KR20060011665A - 전자 방출 소자와 이의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자 방출부의 구조 안정성을 높이고, 캐소드 전극과 게이트 전극간 쇼트 발생을 억제할 수 있는 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 전자 방출 소자는, 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과; 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과; 캐소드 전극에 전기적으로 연결되며, 제1 기판으로부터 멀어질수록 그 폭이 점진적으로 감소하도록 형성되는 전자 방출부와; 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들과 분리되어 위치하는 게이트 전극들을 포함한다.

전자방출부, 캐소드전극, 게이트전극, 희생층, 노광마스크, 애노드전극, 형광층

Description

전자 방출 소자와 이의 제조 방법 {ELECTRON EMISSION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자를 도시한 부분 분해 사시도이다.

도 2는 도 1의 조립 상태를 나타내는 전자 방출 소자의 부분 단면도이다.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 단계에서의 개략도이다.

도 4는 종래 기술에 의한 전자 방출 소자의 제조 과정에서 사용되는 희생층을 나타낸 부분 단면도이다.

도 5는 종래 기술에 의한 전자 방출 소자의 부분 단면도이다.

본 발명은 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자를 방출하는 전자 방출부의 형상과, 이 형상의 전자 방출부를 제작하기 위한 전자 방출 소자의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 전자 방출 소자는 전자원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극 을 이용하는 방식이 있다. 이 가운데 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal- Insulator-Metal)형, MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형 및 BSE(Ballistic electron Surface Emitting)형 전자 방출 소자 등이 알려져 있다.

상기한 전자 방출 소자들은 그 종류에 따라 세부적인 구조가 상이하지만, 기본적으로는 일측 기판 위에 전자 방출부와 더불어 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 전자 인출 전극을 구비하고, 타측 기판에 형광층과 더불어 전자 방출부에서 방출된 전자들이 효율적으로 형광층을 향해 가속되도록 하는 전자 가속 전극을 구비하여 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.

예컨대 FEA형 전자 방출 소자는 제1 기판 위에 전자 인출 전극으로서 캐소드 전극과 게이트 전극을 구비하며, 제2 기판에 전자 가속 전극으로서 애노드 전극을 구비한다. 전자 방출부는 캐소드 전극과 전기적으로 연결되고, 게이트 전극이 캐소드 전극과의 전위 차를 이용하여 전자 방출부 주위에 전자 방출을 위한 전계를 형성한다.

공지된 FEA형 전자 방출 소자의 일 구조는, 제1 기판 위에 캐소드 전극과 절연층 및 게이트 전극을 순차적으로 형성하고, 게이트 전극과 절연층에 개구부를 형성하여 캐소드 전극의 일부 표면을 노출시키며, 노출된 캐소드 전극 위로 전자 방출부를 형성하는 구조이다. 전자 방출부로는 초기에 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물을 적용하였으나, 이는 제조 공정이 복잡하고 대면적 소자 제작에 불리한 점이 있으므로, 최근 들어서는 카본 나노튜 브, 흑연, 다이아몬드상 카본과 같은 카본계 물질을 사용하고 있다.

상기한 카본계 물질을 이용하여 전자 방출부를 형성할 때에는 전자 방출부가 형성될 부위를 제외한 기판 상 구조물 전체에 희생층을 형성하고, 전자 방출부 형성 부위에 전자 방출부를 형성한 다음, 희생층을 제거하는 과정이 주로 적용되고 있다. 이 때 사용되는 희생층은 포지티브(positive) 타입의 감광성 물질로서, 기판 상 구조물 전체를 덮도록 도포된 이후 노광 마스크를 통해 전자 방출부 형성 부위가 선택적으로 노광되며, 현상을 통해 노광 부위가 제거된다.

그런데 희생층을 노광할 때에 노광 부위와 비노광 부위의 경계부에서 빛의 산란 또는 간섭에 의해 비노광 부위의 일부가 함께 노광되므로, 도 4에 도시한 바와 같이 희생층(1)의 개구부(1a)는 제1 기판(3)으로부터 멀어질수록 그 폭이 점진적으로 확대되는 형상을 가진다.

이에 따라 전술한 희생층(1)을 이용하여 전자 방출부를 형성하면, 도 5에 도시한 바와 같이 전자 방출부(5)는 제1 기판(3)으로부터 멀어질수록 그 폭이 점진적으로 확대되어 역 사다리꼴의 단면 형상을 가지게 된다. 이러한 형상의 전자 방출부(5)는 구조 안정성이 저하될 뿐만 아니라, 게이트 전극(7)에 그 일부가 걸쳐 형성될 수 있으므로 캐소드 전극(9)과 게이트 전극(7)간 쇼트를 유발하는 문제가 있다.

