KR20070044175A - 전자 방출 소자 및 이를 구비한 전자 방출 디바이스 - Google Patents

전자 방출 소자 및 이를 구비한 전자 방출 디바이스 Download PDF

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KR20070044175A
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Abstract

본 발명은 전자 방출 균일도 및 전자빔 집속 효율을 개선할 수 있는 전자 방출 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 전자 방출 소자는, 절연층 패턴을 사이에 두고 순차적으로 형성되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극, 제1 전극과 제2 전극을 연결하는 저항층, 및 제2 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부를 포함한다.
전자방출소자, 캐소드전극, 절연층패턴, 저항층, 게이트전극

Description

전자 방출 소자 및 이를 구비한 전자 방출 디바이스{ELECTRON EMISSION ELEMENT AND ELECTRON EMISSION DEVICE HAVING THE SAME}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도들이다.
도 4은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 하나의 화소에서 나타나는 발광 상태를 나타내는 도면이다.
도 6은 종래 전자 방출 표시 디바이스의 하나의 화소에서 나타나는 발광 상태를 나타내는 도면이다.
본 발명은 전자 방출 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자 방출 균일도 및 전자빔 집속 효율을 개선할 수 있는 전자 방출 소자 및 이를 구비한 전자 방 출 디바이스에 관한 것이다.
일반적으로, 전자 방출 소자(electron emission element)는 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 구분된다.
여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; FEA, 이하 FEA라 칭함)형, 표면 전도 에미션(Surface Conduction Emission; SCE, 이하 SCE라 칭함)형, 금속-절연체-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM, 이하 MIM이라 칭함)형 및 금속-절연체-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS, 이하 MIS라 칭함)형 등이 알려져 있다.
이 중 FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 이 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극들로서 하나의 캐소드 전극과 하나의 게이트 전극이 구비되는 구성을 가지며, 상기 전자 방출부의 물질로 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비(aspect ratio)가 큰 물질, 일례로 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뽀죡한 팁 구조물이나, 탄소 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 탄소와 같은 탄소계 물질을 사용하여 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다.
한편, 전자 방출 소자는 일 기판에 어레이를 이루어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 일면에 형광층과 애노드 전극이 구비된 다른 기판에 대향 배치되어 진공 용기를 형성하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.
상기 전자 방출 소자는 일반적으로 캐소드 전극과 게이트 전극은 절연층을 사이에 두고 서로 교차하는 방향을 따라 순차적으로 형성되고, 두 전극간 교차 영역의 게이트 전극과 절연층에 개구부가 각각 형성되며, 이 개구부 내측으로 캐소드 전극 위에 전자 방출부가 형성되는 구성을 가지며, 캐소드 전극과 게이트 전극에 인가되는 전압에 따라 전자 방출부에서 전자 방출이 이루어지게 된다.
상기 전자 방출 소자가 어레이를 이루어 전자 방출 디바이스를 구성하는 경우, 캐소드 전극과 게이트 전극 중 어느 하나의 전극에 주사 신호 전압이 인가되고 다른 하나의 전극에 데이터 신호 전압이 인가되어, 캐소드 전극과 게이트 전극간 전압 차가 임계치 이상인 전자 방출 소자들에서 전자 방출부 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자 방출이 이루어지게 된다.
상기 전자 방출 디바이스를 발광 유닛이 구비된 다른 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스를 구성하는 경우, 전자 방출 표시 디바이스는 전자 방출 소자들로부터 방출되는 전자들이 애노드 전극에 의해 해당 형광층으로 가속되어 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.
그런데, 상기 전자 방출 디바이스에서는 캐소드 전극과 게이트 전극이 내부 저항을 가짐에 따라 각 전극에 주사 신호 전압 또는 데이터 신호 전압 등의 구동 전압를 인가할 때 전압 강하가 발생할 수 있다.
특히, 전자 방출부 형성을 위한 후면 노광 등을 고려하여 캐소드 전극이 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전 물질로 형성되는 경우 알루미늄(Al)이나 은(Ag)과 같은 금속으로 형성되는 경우보다 내부 저항이 커서 상기한 문제점이 더 욱 더 심화될 수 있다.
