KR100859685B1 - 카본계 물질로 형성된 에미터를 갖는 전계 방출 표시 장치 - Google Patents

Abstract

제1 기판과, 이 제1 기판 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되는 캐소드 전극과, 제1 어퍼쳐를 가지고 상기 캐소드 전극 위에 형성되어 상기 캐소드 전극의 일부 표면이 노출되도록 하는 도전층과, 상기 제1 어퍼쳐와 관통되는 제2 어퍼쳐를 가지고 상기 도전층 위에 형성되는 절연층과, 상기 제2 어퍼쳐와 관통되는 제3 어퍼쳐를 가지고 상기 절연층 위에 형성되는 게이트 전극과, 상기 제1 어퍼쳐 내로 상기 캐소드 전극 위에 형성되는 에미터와, 상기 제1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되면서 이 제1 기판과 진공 용기를 형성하는 제2 기판 및 상기 제1 기판과 마주하는 상기 제2 기판의 일면에 형성되는 애노드 전극 및 상기 애노드 전극 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되는 형광층을 포함한다. 상기에서 제1 기판의 일 방향(X)에 따른 상기 제2 어퍼쳐의 길이(L₂) 및 제3 어퍼쳐의 길이(L₃)는 상기 제1 어퍼쳐의 길이(L₁)보다 크며, 상기 에미터는 하나의 단일체로 이루어진다.

탄소 나노튜브, 전계방출, FED, 에미터, 카본계, 전계

Description

카본계 물질로 형성된 에미터를 갖는 전계 방출 표시 장치{FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE HAVING CARBON-BASED EMITTER}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시 장치를 도시한 부분 단면도이다.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시 장치를 도시한 부분 평면도이다.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 방출 표시 장치의 에미터로부터 방출된 전자빔의 궤적을 알 수 있도록 컴퓨터 시뮤레이션하여 그 결과를 나타낸 도면이다.

도 4는 본 발명의 비교예로서 일반적인 3극관형 전계 방출 표시 장치의 에미터로부터 방출된 전자빔의 궤적을 알 수 있도록 컴퓨터 시뮤레이션하여 그 결과를 나타낸 도면이다.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시 장치를 도시한 부분 평면도이다.

도 6, 7은 본 발명의 변형예들에 따른 전계 방출 표시 장치를 도시한 부분 평면도이다.

본 발명은 전계 방출 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게 말하자면 카본계 물질로 이루어진 에미터를 갖는 전계 방출 표시 장치에 관한 것이다.

냉음극 전자를 전자 방출원으로 사용하여 이미지 형성을 하는 장치인 전계 방출 장치(FED; Field Emission Display)는, 전자 방출층인 에미터의 재료, 구조 등의 특성에 따라 장치 전체의 품질을 크게 좌우받게 된다.

초기의 전계 방출 표시 장치에 있어, 상기 에미터는 주로 몰리브덴(Mo)을 주 재질로 하는 이른바, 스핀드트(spindt) 타입의 금속 팁(또는 마이크로 팁)으로 형성되어 왔다.

그런데, 상기 금속 팁 형상의 에미터를 갖는 전계 방출 표시 장치에는 ① 에미터가 배치되는 극미세한 홀이 형성되어져만 하며, ② 몰리브덴을 증착하여 화면 전영역에서 균일한 금속 마이크로 팁을 형성시켜야만 하기 때문에 제조 공정이 복잡하고 고난도의 기술을 필요로 할뿐만 아니라 고가의 장비를 사용하여함에 따라 제품 제조 단가의 상승하는 문제점이 있어 대화면화하는데 제약이 있는 것으로 지적되어지고 있다.

이에 따라 전계 방출 표시 장치의 관련 업계에서는, 저전압의 구동 조건에서도 양질의 전자 방출을 얻을 수 있고 제조 공정도 간략히 하기 위해, 상기한 에미터를 평탄한 형상으로 형성하는 기술을 연구 개발하고 있다.

