CN1702820A - 场发射显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种场发射显示器(FED)及其制造方法。该FED包括：第一基板；第一绝缘层，形成于第一基板上且具有预定高度和预定形状；阴极，形成于第一基板上以覆盖第一绝缘层，且具有凹面地形成于覆盖第一绝缘层的部分之间的第一开口；第二绝缘层，形成于第一基板和阴极上，且具有与第一开口连接且暴露部分阴极的第二开口；栅电极，形成于第二绝缘层上，且具有与第二开口连接的第三开口；发射器，形成于位于第一开口中的阴极上且沿第一开口的两边设置以彼此隔开预定距离；和第二基板，设置得以预定距离面对第一基板，且具有阳极和在其表面上形成的预定图案的荧光层。空腔可以形成于阴极中以设置于发射器之间。

Description

场发射显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种具有能够改善电子束的聚焦特性和防止电流密度降低的电子发射结构的场发射显示器和制造其的方法。
背景技术
图像显示器一般用作个人计算机或电视接收器的监视器。图像显示器可以分为阴极射线管(CRT)、诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示器(PDP)的平板显示器和场发射显示器(FED)。
在FED中，通过从栅电极对发射器施加一强电场，电子从规则地设置于阴极上的发射器发射且与涂布于阳极表面的荧光材料碰撞，由此发射光。由于FED通过使用冷阴极电子作为电子发射源形成图像，图像质量受到发射器的材料和结构的高度影响。
在早期的FED中使用主要由钼构成的Spindt型金属尖端(或微尖端)作为发射器。
在具有金属尖端发射器的FED中，必须形成一超细孔以放置发射器且必须沉积钼以在成像平面的整个区域形成均匀的金属微尖端。因此，制造工艺复杂且必须使用昂贵的设备，由此增加了FED的生产成本。因此，具有金属尖端发射器的FED不能用于大屏幕显示。
因此，人们研究了用于形成平面形状发射器的技术，以便即使在低压驱动条件下也获得优良的电子发射和简化制造工艺。
近来，碳基材料，例如，石墨、金刚石、类金刚石碳(DLC)、C60(富勒烯)、和碳纳米管(CNT)被用于平面形状发射器。在上述的材料中，CNT可以即使在较低的驱动电压下有效地导致电子发射。
图1A和1B示出传统的FED的例子。图1A是传统的FED的部分横截面图而图1B是传统的FED的部分平面图。
请参考图1A和1B，FED具有三极管结构，包括阴极12、阳极22和栅电极14。阴极12和栅电极14形成于后基板11上而阳极22形成于前基板21的下表面上。分别由R、G和B磷光体构成的荧光层23和用于改善对比度的黑底24形成于阳极22的下表面上。后基板11和前基板21通过设置于其间的隔离物31彼此分开。在这样的FED中，首先在后基板11上形成阴极12，在其上堆叠具有细小开口15的绝缘层13和栅电极14，且然后在位于开口15中的阴极12上设置发射器16。
但是，具有如上所述的三极管结构的FED在驱动期间具有低颜色纯度且难于获得清晰的图像。这些问题是因为大多数电子由发射器16的边缘部分发射，且由于施加于栅电极14的电压(几伏至几十伏的正电压)向荧光层23前进的电子束发散，由此既允许目标像素的磷光体发光也允许邻近的其它像素的磷光体发光。
为了解决以上问题，已经作出限制从发射器发射的电子束发散的努力，其通过减少相应于一个像素的发射器16的面积以设置大量的发射器16来限制电子束发散。但是，难于在预定尺寸的像素中形成大量的发射器16，而且用于允许相关像素的磷光体发光的发射器16的整体面积减小。而且，聚焦电子束的效应不充分。
同时，为了防止电子束发散，提出了一种FED，其中在栅电极53或63的周围设置用于聚焦电子束的分开的电极54或64，如图2A和2B所示。
图2A示出一种FED，其中通过设置围绕栅电极53的环状聚焦电极54聚焦电子束。图2B示出一种FED，其中通过利用由下栅电极63和上栅电极64构成的双栅极聚焦电子束。但是，这些FED具有复杂的结构。而且，由于以上结构主要用于具有形成于阴极51或61上的金属尖端发射器52或62的FED，当该结构被用于具有平面形状发射器的FED时，还未获得满意的效果。
U.S.Patent No.5552659公开了能够减少电子束发散的电子发射结构，其通过界定形成于设置有发射器的基板上的非绝缘层和介电层厚度来减少电子束发散。但是，相对于一个像素形成了大量的孔且在各自的孔中形成了由大量的电子发射源构成的精细结构。因此，该结构是非常复杂，使制造困难且也在空间上限制了该结构。因此，相应于一个像素的发射器的数量和面积的最大化存在一个极限，由此缩短了寿命。
而且，Japanese Laid-open Patent Publication No.2000-348602、2003-16907、和2003-16910公开了具有平面形状发射器的电子发射结构。该电子发射结构可以通过改变阴极的形状聚焦电子束。但是，从发射器发射的电流密度一般会降低，且因此驱动电压增加。
发明内容
本发明提供了一种具有能够改善电子束的聚焦特性且防止电流密度降低的电子发射结构的场发射显示器(FED)和制造其的方法。
依据本发明的一方面，提供有一种FED，包括：第一基板；第一绝缘层，形成于第一基板上且具有预定高度和预定形状；阴极，形成于第一基板上以覆盖第一绝缘层，且具有凹面地形成于覆盖第一绝缘层的部分之间的第一开口；第二绝缘层，形成于第一基板和阴极上，且具有与第一开口连接且暴露部分阴极的第二开口；栅电极，形成于第二绝缘层上，且具有与第二开口连接的第三开口；发射器，形成于位于第一开口中的阴极上且沿第一开口的两边设置以彼此隔开预定的距离；和第二基板，设置得以预定距离面对第一基板，且具有阳极和在其表面上形成的预定图案的荧光层。
空腔可以形成于阴极中以设置于发射器之间。
第一、第二和第三开口和空腔可以具有四方形状。
