和第二衬面上的高电阻薄膜1022的方片电阻值由R1表示，并且邻近于电子发射元件1012的侧面上的高电阻薄膜1022的方片电阻值由R2表示时，期望的功能可以通过使R2/R11为2-200，优选地5-100来获得。图9说明根据仿真获得的，在该电子束装置中电子轨迹相对于隔离件1020的位置偏离量的灵敏度(影响度)，对侧面与接触面的电阻比R2/R1的关系。作为纵坐标表示的灵敏度(影响度)由dxbeam/dxsp定义，当隔离件1020从正常位置的位置偏离量由dxsp表示，并且隔离件1020附近的电子轨迹从到达的正常位置的偏离量由dxbeam表示时。在图9中，由实线说明的曲线显示在隔离件1020接近的一侧从电子发射元件1012发射的电子的计算结果，而由虚线说明的曲线显示在隔离件1020相隔的一侧从电子发射元件1012发射的电子的计算结果。当dxbeam的值是正的时，它表示电子轨迹根据隔离件1020的位置偏离在被隔离件1020吸引的方向上移动。当dxbeam的值为负的时，它表示电子轨迹根据隔离件1020的位置偏离在与隔离件1020排斥的方向上移动。
如图9中所示，电子轨迹相对于隔离件1020的位置偏离的灵敏度随着电阻比改变而改变。特别地，当电阻比小和大时，电子束的改变量相对于隔离件1020的位置偏离的灵敏度(影响度)具有相反的符号。因此，可以理解，电子轨迹相对于隔离件1020的位置偏离的灵敏度在某种中间条件下非常小。如图9中由虚线所示，当隔离件1020的位置在与电子发射元件1012相隔(远离)的方向上偏离，并且电阻比超过大约2时，电子束的偏离的改变量快速减小。虽然在图9中没有明确说明，当电阻比超过200时，电子束的偏离的改变量快速增加。当隔离件1020的位置在接近(向前)电子发射元件1012的方向上偏离时，与当隔离件1020的位置在与电子发射元件1012相隔(也就是远离)的方向上偏离时相比较，灵敏度(影响度)大。在这种情况下，当电阻比超过5时，电子束的偏离的改变量快速减小，而当电阻比超过100时，电子束的偏离的改变量快速增加。因此，隔离件1020的电阻比优选地为2-200，更优地，5-100。通过这样设置电阻比至少为2，即使隔离件1020的安装位置偏离，也能够将对电子轨迹的影响(灵敏度)抑制到可以忽略的程度，并且实现隔离件1020与第一导电元件(或第二导电元件)之间的极好电连接。此外，通过设置电阻比为等于或小于200的值，能够安全地执行隔离件1020与第一导电元件之间的电连接，并且将对电子轨迹的影响(灵敏度)抑制到可以忽略的程度，即使隔离件1020的安装位置偏离。另外，即使当在第一衬面和第二衬面上形成高电阻薄膜1022时薄膜形成材料也通过杂散淀积在侧面上，对侧面的电阻分布的影响可以最小化到它不影响电子轨迹的程度。更优地，如果电阻比设置为5≤R2/R1≤100，能够缓和侧面上淀积的上述影响，并且充分减小因隔离件1020的位置偏离对电子轨迹的灵敏度和影响，同时建立隔离件1020与第一或第二导电元件之间的良好电连接。侧面上的高电阻薄膜1022，以及第一衬面和第二衬面上的高电阻薄膜1022可以由相同材料，或不同材料制成。
接下来，将描述隔离件1020的功能。
图4是说明隔离件1020与行方向导线1013之间的接触部分的放大示意图。
如图4中所示，隔离件1020的第一衬面在隔离件1020厚度方向上，在隔离件1020的局部、中间部分处接触在后板1015上形成的行方向导线1013。这种接触状态被提供，因为行方向导线1013的顶面或者第一衬面不总是形成为平坦表面，并且行方向导线1013的顶面朝向面板1017凸出，和/或第一衬面朝向后板1015凸出。在第一衬面中，接触行方向导线1013的区域称作“接触部分”，而不接触行方向导线1013的区域称作“非接触部分”。
通过在基底材料1021表面上形成高电阻薄膜1022而获得的隔离件1020的表面的电势具有根据表面上的电阻分布由电阻划分确定的电势分布。一般地，隔离件1020表面上的电势分布与当隔离件1020不存在时的电势分布不同。因此，当隔离件1020与隔离件1020附近的电子发射元件1012之间的位置关系偏离于正常状态时，因为周围的电场根据隔离件1020表面上的电势分布而改变，而不管充电的存在或不存在，电子轨迹显著地被影响。
