KR20060124209A - 전자 방출 소자와 이의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 소자는 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과, 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극들 상부에 형성되는 게이트 전극들과, 상기 캐소드 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과, 상기 제1 기판에 대향하는 상기 제2 기판의 일면에 형성되는 발광 유닛을 포함한다. 여기서, 상기 절연층과 상기 게이트 전극들은 각각 전자빔 통과를 위한 개구부를 구비하고, 상기 캐소드 전극들은 상기 개구부에 의해 노출된 소정 영역에서 복수개의 비아 홀들을 형성하며, 상기 전자 방출부들은 상기 비아 홀들을 채우며 형성된다.

전자 방출 소자, 캐소드 전극, 전자 방출부, 비아 홀

Description

전자 방출 소자와 이의 제조 방법 {ELECTRON EMISSION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 분해 사시도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 단면도이다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 단면도이다.

도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 단계에서의 개략도이다.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 단계에서의 개략도이다.

본 발명은 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 구동 전극들에 의해 전자 방출이 제어되는 전자 방출부를 구비한 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 전자 방출 소자는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(field emitter array; FEA)형, 표면 전도 에미션(surface-conduction emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(metal-insulator-metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(metal-insulator-semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.

이 가운데 상기 FEA형 전자 방출 소자는 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비(aspect ratio)가 큰 물질을 전자원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로서, 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물이나, 카본 나노튜브, 흑연, 다이아몬드상 카본과 같은 카본계 물질을 전자원으로 적용한 예가 개발되고 있다.

통상의 FEA형 전자 방출 소자는 진공 용기를 구성하는 두 기판 중 제1 기판 위에 전자 방출부가 형성되고, 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들로 서 캐소드 전극과 게이트 전극이 형성되며, 제1 기판에 대향하는 제2 기판의 일면에 형광층과 더불어 제1 기판 측에서 방출된 전자들이 형광층을 향해 양호하게 가속되도록 하는 애노드 전극이 마련된 구성으로 이루어진다.

캐소드 전극은 전자 방출부와 전기적으로 연결되어 전자 방출에 필요한 전류를 전자 방출부에 공급하는 역할을 한다. 게이트 전극은 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극과 절연되어 위치하며, 캐소드 전극과의 전압 차이를 이용해 전자 방출부 주위에 전계를 형성함으로써 전자 방출을 제어하는 역할을 한다.

상기한 FEA형 전자 방출 소자에 있어서, 중요한 평가 특성 가운데 하나로 화소간 발광 균일도를 들 수 있다. 화소간 발광 균일도는 제1 기판 상에 설정되는 화소 영역들에서 전자 방출이 균일하게 이루어질 때 얻어진다.

그런데, 전자 방출 소자를 제작할 때, 제조 공차로 인하여 모든 화소에서 각 전자 방출부의 형상 정밀도를 우수하게 확보하기 어려운 점이 있다. 전자 방출부를 형성하는 방법에는 직접 성장, 화학기상증착, 스크린 인쇄 등이 있는데, 특히 전자 방출부를 형성하는 방법 중 스크린 인쇄와 같은 후막 공정은 제조가 용이하고 대면적 소자 제작에 유리한 장점이 있으나, 다른 제조 방법에 비해 전자 방출부의 형상 정밀도가 우수하지 못한 단점이 있다.

이에 모든 화소들에서 구동 조건이 동일하게 설정되더라도 전자 방출부의 크기, 형상, 두께 등, 전자 방출부의 형상 특성에 따라 화소별 전자 방출량에 차이가 발생하게 되고, 이에 따라 화소별 발광 균일도가 저하된다. 이러한 문제는 게이트 전극에 형성되는 각각의 개구부에 대응하여 하나의 전자 방출부가 배치되는 경우 더욱 심각하게 나타난다.

한편, 스크린 인쇄와 같은 후막 공정으로 형성되는 전자 방출부는 일반적으로 전자 방출 물질이 포함된 혼합물을 기판 위에 전면 도포한 후, 전자 방출부가 형성될 부위를 노광을 통해 선택적으로 경화시키고, 경화되지 않은 혼합물을 현상을 통해 제거하는 단계를 거쳐 완성된다. 이때, 혼합물을 노광시키는 단계에서는 광 투과부와 광 차단부를 구비한 별도의 노광 마스크가 필요하며, 노광 공정 전에 노광 마스크와 제1 기판을 정밀하게 얼라인시켜야 하는 부가 공정이 요구된다.

