KR20050096534A

KR20050096534A - 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20050096534A
Application number: KR1020040021938A
Authority: KR
Inventors: 정규원; 김일환
Original assignee: 삼성에스디아이 주식회사
Priority date: 2004-03-31
Filing date: 2004-03-31
Publication date: 2005-10-06
Also published as: US20060055311A1; US7586251B2

Abstract

본 발명은 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판은 기판 상에 제1 방향으로 스트라이프 형태로 형성되며 망사형 미세 패턴를 구비하는 캐소드 금속 전극과, 캐소드 금속 전극의 일부를 노출시키는 게이트 홀을 구비하며 기판과 캐소드 금속 전극을 덮는 절연층과, 절연층 상에 게이트 홀에 상응하는 개구부를 구비하고 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 스트라이프 형태로 형성되는 게이트 전극, 그리고 게이트 홀 내에 형성되며 캐소드 금속 전극에 연결되는 전자방출원을 포함한다.

Description

전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판 및 그 제조 방법{Cathode plate of electron emission display and method for manufacturing the same}

본 발명은 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 전계 방출 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

최근 전계방출소자(field emission device), SCE(surface conduction emission) 소자, MIM(metal insulator metal) 소자 등의 전자 방출 표시 장치(electron emission display)에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 그것은 전자 방출 표시 장치가 고해상도와 광시야각 등의 우수한 화상 특성을 갖는 브라운관(Cathode-ray tube, CRT)의 장점과, 유기 전계발광 디스플레이나 액정 디스플레이 등과 같이 경량과 박형 그리고 저소비전력을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 장점을 모두 갖고 있기 때문이다.

전자 방출 표시 장치는 음극에 강한 전기장을 걸어 전자방출원에서 전자를 방출시키는 냉음극(cold electron) 전자 방출 방식을 이용한다. 그리고 전자 방출 표시 장치는 형광체의 캐소드 루미네슨스(cathode luminescence) 발광 현상을 이용한다. 따라서 전자 방출 표시 장치는 다른 디스플레이 장치에 비해 소비 전력이 낮으며 음극의 변조가 쉽고 패턴 형성이 쉬워 매트릭스 구동과 고해상도의 구현이 가능하다.

이러한 전자 방출 표시 장치는 기본적으로 캐소드 기판과 애노드 기판으로 이루어진다. 캐소드 기판은 전자방출원에 전계를 가해 전자를 방출하는 전자 방출 표시 장치의 하부 구조 부분을 말하며, 애노드 기판은 전자방출원에서 방출된 전자를 형광체에 가속 충돌시켜 빛을 방출하는 부분을 말한다.

도 1은 종래의 3극관 탑 게이트 구조의 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판에 대한 사시도이다. 탑 게이트 구조는 일반적으로 제1 방향으로 스트라이프(stripe) 형태로 연장되는 캐소드 전극이 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 스트라이프 형태로 연장되는 게이트 전극과 기판과의 사이에 배치된 구조를 말한다.

도 1을 참조하면, 캐소드 기판(100)은 유리 기판(102), 캐소드 전극(104), 게이트 절연층(106), 게이트 전극(108) 및 전자방출원(114)을 포함한다.

캐소드 전극(104)은 유리 기판(102) 상에 제1 방향으로 스트라이프 형태로 연장되어 있다. 캐소드 전극(104)은 ITO(Indium Tin Oxide) 전극으로 이루어진다. 여기서, 캐소드 전극(104)은 전자방출원(114)에 데이터 전압을 인가하는 데이터 전극으로서 사용된다. 게이트 절연층(106)은 스트라이프 형태로 배치되어 있는 캐소드 전극(104)과 캐소드 전극(104) 사이에 노출되어 있는 유리 기판(102)을 덮고 있다. 게이트 전극(108)은 게이트 절연층(106) 위에 배치되어 있다. 게이트 전극(108)은 스트라이프 형태의 캐소드 전극(104)이 연장되는 방향에 수직한 방향으로 스트라이프 형태로 배치되어 있다.