图5A～5C的每个说明当例如由金属制成的低电阻薄膜在第一衬面上形成时，也就是当隔离件1020的侧面与第一衬面的电阻比大时隔离件1020附近的等势线和电子轨迹。当低电阻薄膜在第一衬面上形成时，第一衬面上的电势在与第一导电元件(在这种情况下，行方向导线1013)的接触部分(以及非接触部分)几乎不改变，并且基本上等于行方向导线1013的电势。图6通过沿着图5A～5C所示的线A-A’(穿过最接近隔离件1020的电子发射元件的电子发射部分的后板1015的垂线(参看图1和2))绘制电场而获得。横坐标表示图5A中所示的z方向上与后板1015表面(图1和2中所示的电子发射元件1012的电子发射部分)的距离z，而纵坐标表示图5A中所示x方向上的电场与z方向上的电场的比Ex/Ez。
当隔离件1020在正常位置时(参看图5A)，第一衬面的尾部(图5A中所示的点S)的电势低于当隔离件1020不存在时在空间上与点S相对应的点的电势，并且电场比Ex/Ez在后板1015附近是负的(如由图5A中的实线表示的)。因此，从隔离件1020附近的电子发射元件1012(参看图1和2)发射的电子在后板1015附近在x方向上轻微地偏斜。作为其结果，并且因为由施加到金属背壳1019(参看图1和2)的电压产生的电场Ez的影响，电子沿着图5A中所示的轨迹行进，并且到达面板1017的点B。
当隔离件1020的位置在朝向电子发射元件1012(参看图1和2)的方向上从图5A中所示的位置偏离距离dx时，如图5B中所示，设置为比正常电势低的电势的点S接近电子发射元件1012。结果，如由图6中的虚线表示的，沿着线A-A’的电场在后板1015附近的部分由Ex/Ez＜0表示，并且具有大于当隔离件1020在正常位置时的量值。因此，从电子发射元件1012发射的电子沿着图5B中所示的轨迹行进，并且在面板1017上到达极大地偏离于正常点的点C。也就是，当具有在其第一衬面上形成的低电阻薄膜的隔离件1020的位置在朝向电子发射元件1012的方向上偏离于正常位置时，与隔离件1020在正常位置并且轨迹在点B终止的情况相比较，从电子发射元件1012发射的电子的轨迹在远离隔离件1020的方向上偏斜。
另一方面，当隔离件1020在远离隔离件1020附近的电子发射元件1012(参看图1和2)的方向上偏离距离dx时，如图5C中所示，设置成比正常电势低的电势的点S进一步远离电子发射元件1012移动。结果，如由图6中的虚线指示的，沿着线A-A’的电场比Ex/Ez变得小于当隔离件1020在正常位置时的电场比，并且基本上变为零(Ex基本上是零)。因此，从与隔离件1020相隔的电子发射元件1012发射的电子基本上不偏斜地行进，并且到达面板1017上的点D(图5C)。也就是，与当隔离件1020在正常位置时相比较，电子的到达位置更接近隔离件1020。
当具有比由例如金属制成的低电阻薄膜高几个数量级的方片电阻值R1的高电阻薄膜1022在第一衬面(参看图2)上形成时，也就是，当侧面与第一衬面的电阻比较小时，第一衬面1013的非接触部分的电势增加。非接触部分的电势的改变量由第一衬面的电阻值R1和侧面的电阻值R2提供的隔离件1020表面上的电阻划分来确定，并且作为非接触部分的面积和侧面与第一衬面的电阻比的函数变化。更具体地说，非接触部分的电势的增加量较大，因为非接触部分的面积较大且电阻比较小(因为第一衬面的电阻值较大)。
图7A-7C的每个说明当第一衬面的电阻R1等于侧面的电阻R2时(当电阻比R2/R1＝1时)隔离件1020附近的等势线和电子轨迹。图8通过沿着图7A-7C中所示的线E-E’绘制电场来获得。
当隔离件1020在正常位置时(参看图7A)，隔离件1020的第一衬面的尾部(图7A中所示的点S)的电势，与当隔离件1020不存在时与点S相对应的位置处的电势相比较增加。根据非接触部分的电势的增加，隔离件1020附近的电场在后板1015附近的部分由Ex/Ez＞0表示，从隔离件1020附近的电子发射元件1012(参看图1和2)发射的电子的轨迹在朝向隔离件1020的方向上轻微地偏斜，并且到达图7A中所示的点F。
