KR20050086238A - 전계 방출 표시장치 - Google Patents

전계 방출 표시장치 Download PDF

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KR20050086238A
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Abstract

애노드 전극의 전계를 차폐하고 집속 성능을 충분하게 확보하여 휘도 및 색재현성을 모두 향상시킬 수 있도록, 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 제1기판 및 제2기판과, 제1기판 상에 소정의 간격으로 형성되는 다수의 캐소드 전극과, 캐소드 전극 위에 형성되는 다수의 에미터와, 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극 위에 교차하는 패턴으로 형성되는 다수의 게이트 전극과, 제2기판 상에 형성되는 애노드 전극과, 애노드 전극의 일면에 소정의 패턴으로 형성되는 형광막과, 게이트 전극과 절연막을 사이에 두고 형성되고 다수의 빔통과공이 형성되며 빔통과공에 인접한 부분은 박막으로 이루어지고 나머지부분은 후막 또는 후막과 박막으로 이루어지는 다수의 포커싱 전극을 포함하는 전계 방출 표시장치를 제공한다.

Description

전계 방출 표시장치 {Field Emission Display Device}
본 발명은 전계 방출 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포커싱 전극을 박막부와 후막부로 구성하는 것에 의하여 집속성능과 휘도향상을 동시에 만족시킬 수 있도록 이루어지는 전계 방출 표시장치에 관한 것이다.
일반적으로 전계 방출 표시장치(FED;Field Emission Display)는 양자역학적인 터널링 효과를 이용하여 캐소드 전극에 형성된 에미터로부터 전자를 방출시키고, 방출된 전자를 애노드 전극에 형성된 형광막에 충돌시켜 발광시키는 것에 의하여 소정의 영상을 구현하는 평판 표시장치로서, 캐소드 전극과 게이트 전극 및 애노드 전극으로 이루어지는 3극관 구조가 널리 사용되고 있다.
종래 3극관 구조의 전계 방출 표시장치는 제1기판 상에 다수의 캐소드 전극을 소정의 간격으로 스트라이프 패턴으로 형성하고, 캐소드 전극 위에 절연층을 형성한 다음, 절연층 위에 캐소드 전극과 직교하는 스트라이프 패턴으로 게이트 전극을 형성하고, 캐소드 전극과 게이트 전극이 교차하는 부분의 절연층과 게이트 전극 일부를 제거하고 이 부분에 캐소드 전극과 연결되도록 에미터를 형성하고, 제2기판 상에 애노드 전극을 형성하고, 애노드 전극 위에 블랙매트릭스막을 사이에 두고 적색(R)과 녹색(G) 및 청색(B)의 형광막을 교대로 배열 형성하여 이루어진다.
상기와 같이 구성되는 전계 방출 표시장치는 캐소드 전극과 게이트 전극에 소정의 구동전압을 인가하고, 애노드 전극에 수백∼수천V의 (+)전압을 인가하면, 캐소드 전극과 게이트 전극의 전압 차에 의해 에미터 주위에 전계가 형성되며 이에 의하여 전자가 방출되고, 방출된 전자가 고전압이 인가된 애노드 전극쪽으로 이동하여 대응하는 형광막에 충돌 발광시키는 것에 의하여 소정의 영상 표시가 이루어진다.
그리고 종래 전계 방출 표시장치에 있어서, 에미터에서 방출되는 전자빔의 집속 성능을 높여 색순도를 향상시키고 캐소드 전극과 애노드 전극 사이의 내전압 특성을 높이기 위하여 다수의 빔통과공이 소정의 간격으로 형성된 메시(mesh)형태의 금속으로 이루어지는 그리드 플레이트나 포커싱 전극을 제1기판 및 제2기판의 사이에 설치한다.
상기에서 그리드 플레이트 또는 포커싱 전극에 있어서 전자빔의 집속 성능과 애노드 전극의 전계를 차폐하는 내전압 특성의 향상은 서로 상반되는 특징이 있다.