캐소드 전극(104) 위에는 게이트 홀(112)이 형성되어 있다. 게이트 홀(112)은 게이트 전극(108)과 절연층(106)을 관통하는 비아 홀로 형성된다. 따라서 캐소드 전극(104)은 게이트 홀(112)에 의해 그 일부가 노출된다.

캐소드 전극(104)에는 전자방출원(114)이 연결된다. 전자방출원(114)은 게이트 홀(112) 내에 위치한다. 전자방출원(114)은 게이트 전극(108)과 소정의 간격을 두고 배치된다. 전자방출원(114)은 캐소드 전극(104)과 게이트 전극(108)에 인가되는 전압에 의해 형성되는 전계에 상응하여 전자를 방출시킨다.

도 1의 캐소드 기판에 대한 제조 방법을 간략하게 설명하면 다음과 같다.

먼저, 유리 기판(102) 위에 ITO 전극을 증착한 후에 패터닝하여 스트라이프 형태의 캐소드 전극(104)을 형성한다. 게이트 절연층(106)을 캐소드 전극(104) 위에 후막으로 인쇄하여 형성된다. 그리고 게이트 절연층(106) 위에 금속층을 증착한 후에 스트라이프 형태로 게이트 전극(108)을 패터닝한다. 그 후, 캐소드 전극(104)을 노출시키는 게이트 홀(112)을 형성한다. 게이트 홀(112)은 스트라이프 형태의 캐소드 전극(104)과 스트라이프 형태의 게이트 전극(108)이 교차하는 영역에 형성된다.

다음, 전자방출원(114)이 형성될 영영에 상응하는 게이트 홀(112) 내에 캐소드 전극(114)을 노출시키고 전자방출원 페이스트(미도시)를 도포하고 후면 노광한 후, 현상 및 소성하여 탄소나노튜브 전자방출원(114)을 형성한다.

이처럼 종래의 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판의 제조 방법에서는 후면 노광법을 이용하기 때문에 ITO 전극을 사용한다. 하지만, ITO 전극은 높은 전극 저항을 갖고 있다. 예를 들어 38인치 전자 방출 표시 장치의 경우에 ITO 전극은 대략 100㏀의 높은 전극 저항값을 갖는다. 그러므로 종래의 탑 게이트 구조의 전자 방출 표시 장치에서는 데이터 전극으로서의 캐소드 전극에 높은 전압을 인가해야 한다. 이것은 캐소드 전극이 더 넓은 단면적을 갖도록 형성되어야 하며, 절연층의 내전압이 증가하여 절연층의 두께를 증가시켜야 한다는 단점이 있다. 게다가, 캐소드 전극에 높은 전압이 인가하면, 전자 방출 표시 장치의 소비 전력이 그만큼 증가된다는 문제점이 있다.

또한, 종래의 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판의 제조 방법에서는 후면 노광법을 이용하기 때문에 PD200 ITO 글라스와 같이 고가의 유리 기판을 사용한다. 따라서, 고가의 유리 기판을 사용하는 것은 전자 방출 표시 장치의 제조 원가를 증가시킨다는 단점이 있다.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 ITO 전극 이용시 발생되는 높은 전극 저항을 감소시킬 수 있는 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 값비싼 광투과성 유리 기판 대신에 저렴한 유리 기판을 사용할 수 있는 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 ITO 전극 대신에 금속 박막 전극을 이용하는 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 측면에 따르면, 소정의 간격을 두고 대향 배치되는 제1기판 및 제2기판과, 제1기판 상에 서로 단락되지 않도록 형성되는 제1전극 및 제2전극과, 제1전극 및 제2전극 중 적어도 하나에 연결되어 형성되는 전자방출원과, 제2기판 상에 형성되는 애노드 전극과, 애노드 전극의 일면에 소정의 패턴으로 형성되는 형광막, 그리고 전극들 중 적어도 하나에 망사형 미세 패턴이 형성된 것을 포함하는 전자방출표시장치를 제공할 수 있다.

바람직한 일 실시예에서, 망사형 미세 패턴은 광을 투과시키는 복수의 홀, 복수의 슬릿 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나를 포함한다.

또한, 망사형 미세 패턴은 전자방출원의 형성 영역에 상응하도록 형성된다.