当隔离件1020在朝向隔离件1020(参考图1和2)的方向上偏离距离dx时，如图7B中所示，非接触部分的长度改变。在图7B的情况下，因为隔离件1020从其移动的一侧的非接触部分的长度增加，电势的增加量增加，并且电场比Ex/Ez增加。因此，从隔离件附近的电子发射元件1012发射的电子被隔离件1020极大地吸引，并且更极大地从它们在图7A中的轨迹偏斜，并且沿着图7B中所示的轨迹行进，到达点G。也就是，侧面与第一衬面的电阻比小的隔离件1020的位置偏离于正常位置，从隔离件1020朝向其接近的电子发射元件1012发射的电子的轨迹比当隔离件1020在正常位置时的到达位置(点F)更加在朝向隔离件1020的方向上移动。
另一方面，当隔离件在远离电子发射元件1012(参看图1和2)的方向上偏离dx时，如图7C中所示，因为非接触部分的长度减小，电势的增加量减小，并且电场比Ex/Ez变得相对较小。因此，从现在更加远离隔离件1020的电子发射元件1012发射的电子的偏斜减小，并且与当隔离件1020在正常位置时相比较，电子轨迹在远离(排斥)隔离件1020的方向上改变。
如上所述，当在第一衬面上形成的高电阻薄膜1022与在侧面(参看图2)上形成的高电阻薄膜的电阻比大时或者当在第一衬面上形成的高电阻薄膜1022与在侧面上形成的高电阻薄膜的电阻比为值1时，电子轨迹根据隔离件1020的位置偏离来影响，并且从隔离件1020附近的电子发射元件1012(参看图1和2)发射的电子到达与当隔离件1020放置在正常位置时的到达位置不同的位置，导致降低显示装置的期望性能的可能。
本发明的发明者根据详细的数值仿真和实验，已经研究了由如图1和2中所示隔离件1020与隔离件1020附近的电子发射元件1012之间的位置关系的偏离而引起的对电子轨迹的影响。结果指示，通过将侧面的电阻R2与第一衬面的电阻R1的电阻比R2/R1控制在某一范围内，隔离件1020和电子发射元件1012附近的电场可以保持基本上恒定，不管隔离件1020与电子发射元件1012之间的位置关系的偏离，结果，对电子轨迹的影响可以达到最小。
图9说明根据仿真获得的，电子轨迹相对于隔离件1020的位置偏离量的灵敏度(影响度)，对侧面与接触面的电阻比R2/R1的关系。作为纵坐标表示的灵敏度(影响度)由dxbeam/dxsp定义，当隔离件1020从正常位置的位置偏离量由dxsp表示，并且隔离件1020附近的电子轨迹从到达的正常位置的偏离量由dxbeam表示时。在图9中，由实线说明的曲线显示在隔离件1020朝向其移动(位置偏离)的一侧从电子发射元件1012发射的电子的计算结果，而由虚线说明的曲线是在隔离件1020远离元件1012移动的一侧从电子发射元件1012发射的电子的计算结果。当dxbeam的值是正的时，它表示电子轨迹根据隔离件1020的位置偏离朝向隔离件1020移动。当dxbeam的值为负的时，它表示电子轨迹根据隔离件1020的位置偏离在与隔离件1020排斥(远离)的方向上移动。
如图9中所示，相对于隔离件1020的位置偏离的灵敏度随着电阻比改变而改变。特别地，当电阻比小和大时，灵敏度具有相反的符号。因此，可以理解，相对于隔离件1020的位置偏离的灵敏度在某种中间条件下非常小。
在普通的电子束装置中，存在电子轨迹从正常位置的容许偏离量，以便满足装置的期望特性。例如，在图像形成装置中，如果电子的到达位置从正常位置的偏离处于不能在作为结果的显示图像中在视觉上识别的程度，那么偏离不退化图像质量。偏离的容许量的范围依赖于电子束装置的功能和配置而改变。例如，在图像形成装置的情况下，范围依赖于象素的间距和大小来设置。如果这种容许的范围被设置，能够设置用于减小相对于隔离件1020位置偏离的灵敏度的电阻比的范围，从而防止装置的特性的降低。虽然没有在图9中清晰地说明，虚线(在隔离件1020从其移动的一侧从电子发射元件1012发射的电子的计算)在束位置的容许改变量范围内的电阻比的范围是2-200。
虽然前述描述在隔离件1020与后板1015处的第一导电元件之间的接触的上下文中描述，本发明也可以应用于隔离件1020与面板1017上的第二导电元件之间的接触。但是，因为电子束从后板1015朝向面板1017加速，电子轨迹易于在后板1015处极大地偏斜。因此，在本发明中，至少对于隔离件1020与第一导电元件之间的接触，减小相对于隔离件1020位置偏离的灵敏度，并且设置用于缓和特性降低的电阻比是必需的。