지금까지의 기술 동향에 의하면, 상기 평탄한 형상의 에미터로는 카본계 물 질 가령, 그라파이트(graphite), 다이아몬드(diamond), DLC(diamond like carbon), C₆₀(Fulleren) 또는 탄소 나노튜브(CNT; Carbon nanotube) 등이 적합한 것으로 알려져 있으며, 이 중 특히 탄소 나노튜브가 비교적 낮은 구동 전압에서도 전자 방출을 원활히 이룰 수 있어 전계 방출 표시 장치의 에미터로서 가장 이상적인 물질로 기대되고 있다.

한편, 상기 전계 방출 표시 장치가 캐소드, 애노드 및 게이트 전극들을 갖는 3극관의 구조로 이루어질 때에, 이 전계 방출 표시 장치는 대부분 상기 에미터가 배치되는 기판 상에 먼저 캐소드 전극을 형성하고, 이 위에 미세한 홀들을 갖는 절연층과 게이트 전극을 적층한 다음, 상기 홀들 안으로 에미터가 상기 캐소드 전극 위에 배치되도록 하는 구조를 갖는다.

그러나, 상기한 일반적인 3극관의 구조를 갖는 전계 방출 표시 장치는 그 실질적인 작용시, 색순도의 저하와 동시에 선명한 화질을 구현시키기가 어려운 문제점이 있다.

이러한 문제점은, 상기 에미터로부터 방출된 전자가 전자빔화되어 해당 형광체로 향할 때, 게이트 전극에 인가되는 전압(수∼수십 볼트의 + 전압)으로 인해 발산력이 강해져 전자빔이 퍼지게 됨에 따라 원하는 형광체뿐만 아니라 다른 형광체까지 발광시키게 되기 때문이다.

이를 개선하기 위하여, 하나의 형광체에 대응하는 에미터를 소면적화하여 이를 다수개로 구비함으로써, 상기 에미터로부터 발생된 전자빔의 퍼짐 현상을 최소 화하도록 하는 노력이 있으나, 이에는 정해진 크기 내에 상기 에미터를 양호하게 형성하는데 제약이 있을 뿐만 아니라 해당 형광체를 발광시키기 위한 에미터의 전체 면적이 작아지는 문제가 있고 또한 전자빔을 집속하는 것에도 그 효과가 완전하지 못한 문제점이 있다.

다른 한편으로 상기한 전자빔의 퍼짐 현상을 방지하기 위하여, 게이트 전극 주위에 전자짐의 포커싱을 위해 별도의 전극을 형성하여 전계 방출 표시 장치를 구성시키는 노력도 있었으나, 이에는 주로 에미터가 마이크로 팁 형상으로 이루어져 있는 경우였고, 이를 평판형 에미터를 갖는 구조에 적용하여도 만족할 만한 효과를 얻기가 어려운 문제점이 있다.

또 다른 한편으로, 미국 특허 번호 5,552,659 에서는, 에미터가 배치되는 기판측에 형성된 비절연층(non-insulating layer)의 두께 및 유전층(dielectric layer)의 두께의 비와, 상기 비절연층, 유전층 및 이 유전층 위에 형성되는 게이트 층을 관통하여 형성되는 구멍의 지름과 상기 비절연층의 두께의 비를 한정하여 전자빔의 발산을 줄이도록 한 전자 방출원의 구조를 개시하고 있으나, 이 기술에서 상기한 전자 방출원은, 하나의 화소에 대응하여 다수개로 형성되는 상기 구멍 내에 미세 구조를 이루어 다수개로 형성됨에 따라 그 구조가 대단히 복잡하여 제조하기 어려울뿐더러, 실질적으로 제조될 때에는 구조상으로 공간적 제약을 받게 되므로 하나의 화소에 대응하는 에미터의 수 또는 그 면적을 최대화하는데 한계를 가지게 되어 적용된 전계 방출 표시 장치가 고해상도화에 저해 요인으로 작용하며, 장시간 구동시에는 증가되는 부하로 인해 수명이 단축되는 단점을 가질 수 있다.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 간단한 구조로 이루어진 전자 방출원을 가지면서 상기 전자 방출원으로부터 생성된 전자빔이 발산되는 것을 줄일 수 있는 전계 방출 표시 장치를 제공함에 있다.