또한, 망사형 미세 패턴은 전극의 고유 저항 값에 상응하는 두께 및 폭을 구비한다.

또한, 전극은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 및 이들의 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 도전성 금속 재료를 포함한다.

기판은 소다-석회 유리(soda-lime glass)인 것이 바람직하다.

전자방출원은 탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT) 등의 나노튜브 또는 나노와이어, 훌러렌(fullerene, C₆₀), 다이아몬드상 카본(diamond liked carbon, DLC) 및 그라파이트(graphite)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 재료 또는 이들의 조합 물질을 포함한다.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 투광성 기판 상에 캐소드 금속층을 형성하는 단계와, 망사형 미세 패턴을 구비하며 제1 방향으로 스트라이프 형태로 연장되는 캐소드 금속 전극을 형성하도록 캐소드 금속층을 패터닝하는 단계와, 망사형 미세 패턴을 노출시키는 게이트 홀을 구비하며 기판과 캐소드 금속 전극을 덮는 절연층을 형성하는 단계와, 절연층 상에 게이트 홀에 상응하는 개구부를 구비하고 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 스트라이프 형태로 연장되는 게이트 전극을 형성하는 단계, 그리고 게이트 홀 내에 형성되며 망사형 미세 패턴에 연결되는 전자방출원을 포함하는 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판의 제조 방법을 제공할 수 있다.

이어서, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 본 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 3극관 탑 게이트 구조의 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판에 대한 사시도이다. 도 3은 도 2의 캐소드 기판에 대한 단면도이다. 도 3에서 해칭은 단면을 표시하는 것으로 사용되지 않고, 설명의 편의상 발명의 구성을 구분하여 표시하는 것으로 사용된다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 캐소드 기판(300)은 유리 기판(302), 캐소드 금속 전극(304), 절연층(312), 게이트 전극(314) 및 전자방출원(318)을 포함한다.

캐소드 금속 전극(304)은 금속 박막으로 이루어진다. 캐소드 금속 전극(304)은 유리 기판(302) 위에 제1 방향으로 스트라이프 형태로 연장되어 있다. 캐소드 전극(304)은 탄소나노튜브 전자방출원(318)에 데이터 전압을 인가하는 데이터 전극으로서 사용된다. 또한, 캐소드 금속 전극(304)은 망사형 미세 패턴(304p)을 구비한다. 망사형 미세 패턴(304p)은 스트라이프 형태의 캐소드 금속 전극(304)과 수직한 방향으로 연장되는 스트라이프 형태의 게이트 전극(314)이 서로 교차되는 영역에 형성된다. 망사형 미세 패턴(304p)은 미세한 홀이나 슬릿이 망사 형태를 이루며 광을 투과시키는 구조를 말한다. 따라서 캐소드 금속 전극(304)은 기본적으로 광을 투과시키지 않지만, 망사형 미세 패턴 부분에서는 광을 투과시킨다.

절연층(312)은 스트라이프 형태로 배치되어 있는 캐소드 전극(304)과 캐소드 전극(304) 사이에 노출되어 있는 유리 기판(302)을 덮고 있다. 유리 기판(302)은 가격이 저렴한 소다-림 글라스(soda-lime glass)를 사용한다.

게이트 전극(314)은 절연층(312) 위에 금속 박막으로 배치되어 있다. 게이트 전극(314)은 스트라이프 형태의 캐소드 전극(304)이 연장되어 있는 방향에 수직한 방향으로 스트라이프 형태로 배치되어 있다. 또한 게이트 전극(314)은 도 3에 나타낸 바와 같이 개구부(314a)를 구비한다. 이러한 개구부(314a)는 게이트 홀(316)에 상응하도록 형성되어 있다. 구체적으로, 개구부(314a)는 게이트 홀(316)의 식각 공정 이후에 게이트 전극(314)이 스트라이프 형태로 패터닝될 때에 게이트 홀(316)보다 좀더 큰 개구부로서 식각된다.