따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 화소간 전자 방출 균일도를 개선하고, 복잡한 공정의 추가 없이 용이하게 전자 방출부를 형성할 수 있는 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법을 제공함에 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 상기 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과, 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극들 상부에 형성되는 게이트 전극들과, 상기 캐소드 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과, 상기 제1 기판에 대향하는 상기 제2 기판의 일면에 형성되는 발광 유닛을 포함한다. 여기서, 상기 절연층과 상기 게이트 전극들은 각각 전자빔 통과를 위한 개구부를 구비하고, 상기 캐소드 전극들은 상기 개구부에 의해 노출된 소정 영역에서 복수개의 비아 홀들을 형성하며, 상기 전자 방출부들은 상기 비아 홀들을 채우며 형성된다.

또한, 상기 캐소드 전극은 불투명 도전층으로 형성된다.

또한, 상기 캐소드 전극은 투명 전극층과 불투명 전극층으로 이루어질 수 있으며, 이때 상기 비아 홀은 불투명 전극층에 형성될 수 있다.

그리고, 상기의 전자 방출 소자를 제공하기 위하여, 본 발명은 기판 위에 불투명 도전층을 형성하는 단계와, 상기 불투명 도전층에 비아 홀들을 형성함과 아울러 상기 불투명 도전층을 패터닝하여 캐소드 전극을 형성하는 단계와, 상기 캐소드 전극 위에 상기 비아 홀들을 상기 기판 상에 노출시키는 개구부를 각각 구비한 절연층과 게이트 전극을 형성하는 단계 및 상기 비아 홀들에 전자 방출 물질을 채워 전자 방출부들을 형성하는 단계를 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법을 제공한다.

특히, 상기 캐소드 전극이 복층구조로 이루어지는 경우, 본 발명은 기판 위에 투명 도전층과 불투명 도전층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 불투명 도전층에 비아 홀들을 형성하는 단계와, 상기 투명 도전층과 불투명 도전층을 패터닝하여 캐소드 전극을 형성하는 단계와, 상기 캐소드 전극 위에 상기 비아 홀들을 상기 기판상에 노출시키는 개구부를 각각 구비한 절연층과 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 비아 홀들에 전자 방출 물질을 채워 전자 방출부들을 형성하는 단계를 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법을 제공한다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1과 도 2는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 분해 사시도와 부분 단면도이다.

도면을 참고하면, 전자 방출 소자는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 이 기판들 중 제1 기판(2)에는 전자 방출을 위한 전자 방출 유닛이 제공되고, 제2 기판(4)에는 전자에 의해 가시광을 방출하여 임의의 발광 또는 표시를 행하는 발광 유닛이 제공된다.

보다 구체적으로, 제1 기판(2) 위에는 캐소드 전극들(6)이 제1 기판(2)의 일 방향(도면의 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(6)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 절연층(8)이 형성된다. 절연층(8) 위에는 게이트 전 극들(10)이 캐소드 전극(6)과 직교하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.

본 실시예에서 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 절연층(8)에 각 화소 영역마다 적어도 하나 이상의 제1 개구부(8a)가 형성되고, 게이트 전극(10)에 상기 제1 개구부(8a)와 대응하는 제2 개구부(10a)가 각각 형성된다. 그리고, 상기 제1,2 개구부(8a,10a)에 노출되는 캐소드 전극(6)의 소정 영역에 복수개의 비아 홀들(6a)이 형성된다.

그리고, 도 2에 도시한 바와 같이 전자 방출부(12)들이 캐소드 전극(6)에 형성된 비아 홀(6a)을 채우며 형성된다. 즉, 상기 제1,2 개구부(8a,10a)에 의해 노출되는 캐소드 전극(6)의 소정 영역 내에는 전자 방출부(12)가 형성될 개수에 상응하는 비아 홀들(6a)이 형성되며, 이 비아 홀들(6a) 내에 전자 방출부(12)가 채워지며 형성된다. 또한, 상기 전자 방출부(12)들은 상기 비아 홀(6a) 보다 높게 돌출 형성되어 전자 방출부(12)의 윗면 가장자리가 게이트 전극(10)을 향해 노출되도록 한다.