在该情况中，第二开口的宽度可以大于第一开口的宽度且空腔的宽度可以小于第一开口的宽度。发射器之间的距离可以小于第一开口的宽度且可以大于空腔的宽度。而且，第三开口的宽度可以等于或大于第二开口的宽度。
第一绝缘层可以设置于第一开口的两外侧且可以在阴极的长度方向上沿阴极的两个边缘延伸。
或者，第一绝缘层可以设置于第一开口的两外侧，且预定长度的第一绝缘层可以形成于阴极的两边的每边。
第一绝缘层可以围绕第一开口。
发射器可以与位于第一开口的两侧上的阴极侧表面接触。
依据本发明的另一方面，提供有一种FED，包括：第一基板；第一绝缘层，形成于第一基板上且具有预定高度和预定形状；阴极，形成于第一基板上以覆盖第一绝缘层，且具有凹面地形成于覆盖第一绝缘层的部分之内的第一圆形开口；第二绝缘层，形成于第一基板和阴极上，且具有与第一圆形开口连接且暴露部分阴极的第二圆形开口；栅电极，形成于第二绝缘层上，且具有与第二圆形开口连接的第三圆形开口；环形发射器，形成于位于第一圆形开口中的阴极上；和第二基板，设置得以预定距离面对第一基板且具有阳极和在其表面上形成的预定图案的荧光层。
圆形空腔可以形成于阴极中以设置于发射器之内。
所述第二开口的内直径可以大于所述第一开口的内直径且所述空腔的内直径可以小于所述第一开口的内直径。发射器的内直径可以小于所述第一开口的内直径且可以大于所述空腔的内直径。而且，所述第三开口的内直径可以等于或大于所述第二开口的内直径。
发射器可以与围绕第一开口的阴极的侧表面接触。发射器可以由碳基材料构成，例如，碳纳米管。
可以相应于一个像素提供多个第一开口、多个第二开口和多个第三开口，且发射器可以设置于多个第一开口的每个之内。
依据本发明的另一方面，提供有一种制造FED的方法，该方法包括：在基板上形成第一绝缘层；在基板上形成覆盖第一绝缘层和具有凹面地形成于覆盖第一绝缘层的部分之间的第一开口的阴极；在基板上形成覆盖阴极的第二绝缘层；在第二绝缘层上形成在相应于第一开口的位置具有预定形状的孔的金属材料层；通过该孔蚀刻第二绝缘层以形成与第一开口连接且暴露部分阴极的第二开口；构图金属材料层以形成具有与第二开口连接的第三开口的栅电极；和在位于第一开口中的阴极上形成发射器。
在第一绝缘层的形成中，可以通过在基板上涂布浆料状态的绝缘材料且然后以预定的形式构图它，形成第一绝缘层。在该情况中，可以通过丝网印刷技术涂布浆料状态的绝缘材料。
在阴极的形成中，可以通过在基板上沉积导电材料至预定的厚度以覆盖第一绝缘层且然后通过以条的形式构图它，形成阴极。
在阴极的形成中，位于第一开口中且具有小于第一开口的尺寸的空腔可以形成于阴极中。
在第二绝缘层的形成中，可以通过丝网印刷技术在基板上涂布浆料形态的绝缘材料且然后在预定的温度烧结它形成第二绝缘层。
在金属材料层的形成中，可以通过溅射在第二绝缘层上沉积金属材料至预定的厚度形成金属材料层，且可以由部分蚀刻金属材料层形成孔。
在第二绝缘层的蚀刻中，可以使用金属材料层作为蚀刻掩模蚀刻第二绝缘层。
在栅电极的形成中，可以通过以条的形式构图金属材料层形成栅电极。
发射器的形成可以包括：在第一和第二开口的内部涂布碳纳米管光敏浆料；在基板后辐射光以选择性地曝光仅位于第一开口中的阴极上的部分碳纳米管浆料；和去除未曝光的剩余部分碳纳米管浆料以形成由保留的碳纳米管构成的发射器。
在该情况中，基板可以由透明玻璃构成且阴极可以由氧化铟锡(ITO)构成。
此外，发射器的形成可以包括：在第一和第二开口的内部涂布光致抗蚀剂且构图该光致抗蚀剂以仅在第一开口中的阴极的表面保留光致抗蚀剂；在第一和第二开口的内部涂布碳纳米管浆料；加热基板至预定的温度以通过光致抗蚀剂和碳纳米管浆料之间的热化学反应形成发射器；和去除未经历热化学反应的部分碳纳米管浆料。
或者，发射器的形成可以包括：在位于第一开口中的阴极的表面上形成催化金属层；通过对催化金属层提供含碳气体从催化金属层表面垂直生长碳纳米管以形成发射器。
附图说明
通过详细描述其示范性实施例并参考附图，本发明的以上和其它特征和优点将变得更加明显，附图中：
图1A和1B示出传统的场发射显示器(FED)的例子，图1是传统的FED的部分横截面图而图1B是传统的FED的平面图；
图2A和2B是示出传统的FED的其它例子的部分横截面示意图；
图3是本发明的实施例的FED的部分横截面图；
图4是示出图3的FED中在后基板上形成的元件的布置的部分平面图；
图5A至5C是示出图3的FED中在阴极上形成的三种类型的第一绝缘层的部分透视图；
图6是图3的FED的改进的部分横截面图；
图7是本发明的另一实施例的FED的部分平面图；
图8是本发明的又一实施例的FED的部分平面图；
图9A至9I是依次示出本发明的制造FED的方法的横截面图；
图10A至10E是依次示出本发明的另一制造FED的方法的横截面图；
图11A至11C示出图1所示的传统的FED的电子束发射的仿真结果；
图12A至12C示出图3所示的本发明的实施例的FED的电子束发射的仿真结果；
图13A至13C示出当在阴极中形成的空腔的宽度变化时图3所示的本发明的实施例的FED的电子束发射的仿真结果。
具体实施方式
将参考显示本发明的实施例的附图更加全面地描述本发明。在附图中，相似的标记指示相似的元件且为了清晰可以放大元件的尺寸。
图3是本发明的实施例的场发射显示器(FED)的部分横截面图，而图4是示出图3的FED中在后基板上形成的元件的布置的部分平面图。
请参考图3和4，本发明的实施例的FED包括两个彼此面对且通过预定的距离分开的基板，即，典型地被称为后基板的第一基板110和典型地被称为前基板的第二基板120。由于在其间安装的隔离物130，通过均匀的距离分开后基板110和前基板120。玻璃基板典型地用于后基板110和前基板120。
在后基板110上提供能够获得场发射的结构，且在前基板120上提供能够通过由场发射发射的电子形成预定图像的结构。
具体地，第一绝缘层112形成于后基板110上。如图5A至5C所示形成第一绝缘层112，且将在以下详细描述。第一绝缘层112可以利用浆料状态的绝缘材料形成且具有约2-5μm的厚度。