虽然前述描述关于隔离件1020的第一衬面与中心部分朝向面板1017凸出的第一导电元件(在这种情况下，行方向导线1013)的接触，本发明也可以应用于第一导电元件的边缘部分朝向面板1017伸出的情况，或者隔离件1020的第一衬面的中心部分或边缘部分朝向后板1015伸出的情况。当具有长盘(long plate)或凸缘形状的隔离件1020的厚度在纵向上不均匀，或者隔离件1020在纵向上蜿蜒或弯曲时，情况是相同的。也就是，本发明可以处理隔离件1020与邻近的电子发射元件1012之间距离的变化。
虽然在前述描述中，隔离件1020具有长盘或凸缘的形状，在其他实施方案中，隔离件1020可以具有圆柱形状。在任何情况下，如果邻近于电子发射元件1012的隔离件1020的侧面与第一衬面，或者优选地，与第一衬面和第二衬面的电阻比在指定范围内，本发明的效果可以获得。
接下来，将描述一种用于制造隔离件1020的方法。
如上所述，虽然图1和2中所示的本发明的隔离件1020可以根据除汽相薄膜形成方法之外的液相薄膜形成方法来形成，本发明的制造方法特别地采用汽相薄膜形成方法。更具体地说，隔离件1020根据汽相薄膜形成方法，例如溅射，电子束真空淀积，离子电镀，离子辅助真空淀积，CVD，等离子CVD，喷射等通过在基底材料1021上涂敷高电阻薄膜1022来制造。汽相薄膜形成方法通过淀积在空间飞行的细微粒子薄膜形成材料来指示薄膜的形成。
在本发明中使用的隔离件1020对于第一衬面(优选地第一衬面)和第二衬面，以及邻近于电子发射元件1012的侧面(侧面暴露于后板1015与面板1017之间的空间)具有不同的电阻值。这种隔离件制造方法包括，在汽相薄膜形成中，从第一衬面(或者优选地，第一衬面和第二衬面)的方向执行薄膜形成的步骤和从邻近于电子发射元件1012的侧面的方向执行薄膜形成的步骤。侧面与衬面的电阻比可以通过对于从衬面方向的薄膜形成和从侧面方向的薄膜形成采用不同的条件来提供。更具体地说，这可以通过与从侧面方向的薄膜形成时间相比较，增加从衬面方向的薄膜形成时间，或者与从侧面方向的薄膜形成材料相比较，选择低电阻材料作为从衬面方向的薄膜形成材料来实现。从而能够独立地控制衬面的薄膜特性和侧面的薄膜特性。本发明中衬面的方向和侧面的方向分别指示基本上垂直于作为与后板1015的接触面的第一衬面或者作为与面板1017的接触面的第二衬面的方向，和基本上垂直于侧面的方向。词“基本上垂直于”指示在一定程度上的垂直，其中薄膜材料的形成薄膜的量在预期表面(例如在衬面上薄膜形成的情况下，衬面)和非预期表面(例如，在衬面中薄膜形成的情况下，侧面)之间不同，更具体地说，指示薄膜仅通过杂散在非预期表面上形成的薄膜形成的方向。
用于制造高电阻薄膜的方法不局限于上述实施方案。例如，在其他实施方案中，浸渍可以使用。浸渍是使用液相的薄膜形成方法，并且从成本的观点是有利的，因为不需要比较昂贵的真空装置。
在浸渍的情况下，通过涂敷金属氧化物细微粒子的分散溶液，优选地细微粒子等于或小于200μm，或者通过混合金属醇盐，有机酸金属盐类，和这种材料的衍生物中至少一种而获得的溶胶溶液，以便提供期望的电阻值，并且在使它干燥之后在400-1,000℃焙烧涂敷的薄膜，锌的氧化物薄膜，或者锌和过渡金属或镧系元素的混合物的氧化物薄膜被获得。
更具体地说，Cr和Zn的氧化物薄膜可以使用。一个具体的实例现在将描述。
Cr和Zn的氧化物薄膜可以通过根据浸渍(0.3mm/sec的升速)，在120℃干燥涂敷的薄膜，并且在450℃焙烧干燥的薄膜，在隔离件上涂敷由Kabushiki Kaisha Kojundo Kagaku Kenkyusho制成的涂层剂SYM-CR015和SYM-ZN20的混合液体来形成。电阻值可以通过改变涂层剂的混合比以调节Cr与Zn的比来调节。
当升高隔离件时，通过使得隔离件的接触面(第一衬面或第二衬面)面朝下，接触面的厚度可以通过利用因重力导致的液体的不均性而有意地增加。通过优化升高条件，衬面的方片电阻可以调节到期望的值。
以上述方式制造的隔离件的侧面上的高电阻薄膜的厚度是100μm，并且方片电阻值是5×1010Ω/□，衬面上的高电阻薄膜的厚度是500μm，并且方片电阻值是1×1010Ω/□。隔离件的侧面与衬面的方片电阻比是5。
