JP3780182B2

JP3780182B2 - 画像形成装置

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Publication number: JP3780182B2
Application number: JP2001209558A
Authority: JP
Inventors: 康二山▲崎▼; 智也大西
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-07-18
Filing date: 2001-07-10
Publication date: 2006-05-31
Anticipated expiration: 2021-07-10
Also published as: US20020047661A1; US6509691B2; US6853148B2; US20030067275A1; JP2002100313A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば電子線を用いた表示装置等の画像形成装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子放出素子を利用した画像形成装置として、冷陰極素子を多数形成した電子源基板と、アノード電極及び蛍光体を具備した陽極基板とを平行に対向させ、内部を真空に排気した平面型の電子線表示パネルが知られている。このような画像形成装置において、表面伝導型放出素子を用いたものは、例えば、USP5,066,883等に開示されている。表面伝導型放出素子を用いた平面型の電子線表示パネルは、現在広く用いられているＣＲＴに比べ、軽量化、大画面化を図ることができ、また、液晶を利用した平面型表示パネルやプラズマ・ディスプレイ、エレクトロ・ルミネッセント・ディスプレイ等の他の平面型表示パネルに比べて、より高輝度、高品質な画像を提供することができる。
【０００３】
電子放出素子を利用した画像形成装置の一例として、従来の平面型電子線表示パネルにおいては、リアプレート、フェースプレート及び側壁（支持枠）によって真空容器を構成している。また、リアプレートの電子源基板には電子放出素子が設けられ、一方フェースプレートには蛍光体及びアノード電極（メタルバック等）が設けられており、1つの電子放出素子に対して１つの蛍光体が対応している。また、電子放出素子には行方向配線及び列方向配線が接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような電子線表示パネルにおいては、電子源から放出された電子を加速するために、リアプレートとフェースプレートとの間には数百Ｖから数kV以上程度の高電圧（Ｖａ）が印加される。画像形成装置の輝度は、このＶａに大きく依存し、高輝度化のためにはＶａを高くしてゆく必要がある。
【０００５】
しかしながら、Ｖａを高くすると画像形成装置内で放電が発生する場合があった。特に、画像形成装置内にリアプレートとフェースプレートを所定の間隔に保持すると共に、大気圧に対する支持の目的でスペーサ部材を配置した場合や、より高真空を維持する目的で、ゲッタ部材を配置した構成においては、これらスペーサ、ゲッタ部材近傍で電界集中が起こりやすく、放電が発生しやすい場合があった。
【０００６】
また、画像形成装置の小型化を目的として、支持枠をアノード電極近傍に配置する構成においても、支持枠表面を介した沿面放電が発生する場合があった。
【０００７】
以上のような放電は、画像表示中に突発的に起こり、画像を乱すだけでなく、放電個所近傍の電子源を著しく劣化させ、その後の表示が正常にできなくなる恐れがある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであって、形状に起因する電界集中や沿面放電の発生を抑止するとともに、電子源を用いた画像形成装置内において放電が発生した場合にも、放電によるダメージを大幅に減らし、画像形成装置の破壊を防止して、信頼性の高い画像形成装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
本発明は、電子源の配置されたリアプレートと、前記電子源から放出された電子が照射され画像を形成する画像形成領域を有するフェースプレートとを対向させて真空容器を構成する画像形成装置を対象とする。
【００１０】
本発明の画像形成装置は、電子源を有するリアプレートと、前記電子源から放出された電子の照射を受け画像を形成する蛍光体及び該蛍光体上に位置するアノードを少なくとも有し、前記リアプレートに対向して位置する平板状のフェースプレートと、前記リアプレートと前記フェースプレートとの間に位置する支持枠とを有する真空容器と、前記アノードに前記電子源よりも高い電位を供給するアノード電位供給手段と、前記フェースプレートの内面上で前記アノード形成領域外に位置する少なくともひとつの導電性部材と、前記導電性部材に前記電子源に印加させる電位と前記アノードに印加させる電位との間の電位を供給する電位供給手段と、前記アノードと前記導電性部材との間に位置し、前記アノードに接続する第一の抵抗部材と、前記導電性部材と前記第一の抵抗部材との間に位置し、両者に接続する第二の抵抗部材とを有し、前記第一の抵抗部材及び前記第二の抵抗部材は、そのシート抵抗が１０³Ω／□以上１０¹⁴Ω／□以下であり、且つ互いに異なるシート抵抗値を有する。
【００１１】
本構成においては、第一の抵抗部材と第二の抵抗部材の抵抗値が異なるため、平常状態におけるアノードと導電性部材間の電圧は、第一の抵抗部位材と第二の抵抗部材のうちより高抵抗な抵抗部材に支配的に印加される。よって、万一放電が発生する場合は、第一の抵抗部位材と第二の抵抗部材のうちより高抵抗な抵抗部材の部分が短絡状態となり、放電を発生する。放電が発生すると、第一の抵抗部材と第二の抵抗部材のうちより高抵抗な抵抗部材の部分の抵抗値は無視できるため、アノードと導電性部材間を流れる電流は第一の抵抗部材と第二の抵抗部材のうちより低抵抗な部材によって決まる。ここで第一の抵抗部材と第二の抵抗部材のうちより低抵抗な抵抗部材はアノードよりも十分抵抗が高いため、第一の抵抗部材と第二の抵抗部材のうちより低抵抗な抵抗部材に電流が流れたことによって、第一の抵抗部材と第二の抵抗部材の境界部の電位が平常状態時の電位からアノード電位または導電性部材の電位へと変化していく（具体的には平常状態時における境界部の電位がアノード電位の場合は導電性部材の電位へ変化していき、平常状態時における境界部の電位が導電性部材の電位の場合はアノード電位に変化していく）。これによって、放電が収まる。