즉 집속 성능을 높이기 위하여 포커싱 전극에 캐소드 전극에 대비하여 마이너스 전압을 인가하게 되면 애노드 전극에 도달하는 전자의 수가 크게 감소하여 충분한 휘도성능을 얻지 못하게 된다. 따라서 포커싱 전극에 마이너스 전압을 인가하면서 휘도성능을 높이기 위해서는 포커싱 전극과 에미터와의 간격을 더 크게 설정하거나 포커싱 전극의 두께를 얇게 형성하여야 한다. 그러나 이 경우에는 다시 집속 성능의 품질을 저하시키게 되며, 애노드 전극의 전계가 에미터에 직접 영향을 주게 되어 애노드 전극에 고전압을 인가할 수 없게 되므로, 휘도 성능이 저하되는 결과를 초래한다.
상기한 문제점으로 인하여 포커싱 전극에 마이너스 전압을 인가하면 집속 성능을 얻어지나 포커싱 전극에 의한 전류의 컷오프(cut off)현상으로 충분한 애노드 전류가 흐를 수 없게 되고, 애노드 전압을 높게 인가할 수 없음으로 인하여 휘도가 부족하게 되며, 형광막에 금속막을 형성할 수 없으므로 형광체 수명과 효율이 저하된다.
그리고 애노드 전류의 차폐에 중점을 두어 금속 메시로 이루어지는 그리드 플레이트를 사용하게 되면, 애노드 전극에 고전압을 인가하는 것은 용이하지만, 그리드 플레이트에 마이너스 전압을 인가하면 그리드 플레이트의 두께로 인하여 캐소드 전극에서 방출된 전자가 대부분 차단되어 애노드 전극까지 도달되는 전자의 수가 급격하게 감소한다. 또 그리드 플레이트에 플러스 전압을 인가하면 전자빔이 집속되지 못하고, 빔퍼짐이 발생되고 색재현성이 극히 저하되는 문제가 있다.
따라서 포커싱 전극에 더하여 애노드차폐 전극을 추가로 설치하는 방법도 고려할 수 있지만, 이 경우에는 포커싱 전극과 애노드차폐 전극 사이에 절연막을 형성하여야 하며, 각 전극층의 현상, 에칭시에 다른 전극층의 막에 악영향을 미칠 가능성이 높고, 제조공정이 극히 복잡해지고 제조원가가 상승하며, 제조수율이 극히 저하되는 문제점을 갖게 된다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 포커싱 전극의 일부를 후막으로 형성하여 애노드 전극의 전계를 차폐하고 빔통과구멍에 인접한 부분은 박막으로 형성하여 집속 성능을 충분하게 확보하여 휘도 및 색재현성을 모두 향상시킨 전계 방출 표시장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 제안하는 전계 방출 표시장치는 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 제1기판 및 제2기판과, 상기 제1기판 상에 소정의 간격으로 형성되는 다수의 캐소드 전극과, 상기 캐소드 전극 위에 형성되는 다수의 에미터와, 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극 위에 교차하는 패턴으로 형성되는 다수의 게이트 전극과, 상기 제2기판 상에 형성되는 애노드 전극과, 상기 애노드 전극의 일면에 소정의 패턴으로 형성되는 형광막과, 상기 게이트 전극과 절연막을 사이에 두고 형성되고 다수의 빔통과공이 형성되며 빔통과공에 인접한 부분은 박막으로 이루어지고 나머지부분은 후막 또는 후막과 박막으로 이루어지는 다수의 포커싱 전극을 포함하여 이루어진다.
상기 포커싱 전극은 적어도 상기 빔통과공과 인접하여 위치하는 모서리부분은 박막으로 형성한다.
상기 포커싱 전극은 전체적으로 박막으로 형성하고, 상기 빔통과공과 인접하여 위치하는 모서리부분을 제외하고는 박막 위에 후막을 추가로 형성하여 이루어지는 것도 가능하다.
상기 포커싱 전극은 상기 빔통과공과 인접하여 위치하는 모서리부분은 박막으로 형성하고, 나머지 부분은 박막과 전기적으로 연결되는 후막으로 형성하여 이루어지는 것도 가능하다.