在后基板110上形成，例如以条的形式设置的阴极111。阴极111覆盖第一绝缘层112。因此，覆盖第一绝缘层112的部分阴极111比其它部分的阴极111高了第一绝缘层112的高度，且在覆盖第一绝缘层112的部分阴极之间形成凹面第一开口111a。可以相对于一个像素125形成一个第一开口111a且第一开口111a可以具有相应于像素125的形状的纵向长的形状，即，在阴极111的长度方向(Y方向)较长的矩形形状。
阴极111可以由导电金属材料或例如氧化铟锡(ITO)的透明导电材料构成。阴极111的材料依据形成发射器115的方法改变，如下所述。
由于阴极111完全覆盖第一绝缘层122，所以当如下所述，在第二绝缘层113中形成第二开口113a时，第一绝缘层112不受蚀刻剂的影响。这会在后面再次描述。
暴露后基板110的空腔111b可以形成于阴极111中。空腔111b可以设置于发射器115之间。可以相对于一个像素125形成一个空腔111b，而且空腔111b可以具有相应于像素125的形状的纵向长的形状，即，在阴极的长度方向(Y方向)较长的矩形形状。空腔111b的宽度(WC)小于第一开口111a的宽度(W1)。
第二绝缘层113形成于后基板110和阴极111上。第二绝缘层113可以利用例如浆料状态的绝缘材料形成至约10-20μm的厚度。与第一开口111a连接的第二开口113a形成于第二绝缘层113中。第二开口113a与第一开口111a相似也具有在阴极111的长度方向(Y方向)上较长的矩形形状且其宽度(W2)大于第一开口111a的宽度(W1)。因此，由于第一开口111a通过第二开口113a被完全地暴露，位于第一开口111a中的部分阴极111也完全地被暴露。
多个在预定图案中通过预定距离分开的栅电极114，例如，以条的形式，形成于第二绝缘层113上。栅电极114在阴极111的纵向(Y方向)的垂直方向(X方向)上延伸。栅电极114可以由例如铬(Cr)的导电金属构成且可以具有约几千的厚度。与第二开口113a连接的第三开口114a形成于栅电极114中。第三开口114a可以具有与第二开口113a相同的形状且其宽度(W3)可以也等于第二开口113a的宽度(W2)。
发射器115形成于位于第一开口111a中的阴极111上。发射器115具有小于第一绝缘层112的厚度且具有平面形式。发射器115通过由阴极111和栅电极114之间施加的电压形成的电场发射电子。在本发明中，碳基材料，例如石墨、金刚石、类金刚石碳(DLC)、C60(富勒烯)、碳纳米管(CNT)等被用于发射器115。特别地，能够即使在较低驱动电压下平稳地导致电子发射的CNT可以用于发射器115。
在本实施例中，发射器115沿第一开口111a的两边设置以通过预定距离隔开。换言之，两个发射器115设置于一个第一开口111a中且与第一开口111a的两侧的阴极111的侧表面接触且具有在第一开口111a的长度方向(Y方向)彼此平行的棒状。因此，由于发射器115可以具有比传统的发射器宽的区域，所以即使在长驱动期间的情况中，可以保证其使用寿命期间的可靠性。当空腔111b设置于发射器115之间时，如上所述，发射器115之间的距离(D)小于第一开口111a的宽度(W1)且大于空腔111b的宽度(Wc)。
图5A至5C示出三种类型的第一绝缘层112和阴极111。
首先，请参考图5A，第一绝缘层112可以沿阴极111的两边在阴极111的长度方向上延伸。换言之，第一绝缘层112形成于第一开口111a的两个外侧。发射器115与位于第一开口111a的两侧的阴极111的侧表面接触且具有预定长度。同样，阴极111中形成的空腔111b可以设置于发射器115之间且可以具有与发射器115相同的长度。
接下来，请参考图5B，第一绝缘层112可以设置于第一开口111a的两外侧且可以在阴极111的两边的每边上形成至预定的长度。在该情况中，第一绝缘层112可以具有与发射器115相同的长度。
请参考图5C，第一绝缘层112可以完全围绕第一开口111a。在该情况中，第一开口111a的所有的四个侧表面由第一绝缘层112界定。
回到图3和图4，阳极121形成于前基板120的表面上，即，面对后基板110的下表面上，且由磷光体R、G和B构成的荧光层122形成于阳极121的表面上。阳极121由例如ITO的透明导电材料构成以透射从荧光层122发射的可见光。荧光层122具有在阴极的长度方向(Y方向)上纵向长的图案。
在前基板120的下表面中，黑底123可以形成于荧光层122之间用于改善对比度。
而且，金属薄膜层124可以形成于荧光层122和黑底123的表面上。金属薄膜层124主要由铝构成且具有约几百的厚度以容易地透射从发射器115发射的电子。该金属薄膜层124用以改善亮度。当通过从发射器115发射的电子束激发荧光层122的磷光体R、G和B以发射可见光时，由于可见光被金属薄膜层124反射，所以从FED发射的可见光的量增加，由此改善亮度。
其间，当金属薄膜层124形成于前基板120上时，可以不形成阳极121。由于金属薄膜层124具有导电性，如果对其施加电压，金属薄膜层124可以作为阳极121。
设置具有以上结构的后基板110和前基板120以使发射器115和荧光层122彼此以预定距离面对且通过围绕它们涂布的密封材料(未显示)连接。隔离物130安装于后基板110和前基板120之间以保持其间的固定距离。
现在将描述具有以上结构的本发明的实施例的FED的运行。
当预定电压施加于阴极111、栅电极114和阳极121的每个时，在这些电极111、114和121之间形成电场时从发射器115发射电子。此时，对阴极111施加0和几十伏之间的负(-)电压，对栅电极114施加几和几十伏之间的正(+)电压，且对阳极121施加几百和几千伏之间的正(+)电压。从发射器115发射的电子形成电子束，且电子束向阳极121前进且与荧光层122碰撞。结果，激发荧光层122的磷光体R、G和B以发射可见光。
由于发射器115沿第一开口111a的两边设置，通过从发射器115发射的电子形成的电子束可以被聚焦而不被广泛地发散。而且，由于阴极111在发射器115的两个外侧高于发射器115，所以由于阴极111形成的电场，电子束的聚焦更有效。