【００１２】
このように、放電発生時には第一の抵抗部材と第二の抵抗部材のうちより低抵抗な抵抗部材が電流制限抵抗の役割を果たし、放電時の放電電流を減らすことが出来、メタルバックの焦げ付きや、抵抗部材の剥離などのダメージを減らすことが出来る。更に、放電現象が収まると再び平常状態に戻るので、以後同じ効果が持続して期待できる。
【００１３】
また、本構成においては、画像表示領域外の部分に設けられた導電性部材にアノード電位と電子源に印加する電位との間の電位が供給されているため、画像表示領域外の電界を弱められ、画像表示領域外での放電（ゲッタ部材やスペーサ端部での電界集中による放電や、支持枠表面での沿面放電）を抑制する機能を有する。尚、この機能は、上記箇所（第一の抵抗部材と第二の抵抗部材のうちより高抵抗な抵抗部材の部分）での放電発生時においても、導電性部材の電位はほとんど変動することがないため、支持枠での沿面放電、画像表示領域外のゲッタ部材近傍での放電等の誘発を防止できる。
【００１８】
また、本構成においては、アノードに近い側である第一の抵抗部材を第二の抵抗部材よりも低抵抗とすると、導電性部材の電位変動はより確実に抑えることができるため、好ましい。放電発生時は高圧の印加部分が、第一、第二の抵抗部材のうち高抵抗な抵抗部材から低抵抗な抵抗部材に瞬時に移動するため、低抵抗な抵抗部材の電位は大きく変動する。これに伴って低抵抗な抵抗部材と直接接続する部材（低抵抗な抵抗部材の両端に位置する部材であり、本構成では第二の抵抗部材とアノード）の電位も変動する。本構成においては低抵抗な抵抗部材がアノードに近い側である第一の抵抗部材であるため、導電性部材はこの電位変動の影響を受けることはない。よって、支持枠表面や画像表示領域外のゲッタ部材等の電界に影響を及ぼすことがなく、これらの部分での放電の誘発をより確実に防止することが可能となる。
【００１９】
また、本発明の画像形成装置の更に別の態様においては、電子源を有するリアプレートと、前記電子源から放出された電子の照射を受け画像を形成する蛍光体及び該蛍光体上に位置するアノードを少なくとも有し、前記リアプレートに対向して位置する平板状のフェースプレートと、前記リアプレートと前記フェースプレートとの間に位置する支持枠とを有する真空容器と、前記アノードに前記電子源よりも高い電位を供給するアノード電位供給手段と、前記フェースプレートの内面上で前記アノード形成領域外に位置し、シート抵抗が１０³Ω／□以上１０¹⁴Ω／□以下である第一の抵抗部材及び第二の抵抗部材と、前記第二の抵抗部材に前記電子源に印加させる電位と前記アノードに印加させる電位との間の電位を供給する電位供給手段とを有し、前記第一の抵抗部材は、前記アノードと前記第二の抵抗部材との間に位置して両者に接続し、且つ前記第二の抵抗部材よりも１００００倍以上大きいシート抵抗値を有する。
【００２０】
本構成においては、第一の抵抗部材の抵抗値を第二の抵抗部材より極めて大きくすることによって、簡易な構成において、支持枠及びゲッタ材等の部位での電界集中を防止しながら、フェースプレート内面での放電発生時における電流制限抵抗機能を得ることが可能となる。第一の抵抗部材を第二の抵抗部材よりも極めて大きな抵抗値とする、好ましくは、第一の抵抗部材の抵抗値を第二の抵抗部材の抵抗値の１００００倍以上大きくすることで、第二の抵抗部材に電流制限抵抗の機能も持たせるとともに導電性部材としての機能も持たせることが可能となり、より簡易な構成が実現できる。
【００２１】
即ち、第二の抵抗部材に電流制限抵抗の機能を持たせるための抵抗値を持たせているため、導電性部材を設けないと、第二の抵抗部材内で電位供給手段からの位置に応じた電位降下が発生するが、第二の抵抗部材と直列に接続する第一の抵抗部材の抵抗値が極めて大きいため、第一の抵抗部材での電圧降下が支配的となり、第二の抵抗部材の電位供給手段からの位置に依存する電位降下はほとんど無視できる。
【００２２】
一方、上記他の発明と同様の原理で、平常状態では、抵抗値の大きい第一の抵抗部材に高圧が印加され、放電発生時においては、低抵抗な第二の抵抗部材が電流制限抵抗として機能するため、放電電流を減らすことができ、メタルバックの焦げ付きや導電部材の剥離などのダメージを減らすことができる。さらに、放電現象がおさまると再び平常状態に戻るので以後同じ効果が持続して期待できる。
【００２３】
また、上記各発明において、導電性部材、前記第一及び第二の抵抗部材は、前記画像表示領域の全周囲にわたって配置されていることが好ましい。この場合、省スペース化のために画像領域外を狭くする時に、支持枠が画像領域に近づいた場合の放電対策に有効である。
【００２４】
また、上記各発明において、前記電位供給手段は、接地電位を供給することが好ましい。
【００２５】
また、上記各発明において、前記第一及び第二の抵抗部材は、そのシート抵抗が１０³Ω／□〜１０¹⁴Ω／□であることが好ましい。この場合、より確実な電流制限抵抗機能が得られる。
【００２６】
また、更には、前記第一及び第二の抵抗部材は、そのシート抵抗が１０⁷Ω／□〜１０¹⁴Ω／□であることが画像表示装置での消費電力を抑えながら、電流制限抵抗機能を得ることができより好ましい。
【００２７】
また、上記各発明において、前記第一の抵抗部材のシート抵抗と、前記第二の抵抗部材のシート抵抗との関係において、一方が他方の１００倍以上大きいことが好ましい。この場合、第一の抵抗部材と第二の抵抗部材での抵抗分布が明確となり、高抵抗な抵抗部材により確実に電圧が印加されるため、第一の抵抗部材及び第二の抵抗部材の両者を短絡するような放電がより確実に回避される。