이와 같이 전자 방출 디바이스의 구동 시 전압 강하가 발생하면, 모든 전자 방출 소자들에 대하여 동일한 값을 갖는 구동 전압을 해당 전극에 인가할 때 전자 방출 소자마다 전자 방출부에 인가되는 전계 세기에 차이가 발생하여 전자 방출 균일도가 저하되며, 상기 전자 방출 디바이스를 갖는 표시 디바이스에서는 휘도 특성이 저하되는 문제가 있다.
이를 해결하기 위하여 종래 전자 방출 디바이스에서는 캐소드 전극에 저항층을 적용하여 각 전자 방출 소자에 인가되는 전류량을 제어하는 방법을 적용하고 있다. 이 경우 전자 방출 소자는 일례로 캐소드 전극이 동일 평면상에서 서로 분리 배치되는 2개의 전극으로 이루어지고, 이 2개의 전극이 저항층에 의해 서로 연결되며 2개의 전극 중 어느 하나의 전극에 전자 방출부가 형성되는 구조를 갖는다.
그런데, 상기 전자 방출 디바이스에서는 캐소드 전극에 데이터 신호 전압 또는 주사 신호 전압이 인가될 때 저항층에 의해 캐소드 전극을 이루는 2 개의 전극에 서로 다른 전압이 걸리게 되어, 전자 방출 디바이스의 구동 시 전자 방출 소자마다 전자 방출부 주위에 생성되는 전계가 서로 다른 세기를 가지게 된다.
이와 같이 전자 방출부 주위에 생성되는 전계의 세기가 균일하지 못하면 전자 방출부로부터 방출되는 전자들의 빔 퍼짐이 발생하여 전자빔 집속 효율이 저하되며, 이를 전자 방출 표시 디바이스에 적용할 경우 주 발광 이외에 원치 않는 부차 발광이 발생하여 화면의 색재현성이 저하되는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으 로, 본 발명의 목적은 전자 방출 균일도 및 전자빔 집속 효율을 개선할 수 있는 전자 방출 소자를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 전자 방출 소자를 가지는 전자 방출 디바이스를 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 절연층 패턴을 사이에 두고 순차적으로 형성되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극, 제1 전극과 제2 전극을 연결하는 저항층, 및 제2 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부를 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판, 기판 위에 절연층 패턴을 사이에 두고 순차적으로 형성되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 캐소드 전극, 제1 전극과 상기 제2 전극을 연결하는 저항층, 제2 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부, 및 전자 방출부에 대응하는 개구부를 구비하며 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극 위에 형성되는 게이트 전극을 포함하는 전자 방출 디바이스를 제공한다.
여기서, 제1 전극의 폭이 제2 전극의 폭보다 크고, 저항층이 제2 전극의 양측과 각각 접촉하면서 제1 전극의 양측 가장자리 상부에 형성될 수 있다.
또한, 저항층이 수 ㏀㎝ 내지 수십 ㏀㎝ 의 비저항을 가지는 물질로 이루어질 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 상술한 전자 방출 디바이스, 이 전 자 방출 디바이스의 기판에 대향 배치되어 진공 용기를 형성하는 다른 기판, 및 다른 기판의 일면에 형성되는 발광 유닛을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스를 제공한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스를 나타낸 도면들로서, 도 1은 부분 분해 사시도이고, 도 2 및 도 3은 부분 단면도들이며, 도 4는 부분 평면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(10)과 제2 기판(20)을 포함한다. 제1 기판(10)과 제2 기판(20)의 가장자리에는 밀봉 부재(도시하지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 제1 기판(10)과 제2 기판(20) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.
제1 기판(10) 중 제2 기판(20)과의 대향면에는 제2 기판(20)을 향해 전자들을 방출하는 전자 방출 유닛(100)이 제공되고, 제2 기판(20) 중 제1 기판(10)과의 대향면에는 상기 전자들에 의해 가시광을 방출하여 임의의 발광 또는 표시를 행하는 발광 유닛(200)이 제공된다.
보다 구체적으로, 먼저 제1 기판(10) 위에는 전자 방출울 제어하기 위한 캐소드 전극들(110)이 제1 기판(10)의 일 방향(도면의 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다. 캐소드 전극(110)은 절연층 패턴(116)을 사이에 두고 순차적 으로 형성되는 제1 전극(112) 및 제2 전극(114)을 포함하고, 제1 전극(112)과 제2 전극(114)은 저항층(118)에 의해 연결되며 제1 전극(112) 위로 전자 방출부(140)가 형성된다.