当在阴极111中形成空腔111b时，电场的等势线围绕发射器115形成。由于电场的效应，电流密度增加，且因此图像的亮度增加，由此降低驱动电压。而且，由于通过调整空腔111b的宽度(WC)可以更有效地聚焦电子束，所以电流密度的峰可以准确地位于相应的像素中。
如上所述，本发明的实施例的FED中，从发射器115发射的电子束的聚焦特性得到改善，电流密度增加，且由于电流密度的峰可以准确地位于相应的像素中，所以颜色纯度和图像的亮度得到改善，由此获得高质量的图像。
将参考以后的仿真结果进一步地描述如上所述的本发明的实施例的FED的优点。
图6是图3所示的本发明的实施例的FED的改进的部分横截面图。
请参考图6，形成于栅电极114中的第三开口114a的宽度(W3)可以大于第二绝缘层113中形成的第二开口113a的宽度(W2)。当第三开口114a的宽度(W3)大于第二开口113a的宽度(W2)时，阴极111和栅电极114之间的距离增加，且因此改善了耐压特性。
现在将描述本发明的其它实施例。
图7是本发明的另一实施例的FED的部分平面图。由于本发明的另一实施例的FED的横截面结构相同于图4所示的本发明的实施例的FED，所以其说明被省略。
请参考图7，在该实施例中，相应于一个像素225，有多个第一开口211a，例如，两个第一开口211a，形成于阴极211中；多个第二开口213a，例如，两个第二开口213a，形成于第二绝缘层213中；多个第三开口214a，例如，两个第三开口214a，形成于栅电极214中。发射器215形成于多个第一开口211a的每个之内。发射器215形成于位于第一开口211a中的阴极211上，且沿第一开口211a的两边设置以通过预定距离隔开，如本发明的实施例中所述。
在本实施例中，空腔211b可以也形成于阴极211中，且相对于一个像素225，有多个空腔211b，例如两个空腔211b。
在本实施例中，由于除了以上所述的结构之外的其它结构与在前的实施例相同，所以这里其描述被省略。而且，图6所示的改进可以应用于本实施例。
图8是本发明的又一实施例的FED的部分平面图。由于本发明的又一实施例的FED的横截面结构也相同于图4所示的本发明的实施例的FED，所以其图示被省略。
请参考图8，形成于阴极311中的第一开口311a、形成于第二绝缘层313中的第二开口313a、和形成于栅电极314中的第三开口314a具有圆形的形状。第二开口313a的内直径(D2)大于第一开口311a的内直径(D1)。第三开口314a的内直径(D3)可以等于第二开口313a的内直径(D2)。
环状发射器315形成于位于第一开口311a中的阴极311上。形成发射器315以使其周边与阴极311的侧表面接触。发射器315的内直径(DE)小于第一开口311a的内直径(D1)。发射器315可以由碳基材料构成，例如碳纳米管。
在本实施例中，圆形空腔311b可以也形成于阴极311中，且空腔311b设置于环形发射器315内。因此，空腔311b的内直径(DC)小于第一开口311a的内直径(D1)和发射器315的内直径(DE)的每个。
在本实施例的FED中，相应于一个像素325，可以形成多个第一开口311a、多个第二开口313a和多个第三开口314a。环状发射器315形成于多个第一开口311a的每个之内。
在本实施例中，由于除了上述结构之外的其它结构与上述的实施例相同，所以这里其描述被省略。
图6所示的改进可以也可以应用于本实施例。换言之，形成于栅电极314上的第三开口314a的内直径(D3)可以大于形成于第二绝缘层313中的第二开口313a的内直径(D2)。
现在将描述本发明实施例的、具有上述构造的FED的制造方法。尽管以下描述的方法是基于图3所示的FED的，该方法还可以应用于图6到8所示的FED。
图9A至9I是依次示出本发明的制造FED的方法的横截面图。
首先，请参考图9A，制备基板110，且然后在基板110上形成第一绝缘层112。例如玻璃基板的透明基板用作基板110以进行下述背曝光。可以通过丝网印刷技术在基板110上涂布浆料状态的绝缘材料且然后通过在预定温度烧结它形成第一绝缘层112以具有2-5μm的厚度。除此之外，第一绝缘层110也可以通过不同的方法形成。
然后，如图9B所示，以预定形式构图第一绝缘层112，例如，以图5A至5C所示的形式之一。第一绝缘层112的构图可以通过构图材料层的公知方法进行，例如，通过涂布、曝光并显影光致抗蚀剂形成蚀刻掩模且然后通过利用蚀刻掩模蚀刻第一绝缘层112的方法。
然后，如图9C所示，阴极111形成于具有第一绝缘层112的基板110上。阴极111也由例如ITO的透明导电材料构成用于背曝光。具体地，可以通过在基板110和第一绝缘层112的表面上沉积ITO至预定厚度，例如，几百至几千，且然后以条的形式通过构图所述ITO形成阴极111。这里，ITO的构图也可以通过如上所述的构图材料层的方法进行以形成如图5A至5C所示的阴极111。具体地，阴极111覆盖第一绝缘层112的上和侧表面。这样，第一开口111a通过具有预定高度的第一绝缘层112形成于阴极111中。换言之，位于第一开口111a的两侧的部分阴极111比阴极111的其它部分高出第一绝缘层112的高度，即，约2-5μm。
形成阴极111期间，可以在阴极111中形成预定形状的空腔111b。可以通过如上所述的ITO的构图同时形成空腔111b和阴极111。这里，空腔111b可以小于第一开口111a以位于第一开口111a中且具有在阴极111的长度方向(Y方向)上较长的矩形形状，如图4所示。
期间，当制造图8所示的FED时，第一开口和空腔可以为圆形的形式。在该情况中，第一开口具有大于空腔的直径。
图9D示出在图9C的所得物上形成第二绝缘层113的状态。
请参考图9D，例如，在具有第一绝缘层112和阴极111的基板110上通过丝网印刷技术涂布浆料状态的绝缘材料，且然后在预定温度下烧结以形成具有约10-20μm厚度的第二绝缘层113。