【００２８】
また、上記各発明において、前記第一の抵抗部材と前記第二の抵抗部材のシート抵抗は１０⁷Ω／□〜１０¹⁴Ω／□であって、且つ第二の抵抗部材が第一の抵抗部材の１００倍以上大きいことが好ましい。この場合、より確実に電流制限抵抗効果が得られる。
【００２９】
また、上記各発明において、前記第一の抵抗部材と前記第二の抵抗部材は、その厚みを異ならしめることにより異なる抵抗値に構成されることが好ましい。
【００３０】
また、上記各発明において、前記第一の抵抗部材と前記第二の抵抗部材との接続部位に、第２の導電性部材を有することが好ましい。この場合、前記第一の抵抗部材と第二の抵抗部材間の抵抗境界部に第２の導電性部材（以下中間電極と呼ぶ場合有り）を形成することによって第一の抵抗部材と第二の抵抗部材間の導通を確実なものにできてなお良い。また、印刷電極等の強い膜質の中間電極を形成すれば、放電した場合でも接続部にダメージを受け難くなりより好ましい。
【００３１】
また、上記各発明において、前記電子源は、配線に接続された複数の電子放出素子を有することが好ましい。
【００３２】
また、上記各発明において、前記電子源は、複数の電子放出素子が、複数の行方向配線と、複数の列方向配線とによりマトリクス状に結線されていることが好ましい。
【００３３】
また、上記各発明において、前記電子放出素子は冷陰極素子であることが好ましい。
【００３４】
また、上記各発明において、前記冷陰極素子は、表面伝導型電子放出素子であることが好ましい。
【００３５】
更に、上記各発明及び前記各好ましい態様は、画像形成装置の製造方法にも適用される。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。但し、この実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置等は、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００３７】
まず、本実施形態のフェースプレートの構成について説明する。
図１にフェースプレートを真空容器内面からみた図を、図２に図１のＡ−Ａ断面の概略図を示す。
フェースプレート基板としては、青板ガラスや、表面にＳｉＯ₂被膜を形成した青板ガラス、Ｎａの含有量を少なくしたガラス、石英ガラスなど、条件に応じて各種材料を用いる。
【００３８】
１００は、高圧導入端子（不図示）との高圧当接部位である。なお、画像表示領域１０１について詳しくは後述する。１０２は導電性部材であり、フェースプレートの内面に画像表示領域１０１及び高圧当接部位１００の周りを取り囲んで形成されている。また、導電性部材１０２の図面上右上隅には電極端子を当接するために適するように幅を広くした導体当接部位１０３を形成してある。さらに、画像表示領域１０１と導電性部材１０２の間の領域において、図示するように画像表示領域側には第１の抵抗膜（第一の抵抗部材）１０４、導電性部材側には第２の抵抗膜（第二の抵抗部材）１０５が形成されており、且つ第一の抵抗膜と第二の抵抗膜の抵抗値は互いに異なり、より好ましくは、第一の抵抗膜の抵抗値＜＜第二の抵抗膜の抵抗値である。
【００３９】
導電性部材１０２を配置した場合、例えばその電位を電子源電位と同じ０Ｖとすると、導電性部材１０２と画像表示領域１０１の間のみに電界がかかる。つまりフェースプレートの導電性部材１０２の外側の電位は０Ｖとなる。従ってこの構成の場合、画像領域外の耐圧は、画像表示領域−導電性部材間の沿面耐圧のみを考えればよい。
【００４０】
従って、導電性部材１０２の外側の領域には、放電耐圧を気にすることなく、自由に構造物を配置することが可能となる。即ち、導電性部材１０２と支持枠との距離を短くでき、小型軽量化に効果があるとともに、支持枠近辺の構成をラフにできる。具体的には、支持枠近傍までのびるスペーサにおけるその端部形状や、ゲッタ部材、支持枠とリアプレートとの接着剤（後述するフリットガラスのはみ出し）など、従来放電源の可能性があった物に対しても、気を使う必要が無くなる。
【００４１】
更に、抵抗膜１０４、１０５は帯電防止の役割を果たし、フェースプレートからの反射電子などが画像表示領域と導電性部材の間の領域に到達した場合に、微少な電流を流すことによってそれらを除電する。なお、抵抗膜の抵抗値としては１０³Ω／□〜１０¹⁴Ω／□、消費電力を考慮するとより好ましくは１０⁷Ω／□〜１０¹⁴Ω／□とすることが好ましい。
【００４２】
ここで、本実施形態の特徴である、第一の抵抗膜（抵抗部材）と第二の抵抗膜（抵抗部材）の抵抗値を異ならす、より好ましくは、アノード側に位置する第一の抵抗膜の抵抗値を第二の抵抗膜より十分小さくする2層構造にすることにより放電ダメージを軽減することについて、その考え方は以下のようである。平常時は第一の抵抗部材の抵抗値＜＜第二の抵抗膜の抵抗値の関係により第１の抵抗膜１０４の電位はほぼアノード電圧Ｖａと等しくなる。
【００４３】
従って、画像表示領域と導電性部材の間で万一放電が起こる場合は、第一の抵抗膜と第二の抵抗膜の抵抗境界部１０６と導電性部材１０２の間で起きることになる。放電が起こると、抵抗値に依らない電流パスができるため、抵抗境界部１０６と導電性部材１０２の間は電気的に短絡されたようになる。この瞬間に第２の抵抗膜１０５の抵抗値は無視できるため、画像表示領域−導電性部材間を流れる電流は第１の抵抗膜１０４の抵抗値によって決まる。第一の抵抗膜の抵抗値は画像表示領域１０１（具体的にはメタルバック）に比べて十分高抵抗な為、第１の抵抗膜１０４に電流が流れたことによって接続部１０６の電位が低下する。接続部１０６の電位が低下すると接続部−導電性部材間の放電はおさまり、やがて、また安定すると第１の抵抗膜１０４はアノード電位まで上昇する。従って、接続部−導電性部材間の放電電流を減じることができ、放電箇所に電流が集中するのが抑制され、ダメージが減り、画像表示装置の崩壊を防ぐことができる。放電現象がおさまると再び平常状態に戻るので以後同じ効果が持続して期待できる。
【００４４】