한편, 전자 방출부는 분말상 전자 방출 물질과 비히클, 바인더 등의 유기 물질을 혼합하여 인쇄에 적합한 점도를 갖는 혼합물을 제작하고, 이를 스크린 인쇄, 건조 및 소성하는 과정을 거쳐 완성되는데, 완성된 전자 방출부에서 실질적으로 전자를 방출하는 전자 방출 물질은 전자 방출부 표면에 노출되는 대신 고형분에 묻히게 된다.

이러한 문제를 해결하고자, 전자 방출부를 형성한 다음, 점착성 테이프를 기판 상 구조물 위에 붙이고, 이를 떼어내는 과정을 거쳐 전자 방출부의 상부 표면층을 제거함으로써 전자 방출 물질을 전자 방출부 표면으로 노출시키는 이른바 표면 활성화 과정이 제안되었다.

그러나 상기와 같이 전자 방출부의 구조 안정성이 우수하지 못한 경우에는 표면 활성화 과정에서 전자 방출부가 쉽게 손상되며, 표면 활성화가 부분적으로 일어나게 된다. 그 결과, 종래의 전자 방출 소자는 표면 활성화 효율이 저하되어 전자 방출량이 낮아지는 등, 소자 성능이 저하되는 문제가 있다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 전자 방출부의 구조 안정성을 높이고, 캐소드 전극과 게이트 전극간 쇼트 발생을 억제하며, 전자 방출부의 표면 활성화 효율을 높일 수 있는 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법을 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과, 캐소드 전극에 전기적으로 연결되며 제1 기판으로부터 멀어질수록 그 폭이 점진적으로 감소하도록 형성되는 전자 방출부와, 절연층을 사이에 두고 캐소 드 전극들과 분리되어 위치하는 게이트 전극들을 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.

상기 전자 방출부는 단면 형상이 사다리꼴로 이루어질 수 있다.

상기 전자 방출부는 캐소드 전극들 위에 형성되고, 절연층과 게이트 전극들이 전자 방출부가 제1 기판 상에 노출되도록 하는 각각의 개구부를 가지면서 캐소드 전극들 위에 형성될 수 있다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

기판 위에 캐소드 전극과 절연층 및 게이트 전극을 순차적으로 형성하는 단계와, 게이트 전극과 절연층의 일부를 제거하여 캐소드 전극의 일부 표면이 노출되도록 하는 각각의 개구부를 형성하는 단계와, 기판 상 구조물 전체를 네가티브(negative) 타입의 감광성 물질로 덮어 PR층을 형성하는 단계와, PR층 위로 전자 방출부 형성 위치에 대응하는 광 차단부를 갖는 노광 마스크를 배치하고, 이 노광 마스크를 통해 PR층을 노광함과 아울러, PR층 가운데 광 차단부에 대응하는 부위 일부가 함께 노광되도록 과노광하는 단계와, PR층 가운데 비노광 부위를 제거하여 개구부를 갖는 희생층을 형성하는 단계와, 희생층의 개구부에 전자 방출 물질을 채워 희생층 개구부 형상에 대응하는 전자 방출부를 형성하는 단계와, 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법을 제공한다.

상기 PR층을 과노광할 때에는 PR층의 비노광 부위가 기판으로부터 멀어질수록 작은 폭을 갖도록 충분한 시간 동안 과노광한다.

상기 광 차단부의 평면 형상은 상기 기판을 향한 전자 방출부의 하부 평면 형상과 실질적으로 동일하게 형성할 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 부분 분해 사시도이고, 도 2는 도 1의 조립 상태를 나타내는 부분 단면도이다.

도면을 참고하면, 전자 방출 소자는 진공의 내부 공간부를 사이에 두고 서로 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함하며, 제1 기판(2)에는 전자 방출을 위한 구조물이 제공되고, 제2 기판(4)에는 전자에 의해 가시광을 방출하는 발광부가 제공된다.

보다 구체적으로, 제1 기판(2) 위에는 소정의 패턴, 가령 스트라이프 형상을 취하는 캐소드 전극들(6)이 서로간 임의의 간격을 두고 제1 기판(2)의 일방향(도면의 y축 방향)을 따라 복수로 형성되고, 캐소드 전극들(6)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 절연층(8)이 형성된다. 절연층(8) 위에는 게이트 전극들(10)이 서로간 임의의 간격을 두고 캐소드 전극(6)과 교차하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 복수로 형성된다.