本发明现在将在更详细说明的实例中描述。
在下面的实例中，通过使用M个行方向导线和N个列方向导线来执行N×M(N＝3,072，且M＝1,024)个表面导电电子发射元件的矩阵布线而获得的多电子束源用作多电子束源，其中每个电子发射元件具有电极之间的导电细微粒子薄膜。
(实例1，比较实例1)
在这些实例中使用的隔离件以下面的方式来制造。
隔离件的基底材料通过切割并抛光钠钙玻璃提供高度为2mm，厚度为200μm，且长度为4mm的盘形(plate-shaped)元件而获得。Cr和Ge的氮化物根据真空淀积在清洗后的基底材料上形成。
在这些实例中使用Cr和Ge的氮化物薄膜通过使用溅射装置在氩和氮的混合气氛中执行Cr和Ge靶子的同时溅射来形成。
如图10A中所示，高电阻薄膜根据八个薄膜形成操作，从侧面方向(1)和(2)，第一衬面方向(3)和第二衬面方向(4)，以及相对于衬面与侧面之间的边缘部分具有45度角的方向(5)-(8)在隔离件表面上形成。从45度的薄膜形成执行，以便通过控制边缘部分的电阻确实地获得侧面和衬面上形成的高电阻薄膜之间的电连接。
高电阻薄膜的电阻值通过在每次薄膜形成时改变溅射条件来控制。高电阻薄膜的电阻值通过调节施加到Cr和Ge靶子的功率和溅射时间以改变Cr的增加量来控制。
在这些实例中制造的隔离件的侧面上的高电阻薄膜具有200nm的厚度，和4×1011Ω/□的方片电阻值。衬面上的高电阻薄膜具有200nm的厚度，和3×1010Ω/□的方片电阻值。从45度的薄膜形成在与侧面上的薄膜形成相同的条件下执行。隔离件的侧面与衬面的电阻比在这些实例中大约是13。
如图1和2中所示，具有形成于其上的高电阻薄膜1022的隔离件1020放置在后板1015上的行方向导线1013上，并且使用位置固定块1023固定。用于将隔离件1020固定在期望位置的块1023以与隔离件1020相同的方式使用钠钙玻璃制造。块1023具有大小为4mm×5mm×1mm厚的长方体形状，并且侧面具有宽度为210μm的凹槽，使得隔离件1020的基底材料1021的纵向尾部的尾部可以插入于其中。在当将它们安装在平板中时调节隔离件1020和块1023，使得隔离件1020相对于面板1017和电子源衬底1011不倾斜之后，隔离件1020和块1023使用陶瓷型粘合剂来固定。隔离件1020通过仅使用块1023不一定固定在预先确定的位置。例如，隔离件1020可以使用烧结玻璃来粘合。
在这些实例中，为了证实本发明的效果，除了隔离件1020(相对于行方向导线1013)的安装位置调节到正常位置的装置之外，安装位置从正常位置偏移25μm和50μm的装置也被准备。
然后，外壳与单独制造的面板1017和侧壁1016一起形成，并且空气的排出和电子源的形成执行。在那时，隔离件1020与面板1017之间的接触通过执行位置调节来获得，使得通过黑色成分1018b接触这些元件。然后，通过执行密封，隔离件1020根据从外壳外部施加的大气压力完全固定到平板内各自的预先确定的位置。
在使用以上述方法完成的显示板的图像形成装置中，电子通过由信号发生装置(没有显示)经由在容器外部提供的端子Dx1-Dxm和Dy1-Dyn施加扫描信号和调制信号，从各自的电子发射元件1012发射。图像通过经由高压端子Hv施加高压到金属背壳1019来加速发射的电子束，以引起电子撞击到荧光屏1018a上，从而激励相应颜色的荧光体以发光来显示。施加到高压端子Hv的电压Va逐渐增加到极限电压，以产生3-12kV范围内的放电，并且施加在相应导线1013和1014之间的电压Vf是14V。
在驱动图像形成装置的状态中，从最接近隔离件1020的电子发射元件1012发射的电子的发射点的位置被详细观察。结果指示，发射点总是在正常位置观察到，不管隔离件1020(相对于行方向导线1013)的安装位置。
作为比较实例1，铝电极在具有以与上述实例1中相同的方式形成于其上的高电阻薄膜的隔离件的第一衬面上形成的隔离件被准备好，并且当隔离件的安装位置改变时，由从最接近隔离件的电子发射元件发射的电子而产生的发射点的位置被详细观察。结果指示，虽然当隔离件安装在正常位置时，发射点在正常位置观察到，但是随着隔离件安装位置偏移，发射点的位置偏离于正常位置。