이에 본 발명에 따른 전계 방출 표시 장치는,

제1 기판과, 이 제1 기판 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되는 캐소드 전극과, 제1 어퍼쳐를 가지고 상기 캐소드 전극 위에 형성되어 상기 캐소드 전극의 일부 표면이 노출되도록 하는 도전층과, 상기 제1 어퍼쳐와 관통되는 제2 어퍼쳐를 가지고 상기 도전층 위에 형성되는 절연층과, 상기 제2 어퍼쳐와 관통되는 제3 어퍼쳐를 가지고 상기 절연층 위에 형성되는 게이트 전극과, 상기 제1 어퍼쳐 내로 상기 캐소드 전극 위에 형성되는 에미터와, 상기 제1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되면서 이 제1 기판과 진공 용기를 형성하는 제2 기판 및 상기 제1 기판과 마주하는 상기 제2 기판의 일면에 형성되는 애노드 전극 및 상기 애노드 전극 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되는 형광층을 포함한다.

상기에서 제1 기판의 일 방향(X)에 따른 상기 제2 어퍼쳐의 길이(L₂) 및 제3 어퍼쳐의 길이(L₃)는 상기 제1 어퍼쳐의 길이(L₁)보다 크다. 또한, 상기 에미터는 하나의 단일체로 이루어지는 바, 이 에미터는 탄소 나노 튜브로 이루어지는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어, 상기 도전층은 상기 캐소드 전극의 양 가장자리를 따라 배치되면서 그 사이에 상기 제1 어퍼쳐를 형성하며, 이는 불투명한 재질로 이루어짐이 바람직하다.

또한, 본 발명에 있어, 상기 제2 어퍼쳐의 길이(L₂)와 제3 어퍼쳐의 길이(L₃)는 동일하게 이루어지며, 상기 제1 어퍼쳐, 제2 어퍼쳐, 제3 어퍼쳐 및 에미터는 상기 일 방향(X)에 수직 상태로 교차하는 방향(Y)을 따라 길게 확장된 종장형으로 이루어진다. 더욱이, 상기 형광층은, 상기 일 방향(X)에 수직 상태로 교차하는 방향(Y)을 따라 길게 확장된 종장형의 R,G,B 형광체들로 이루어진다.

뿐만 아니라, 본 발명에 있어 상기 에미터는 상기 전계 방출 표시 장치의 하나의 화소에 대하여 다수개로 대응하여 형성될 수 있으며, 이 때, 상기 게이트 전극은 상기 다수개의 에미터에 대응하여 분할 형성될 수 있다.

이하, 본 발명을 명확히 하기 위한 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참고하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 전계 방출 표시 장치를 도시한 부분 단면도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의한 전계 방출 표시 장치에 있어 제1 기판 위에 형성된 구성 요소를 설명하기 위해 도시한 부분 평면도이다.

도시된 바와 같이, 상기 전계 방출 표시장치는 임의의 크기를 갖는 제1 기판(또는 하부 글라스 기판, 이하 편의상 하부 글라스 기판이라 칭한다.)(2)과 제2 기판(또는 상부 글라스 기판, 이하 편의상 상부 글라스 기판이라 칭한다.)(4)을 내부 공간부가 형성되도록 소정의 간격을 두고 실질적으로 평행하게 배치하여 장치의 외관인 진공 용기를 형성하고 있다.

상기에서 하부 글라스 기판(2) 상에는 전계 방출을 이룰 수 있는 구성이, 상기 상부 글라스 기판(4) 상에는 상기 전계 방출에 의해 방출된 전자들에 의해 소정의 이미지를 구현할 수 있는 구성이 이루어지는 바, 이의 구성에 대한 구체적인 내용은 아래와 같다.

먼저 상기 하부 글라스 기판(2) 위에는 소정의 패턴 가령, 스트라이트 형상을 취하는 복수의 캐소드 전극들(6)이 임의의 간격을 두고 상기 하부 글라스 기판(2)의 일 방향(Y)을 따라 형성된다. 상기 각 캐소드 전극(6) 위에는 이 캐소드 전극(6)과 전기적으로 통하는 불투명한 도전층(8)이 상기 캐소드 전극(6)의 양 가장자리에 이 캐소드 전극(6)의 길이 방향을 따라 형성되는 바, 이 때, 이 양 도전층(8)은 그 사이에 상기 일 방향(Y)에 대해 수직 상태로 교차하는 방향(X)으로 소정의 길이(L₁)를 갖는 제1 어퍼쳐(8a)를 형성하고 있다. 본 실시예에서 상기 캐소드 전극(6)과 상기 도전층(8)은 하나의 캐소드 전극 라인으로서 기능하게 된다.