この時、放電耐圧の観点からは、第一の抵抗部材の抵抗値＝第二の抵抗部材の抵抗値である一層構造よりは平常状態で実質、高電圧が印加される部分（第一の抵抗部材と第二の抵抗部材のうちより高抵抗な部材の位置する部分）が狭くなって厳しくなるが、この場合、一旦放電してしまうとダメージが大きく、画像表示装置として成り立たなくなってしまう。
【００４５】
よって、本発明によって、多少の放電でもダメージを減じ、画像表示装置として持続させる効果がある。
【００４６】
次に、フェースプレートの製造方法を説明する。
フェースプレート基板としては、ＳｉＯ₂層を設けたソーダライムガラスを用いる。まず、高圧導入端子当接部と、画像表示領域を取り囲むようにした導電性部材をＡｇペーストを印刷することによって形成する。導電性部材の幅は２ｍｍで画像表示領域から４ｍｍ離れて一周している。
【００４７】
次に、ガラスペーストおよび黒色顔料を含んだ黒色顔料ペーストを用い、図３のように、マトリクス状にスクリーン印刷法により作製し、ブラックマトリクス１０１０とした。本実施例ではスクリーン印刷法によりブラックマトリックスを作製したが、もちろんこれに限定されるものではなく、たとえばフォトリソグラフィー法をもちいて作製してもよい。また、ブラックマトリクス１０１０の材料として、ガラスペーストと黒色顔料を含んだ黒色顔料ペーストを用いたが、もちろんこれに限定されるものではなく、たとえばカーボンブラックなどを用いてもよい。またブラックマトリクス１０１０は、本実施例では図３のように、マトリクス状に作製したが、もちろんこれに限定される訳ではなく、ストライプ状配列（例えば図４（ａ））やデルタ状配列（例えば図４（ｂ））やそれ以外の配列であっても良い。
【００４８】
次に、図３に示すように、ブラックマトリクス１０１０の開口部に、赤色・青色・緑色の蛍光体ペーストを用いてストライプ状にスクリーン印刷法により作製した。もちろんこれに限定される訳ではなく、たとえばフォトリソグラフィー法などにより作製しても良い。また、蛍光体の塗り分け方はストライプ状の配列に限られるものではなく、前記ブラックマトリクスに合わせて、たとえば図４（ｂ）に示すようなデルタ状配列や、それ以外の配列であってもよい。
【００４９】
次に、ブラウン管の分野では公知であるフィルミング工程により、樹脂中間膜を作製し、その後に金属蒸着膜（本実施形態ではＡｌ）を作製し、最後に樹脂中間膜を熱分解除去させる事によりメタルバック１０１９を作製した。
【００５０】
また、加速電圧の印加や蛍光膜の導電性向上を目的として、フェースプレート基板１０１７と蛍光膜１０１８との間に、たとえばＩＴＯ、ＡＴＯや酸化錫等を材料とする透明電極を設けてもよい。抵抗膜１０４、１０５の形成は作製手順を限定するものでなく、上記工程のいずれの間に行っても良い。しかしながら、スパッタのように成膜時にマスキングが必要な場合は、マスクによる、画像表示領域部の構造体である蛍光体やメタルバックを傷つけたり汚染することを回避するため、蛍光体やメタルバックを形成する前に行った方が、画像表示領域を乱す確率が減って好ましい。
【００５１】
次に、本発明を適用した画像形成装置の表示パネルの構成と製造方法について具体的な例を示して説明する。図５は、本実施形態に用いた表示パネルの斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの一部を切り欠いて示している。
図中、１０１５はリアプレート、１０１６は側壁（支持枠）、１０１７はフェースプレートであり、１０１５〜１０１７により表示パネルの内部を真空に維持するための気密容器を形成している。気密容器を組み立てるにあたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保持させるため封着する必要があるが、たとえばフリットガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中で、４００〜５００℃で１０分以上焼成することにより封着を達成した。気密容器内部を真空に排気する方法については後述する。また、上記気密容器の内部は１０^-4［Ｐａ］程度の真空に保持されるので、大気圧や不意の衝撃などによる気密容器の破壊を防止する目的で、耐大気圧構造体として、スペーサ１０２０が設けられている。
【００５２】
次に、本実施形態の画像形成装置に用いることができる電子放出素子基板について説明する。
この画像形成装置に用いられる電子源基板は複数の冷陰極素子を基板上に配列することにより形成される。冷陰極素子の配列の方式には、冷陰極素子を並列に配置し、個々の素子の両端を配線で接続するはしご型配置（以下、はしご型配置電子源基板と称する）や、冷陰極素子の一対の素子電極のそれぞれＸ方向配線、Ｙ方向配線を接続した単純マトリクス配置（以下、マトリクス型配置電子源基板と称する）が挙げられる。なお、はしご型配置電子源基板を有する画像形成装置には、電子放出素子からの電子の飛翔を制御する電極である制御電極（グリッド電極）を必要とする。
【００５３】
リアプレート１０１５には、基板１０１１が固定されているが、該基板上には冷陰極素子１０１２がＮ×Ｍ個形成されている（Ｎ、Ｍは２以上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定される。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目的とした表示装置においては、Ｎ＝３０００、Ｍ＝１０００以上の数を設定することが望ましい。）。前記Ｎ×Ｍ個の冷陰極素子は、Ｍ本の行方向配線１０１３とＮ本の列方向配線１０１４により単純マトリクス配線されている。前記、１０１１〜１０１４によって構成される部分をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。この画像表示装置に用いるマルチ電子ビーム源は、冷陰極素子を単純マトリクス配線もしくは、はしご型配置した電子源であれば、冷陰極素子の材料や形状あるいは製法に制限はない。従って、たとえば表面伝導型放出素子やＦＥ型、あるいはＭＩＭ型などの冷陰極素子を用いることができる。
【００５４】