然后，如图9E所示，在第二绝缘层113上形成金属材料层114’。金属材料层114’将稍后形成栅电极114，且可以通过溅射沉积例如铬(Cr)的导电金属至约几千的厚度形成金属材料层114’。然后在金属材料层114’中形成孔117。可以通过涂布、曝光和显影光致抗蚀剂形成蚀刻掩模，且然后利用该蚀刻掩模部分蚀刻金属材料层114’形成孔117。这里，孔117形成于对应于第一开口111a的位置，且具有相应于第一开口111a的形状。
然后，利用金属材料层114’作为蚀刻掩模蚀刻通过孔117暴露的第二绝缘层113，直至暴露阴极111。结果，如图9F所示，在第二绝缘层113中形成了具有宽于第一开口111a且暴露部分阴极111的矩形第二开口113a。由于第一绝缘层112被ITO阴极111完全覆盖，所以当在第二绝缘层113中形成第二开口113a时，第一绝缘层112不受蚀刻剂的损伤。
期间，当为了制造图8所示的FED而形成圆孔时，形成于第二绝缘层中的第二开口也具有圆形形状。
然后，以条的形式构图金属材料层114’以形成栅电极114。可以利用如上所述的构图材料层的一般方法进行金属材料层114’的构图。这里，在栅电极114中形成第三开口114a。第三开口114a具有与第二开口113a相同的形状且与第二开口113a相连接。第三开口114a的宽度可以等于或大于第二开口113a的宽度。
图9G至9I依次示出在阴极111上形成发射器115的方法。
首先，如图9G所示，通过丝网印刷技术在图9F的所得物的整个表面上涂布碳纳米管(CNT)光敏浆料118。这里，必须在第一开口111a和第二开口113a中完全填充CNT光敏浆料118。
然后，如图9H所示，在基板110之后辐射例如紫外线(UV)的光以选择性地仅曝光在阴极111上形成的CNT光敏浆料。此时，如果控制曝光量，则可以控制曝光的CNT光敏浆料的深度。
期间，取代背曝光，可以通过使用不同的光掩模进行基板110的前曝光。
然后，如果去除没有曝光的CNT光敏浆料，则只有曝光的CNT浆料保留以形成CNT发射器115，如图9I所示。因此，在位于第一开口111a中的阴极111上形成发射器115，且发射器115沿第一开口111a的两边设置以通过预定距离隔开。发射器115具有比位于第一开口111a的两侧的第一绝缘层112的厚度小，例如，约0.5-4μm的厚度且具有平面形状。
而且，当第二开口是如图8所示的圆的形式时，形成环形发射器。
图10A至10E是依次示出本发明的另一制造FED的方法的横截面图。
下述的方法除了形成发射器的操作之外基本相同于上述方法。但是，由于该方法不使用背曝光，不需要基板110和阴极111是透明的。换言之，在该方法中，其它具有优良加工性的基板，例如，硅基板或塑料基板和玻璃基板可以用作基板110，且不透明导电金属材料和ITO可以用作阴极111。
如图10A所示，在基板110上形成第一绝缘层112，且然后以预定的形式构图。在该情况，可以形成第一绝缘层112以使第一绝缘层112具有大于上述方法中的高度。在该情况中，当构图第一绝缘层112时，没有暴露基板110。换言之，第一绝缘层112可以在基板110的整个表面保留，且第一绝缘层112的较厚部分比第一绝缘层112的较薄部分高出约2-5μm。
然后，如图10B所示，在形成有第一绝缘层112的基板110上形成阴极111。阴极111既可以由不透明导电金属也可以由上述的透明导电材料ITO构成。阴极111可以也以与上述方法中相同的方式形成。
在进行图9D至9F的操作之后，在通过第二开口113a暴露的阴极111的表面上涂布光致抗蚀剂119，如图10C所示。具体地，在第一开口111a和第二开口113a中涂布光致抗蚀剂119，且然后构图光致抗蚀剂119以仅在其上将安置发射器115的阴极111的表面上保留光致抗蚀剂119。
然后，如图10D所示，通过丝网印刷技术在图10C的所得物的整个表面上涂布CNT浆料118。在该情况，CNT浆料118必须在第一开口111a和第二开口113a中完全填充。然后，加热基板110至预定温度，例如，大致80℃或更高。因此，光致抗蚀剂119和CNT浆料118经历热化学反应以形成CNT发射器115。
然后，如果去除没有经历热化学反应的CNT浆料118，则在阴极111的表面上形成了具有预定厚度的CNT发射器115，如图10E所示。
期间，CNT发射器115可以以另一方式形成。换言之，在图10C的操作中，取代光致抗蚀剂119，在其上将安置发射器115的阴极111的表面上形成由Ni或Fe构成的催化金属层，且然后对该催化金属层提供含碳气体，诸如CH4、C2H2或CO2以从催化金属层的表面垂直生长CNT，由此形成发射器115。
下面将描述传统的FED和本发明的实施例的FED的电子束发射的仿真结果。
在本仿真中，具有如图1所示的FED用作传统的FED。同时，由于本发明的三个实施例的FED具有基本相同的横截面结构，由此它们的电子束发射特性基本相似。因此，依据图3所示的本发明的实施例进行FED的电子束发射的仿真。
在进行仿真之前，设定仿真所需的FED的元件的设计参数。例如，当FED的屏幕具有16∶9的宽高比且其对角线为38英寸时，如果为了获得HD级的图像质量设计水平清晰度为1280线，则设定R、G、B三色点距为约0.70mm或更小。
在该情况中，第二绝缘层的高度可以设为10-20μm，第一绝缘层的高度可以设为2-5μm，在阴极中形成的空腔的宽度(WC)可以设为10-30μm，在阴极中形成的第一开口的宽度(W1)可以设为70-90μm，在第二绝缘层中形成的第二开口的宽度(W2)可以设为60-80μm，且在栅电极中形成的第三开口的宽度(W3)可以设为60-90μm。
但是，显然，以上定义的元件的尺寸可以依据诸如FED的尺寸、宽高比和屏幕的清晰度的前提条件改变。
图11A至11C示出图1所示的传统的FED的电子束发射的仿真结果。
首先，请参考图11A，从发射器发射的电子束在向荧光层前进期间逐渐发散开。
在图11B中，纵轴代表电流密度且电流密度的峰位于像素的边缘部分。这是因为电子主要从发射器的边缘部分发射。与此类似，如果在像素的中心部分的电流密度低，则像素的磷光体没有充分地被激发，由此降低亮度。