또한, 상기 도전층들(8)의 위에는 이 도전층들(8)을 덮으면서 상기 하부 글라스 기판(2) 상에 전체적으로 배치되는 절연층(10)이 형성되는 바, 이 절연층(10)은 도 1을 통해 알 수 있듯이, 상기 도전층들(8)의 윗부분 뿐만 아니라 상기 도전층들(8)의 사이로 상기 하부 글라스 기판(2) 위에도 형성된다. 여기서 상기 절연층(10)은 그 절연 기능을 위해 하여 충분한 두께를 확보하는 것이 바람직하다.

이러한 상기 절연층(10) 상에는 상기 제1 어퍼쳐(8a)와 관통되는 제2 어퍼쳐(10a)가 다수개로 형성되는데, 본 실시예에서 이 제2 어퍼쳐(10a)는 도 2를 통해 알 수 있듯이, 상기한 Y 방향을 따라 길게 확장된 종장형의 사각형으로 이루어지며, 상기 X 방향에 따른 길이(L₂)를 상기 제1 어퍼쳐(8a)의 길이(L₁)보다 크게 하고 있다.

또한, 상기 절연층(10) 위에는, 상기 제2 어퍼쳐(10a)와 동일한 형상을 이루면서 이 제2 어퍼쳐(10a)는 물론, 상기 제1 어퍼쳐(8a)와 관통되도록 배치되는 제3 어퍼쳐(12a)를 다수개로 갖는 게이트 전극(12)이 다수개 형성된다. 이 때, 이 게이트 전극(12)은, 소정의 간격을 두고 상기 X 방향을 따라 스트라이프 패턴을 이루면서 형성된다.

더욱이, 상기 제1 어퍼쳐(8a) 내로 상기 캐소드 전극(6) 위에는, 상기 도전층(8)보다 얇은 두께를 갖는 평탄한 형태의 에미터(14)가 형성된다. 이 에미터(14)는 상기 캐소드 전극(6), 도전층(8) 및 게이트 전극(12)으로 인가되는 전압에 의해 형성되는 전계 방출에 따라 전자를 방출하게 되는데, 본 실시예에서 이는 카본계 물질 특히, 탄소 나노 튜브로 이루어지고 있다.

또한, 본 실시예에 있어, 상기 에미터(14)는 상기 제1 어퍼쳐(8a) 내에 하나의 단일체 구성으로 이루어지며, 그 형상은 상기 제2,3 어퍼쳐(10a,12a)와 마찬가지로 상기 Y 방향으로 길게 확장된 종장형으로 이루어지고 있다 (도 2 참조).

이러한 상기 에미터(14)는, 상기 전계 방출 표시 장치의 제조시, 감광성 카본 나노 튜브 페이스트를 이용한 포토레지스법에 의해 형성될 수 있는데, 여기서 상기 에미터(14)의 형성을 위한 노광은, 도 1을 기준으로 보았을 때, 상기 하부 글라스 기판(2)의 외부로부터 상기 에미터(14)를 향한 방향으로 진행되며, 이 때, 상기 불투명한 상기 도전층(8)은, 상기의 에미터(14)의 패턴 형성을 위한 마스크로서 기능하게 된다.

물론, 본 발명에 있어, 상기 에미터(14)를 형성하기 위한 제조 방법은, 상기한 방법에 국한되지 않고, 에칭법, 도금법 등 다양한 방법을 통해 제조 가능하다.