次に、冷陰極素子として表面伝導型放出素子を基板上に配列して単純マトリクス配線したマルチ電子ビーム源の構造について述べる。
【００５５】
図６は、図５の表示パネルに用いたマルチ電子ビーム源の平面図である。基板１０１１上には、表面伝導型放出素子が配列され、これらの素子は行方向配線１０１３と列方向配線１０１４により単純マトリクス状に配線されている。行方向配線１０１３と列方向配線１０１４の交差する部分には、電極間に絶縁層（不図示）が形成されており、電気的な絶縁が保たれている。
【００５６】
図６のＢ−Ｂ’に沿った断面を、図７に示す。なお、このような構造のマルチ電子源は、あらかじめ基板上に行方向配線１０１３、列方向配線１０１４、電極間絶縁層（不図示）、および表面伝導型放出素子の素子電極と導電性薄膜を形成した後、行方向配線１０１３および列方向配線１０１４を介して各素子に給電して通電フォーミング処理と通電活性化処理を行うことにより製造した。
【００５７】
本実施形態においては、気密容器のリアプレート１０１５にマルチ電子ビーム源の基板１０１１を固定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板１０１１が十分な強度を有するものである場合には、気密容器のリアプレートとしてマルチ電子ビーム源の基板１０１１自体を用いてもよい。
【００５８】
図８は図５のＡ−Ａ’の断面模式図であり、各部の符号は図５に対応している。スペーサ１０２０は絶縁牲部材１の表面に帯電防止を目的とした導電膜１１を成膜し、かつフェースプレート１０１７の内側（メタルバック１０１９等）及び基板１０１１の表面（行方向配線１０１３または列方向配線（不図示））に面したスペーサの当接面３及び接する側面部５に低抵抗膜２１を成膜した部材からなるもので、上記目的を達成するのに必要な数だけ、かつ必要な間隔をおいて配置され、フェースプレートの内側および基板１０１１の表面に接合材１０４１により固定される。
【００５９】
ここで、上述のとおり、スペーサ端部での電界集中による放電を回避するため、スペーサはその端部が画像表示領域外に位置するように画像表示領域よりも長いスペーサをもちるのが好ましい。また、導電膜は、絶縁性部材１の表面のうち、少なくとも気密容器内の真空中に露出している面に成膜されており、スペーサ１０２０上の低抵抗膜２１および接合材１０４１を介して、フェースプレート１０１７の内側（メタルバック１０１９等）及び基板１０１１の表面（行方向配線１０１３または列方向配線（不図示））に電気的に接続される。
【００６０】
ここで説明される態様においては、スペーサ１０２０の形状は薄板状とし、行方向配線１０１３に平行に配置され、行方向配線１０１３に電気的に接続されている。図中４０は絶縁層であり、不図示の列方向配線と行方向配線１０１３を絶縁する為のものである。
【００６１】
スペーサ１０２０としては、基板１０１１上の行方向配線１０１３および列方向配線１０１４とフェースプレート１０１７内面のメタルバック１０１９との間に印加される高電圧に耐えるだけの絶縁性を有し、かつスペーサ１０２０の表面への帯電を防止する程度の導電性を有する必要がある。接合材１０４１はスペーサ１０２０が行方向配線１０１３およびメタルバック１０１９と電気的に接続するように、導電性をもたせる必要がある。
【００６２】
即ち、導電性接着材や金属粒子や導電性フィラーを添加したフリットガラスが好適である。気密容器内部を真空に排気するには、気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポンプとを接続し、気密容器内を１０^-5［Pa］程度の真空度まで排気する。その後、排気管を封止するが、気密容器内の真空度を維持するために、封止の直前あるいは封止後に気密容器内の所定の位置にゲッタ膜（不図示）を形成する。ゲッタ膜とは、たとえばＢａを主成分とするゲッタ材料をヒータもしくは高周波加熱により加熱し蒸着して形成した膜であり、該ゲッタ膜の吸着作用により気密容器内は１０^-3ないしは１０^-5［Pa］の真空度に維持される。
【００６３】
図１２にゲッタ設置部近傍における画像形成装置の部分断面図を示す（図中２００はフラッシング前のゲッタ部材、２０１はゲッタ部材支持体である）。
以上説明した表示パネルを用いた画像表示装置は、容器外端子Ｄｘ１ないしＤｘｍ、Ｄｙ１ないしＤｙｎを通じて各冷陰極素子１０１２に電圧を印加すると、各冷陰極素子１０１２から電子が放出される。それと同時にメタルバック１０１９に容器外端子Ｈｖを通じて数百［Ｖ］ないし数［ｋＶ］の高圧を印加するアノード電位供給手段を有していて上記放出された電子を加速し、フェースプレート１０１７の内面に衝突させる。これにより、蛍光膜１０１８をなす各色の蛍光体が励起されて発光し、画像が表示される。
【００６４】
また、図５には示されていないが、容器外端子Ｈｖと対角する位置には導電性部材１０２への電位供給のため導体当接部位１０３と電気的に接続する容器外端子Ｌｖとそれに電気的に接続する電位供給手段を有し、電子源に印加される電位の最も低い電位とアノード（メタルバック）に印加する電位の間の電位が供給されている。
【００６５】
通常、冷陰極素子である本発明の表面伝導型放出素子１０１２への印加電圧は、Ｄｘ１ないしＤｘｍ、Ｄｙ１ないしＤｙｎにそれぞれ−６〜−８「Ｖ」、＋６〜８「Ｖ」を印加することで１２〜１６［Ｖ］程度、メタルバック１０１９と冷陰極素子１０１２との距離ｄは０．１［ｍｍ］から８［ｍｍ］程度、メタルバック１０１９と冷陰極素子１０１２間の電圧は０．１［ｋＶ］から２０［ｋＶ］程度である。
【００６６】
以上、本発明の実施例の表示パネルの基本構成と製法、および画像表示装置の概要を説明した。
【００６７】
【実施例】
以下、本発明を更に詳細に説明するための諸実施例を開示する。
ここで、実施例１〜６及び８においては、抵抗部材である抵抗膜はブラックマトリクスを形成する前に、被膜部分が開口したマスクでマスキングし、その上からスパッタによって成膜している。また、実施例７においては、ブラックマトリクスを形成後、被膜部分が開口したマスクでマスキングし、その上からスパッタ等の方法によって、抵抗部材となる膜を成膜している。勿論これらは、一例であり、他の成膜方法の利用や、また、各実施例においてブラックマトリクスと抵抗部材の形成手順を変更することは可能であり、これによって、本発明の効果が失われるものではない。また、各実施例とも、フェースプレートの平面構成は図１に示す概略構成図と同様であるため、その説明を省略する。