因此，如图11C所示，荧光层上的电子束的斑点的尺寸大于像素的尺寸，使得电子束既侵入相关的像素又侵入相邻的其它像素。特别地，在发射器没有形成于开口中的准确位置时或在当连接前基板和后基板时没有准确设置时，电流密度的峰高度地偏向相关像素的边缘部分或从相关的像素偏离，从而同时激发其它像素的磷光体，由此显著地降低了颜色纯度。
如上所述，在具有图1所示的结构的FED中，颜色纯度被降低且难于获得清晰的图像质量。
图12A至12C示出图3所示的本发明的实施例的FED的电子束发射的仿真结果。
请参考图12A，由于导电层形成的电场的效应，从沿第一开口的两边设置的发射器发射的电子束在向荧光层前进期间被聚焦而没有被广泛地发散。特别地，由于在阴极中形成的空腔，电场的等势线围绕发射器形成，因此，从发射器发射的电子束被更有效地聚焦。
请参考图12B，电流密度的峰对应于相关像素且像素的中心部分处的电流密度非常高。
因此，如图12C所示，荧光层上的电子束的斑点的尺寸与传统的FED相比显著降低，且因此防止了电子束侵入相邻其它像素的问题。
如上所述，在本发明的实施例的FED中，电子束的聚焦特性得到高度改善，电流密度增加，且电流密度的峰准确地位于相关像素中，由此改善了颜色纯度和亮度。
图13A至13C示出当形成于阴极中的空腔的宽度变化时图3所示的本发明的实施例的FED的电子束发射的仿真结果。
在与上述的仿真相同的条件下进行本仿真。但是，在阴极中形成的空腔的宽度(WC)增加。
请参考图13A，电场的等势线围绕发射器形成。请参考13B，流向相关像素的电流的密度增加且电流密度的峰准确地对应于该像素。而且，请参考图13C，在荧光层上的电子束斑点的尺寸远小于传统的FED中的电子束斑点的尺寸。
因此，如果控制在阴极中形成的空腔的宽度(WC)，则电流密度可以增加，由此图像的亮度可以得到改善且驱动电压可以得到降低。
如上所述，在本发明的实施例的FED中，由于沿开口的两边设置的平面形状发射器以及在发射器的两外侧形成的高于发射器的阴极，从发射器发射的电子束的聚焦特性得到改善，且因此，图像的颜色纯度得到改善，由此获得了高质量图像。
而且，在本发明的实施例的FED中，由于在阴极中形成空腔，电场的等势线围绕发射器形成。由于这样的电场的效应，电流密度增加，从而使图像的亮度可以得到改善。
而且，由于通过由ITO或金属材料构成的阴极完全覆盖第一绝缘层，所以当通过蚀刻工艺在第二绝缘层中形成开口时，可以防止由于蚀刻剂引起的第一绝缘层的损伤。
虽然参考其示范性实施例具体显示和描述了本发明，然而本领域的一般技术人员可以理解在不脱离权利要求所界定的本发明的精神和范围的前提下，可以做出形式和细节上的不同变化。

Claims (44)

1.一种场发射显示器，包括：
第一基板；
第一绝缘层，形成于所述第一基板上且具有预定高度和预定形状；
阴极，形成于所述第一基板上以覆盖所述第一绝缘层，且具有第一开口，所述第一开口凹面地形成于覆盖所述第一绝缘层的部分之间；
第二绝缘层，形成于所述第一基板和阴极上，且具有第二开口，所述第二开口与所述第一开口连接以暴露部分阴极；
栅电极，形成于所述第二绝缘层上，且具有第三开口，所述第三开口与所述第二开口连接；
发射器，形成于位于所述第一开口中的阴极上且沿所述第一开口的两边设置以彼此隔开预定的距离；和
第二基板，设置得以预定距离面对所述第一基板，且具有阳极和在其表面上形成的预定图案的荧光层。
2.权利要求1所述的场发射显示器，其中空腔形成于所述阴极中以设置于所述发射器之间。
3.权利要求2所述的场发射显示器，其中所述第一、第二和第三开口以及所述空腔具有四方形状。
4.权利要求3所述的场发射显示器，其中所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度且所述空腔的宽度小于所述第一开口的宽度。
5.权利要求4所述的场发射显示器，其中所述发射器之间的距离小于所述第一开口的宽度且大于所述空腔的宽度。
6.权利要求4所述的场发射显示器，其中所述第三开口的宽度等于所述第二开口的宽度。
7.权利要求4所述的场发射显示器，其中所述第三开口的宽度大于所述第二开口的宽度。
8.权利要求1所述的场发射显示器，其中所述第一绝缘层设置于所述第一开口的两外侧，且在所述阴极的长度方向上沿所述阴极的两边延伸。
9.权利要求1所述的场发射显示器，其中所述第一绝缘层设置于所述第一开口的两个外侧，且在所述阴极的两边的每边中形成预定长度的所述第一绝缘层。
10.权利要求1所述的场发射显示器，其中形成所述第一绝缘层以围绕所述第一开口。
11.权利要求1所述的场发射显示器，其中所述发射器与位于所述第一开口的两侧的所述阴极的侧表面接触。
12.权利要求1所述的场发射显示器，其中所述发射器的高度小于所述第一绝缘层的高度。
13.权利要求1所述的场发射显示器，其中所述发射器由碳基材料构成。
14.权利要求13所述的场发射显示器，其中所述发射器由碳纳米管构成。
15.权利要求1所述的场发射显示器，其中相应于一个像素形成多个所述第一开口、第二开口和第三开口且所述发射器设置于多个所述第一开口的每个中。
16.一种场效应显示器，包括：
第一基板；
第一绝缘层，形成于所述第一基板上且具有预定高度和预定形状；
阴极，形成于所述第一基板上以覆盖所述第一绝缘层，且具有第一圆形开口，所述第一圆形开口凹面地形成于覆盖所述第一绝缘层的部分内；
第二绝缘层，形成于所述第一基板和阴极上，且具有第二圆形开口，所述第二圆形开口与所述第一圆形开口连接以暴露部分阴极；
栅电极，形成于所述第二绝缘层上，且具有第三圆形开口，所述第三圆形开口与所述第二圆形开口连接；
环形发射器，形成于位于所述第一圆形开口中的所述阴极上；和
第二基板，设置得以预定距离面对所述第一基板，且具有阳极和在其表面上形成的预定图案的荧光层。
17.权利要求16所述的场发射显示器，其中圆形空腔形成于所述阴极中以设置于所述发射器之内。
18.权利要求17所述的场发射显示器，其中所述第二圆形开口的内直径大于所述第一圆形开口的内直径且所述空腔的内直径小于所述第一圆形开口的内直径。
19.权利要求18所述的场发射显示器，其中所述发射器的内直径小于所述第一圆形开口的内直径且大于所述空腔的内直径。