이 비아 홀(6a)의 개수는 의도하는 전자 방출량에 맞추어 다양하게 조절될 수 있으며, 비아 홀(6a)의 형상도 도면에서 원형으로 도시되어 있으나, 다각형과 같이 여러 가지 형상으로 변형될 수 있다.

또한, 비아 홀(6a)은 소정 영역 내에 대칭적 구조와 같이 규칙적으로 배치될 수 있을 뿐만 아니라 불규칙적으로 배치될 수 있다. 요컨대, 비아 홀(6a)의 평면 형상과 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않으며, 다양하게 변경될 수 있다.

또한, 상기 캐소드 전극(6)은 불투명한 도전물질을 포함하여 형성되는데, 이는 전자 방출부를 형성하는 과정에서 상기 비아 홀(6a)을 구비하는 캐소드 전극(6)을 노광 마스크로 사용하기 위함이다. 이에 대하여는 후술하도록 한다.

상기 전자 방출부(12)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카본계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(12)로 사용 바람직한 물질로는 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질이 있으며, 전자 방출부(12)의 제조법으로는 직접 성장, 스크린 인쇄, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 적용할 수 있다.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 소자는 도시하지는 않았지만, 집속 전극이 더욱 형성될 수 있다. 이때, 집속 전극 역시 제1 기판 상에 전자 방출부가 노출되도록 하는 개구부를 형성하는데, 상기 개구부는 일례로 화소 영역당 하나가 구비되어 집속 전극이 한 화소에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속하도록 할 수 있다.

그리고, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(14)과 흑색층(16)이 형성되고, 형광층(14)과 흑색층(16) 위로는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어지는 애노드 전극(18)이 형성된다. 애노드 전극(18)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광층(14)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2) 을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.

한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 인듐 틴 옥사이드 (Indium Tin Oxide, ITO)와 같은 투명한 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판을 향한 형광층과 흑색층의 일면에 위치하며, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다.

전술한 제1 기판(2)과 제2 기판(4)은 그 가장자리가 프릿 바와 같은 밀봉재(도시하지 않음)에 의해 일체로 접합된 후 내부가 배기되어 진공 용기를 구성한다. 이때 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 진공 용기에 의해 가해지는 압축력을 지지하기 위한 스페이서들(20)이 배치된다. 이 스페이서들(20)은 흑색층(16)이 위치하는 비발광 영역에 대응하여 배치된다.

상기 구성의 전자 방출 소자는 외부로부터 캐소드 전극(6), 게이트 전극(10) 및 애노드 전극(18)에 소정의 전압을 공급하여 구동하는데, 일례로 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)에는 수 내지 수십 볼트의 전압 차를 갖는 구동 전압이 인가되고, 애노드 전극(18)에는 수백 내지 수천 볼트의 (+)전압이 인가된다.

따라서, 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)간 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(12) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출되고, 방출된 전자들은 애노드 전극(18)에 인가된 고전압에 이끌려 대응되는 형광층(14)에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.

이때, 본 실시예에 따른 전자 방출 소자는 제1,2 개구부(8a,10a) 내측에 복 수개의 전자 방출부(12)가 형성되어 있기 때문에, 이 복수개 전자 방출부들의 윗면 가장자리에 전계가 집중되어 전자 방출량이 증가하게 되고, 이에 따라 전자빔 궤적이 조밀해져 발광 충실도가 향상된다.

또한, 본 실시예에 따른 전자 방출 소자는 제1,2 개구부(8a,10a) 내측에 위치하는 전자 방출부들(12)의 형상 정밀도가 우수하지 않은 경우에라도 복수개의 전자 방출부들(12)에서 전자가 동시에 방출되므로 제1 기판 상에 설정되는 화소 영역들에서 전자 방출량을 균일하게 제어할 수 있다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 단면도로서, 본 실시예에 따른 전자 방출 소자는 캐소드 전극을 복층 구조로 형성한다. 본 실시예는 캐소드 전극구조를 제외하면 전술한 실시예와 동일한 구조를 가지므로 반복되는 설명은 제외하고, 동일한 구조는 편의상 동일한 부호를 사용하기로 한다.