【００６８】
（実施例１）
本実施例では2種類の抵抗膜を用いて、画像表示領域−導電性部材間を被覆している。図９に抵抗膜部の断面図を示す。ここで、１０１７はフェースプレート基板、１０１９はメタルバック、１０２は導電性部材、１０４は第１の抵抗膜（第一の抵抗部材）、１０５は第２の抵抗膜（第二の抵抗部材）、１０６は抵抗境界部、４０１は蛍光体およびブラックマトリクスであり、１０１９及び４０１から画像表示領域を構成する。
【００６９】
まず、第１の抵抗膜としてＷＧｅＮ（タングステン、ゲルマニウムの窒化物）を膜厚が約２５０ｎｍとなるように成膜した。成膜条件は全圧１．５Ｐａ、Ａｒ流量５０ｓｃｃｍ、N₂流量５ｓｃｃｍ、Wの投入電力２３９Ｗ、Ｇｅの投入電力６００Ｗで２０分間スパッタすることによって、約４×１０⁹Ω／□を得た。次に、第２の抵抗膜としてＡｌＮ（窒化アルミニウム）を膜厚が約５０ｎｍとなるように成膜した。成膜条件は全圧１．５Ｐａ、Ａｒ流量５０ｓｃｃｍ、Ｎ₂流量１０ｓｃｃｍ、Ａｌの投入電力１２００Ｗで１０分間スパッタすることによって、約３×１０¹²Ω／□を得た。図中、ａ＝ｂ＝２ｍｍ，ｃ＝２ｍｍで設計し、実測は設計値に対して１００μm以内の位置精度であった。
【００７０】
前記フェースプレートを用いて画像形成装置を形成したところ、第１の抵抗膜と第２の抵抗膜ではその抵抗がおよそ７００倍の差がある為、抵抗境界部１０６の電位はほぼ画像表示領域と同じと見なせる。ここで、画像表示領域にアノード電圧Ｖａ＝１０ｋＶ印加したところ、接続部１０６と導電性部材１０２との間では放電は起きず、画像形成装置として問題無く映像を表示させることができた。
【００７１】
更に、輝度を求めて、Ｖａ＝１２ｋＶとした時に、接続部１０６と導電性部材１０２の間で放電が起きたが、メタルバック１０１９や抵抗膜１０４および１０５には放電によるダメージが生じなかった。その後、Ｖａ＝１２ｋＶにて１時間駆動し、放電が５回観測されたが、ダメージが生じず、効果の持続性が確かめられた。
【００７２】
（実施例２）
本実施例では第１の抵抗膜（第一の抵抗部材）をＩＴＯ膜とした。図１０に断面図を示す。１０１７はフェースプレート基板、１０１９はメタルバック、１０２は導電性部材、１０４は第１の抵抗膜、１０５は第２の抵抗膜、１０６は抵抗境界部、４０１は蛍光体およびブラックマトリクスであり、１０１９及び４０１によって画像表示領域を構成する。
【００７３】
本実施例では画像表示領域にもＩＴＯ膜を形成し、第１の抵抗膜は同時に同条件で、図１０に示すように、連続して成膜した（図中１０４）。また、本実施例では導電性部材１０２および高圧導入端子当接部（不図示）を形成する前にＩＴＯ膜を成膜した。このＩＴＯ膜は膜厚が約２００ｎｍ程度であり、シート抵抗は１０⁶Ω／□程度でメタルバックよりも十分抵抗は高い。第２の抵抗膜にはＷＧｅＮを膜厚が約２５０ｎｍとなるように成膜した。成膜条件は全圧１．５Ｐａ、Ａｒ流量５０ｓｃｃｍ、Ｎ₂流量５ｓｃｃｍ、W電力１８０Ｗ、Ｇｅ電力６００Ｗで２０分間スパッタすることによって、約２×１０¹²Ω／□を得た。図中、ａ＝ｂ＝２ｍｍ、ｃ＝２ｍｍで設計し、実測は設計値に対して１００μm以内の位置精度であった。
【００７４】
前記フェースプレートを用いて画像形成装置を形成したところ、第１の抵抗膜１０４と第２の抵抗膜１０５の抵抗は６桁も違う為、第１の抵抗膜１０４は実質的にアノード電圧と等しくなり、実施例１と同様な効果が得られた。この場合、より確実に第一の抵抗膜の抵抗値＜＜第二の抵抗膜の抵抗値の関係を満たすことが可能である。また、画像表示領域にＩＴＯ膜を有するフェースプレートに本発明を適用する場合には、抵抗膜のみを成膜する工程が１工程省け、時間的に有利である。
【００７５】
（実施例３）
本実施例では抵抗膜膜としてＷＧｅＮを用い、スパッタ条件を変えて第１の抵抗膜と第２の抵抗膜の抵抗値を変えている。断面構成は実施例１（図９）と同じである。成膜条件では電力（W）だけ変化させており、その他の条件は全圧１．５Ｐａ、Ａｒ流量５０ｓｃｃｍ、N₂流量５ｓｃｃｍ、Ｇｅ電力６００Ｗである。第１の抵抗膜ではWの投入電力を２３０Ｗとし約４×１０⁹Ω／□を得、第２の抵抗膜ではWの投入電力を１８０Ｗとし約２×１０¹²Ω／□を得た。
【００７６】
前記フェースプレートを用いて画像形成装置を形成したところ実施例１と同じ効果が得られた。この場合、第一の抵抗膜と第二の抵抗膜の膜材料が同じであり、表面エネルギーや熱膨張係数等の特性が大きく異ならないため、境界部での抵抗膜の連続性が良好となる他、スパッタターゲットも複数種用意する必要がなく、材料コスト、装置コスト的にも有利である。
【００７７】
（実施例４）
本実施例が実施例１と異なるのは接続部分に中間電極を設けたことである。図１１に断面図を示す。１０１７はフェースプレート基板、１０１９はメタルバック、６０１は中間電極、１０２は導電性部材、１０４は第１の抵抗膜、１０５は第２の抵抗膜、１０６は抵抗境界部、４０１は蛍光体およびブラックマトリクスであり、１０１９及び４０１から画像表示領域が構成される。
【００７８】
中間電極６０１は導電性部材１０２と同じＡｇペーストにて、導電性部材１０２および高圧導入端子当接部（不図示）を形成する際に同時に印刷してある。第一、第二の抵抗膜の形成手法は実施例１と同じである。図中、ａ＝ｂ＝２ｍｍ、ｃ＝２ｍｍ、ｄ＝１ｍｍとなるように設計してある。実測は設計値に対して１００μm以内の位置精度であった。
【００７９】
放電し始める電圧は実施例1と変わらずにＶａ＝１２ｋＶで放電した。本実施例では更にアノード電圧を上げＶａ＝１３ｋＶまで印加した。放電頻度と放電の大きさは増加したが、印刷形成した中間電極６０１は第一、第二の抵抗膜に比べ密着力が強いので接続部でのダメージは起きなかった。また、効果の持続性も確認できた。
【００８０】
（実施例５）