다음으로 본 발명에 따른 전계 방출 표시장치의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
먼저 본 발명에 따른 전계 방출 표시장치의 제1실시예는 도 1∼도 2에 나타낸 바와 같이, 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 제1기판(20) 및 제2기판(22)과, 상기 제1기판(20) 상에 소정의 간격으로 형성되는 다수의 캐소드 전극(24)과, 상기 캐소드 전극(24) 위에 형성되는 다수의 에미터(28)와, 절연층(25)을 사이에 두고 상기 캐소드 전극(24) 위에 교차하는 패턴으로 형성되는 다수의 게이트 전극(26)과, 상기 제2기판(22) 상에 형성되는 애노드 전극(30)과, 상기 애노드 전극(30)의 일면에 소정의 패턴으로 형성되는 형광막(32)과, 상기 게이트 전극(26)과 절연막(50)을 사이에 두고 형성되고 다수의 빔통과공(41)이 형성되며 박막(42)과 후막(44)으로 이루어지는 다수의 포커싱 전극(40)을 포함하여 이루어진다.
상기 포커싱 전극(40)의 빔통과공(41)은 상기 에미터(28)에 대응되는 소정의 패턴으로 배열되어 형성된다.
상기 포커싱 전극(40)은 상기 에미터(28)에서 방출되는 전자빔의 집속 성능을 높이는 역할을 하며, 다수의 빔통과공(41)이 소정의 간격으로 형성된 메시(mesh)형태로 이루어지는 것도 가능하다.
상기 게이트 전극(26) 및 캐소드 전극(24)은 스트라이프 패턴으로 형성하며, 서로 직교하는 방향으로 배열하여 형성한다. 예를 들면 상기 캐소드 전극(24)은 도 1의 Y축 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성하고, 상기 게이트 전극(26)은 도 1의 X축 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성한다.
상기 게이트 전극(26) 및 캐소드 전극(24)의 사이에는 제1기판(20)의 전체 면적에 걸쳐서 절연층(25)을 형성한다.
상기 게이트 전극(26)과 캐소드 전극(24)이 교차하는 영역마다 캐소드 전극(24)과 전기적으로 연결되도록 전자 방출원인 에미터(28)를 형성한다.
상기 에미터(28)는 균일한 두께로 형성되는 면전자원으로서, 대략 10∼100V정도의 저전압 구동조건에서 전자를 양호하게 방출하는 카본계 물질을 이용하여 형성한다. 상기 에미터(28)를 형성하는 카본계 물질로는 그라파이트(graphite), 다이아몬드, 다이아몬드상 카본(DLC;Diamond Liked Carbon), 카본 나노튜브(CNT;Carbon Nanotube), C60(fulleren) 등에서 선정하여 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용 가능하다. 특히 카본 나노튜브는 끝단의 곡률 반경이 수∼수십nm 정도로 극히 미세하여 1∼10V/㎛ 정도의 낮은 전계에서도 전자를 양호하게 방출하므로 이상적인 전자 방출원으로 알려져 있다.
상기 에미터(28)는 도 3에 나타낸 바와 같이 콘(cone)형으로 형성하는 것도 가능하고, 도면에 나타내지 않았지만 웨지(wedge)형이나 박막필름에지(thin film edge)형 등 다양한 형상으로 형성하는 것도 가능하다.
상기 게이트 전극(26) 및 절연층(26)에는 상기 에미터(28)를 캐소드 전극(24) 위에 형성하기 위한 공간 및 전계방출을 위한 공간인 에미터구멍을 각각 형성한다.
상기 제2기판(22)에 형성되는 애노드 전극(30)은 ITO 등과 같이 광투과율이 우수한 투명전극으로 형성한다.
상기 제2기판(22)에 형성되는 형광막(32)은 도 1에 나타낸 바와 같이, 포커싱 전극(40) 방향(도 1에서 X축 방향)을 따라 적색(R) 형광막(32R), 녹색(G) 형광막(32G), 청색(B) 형광막(32B)을 소정의 간격을 두고 차례로 교대로 배열하여 이루어진다.