20.权利要求18所述的场发射显示器，其中所述第三圆形开口的内直径等于所述第二圆形开口的内直径。
21.权利要求18所述的场发射显示器，其中所述第三圆形开口的内直径大于所述第二圆形开口的内直径。
22.权利要求16所述的场发射显示器，其中所述发射器与围绕所述第一开口的所述阴极的侧表面接触。
23.权利要求16所述的场发射显示器，其中所述发射器的高度小于所述第一绝缘层的高度。
24.权利要求16所述的场发射显示器，其中所述发射器由碳基材料构成。
25.权利要求24所述的场发射显示器，其中所述发射器由碳纳米管构成。
26.权利要求16所述的场发射显示器，其中相应于一个像素形成多个所述第一圆形开口、第二圆形开口和第三圆形开口且所述发射器设置于多个所述第一圆形开口的每个内。
27.一种制造场发射显示器的方法，所述方法包括：
在基板上形成第一绝缘层；
形成覆盖所述第一绝缘层且具有第一开口的阴极，所述第一开口凹面地形成于覆盖所述第一绝缘层的部分之间；
在所述基板上形成覆盖所述阴极的第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成在相应于所述第一开口的位置具有预定形状的孔的金属材料层；
通过所述孔蚀刻所述第二绝缘层以形成第二开口，所述第二开口与所述第一开口连接且暴露部分所述阴极；
构图所述金属材料层以形成具有第三开口的栅电极，所述第三开口与所述第二开口连接；和
在位于所述第一开口中的阴极上形成发射器。
28.权利要求27所述的方法，其中在所述第一绝缘层的形成中，通过在所述基板上涂布浆料状态的绝缘材料且然后以预定的形式构图所述材料，形成所述第一绝缘层。
29.权利要求28所述的方法，其中通过丝网印刷技术涂布浆料状态的所述绝缘材料。
30.权利要求27所述的方法，其中在所述阴极的形成中，通过在所述基板上沉积导电材料至预定的厚度以覆盖所述第一绝缘层且然后通过以条的形式构图所述材料，形成所述阴极。
31.权利要求27所述的方法，其中在所述阴极的形成中，位于所述第一开口中且小于所述第一开口的空腔形成于所述阴极中。
32.权利要求27所述的方法，其中在所述第二绝缘层的形成中，通过丝网印刷技术在所述基板上涂布浆料形态的绝缘材料且然后在预定的温度烧结所述材料，形成所述第二绝缘层。
33.权利要求27所述的方法，其中在所述金属材料层的形成中，通过溅射在所述第二绝缘层上沉积导电金属材料至预定的厚度形成所述金属材料层，且可以由部分蚀刻所述金属材料层形成所述孔。
34.权利要求27所述的方法，其中在所述第二绝缘层的蚀刻中，通过使用所述金属材料层作为蚀刻掩模蚀刻所述第二绝缘层。
35.权利要求27所述的方法，其中在所述栅电极的形成中，通过以条的形式构图所述金属材料层形成所述栅电极。
36.权利要求27所述的方法，其中所述发射器的形成包括：
在所述第一和第二开口的内部涂布所述碳纳米管光敏浆料；
在所述基板后辐射光以选择性地仅曝光位于所述第一开口中的阴极上的部分所述碳纳米管浆料；和
去除未曝光的剩余部分所述碳纳米管浆料以形成由所述保留的碳纳米管构成的发射器。
37.权利要求36所述的方法，其中所述基板由透明玻璃构成且所述阴极由氧化铟锡构成。
38.权利要求27所述的方法，其中所述发射器的形成包括：
在所述第一和第二开口的内部涂布光致抗蚀剂且构图所述光致抗蚀剂以仅在所述第一开口中的阴极表面上保留之；
在所述第一和第二开口的内部涂布碳纳米管浆料；
加热所述基板至预定的温度以通过所述光致抗蚀剂和所述碳纳米管浆料之间的热化学反应形成所述发射器；和
去除未经历热化学反应的部分所述碳纳米管浆料。
39.权利要求27所述的方法，其中所述发射器的形成包括：
在位于所述第一开口中的所述阴极的表面上形成催化金属层；和
通过向所述催化金属层提供含碳气体从所述催化金属层表面垂直生长碳纳米管以形成所述发射器。
40.权利要求27所述的方法，其中在所述发射器的形成中，所述发射器的高度形成得小于所述第一绝缘层的高度。
41.权利要求27所述的方法，其中所述第一开口、第二开口和第三开口具有四方形状。
42.权利要求41所述的方法，其中沿所述第一开口的两边形成所述发射器，且所述发射器具有棒状形状。
43.权利要求27所述的方法，其中所述第一开口、第二开口和第三开口具有圆形形状。
44.权利要求43所述的方法，其中所述发射器具有环形形状。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7622858B2 (en) 2006-01-16 2009-11-24 Industrial Technology Research Institute Planar light source generating apparatus

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050111708A (ko) * 2004-05-22 2005-11-28 삼성에스디아이 주식회사 전계방출 표시장치 및 그 제조방법
KR20050112450A (ko) * 2004-05-25 2005-11-30 삼성에스디아이 주식회사 절연층을 이용한 빔 집속 구조를 갖는 전자 방출 소자 및이를 채용한 전자방출 표시장치
KR20070044584A (ko) * 2005-10-25 2007-04-30 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 디바이스와 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
TWI267104B (en) * 2005-11-14 2006-11-21 Tatung Co Illumination module of field emission device
KR20070083112A (ko) * 2006-02-20 2007-08-23 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 디바이스와 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스