本実施例においては、実施例１の第一の抵抗膜のシート抵抗値を異ならせた以外は実施例１と同様である。具体的には、スパッタ条件を変更し、第一の抵抗膜のシート抵抗値を１０³Ω/□とした。本例においては、若干消費電力が増すものの、平常状態での高圧印加部がより確実に第二の抵抗膜部となるため、アノード（具体的にはメタルバック）部と導電性部材間を短絡するような放電を確実に回避でき、第一の抵抗膜での電流制限抵抗機能がより確実に得られる。また、第一の抵抗膜のシート抵抗を１０³Ω/□と実施例１より小さくしたものの、放電発生時には十分な電流制限抵抗機能を得ることができた。
【００８１】
（実施例６）
本実施例においては、実施例１の第一、第二の抵抗膜（抵抗部材）の材料を入れ替えた以外は実施例１と同様である。具体的には、第一の抵抗膜１０４として、ＡｌＮを膜厚が約５０ｎｍとなるように成膜した。成膜条件は全圧１．５Ｐａ、Ａｒ流量５０ｓｃｃｍ、Ｎ₂流量１０ｓｃｃｍ、Ａｌの投入電力１２００Ｗで１０分間スパッタすることによって、約３×１０¹²Ω／□を得た。また、第二の抵抗膜としてＷＧｅＮを膜厚が約２５０ｎｍとなるように成膜した。成膜条件は全圧１．５Ｐａ、Ａｒ流量５０ｓｃｃｍ、N₂流量５ｓｃｃｍ、Wの投入電力２３９Ｗ、Ｇｅの投入電力６００Ｗで２０分間スパッタすることによって、約４×１０⁹Ω／□を得た。図中（図９中）、ａ＝ｂ＝２ｍｍ，ｃ＝２ｍｍで設計し、実測は設計値に対して１００μm以内の位置精度であった。
【００８２】
本構成においては、第１の抵抗膜と第２の抵抗膜では第一の抵抗膜の方がその抵抗がおよそ７００倍大きい為、抵抗境界部１０６の電位はほぼ導電性部材１０２と同じと見なせる。ここで、画像表示領域にアノード電圧Ｖａ＝１０ｋＶ印加したところ、接続部１０６と画像表示領域との間では放電は起きず、画像形成装置として問題無く映像を表示させることができた。
【００８３】
更に、輝度を求めて、Ｖａ＝１２ｋＶとした時に、接続部１０６と画像表示領域間で放電が起きたが、メタルバック１０１９や抵抗膜１０４および１０５には放電によるダメージが生じなかった。その後、Ｖａ＝１２ｋＶにて１時間駆動し、放電が５回観測されたが、実施例１同様ダメージが生じず、効果の持続性が確かめられた。
【００８４】
（実施例７）
本実施例においては、画像表示領域を形成する構成要素の１つであるブラックマトリクス（黒色導電体）１０１０をアノードであるメタルバックよりも導電性部材１０２側に突出して配置し、画像表示領域の最外周をブラックマトリクスで定義した。そして、このブラックマトリクスの抵抗値を所望の値となるように制御し、第一の抵抗部材として活用した。尚、ブラックマトリクスの抵抗値制御は、具体的には、ガラスペーストに酸化ルテニウムを混合したうえで、黒色顔料との混合比を適宜調整しておこなった。また、前述のとおり、本実施例においては、ブラックマトリクス１０１０を形成後、第二の抵抗膜（第二の抵抗部材）を形成した。
【００８５】
本構成のフェースプレート断面図を図１３に示す。
ここで、ブラックマトリクス１０１０のシート抵抗は１０⁴Ω/□、厚み15μｍ、第二の抵抗膜１０５はシート抵抗が１０¹³Ω/□で膜厚は１００ｎｍのＷＧｅＮ膜を形成した。また、図中a＝b＝４ｍｍ、c＝２ｍｍとした。このフェースプレートを用いて画像形成装置を形成したところ、第一の抵抗部材として働くブラックマトリクスの抵抗値よりも第二の抵抗膜の抵抗値がはるかに大きいため、境界部１０６の電位はほぼアノード電位と同じとみなせる。ここでアノード（具体的にはメタルバック）にアノード電圧Ｖａ＝１０ｋＶ印加したところ、接続部１０６と導電性部材１０２との間では放電は起きず、画像形成装置として問題無く映像を表示させることができた。
【００８６】
更に、輝度を求めて、Ｖａ＝１２ｋＶとした時に、接続部１０６と導電性部材１０２間で放電が起きたが、メタルバック１０１９やブラックマトリクス１０１０及び抵抗膜１０５には放電によるダメージが生じなかった。その後、Ｖａ＝１２ｋＶにて１時間駆動し、放電が５回観測されたが、実施例１同様ダメージが生じず、効果の持続性が確かめられた。
【００８７】
上記実施例１〜７においては、画像表示領域外の部分に設けられた導電性部材に電位が供給されているため、上記箇所（第一の抵抗部材と第二の抵抗部材のうちより高抵抗な抵抗部材の部分）での放電発生時においても、導電性部材の電位は変動することがなく、支持枠での沿面放電、画像表示領域外のゲッタ部材近傍での放電等の誘発を防止できた。
【００８８】
（実施例８）
本実施例においては、実施例６における導電性部材１０２の構成をなくし、フェースプレート構造をより簡略にした点と、第一の抵抗膜１０４及び第二の抵抗膜１０５のシート抵抗値をそれぞれ１０¹⁴Ω/□、１０³Ω/□に変更したことを除いては、実施例６と同様である。図１４に本実施例のフェースプレートの断面図を示す。
【００８９】
なお、図中、a＝b＝４ｍｍである。本構成においては、第一の抵抗膜１０４の抵抗値が第二の抵抗膜１０５の抵抗値より極めて大きいため、平常時においては第二の抵抗膜１０５が導電性部材の機能を果たし、境界部１０６は接地電位（ＧＮＤ）となる。ここでアノード（具体的にはメタルバック）にアノード電圧Ｖａ＝１０ｋＶ印加したところ、接続部１０６と画像表示領域との間で放電は起きず、画像形成装置として問題無く映像を表示させることができた。
【００９０】
更に、輝度を求めて、Ｖａ＝１２ｋＶとした時に、接続部１０６と画像表示領域間で放電が起きたが、メタルバック１０１９や抵抗膜１０４、１０５には放電によるダメージが生じなかった。その後、Ｖａ＝１２ｋＶにて１時間駆動し、放電が５回観測されたが、実施例６と同様にダメージが生じず、効果の持続性が確かめられた。
【００９１】
【発明の効果】
本発明によれば、形状に起因する電界集中や沿面放電の発生を抑止するとともに、電子源を用いた画像形成装置内において抵抗部材形成部で放電が発生した場合にも、放電によるダメージを大幅に減らし、画像形成装置の破壊を防止して、信頼性の高い画像形成装置を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態による画像形成装置のフェースプレートを真空容器内面からみた模式図である。