여기서, 제1 전극(112)과 제2 전극(114)은 모두 ITO, IZO와 같은 투명 도전 물질로 이루어질 수 있고, 저항층(118)은 수 ㏀㎝ 내지 수십 ㏀㎝의 비저항을 가지는 물질, 일례로 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다.
전자 방출부(140)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(140)는 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, C60(fullerene), 실리콘 나노와이어 중 어느 하나 또는 이들의 조합 물질로 이루어질 수 있으며, 그 제조법으로는 스크린 인쇄, 직접 성장, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 적용할 수 있다.
본 실시예에 있어 제1 전극(112)과 제2 전극(114)은 서로 다른 평면상에 형성되며, 절연층 패턴(116)과 제2 전극(114)은 이후 설명할 게이트 전극(130)과 캐소드 전극(120)이 교차하는 영역에 대응하여 제1 전극(112) 위로 형성된다.
그리고, 제1 전극(112)의 폭이 제2 전극(114)의 폭보다 크며, 저항층(118)이 캐소드 전극(110)의 길이 방향을 따라 제2 전극(114)의 양측과 각각 접촉하면서 제1 전극(112)의 양측 가장자리 상부에 각각 형성된다.
도 1 및 도 2에서는 저항층(118)의 일 측이 제2 전극(114)의 가장 자리 상부 에 걸쳐져서 제1 전극(114)의 측부 및 가장 자리 상부와 접촉하는 경우를 도시하였으나, 저항층(118)이 제2 전극(114)의 측부에만 접촉하여 형성될 수도 있다. 이때, 전자의 경우가 접촉 면적이 커서 후자의 경우에 비해 접촉 특성에 있어 유리하다.
도 2에서는 절연층 패턴(116)의 폭이 캐소드 전극(110)의 제1 전극(112) 폭 보다는 작고 제2 전극(114)의 폭보다는 큰 경우를 도시하였으나, 제2 전극(114)의 폭과 동일한 폭을 가질 수도 있다.
도 1에서는 평면 형상이 사각형인 절연층 패턴(116)이 이후 설명할 게이트 전극(130)과 캐소드 전극(120)의 교차 영역마다 섬 형태의 하나의 패턴으로 배열되고, 그 위로 평면 형상이 사각형인 캐소드 전극(110)의 제2 전극(114)이 캐소드 전극(110)의 길이 방향을 따라 섬 형태로 5개씩 배열되고, 그 위로 평면 형상이 원형인 전자 방출부(140)가 1 개씩 배열되는 경우를 도시하였다. 그러나, 이러한 절연층 패턴(115), 제2 전극(114) 및 전자 방출부(140)의 평면 형상 및 개수 등은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.
또한, 도면에서는 저항층(118)이 제1 전극(112)의 양측에서 각각 하나의 패턴으로 제1 전극(112)과 제2 전극들(114)을 연결하는 경우를 도시하였으나, 저항층(118)의 패턴 개수 및 배열 형태는 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.
한편, 캐소드 전극(110) 위로 제1 기판(10)의 전체에 제1 절연층(120)이 형성되고, 제1 절연층(120) 위로 캐소드 전극(110)과 직교하는 방향(도면의 x축 방 향)을 따라 스트라이프 패턴으로 게이트 전극들(130)이 형성된다.
그리고, 제1 절연층(120)과 게이트 전극(130)에는 전자 방출부(140)에 대응하는 각각의 개구부(120a, 130a)가 구비되어 개구부(120a, 130a)를 통하여 제1 기판(10) 위로 전자 방출부(140)가 노출된다.
도면에서는 제1 절연층(120)과 게이트 전극(130)의 개구부(120a, 130a) 형상이 평면상에서 원형으로 이루어지는 경우를 예시하였으나, 개구부(120a, 130a)의 형상은 이 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.
상술한 전자 방출 표시 다비이스에서, 하나의 캐소드 전극(110)의 제1 전극(112), 절연층 패턴(116), 제2 전극(114), 저항층(118), 전자 방출부(140), 제1 절연층(120) 및 게이트 전극(130)이 하나의 전자 방출 소자를 이루게 되며, 이러한 전자 방출 소자가 제1 기판(10)에 어레이(array)를 이루어 전자 방출 디바이스를 형성하게 된다.