또 상기 각각의 형광막(32R), (32G), (32B) 사이에는 콘트라스트 향상을 위하여 블랙매트릭스막(33)을 형성한다.
그리고 상기 형광막(32)과 블랙매트릭스막(33) 위에는 도 2에 나타낸 바와 같이, 알루미늄 등으로 이루어지는 금속박막층(34)을 형성하는 것도 가능하다. 상기 금속박막층(34)은 내전압특성과 휘도향상에 도움을 준다.
또한 상기 형광막(32)과 블랙매트릭스막(33)을 제2기판(22)에 직접 형성하고, 그 위에 금속박막층(34)을 형성하여 고전압을 인가하여 애노드 전극으로 기능하도록 구성하는 것도 가능하다. 이 경우에는 투명전극으로 제2기판(22) 상에 애노드 전극(30)을 형성하는 것에 비하여 높은 전압을 수용할 수 있으므로 화면의 휘도향상에 유리하다.
상기와 같이 구성되는 제1기판(20)과 제2기판(22)은 캐소드 전극(24)과 형광막(32)이 직교하도록 마주한 상태에서 소정의 간격을 두고 실링물질(밀봉재)에 의해 접합되며, 그 사이에 형성되는 내부 공간은 배기시켜 진공상태를 유지한다.
또 제1기판(20)과 제2기판(22)의 간격을 일정하게 유지시키기 위하여 스페이서(38)를 제1기판(20)과 제2기판(22)의 사이에 소정의 간격으로 배열하여 설치한다. 상기 스페이서(38)는 화소의 위치 및 전자빔의 경로를 피하여 설치하는 것이 바람직하다.
상기 포커싱 전극(40)과 게이트 전극(26) 사이에는 전기적인 절연을 위하여 절연막(50)을 형성한다. 상기 절연막(50)에도 상기 포커싱 전극(40)의 빔통과공(41)에 대응되는 위치에 빔통과공(51)을 형성한다.
상기 포커싱 전극(40)은 적어도 상기 빔통과공(41)과 인접하여 위치하는 모서리부분은 박막(42)으로 형성한다.
즉 상기 포커싱 전극(40)은 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 빔통과공(41)과 인접한 부분은 박막(42)으로 형성하고, 나머지부분은 후막(44)으로 형성하여 상기 빔통과공(41)을 중심으로 계단형상으로 형성한다.
상기에서 박막(42)을 포커싱 전극(40)의 전체 면적을 후막(44)으로 형성하고 빔통과공(41)에 인접한 부분을 부분식각 또는 반식각(half etching)하여 형성하는 것도 가능하다.
상기 포커싱 전극(40)은 도전재료를 도포하여 형성하는 대신에 금속메시로 이루어지는 그리드 플레이트를 이용하여 이루어지는 것도 가능하다. 상기에서 포커싱 전극(40)을 그리드 플레이트로 구성하는 경우에도 빔통과공(41)에 인접한 부분은 반식각 등을 행하여 얇은 두께로 형성한다.
상기에서 빔통과공(41)에 인접한 박막(42)의 모서리에서 전계가 형성되므로 빔의 집속 성능이 충분하게 얻어진다.
상기 후막(44)은 필요에 따라 2단 이상으로 형성하는 것도 가능하다.
그리고 상기 포커싱 전극(40)은 도 4에 나타낸 바와 같이, 상기 절연막(26) 위에 형성되는 박막(42)과, 상기 박막(42) 위에 형성되고 상기 빔통과공(41)에 인접하지 않도록 소정의 간격을 두고 형성되는 후막(44)으로 이루어지는 것도 가능하다.
상기에서 박막(42)은 증착법 등을 이용하여 형성하고, 상기 후막(44)은 도전성 금속재료를 페이스트화하여 스크린인쇄법 등을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
상기 후막(44)을 형성하는 도전성 금속재료로는 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴/텅스텐(Mo/W), 몰리브덴/망간(Mo/Mn), 납(Pb), 주석(Sn), 크롬(Cr), 크롬/알루미늄(Cr/Al) 등을 단독으로 또는 2개 이상을 혼합하여 사용한다.