【図２】本実施形態による画像形成装置のフェースプレートの概略断面図である。
【図３】ブラックマトリクスの構成を示す概略平面図である。
【図４】ブラックマトリクスの他の構成を示す概略平面図である。
【図５】本実施形態に用いた表示パネルを示す概略斜視図である。
【図６】図５の表示パネルに用いたマルチ電子ビーム源を示す概略平面図である。
【図７】図５の表示パネルに用いたマルチ電子ビーム源を示す概略断面図である。
【図８】図５の表示パネルに用いたマルチ電子ビーム源を示す概略断面図である。
【図９】実施例１における画像形成装置の抵抗膜部を示す概略断面図である。
【図１０】実施例２における画像形成装置の抵抗膜部を示す概略断面図である。
【図１１】実施例４における画像形成装置の抵抗膜部を示す概略断面図である。
【図１２】画像形成装置における表示パネルを画像表示面の水平方向から見た模式図である。
【図１３】実施例７における画像形成装置の抵抗部材部を示す概略断面図である。
【図１４】実施例８における画像形成装置の抵抗部材部を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１：スペーサ基板
３：電子源基板に面したスペーサの当接面
５：電子源基板に接するスペーサの側面
１１：高抵抗膜
２１：低抵抗膜
４０：層間絶縁層
１００：高圧当接部位
１０１：画像表示領域
１０２：導電性部材
１０３：導体当接部位
１０４：第１の高抵抗膜
１０５：第２の高抵抗膜
１０６：抵抗境界部
１０７：高抵抗膜
２００：ゲッタ部材
２０１：ゲッタ部材支持体
２０２：電子源領域
２０３：支持枠
２０４：画像形成部材
４０１：蛍光体およびブラックマトリクス
６０１：中間電極
１０１１：基板
１０１２：冷陰極素子
１０１３：行方向配線
１０１４：列方向配線
１０１５：リアプレート
１０１６：側壁（支持枠）
１０１７：フェースプレート
１０１８：蛍光体
１０１９：メタルバック
１０２０：スペーサ
１１０２，１１０３：素子電極
１１０４：導電性薄膜
１１０５：電子放出部
１１１３：薄膜
１０１０：黒色導電材
１０４１接合材

Claims

電子源を有するリアプレートと、前記電子源から放出された電子の照射を受け画像を形成する蛍光体及び該蛍光体上に位置するアノードを少なくとも有し、前記リアプレートに対向して位置する平板状のフェースプレートと、前記リアプレートと前記フェースプレートとの間に位置する支持枠とを有する真空容器と、
前記アノードに前記電子源よりも高い電位を供給するアノード電位供給手段と、
前記フェースプレートの内面上で前記アノード形成領域外に位置する少なくともひとつの導電性部材と、
前記導電性部材に前記電子源に印加させる電位と前記アノードに印加させる電位との間の電位を供給する電位供給手段と、
前記アノードと前記導電性部材との間に位置し、前記アノードに接続する第一の抵抗部材と、
前記導電性部材と前記第一の抵抗部材との間に位置し、両者に接続する第二の抵抗部材とを有し、
前記第一の抵抗部材及び前記第二の抵抗部材は、そのシート抵抗が１０ ³ Ω／□以上１０ ¹⁴ Ω／□以下であり、且つ互いに異なるシート抵抗値を有することを特徴とする画像形成装置。
前記導電性部材、前記第一の抵抗部材及び前記第二の抵抗部材は、前記画像表示領域の全周囲にわたって位置していることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
前記電位供給手段は、接地電位を供給するものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
前記第一の抵抗部材と前記第二の抵抗部材のシート抵抗は、一方が他方の１００倍以上大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
前記第一の抵抗部材及び前記第二の抵抗部材は、そのシート抵抗が１０⁷Ω／□以上１０¹⁴Ω／□以下であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
前記第一の抵抗部材及び前記第二の抵抗部材は、そのシート抵抗が１０⁷Ω／□以上１０¹⁴Ω／□以下であって、且つ前記第二の抵抗部材のシート抵抗が前記第一の抵抗部材のシート抵抗の１００倍以上大きいことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像形成装置。
前記第一の抵抗部材と前記第二の抵抗部材は、膜厚が異なることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
前記第一の抵抗部材と前記第二の抵抗部材との接続部位に、第２の導電性部材を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
電子源を有するリアプレートと、前記電子源から放出された電子の照射を受け画像を形成する蛍光体及び該蛍光体上に位置するアノードを少なくとも有し、前記リアプレートに対向して位置する平板状のフェースプレートと、前記リアプレートと前記フェースプレートとの間に位置する支持枠とを有する真空容器と、
前記アノードに前記電子源よりも高い電位を供給するアノード電位供給手段と、
前記フェースプレートの内面上で前記アノード形成領域外に位置し、シート抵抗が１０ ³ Ω／□以上１０ ¹⁴ Ω／□以下である第一の抵抗部材及び第二の抵抗部材と、
前記第二の抵抗部材に前記電子源に印加させる電位と前記アノードに印加させる電位との間の電位を供給する電位供給手段とを有し、
前記第一の抵抗部材は、前記アノードと前記第二の抵抗部材との間に位置して両者に接続し、且つ前記第二の抵抗部材よりも１００００倍以上大きいシート抵抗値を有することを特徴とする画像形成装置。
前記導電性部材、前記第一の抵抗部材及び前記第二の抵抗部材は、前記画像表示領域の全周囲にわたって位置していることを特徴とする請求項９に記載の画像形成装置。
前記電位供給手段は、接地電位を供給するものであることを特徴とする請求項９又は１０に記載の画像形成装置。