본 실시예에서 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극(6) 위로 각각의 화소 영역마다 적어도 하나의 전자 방출부(12)가 형성되고, 절연층(8)과 게이트 전극(10)에는 전자 방출부(12)가 제1 기판(2) 상에서 노출되도록 하는 각각의 개구부(8a, 10a)가 형성된다.

상기 전자 방출부(12)는 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 카 본계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(12)로 사용 바람직한 물질로는 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질이 있다.

본 실시예에서 전자 방출부(12)는 제1 기판(2)으로부터 멀어질수록 그 폭이 점진적으로 감소하도록 형성되며, 일례로 사다리꼴의 단면 형상을 가진다. 이로써 전자 방출부(12)는 높은 구조 안정성을 지니며, 제2 기판(4)을 향한 전자 방출부(12)의 상부 가장자리가 게이트 전극(10)과 충분한 거리를 확보하여 전자 방출부(12) 형성시 게이트 전극(10)과의 접촉에 따른 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)간 쇼트 발생을 억제할 수 있다.

도면에서는 화소 영역당 3개의 전자 방출부(12)가 위치하고, 절연층(8)과 게이트 전극(10)의 개구부(8a, 10a)가 원형의 평면 형상을 갖는 경우를 도시하였으나, 전자 방출부(12)의 개수와 상기 개구부(8a, 10a)의 평면 형상은 도면에 예시된 것에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.

다음으로, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(14), 예를 들어 적색과 녹색 및 청색의 형광층이 임의의 간격을 두고 형성되고, 형광층(14) 사이로 화면의 컨트라스트 향상을 위한 흑색층(16)이 형성될 수 있다. 형광층(14)과 흑색층(16) 위로는 증착에 의한 금속막(예를 들어 알루미늄막)으로 이루어지는 애노드 전극(18)이 형성된다. 애노드 전극(18)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 전압을 인가받으며, 메탈 백(metal back) 효과에 의해 화면의 휘도를 높이 는 역할을 한다.

한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 투명한 도전막, 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide)막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 제2 기판(4) 위로 투명한 도전막으로 이루어지는 애노드 전극(도시하지 않음)을 먼저 형성하고, 그 위에 형광층(14)과 흑색층(16)을 형성하며, 필요에 따라 형광층(14)과 흑색층(16) 위에 금속막을 형성하여 화면의 휘도를 높이는데 이용할 수 있다. 이러한 애노드 전극은 제2 기판(4) 전체에 형성되거나, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다.

참고로, 도 2에서 인용부호 20은 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 사이 간격을 유지시키는 스페이서를 나타낸다.

이와 같이 구성되는 전자 방출 소자는, 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)에 소정의 구동 전압을 인가하면, 두 전극간 전압 차에 의해 전자 방출부(12) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출되고, 방출된 전자들은 애노드 전극(18)에 인가된 고전압에 이끌려 제2 기판(4)으로 향하면서 해당 화소의 형광층(14)에 충돌하여 이를 발광시킨다.

다음으로 도 3a 내지 도 3g를 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 제조 방법에 대해 설명한다.

먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이 제1 기판(2) 위에 캐소드 전극(6)을 형성하고, 캐소드 전극(6)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 절연층(8)을 형성한 다음, 절연층(8) 위로 도전 물질을 도포하고 이를 패터닝하여 캐소드 전극(6)과의 교차 영역에 개구부(10a)를 갖는 게이트 전극(10)을 형성한다. 절연층(8) 형성에는 스크린 인쇄와 건조 및 소성 과정이 한번 이상 적용될 수 있으며, 게이트 전극(10) 형성에는 증착 또는 스퍼터링 공정이 적용될 수 있다.

이어서 도 3b에 도시한 바와 같이, 제1 기판(2) 상 구조물 전체를 네가티브(negative) 타입의 감광성 물질로 덮어 PR(PhotoResist)층(22)을 형성한다. 네가티브 타입은 노광 부위가 경화되는 특성을 지니며, PR층(22)은 절연층(8)의 개구부(8a)를 충분히 채우도록 형성한다.