캐소드 전극(304) 위에는 게이트 홀(316)이 형성되어 있다. 게이트 홀(316)은 게이트 전극(314)과 절연층(312)을 관통하는 비아 홀로 형성된다. 또한, 게이트 홀(316)은 캐소드 전극(304)과 게이트 전극(324)이 교차하는 영역에 형성되어 있다. 그리고 게이트 홀(316)은 망사형 미세 패턴(304p) 위에 형성된다. 따라서 캐소드 전극(304)의 망사형 미세 패턴(304p)은 게이트 홀(112)에 의해 전부 또는 일부가 노출된다.

전자방출원(318)은 게이트 홀(316) 내에 형성되어 있다. 전자방출원(318)은 캐소드 전극(304)에 연결된다. 구체적으로, 전자방출원(318)은 망사형 미세 패턴(304p)에 접촉되어 있다. 또한, 전자방출원(318)은 게이트 전극(314)과 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 전자방출원(318)은 캐소드 전극(304)과 게이트 전극(314) 사이의 전압에 의해 형성되는 전계에 상응하여 전자를 방출시킨다.

한편, 도 2에서 전자방출원(318)과 연결되어 있는 망사형 미세 패턴(304p)은 게이트 전극(314)에 가려져 보이지 않는다. 그리고 설명의 편의상 망사형 미세 패턴(304p)을 캐소드 전극(304)에 표시하여 적절하게 나타내었다. 그리고 도 3에서는 설명의 편의상 전자방출원(318)을 세 개의 게이트 홀(316)에 대하여 하나만 표시하였다.

다음은 본 발명의 전자 방출 표시 장치의 캐소드 구조의 제조 방법에 대하여 설명한다.

도 4a 내지 도 4h는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판의 제조 방법에 대한 도면들이다.

도 4a를 참조하면, 탑 게이트 구조의 캐소드 기판을 제작하기 위해 먼저 소다-림 유리 기판(302)을 준비한다. 그리고 유리 기판(302)의 전면에 캐소드 금속층(304a)을 증착한다. 증착에는 스퍼터링(sputtering) 등의 다양한 증착 방식이 적절하게 이용될 수 있다. 종래의 제조방법에서는 캐소드 금속층(304a) 대신에 ITO(Indium Tin Oxide) 전극층이 이용되었다.

도 4b를 참조하면, 캐소드 금속층(304a)은 패터닝된다. 이때 캐소드 금속층(304a)은 망사형 미세 패턴을 구비하도록 패터닝된다. 이를 위해, 먼저 캐소드 금속층(304a) 위에는 감광층(306)이 형성된다. 감광층(306)은 소정의 감광액(photoresist)으로 이루어진다. 다음, 캐소드 전극 패턴(308a)이 형성되어 있는 마스크(308)를 통한 노광 및 현상 공정에 의해 감광층(306)은 캐소드 금속층(304a)을 식각하기 위한 마스크층(미도시)으로 준비된다.

도 4c를 참조하면, 캐소드 금속층(304a)은 앞서 설명한 캐소드 패터닝 공정을 통해 망사형 미세 패턴(304p)을 구비한 캐소드 전극(304)으로 형성된다. 망사형 미세 패턴(304p)은 광을 투과시킬 수 있는 패턴 구조를 말한다. 예를 들어, 광을 투과시킬 수 있는 패턴 구조는 복수의 홀이 원형이나 다각형 모양으로 형성되어 있는 박막 금속 구조를 포함한다. 또한, 광을 투과시킬 수 있는 패턴은 복수의 슬릿(slit)이나 슬롯(slot)이 원형이나 다각형 모양으로 형성되어 있는 박막 금속 구조를 포함한다.

이러한 망사형 미세 패턴(304p)은 망사형 미세 패턴(304p)에 연결되어 형성될 전자방출원의 모양에 따라 변형될 수 있다. 본 실시예에서는 도 4c에서와 같이 대략 직사각형, 정사각형, 원형으로 형성된 망사형 미세 패턴(304p)을 나타내었다. 또한, 도 4c 및 도 5에 나타낸 바와 같이 망사형 미세 패턴(304p)의 두께(T)와 미세 패턴 사이의 폭(W)은 캐소드 전극의 전극 저항에 따라 적절한 전극 저항에 맞추어 결정된다. 예를 들어 전극 저항은 38인치 전자 방출 표시 장치에서 캐소드 전극의 전극 저항이 5㏀ 수준이 되도록 설정되는 것이 바람직하다.