본 실시예에서 캐소드 전극(7)은 ITO와 같은 투명 전극층(7a) 위에 불투명 전극층(7b)이 적층되는 구조로 이루어지며, 비아 홀(7c)은 불투명 전극층(7b)에만 형성된다. 비아 홀(7c)은 투명 전극층(7a)에 형성되어도 관계없으나, 투명 전극층(7a)은 광을 투과시킬 수 있으므로 비아 홀(7c)이 반드시 형성될 필요는 없다. 이 불투명 전극층(7b)은 금속으로 형성될 수 있다.

이와 같이, 캐소드 전극을 투명 전극층(7a)과 불투명 전극층(7b)으로 형성하면, 전자 방출부(12)가 불투명 전극층(7b)에 형성된 비아 홀(7c)의 측면뿐만 아니라 하부에 형성된 투명 전극층(7a)과도 접촉하여 접촉 면적이 증대되고, 이에 따라 접촉 저항이 감소되어 전자 방출량이 증대된다. 또한, 본 실시예에서 불투명 전극 층(7b)은 투명 전극층(7a)의 라인 저항을 감소시켜 준다.

다음으로, 도 4a 내지 도 4f를 참고하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법을 설명한다.

먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이 제1 기판(2) 위에 불투명 도전층(5)을 전면(全面) 코팅한다.

다음으로, 도 4b에 도시된 바와 같이 상기 불투명 도전층(5)에 비아 홀들(6a)을 형성하고, 상기 불투명 도전층(5)을 스트라이프 형상으로 패터닝하여 캐소드 전극(6)을 형성한다.

그 다음으로, 도 4c에 도시된 바와 같이, 제1 기판(2) 전체에 절연 물질을 도포하여 절연층(8)을 형성한 후 절연층(8) 위에 다시 도전막(9)을 코팅한다.

그리고, 도 4d에 도시된 바와 같이, 마스크층(도시하지 않음)을 이용하여 도전막(9)에 제2 개구부(10a)를 형성한다. 이후 제1 기판(2)을 식각액에 담가 제2 개구부(10a)에 의해 노출된 절연층(8) 부위를 식각하여 절연층(8)에 제1 개구부(8a)를 형성한 후에 도전막(9)을 스트라이프 형상으로 패터닝하여 게이트 전극(10)을 완성시킨다.

그 다음으로, 도 4e에 도시된 바와 같이, 전자 방출 물질과 감광성 물질을 포함하는 페이스트상 혼합물(11)을 제조하고, 이를 제1 기판(2)에 제공된 구조물 위 전체에 도포한다. 그 후 제1 기판(2)의 후면에 자외선(화살표로 도시)을 조사하여 혼합물을 선택적으로 경화시킨다. 이때, 자외선은 캐소드 전극(6)에 형성된 비아 홀(6a)을 통과하여 그 부위의 혼합물을 선택적으로 경화시킨다.

이와 같이 캐소드 전극(6)의 비아 홀(6a)이 노광 마스크의 광 투과부 역할을 대신하므로 본 발명에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법은 별도의 노광 마스크가 필요 없게 되는 것이다.

마지막으로, 도 4f에 도시된 바와 같이, 자외선을 받지 못하여 경화되지 않은 부위를 현상으로 제거하면 캐소드 전극(6)의 비아 홀(6a) 내에 전자 방출부(12)가 형성된다.

그리고, 제1 기판 위에 스페이서들을 고정하고, 제2 기판 위에 형광층과 흑색층 및 애노드 전극을 형성한 다음, 글래스 프릿과 같은 밀봉재를 이용해 제1 기판과 제2 기판의 가장자리를 접합시키고, 내부 공간을 배기시켜 전자 방출 소자를 완성한다.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 단계에서의 개략도이다.

먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이 제1 기판(2) 위에 투명 도전층(3a)과 불투명 도전층(3b)을 순서대로 코팅한다.

다음으로, 도 5b에 도시된 바와 같이 상기 불투명 도전층(3b)에 비아 홀(7c)을 형성하고, 상기 투명 도전층(3a)과 불투명 도전층(3b)을 스트라이프 형상으로 패터닝하여 투명 전극층(7a)과 불투명 전극층(7b)으로 이루어진 캐소드 전극(7)을 형성한다.