또한, 상기 전자 방출 표시 디바이스에서는 게이트 전극(130) 위로 제2 절연층(150)과 집속 전극(160)이 순차적으로 형성될 수 있다. 이 경우 제2 절연층(150)과 집속 전극(160)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(150a, 160a)가 마련되는데, 일례로 이 개구부(150a, 160a)는 전자 방출 소자 당 하나로 구비되어 집속 전극(160)이 하나의 전자 방출 소자에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속하도록 한다. 이때, 집속 전극(160)은 전자 방출부(150)와의 높이 차이가 클수록 우수한 집속 효과를 발휘하므로, 제2 절연층(150)의 두께를 제1 절연층(120)의 두께보다 크게 형성하는 것이 바람직하다.
이러한 집속 전극(160)은 도면에 구체적으로 도시되지는 않았지만 제1 기판(10)의 전체에 하나로 형성되거나 소정의 패턴으로 나뉘어서 복수 개로 형성될 수 있다.
또한, 집속 전극(160)은 제2 절연층(150) 위에 코팅된 도전막으로 이루어지거나 개구부(160a)를 구비한 금속 플레이트로 이루어질 수 있다.
다음으로, 제1 기판(10)에 대향하는 제2 기판(20)의 일면에는 형광층(210)과 흑색층(220)이 형성되고, 형광층(210)과 흑색층(220) 위로 알루미늄과 같은 금속으로 이루어진 애노드 전극(230)이 형성된다. 애노드 전극(230)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가 받으며, 형광층(210)에서 방사된 가시광 중 제 1 기판(10)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(20) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.
한편, 애노드 전극(230)은 제2 기판(20)을 향한 형광층(210)과 흑색층(220)의 일면에 형성될 수 있으며, 이 경우 형광층(210)에서 방사된 가시광을 투과시킬 수 있도록 애노드 전극이 ITO와 같은 투명 도전 물질로 이루어진다.
다른 한편으로는, 제2 기판(20) 상에 투명 도전 물질의 애노드 전극과 반사 효과에 의해 휘도를 높이는 금속 박막이 모두 형성될 수도 있다.
형광층(210)은 제1 기판(10) 상에 정의된 화소 영역에 일대일로 대응하여 배치되거나 화면의 수직 방향(도면의 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성될수 있고, 흑색층(220)은 크롬 또는 크롬 산화물과 같은 불투명 물질로 이루어질 수 있다.
상술한 전자 방출 표시 디바이스에서 형광층(210)은 전자 방출 소자에 대응하여 형성되며, 이때 서로 대응하는 하나의 형광층(210)과 하나의 전자 방출 소자가 상기 전자 방출 표시 디바이스의 실질적인 화소를 이루게 된다.
다음으로, 제1 기판(10)과 제2 기판(20) 사이에는 복수의 스페이서들(300)이 배치되어 두 기판(10, 20) 사이의 간격을 일정하게 유지시킨다. 이때, 스페이서들(300)은 흑색층(220)이 위치하는 비발광 영역에 대응하여 배치된다.
이와 같이 구성되는 전자 방출 표시 디바이스에서는, 일례로 애노드 전극(230)에 수백 내지 수천 볼트의 (＋) 전압을 인가하고 캐소드 전극(110)과 게이트 전극(130) 중 어느 하나의 전극에 주사 신호 전압을 인가함과 동시에 다른 하나의 전극에 데이터 신호 전압을 인가하여 구동한다.
그러면, 캐소드 전극(110)과 게이트 전극(130) 사이의 전압차가 임계치 이상인 전자 방출 소자들에서 전자 방출부(140) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출되고, 방출된 전자들은 애노드 전극(230)에 인가된 고전압에 이끌려 해당 형광층(210)에 충돌하여 이를 발광시킨다.
이 과정에서 본 실시예의 전자 방출 표시 디바이스는 저항층(118)에 의해 각 전자 방출 소자마다 인가되는 전류량이 제어될 수 있으므로, 전자 방출 소자마다 균일한 전자 방출이 이루어지게 된다.