상기 후막(44)을 형성하는 도전성 금속재료의 입자는 수미크론(㎛) 이하의 입경을 갖는 미세한 입자를 사용한다.
상기 박막(42)은 ITO, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 크롬/알루미늄(Cr/Al) 등을 증착법 등을 이용하여 증착시켜 형성한다.
또 상기 포커싱 전극(40)은 도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 빔통과공(41)과 인접하여 위치하는 부분은 빔통과공(41)의 모서리를 따라 박막(42)으로 형성하고, 박막(42)의 바깥쪽 부분은 후막(44)으로 형성하는 것도 가능하다.
상기 박막(42)은 빔통과공(41)의 모서리를 따라 소정의 폭을 갖는 링형상 또는 띠형상으로 형성한다.
상기에서 박막(42)과 후막(44)은 서로 전기적으로 연결되도록 구성한다.
상기 박막(42)은 상기 빔통과공(41)과 인접하여 위치하는 부분에는 빔통과공(41)를 둘러싸는 형상으로 형성하고, 나머지 부분은 박막(42)을 다시 둘러싸는 형상의 후막(44)으로 형성한다.
상기와 같이 빔통과공(41)에 인접한 부분만 박막(42)으로 형성하고 나머지 부분은 후막(44)으로 형성하면, 박막(42) 위에 후막(44)을 형성할 때에 후막 형성에 필요한 열공정으로 인하여 이미 형성된 박막(42)이 스트레스를 받아 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또 상기 포커싱 전극(40)은 먼저 후막(44)을 형성하고 그 다음에 박막(42)을 형성하는 것에 의하여 후막을 형성하기 위한 열공정으로 인하여 박막(42)에 크랙이 발생하는 것을 방지하는 것도 가능하다.
상기 박막(42)과 후막(44)은 동일한 도전성 재료를 이용하여 형성하는 것도 가능하고, 서로 다른 재료를 이용하여 형성하는 것도 가능하다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따른 전계 방출 표시장치에 있어서는 후막(44)에 의하여 애노드 전극(32)에 인가되는 전압에 의하여 형성되는 애노드 전계가 에미터(28)에 영향을 미치는 것을 방지하는 것이 가능하고, 박막(42)에 의하여 전자빔의 집속 성능을 충분하게 확보하는 것이 가능하다.
상기에서는 본 발명에 따른 전계 방출 표시장치의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따른 전계 방출 표시장치에 의하면, 포커싱 전극을 박막과 후막으로 구성하는 것에 의하여 빔의 집속 성능과 휘도 향상을 동시에 얻는 것이 가능하다.
즉 빔을 집속하기 위한 전계를 형성하는 부분을 박막으로 형성하는 것에 의하여 포커싱 전극에 캐소드 전극 대비 마이너스 전압을 인가하는 경우에도 빔통과공을 통과하는 전자의 수가 크게 감소하지 않으므로 충분한 휘도를 얻는 것이 가능하고, 빔의 집속 성능 향상으로 색재현성이 향상된다.
또한 전계를 형성하는 부분 이외에는 후막으로 형성하는 것에 의하여 애노드 전극에 고압을 인가하는 경우에도 애노드 전계가 에미터에 영향을 미치는 것을 차폐하는 애노드 차폐효과가 충분하게 유지되므로, 휘도향상에 충분한 고압을 애노드 전극에 인가하는 것이 가능하고, 표시품위를 향상시키는 것이 가능하다.
또 후막을 형성하는 것에 의하여 애노드 전극에 고압을 인가하는 것이 가능할뿐만아니라, 형광막 위에 금속박막층을 형성하는 것이 가능하므로, 형광막을 구성하는 형광체의 수명 증대와 발광효율의 증가가 얻어진다.