다음으로 도 3c에 도시한 바와 같이 PR층(22) 위로 광 차단부(24)를 갖는 노광 마스크(26)를 배치한다. 광 차단부(24)는 목표하는 전자 방출부와 동일한 평면 형상을 가지며, 제1 기판(2) 위에서 전자 방출부 형성 위치에 대응 배치된다. 특히 광 차단부(24)는 다음에 설명하는 과노광 공정을 고려하여 전자 방출부(12, 도 1 참고)의 하부 평면 형상과 동일한 평면 형상을 갖는 것이 바람직하다.

그리고 전술한 노광 마스크(26)를 통해 노광 마스크(26)의 윗면으로부터 빛을 조사하여 PR층(22)을 노광한다. 이로써 PR층(22)은 광 차단부(24)에 대응하는 부위를 제외한 나머지 부위가 빛을 받아 노광되는데, 이 때 노광 시간은 PR층(22)의 적정 노광 시간보다 길게 유지하여 PR층(22)을 적정 노광량의 대략 1.5~2배로 과노광한다.

과노광시 광 차단부(24) 가장자리에서 발생하는 빛의 산란 또는 간섭에 의해 PR층(22) 가운데 광 차단부(24)에 대응하는 비노광 부위의 일부가 함께 노광되며, 점선으로 노광 부위와 비노광 부위의 경계를 표시하였다. 이어서 현상을 통해 PR층(22)의 비노광 부위를 제거하여 도 3d에 도시한 바와 같이 개구부(22a)를 갖는 희 생층(22)을 완성한다.

다음으로, 희생층(22)의 개구부(22a)에 전자 방출 물질을 채워 도 3e에 도시한 바와 같이 전자 방출부(12)를 형성하고, 남은 희생층을 제거한다.

전자 방출부(12) 형성에는 ①분말 상의 전자 방출 물질과 비히클, 바인더 등의 유기물을 혼합하여 인쇄에 적합한 점도를 갖는 혼합물을 제작하고, ②도시하지 않은 스크린 메쉬를 이용하여 상기 혼합물을 희생층(22)의 개구부(22a)에 선택적으로 인쇄하고, ③인쇄된 혼합물을 건조 및 소성하는 과정이 적용될 수 있다.

다른 한편으로, 전자 방출부(12)를 형성할 때에는 도 3f에 도시한 바와 같이, ①분말 상의 전자 방출 물질과 비히클, 바인더 등의 유기물 및 감광성 물질을 혼합하여 인쇄에 적합한 점도를 갖는 혼합물을 제작하고, ②구조물의 최상부에 상기 혼합물을 스크린 인쇄하고(점선 표시 참고), ③제1 기판(2)의 후면에 전자 방출부 형성 위치에 대응하는 개구부(28a)를 갖는 노광 마스크(28)를 배치하고, ④제1 기판(2)의 후면을 통해 빛을 조사하여 희생층(22)의 개구부(22a)에 채워진 혼합물을 선택적으로 경화시키고, ⑤경화되지 않은 혼합물을 제거한 다음 건조 및 소성하는 과정이 적용될 수 있다.

도 3f에 도시한 과정이 적용되는 경우, 제1 기판(2)은 투명 기판으로 준비하고, 캐소드 전극(6)은 ITO와 같은 투명 도전막으로 형성한다.

이와 같이 형성된 전자 방출부(12)는 희생층(22)의 개구부(22a) 형상을 따라 제1 기판(2)으로부터 멀어질수록 그 폭이 점진적으로 좁게 형성되어 구조 안정성이 우수하며, 전자 방출부(12)의 상부 가장자리가 게이트 전극(10)과 충분한 거리를 확보하여 게이트 전극(10)과의 쇼트를 효율적으로 방지할 수 있다.

이어서 도 3g에 도시한 바와 같이, 제1 기판(2) 상 구조물 위 전체에 점착성 테이프(30)를 부착하고, 점착성 테이프(30)를 구조물로부터 떼어내는 표면 활성화 단계를 진행한다. 이 단계를 통해 전자 방출부(12)는 상부 표면층이 제거되어 전자 방출 물질들이 표면으로 노출됨과 아울러, 각각의 전자 방출 물질이 제1 기판(2) 면에 대해 수직한 방향으로 정렬되어 그 뾰족한 끝단을 노출시킴에 따라 전자 방출 효율을 배가시킬 수 있다.

상기 표면 활성화 단계에서 전자 방출부(12)의 높은 구조 안정성에 의해 전자 방출부(12)의 손상을 최소화할 수 있고, 제1 기판(2) 상에 배열된 복수의 전자 방출부(12)에 대해 표면 활성화 작업을 균일하게 진행할 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다. 다시 말해, 상기에서는 전자 방출 소자로 FEA형 전자 방출 소자를 예로 하여 설명하였으나, 본 발명은 FEA형에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.