도 4d를 참조하면, 절연층(312)이 먼저 망사형 미세 패턴(304p)이 형성되어 있는 캐소드 전극(304)과 캐소드 전극(304) 사이에 노출된 유리 기판(302)을 덮도록 전면에 도포된다. 이러한 절연층(312)은 스크린 인쇄법에 의해 후막으로 인쇄된 후, 건조 및 소성 공정을 통해 형성된다. 그 후, 절연층(312)의 전면에 게이트 전극층(314p)이 증착된다. 게이트 전극층(314p)은 예를 들어 크롬(Cr)을 이용한 스퍼터링 방식에 의해 형성된다.

도 4e를 참조하면, 캐소드 전극(304) 위에 게이트 홀(316)이 형성된다. 캐소드 전극(304)의 망사형 미세 패턴은 게이트 홀(316)에 의해 노출된다. 이를 위해, 먼저 게이트 전극층(314p)의 전면에는 감광액의 코팅을 통해 감광층(미도시)이 형성된다. 다음, 감광층은 노광 및 현상되어 게이트 홀 패턴을 구비한 마스크로서 준비된다. 이 마스크의 게이트 홀 패턴에 따라 게이트 전극층(314p)과 절연층(312)은 순차적으로 식각된다. 또한, 게이트 전극층(314p)은 절연층(312)에 앞서 먼저 식각된 후에 절연층(312)의 식각 마스크로서 기능한다. 이러한 공정에 의해 게이트 홀(109)이 형성된다. 게이트 홀(109) 형성 후 감광액은 제거된다.

도 4f를 참조하면, 게이트 전극층(314p)이 스트라이프 형태의 게이트 전극(314)으로 패터닝된다. 이를 위해, 먼저 게이트 전극층(314p)의 전면에는 감광층(미도시)이 코팅된다. 그리고 감광층은 노광 및 형상하는 공정에 의해 게이트 전극 패턴(314b)을 구비한 마스크로서 형성된다. 이 마스크의 게이트 전극 패턴(314b)에 따라 게이트 전극층(314p)은 에칭되어 스트라이프 형태의 게이트 전극(314)으로 형성된다. 이때 게이트 전극(314)의 개구부는 도 3에서 설명한 바와 같이 게이트 홀(316)보다 넓게 패터닝될 수 있다. 게이트 전극(314)이 형성된 후 감광액은 제거된다.

도 4g를 참조하면, 게이트 전극(314)이 형성되어 있는 유리 기판(302)의 전면에는 감광성 희생층(320)이 도포된다. 희생층(320)은 노광 및 현상되어 게이트 홀 내의 전자방출원 형성 영역에 캐소드 전극(304)이 노출되도록 형성된다.

도 4h를 참조하면, 전자방출원을 형성하기 위해 전자방출원 페이스트(318a)를 희생층(320) 상의 전면에 도포한다. 전자방출원 페이스트(318a)는 스크린 인쇄법에 의해 후막으로 인쇄되고 건조된다. 전자방출원 페이스트(318a)는 게이트 홀 내에 형성되며, 게이트 홀 내에서 노출된 캐소드 전극(304)의 망사형 미세 패턴 위에 충전된다. 이러한 공정에 의해 데이터 전극으로서 금속 박막 전극을 구비하는 탑 게이트 구조의 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판이 제조된다.

이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.

이상과 같이 본 발명에 의하면, 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판에서 ITO 전극을 이용할 때에 발생되는 높은 전극 저항을 크게 감소시킴으로써 캐소드 기판이 보다 낮은 전압에서 구동할 수 있고, 따라서 캐소드 기판의 박형화와 저소비 전력화에 기여할 수 있다.

또한, 본 발명에 의하면, 데이터 전극으로 사용되는 ITO 전극 대신에 금속 박막 전극을 사용함으로써, 저렴한 유리 기판을 사용할 수 있다. 따라서, 전자 방출 표시 장치의 제조 원가를 낮출 수 있다는 이점이 있다.