当使用具有形成于其第一衬面上的电极的隔离件，并且隔离件的安装位置偏移至少10μm时，发射点的位置偏离在导致负地影响图片质量的程度上发生。但是，当使用本发明的隔离件时，退化图片质量程度的发射点的位置偏离没有观察到，即使存在至少50μm的安装位置。因此，相对于使用现有技术隔离件的情况，本发明的功效和优势被证实。
(实例2，比较实例2)
在这些实例中，如图10A-10C中所示的圆柱形隔离件基底材料通过切割并处理直径为100μm的玻璃纤维来制造。隔离件的高度为2mm。
如上述实例1中的Cr和Ge的氮化物薄膜在清洗后的基底材料的表面上形成作为高电阻薄膜。高电阻薄膜根据三个薄膜形成操作从第一衬面的方向，第二衬面的方向，和侧面的方向形成。薄膜形成条件通过改变Cr和Ge的材料比以便控制电阻值，对第一衬面和第二衬面，以及侧面而改变。在侧面上的薄膜形成中，高电阻薄膜通过在薄膜形成期间在溅射室中旋转基底材料均匀地在侧面的整个区域上形成。
在这些实例中制造的隔离件的侧面上的高电阻薄膜具有300nm的厚度，和5×1010Ω/□的方片电阻值。第一衬面和第二衬面上的高电阻薄膜具有200nm的厚度，和1×1010Ω/□的方片电阻值。隔离件的侧面与衬面的电阻比在这些实例中是5。
图像形成装置通过在后板1015上行方向导线1013和列方向导线1014的相应交叉点上放置具有形成于其上的高电阻薄膜1022的隔离件1020(参看图2)来制造。隔离件1020的安装位置从正常安装位置改变到等于或小于50μm的范围内。在这些实例中隔离件1020的正常安装位置是围绕隔离件1020放置在那里的行方向导线1013与列方向导线1014的交叉点的四个电子发射元件1012之间的中心位置与隔离件1020的中心轴重合的位置。
在使用完成的显示板的图像形成装置中，电子通过由信号发生器(没有显示)经由在容器外部提供的端子Dx1-Dxm，和Dy1-Dyn施加扫描信号和调制信号，从各自的电子发射元件1012发射。作为通过经由高压端子Hv施加高压到金属背壳1019来加速发射的电子束，以引起电子撞击到荧光屏1018a上，从而激励相应颜色的荧光体以发光的结果，图像被显示。施加到高压端子Hv的电压Va逐渐增加到极限电压，以产生3-12kV范围内的放电，并且施加在相应导线1013和1014之间的电压Vf是14V。
在驱动图像形成装置的状态中，从最接近隔离件1020的电子发射元件1012发射的电子的发射点的位置被详细观察。结果指示，发射点总是在正常位置观察到，不管隔离件1020的安装位置。
相同的测定对于使用Al电极形成于第一衬面上的圆柱形隔离件的图像形成装置而执行。结果指示，隔离件周围发射点位置的变化根据隔离件的位置而观察到。
虽然在这些实例中，本发明的功效和优势被证实。
(实例3)
在本发明的实例3中，具有矩形平板形状的基底材料通过切割具有长盘形状的基底材料到必需长度来制造，其中长盘通过根据加热拉制处理钠钙玻璃母体材料来获得。基底材料具有2mm的高度，200μm的厚度，和100mm的长度。
W和Ge的氮化物根据与实例1中相同方式的真空淀积在清洗后的基底材料上形成。
在实例3中使用的W和Ge的氮化物薄膜通过使用溅射装置在氩和氮的混合气氛中执行W和Ge靶子的同时溅射来形成。
如图10B中所示，高电阻薄膜从侧面方向(1)和(2)，第一衬面方向(3)和第二衬面方向(4)在隔离件基底材料的表面上形成。实例3中使用的W和Ge的氮化物薄膜依赖于基底材料相对于薄膜形成方向的角度而具有形成的高电阻薄膜的不同电阻值。当基底材料的表面垂直于薄膜形成方向时，也就是，当薄膜形成从基底材料表面的正上方执行时，电阻值最低。电阻值随着基底材料表面相对于薄膜形成表面的倾斜增加而增加。当基底材料的表面平行于薄膜形成方向时，电阻值最高。所以，在W和Ge的氮化物薄膜的情况下，薄膜的电阻值是当基底材料的表面垂直于薄膜形成方向时电阻值的100-1,000倍。
因为根据加热拉制处理的隔离件的基底材料在侧面与衬面之间的边缘部分具有弯曲，高电阻薄膜也在从面向接触面的方向和面向侧面的方向的薄膜形成时在边缘部分上形成。因此，即使如实例1中执行的从45度方向的薄膜形成没有执行，侧面与衬面之间的电连接也可以通过调节侧面和衬面上的高电阻薄膜的电阻值来保证。