이와 같이 이루어지는 상기 하부 글라스 기판(2) 상의 구성에 비해, 상기 상부 글라스 기판(4) 상에는, ITO로 이루어지는 애노드 전극(16)이 형성되고 이 애노드 전극(16) 위에는 R,G,B 형광체들로 이루어진 형광층(18)이 형성된다. 본 실시예에서 상기 형광층(18)을 이루는 R,G,B 형광체들은 상기 캐소드 전극들(6)에 대응하는 방향(Y)을 따라 길게 확장된 종장형의 패턴을 갖는다.

더욱이, 상기 상부 글라스 기판(4) 상에는, 상기 형광층(18) 사이로 컨트라스트 향상을 위해 블랙 매트릭스(20)가 형성되며, 상기 형광층(18)과 블랙 매트릭스(20) 위에는 알루미늄 등으로 이루어진 금속 박막층(도시되지 않음)이 형성될 수 있는데, 이 금속 박막층은 상기 전계 방출 표시 장치의 내전압 특성 및 휘도 특성 향상에 도움을 줄 수 있다.

상기한 배면 기판(2)과 전면 기판(4)은, 상기 에미터들(14)과 형광층(18)이 마주보도록 임의의 간격을 두고 배치되며, 그 둘레에 도포되는 실링 물질(도시되지 않음)에 의해 부착됨으로써 한 몸을 이루게 된다. 이 때, 상기 양 기판들(2),(4) 사이로 비화소 영역에는 상기 양 기판 사이의 간격을 유지시켜주기 위한 스페이서(22)가 배치된다.

이에 상기와 같이 구성되는 상기 전계 발광 표시장치는, 그 외부로부터 상기 캐소드 전극(6), 게이트 전극(12) 및 애노드 전극(16)으로 소정의 전압(상기 캐소드 전극으로는 수∼수십 볼트의 -전압, 상기 게이트 전극으로는 수∼수십 볼트의 + 전압. 상기 애노드 전극으로는 수백∼수천 볼트의 + 전압이 인가되고 상기 도전층으로는 상기 캐소드 전극에 인가되는 같은 전압이 인가된다.)을 인가받게 되면, 상기 게이트 전극(6)과 상기 도전층(8) 및 캐소드 전극(6) 사이로 전계를 형성하면서 상기 에미터(14)로부터 전자들을 방출하고, 이 방출된 전자들을 전자빔화하여 상기 형광층(18)으로 유도함으로써 이 형광층(18)을 타격, 이 때, 발생되는 빛으로 소정의 이미지를 구현하게 된다.

상기한 전계 방출 표시 장치의 작용시, 상기 도전층(8)은, 상기 에미터(14)의 가장자리로부터 방출된 전자들에 의한 전자빔이 상기 형광층(18)을 향해 진행할 때, 발산되는 것을 억제하는 역할을 하게 되는데, 도 3은 본 발명의 발명자가 상기한 구성을 갖는 전계 방출 표시 장치에 대해 컴퓨터 시뮤레이션을 통해 얻은 도면으로서, 이를 통해 상기 에미터(14)로부터 방출되어 상기 형광층(18)으로 주사되는 전자빔의 궤적을 알 수 있다.

도시된 바와 같이 본 발명에 따라 상기 에미터(14)로부터 방출된 전자빔(E/B)은, 도 4에 도시한 바와 같이, 종래에 본 발명과 같은 도전층을 포함하 지 않고, 에미터 또한 하나의 화소에 대응하여 단일체로 형성하지 않으면서 미세 구조로 다수개 배치하고 있는 전계 방출 표시 장치로부터 생성된 전자빔(E/B)보다 상기 형광층(18)으로 향해 발산되는 범위를 줄이면서 주사되고 있음을 알 수 있다.

이러한 현상은, 전술한 바와 같이 상기 에미터(14)로부터 방출되는 전자들, 특히 상기 에미터(14)의 양 가장자리로부터 방출되는 전자들이 상기 에미터(14)를 사이에 두고 상기 양 도전층들(8)이 형성하는 전계에 의해 영향을 받아 발산됨을 억제하기 때문에 일어난다고 볼 수 있다.

이에 본 발명의 전계 방출 표시 장치는, 상기한 결과에 따라 하나의 에미터(14)로부터 방출된 전자빔이 지정된 형광층이 아닌 타색의 형광층을 타격하여 이를 발광시키게 됨을 방지하면서 대응하는 형광층(18)을 향해 보다 집중하여 이를 발광시킬 수 있게 된다.