도 1은 종래의 3극관 탑 게이트 구조의 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판에 대한 사시도이다.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 3극관 탑 게이트 구조의 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판에 대한 사시도이다.

도 3은 도 2의 캐소드 기판에 대한 단면도이다.

도 5는 본 발명에 따른 망사형 미세 패턴의 일례를 나타낸 도면이다.

<도면의 주요 부분에 부호의 설명>

300: 캐소드 기판 302: 기판

304: 캐소드 금속 전극 304a: 캐소드 금속층

304p: 망사형 미세 패턴 306: 감광층

308: 마스크 308a: 캐소드 전극 패턴

312: 절연층 314: 게이트 전극

314a: 리세스 314p: 게이트 전극층

318: 탄소나노튜브 전자방출원

318a: 탄소나노튜브 페이스트

320: 희생층

Claims

소정의 간격을 두고 대향 배치되는 제1기판 및 제2기판;

상기 제1기판 상에 서로 단락되지 않도록 형성되는 제1전극 및 제2전극;

상기 제1전극 및 제2전극 중 적어도 하나에 연결되어 형성되는 전자방출원;

상기 제2기판 상에 형성되는 애노드 전극;

상기 애노드 전극의 일면에 소정의 패턴으로 형성되는 형광막; 및

상기 전극들 중 적어도 하나에 망사형 미세 패턴이 형성된 것을 포함하는 전자방출 표시장치.
제1 항에 있어서,

상기 망사형 미세 패턴은 광을 투과시키는 복수의 홀, 복수의 슬릿 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나를 포함하는 전자방출 표시장치.
제1 항에 있어서,

상기 망사형 미세 패턴은 상기 전자방출원의 형성 영역에 상응하도록 형성되어 있는 전자방출 표시장치.
제1 항에 있어서,

상기 망사형 미세 패턴은 상기 전극의 고유 저항 값에 상응하는 두께 및 폭을 구비하는 전자방출 표시장치.
제1항에 있어서,

상기 전극은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 및 이들의 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 도전성 금속 재료를 포함하는 전자방출 표시장치.
제1항에 있어서,

상기 기판은 소다-석회 유리인 전자방출 표시장치.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 전자방출원은 나노튜브, 나노와이어, 훌러렌, 다이아몬드상 카본 및 그라파이트로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 재료 또는 이들의 조합 물질을 포함하는 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판.
투광성 기판 상에 캐소드 금속층을 형성하는 단계;

망사형 미세 패턴을 구비하며 제1 방향으로 스트라이프 형태로 연장되는 캐소드 금속 전극을 형성하도록 상기 캐소드 금속층을 패터닝하는 단계;

상기 망사형 미세 패턴을 노출시키는 게이트 홀을 구비하며 상기 기판과 상기 캐소드 금속 전극을 덮는 절연층을 형성하는 단계;

상기 절연층 상에 상기 게이트 홀에 상응하는 개구부를 구비하고 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 스트라이프 형태로 연장되는 게이트 전극을 형성하는 단계; 및

상기 게이트 홀 내에 형성되며 상기 망사형 미세 패턴에 연결되는 전자방출원을 형성하는 단계를 포함하는 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판의 제조 방법.
제8항에 있어서,

상기 캐소드 금속층을 패터닝하는 단계;

광을 투과시키는 복수의 홀, 복수의 슬릿 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나를 포함하는 상기 망사형 미세 패턴을 패터닝하는 단계를 포함하는 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판의 제조 방법.
제8항에 있어서,

상기 캐소드 금속층은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 및 이들의 합금 중에서 선택된 적어도 하나의 도전성 금속 재료를 포함하는 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판의 제조 방법.
제8항에 있어서,

상기 광투과성 기판은 소다-석회 유리인 전자 방출 표시 장치의 캐소드 구조의 제조 방법.
제8항에 있어서,

상기 전자방출원을 형성하는 단계는 상기 기판 상에 탄소나노튜브 페이스트를 도포하고 후면 노광한 후 상기 탄소나노튜브 페이스트의 비노광 부분을 현상하는 단계를 포함하는 전자 방출 표시 장치의 캐소드 기판의 제조 방법.