그리고 본 발명에 따른 전계 방출 표시장치에 의하면, 종래 포커싱 전극과 애노드차폐 전극을 형성하는 방법에 비하여, 절연막의 형성공정과 전극의 형성공정이 절반으로 감소하므로, 제조공정이 간단하고, 제조수율이 향상되며, 제조원가가 절감되는 효과가 얻어진다.
도 1은 본 발명에 따른 전계 방출 표시장치의 제1실시예를 나타내는 부분확대 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 전계 방출 표시장치의 제1실시예를 나타내는 부분확대 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 전계 방출 표시장치의 제2실시예에 있어서 에미터의 다른 예를 나타내는 부분확대 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 전계 방출 표시장치의 제3실시예에 있어서 포커싱 전극을 나타내는 부분확대 사시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 전계 방출 표시장치의 제4실시예에 있어서 포커싱 전극을 나타내는 부분확대 사시도이다.

Claims (12)

  1. 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 제1기판 및 제2기판과,
    상기 제1기판 상에 소정의 간격으로 형성되는 다수의 캐소드 전극과,
    상기 캐소드 전극 위에 형성되는 다수의 에미터와,
    절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극 위에 교차하는 패턴으로 형성되는 다수의 게이트 전극과,
    상기 제2기판 상에 형성되는 애노드 전극과,
    상기 애노드 전극의 일면에 소정의 패턴으로 형성되는 형광막; 및
    상기 게이트 전극과 절연막을 사이에 두고 형성되고 다수의 빔통과공이 형성되며 빔통과공에 인접한 부분은 박막으로 이루어지고 나머지부분은 후막으로 이루어지는 다수의 포커싱 전극
    을 포함하는 전계 방출 표시장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 포커싱 전극은 적어도 상기 빔통과공에 인접한 부분은 박막으로 이루어지는 전계 방출 표시장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 포커싱 전극은 상기 빔통과공과 인접한 부분은 박막으로 형성하고 나머지부분은 후막으로 형성하여 상기 빔통과공을 중심으로 계단형상으로 형성하는 전계 방출 표시장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 포커싱 전극은 전체적으로 박막으로 형성하고, 상기 빔통과공과 인접하여 위치하는 모서리부분을 제외하고는 박막 위에 후막을 추가로 형성하여 이루어지는 전계 방출 표시장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 포커싱 전극은 상기 빔통과공과 인접하여 위치하는 모서리부분은 박막으로 형성하고, 나머지 부분은 박막과 전기적으로 연결되는 후막으로 형성하여 이루어지는 전계 방출 표시장치.
  6. 청구항 4 또는 청구항 5에 있어서,
    상기 박막은 증착법을 이용하여 형성하고,
    상기 후막은 도전성 금속재료를 페이스트화하여 스크린인쇄법을 이용하여 형성하는 전계 방출 표시장치.
  7. 청구항 4 또는 청구항 5에 있어서,
    상기 박막과 후막은 동일한 도전성 재료를 이용하여 형성하는 전계 방출 표시장치.
  8. 청구항 5에 있어서,
    상기 박막은 빔통과공의 모서리를 따라 소정의 폭을 갖는 링형상 또는 띠형상으로 형성하는 전계 방출 표시장치.
  9. 청구항 5에 있어서,
    상기 포커싱 전극은 후막을 먼저 형성하고 그 다음에 박막을 형성하는 전계 방출 표시장치.
  10. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한항에 있어서,
    상기 포커싱 전극은 다수의 빔통과공이 형성되는 금속메시의 그리드 플레이트를 이용하여 이루어지고,
    상기 빔통과공에 인접한 부분은 반식각을 행하여 얇은 두께의 박막으로 형성하는 전계 방출 표시장치.
  11. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한항에 있어서,
    상기 에미터는 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, 카본 나노튜브, C60 중에서 선정하여 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 균일한 두께의 면전자원으로 형성하는 전계 방출 표시장치.
  12. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한항에 있어서,
    상기 에미터는 콘형, 웨지형, 박막필름에지형 중에서 어느 하나의 형상으로 형성하는 전계 방출 표시장치.
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