高电阻薄膜的电阻值通过在每次薄膜形成时改变溅射条件来控制。高电阻薄膜的电阻值通过调节施加到W和Ge靶子的功率以改变W的增加量来控制。
实例3中制造的隔离件的侧面上的高电阻薄膜具有200nm的厚度，和2×1011Ω/□的方片电阻值。衬面上的高电阻薄膜具有200nm的厚度，和3×1010Ω/□的方片电阻值。实例3中的隔离件的侧面与衬面的电阻比大约是6.7。
如图1中所示，具有形成于其上的高电阻薄膜的隔离件1020使用位置固定块1023固定在相应的行方向导线1013上，与实例1中一样，并且图像形成装置通过组合面板1017和侧壁1016等来制造。
在实例3中，与实例1中一样，为了证实本发明的效果，除了隔离件1020的安装位置调节到正常位置的装置之外，安装位置从正常位置偏移25μm和50μm的装置也被准备。
在完成的图像形成装置中，电子通过由信号发生器(没有显示)经由在容器外部提供的端子Dx1-Dxm和Dy1-Dyn施加扫描信号和调制信号，从各自的电子发射元件1012发射。图像通过经由高压端子Hv施加高压到金属背壳1019来加速发射的电子束，以引起电子撞击到荧光屏1018a上，从而激励相应颜色的荧光体以发光来显示。施加到高压端子Hv的电压Va逐渐增加到极限电压，以产生3-12kV范围内的放电，并且施加在相应导线1013和1014之间的电压Vf是14V。
在驱动图像形成装置的状态中，从最接近隔离件1020的电子发射元件1012发射的电子的发射点的位置被详细观察。结果指示，发射点总是在正常位置观察到，不管隔离件1020的安装位置。因此，本发明的有效性被证实。
(实例4，比较实例4)
在本发明的这些实例中使用的隔离件通过在基底材料表面上形成W和Ge的氮化物薄膜来获得，其中基底材料通过切割根据加热拉制处理的钠钙玻璃母体材料来制成，与实例3中一样。隔离件基底材料的大小与实例3中相同。
在这些实例中，如图10C中所示，高电阻薄膜仅从第一衬面方向(1)和第二衬面方向(2)在隔离件表面上形成。侧面上高电阻薄膜的薄膜形成仅通过在衬面上的高电阻薄膜的薄膜形成期间杂散到侧面来执行。通过如在这些实例中这样利用杂散，高电阻薄膜可以用最少数目的薄膜形成操作来形成。因此，隔离件的制造被简化，并且从生产成本的观点是有利的。
在这些实例中，衬面上的高电阻薄膜具有500nm的厚度，和1×109Ω/□的方片电阻值。侧面上的高电阻薄膜具有200nm的厚度，1×1011Ω/□的方片电阻值。隔离件的侧面与衬面的电阻比在这些实例中大约是100。
如图1和2中所示，具有形成于其上的高电阻薄膜1022的隔离件1020使用位置固定块1023固定在相应的行方向导线1013上，与实例1中一样，并且图像形成装置通过组合面板1017和侧壁1016来制造。
在这些实例中，与实例1中一样，为了证实本发明的效果，除了隔离件1020的安装位置调节到正常位置的装置之外，安装位置从正常位置偏移25μm和50μm的装置也被准备。
在完成的图像形成装置中，电子通过由信号发生器(没有显示)经由在容器外部提供的端子Dx1-Dxm和Dy1-Dyn施加扫描信号和调制信号，从各自的电子发射元件1012发射。图像通过经由高压端子Hv施加高压到金属背壳1019来加速发射的电子束，以引起电子撞击到荧光屏1018a上，从而激励相应颜色的荧光体以发光来显示。施加到高压端子Hv的电压Va逐渐增加到极限电压，以产生3-12kV范围内的放电，并且施加在相应导线1013和1014之间的电压Vf是14V。
在驱动图像形成装置的状态中，从最接近隔离件1020的电子发射元件1012发射的电子的发射点的位置被详细观察。结果指示，发射点总是在正常位置观察到，不管隔离件1020的安装位置。因此，本发明的有效性被证实。
如上所述，根据本发明，提供下面的效果。
也就是，在电子束装置，例如图像形成装置中，能够容易且便宜地制造对于隔离件与隔离件附近的电子源之间的位置关系的变化不灵敏的隔离件。通过使用本发明的隔离件，能够获得较高质量的电子束装置，即使在装配和处理中存在较差的准确度。在根据本发明的隔离件制造方法中，能够提供接触电极的第一表面，与暴露于真空的侧面之间的预先确定的电阻比。
虽然本发明已经关于当前认为的优选实施方案来描述，应当理解，本发明并不局限于公开的实施方案。相反，本发明打算覆盖在附加权利要求书的本质和范围内的各种修改和等效方案。下面的权利要求书的范围与最广泛的合理解释一致，以便包括所有这种修改以及等效结构和功能。