또한, 본 실시예의 전자 방출 표시 디바이스는 캐소드 전극(110)의 제1 전극(112)과 제2 전극(114)이 서로 다른 평면상에 배치되므로, 저항층(118)에 의해 두 전극(112, 114) 사이에 서로 다른 전압이 걸리더라도 전자 방출 소자마다 전자 방 출부 주위에 생성되는 전계는 균일한 세기를 가지게 된다. 이로써, 전자 방출부로부터 방출되는 전자들의 빔 퍼짐이 억제되고 부차 발광이 최소화되어 색재현성이 개선될 수 있다.
하기의 [표 1]은 본 발명의 전자 방출 표시 디바이스(실시예)와 종래의 전자 방출 표시 디바이스(비교예)에서 적(red; R), 녹(green; G), 청(blue; B) 각 화소에서 나타나는 색 좌표(x, y)와 CRT(Cathod-Ray Tube)의 NTSC(National Television System Committee) 기준 대비 색재현성을 나타낸 데이터로서, 본 발명의 전자 방출 표시 디바이스가 종래의 전자 방출 디바이스에 비해 부차 발광이 최소화되어 색재현성이 개선됨을 알 수 있다.
실시예 비교예
색좌표 x y x y
적(R) 0.635 0.335 0.575 0.354
녹(G) 0.275 0.605 0.287 0.524
청(B) 0.142 0.065 0.165 0.105
색재현성 72.8% 44.7%
또한, 도 5 및 도 6은 각각 본 발명의 전자 방출 표시 디바이스와 종래의 전자 방출 표시 디바이스의 하나의 화소, 일례로 녹(R) 화소에서 나타나는 발광 상태를 나타낸 것으로, 본 발명의 전자 방출 표시 디바이스가 종래의 전자 방출 표시 디바이스에 비해 색재현성이 개선됨을 확인할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이와 같이 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스는 캐소드 전극의 전압 강하를 방지하여 각 전자 방출 소자마다 방출되는 전자량의 차이를 최소화할 수 있으므로 전자 방출 균일도를 개선할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스는 전자 방출 소자마다 전자 방출부 주위에 균일한 세기의 전계를 생성하여 전자빔 집속 효율을 개선할 수 있으므로 부차 발광을 최소화할 수 있다.
그 결과, 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스를 갖는 전자 방출 표시 디바이스는 휘도 및 색재현성을 개선할 수 있어 화면의 표시 품질을 높일 수 있다.

Claims (11)

  1. 절연층 패턴을 사이에 두고 순차적으로 형성되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 연결하는 저항층; 및
    상기 제2 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부
    를 포함하는 전자 방출 소자.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전극의 폭이 상기 제2 전극의 폭보다 큰 전자 방출 소자.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 저항층이 상기 제2 전극의 양측과 각각 접촉하면서 상기 제1 전극의 양측 가장자리 상부에 형성되는 전자 방출 소자.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 저항층이 수 ㏀㎝ 내지 수십 ㏀㎝의 비저항을 가지는 물질로 이루어지는 전자 방출 소자.
  5. 기판;
    상기 기판 위에 절연층 패턴을 사이에 두고 순차적으로 형성되는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 캐소드 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 연결하는 저항층;
    상기 제2 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부; 및
    상기 전자 방출부에 대응하는 개구부를 구비하며 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극 위에 형성되는 게이트 전극
    을 포함하는 전자 방출 디바이스.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 투명 도전 물질로 이루어지는 전자 방출 디바이스.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 전극의 폭이 상기 제2 전극의 폭보다 큰 전자 방출 디바이스.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 저항층이 상기 제2 전극의 양측과 각각 접촉하면서 상기 제1 전극의 양측 가장자리 상부에 형성되는 전자 방출 디바이스.
  9. 제5 항에 있어서,
    상기 저항층이 수 ㏀㎝ 내지 수십 ㏀㎝의 비저항을 가지는 물질로 이루어지는 전자 방출 디바이스.
  10. 제5 항에 있어서,
    상기 게이트 전극과 절연되어 상기 게이트 전극 위에 형성되는 집속 전극을 더욱 포함하는 전자 방출 디바이스.
  11. 제5 항 내지 제10 항 중 어느 한 항의 전자 방출 디바이스;
    상기 전자 방출 디바이스의 기판에 대향 배치되어 진공 용기를 형성하는 다른 기판; 및
    상기 다른 기판의 일면에 형성되는 발광 유닛을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
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