다음으로는 본 발명의 다른 실시예들에 대해서 설명하기로 한다. 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전계 방출 표시 장치를 도시한 부분 평면도이다. 이 실시예에 따른 전계 방출 표시 장치는, 하나의 화소(40)에 대응하는 에미터(42)를 전술한 제1 실시예에와는 달리 분할하여(예: 2개) 구성되고 있다.

여기서 상기 에미터(42)가 분할된다는 것 이외에 상기 전계 방출 표시 장치의 다른 구성은 상기한 제1 실시예와 동일하게 이루어지므로, 그 설명은 생략하기로 한다.

이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고 특허 청구의 범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도 면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하는 실시하는 것이 가능하고, 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

가령, 상기 도전층은 본 발명에 있어 도 6에 도시한 바와 같이, 불투명한 절연층(80)과 이 절연층(80)의 표면에 형성되는 박막의 금속층(82)을 포함하여 형성될 수 있다. 이와 같이 형성되는 도전층(8)은, 상기 금속층(82)에 의해 도전층의 기본적인 역할을 할 수 있는 반면, 상기 전계 방출 표시 장치의 제조 공정시, 상기 절연층의 홀을 에칭 공정으로 형성할 경우, 전술한 실시예에서는 상기 도전층이 상기 절연층의 홀을 형성하기 위한 에칭액의 영향을 받아 소실되어 그 형상이 불완전하게 형성될 우려가 있으나, 상기 도전층(8)에 있어서는 상기 금속층(82)이 상기 에칭액에 대해 일종의 보호막을 역할을 할 수 있게 되므로, 그 형상이 불완전하게 형성되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 절연층의 제2 어퍼쳐는 상기한 길이를 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 전극의 제3 어퍼쳐의 길이보다 작게 형성될 수도 있다. 이러한 구조에 따라 상기 제3 어퍼쳐의 길이가 상기 제2 어퍼쳐의 길이보다 크게 되면, 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극 사이의 경로를 멀리 할 수 있게 되므로, 내전압 특성 향상에 이점을 가질 수 있게 된다.

이와 같이 본 발명에 의한 전계 방출 표시 장치는, 에미터가 하나의 화소에 대응하여 캐소드 전극 위에 형성되는 구조를 간단히 하면서도, 그로부터 발생된 전자빔이 원하는 화소의 형광층만에 유효적으로 도달되어 이를 타격할 수 있도록 하 게 된다.

이에 따라 본 발명의 전계 방출 표시 장치는, 타색 침범으로 인한 색순도 저하를 방지할 수 있게 되고, 하나의 단일체로 형성되는 에미터의 구조로 인해 보다 많은 양의 전자들을 해당 형광층으로 보낼 수 있어 고화질의 영상을 구현시킬 수 있게 된다.

또한, 본 발명의 전계 방출 표시 장치는, 대면적화된 에미터로 인해 장시간 구동시에 그 수명에 신뢰성을 확보할 수 있으며, 하나의 화소에 분할 배치된 에미터의 구조에 따라 고해상도의 이점도 가질 수 있어, 디지털 매체로서 소비자에게 양질의 화상을 제공할 수 있게 된다.

Claims (16)

1. 제1 기판과;

   이 제1 기판 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되는 캐소드 전극과;

   제1 어퍼쳐를 가지고 상기 캐소드 전극 위에 형성되어 상기 캐소드 전극의 일부 표면이 노출되도록 하는 도전층과;

   상기 제1 어퍼쳐와 관통되는 제2 어퍼쳐를 가지고 상기 도전층 위에 형성되는 절연층과;

   상기 제2 어퍼쳐와 관통되는 제3 어퍼쳐를 가지고 상기 절연층 위에 형성되는 게이트 전극과;

   상기 제1 어퍼쳐 내로 상기 캐소드 전극 위에 형성되는 에미터와;

   상기 제1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되면서 이 제1 기판과 진공 용기를 형성하는 제2 기판; 및