Claims (11)

1.一种电子束装置，包括：
第一衬底，其具有电子发射元件和第一导电元件；
第二衬底，其具有设置成与第一导电元件的电势不同的电势的第二导电元件；以及
隔离件，其具有覆盖基底材料表面的高电阻薄膜，该隔离件插入在所述第一导电元件和所述第二导电元件之间，处于接触所述第一导电元件和所述第二导电元件的状态，所述第一导电元件与所述第二导电元件经由高电阻薄膜电连接，
其中，当面向第一导电元件的所述隔离件的第一衬面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R1表示，并且邻近于电子发射元件的侧面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R2表示时，R2/R1是2-200。
2.根据权利要求1的电子束装置，其中R2/R1是5-100。
3.根据权利要求1的电子束装置，其中R2是107-1014Ω/□。
4.根据权利要求1的电子束装置，其中所述第二衬底具有用于通过来自电子发射元件的电子束的照射来形成图像的图像形成元件。
5.一种用于制造具有覆盖基底材料表面的高电阻薄膜的隔离件的方法，该隔离件插入在具有电子发射元件和第一导电元件的第一衬底，与具有设置成与第一导电元件的电势不同的电势的第二导电元件的第二衬底之间，处于接触第一导电元件和第二导电元件的状态，并且经由高电阻薄膜电连接第一导电元件和第二导电元件，所述方法包括：
按照薄膜形成步骤形成高电阻薄膜的步骤，包括从面向第一导电元件的第一衬面的方向进行薄膜形成的步骤，以及从邻近于电子发射元件的侧面的方向进行薄膜形成的步骤。
6.根据权利要求5的方法，其中所述薄膜形成步骤是形成高电阻薄膜的步骤，其中当第一衬面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R1表示，并且侧面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R2表示时，R2/R1是2-200。
7.根据权利要求5的方法，其中所述薄膜形成步骤包括从面向第二导电元件的第二衬面的方向执行薄膜形成的步骤，其与从第一衬面的方向执行薄膜形成的步骤同时或不同时地在与从第一衬面的方向薄膜形成相同的薄膜形成条件下执行。
8.根据权利要求7的方法，其中，当仅从第一衬面方向的方向和第二衬面的方向执行薄膜形成时获得的第一衬面和第二衬面上的高电阻薄膜的方片电阻由r1表示，仅从侧面的方向执行薄膜形成时获得的侧面上的高电阻薄膜的方片电阻由r2表示，仅从第一衬面的方向和第二衬面的方向执行薄膜形成时获得的侧面上的高电阻薄膜的方片电阻由r2’表示，并且仅从侧面的方向执行薄膜形成时获得的第一衬面和第二衬面上的高电阻薄膜的方片电阻由r1’表示时，薄膜形成步骤中的薄膜形成满足下面的关系：
r1＜r1’，
r2＜r2’，以及
(r1×r2’)/(r1+r2’)＜(r2×r1’)/(r2+r1’)。
9.一种用于制造具有覆盖基底材料表面的高电阻薄膜的隔离件的方法，该隔离件插入在具有电子发射元件和第一导电元件的第一衬底，与具有设置成与第一导电元件的电势不同的电势的第二导电元件的第二衬底之间，处于接触第一导电元件和第二导电元件的状态，并且经由高电阻薄膜电连接第一导电元件和第二导电元件，所述方法包括：
根据仅从面向第一导电元件的第一衬面的方向和面向第二导电元件的第二衬面的方向执行薄膜形成的薄膜形成步骤来形成高电阻薄膜的步骤。
10.根据权利要求9的方法，其中，当第一衬面和第二衬面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R1表示，并且邻近于电子发射元件的侧面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R2表示时，R2/R1是2-200。
11.根据权利要求5的方法，其中R2是107-1014Ω/□。
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