그 다음으로 절연층(8), 게이트 전극(10) 및 각각의 개구부를 전술한 실시예의 방법과 동일한 방법으로 형성하며, 도 5c에 도시된 바와 같이 제1 기판(2) 위에 형성된 구조물 전체에 전자 방출 물질과 감광성 물질을 포함하는 페이스트상 혼합물(11)을 도포한 후 노광 및 현상을 하면, 도 5d에 도시된 바와 같은 전자 방출부(12)가 완성된다. 노광시 상기 불투명 전극층(7b)에 형성된 비아 홀(7c)이 노광 마스크의 광 투과부 역할을 하는 것은 전술한 바와 같다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 발명은 게이트 전극에 형성된 개구부마다 그 내측에 다수의 전자 방출부들을 구비함으로써, 화소별 전자 방출량을 균일하게 맞추어 주며, 그 결과 화소별 발광 균일도를 향상시킨다. 또한, 불투명 도전층으로 형성된 캐소드 전극에 비아 홀을 구비함으로써, 별도의 노광 마스크가 필요없게 되어 그에 따른 부가 공정없이 용이하게 전자 방출부들을 형성할 수 있다.

Claims (11)

1. 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과;

   상기 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과;

   절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극들 상부에 형성되는 게이트 전극들과;

   상기 캐소드 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과;

   상기 제1 기판에 대향하는 상기 제2 기판의 일면에 형성되는 발광 유닛을 포함하며,

   상기 절연층과 상기 게이트 전극들은 각각 전자빔 통과를 위한 개구부를 구비하고,

   상기 캐소드 전극들은 상기 개구부에 의해 노출된 소정 영역에서 복수개의 비아 홀들을 형성하며,

   상기 전자 방출부들이 상기 비아 홀들을 채우며 형성되는 전자 방출 소자.
2. 제1항에 있어서,

   상기 캐소드 전극들이 불투명 도전층으로 형성되는 전자 방출 소자.
3. 제1항에 있어서,

   상기 캐소드 전극들이 투명 전극층과, 이 투명 전극층 위에 적층되며 상기 비아 홀들을 구비하는 불투명 전극층으로 이루어지는 전자 방출 소자.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 비아 홀들이 원형으로 형성되는 전자 방출 소자.
5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 비아 홀들이 다각형으로 형성되는 전자 방출 소자.
6. 제1항에 있어서,

   상기 전자 방출부가 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀ 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 소자.
7. 제1항에 있어서,

   상기 전자 방출부가 상기 캐소드 전극보다 큰 두께로 형성되어 그 일부가 상기 캐소드 전극 위쪽으로 돌출되어 위치하는 전자 방출 소자.
8. 기판 위에 불투명 도전층을 형성하는 단계와;

   상기 불투명 도전층에 비아 홀들을 형성함과 아울러 상기 불투명 도전층을 패터닝하여 캐소드 전극을 형성하는 단계와;

   상기 캐소드 전극 위에 상기 비아 홀들을 상기 기판 상에 노출시키는 개구부를 각각 구비한 절연층과 게이트 전극을 형성하는 단계와;

   상기 비아 홀들에 전자 방출 물질을 채워 전자 방출부들을 형성하는 단계

   를 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
9. 기판 위에 투명 도전층과 불투명 도전층을 순차적으로 형성하는 단계와;

   상기 불투명 도전층에 비아 홀들을 형성하는 단계와;

   상기 투명 도전층과 불투명 도전층을 패터닝하여 캐소드 전극을 형성하는 단계와;

   상기 캐소드 전극 위에 상기 비아 홀들을 상기 기판상에 노출시키는 개구부를 각각 구비한 절연층과 게이트 전극을 형성하는 단계와;

   상기 비아 홀들에 전자 방출 물질을 채워 전자 방출부들을 형성하는 단계

   를 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
10. 제8항 또는 제9항에 있어서,

    상기 전자 방출부를 형성하는 단계는,

    상기 기판에 제공된 구조물 위에 전자 방출 물질과 감광성 물질이 포함된 페이스트상 혼합물을 도포하는 단계와;

    상기 도포된 혼합물을 상기 기판의 후면으로부터 상기 캐소드 전극에 형성된 비아 홀을 통하여 노광하는 단계; 및

    상기 혼합물 중 상기 노광에 의해 경화되지 않은 부분을 현상으로 제거하는 단계를 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
11. 제10항에 있어서,

    상기 노광하는 단계에서 상기 혼합물이 상기 캐소드 전극보다 큰 두께를 갖도록 노광하여 상기 혼합물을 경화시키는 전자 방출 소자의 제조 방법.

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