이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 소자는 전자 방출부의 구조 안정성을 높이고, 전자 방출부의 상부 가장자리가 게이트 전극과 충분한 거리를 확보하도록 하여 전자 방출부와 게이트 전극간 쇼트를 방지하는 효과가 있다. 또한 본 발명에 의한 전자 방출 소자는 표면 활성화 단계에서 전자 방출부의 손상을 최소화하고, 균일한 표면 활성화 작업을 가능하게 하여 소자 특성이 우수해지는 효과를 갖는다.

Claims (10)

1. 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과;

   상기 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과;

   상기 캐소드 전극에 전기적으로 연결되며, 상기 제1 기판으로부터 멀어질수록 그 폭이 점진적으로 감소하도록 형성되는 전자 방출부; 및

   절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극들과 분리되어 위치하는 게이트 전극들

   을 포함하는 전자 방출 소자.
2. 제1항에 있어서,

   상기 전자 방출부가 사다리꼴의 단면 형상을 가지는 전자 방출 소자.
3. 제1항에 있어서,

   상기 전자 방출부가 상기 캐소드 전극들 위에 형성되고, 상기 절연층과 게이트 전극들이 전자 방출부가 제1 기판 상에 노출되도록 하는 각각의 개구부를 가지면서 캐소드 전극들 위에 형성되는 전자 방출 소자.
4. 제1항에 있어서,

   상기 전자 방출부가 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다 이아몬드상 카본, C₆₀, 실리콘 나노와이어 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어지는 전자 방출 소자.
5. 제1항에 있어서,

   상기 제2 기판 위에 형성되는 적어도 하나의 애노드 전극과, 애노드 전극의 어느 일면에 형성되는 형광층을 더욱 포함하는 전자 방출 소자.
6. 기판 위에 캐소드 전극과 절연층 및 게이트 전극을 순차적으로 형성하는 단계와;

   상기 게이트 전극과 절연층의 일부를 제거하여 상기 캐소드 전극의 일부 표면이 노출되도록 하는 각각의 개구부를 형성하는 단계와;

   상기 기판 상 구조물 전체를 네가티브(negative) 타입의 감광성 물질로 덮어 PR층을 형성하는 단계와;

   상기 PR층 위로 전자 방출부 형성 위치에 대응하는 광 차단부를 갖는 노광 마스크를 배치하고, 이 노광 마스크를 통해 PR층을 노광함과 아울러, PR층 가운데 광 차단부에 대응하는 부위 일부가 함께 노광되도록 과노광하는 단계와;

   상기 PR층 가운데 비노광 부위를 제거하여 개구부를 갖는 희생층을 형성하는 단계와;

   상기 희생층의 개구부에 전자 방출 물질을 채워 희생층 개구부 형상에 대응 하는 전자 방출부를 형성하는 단계; 및

   상기 희생층을 제거하는 단계

   를 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
7. 제6항에 있어서,

   상기 PR층을 과노광할 때에 PR층의 비노광 부위가 상기 기판으로부터 멀어질수록 작은 폭을 갖도록 충분한 시간 동안 과노광하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
8. 제6항에 있어서,

   상기 광 차단부의 평면 형상을 상기 기판을 향한 상기 전자 방출부의 하부 평면 형상과 실질적으로 동일하게 형성하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
9. 제6항에 있어서,

   상기 전자 방출부를 형성하는 단계가, 전자 방출 물질과 유기물을 혼합하여 전자 방출부 형성용 혼합물을 제작하고, 이 혼합물을 상기 희생층의 개구부에 선택적으로 인쇄하고, 인쇄된 혼합물을 건조 및 소성하는 과정들을 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법.
10. 제6항에 있어서,

    상기 전자 방출부를 형성하는 단계가, 전자 방출 물질과 유기물 및 감광성 물질을 혼합하여 전자 방출부 형성용 혼합물을 제작하고, 상기 기판 상 구조물의 최상부에 이 혼합물을 인쇄하고, 기판의 후면에 노광 마스크를 배치한 상태에서 기판의 후면을 노광하여 희생층의 개구부에 채워진 혼합물을 선택적으로 경화시키고, 경화되지 않은 혼합물을 제거한 다음 건조 및 소성하는 과정들을 포함하는 전자 방출 소자의 제조 방법.

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