US20070247049A1 (en) * 2006-04-24 2007-10-25 General Electric Company Field emission apparatus
JP2008159449A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Canon Inc 表示装置
JP2009046668A (ja) * 2007-08-21 2009-03-05 Samsung Sdi Co Ltd 白色蛍光体、これを用いる発光装置、及び表示装置
JP5307766B2 (ja) * 2009-12-21 2013-10-02 韓國電子通信研究院 電界放出装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950008758B1 (ko) * 1992-12-11 1995-08-04 삼성전관주식회사 실리콘 전계방출 소자 및 그의 제조방법
JP2699827B2 (ja) * 1993-09-27 1998-01-19 双葉電子工業株式会社 電界放出カソード素子
US5552659A (en) 1994-06-29 1996-09-03 Silicon Video Corporation Structure and fabrication of gated electron-emitting device having electron optics to reduce electron-beam divergence
US5620832A (en) * 1995-04-14 1997-04-15 Lg Electronics Inc. Field emission display and method for fabricating the same
JPH10289650A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Sony Corp 電界電子放出素子及びその製造方法並びに電界電子放出型ディスプレイ装置
JP2000243218A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Nec Corp 電子放出装置及びその駆動方法
JP4228256B2 (ja) 1999-06-07 2009-02-25 ソニー株式会社 電子放出源およびその製造方法ならびに電子放出源を用いたディスプレイ装置
EP1061554A1 (en) * 1999-06-15 2000-12-20 Iljin Nanotech Co., Ltd. White light source using carbon nanotubes and fabrication method thereof
US20020036452A1 (en) * 1999-12-21 2002-03-28 Masakazu Muroyama Electron emission device, cold cathode field emission device and method for the production thereof, and cold cathode field emission display and method for the production thereof
KR100812873B1 (ko) * 2000-07-19 2008-03-11 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 전자방출소자, 그 제조방법 및 그것을 이용한 화상표시장치
JP2003016907A (ja) 2001-06-29 2003-01-17 Canon Inc 電子放出素子、電子源、画像形成装置及び電子放出素子の製造方法
JP2003016910A (ja) 2001-06-29 2003-01-17 Canon Inc 電子放出素子、電子源、画像形成装置及び電子放出素子の製造方法
JP2003016918A (ja) * 2001-07-03 2003-01-17 Canon Inc 電子放出素子、電子源及び画像形成装置
KR100463190B1 (ko) * 2002-06-12 2004-12-23 삼성에스디아이 주식회사 금속 메쉬 일체형 스페이서 구조체 및 이 구조체를 갖는평판 표시 소자
KR100859685B1 (ko) * 2002-07-03 2008-09-23 삼성에스디아이 주식회사 카본계 물질로 형성된 에미터를 갖는 전계 방출 표시 장치
KR100863952B1 (ko) * 2002-08-21 2008-10-16 삼성에스디아이 주식회사 카본계 물질로 형성된 에미터를 갖는 전계 방출 표시 장치
KR100943192B1 (ko) * 2003-11-25 2010-02-19 삼성에스디아이 주식회사 전계방출 표시소자 및 그 제조방법
KR20050051532A (ko) * 2003-11-27 2005-06-01 삼성에스디아이 주식회사 전계방출 표시장치
KR20050111708A (ko) * 2004-05-22 2005-11-28 삼성에스디아이 주식회사 전계방출 표시장치 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7622858B2 (en) 2006-01-16 2009-11-24 Industrial Technology Research Institute Planar light source generating apparatus

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