   상기 제1 기판과 마주하는 상기 제2 기판의 일면에 형성되는 애노드 전극 및 상기 애노드 전극 위에 임의의 패턴을 가지고 형성되는 형광층

   을 포함하고,

   상기 에미터가 하나의 단일체로 이루어지고,

   상기 제1 기판의 일 방향(X)에 따른 상기 제2 어퍼쳐의 길이(L₂) 및 제3 어퍼쳐의 길이(L₃)가 상기 제1 어퍼쳐의 길이(L₁)보다 큰, 전계 방출 표시 장치.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 도전층이 상기 캐소드 전극의 양 가장자리를 따라 배치되면서 그 사이에 상기 제1 어퍼쳐를 형성하는 전계 방출 표시 장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 도전층이 불투명한 전계 방출 표시 장치.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 도전층이 불투명한 절연층과, 이 절연층의 표면에 형성되는 박막의 금속층을 포함하는 전계 방출 표시 장치.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 제2 어퍼쳐의 길이(L₂)와 제3 어퍼쳐의 길이(L₃)가 동일한 전계 방출 표시 장치.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 제2 어퍼쳐의 길이(L₂)가 제3 어퍼쳐의 길이(L₃)보다 작은 전계 방출 표시 장치.
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 제1 어퍼쳐, 제2 어퍼쳐, 제3 어퍼쳐 및 에미터가 상기 일 방향(X)에 수직 상태로 교차하는 방향(Y)을 따라 길게 확장된 종장형으로 이루어진 전계 방출 표시 장치.
9. 제 1 항에 있어서,

   상기 형광층이 상기 일 방향(X)에 수직 상태로 교차하는 방향(Y)을 따라 길게 확장된 종장형의 R,G,B 형광체들로 이루어진 전계 방출 표시 장치.
10. 제 1 항에 있어서,

    상기 에미터가 탄소 나노 튜브로 이루어진 전계 방출 표시 장치.
11. 제 1 항에 있어서,

    상기 에미터가 상기 전계 방출 표시 장치의 하나의 화소에 대하여 다수개로 대응하여 형성되는 전계 방출 표시 장치.
12. 제 11 항에 있어서,

    상기 게이트 전극이 상기 다수개의 에미터에 대응하여 분할 형성되는 전계 방출 표시 장치.
13. 삭제
14. 삭제
15. 제1 기판과;

    이 제1 기판 위에 임의의 간격을 두고 상기 제1 기판의 일 방향(Y)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되는 복수의 캐소드 전극들과;

    상기 각 캐소드 전극들 위에 이 캐소드 전극의 양 가장 자리를 따라 배치되면서 그 사이에 제1 어퍼쳐를 형성하는 불투명한 도전층들과;

    상기 제1 어퍼쳐와 관통되는 다수개의 제2 어퍼쳐들을 포함하며 상기 도전층들 위에 소정의 두께를 가지고 형성되고, 상기 일 방향(Y)에 수직 상태로 교차하는 방향(X)에 따른 상기 제2 어퍼쳐의 길이(L₂)를 상기 제1 어퍼쳐의 길이(L₁)보다 크게 하는 절연층과;

    상기 제2 어퍼쳐들과 관통하는 다수개의 제3 어퍼쳐를 가지고 상기 절연층 위에 임의의 간격을 두고 상기 X 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되는 복수의 게이트 전극들과;

    상기 Y 방향을 따라 길게 확장된 종장형으로 형성되면서 상기 각 제1 어퍼쳐 내로 상기 캐소드 전극 위에 배치되는 다수개의 에미터들과;

    상기 제1 기판과 임의의 간격을 두고 배치되면서 이 제1 기판과 진공 용기를 형성하는 제2 기판과;

    상기 제1 기판과 마주하는 상기 제2 기판의 일면에 형성되는 애노드 전극 및

    상기 Y 방향을 따라 길게 확장된 종장형의 패턴을 가지고 상기 각 에미터에 대응하여 상기 애노드 전극 위에 형성되는 R,G,B 형광체를 포함하는 형광층

    을 포함하는

    전계 방출 표시 장치.
16. 제 15 항에 있어서,

    상기 에미터가 탄소 나노 튜브로 이루어진 전계 방출 표시 장치.

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